JP2006260792A - Organic el device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device having a construction hardly generating scatter of brightness even if scatter of film thickness is generated on an organic material formed in a bank (barrier rib). <P>SOLUTION: The organic EL device has a barrier rib part 112 demarcating pixel areas R, G, B, on a substrate 2. An anode 111, an organic EL layer 110b, and a cathode 12 are laminated on the pixel areas R, G, B. The outer peripheral area 111g of the anode 111 is located inside the outer peripheral area of the organic EL layer 110b. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機EL装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an organic EL device and an electronic apparatus.

自発光型の表示デバイスである有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)としては、陽極と陰極との間に有機材料からなる正孔輸送層や発光層を挟持した構成のものがある。このような有機EL装置を製造する場合において、有機材料を用いる正孔輸送層及び発光層の成膜は、スピンコート法或いはインクジェット法等が好適に用いられる。特に、特許文献1のようにインクジェット法を用いる場合、目的の画素に成膜するために陽極上にバンクを形成しており、このようなバンクの形成により、有機材料(正孔輸送層形成材料又は発光層形成材料)及び溶媒を含む液滴が画素内に安定に着弾する。
特開平10−153967号公報
As an organic EL device (organic electroluminescence device) that is a self-luminous display device, there is a configuration in which a hole transport layer or a light emitting layer made of an organic material is sandwiched between an anode and a cathode. In manufacturing such an organic EL device, the hole transport layer and the light emitting layer using an organic material are preferably formed by a spin coat method or an ink jet method. In particular, when the inkjet method is used as in Patent Document 1, a bank is formed on the anode in order to form a film on a target pixel, and an organic material (hole transport layer forming material) is formed by forming such a bank. Alternatively, the droplets containing the light emitting layer forming material) and the solvent stably land in the pixel.
JP-A-10-153967

特許文献1のようなインクジェット法を用いた場合、液滴を画素内へ着弾させた後、脱溶媒工程を経て、目的の正孔輸送層又は発光層が成膜される。ここで、液滴の状態から乾燥工程を経て膜になる際に、バンクで囲まれた画素の中央部と外周部(端部)とでは、バンクとの親和性や陽極上の表面状態の違いに起因して、膜厚のバラツキが生じてしまう場合がある。特に、画素の外周部においては膜厚が大きく、画素の中央部において膜厚が小さく形成される傾向にある。   When the ink jet method as in Patent Document 1 is used, a target hole transport layer or a light emitting layer is formed through a solvent removal process after landing a droplet in a pixel. Here, when a film is formed from a droplet state through a drying process, there is a difference in the affinity between the bank and the surface state on the anode between the central portion and the outer peripheral portion (end portion) of the pixel surrounded by the bank. Due to this, there may be a variation in film thickness. In particular, the film thickness tends to be large at the outer periphery of the pixel and small at the center of the pixel.

発光層の膜厚と電流の関係は、一般的に言われている導電性ポリマーとほぼ同じ傾向が見られ、膜厚の2乗〜3乗の関係で電流のバラツキが生じ得る。電流と輝度の関係は線形に近いと考えると、ある範囲での輝度のバラツキを抑えるためには、膜厚のバラツキを厳密に抑えなければならない。一方、バンクを形成する以上、上述したような画素の中央部と外周部とにおいて発生する膜厚のバラツキを回避することは困難な状況にある。   The relationship between the film thickness of the light-emitting layer and the current tends to be almost the same as that of a conductive polymer that is generally said, and current variation can occur due to the square to the cube of the film thickness. Considering that the relationship between current and luminance is close to linear, in order to suppress variations in luminance in a certain range, variations in film thickness must be strictly suppressed. On the other hand, as long as the bank is formed, it is difficult to avoid the variation in film thickness that occurs at the central portion and the outer peripheral portion of the pixel as described above.

本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであって、バンク(隔壁部)内に形成する有機材料の膜厚バラツキが生じた場合にも、輝度のバラツキが生じ難い構成を備えた有機EL装置を提供することを目的としている。また、本発明は、そのような有機EL装置を備えた信頼性の高い電子機器を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and has a configuration in which luminance variation hardly occurs even when the film thickness of the organic material formed in the bank (partition wall) varies. Another object of the present invention is to provide an organic EL device. It is another object of the present invention to provide a highly reliable electronic device including such an organic EL device.

上記課題を解決するために、本発明の有機EL装置は、基板上に、複数の画素領域を区画形成する隔壁部が形成されてなり、前記画素領域には、少なくとも第1電極と、有機EL層と、第2電極とが積層して形成され、前記有機EL層が、前記隔壁部によって囲まれた領域に形成されてなる一方、前記第1電極と前記第2電極の少なくとも一方が、前記画素領域毎にパターン形成されるとともに、当該電極の外縁が前記有機EL層の外縁よりも内側に位置するように形成されてなることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, an organic EL device according to the present invention is formed with a partition portion for partitioning a plurality of pixel regions on a substrate, and the pixel region includes at least a first electrode and an organic EL device. The organic EL layer is formed in a region surrounded by the partition wall, and at least one of the first electrode and the second electrode is formed by laminating a layer and a second electrode. A pattern is formed for each pixel region, and the outer edge of the electrode is formed so as to be located inside the outer edge of the organic EL layer.

このような有機EL装置によると、少なくとも一方の電極の外縁が、有機EL層の外縁の内側に位置してなるため、電極の形成領域が有機EL層の形成領域の平面視内側となり、つまり有機EL層の外周部に平面視重畳する位置には少なくとも一方の電極が形成されないこととなる。したがって、画素領域に形成される有機EL層において、例えば製造上の理由で画素領域の中央部と外周部とで膜厚にバラツキ(差異)が生じるような場合にも、有機EL層の外周部に重畳する位置には電極が形成されていないことで、当該外周部は発光に寄与されないこととなる。その結果、膜厚のバラツキに起因する輝度のバラツキが生じることもなく、均一な発光が得られることとなる。また、輝度のバラツキに起因する寿命のバラツキも生じることがなくなり、ひいては当該有機EL装置の寿命向上にも寄与することが可能となる。   According to such an organic EL device, since the outer edge of at least one electrode is located inside the outer edge of the organic EL layer, the electrode formation region is inside the organic EL layer formation region in plan view, that is, organic At least one electrode is not formed at a position overlapping the outer peripheral portion of the EL layer in plan view. Accordingly, in the organic EL layer formed in the pixel region, for example, even when the film thickness varies (difference) between the central portion and the outer peripheral portion of the pixel region for manufacturing reasons, the outer peripheral portion of the organic EL layer Since no electrode is formed at a position overlapping with, the outer peripheral portion does not contribute to light emission. As a result, uniform light emission can be obtained without luminance variations caused by variations in film thickness. In addition, there is no variation in lifetime due to variations in luminance, and as a result, the lifetime of the organic EL device can be improved.

前記第1電極は、前記基板上において、前記画素領域毎にパターン形成された画素電極として構成されてなるものとすることができる。このような画素電極の形成領域を、上述した通り有機EL層の形成領域との関係で決定した場合、本発明の有機EL装置を好適に提供することができる。なお、前記第2電極は、前記各画素領域に跨って全面ベタ状に形成された対向電極として構成されてなるものとすることができる。全面ベタ状に形成した対向電極に対して、上述の通り画素電極の外縁が有機EL層の外縁よりも内側に位置するように当該第1電極を形成することで、本発明の有機EL装置を好適に提供することができる。また、第1電極を陽極とし、第2電極を陰極として、当該有機EL装置を構成することができる。   The first electrode may be configured as a pixel electrode patterned for each pixel region on the substrate. When such a pixel electrode formation region is determined in relation to the organic EL layer formation region as described above, the organic EL device of the present invention can be suitably provided. The second electrode may be configured as a counter electrode that is formed in a solid shape across the pixel regions. By forming the first electrode so that the outer edge of the pixel electrode is positioned on the inner side of the outer edge of the organic EL layer as described above with respect to the counter electrode formed in a solid shape on the entire surface, It can provide suitably. Further, the organic EL device can be configured with the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode.

前記隔壁部が、相対的に小さな開口面積の第1開口領域を形成する第1隔壁部と、該第1隔壁部上に形成され、相対的に大きな開口面積の第2開口領域を形成する第2隔壁部とを有してなるものとすることができる。この場合、例えば第1電極は相対的に小さな開口を形成する第1隔壁部により囲まれた画素領域の内側に形成するものとし、有機EL層は相対的に大きな開口を形成する第2隔壁部により囲まれた画素領域の内側に形成するものとすれば、本発明の有機EL装置を好適に提供することができるようになる。   The partition wall portion is formed on the first partition wall portion to form a first opening region having a relatively small opening area, and a second opening region having a relatively large opening area is formed on the first partition wall portion. It can have two partition walls. In this case, for example, the first electrode is formed inside the pixel region surrounded by the first partition part that forms a relatively small opening, and the organic EL layer is the second partition part that forms a relatively large opening. The organic EL device of the present invention can be suitably provided if it is formed inside the pixel region surrounded by.

なお、前記有機EL層は、当該有機EL層を構成する有機材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状物を、前記隔壁部によって囲まれた領域に塗布して形成されたものとすることができる。隔壁部によって囲まれた領域に液状物を塗布して有機EL層を形成する液相法を採用した場合、有機EL層は隔壁部に対する濡れ性の度合いによって、その膜厚が中央部と外周部とで異なり不均一となる場合があるが、このような液相法により形成されてなる有機EL層を含む有機EL装置について本発明の構成を採用すると、当該膜厚の不均一化の問題を上述の通り解消することができる。なお、液相法としては、具体的には液滴吐出装置(インクジェット装置)を用いた液滴吐出法を例示することができる。   The organic EL layer may be formed by applying a liquid material in which an organic material constituting the organic EL layer is dissolved or dispersed in a solvent to a region surrounded by the partition wall. . When the liquid phase method in which an organic EL layer is formed by applying a liquid material to the region surrounded by the partition wall, the thickness of the organic EL layer depends on the degree of wettability with respect to the partition wall. However, if the configuration of the present invention is adopted for an organic EL device including an organic EL layer formed by such a liquid phase method, the problem of non-uniform film thickness is caused. It can be solved as described above. As the liquid phase method, specifically, a droplet discharge method using a droplet discharge device (inkjet device) can be exemplified.

次に、上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上記有機EL装置を備えたことを特徴とする。この場合、発光ムラが少なく、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。   Next, in order to solve the above-described problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the organic EL device. In this case, it is possible to provide a highly reliable electronic device with little emission unevenness.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing to be referred to, the scale may be different for each layer or each member in order to make the size recognizable on the drawing.

(第1実施形態)
図1は、本発明の有機EL装置の一実施形態を示すものであって、特にアクティブマトリクス型の有機EL装置について模式的に示す図である。なお、この図1に示す有機EL装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
(First embodiment)
FIG. 1 shows an embodiment of an organic EL device of the present invention, and is a diagram schematically showing an active matrix type organic EL device in particular. Note that the organic EL device 1 shown in FIG. 1 employs an active driving method using thin film transistors.

有機EL装置1は、基板2の上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部14、陽極(画素電極)111、有機EL層(有機EL素子)を含む機能層110、陰極(対向電極)12、及び封止部3等を順次積層した構成からなる。   An organic EL device 1 includes a circuit element unit 14 including a thin film transistor as a circuit element, an anode (pixel electrode) 111, a functional layer 110 including an organic EL layer (organic EL element), and a cathode (counter electrode) on a substrate 2. 12 and the sealing portion 3 and the like are sequentially laminated.

基板2としては、本例ではガラス基板が用いられている。ガラス基板の他にも、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、公知の様々な基板が適用される。基板2内には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で構成される。各画素領域Aには、陽極111が配置され、その近傍には信号線132、電源線133、走査線131及び図示しない他の陽極用の走査線等が配置されている。画素領域Aの平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用される。   As the substrate 2, a glass substrate is used in this example. In addition to the glass substrate, various known substrates such as a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, a plastic substrate, and a plastic film substrate are used. In the substrate 2, a plurality of pixel areas A as light emitting areas are arranged in a matrix, and when performing color display, for example, corresponding to each color of red (R), green (G), and blue (B) The pixel area A to be configured is configured in a predetermined arrangement. In each pixel region A, an anode 111 is arranged, and in the vicinity thereof, a signal line 132, a power supply line 133, a scanning line 131, and other anode scanning lines (not shown) are arranged. As the planar shape of the pixel region A, an arbitrary shape such as a circle or an oval is applied in addition to the rectangle shown in the figure.

また、封止部3は、水や酸素の侵入を防いで陰極12あるいは機能層110の酸化を防止するものであり、基板2に塗布される封止樹脂、及び基板2に貼り合わされる封止基板3b(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板2の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布される。封止基板3bは、ガラスや金属等からなり、基板2と封止基板3bとは封止樹脂を介して貼り合わされている。   The sealing portion 3 prevents water and oxygen from entering and prevents the cathode 12 or the functional layer 110 from being oxidized. The sealing portion 3 is applied to the substrate 2 and the sealing is bonded to the substrate 2. Substrate 3b (sealing can) is included. As the material of the sealing resin, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used, and in particular, an epoxy resin that is one kind of thermosetting resin is preferably used. The sealing resin is annularly applied to the periphery of the substrate 2 and is applied by, for example, a microdispenser. The sealing substrate 3b is made of glass, metal, or the like, and the substrate 2 and the sealing substrate 3b are bonded together via a sealing resin.

図2は、上記有機EL装置1の回路構造を示している。
図1に示した基板2上には、図2に示すような複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線132に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の交点毎に上記画素領域Aが形成されている。
信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131には、シフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。
FIG. 2 shows a circuit structure of the organic EL device 1.
On the substrate 2 shown in FIG. 1, a plurality of scanning lines 131 as shown in FIG. 2, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting the scanning lines 131, and a plurality of signals extending in parallel to the signal lines 132. The power supply line 133 is wired. Further, the pixel region A is formed at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132.
For example, the data line driving circuit 103 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 132. The scanning line 131 is connected to a scanning side driving circuit 104 including a shift register and a level shifter.

画素領域Aには、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第1の薄膜トランジスタ123と、この薄膜トランジスタ123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第2の薄膜トランジスタ124と、この薄膜トランジスタ124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む陽極(画素電極)111と、陽極111と陰極(対向電極)12との間に挟み込まれる機能層110とが設けられている。なお、機能層110は、有機EL素子としての有機EL層を含むものである。   In the pixel region A, a first thin film transistor 123 for switching in which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 131 and a holding for holding an image signal supplied from the signal line 132 via the thin film transistor 123. A capacitor 135, a second driving thin film transistor 124 to which an image signal held by the holding capacitor 135 is supplied to the gate electrode, and the power line 133 when electrically connected to the power line 133 through the thin film transistor 124 An anode (pixel electrode) 111 into which a drive current flows from and a functional layer 110 sandwiched between the anode 111 and the cathode (counter electrode) 12 are provided. The functional layer 110 includes an organic EL layer as an organic EL element.

画素領域Aでは、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ123がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ124の導通状態が決まる。また、第2の薄膜トランジスタ124のチャネルを介して電源線133から陽極111に電流が流れ、さらに機能層110を通じて陰極(対向電極)12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、機能層110が発光する。   In the pixel region A, when the scanning line 131 is driven and the first thin film transistor 123 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor 135, and the second potential is changed depending on the state of the holding capacitor 135. The conductive state of the thin film transistor 124 is determined. In addition, a current flows from the power supply line 133 to the anode 111 through the channel of the second thin film transistor 124, and further a current flows to the cathode (counter electrode) 12 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current at this time.

図3は、上記有機EL装置1における表示領域の断面構造を拡大して示す図である。この図3には赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する3つの画素領域の断面構造が示されている。前述したように、有機EL装置1は、基板2上に、TFTなどの回路等が形成された回路素子部14、陽極(画素電極)111、機能層110が形成された発光素子部11、及び陰極(対向電極)12が順次積層されて構成されている。
この有機EL装置1では、機能層110から基板2側に発した光が、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるとともに、機能層110から基板2の反対側に発した光が陰極12により反射されて、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるようになっている。
FIG. 3 is an enlarged view showing a cross-sectional structure of the display area in the organic EL device 1. FIG. 3 shows a cross-sectional structure of three pixel regions corresponding to red (R), green (G), and blue (B) colors. As described above, the organic EL device 1 includes the circuit element unit 14 in which circuits such as TFTs are formed on the substrate 2, the anode (pixel electrode) 111, the light emitting element unit 11 in which the functional layer 110 is formed, and A cathode (counter electrode) 12 is sequentially laminated.
In the organic EL device 1, light emitted from the functional layer 110 to the substrate 2 side passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2 and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2, and the functional layer 110. The light emitted from the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12, passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2, and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2.

回路素子部14には、基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。
さらに回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a、144bを貫通して、半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145,146が形成されている。
In the circuit element portion 14, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 2, and an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective film 2c. Note that a source region 141a and a drain region 141b are formed in the semiconductor film 141 by high concentration P ion implantation. A portion where P is not introduced is a channel region 141c.
Further, a transparent gate insulating film 142 that covers the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and a gate electrode 143 made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like is formed on the gate insulating film 142. (Scanning lines) are formed, and a transparent first interlayer insulating film 144 a and a second interlayer insulating film 144 b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141 c of the semiconductor film 141. Contact holes 145 and 146 are formed through the first and second interlayer insulating films 144a and 144b and connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively.

そして、第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な陽極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの陽極111に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール146が電源線133に接続されている。
このようにして、回路素子部14には、各陽極111に接続された駆動用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量135及びスイッチング用の薄膜トランジスタ124も形成されているが、図3ではこれらの図示を省略している。
On the second interlayer insulating film 144b, a transparent anode 111 made of ITO or the like is patterned and formed in a predetermined shape, and one contact hole 145 is connected to the anode 111.
The other contact hole 146 is connected to the power line 133.
In this way, the driving thin film transistor 123 connected to each anode 111 is formed in the circuit element section 14. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor 135 and the switching thin film transistor 124 described above, but these are not shown in FIG.

発光素子部11は、複数の陽極111上の各々に積層された機能層110と、機能層110同士の間に配されて各機能層110を区画するバンク部112とを主体として構成されている。機能層110上には陰極12が配置されている。なお、発光素子である有機EL素子10は、陽極111、陰極12、及び機能層110等を含んで構成される。   The light emitting element unit 11 is mainly configured by a functional layer 110 stacked on each of the plurality of anodes 111 and a bank unit 112 disposed between the functional layers 110 to partition the functional layers 110. . A cathode 12 is disposed on the functional layer 110. The organic EL element 10 which is a light emitting element includes an anode 111, a cathode 12, a functional layer 110, and the like.

陽極111は、ITOにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この陽極111の厚さは、50nm〜200nmの範囲が好ましく、特に150nm程度がよい。   The anode 111 is made of ITO, and is formed by patterning into a substantially rectangular shape in plan view. The thickness of the anode 111 is preferably in the range of 50 nm to 200 nm, particularly about 150 nm.

バンク部112は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジスト(有機材料)から形成されている。また、バンク部112は、陽極111を区画する領域である第1の開口領域112dと、機能層110(正孔注入/輸送層110a及び有機EL層110b)を区画する領域である第2の開口領域112eとを有しており、段差構造を有して構成されている。なお、第1の開口領域112dの開口径は、第2の開口領域112eの開口径よりも小さく構成されている。   The bank 112 is formed of a heat-resistant and solvent-resistant resist (organic material) such as acrylic resin or polyimide resin. In addition, the bank part 112 has a first opening region 112d that is a region that partitions the anode 111 and a second opening that is a region that partitions the functional layer 110 (the hole injection / transport layer 110a and the organic EL layer 110b). Region 112e, and has a step structure. Note that the opening diameter of the first opening region 112d is smaller than the opening diameter of the second opening region 112e.

機能層110は、陽極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された有機EL層(発光層)110bとから構成されている。   The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a stacked on the anode 111, and an organic EL layer (light emitting layer) 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a. .

正孔注入/輸送層110aは、正孔を有機EL層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを陽極111と有機EL層110bの間に設けることにより、有機EL層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、有機EL層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、陰極12から注入される電子が有機EL層で再結合し、発光が得られる。   The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the organic EL layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. By providing such a hole injection / transport layer 110a between the anode 111 and the organic EL layer 110b, device characteristics such as light emission efficiency and lifetime of the organic EL layer 110b are improved. Further, in the organic EL layer 110b, holes injected from the hole injection / transport layer 110a and electrons injected from the cathode 12 are recombined in the organic EL layer, and light emission is obtained.

有機EL層110bは、赤色(R)に発光する赤色有機EL層110b、緑色(G)に発光する緑色有機EL層110b、及び青色(B)に発光する青色有機EL層110bの発光波長帯域が互いに異なる3種類からなり、各有機EL層110b〜110bが所定の配列(例えばストライプ状)で配置されている。 The organic EL layer 110b emits light from the red organic EL layer 110b 1 that emits red (R), the green organic EL layer 110b 2 that emits green (G), and the blue organic EL layer 110b 3 that emits blue (B). The organic EL layers 110b 1 to 110b 2 are arranged in a predetermined arrangement (for example, a stripe shape).

ここで、本実施の形態の有機EL装置1では、陽極111の外縁111gが、有機EL層110bの外縁110gの内側に位置している。つまり、陽極111の形成領域が有機EL層110bの形成領域の平面視内側となるように、これら陽極111と有機EL層110bが相対配置され、有機EL層110bの周縁領域には陽極111が平面視重畳配置されていない構成となっている。   Here, in the organic EL device 1 of the present embodiment, the outer edge 111g of the anode 111 is positioned inside the outer edge 110g of the organic EL layer 110b. In other words, the anode 111 and the organic EL layer 110b are arranged relative to each other so that the formation region of the anode 111 is inside the formation region of the organic EL layer 110b in plan view, and the anode 111 is planar in the peripheral region of the organic EL layer 110b. It is the structure which is not superposedly arranged.

したがって、画素領域A(図3ではR,G,B)に形成される有機EL層110bにおいて、例えば製造時においてバンク部112との親和性や陽極111上の表面状態の違いに起因して、画素領域Aの中央部と外周部とで膜厚にバラツキ(差異)が生じるような場合にも、有機EL層110bの周縁領域(画素領域Aの外周部)には陽極111が形成されていないことで、当該周縁領域は発光に寄与されないこととなる。その結果、有機EL層110bにおける膜厚のバラツキに起因して、輝度のバラツキが生じることもなく、均一な発光が得られるものとされている。   Therefore, in the organic EL layer 110b formed in the pixel region A (R, G, B in FIG. 3), for example, due to the affinity with the bank 112 and the difference in the surface state on the anode 111 during manufacturing, The anode 111 is not formed in the peripheral region of the organic EL layer 110b (the outer peripheral portion of the pixel region A) even when the film thickness varies between the central portion and the outer peripheral portion of the pixel region A. Thus, the peripheral region is not contributed to light emission. As a result, it is supposed that uniform light emission can be obtained without causing variations in luminance due to variations in film thickness in the organic EL layer 110b.

なお、本実施の形態の有機EL装置1において、正孔注入/輸送層110a及び有機EL層110bは、これらを構成する有機材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を、インクジェット法(液滴吐出法)により選択吐出し、その後、該液状組成物を乾燥させることで成膜するものとしている。そして、吐出に先立って、バンク部112表面には撥液処理を、陽極111上には親液処理を施すものとしており、当該撥液処理及び親液処理に起因して、成膜された正孔注入/輸送層110a及び有機EL層110bには上述のような膜厚のバラツキが生じ得るものとなっている。   In the organic EL device 1 of the present embodiment, the hole injecting / transporting layer 110a and the organic EL layer 110b are prepared by using a liquid composition obtained by dissolving or dispersing an organic material constituting them in a solvent by an inkjet method (liquid A film is formed by selectively discharging by a droplet discharge method and then drying the liquid composition. Prior to the discharge, the surface of the bank 112 is subjected to a liquid repellent treatment, and the anode 111 is subjected to a lyophilic treatment. In the hole injection / transport layer 110a and the organic EL layer 110b, variations in film thickness as described above can occur.

次に、陰極(対向電極)12は、発光素子部11の全面に形成されており、陽極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。この陰極12は、本例ではカルシウム層12aとアルミニウム層12bとが積層されて構成されている。   Next, the cathode (counter electrode) 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11, and plays a role of passing a current through the functional layer 110 in a pair with the anode 111. In this example, the cathode 12 is formed by laminating a calcium layer 12a and an aluminum layer 12b.

(第2実施形態)
次に、本発明の有機EL装置の第2実施形態について図4を用いて説明する。なお、本第2実施形態で説明する構成要素以外については、第1実施形態と同様の構成を有するものとして説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, description is abbreviate | omitted as what has the structure similar to 1st Embodiment except the component demonstrated by this 2nd Embodiment.

第1実施形態の有機EL装置1においては、バンク部112が段差構造を有する有機材料により構成されているが、本第2実施形態の有機EL装置1aでは、開口径の異なるバンク層を2層積層することで、段差構造を形成した。具体的には、図4に示すように、基板2側に位置する無機物バンク層112a(第1バンク層)と基板2から離れて位置する有機物バンク層112b(第2バンク層)とが積層されて構成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO、TiO等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。 In the organic EL device 1 of the first embodiment, the bank 112 is made of an organic material having a step structure. However, in the organic EL device 1a of the second embodiment, two bank layers having different opening diameters are provided. By layering, a step structure was formed. Specifically, as shown in FIG. 4, an inorganic bank layer 112a (first bank layer) located on the substrate 2 side and an organic bank layer 112b (second bank layer) located away from the substrate 2 are stacked. Configured. The inorganic bank layer 112a is made of an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2 , for example. The organic bank layer 112b is formed of a resist having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin.

そして、本第2実施形態においても、陽極111の外縁111gが、有機EL層110bの外縁110gの内側に位置している。つまり、陽極111の形成領域が有機EL層110bの形成領域の平面視内側となるように、これら陽極111と有機EL層110bが相対配置され、有機EL層110bの周縁領域には陽極111が平面視重畳配置されていない構成となっている。   Also in the second embodiment, the outer edge 111g of the anode 111 is located inside the outer edge 110g of the organic EL layer 110b. In other words, the anode 111 and the organic EL layer 110b are arranged relative to each other so that the formation region of the anode 111 is inside the formation region of the organic EL layer 110b in plan view, and the anode 111 is planar in the peripheral region of the organic EL layer 110b. It is the structure which is not superposedly arranged.

したがって、画素領域Aに形成される有機EL層110bにおいて、例えば製造時においてバンク部112との親和性や陽極111上の表面状態の違いに起因して、画素領域Aの中央部と外周部とで膜厚にバラツキ(差異)が生じるような場合にも、有機EL層110bの周縁領域(画素領域Aの外周部)には陽極111が形成されていないことで、当該周縁領域は発光に寄与されないこととなる。その結果、有機EL層110bにおける膜厚のバラツキに起因して、輝度のバラツキが生じることもなく、均一な発光が得られるものとされている。   Therefore, in the organic EL layer 110b formed in the pixel region A, the central portion and the outer peripheral portion of the pixel region A are caused by, for example, the affinity with the bank portion 112 and the difference in the surface state on the anode 111 during manufacturing. Even when the film thickness varies (difference), the anode 111 is not formed in the peripheral region of the organic EL layer 110b (the outer peripheral portion of the pixel region A), so that the peripheral region contributes to light emission. Will not be. As a result, it is supposed that uniform light emission can be obtained without causing variations in luminance due to variations in film thickness in the organic EL layer 110b.

(第3実施形態)
次に、本発明の有機EL装置の第3実施形態について図5を用いて説明する。なお、本第3実施形態で説明する構成要素以外については、第1実施形態と同様の構成を有するものとして説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, description is abbreviate | omitted as what has the structure similar to 1st Embodiment except the component demonstrated by this 3rd Embodiment.

第1実施形態においては、機能層110から発した光が基板2の下側(観測者側)に出射するようになっているのに対し、本第3実施形態の有機EL装置1bにおいては、封止基板3bの上側(観測者側)に出射するようになっている。本第3実施形態は、基板2の対向側である封止基板3b側から発光を取り出す構成であるので、基板2としては透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。   In the first embodiment, the light emitted from the functional layer 110 is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2, whereas in the organic EL device 1b of the third embodiment, The light is emitted to the upper side (observer side) of the sealing substrate 3b. In the third embodiment, since light emission is extracted from the sealing substrate 3b side, which is the opposite side of the substrate 2, both the transparent substrate and the opaque substrate can be used as the substrate 2. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation.

また、陽極111としては、必ずしも透明性材料に限る必要がなく、陽極の機能を満たす材料が用いられ、また、光反射性を有する材料が好ましく、Al等が採用される。なお、陽極111として透明金属のITO等を採用する場合には、その下層にAl薄膜等を形成し、光反射性を有する構成が好ましい。   Further, the anode 111 is not necessarily limited to a transparent material, and a material satisfying the function of the anode is used. A material having light reflectivity is preferable, and Al or the like is employed. In addition, when adopting transparent metal ITO etc. as the anode 111, the structure which forms Al thin film etc. in the lower layer, and has light reflectivity is preferable.

また、陰極12cの材料としては、透明性を有する必要があり、ITO等の透明金属が採用される。ここで、ITOからなる第1陰極と有機EL層110bとの間に、透明性を有する膜厚でAl薄膜(第2陰極)を形成してもよい。透明性を有する膜厚としては、50nm以下が好ましい。このようなAl薄膜を形成することによって、有機EL層110bへの電子注入性を促進させるだけでなく、ITOをスパッタで形成する際のプラズマダメージを抑制し、また、陰極12cを透過・侵入する水分や酸素から有機EL層110bを保護することができる。また、封止基板3bの材料としては、透明性を有する好適な材料が採用される。   Further, the material of the cathode 12c needs to have transparency, and a transparent metal such as ITO is employed. Here, an Al thin film (second cathode) may be formed with a film thickness having transparency between the first cathode made of ITO and the organic EL layer 110b. The film thickness having transparency is preferably 50 nm or less. By forming such an Al thin film, not only the electron injection property to the organic EL layer 110b is promoted, but also plasma damage when ITO is formed by sputtering is suppressed, and the cathode 12c is transmitted and penetrated. The organic EL layer 110b can be protected from moisture and oxygen. Further, as the material of the sealing substrate 3b, a suitable material having transparency is adopted.

そして、本第3実施形態においても、陽極111の外縁111gが、有機EL層110bの外縁110gの内側に位置している。つまり、陽極111の形成領域が有機EL層110bの形成領域の平面視内側となるように、これら陽極111と有機EL層110bが相対配置され、有機EL層110bの周縁領域には陽極111が平面視重畳配置されていない構成となっている。   Also in the third embodiment, the outer edge 111g of the anode 111 is located inside the outer edge 110g of the organic EL layer 110b. In other words, the anode 111 and the organic EL layer 110b are arranged relative to each other so that the formation region of the anode 111 is inside the formation region of the organic EL layer 110b in plan view, and the anode 111 is planar in the peripheral region of the organic EL layer 110b. It is the structure which is not superposedly arranged.

したがって、画素領域Aに形成される有機EL層110bにおいて、例えば製造時においてバンク部112との親和性や陽極111上の表面状態の違いに起因して、画素領域Aの中央部と外周部とで膜厚にバラツキ(差異)が生じるような場合にも、有機EL層110bの周縁領域(画素領域Aの外周部)には陽極111が形成されていないことで、当該周縁領域は発光に寄与されないこととなる。その結果、有機EL層110bにおける膜厚のバラツキに起因して、輝度のバラツキが生じることもなく、均一な発光が得られるものとされている。   Therefore, in the organic EL layer 110b formed in the pixel region A, the central portion and the outer peripheral portion of the pixel region A are caused by, for example, the affinity with the bank portion 112 and the difference in the surface state on the anode 111 during manufacturing. Even when the film thickness varies (difference), the anode 111 is not formed in the peripheral region of the organic EL layer 110b (the outer peripheral portion of the pixel region A), so that the peripheral region contributes to light emission. Will not be. As a result, it is supposed that uniform light emission can be obtained without causing variations in luminance due to variations in film thickness in the organic EL layer 110b.

(第4実施形態)
次に、本発明の有機EL装置の第4実施形態について図6を用いて説明する。なお、本第4実施形態の有機EL装置1cは、第3実施形態の有機EL装置1bのバンク部112を2層構造としたものである。したがって、以下で説明する構成要素以外については、第3実施形態と同様の構成を有するものとして説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIG. In the organic EL device 1c of the fourth embodiment, the bank 112 of the organic EL device 1b of the third embodiment has a two-layer structure. Therefore, description of components other than those described below is omitted as having the same configuration as that of the third embodiment.

第3実施形態の有機EL装置1bにおいては、バンク部112が段差構造を有する有機材料により構成されているが、本第4実施形態では、開口径の異なるバンク層を2層積層することで、段差構造を形成した。具体的には、図6に示すように、基板2側に位置する無機物バンク層112a(第1バンク層)と基板2から離れて位置する有機物バンク層112b(第2バンク層)とが積層されて構成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO、TiO等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。 In the organic EL device 1b of the third embodiment, the bank 112 is made of an organic material having a step structure, but in the fourth embodiment, by stacking two bank layers having different opening diameters, A step structure was formed. Specifically, as shown in FIG. 6, an inorganic bank layer 112a (first bank layer) located on the substrate 2 side and an organic bank layer 112b (second bank layer) located away from the substrate 2 are stacked. Configured. The inorganic bank layer 112a is made of an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2 , for example. The organic bank layer 112b is formed of a resist having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin.

そして、本第2実施形態においても、陽極111の外縁111gが、有機EL層110bの外縁110gの内側に位置している。つまり、陽極111の形成領域が有機EL層110bの形成領域の平面視内側となるように、これら陽極111と有機EL層110bが相対配置され、有機EL層110bの周縁領域には陽極111が平面視重畳配置されていない構成となっている。   Also in the second embodiment, the outer edge 111g of the anode 111 is located inside the outer edge 110g of the organic EL layer 110b. In other words, the anode 111 and the organic EL layer 110b are arranged relative to each other so that the formation region of the anode 111 is inside the formation region of the organic EL layer 110b in plan view, and the anode 111 is planar in the peripheral region of the organic EL layer 110b. It is the structure which is not superposedly arranged.

したがって、画素領域Aに形成される有機EL層110bにおいて、例えば製造時においてバンク部112との親和性や陽極111上の表面状態の違いに起因して、画素領域Aの中央部と外周部とで膜厚にバラツキ(差異)が生じるような場合にも、有機EL層110bの周縁領域(画素領域Aの外周部)には陽極111が形成されていないことで、当該周縁領域は発光に寄与されないこととなる。その結果、有機EL層110bにおける膜厚のバラツキに起因して、輝度のバラツキが生じることもなく、均一な発光が得られるものとされている。   Therefore, in the organic EL layer 110b formed in the pixel region A, the central portion and the outer peripheral portion of the pixel region A are caused by, for example, the affinity with the bank portion 112 and the difference in the surface state on the anode 111 during manufacturing. Even when the film thickness varies (difference), the anode 111 is not formed in the peripheral region of the organic EL layer 110b (the outer peripheral portion of the pixel region A), so that the peripheral region contributes to light emission. Will not be. As a result, it is supposed that uniform light emission can be obtained without causing variations in luminance due to variations in film thickness in the organic EL layer 110b.

(第5実施形態)
図7は、本発明の電子機器の一実施の形態を示している。
本例の電子機器は、上述した有機EL装置を表示手段として備えている。図7は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は前記の有機EL装置を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有機EL装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光特性を得ることができ、非常に信頼性が高いものとなる。
(Fifth embodiment)
FIG. 7 shows an embodiment of an electronic apparatus of the present invention.
The electronic apparatus of this example includes the above-described organic EL device as display means. FIG. 7 is a perspective view showing an example of a mobile phone. Reference numeral 1000 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the organic EL device. As described above, an electronic apparatus including the organic EL device according to the electro-optical device of the present invention as a display unit can obtain good light emission characteristics and has extremely high reliability.

上記各実施の形態の有機EL装置は、上記のような携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、色鮮やかな高画質の表示が得られるものとなっている。   The organic EL device of each of the above embodiments is not limited to the mobile phone as described above, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic It can be suitably used as image display means for devices such as notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc., and any electronic device can provide a colorful and high-quality display. It has become a thing.

第1実施形態の有機EL装置について一部を切り欠いて示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing the organic EL device according to the first embodiment with a part cut away. 図1の有機EL装置の等価回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the organic EL device in FIG. 1. 図1の有機EL装置の部分断面模式図。The partial cross section schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus of FIG. 第2実施形態の有機EL装置の部分断面模式図。The partial cross section schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第3実施形態の有機EL装置の部分断面模式図。The partial cross section schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus of 3rd Embodiment. 第4実施形態の有機EL装置の部分断面模式図。The partial cross section schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus of 4th Embodiment. 電子機器の一実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows one Embodiment of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

2…ガラス基板(基板)、12…陰極(第2電極)、110b…有機EL層、110g…有機EL層の外縁、111…陽極(第1電極)、111g…陽極の外縁、112…バンク部(隔壁部)、A(R,G,B)…画素領域   2 ... Glass substrate (substrate), 12 ... Cathode (second electrode), 110b ... Organic EL layer, 110g ... Outer edge of organic EL layer, 111 ... Anode (first electrode), 111g ... Outer edge of anode, 112 ... Bank part (Partition wall), A (R, G, B)... Pixel region

Claims (8)

基板上に、複数の画素領域を区画形成する隔壁部が形成されてなり、
前記画素領域には、少なくとも第1電極と、有機EL層と、第2電極とが積層して形成され、
前記有機EL層が、前記隔壁部によって囲まれた領域に形成されてなる一方、
前記第1電極と前記第2電極の少なくとも一方が、前記画素領域毎にパターン形成されるとともに、当該電極の外縁が前記有機EL層の外縁よりも内側に位置するように形成されてなることを特徴とする有機EL装置。
A partition wall that partitions and forms a plurality of pixel regions is formed on the substrate.
The pixel region is formed by stacking at least a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode,
While the organic EL layer is formed in a region surrounded by the partition wall,
At least one of the first electrode and the second electrode is patterned for each pixel region, and the outer edge of the electrode is formed so as to be located inside the outer edge of the organic EL layer. A characteristic organic EL device.
前記第1電極が、前記基板上において、前記画素領域毎にパターン形成された画素電極として構成されてなるとともに、当該第1電極の外縁が前記有機EL層の外縁よりも内側に位置するように形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。   The first electrode is configured as a pixel electrode patterned for each of the pixel regions on the substrate, and the outer edge of the first electrode is positioned inside the outer edge of the organic EL layer. The organic EL device according to claim 1, wherein the organic EL device is formed. 前記第1電極と第2電極のうち前記第1電極のみが、当該第1電極の外縁が前記有機EL層の外縁よりも内側に位置するように形成されてなり、
前記第2電極は、前記各画素領域に跨って形成された対向電極として構成されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL装置。
Of the first electrode and the second electrode, only the first electrode is formed such that the outer edge of the first electrode is located inside the outer edge of the organic EL layer,
3. The organic EL device according to claim 1, wherein the second electrode is configured as a counter electrode formed across the pixel regions. 4.
前記第1電極が陽極で、前記第2電極が陰極であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機EL装置。   The organic EL device according to any one of claims 1 to 3, wherein the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode. 前記隔壁部が、相対的に小さな開口面積の第1開口領域を形成する第1隔壁部と、該第1隔壁部上に形成され、相対的に大きな開口面積の第2開口領域を形成する第2隔壁部とを有してなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の有機EL装置。   The partition wall portion is formed on the first partition wall portion to form a first opening region having a relatively small opening area, and a second opening region having a relatively large opening area is formed on the first partition wall portion. The organic EL device according to claim 1, further comprising two partition walls. 前記有機EL層が、当該有機EL層を構成する有機材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状物を、前記隔壁部によって囲まれた領域に塗布して形成されたものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の有機EL装置。   The organic EL layer is formed by applying a liquid material in which an organic material constituting the organic EL layer is dissolved or dispersed in a solvent to a region surrounded by the partition wall. The organic EL device according to any one of claims 1 to 5. 前記有機EL層が、液滴吐出法により形成されたものであることを特徴とする請求項6に記載の有機EL装置。   The organic EL device according to claim 6, wherein the organic EL layer is formed by a droplet discharge method. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 1.
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