JP2006261273A - Chamber and exposure system using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の微小デバイスを製造するための露光装置および該露光装置用の環境チャンバに関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, or a micromachine, and an environmental chamber for the exposure apparatus.
半導体露光装置では精密な位置決めを行うため、温度安定性が100分の1度〜1000分の1度の高精度な温度管理を行っている。このような温度管理は、露光装置を囲うチャンバ内の空間に温調された気体を流すことによって行われる。また、装置が発生する熱を取り除くために、発熱源の近傍に局所的に気体または冷却液を流すことも行われる。
さらに、チャンバの内部と外部の温度に大きな差がある場合にはチャンバ外部から内部に流入する熱が大きいため、チャンバ壁にチャンバ内部と外部との間の熱の伝達を抑える断熱層を配置することがあった。
Furthermore, when there is a large difference between the temperature inside and outside the chamber, the heat flowing into the chamber from the outside is large, so a heat insulating layer that suppresses heat transfer between the chamber inside and outside is disposed on the chamber wall. There was a thing.
上述のようにチャンバ壁に断熱層を設けた場合に、本発明者は以下の技術課題があることを見出した。それは、チャンバ壁に断熱層を設けるとチャンバ内壁面に熱が溜まってしまうということである。ここで、熱の発生源は、例えばチャンバ外部から少しずつ伝わってきた熱や、チャンバ内部の装置で発生した熱である。
上述の熱溜まりは、チャンバ内部の温度や装置の温度を不均一にする要因となりうるため好ましくない。本発明では、チャンバ壁に断熱層を設けた場合に、チャンバ壁内面の熱溜まりを低減することを目的としている。
When the heat insulation layer is provided on the chamber wall as described above, the present inventor has found that there are the following technical problems. That is, if a heat insulating layer is provided on the chamber wall, heat is accumulated on the inner wall surface of the chamber. Here, the heat generation source is, for example, heat transmitted from the outside of the chamber little by little, or heat generated by an apparatus inside the chamber.
The above-described heat accumulation is not preferable because it can cause the temperature inside the chamber and the temperature of the apparatus to be uneven. An object of the present invention is to reduce heat accumulation on the inner surface of the chamber wall when a heat insulating layer is provided on the chamber wall.
上記の課題を解決するため、本発明のチャンバは、露光装置の少なくとも一部を囲うチャンバであって、前記チャンバを構成する少なくとも1つの壁が、前記壁の内側と外側との間の熱の伝達を抑える断熱層と、前記壁の内壁面の温度を調整する温調手段とを備えることを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, a chamber of the present invention is a chamber that surrounds at least a part of an exposure apparatus, and at least one wall that constitutes the chamber has heat between the inside and the outside of the wall. It is characterized by comprising a heat insulating layer for suppressing transmission and a temperature adjusting means for adjusting the temperature of the inner wall surface of the wall.
本発明によれば、チャンバ壁に断熱層を設けた場合に、チャンバ内壁面の熱溜まりを低減することができる。また、本発明は断熱層が高い断熱効果を有するものほど顕著な効果を奏する。なぜなら、チャンバ内壁面に溜まった熱が外部に逃げにくくなるためである。また、本発明はチャンバ内部を真空雰囲気にした場合に特に効果を奏する。なぜなら、チャンバ内部に熱を伝達する気体がないため熱が溜まりやすく、溜まった熱が不意に輻射熱によって装置に伝わり好ましくない影響を与えることがあるためである。 According to the present invention, when a heat insulating layer is provided on the chamber wall, heat accumulation on the inner wall surface of the chamber can be reduced. Moreover, this invention has a remarkable effect, so that a heat insulation layer has a high heat insulation effect. This is because the heat accumulated on the inner wall surface of the chamber is difficult to escape to the outside. The present invention is particularly effective when the inside of the chamber is in a vacuum atmosphere. This is because there is no gas that transmits heat inside the chamber, so that heat tends to accumulate, and the accumulated heat is unexpectedly transmitted to the apparatus by radiant heat and may have an undesirable effect.
以下、本発明の実施態様を列挙する。
[実施態様1] 露光装置の少なくとも一部を囲う環境チャンバであって、該チャンバの壁面構造の一番外側を断熱層で構成し外気の影響を遮断しつつチャンバ壁面内側は流体層を構成して流体によってチャンバ壁面温度を一定に保つように温度調節機能を持つことを特徴とする露光装置用チャンバ。
[実施態様2] 露光装置の少なくとも一部を囲う環境チャンバであって、該チャンバの壁面構造の一番外側を真空断熱層で構成し外気の影響を遮断しつつチャンバ壁面内側は流体層を構成して流体によってチャンバ壁面温度を一定に保つように温度調節機能を持つことを特徴とする露光装置用チャンバ。
The embodiments of the present invention are listed below.
[Embodiment 1] An environmental chamber surrounding at least a part of an exposure apparatus, wherein the outermost wall surface structure of the chamber is formed of a heat insulating layer to block the influence of outside air, while the inner wall surface of the chamber forms a fluid layer. An exposure apparatus chamber having a temperature adjusting function so as to keep the chamber wall surface temperature constant by a fluid.
[Embodiment 2] An environmental chamber surrounding at least a part of an exposure apparatus, wherein the outermost wall surface structure of the chamber is formed of a vacuum heat insulating layer to block the influence of outside air, and the inner wall surface of the chamber forms a fluid layer. An exposure apparatus chamber having a temperature adjusting function so as to keep the chamber wall surface temperature constant by a fluid.
[実施態様3] 実施態様1または実施態様2に記載の露光装置用チャンバであり前記真空断熱層は真空断熱材を用いたことを特徴とする露光装置用チャンバ。
[実施態様4] 実施態様1または実施態様2に記載の露光装置用チャンバであり前記流体は空気であることを特徴とする露光装置用チャンバ。
[実施態様5] 実施態様1または実施態様2に記載の露光装置用チャンバであり前記流体は液体であることを特徴とする露光装置用チャンバ。
[実施態様6] 実施態様1または実施態様2に記載の露光装置用チャンバであり前記チャンバの最外面とは側面、天井、床面のいずれかまたは全てを含む構成であることを特徴とする露光装置用チャンバ。
[Embodiment 3] An exposure apparatus chamber according to
[Embodiment 4] An exposure apparatus chamber according to
[Embodiment 5] An exposure apparatus chamber according to
[Embodiment 6] The exposure apparatus chamber according to
上記実施態様1または実施態様2の構成によれば、露光装置の少なくとも一部を囲う環境チャンバにおいて、チャンバ内空間が密閉状態や真空の場合でもチャンバ外壁部の断熱層や真空断熱層により効率よく外気の影響を緩和し、かつチャンバ内発生の熱変動はチャンバ内壁面の流体層で高精度に温度制御することができる。
上記実施態様3の構成によれば、実施態様1または実施態様2のチャンバにおいて断熱性能を保ったまま精密温度制御チャンバの壁面構造を簡易に構成することが可能となる。
加えて上記実施態様4の構成によれば、実施態様1または実施態様2のチャンバにおいて流体層を軽くでき壁面の強度を下げチャンバを安く軽く作ることができる。
あるいは上記実施態様5の構成によれば、実施態様1または実施態様2のチャンバにおいて高精度な精密温調制御チャンバを構成することができる。
加えて上記実施態様6の構成によれば、実施態様1または実施態様2のチャンバにおいて外気だけでなく床面の温度変化の影響を防ぐことができる。
According to the configuration of the first embodiment or the second embodiment, in the environmental chamber that surrounds at least a part of the exposure apparatus, the heat insulating layer or the vacuum heat insulating layer on the outer wall of the chamber is more efficient even when the chamber inner space is sealed or vacuum. The influence of outside air can be mitigated, and the heat fluctuation generated in the chamber can be controlled with high accuracy by the fluid layer on the inner wall surface of the chamber.
According to the configuration of the third embodiment, the wall surface structure of the precision temperature control chamber can be easily configured while maintaining the heat insulation performance in the chamber of the first or second embodiment.
In addition, according to the configuration of the fourth embodiment, the fluid layer can be lightened in the chamber of the first embodiment or the second embodiment, the strength of the wall surface can be lowered, and the chamber can be made cheaper and lighter.
Or according to the structure of the said
In addition, according to the configuration of the sixth embodiment, it is possible to prevent the influence of the temperature change of the floor surface as well as the outside air in the chamber of the first or second embodiment.
すなわち、上記構成からなる露光装置用温調チャンバは、チャンバ内空間が密閉状態や真空の場合でもチャンバ外壁部の断熱層により効率よく外気の影響を緩和し、かつチャンバ内発生の熱変動はチャンバ内壁面の流体層で高精度に温度制御することで露光装置本体の温度を安定させることができる。 In other words, the temperature control chamber for an exposure apparatus having the above-described structure efficiently reduces the influence of the outside air by the heat insulating layer on the outer wall of the chamber even when the chamber inner space is sealed or vacuum, and the heat fluctuation generated in the chamber The temperature of the exposure apparatus main body can be stabilized by controlling the temperature with high accuracy using the fluid layer on the inner wall surface.
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、本発明の実現手段としての一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものである。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The embodiment described below is an example as means for realizing the present invention, and should be appropriately modified or changed according to the configuration of the apparatus to which the present invention is applied and various conditions.
[第1の実施例]
図1は本発明による半導体露光装置用チャンバの概念図である。図1において、1は露光装置本体を囲い環境状態を制御するチャンバである。2はチャンバ1の壁面外層に設けられた断熱層である。チャンバ1の外気温がチャンバ1内部の制御温度に近くかつ変動が小さい場合、断熱層2には一般的な断熱材や真空断熱材を用いてもよい。断熱層2に一般的な断熱材や真空断熱材を用いるとチャンバ1壁面の構造を簡単に構成できる。3はチャンバ1の壁面内層に作られた流体層である。流体層3を満たす流体は温調媒体であり、気体では空気や窒素、液体では水、純水、フッ素系の化合液、アルコール系の化合液等が用いられる。温調媒体により流体層3の温度を一定温度に制御することでチャンバ1内の雰囲気温度を安定させることが出来る。なお、本実施例では温調手段として流体層を設けたがこれにかぎるものではない。
[First embodiment]
FIG. 1 is a conceptual view of a semiconductor exposure apparatus chamber according to the present invention. In FIG. 1,
チャンバ1の壁面は適度な大きさに分割可能であってもよく、その場合には各部に最適な流体を使用できる。流体層3の構造は中空の層構造、または中空繊維質の物質で埋めた層構造、または壁面に流体の配管を一面に引き回した構造等、各部で最適な構造を用いる。前記流体層3の温調媒体が気体の場合には液体に比べ熱回収効率は低くなるがチャンバ1の壁面構造を軽くすることが可能である。特に気体が空気の場合には安全上の配慮も簡易で済むことからチャンバのコストを安く抑えることができる。前記流体層3の温調媒体が液体の場合には気体に比べ熱回収効率が高くより高精度な温度制御を行うことが可能となる。
The wall surface of the
4は露光装置空間であり空気や窒素等の気体で充填されている。また流体層3と露光装置空間4の間に熱伝達係数の小さな素材、例えば銀や銅等の金属等21を用いた場合には露光装置空間4の温度分布をより均一にすることができる。また、チャンバ外部と露光装置空間4の温度差がより大きい場合や断熱層2を真空断熱材や真空層で構成しなかった場合には流体層3の内側にさらに流体層を構成し2重にすることで露光装置空間4の温度安定性を向上させることも可能である。
An
5は露光装置本体である。露光装置本体とは、露光装置を構成する投影レンズ、投影レンズを支持するための支持体、ウエハステージ、レチクルステージ等の少なくともいずれかであって、そのすべてを含んでもよい。6は露光装置の発熱部である。発熱部6は、例えばステージの駆動部や、装置の制御に用いる回路基板等である。7は流体層3へ流体を制御する流体層の温調部であり、流体を送り込むポンプまたはファンと流体を温調するヒータや冷凍機等の熱交換器と温度センサと制御部を持つ。8は流体層3へ温調された流体を供給する温調流体供給部、9は流体を回収する温調流体回収部である。10は露光装置の発熱部を個別に温調する個別温調部、11は個別温調部から温調媒体を供給する個別温調媒体供給部、12は個別温調媒体回収部である。13はチャンバ1のチャンバ機械室である。
断熱層2と流体層3を構成したチャンバ壁面は一般的にチャンバ機械室13側を除く3面であるが、クリーンルームの制御温度が露光装置内制御温度と異なっている場合等は天井面からの影響も大きいため、天井面を断熱層2と流体層3を組み合わせた構成にすることが効果的である。また、チャンバ機械室13も発熱体であるため、機械室側の壁面にも上記断熱層2と流体層3の組み合わせが有効となる。さらに露光装置の下面は温度制御されていないサブファブからの発熱の影響を受けるため、床面も上記断熱層2と流体層3の組み合わせた構成とすることで露光装置空間4および露光装置本体5の温度安定性を高めることが可能となる。露光装置空間4を囲む6面全てを断熱層2と流体層3による構成とすることも可能であるが、通常は熱影響の大きい面(少なくとも1面)に限定して上記断熱層2と流体層3の構成を適用する。
The wall surface of the chamber that constitutes the
図2は露光装置空間が気体の場合の概略構成図である。図2において、図1と共通または対応する部材には図1と同じ符号またはそれにダッシュを付けた符号を付してある。図2において、14は温度センサであり、流体層3の温度を測定し温調部7で制御を行う。15は発熱部6もしくは発熱部6付近の温度管理が必要な対象部へ設置した温度センサである。露光装置の発熱部6で発生した熱の大半は個別温調され個別温調媒体回収部12を通して排熱される。発熱量が小さく外部への熱流出が充分に小さい発熱部6’の場合は、個別温調媒体のみによる熱回収のみを行うため、発熱部6’には温度センサを必要とせず、温調部10’で一定温度の温調媒体を供給し回収する。
FIG. 2 is a schematic block diagram when the exposure apparatus space is a gas. 2, members that are the same as or correspond to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. In FIG. 2,
16は露光空間温調部であり、露光装置空間4内部を満たしている気体の温度を一定に制御し気体用フィルタ18を通して露光装置5へ送り込む。17は個別空間温調部である。19は液冷の出来ない発熱部である。液冷の出来ない発熱部とは、例えば設計の都合により、冷却のための配管を設けることができないような部分である。20は気体回収部であり、個別空間温調部17で温度制御され気体用フィルタ18を通して発熱部19で発生した熱を奪いとった気体を回収する。
露光装置空間4が密閉されていない場合には場所毎に温調された気体を噴出して積極的に熱を回収することが出来る。しかし露光装置空間4が密閉空間の場合は圧力変動を露光に影響の無い範囲に抑えるために流速を上げることが難しくなる。そのため、露光空間温調部16で制御された温調気体だけでは露光装置本体5の各部の温度を均一にし難くなるので、露光装置空間4の温度安定性を高めるために流体層3による熱回収が効果的である。このように、チャンバを構成する少なくとも1つの壁が、チャンバ壁の内側と外側との間の熱の伝達を低減する断熱層と、前記壁の内壁面の温度を調整する温調手段とを備えることにより、チャンバ内壁面に溜まった熱の影響を低減することができる。
When the
[第2の実施例]
図3は露光装置空間が真空である場合の概略構成図である。図3において、図1と共通または対応する部材には図1と同じ符号またはそれにダッシュを付けた符号を付してある。図3において、4は露光装置空間であり真空である。露光装置空間4が真空の場合、露光装置本体5を構成する各ユニットの配置や構造を十分に考慮し発熱は全て発熱部6や6’のように個別温調媒体により温度制御される必要がある。しかしながら内部に発生した熱が伝導や輻射により各部に温度むらを生じさせることがあるため、流体層3を利用した輻射熱の熱回収または流体層3からの輻射による熱供給で露光装置5の温度を安定させる。このように、チャンバを構成する少なくとも1つの壁が、チャンバ壁の内側と外側との間の熱の伝達を低減する断熱層と、前記壁の内壁面の温度を調整する温調手段とを備えることにより、チャンバ内壁面に溜まった熱の影響を低減することができる。
[Second Embodiment]
FIG. 3 is a schematic block diagram when the exposure apparatus space is a vacuum. 3, members that are the same as or correspond to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. In FIG. 3,
[第3の実施例]
次に、この露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図4は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
[Third embodiment]
Next, a manufacturing process of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.) using this exposure apparatus will be described.
FIG. 4 shows a flow of manufacturing a semiconductor device.
In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask on which the designed pattern is formed is produced.
On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the wafer and the exposure apparatus provided with the prepared mask.
The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in
上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
The wafer process in
1:チャンバ
2:断熱層
3:流体層
4:露光装置空間
5:露光装置本体
6:発熱部
6’:発熱部
7:流体層の温調部
8:温調流体供給部
9:温調流体回収部
10:個別温調部
10’:個別温調部
11:個別温調媒体供給部
12:個別温調媒体回収部
13:チャンバ機械室
14:温度センサ
15:温度センサ
16:露光空間温調部
17:個別空間温調部
18:気体用フィルタ
19:液冷の出来ない発熱部
20:気体回収部
21:金属等(流体層と露光装置空間との間の層)
1: Chamber 2: Thermal insulation layer 3: Fluid layer 4: Exposure apparatus space 5: Exposure apparatus body 6: Heat generation part 6 ': Heat generation part 7:
Claims (10)
前記チャンバを構成する少なくとも1つの壁が、前記壁の内側と外側との間の熱の伝達を低減する断熱層と、前記壁の内壁面の温度を調整する温調手段とを備えることを特徴とするチャンバ。 A chamber surrounding at least a portion of the exposure apparatus,
At least one wall constituting the chamber includes a heat insulating layer for reducing heat transfer between the inside and the outside of the wall, and a temperature adjusting means for adjusting the temperature of the inner wall surface of the wall. A chamber.
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