JP2006258766A - Elastic wave sensor - Google Patents

Elastic wave sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2006258766A
JP2006258766A JP2005080617A JP2005080617A JP2006258766A JP 2006258766 A JP2006258766 A JP 2006258766A JP 2005080617 A JP2005080617 A JP 2005080617A JP 2005080617 A JP2005080617 A JP 2005080617A JP 2006258766 A JP2006258766 A JP 2006258766A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
measurement
wave element
sensitive film
elastic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005080617A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Nara
誠 奈良
Hiromi Yatsuda
博美 谷津田
Hidenori Takahashi
英紀 高橋
Toshimasa Mori
敏正 森
Shigeru Kurosawa
茂 黒澤
Hidenobu Aizawa
秀信 愛澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Radio Co Ltd
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Japan Radio Co Ltd
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Radio Co Ltd, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical Japan Radio Co Ltd
Priority to JP2005080617A priority Critical patent/JP2006258766A/en
Publication of JP2006258766A publication Critical patent/JP2006258766A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02809Concentration of a compound, e.g. measured by a surface mass change
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02818Density, viscosity

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the measuring precision of a measuring target in an elastic wave sensor. <P>SOLUTION: A measuring elastic wave element 12 and a reference elastic wave element 14 are formed on one main surface 10a of a common piezoelectric substrate 10. A measuring responsive film 16 showing adsorbabilities with respect to the measuring target is formed on the measuring elastic wave element 12 so as to be exposed with respect to the measuring target. A reference responsive film 18 similar to the measuring responsive film 16 in kind is formed to the reference elastic wave element 14 and a lid 32 for covering the reference responsive film 18 to hermetically seal the same is joined to one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10. Since the reference responsive film 18 is sealed with respect to the measuring target by providing the lid 32, the reference elastic wave element 14 can be formed so as not to show the adsorbabilities with respect to the measuring target. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、弾性表面波(SAW)や横波弾性波(STW)等の弾性波を用いる弾性波センサに関し、特に、被測定物に対して吸着性を示す感応膜が形成された測定用弾性波素子と、この被測定物に対して吸着性を示さない基準用弾性波素子と、を有する弾性波センサに関する。   The present invention relates to an elastic wave sensor using an elastic wave such as a surface acoustic wave (SAW) or a transverse wave elastic wave (STW), and in particular, an elastic wave for measurement in which a sensitive film showing adsorptivity to a measurement object is formed. The present invention relates to an acoustic wave sensor having an element and a reference acoustic wave element that does not exhibit adsorptivity to the object to be measured.

弾性表面波(SAW)や横波弾性波(STW)等の弾性波を用いる弾性波センサにおいては、被測定物に対して吸着性を示す感応膜が形成されている。この感応膜が被測定物を吸着することで、弾性波素子の発振周波数が変化する。したがって、この発振周波数の変化を検出することで、被測定物の濃度を検出することができる。   In an elastic wave sensor using an elastic wave such as a surface acoustic wave (SAW) or a transverse wave elastic wave (STW), a sensitive film that exhibits adsorptivity to an object to be measured is formed. When the sensitive film adsorbs the object to be measured, the oscillation frequency of the acoustic wave element changes. Therefore, the concentration of the object to be measured can be detected by detecting the change in the oscillation frequency.

この感応膜が形成された弾性波センサの従来例が特許文献1,2に開示されている。特許文献1の弾性波センサは、測定用弾性波素子及び基準用弾性波素子を備えている。測定用弾性波素子には、被測定物に対して吸着性を示す感応膜が形成されている。一方、基準用弾性波素子には、感応膜が形成されていないことで、この被測定物に対して吸着性を示さない。被測定物がセンサ付近に存在している場合は、測定用弾性波素子の感応膜が被測定物を吸着することで測定用弾性波素子の発振周波数が変化するのに対して、基準用弾性波素子はこの被測定物を吸着することなく発振周波数が変化しない。この性質を利用して、測定用弾性波素子の発振周波数と基準用弾性波素子の発振周波数とを比較することで、被測定物の濃度を検出している。そして、特許文献1においては、測定用弾性波素子及び基準用弾性波素子に用いる圧電性基板を共通化することにより、測定用弾性波素子と基準用弾性波素子とで、圧電性基板の違いによる発振特性のずれの抑制を図っている。   Patent Documents 1 and 2 disclose conventional examples of acoustic wave sensors in which this sensitive film is formed. The elastic wave sensor of Patent Document 1 includes a measurement elastic wave element and a reference elastic wave element. In the acoustic wave element for measurement, a sensitive film that exhibits adsorptivity to the object to be measured is formed. On the other hand, the reference acoustic wave element does not show the adsorptivity to the object to be measured because the sensitive film is not formed. When the object to be measured exists in the vicinity of the sensor, the oscillation frequency of the acoustic wave element for measurement changes due to the sensitive film of the acoustic wave element for measurement adsorbing the object to be measured, whereas the elasticity for reference The wave element does not change the oscillation frequency without adsorbing the object to be measured. Using this property, the concentration of the object to be measured is detected by comparing the oscillation frequency of the measurement acoustic wave element with the oscillation frequency of the reference acoustic wave element. In Patent Document 1, the piezoelectric substrate used for the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element is shared, so that the difference between the piezoelectric substrate is different between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element. This suppresses the deviation of oscillation characteristics due to.

また、特許文献2の弾性波センサにおいては、基準用弾性波素子に測定用弾性波素子の感応膜と異なる種類の感応膜が形成されていることで、測定用弾性波素子の感応膜が吸着する被測定物に対して吸着性を示さない。その他の構成については、特許文献1と同様である。   Further, in the elastic wave sensor disclosed in Patent Document 2, a sensitive film of a different type from the sensitive film of the measuring acoustic wave element is formed on the reference acoustic wave element, so that the sensitive film of the measuring acoustic wave element is adsorbed. Does not exhibit adsorptivity to the measured object. About another structure, it is the same as that of patent document 1. FIG.

また、その他の背景技術として、特許文献3〜5の水晶振動子による圧電センサが開示されている。   As other background art, a piezoelectric sensor using a crystal resonator disclosed in Patent Documents 3 to 5 is disclosed.

米国特許第5243539号明細書US Pat. No. 5,243,539 米国特許第5012668号明細書US Pat. No. 5,012,668 特開平6−265459号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-265459 実開平5−84847号公報Japanese Utility Model Publication No. 5-84847 実開平5−73560号公報Japanese Utility Model Publication No. 5-73560

特許文献1においては、測定用弾性波素子に感応膜が形成されているのに対して、基準用弾性波素子には感応膜が形成されていない。この感応膜の有無の影響により、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が測定用弾性波素子と基準用弾性波素子とで異なってくる。したがって、特許文献1においては、被測定物の測定精度が低下してしまうという問題点がある。   In Patent Document 1, a sensitive film is formed on the measurement acoustic wave element, whereas no sensitive film is formed on the reference acoustic wave element. Due to the effect of the presence or absence of the sensitive film, the change in the oscillation characteristics with respect to the change in the external environment such as temperature differs between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element. Therefore, in patent document 1, there exists a problem that the measurement precision of a to-be-measured object will fall.

また、特許文献2においては、基準用弾性波素子にも感応膜が形成されているものの、測定用弾性波素子の感応膜と種類が異なるため、感応膜の種類の違いの影響により、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が測定用弾性波素子と基準用弾性波素子とで異なってくる。したがって、特許文献2においても、被測定物の測定精度が低下してしまうという問題点がある。   Further, in Patent Document 2, although a sensitive film is also formed on the reference acoustic wave element, since the type is different from the sensitive film of the measurement acoustic wave element, the temperature and the like are affected by the difference in the type of the sensitive film. The change in the oscillation characteristics with respect to the change in the external environment differs between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element. Therefore, Patent Document 2 also has a problem that the measurement accuracy of the object to be measured is lowered.

本発明は、被測定物の測定精度を向上させることができる弾性波センサを提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the elastic wave sensor which can improve the measurement precision of a to-be-measured object.

本発明に係る弾性波センサは、被測定物に対して吸着性を示す測定用感応膜が形成された測定用弾性波素子と、該被測定物に対して吸着性を示さない基準用弾性波素子と、を有する弾性波センサであって、前記測定用弾性波素子及び前記基準用弾性波素子に用いられる圧電性基板は共通化されており、前記基準用弾性波素子には、前記測定用感応膜と同じ種類である基準用感応膜が形成されており、前記圧電性基板に接合され、前記基準用感応膜を前記被測定物に対して封止する封止手段が設けられていることを要旨とする。   An elastic wave sensor according to the present invention includes a measurement elastic wave element on which a measurement sensitive film exhibiting adsorptivity to a measurement object is formed, and a reference elastic wave that does not exhibit adsorbability to the measurement object. A piezoelectric substrate used for the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element is shared, and the reference acoustic wave element includes the measurement acoustic wave element. A reference sensitive film that is the same type as the sensitive film is formed, and a sealing means is provided that is bonded to the piezoelectric substrate and seals the reference sensitive film from the object to be measured. Is the gist.

この本発明においては、被測定物に対して吸着性を示す測定用感応膜と同じ種類である基準用感応膜が基準用弾性波素子に形成されていることにより、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化を測定用弾性波素子と基準用弾性波素子とでほぼそろえることができる。そして、基準用感応膜が被測定物に対して封止されていることにより、基準用弾性波素子が被測定物に対して吸着性を示さないようにすることができる。したがって、この本発明によれば、被測定物の測定精度を向上させることができる。   In the present invention, the reference sensitive film, which is the same type as the measuring sensitive film that exhibits the adsorptivity to the object to be measured, is formed on the reference acoustic wave element, thereby changing the external environment such as temperature. The change in the oscillation characteristic with respect to can be made almost equal between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element. In addition, since the reference sensitive film is sealed with respect to the object to be measured, the reference acoustic wave element can be prevented from exhibiting adsorptivity to the object to be measured. Therefore, according to the present invention, the measurement accuracy of the object to be measured can be improved.

本発明に係る弾性波センサにおいて、前記圧電性基板は、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜が形成された一主面がパッケージの実装面と対向するように、該パッケージにフリップチップ実装されており、前記封止手段は、前記基準用感応膜の全周囲を囲むとともに前記圧電性基板及び前記パッケージと全周に渡って密着していることで、該基準用感応膜を前記被測定物に対して封止するものとすることもできる。こうすれば、基準用感応膜の封止を容易に行うことができる。   In the acoustic wave sensor according to the present invention, the piezoelectric substrate is flip-chip mounted on the package such that one main surface on which the reference acoustic wave element and the reference sensitive film are formed faces the mounting surface of the package. The sealing means surrounds the entire circumference of the reference sensitive film and is in close contact with the piezoelectric substrate and the package over the entire circumference, so that the reference sensitive film is covered with the covered film. It can also seal with respect to a measurement object. In this way, the reference sensitive film can be easily sealed.

本発明に係る弾性波センサにおいて、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板の一主面に形成されているものとすることもできる。この態様の本発明に係る弾性波センサにおいて、前記パッケージにおける前記測定用感応膜とほぼ対向する部分には、開口部が設けられているものとすることもできる。こうすれば、測定用感応膜に被測定物を確実に吸着させることができる。   In the acoustic wave sensor according to the present invention, the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film may be formed on one main surface of the piezoelectric substrate. In the acoustic wave sensor according to this aspect of the present invention, an opening may be provided in a portion of the package that substantially faces the measurement sensitive film. In this way, the object to be measured can be reliably adsorbed to the measurement sensitive film.

本発明に係る弾性波センサにおいて、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板の一主面の裏面に形成されているものとすることもできる。この態様の本発明に係る弾性波センサにおいて、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されているものとすることもできる。こうすれば、測定用弾性波素子と基準用弾性波素子とで発振特性の差を少なくすることができるので、被測定物の測定精度をより向上させることができる。さらに、弾性波センサの小型化を実現することができる。   In the elastic wave sensor according to the present invention, the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film may be formed on the back surface of one main surface of the piezoelectric substrate. In the elastic wave sensor according to the present invention of this aspect, the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed at a position substantially opposite to the formation position of the reference acoustic wave element and the reference sensitive film. It can also be. By so doing, it is possible to reduce the difference in oscillation characteristics between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element, thereby further improving the measurement accuracy of the object to be measured. Furthermore, the acoustic wave sensor can be downsized.

本発明に係る弾性波センサにおいて、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板の一主面に形成され、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜は、前記圧電性基板の一主面の裏面に形成され、前記圧電性基板は、前記一主面がパッケージの実装面と対向するように、該パッケージにフリップチップ実装されているものとすることもできる。   In the acoustic wave sensor according to the present invention, the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed on one main surface of the piezoelectric substrate, and the reference acoustic wave element and the reference sensitive film are The piezoelectric substrate may be formed on the back surface of one main surface of the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate may be flip-chip mounted on the package such that the one main surface faces the mounting surface of the package.

この態様の本発明に係る弾性波センサにおいて、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されているものとすることもできる。こうすれば、測定用弾性波素子と基準用弾性波素子とで発振特性の差を少なくすることができるので、被測定物の測定精度をより向上させることができる。さらに、弾性波センサの小型化を実現することができる。   In the elastic wave sensor according to the present invention of this aspect, the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed at a position substantially opposite to the formation position of the reference acoustic wave element and the reference sensitive film. It can also be. By so doing, it is possible to reduce the difference in oscillation characteristics between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element, thereby further improving the measurement accuracy of the object to be measured. Furthermore, the acoustic wave sensor can be downsized.

この態様の本発明に係る弾性波センサにおいて、前記パッケージにおける前記測定用感応膜とほぼ対向する部分には、開口部が設けられているものとすることもできる。こうすれば、測定用感応膜に被測定物を確実に吸着させることができる。   In the acoustic wave sensor according to this aspect of the present invention, an opening may be provided in a portion of the package that substantially faces the measurement sensitive film. In this way, the object to be measured can be reliably adsorbed to the measurement sensitive film.

また、本発明に係る弾性波センサは、被測定物に対して吸着性を示す測定用感応膜が形成された測定用弾性波素子と、該被測定物に対して吸着性を示さない基準用弾性波素子と、を有する弾性波センサであって、前記測定用弾性波素子及び前記基準用弾性波素子に用いられる圧電性基板は共通化されており、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板における前記基準用弾性波素子が形成された面の裏面に形成され、かつ該基準用弾性波素子の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されており、前記圧電性基板は、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜が形成された面、または前記基準用弾性波素子が形成された面がパッケージの実装面と対向するように、該パッケージにフリップチップ実装されていることを要旨とする。   The elastic wave sensor according to the present invention includes a measurement acoustic wave element on which a measurement sensitive film that exhibits adsorptivity to an object to be measured is formed, and a reference that does not exhibit adsorbability to the object to be measured. An acoustic wave sensor comprising: a piezoelectric substrate used in the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element, and the measurement acoustic wave element and the measurement acoustic wave element. The sensitive film is formed on the back surface of the piezoelectric substrate on which the reference acoustic wave element is formed, and is formed at a position substantially on the back side of the reference acoustic wave element. The substrate is flip-chip mounted on the package such that the surface on which the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed or the surface on which the reference acoustic wave element is formed faces the package mounting surface. With the gist being That.

この本発明においては、測定用弾性波素子及び基準用弾性波素子とで発振特性の差を少なくすることができるので、被測定物の測定精度を向上させることができる。さらに、弾性波センサの小型化を実現することができる。   In the present invention, since the difference in oscillation characteristics between the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element can be reduced, the measurement accuracy of the object to be measured can be improved. Furthermore, the acoustic wave sensor can be downsized.

以下、本発明を実施するための形態(以下実施形態という)を図面に従って説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described with reference to the drawings.

「実施形態1」
図1は、本発明の実施形態1に係る弾性波センサの構成の概略を示す図であり、図1(A)は側面の断面図の概略を示し、図1(B)は上面図の概略を示す。本実施形態に係る弾性波センサは、以下に説明する測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14を備えており、パッケージPKGに実装されている。
“Embodiment 1”
1A and 1B are diagrams showing an outline of a configuration of an elastic wave sensor according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1A shows an outline of a side sectional view, and FIG. 1B shows an outline of a top view. Indicates. The acoustic wave sensor according to the present embodiment includes a measurement acoustic wave element 12 and a reference acoustic wave element 14 described below, and is mounted on a package PKG.

測定用弾性波素子12については、入力櫛形電極12a及び出力櫛形電極12bが所定間隔をおいて圧電性基板10の一主面10a上に形成されることで構成される。同様に、基準用弾性波素子14については、入力櫛形電極14a及び出力櫛形電極14bが所定間隔をおいて圧電性基板10の一主面10a上に形成されることで構成される。このように、本実施形態においては、測定用弾性波素子12の櫛形電極12a,12bと、基準用弾性波素子14の櫛形電極14a,14bとが共通の圧電性基板10上に形成されており、測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14に用いられる圧電性基板10が共通化されている。そして、図1に示すように、測定用弾性波素子12の櫛形電極12a,12b及び基準用弾性波素子14の櫛形電極14a,14bについては、弾性波伝搬方向が略平行となるように配置されており、かつ測定用弾性波素子12が励振する弾性波と基準用弾性波素子14が励振する弾性波とが互いに干渉しないように、弾性波伝搬方向と略垂直方向に関して所定距離はなされて配置されている。なお、図1(A)では、櫛形電極12a,12b,14a,14bの図示を省略している。   The measurement acoustic wave element 12 is configured by forming an input comb-shaped electrode 12a and an output comb-shaped electrode 12b on one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 at a predetermined interval. Similarly, the reference acoustic wave element 14 is configured by forming the input comb-shaped electrode 14a and the output comb-shaped electrode 14b on the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 at a predetermined interval. As described above, in the present embodiment, the comb electrodes 12a and 12b of the measurement acoustic wave element 12 and the comb electrodes 14a and 14b of the reference acoustic wave element 14 are formed on the common piezoelectric substrate 10. The piezoelectric substrate 10 used for the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 is shared. As shown in FIG. 1, the comb-shaped electrodes 12a and 12b of the measurement acoustic wave element 12 and the comb-shaped electrodes 14a and 14b of the reference acoustic wave element 14 are arranged so that the acoustic wave propagation directions are substantially parallel to each other. In addition, the elastic wave excited by the measurement elastic wave element 12 and the elastic wave excited by the reference elastic wave element 14 do not interfere with each other, and are arranged at a predetermined distance with respect to the elastic wave propagation direction and the substantially vertical direction. Has been. In FIG. 1A, illustration of the comb electrodes 12a, 12b, 14a, and 14b is omitted.

測定用弾性波素子12には、被測定物に対して吸着性を示し例えばたんぱく質により構成される測定用感応膜16が形成されており、測定用感応膜16は被測定物に対して露出している。ここで、被測定物及びこの被測定物を吸着する測定用感応膜16の組み合わせの一例を挙げると、被測定物はC−反応性タンパク(CRP)抗原であり、かつ測定用感応膜16は抗CRPモノクローナル抗体である。   The measurement acoustic wave element 12 is formed with a measurement sensitive film 16 that is adsorbable to the object to be measured and is composed of, for example, a protein. The measurement sensitive film 16 is exposed to the object to be measured. ing. Here, to give an example of a combination of the measurement object and the measurement sensitive film 16 that adsorbs the measurement object, the measurement object is a C-reactive protein (CRP) antigen, and the measurement sensitive film 16 is Anti-CRP monoclonal antibody.

そして、本実施形態においては、基準用弾性波素子14にも測定用感応膜16と同じ種類である基準用感応膜18が形成されている。さらに、圧電性基板10の一主面10a上には、基準用感応膜18を覆い密閉する蓋32が接合されている。この蓋32が設けられることによって、基準用感応膜18を被測定物に対して封止することができる。したがって、測定用感応膜16が吸着する被測定物に対して吸着性を示す基準用感応膜18が基準用弾性波素子14に形成されているにもかかわらず、基準用感応膜18がこの被測定物を吸着しないようにすることができ、基準用弾性波素子14がこの被測定物に対して吸着性を示さないようにすることができる。このように、本実施形態においては、測定用感応膜16と同じ種類である基準用感応膜18を基準用弾性波素子14に形成し、基準用感応膜18を被測定物に対して封止することで、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、感応膜の有無や感応膜の種類の違いにより、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が異なってくるのを抑止する。なお、図1(B)では、蓋32の図示を大部分で省略して基準用弾性波素子14が現れる状態で図示しているが、実際は、基準用弾性波素子14は蓋32によって密閉されている。また、蓋32の材料としては、例えば樹脂が用いられる。   In the present embodiment, the reference sensitive film 18 of the same type as the measurement sensitive film 16 is also formed on the reference acoustic wave element 14. Further, a lid 32 that covers and seals the reference sensitive film 18 is joined to one main surface 10 a of the piezoelectric substrate 10. By providing the lid 32, the reference sensitive film 18 can be sealed from the object to be measured. Accordingly, the reference sensitive film 18 is formed on the reference acoustic wave element 14 even though the reference sensitive film 18 is formed on the reference acoustic wave element 14 and has an adsorptivity to the measurement object to which the measurement sensitive film 16 adsorbs. The measurement object can be prevented from being adsorbed, and the reference acoustic wave element 14 can be prevented from exhibiting adsorbability with respect to the object to be measured. As described above, in this embodiment, the reference sensitive film 18 that is the same type as the measurement sensitive film 16 is formed on the reference acoustic wave element 14, and the reference sensitive film 18 is sealed against the object to be measured. As a result, the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 change in oscillation characteristics with respect to changes in the external environment such as temperature depending on the presence or absence of the sensitive film and the type of the sensitive film. Is suppressed. In FIG. 1B, the illustration of the lid 32 is omitted for the most part and the reference acoustic wave element 14 appears, but in actuality, the reference acoustic wave element 14 is sealed by the lid 32. ing. Moreover, as a material of the lid | cover 32, resin is used, for example.

なお、ここでの弾性波素子12,14としては、例えば圧電性基板10の表面を伝搬するSAW(レイリー波)を利用するSAW素子を用いることができる。あるいは、弾性波素子12,14として、圧電性基板10の表面近傍を伝搬するSTW(バルク波)を利用するSTW素子を用いることもできる。弾性波素子12,14としてSTW素子を用いた場合は、弾性波伝搬路上に感応膜16,18が形成されることによる弾性波(STW)の伝搬損失を少なくすることができる。また、感応膜16,18については、金膜(図示せず)を介在させた状態で弾性波素子12,14にそれぞれ形成することもできる。   Here, as the acoustic wave elements 12 and 14, for example, SAW elements using SAW (Rayleigh waves) propagating on the surface of the piezoelectric substrate 10 can be used. Alternatively, STW elements using STW (bulk waves) that propagate near the surface of the piezoelectric substrate 10 can be used as the acoustic wave elements 12 and 14. When STW elements are used as the elastic wave elements 12 and 14, the propagation loss of elastic waves (STW) due to the formation of the sensitive films 16 and 18 on the elastic wave propagation path can be reduced. The sensitive films 16 and 18 can also be formed on the acoustic wave elements 12 and 14 with a gold film (not shown) interposed therebetween.

本実施形態に係る弾性波センサを用いて被測定物の濃度を検出する際には、図2に示すように、増幅器AMP1の入力側を出力櫛形電極12bに接続し、増幅器AMP1の出力側を入力櫛形電極12aに接続することで、測定用弾性波素子12及び増幅器AMP1を含む発振ループ20を形成する。同様に、増幅器AMP2の入力側を出力櫛形電極14bに接続し、増幅器AMP2の出力側を入力櫛形電極14aに接続することで、基準用弾性波素子14及び増幅器AMP2を含む発振ループ22を形成する。ここで、櫛形電極14a,14bへの電気的接続については、蓋32の外側に電極パッドを引き出すことで実現可能であり、かつ蓋32の密閉性も確保することができる。なお、図2では、蓋32及びパッケージPKGの図示を省略している。   When detecting the concentration of the object to be measured using the acoustic wave sensor according to this embodiment, as shown in FIG. 2, the input side of the amplifier AMP1 is connected to the output comb electrode 12b, and the output side of the amplifier AMP1 is connected to the output side. By connecting to the input comb electrode 12a, the oscillation loop 20 including the measurement acoustic wave element 12 and the amplifier AMP1 is formed. Similarly, by connecting the input side of the amplifier AMP2 to the output comb electrode 14b and connecting the output side of the amplifier AMP2 to the input comb electrode 14a, an oscillation loop 22 including the reference acoustic wave element 14 and the amplifier AMP2 is formed. . Here, the electrical connection to the comb-shaped electrodes 14a and 14b can be realized by pulling out the electrode pad outside the lid 32, and the sealing performance of the lid 32 can be ensured. In FIG. 2, the lid 32 and the package PKG are not shown.

測定用感応膜16が被測定物を吸着することで、測定用弾性波素子12の発振周波数が変化し、発振ループ20を循環する発振信号の周波数が変化する。一方、基準用感応膜18は蓋32によって封止されていることで被測定物を吸着しないため、基準用弾性波素子14の発振周波数は略一定のままであり、発振ループ22を循環する発振信号の周波数も略一定のままである。したがって、発振ループ20を循環する発振信号の周波数と発振ループ22を循環する発振信号の周波数とを周波数比較回路24により比較することで、被測定物の濃度を検出することができる。このように、本実施形態に係る弾性波センサにおいては、測定用弾性波素子12の発振周波数(発振ループ20を循環する発振信号の周波数)と基準用弾性波素子14の発振周波数(発振ループ22を循環する発振信号の周波数)とを比較することで、被測定物の濃度を検出する。   When the measurement sensitive film 16 adsorbs the object to be measured, the oscillation frequency of the measurement acoustic wave element 12 changes, and the frequency of the oscillation signal circulating in the oscillation loop 20 changes. On the other hand, since the reference sensitive film 18 is sealed by the lid 32 and does not adsorb the object to be measured, the oscillation frequency of the reference acoustic wave element 14 remains substantially constant, and oscillation that circulates through the oscillation loop 22. The signal frequency also remains substantially constant. Therefore, by comparing the frequency of the oscillation signal circulating in the oscillation loop 20 and the frequency of the oscillation signal circulating in the oscillation loop 22 by the frequency comparison circuit 24, the concentration of the object to be measured can be detected. Thus, in the elastic wave sensor according to the present embodiment, the oscillation frequency of the measurement acoustic wave element 12 (frequency of the oscillation signal circulating in the oscillation loop 20) and the oscillation frequency of the reference acoustic wave element 14 (oscillation loop 22). The concentration of the object to be measured is detected by comparing the frequency of the oscillation signal circulating through

以上説明したように、本実施形態においては、基準用弾性波素子14に測定用弾性波素子12の測定用感応膜16と同じ種類である基準用感応膜18が形成されており、基準用感応膜18は、蓋32によって覆われることで被測定物に対して封止されている。このように、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、形成されている感応膜16,18の種類が同じであるため、感応膜の有無や感応膜の種類の違いによって、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が異なってくるのを抑止することができる。また、基準用弾性波素子14の基準用感応膜18は蓋32によって覆われることで密閉されているため、基準用感応膜18が被測定物を吸着するのを防止することができ、基準用弾性波素子14の発振周波数は被測定物の存在による影響を受けない。したがって、本実施形態によれば、被測定物の測定精度を向上させることができる。さらに、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、形成されている感応膜16,18の種類が同じであるため、感応膜16,18を同一工程で形成することができ、感応膜16,18の形成が容易となる。   As described above, in this embodiment, the reference sensitive film 18 that is the same type as the measurement sensitive film 16 of the measurement acoustic wave element 12 is formed on the reference acoustic wave element 14, and the reference sensitive film 18 is formed. The film 18 is sealed with respect to the object to be measured by being covered with the lid 32. Thus, since the types of the sensitive films 16 and 18 formed in the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 are the same, depending on the presence or absence of the sensitive film and the type of the sensitive film, It is possible to suppress changes in the oscillation characteristics with respect to changes in the external environment such as temperature. In addition, since the reference sensitive film 18 of the reference acoustic wave element 14 is sealed by being covered with the lid 32, the reference sensitive film 18 can be prevented from adsorbing an object to be measured. The oscillation frequency of the acoustic wave element 14 is not affected by the presence of the object to be measured. Therefore, according to this embodiment, the measurement accuracy of the object to be measured can be improved. Furthermore, since the types of the sensitive films 16 and 18 formed in the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 are the same, the sensitive films 16 and 18 can be formed in the same process, The sensitive films 16 and 18 can be easily formed.

また、本実施形態においては、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14に用いる圧電性基板10を共通化することにより、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、基板の違いによって発振特性が異なってくるのを抑止することができる。したがって、被測定物の測定精度をさらに向上させることができる。さらに、弾性波素子12,14を製造する際に、櫛形電極12a,12b,14a,14b、及び感応膜16,18の形成が容易となる。   In the present embodiment, the piezoelectric substrate 10 used for the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 is shared, so that the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 are It is possible to prevent the oscillation characteristics from being different depending on the substrate. Therefore, the measurement accuracy of the object to be measured can be further improved. Further, when the acoustic wave elements 12 and 14 are manufactured, the comb-shaped electrodes 12a, 12b, 14a and 14b and the sensitive films 16 and 18 can be easily formed.

「実施形態2」
図3は、本発明の実施形態2に係る弾性波センサの構成の概略を示す図であり、図3(A)は側面の断面図の概略を示し、図3(B)は下面図の概略を示す。ただし、図3(A)では、櫛形電極12a,12b,14a,14bの図示を省略しており、図3(B)では、パッケージPKGの図示を大部分で省略して測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14が現れる状態で図示している。
“Embodiment 2”
3A and 3B are diagrams showing an outline of the configuration of the elastic wave sensor according to the second embodiment of the present invention. FIG. 3A shows an outline of a side sectional view, and FIG. 3B shows an outline of a bottom view. Indicates. However, in FIG. 3A, illustration of the comb-shaped electrodes 12a, 12b, 14a, and 14b is omitted, and in FIG. 3B, the illustration of the package PKG is largely omitted, and the measurement acoustic wave element 12 is omitted. In addition, the reference acoustic wave element 14 is shown.

本実施形態に係る弾性波センサにおいては、櫛形電極12a,12b,14a,14bと接続された電極パッドにバンプ電極26が接合されている。そして、測定用弾性波素子12、測定用感応膜16、基準用弾性波素子14、及び基準用感応膜18が一主面10aに形成された圧電性基板10は、その一主面10aがパッケージPKGの実装面8と対向するように、パッケージPKGにフリップチップ実装されている。ここで、圧電性基板10側とパッケージPKG側との電気的接合はバンプ電極26を介して行われており、感応膜16,18とパッケージPKGの実装面8との間に隙間が形成されるように、バンプ電極26の高さが設定されている。これによって、測定用感応膜16は被測定物に対して露出するため、測定用感応膜16は被測定物を吸着することができ、測定用弾性波素子12は被測定物に対して吸着性を示す。   In the acoustic wave sensor according to the present embodiment, the bump electrode 26 is joined to the electrode pad connected to the comb electrodes 12a, 12b, 14a, 14b. The piezoelectric substrate 10 on which the measurement acoustic wave element 12, the measurement sensitive film 16, the reference acoustic wave element 14, and the reference sensitive film 18 are formed on one principal surface 10a has the one principal surface 10a packaged. It is flip-chip mounted on the package PKG so as to face the mounting surface 8 of the PKG. Here, electrical bonding between the piezoelectric substrate 10 side and the package PKG side is performed via the bump electrode 26, and a gap is formed between the sensitive films 16 and 18 and the mounting surface 8 of the package PKG. As described above, the height of the bump electrode 26 is set. As a result, since the measurement sensitive film 16 is exposed to the object to be measured, the measurement sensitive film 16 can adsorb the object to be measured, and the measurement acoustic wave element 12 has an adsorptivity to the object to be measured. Indicates.

さらに、本実施形態においては、基準用感応膜18の全周囲を囲むとともに、圧電性基板10及びパッケージPKGと全周に渡って密着した状態で接合されているモールド材34が設けられている。このモールド材34によって、基準用感応膜18を被測定物に対して封止することができる。したがって、基準用感応膜18が被測定物を吸着しないようにすることができ、基準用弾性波素子14が被測定物に対して吸着性を示さないようにすることができる。なお、モールド材34の材料としては、例えば樹脂が用いられる。   Further, in the present embodiment, there is provided a molding material 34 that surrounds the entire circumference of the reference sensitive film 18 and is joined in close contact with the piezoelectric substrate 10 and the package PKG over the entire circumference. The molding material 34 can seal the reference sensitive film 18 against the object to be measured. Therefore, it is possible to prevent the reference sensitive film 18 from adsorbing the object to be measured, and it is possible to prevent the reference acoustic wave element 14 from exhibiting adsorbability to the object to be measured. As a material of the molding material 34, for example, a resin is used.

なお、他の構成については、実施形態1と同様であるため説明を省略する。   Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施形態においても、被測定物の濃度を検出する際には、実施形態1と同様に、測定用弾性波素子12を含む発振ループ20、及び基準用弾性波素子14を含む発振ループ22をそれぞれ形成する。測定用感応膜16が被測定物を吸着することで、測定用弾性波素子12の発振周波数が変化し、発振ループ20を循環する発振信号の周波数が変化する。一方、基準用感応膜18はモールド材34によって封止されていることで被測定物を吸着しないため、基準用弾性波素子14の発振周波数は略一定のままであり、発振ループ22を循環する発振信号の周波数も略一定のままである。したがって、実施形態1と同様に、発振ループ20を循環する発振信号の周波数(測定用弾性波素子12の発振周波数)と、発振ループ22を循環する発振信号の周波数(基準用弾性波素子14の発振周波数)とを周波数比較回路24により比較することで、被測定物の濃度を検出することができる。   Also in the present embodiment, when detecting the concentration of the object to be measured, the oscillation loop 20 including the measurement acoustic wave element 12 and the oscillation loop 22 including the reference acoustic wave element 14 are detected as in the first embodiment. Form each one. When the measurement sensitive film 16 adsorbs the object to be measured, the oscillation frequency of the measurement acoustic wave element 12 changes, and the frequency of the oscillation signal circulating in the oscillation loop 20 changes. On the other hand, since the reference sensitive film 18 is sealed by the molding material 34 and does not adsorb the object to be measured, the oscillation frequency of the reference acoustic wave element 14 remains substantially constant and circulates through the oscillation loop 22. The frequency of the oscillation signal also remains substantially constant. Therefore, as in the first embodiment, the frequency of the oscillation signal circulating through the oscillation loop 20 (the oscillation frequency of the measurement acoustic wave element 12) and the frequency of the oscillation signal circulating through the oscillation loop 22 (of the reference acoustic wave element 14) The frequency of the measured object can be detected by comparing the oscillation frequency) with the frequency comparison circuit 24.

本実施形態においても、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、形成されている感応膜16,18の種類が同じであるため、感応膜の有無や感応膜の種類の違いによって、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が異なってくるのを抑止することができる。したがって、被測定物の測定精度を向上させることができる。さらに、本実施形態においては、基準用感応膜18が形成された圧電性基板10の一主面10aをパッケージPKGの実装面8と対向させてフェイスダウンでフリップチップ実装することで、基準用感応膜18の封止が容易となる。   Also in this embodiment, since the types of the sensitive films 16 and 18 formed in the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 are the same, the presence or absence of the sensitive film and the difference in the type of the sensitive film are different. Therefore, it is possible to prevent the change in the oscillation characteristics from changing due to a change in the external environment such as temperature. Therefore, the measurement accuracy of the object to be measured can be improved. Furthermore, in the present embodiment, the principal surface 10a of the piezoelectric substrate 10 on which the reference sensitive film 18 is formed is opposed to the mounting surface 8 of the package PKG and is flip-chip mounted face-down so that the reference sensitive film is mounted. The film 18 can be easily sealed.

なお、本実施形態においては、図4に示すように、パッケージPKGにおける測定用感応膜16とほぼ対向する部分に開口部36が設けられていてもよい。そして、モールド材34は、基準用感応膜18の全周囲だけでなく測定用感応膜16の全周囲も囲むとともに、圧電性基板10及びパッケージPKGと全周に渡って密着した状態で接合されている。ここで、図4(A)は側面の断面図の概略を示し、図4(B)は下面図の概略を示す。ただし、図4(A)では、櫛形電極12a,12b,14a,14bの図示を省略しており、図4(B)では、パッケージPKGの図示を大部分で省略して基準用弾性波素子14が現れる状態で図示している。   In the present embodiment, as shown in FIG. 4, an opening 36 may be provided in a portion of the package PKG substantially facing the measurement sensitive film 16. The molding material 34 surrounds not only the entire circumference of the reference sensitive film 18 but also the entire circumference of the measurement sensitive film 16 and is bonded to the piezoelectric substrate 10 and the package PKG so as to be in close contact with each other. Yes. Here, FIG. 4A shows an outline of a side sectional view, and FIG. 4B shows an outline of a bottom view. However, in FIG. 4A, illustration of the comb-shaped electrodes 12a, 12b, 14a, and 14b is omitted, and in FIG. 4B, the illustration of the package PKG is largely omitted, and the reference acoustic wave element 14 is used. It is shown in the state where appears.

図4に示す構成においては、パッケージPKGにおける測定用感応膜16とほぼ対向する部分に開口部36を設けることにより、被測定物を測定用感応膜16に確実に吸着させることができる。   In the configuration shown in FIG. 4, the object to be measured can be reliably adsorbed to the measurement sensitive film 16 by providing the opening 36 in a portion of the package PKG substantially facing the measurement sensitive film 16.

「実施形態3」
図5は、本発明の実施形態3に係る弾性波センサの構成の概略を示す図であり、図5(A)は側面の断面図の概略を示し、図5(B)は下面図の概略を示す。ただし、図5(A)では、櫛形電極12a,12b,14a,14bの図示を省略しており、図5(B)では、パッケージPKGの図示を大部分で省略して基準用弾性波素子14が現れる状態で図示している。
“Embodiment 3”
5A and 5B are diagrams showing an outline of the configuration of an elastic wave sensor according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 5A shows an outline of a side sectional view, and FIG. 5B shows an outline of a bottom view. Indicates. However, in FIG. 5A, illustration of the comb-shaped electrodes 12a, 12b, 14a, 14b is omitted, and in FIG. 5B, the illustration of the package PKG is largely omitted, and the reference acoustic wave element 14 is used. It is shown in the state where appears.

基準用弾性波素子14については、入力櫛形電極14a及び出力櫛形電極14bが所定間隔をおいて圧電性基板10の一主面10a上に形成されることで構成される。一方、測定用弾性波素子12については、入力櫛形電極12a及び出力櫛形電極12bが所定間隔をおいて圧電性基板10の一主面10aの裏面10b上に形成されることで構成される。このように、本実施形態においては、測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14に用いられる圧電性基板10が共通化されているが、測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14が圧電性基板10の互いに反対側の面に形成されている。なお、弾性波は圧電性基板10のほぼ表面を伝搬するため、測定用弾性波素子12が励振する弾性波と基準用弾性波素子14が励振する弾性波とが互いに干渉することはない。   The reference acoustic wave element 14 is configured by forming an input comb electrode 14a and an output comb electrode 14b on one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 at a predetermined interval. On the other hand, the measurement acoustic wave element 12 is configured by forming the input comb-shaped electrode 12a and the output comb-shaped electrode 12b on the back surface 10b of the one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 at a predetermined interval. As described above, in the present embodiment, the piezoelectric substrate 10 used for the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 is shared, but the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element are used. 14 are formed on opposite surfaces of the piezoelectric substrate 10. Since the elastic wave propagates almost on the surface of the piezoelectric substrate 10, the elastic wave excited by the measurement elastic wave element 12 and the elastic wave excited by the reference elastic wave element 14 do not interfere with each other.

測定用弾性波素子12には、被測定物に対して吸着性を示し例えばたんぱく質により構成される測定用感応膜16が形成されている。そして、基準用弾性波素子14にも、測定用感応膜16と同じ種類の基準用感応膜18が形成されている。また、測定用弾性波素子12及び測定用感応膜16は、基準用弾性波素子14及び基準用感応膜18の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されている。   The measurement acoustic wave element 12 is formed with a measurement sensitive film 16 that is adsorbable to an object to be measured and is made of, for example, a protein. Further, the reference sensitive film 18 of the same type as the measurement sensitive film 16 is also formed on the reference acoustic wave element 14. In addition, the measurement acoustic wave element 12 and the measurement sensitive film 16 are formed at a position substantially on the back side of the formation position of the reference acoustic wave element 14 and the reference sensitive film 18.

本実施形態においては、基準用弾性波素子14の櫛形電極14a,14bと接続された電極パッドにバンプ電極26が接合されている。そして、圧電性基板10は、基準用弾性波素子14及び基準用感応膜18が形成された一主面10aがパッケージPKGの実装面8と対向するように、パッケージPKGにフリップチップ実装されている。ここで、圧電性基板10側とパッケージPKG側との電気的接合はバンプ電極26を介して行われており、基準用感応膜18とパッケージPKGの実装面8との間に隙間が形成されるように、バンプ電極26の高さが設定されている。   In the present embodiment, the bump electrode 26 is bonded to the electrode pad connected to the comb electrodes 14 a and 14 b of the reference acoustic wave element 14. The piezoelectric substrate 10 is flip-chip mounted on the package PKG so that one main surface 10a on which the reference acoustic wave element 14 and the reference sensitive film 18 are formed faces the mounting surface 8 of the package PKG. . Here, the electrical bonding between the piezoelectric substrate 10 side and the package PKG side is performed via the bump electrode 26, and a gap is formed between the reference sensitive film 18 and the mounting surface 8 of the package PKG. As described above, the height of the bump electrode 26 is set.

さらに、本実施形態においても、実施形態2と同様に、基準用感応膜18の全周囲を囲むとともに、圧電性基板10及びパッケージPKGと全周に渡って密着した状態で接合されているモールド材34が設けられている。このモールド材34によって、基準用感応膜18を被測定物に対して封止することができる。したがって、基準用感応膜18が被測定物を吸着しないようにすることができ、基準用弾性波素子14が被測定物に対して吸着性を示さないようにすることができる。一方、測定用感応膜16は被測定物に対して露出しているため、測定用感応膜16は被測定物を吸着することができ、測定用弾性波素子12は被測定物に対して吸着性を示す。また、モールド材34の材料としては、例えば樹脂が用いられる。   Further, in the present embodiment as well, as in the second embodiment, the molding material surrounds the entire circumference of the reference sensitive film 18 and is joined in close contact with the piezoelectric substrate 10 and the package PKG. 34 is provided. The molding material 34 can seal the reference sensitive film 18 against the object to be measured. Therefore, it is possible to prevent the reference sensitive film 18 from adsorbing the object to be measured, and it is possible to prevent the reference acoustic wave element 14 from exhibiting adsorbability to the object to be measured. On the other hand, since the measurement sensitive film 16 is exposed to the object to be measured, the measurement sensitive film 16 can adsorb the object to be measured, and the elastic wave element 12 for measurement adsorbs to the object to be measured. Showing gender. In addition, as the material of the molding material 34, for example, a resin is used.

なお、他の構成については、実施形態1と同様であるため説明を省略する。   Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施形態においても、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、形成されている感応膜16,18の種類が同じであるため、感応膜の有無や感応膜の種類の違いによって、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が異なってくるのを抑止することができる。したがって、被測定物の測定精度を向上させることができる。そして、基準用感応膜18が形成された圧電性基板10の一主面10aをパッケージPKGの実装面8と対向させてフェイスダウンでフリップチップ実装することで、基準用感応膜18の封止が容易となる。さらに、本実施形態においては、測定用弾性波素子12及び測定用感応膜16が基準用弾性波素子14及び基準用感応膜18の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されていることで、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14との距離を近づけることができる。したがって、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで発振特性の差をより少なくすることができるので、被測定物の測定精度をより向上させることができる。さらに、圧電性基板10の小型化を実現することができ、弾性波センサの小型化を実現することができる。   Also in this embodiment, since the types of the sensitive films 16 and 18 formed in the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 are the same, the presence or absence of the sensitive film and the difference in the type of the sensitive film are different. Therefore, it is possible to prevent the change in the oscillation characteristics from changing due to a change in the external environment such as temperature. Therefore, the measurement accuracy of the object to be measured can be improved. Then, the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 on which the reference sensitive film 18 is formed faces the mounting surface 8 of the package PKG and is flip-chip mounted face down so that the reference sensitive film 18 is sealed. It becomes easy. Further, in the present embodiment, the measurement acoustic wave element 12 and the measurement sensitive film 16 are formed at a position almost on the back side of the formation position of the reference acoustic wave element 14 and the reference sensitive film 18. The distance between the acoustic wave element for use 12 and the reference acoustic wave element can be reduced. Therefore, since the difference in oscillation characteristics between the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 can be further reduced, the measurement accuracy of the object to be measured can be further improved. Furthermore, the piezoelectric substrate 10 can be reduced in size, and the elastic wave sensor can be reduced in size.

「実施形態4」
図6は、本発明の実施形態4に係る弾性波センサの構成の概略を示す図であり、図6(A)は側面の断面図の概略を示し、図6(B)は上面図の概略を示す。ただし、図6(A)では、櫛形電極12a,12b,14a,14bの図示を省略している。
“Embodiment 4”
6A and 6B are diagrams showing an outline of a configuration of an acoustic wave sensor according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 6A shows an outline of a side sectional view, and FIG. 6B shows an outline of a top view. Indicates. However, in FIG. 6A, illustration of the comb-shaped electrodes 12a, 12b, 14a, and 14b is omitted.

測定用弾性波素子12については、入力櫛形電極12a及び出力櫛形電極12bが所定間隔をおいて圧電性基板10の一主面10a上に形成されることで構成される。一方、基準用弾性波素子14については、入力櫛形電極14a及び出力櫛形電極14bが所定間隔をおいて圧電性基板10の一主面10aの裏面10b上に形成されることで構成される。このように、本実施形態においては、測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14に用いられる圧電性基板10が共通化されているが、測定用弾性波素子12及び基準用弾性波素子14が圧電性基板10の互いに反対側の面に形成されている。なお、弾性波は圧電性基板10のほぼ表面を伝搬するため、実施形態3と同様に、測定用弾性波素子12が励振する弾性波と基準用弾性波素子14が励振する弾性波とが互いに干渉することはない。   The measurement acoustic wave element 12 is configured by forming an input comb-shaped electrode 12a and an output comb-shaped electrode 12b on one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 at a predetermined interval. On the other hand, the reference acoustic wave element 14 is configured by forming the input comb-shaped electrode 14a and the output comb-shaped electrode 14b on the back surface 10b of the one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 at a predetermined interval. As described above, in the present embodiment, the piezoelectric substrate 10 used for the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 is shared, but the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element are used. 14 are formed on opposite surfaces of the piezoelectric substrate 10. Since the elastic wave propagates almost on the surface of the piezoelectric substrate 10, the elastic wave excited by the measurement elastic wave element 12 and the elastic wave excited by the reference elastic wave element 14 are mutually similar to the third embodiment. There is no interference.

測定用弾性波素子12には、被測定物に対して吸着性を示し例えばたんぱく質により構成される測定用感応膜16が形成されている。そして、基準用弾性波素子14にも、測定用感応膜16と同じ種類の基準用感応膜18が形成されている。また、測定用弾性波素子12及び測定用感応膜16は、基準用弾性波素子14及び基準用感応膜18の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されている。   The measurement acoustic wave element 12 is formed with a measurement sensitive film 16 that is adsorbable to an object to be measured and is made of, for example, a protein. Further, the reference sensitive film 18 of the same type as the measurement sensitive film 16 is also formed on the reference acoustic wave element 14. In addition, the measurement acoustic wave element 12 and the measurement sensitive film 16 are formed at a position substantially on the back side of the formation position of the reference acoustic wave element 14 and the reference sensitive film 18.

本実施形態においては、測定用弾性波素子12の櫛形電極12a,12bと接続された電極パッドにバンプ電極26が接合されている。そして、圧電性基板10は、測定用弾性波素子12及び測定用感応膜16が形成された一主面10aがパッケージPKGの実装面8と対向するように、パッケージPKGにフリップチップ実装されている。ここで、圧電性基板10側とパッケージPKG側との電気的接合はバンプ電極26を介して行われており、測定用感応膜16とパッケージPKGの実装面8との間に隙間が形成されるように、バンプ電極26の高さが設定されている。これによって、測定用感応膜16は被測定物に対して露出するため、測定用感応膜16は被測定物を吸着することができ、測定用弾性波素子12は被測定物に対して吸着性を示す。   In the present embodiment, the bump electrode 26 is bonded to the electrode pad connected to the comb-shaped electrodes 12 a and 12 b of the measurement acoustic wave element 12. The piezoelectric substrate 10 is flip-chip mounted on the package PKG so that one main surface 10a on which the measurement acoustic wave element 12 and the measurement sensitive film 16 are formed faces the mounting surface 8 of the package PKG. . Here, electrical bonding between the piezoelectric substrate 10 side and the package PKG side is performed via the bump electrode 26, and a gap is formed between the measurement sensitive film 16 and the mounting surface 8 of the package PKG. As described above, the height of the bump electrode 26 is set. As a result, since the measurement sensitive film 16 is exposed to the object to be measured, the measurement sensitive film 16 can adsorb the object to be measured, and the measurement acoustic wave element 12 has an adsorptivity to the object to be measured. Indicates.

さらに、本実施形態においては、圧電性基板10の一主面10aの裏面10b上には、基準用感応膜18を覆い密閉する蓋32が接合されている。この蓋32が設けられることによって、基準用感応膜18を被測定物に対して封止することができる。したがって、基準用感応膜18が被測定物を吸着しないようにすることができ、基準用弾性波素子14が被測定物に対して吸着性を示さないようにすることができる。なお、図6(B)では、蓋32の図示を大部分で省略して基準用弾性波素子14が現れる状態で図示しているが、実際は、基準用弾性波素子14は蓋32によって密閉されている。また、蓋32の材料としては、例えば樹脂が用いられる。   Furthermore, in the present embodiment, a lid 32 that covers and seals the reference sensitive film 18 is joined to the back surface 10b of the one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10. By providing the lid 32, the reference sensitive film 18 can be sealed from the object to be measured. Therefore, it is possible to prevent the reference sensitive film 18 from adsorbing the object to be measured, and it is possible to prevent the reference acoustic wave element 14 from exhibiting adsorbability to the object to be measured. In FIG. 6B, illustration of the lid 32 is omitted for the most part and the reference acoustic wave element 14 appears, but in actuality, the reference acoustic wave element 14 is sealed by the lid 32. ing. Moreover, as a material of the lid | cover 32, resin is used, for example.

なお、他の構成については、実施形態1と同様であるため説明を省略する。   Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施形態においても、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで、形成されている感応膜16,18の種類が同じであるため、感応膜の有無や感応膜の種類の違いによって、温度等の外部環境の変化に対する発振特性の変化が異なってくるのを抑止することができる。したがって、被測定物の測定精度を向上させることができる。そして、本実施形態においては、測定用弾性波素子12及び測定用感応膜16が基準用弾性波素子14及び基準用感応膜18の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されていることで、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14との距離を近づけることができる。したがって、測定用弾性波素子12と基準用弾性波素子14とで発振特性の差をより少なくすることができるので、被測定物の測定精度をより向上させることができる。さらに、圧電性基板10の小型化を実現することができ、弾性波センサの小型化を実現することができる。   Also in this embodiment, since the types of the sensitive films 16 and 18 formed in the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 are the same, the presence or absence of the sensitive film and the difference in the type of the sensitive film are different. Therefore, it is possible to prevent the change in the oscillation characteristics from changing due to a change in the external environment such as temperature. Therefore, the measurement accuracy of the object to be measured can be improved. In the present embodiment, the measurement acoustic wave element 12 and the measurement sensitive film 16 are formed at positions substantially opposite to the positions where the reference acoustic wave element 14 and the reference sensitive film 18 are formed. The distance between the acoustic wave element for use 12 and the reference acoustic wave element can be reduced. Therefore, since the difference in oscillation characteristics between the measurement acoustic wave element 12 and the reference acoustic wave element 14 can be further reduced, the measurement accuracy of the object to be measured can be further improved. Furthermore, the piezoelectric substrate 10 can be reduced in size, and the elastic wave sensor can be reduced in size.

なお、本実施形態においては、図7に示すように、パッケージPKGにおける測定用感応膜16とほぼ対向する部分に開口部36が設けられていてもよい。そして、モールド材34は、測定用感応膜16の全周囲を囲むとともに、圧電性基板10及びパッケージPKGと全周に渡って密着した状態で接合されている。ここで、図7(A)は側面の断面図の概略を示し、図7(B)は下面図の概略を示す。ただし、図7(A)では、櫛形電極12a,12b,14a,14bの図示を省略しており、図7(B)では、パッケージPKGの図示を一部省略している。なお、モールド材34の材料としては、例えば樹脂が用いられる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 7, an opening 36 may be provided in a portion of the package PKG substantially facing the measurement sensitive film 16. The molding material 34 surrounds the entire circumference of the measurement sensitive film 16 and is bonded to the piezoelectric substrate 10 and the package PKG in close contact with each other. Here, FIG. 7A shows an outline of a side sectional view, and FIG. 7B shows an outline of a bottom view. However, in FIG. 7A, illustration of the comb-shaped electrodes 12a, 12b, 14a, and 14b is omitted, and in FIG. 7B, illustration of the package PKG is partially omitted. As a material of the molding material 34, for example, a resin is used.

図7に示す構成においては、パッケージPKGにおける測定用感応膜16とほぼ対向する部分に開口部36を設けることにより、被測定物を測定用感応膜16に確実に吸着させることができる。   In the configuration shown in FIG. 7, the object to be measured can be surely adsorbed to the measurement sensitive film 16 by providing the opening 36 in a portion of the package PKG substantially facing the measurement sensitive film 16.

各実施形態においては、感応膜16,18が弾性波素子12,14の入力櫛形電極上、出力櫛形電極上、及び弾性波伝搬路上に形成されている場合を説明した。ただし、各実施形態においては、感応膜16,18が弾性波素子12,14の入力櫛形電極上、出力櫛形電極上、及び弾性波伝搬路上の少なくとも1つに形成されていてもよい。   In each embodiment, the case where the sensitive films | membranes 16 and 18 were formed on the input comb electrode of the elastic wave elements 12 and 14, an output comb electrode, and the elastic wave propagation path was demonstrated. However, in each embodiment, the sensitive films 16 and 18 may be formed on at least one of the input comb electrodes of the acoustic wave elements 12 and 14, the output comb electrodes, and the acoustic wave propagation path.

以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。   As mentioned above, although the form for implementing this invention was demonstrated, this invention is not limited to such embodiment at all, and it can implement with a various form in the range which does not deviate from the summary of this invention. Of course.

本発明の実施形態1に係る弾性波センサの構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a structure of the elastic wave sensor which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態に係る弾性波センサを用いて被測定物の測定を行う場合の回路構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the circuit structure in the case of measuring a to-be-measured object using the elastic wave sensor which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態2に係る弾性波センサの構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a structure of the elastic wave sensor which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2に係る弾性波センサの他の構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the other structure of the elastic wave sensor which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態3に係る弾性波センサの構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a structure of the elastic wave sensor which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態4に係る弾性波センサの構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a structure of the elastic wave sensor which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態4に係る弾性波センサの他の構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the other structure of the elastic wave sensor which concerns on Embodiment 4 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 圧電性基板、12 測定用弾性波素子、14 基準用弾性波素子、16 測定用感応膜、18 基準用感応膜、20,22 発振ループ、24 周波数比較回路、26 バンプ電極、32 蓋、34 モールド用樹脂、36 開口部、AMP1,AMP2 増幅器、PKG パッケージ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Piezoelectric substrate, 12 Measurement acoustic wave element, 14 Reference acoustic wave element, 16 Measurement sensitive film, 18 Reference sensitive film, 20, 22 Oscillation loop, 24 Frequency comparison circuit, 26 Bump electrode, 32 Lid, 34 Resin for molding, 36 openings, AMP1, AMP2 amplifier, PKG package.

Claims (10)

被測定物に対して吸着性を示す測定用感応膜が形成された測定用弾性波素子と、該被測定物に対して吸着性を示さない基準用弾性波素子と、を有する弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記基準用弾性波素子に用いられる圧電性基板は共通化されており、
前記基準用弾性波素子には、前記測定用感応膜と同じ種類である基準用感応膜が形成されており、
前記圧電性基板に接合され、前記基準用感応膜を前記被測定物に対して封止する封止手段が設けられていることを特徴とする弾性波センサ。
An elastic wave sensor having a measurement acoustic wave element on which a measurement sensitive film showing adsorptivity to an object to be measured is formed, and a reference acoustic wave element not showing adsorbability to the object to be measured There,
Piezoelectric substrates used for the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element are shared,
In the reference acoustic wave element, a reference sensitive film that is the same type as the measurement sensitive film is formed,
An elastic wave sensor comprising: a sealing unit that is bonded to the piezoelectric substrate and seals the reference sensitive film from the object to be measured.
請求項1に記載の弾性波センサであって、
前記圧電性基板は、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜が形成された一主面がパッケージの実装面と対向するように、該パッケージにフリップチップ実装されており、
前記封止手段は、前記基準用感応膜の全周囲を囲むとともに前記圧電性基板及び前記パッケージと全周に渡って密着していることで、該基準用感応膜を前記被測定物に対して封止することを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 1,
The piezoelectric substrate is flip-chip mounted on the package such that one main surface on which the reference acoustic wave element and the reference sensitive film are formed faces the package mounting surface.
The sealing means surrounds the entire circumference of the reference sensitive film and is in close contact with the piezoelectric substrate and the package over the entire circumference, so that the reference sensitive film is attached to the object to be measured. An elastic wave sensor characterized by sealing.
請求項2に記載の弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板の一主面に形成されていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 2,
The acoustic wave sensor, wherein the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed on one main surface of the piezoelectric substrate.
請求項3に記載の弾性波センサであって、
前記パッケージにおける前記測定用感応膜とほぼ対向する部分には、開口部が設けられていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 3,
The elastic wave sensor according to claim 1, wherein an opening is provided in a portion of the package facing the measurement sensitive film.
請求項2に記載の弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板の一主面の裏面に形成されていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 2,
The acoustic wave sensor, wherein the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed on a back surface of one main surface of the piezoelectric substrate.
請求項5に記載の弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 5,
The elastic wave sensor according to claim 1, wherein the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed at a position substantially opposite to a position where the reference acoustic wave element and the reference sensitive film are formed.
請求項1に記載の弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板の一主面に形成され、
前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜は、前記圧電性基板の一主面の裏面に形成され、
前記圧電性基板は、前記一主面がパッケージの実装面と対向するように、該パッケージにフリップチップ実装されていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 1,
The measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed on one main surface of the piezoelectric substrate,
The reference acoustic wave element and the reference sensitive film are formed on the back surface of one main surface of the piezoelectric substrate,
The acoustic wave sensor according to claim 1, wherein the piezoelectric substrate is flip-chip mounted on the package such that the one main surface faces the mounting surface of the package.
請求項7に記載の弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記基準用弾性波素子及び前記基準用感応膜の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 7,
The elastic wave sensor according to claim 1, wherein the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed at a position substantially opposite to a position where the reference acoustic wave element and the reference sensitive film are formed.
請求項7または8に記載の弾性波センサであって、
前記パッケージにおける前記測定用感応膜とほぼ対向する部分には、開口部が設けられていることを特徴とする弾性波センサ。
The elastic wave sensor according to claim 7 or 8,
The elastic wave sensor according to claim 1, wherein an opening is provided in a portion of the package facing the measurement sensitive film.
被測定物に対して吸着性を示す測定用感応膜が形成された測定用弾性波素子と、該被測定物に対して吸着性を示さない基準用弾性波素子と、を有する弾性波センサであって、
前記測定用弾性波素子及び前記基準用弾性波素子に用いられる圧電性基板は共通化されており、
前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜は、前記圧電性基板における前記基準用弾性波素子が形成された面の裏面に形成され、かつ該基準用弾性波素子の形成位置とほぼ裏側の位置に形成されており、
前記圧電性基板は、前記測定用弾性波素子及び前記測定用感応膜が形成された面、または前記基準用弾性波素子が形成された面がパッケージの実装面と対向するように、該パッケージにフリップチップ実装されていることを特徴とする弾性波センサ。
An elastic wave sensor having a measurement acoustic wave element on which a measurement sensitive film showing adsorptivity to an object to be measured is formed, and a reference acoustic wave element not showing adsorbability to the object to be measured There,
Piezoelectric substrates used for the measurement acoustic wave element and the reference acoustic wave element are shared,
The measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed on a back surface of the surface of the piezoelectric substrate on which the reference acoustic wave element is formed, and substantially on the back side of the formation position of the reference acoustic wave element. Formed in position,
The piezoelectric substrate is mounted on the package such that the surface on which the measurement acoustic wave element and the measurement sensitive film are formed, or the surface on which the reference acoustic wave element is formed faces the mounting surface of the package. An elastic wave sensor, which is flip-chip mounted.
JP2005080617A 2005-03-18 2005-03-18 Elastic wave sensor Pending JP2006258766A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005080617A JP2006258766A (en) 2005-03-18 2005-03-18 Elastic wave sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005080617A JP2006258766A (en) 2005-03-18 2005-03-18 Elastic wave sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006258766A true JP2006258766A (en) 2006-09-28

Family

ID=37098176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005080617A Pending JP2006258766A (en) 2005-03-18 2005-03-18 Elastic wave sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006258766A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114880A (en) * 2008-11-04 2010-05-20 Samsung Electronics Co Ltd Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and methods for manufacturing the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263854A (en) * 1985-09-13 1987-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ultrasonic inspecting device
JPH0455737A (en) * 1990-06-26 1992-02-24 Sony Corp Chemical-material detecting apparatus
JPH04307351A (en) * 1991-04-04 1992-10-29 Hitachi Ltd Method for detecting trace of gaseous component in atmosphere and applied machinery
JPH08160068A (en) * 1994-11-30 1996-06-21 Tokimec Inc Accelerometer and its production
JPH08181563A (en) * 1994-12-22 1996-07-12 Meidensha Corp Surface acoustic wave element
JPH09178713A (en) * 1995-12-27 1997-07-11 Koji Toda Ultrasonic concentration sensor
JP2000040939A (en) * 1998-07-24 2000-02-08 Mitsubishi Electric Corp Surface acoustic wave device
WO2003098206A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-27 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Sensor based on surface wave components with capacitive coupling of the high frequency connections

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263854A (en) * 1985-09-13 1987-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ultrasonic inspecting device
JPH0455737A (en) * 1990-06-26 1992-02-24 Sony Corp Chemical-material detecting apparatus
JPH04307351A (en) * 1991-04-04 1992-10-29 Hitachi Ltd Method for detecting trace of gaseous component in atmosphere and applied machinery
JPH08160068A (en) * 1994-11-30 1996-06-21 Tokimec Inc Accelerometer and its production
JPH08181563A (en) * 1994-12-22 1996-07-12 Meidensha Corp Surface acoustic wave element
JPH09178713A (en) * 1995-12-27 1997-07-11 Koji Toda Ultrasonic concentration sensor
JP2000040939A (en) * 1998-07-24 2000-02-08 Mitsubishi Electric Corp Surface acoustic wave device
WO2003098206A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-27 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Sensor based on surface wave components with capacitive coupling of the high frequency connections

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114880A (en) * 2008-11-04 2010-05-20 Samsung Electronics Co Ltd Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and methods for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7667369B2 (en) High sensitivity microsensors based on flexure induced frequency effects
JP4256367B2 (en) Vibration wave detector
US8381595B2 (en) Pressure detecting device
JP5375624B2 (en) Acceleration sensor and acceleration detection device
JP5305028B2 (en) pressure sensor
JPWO2007145108A1 (en) Submerged substance detection sensor
JP2012242343A (en) Acceleration sensor and acceleration detector
US20120325000A1 (en) Bending vibration piece and electronic device
JP2007225546A (en) Elastic surface wave sensor
US7816837B2 (en) Surface acoustic wave sensor
JP2006258766A (en) Elastic wave sensor
US20060250049A1 (en) Surface acoustic wave device package
JP4654464B2 (en) Piezoelectric sensor and manufacturing method thereof
JP4714885B2 (en) Elastic wave sensor
JPH0590885A (en) Mounting method for surface acoustic wave device
JP2008076075A (en) Absolute pressure sensor
US20220113236A1 (en) Analysis device
TWI819803B (en) Piezoelectric vibration element
JP5208466B2 (en) Tuning fork type vibration gyro
JP7310145B2 (en) sensor device
JP2022156729A (en) Smell detection device and smell detection method
JP2013217719A (en) Pressure sensor and electronic apparatus
JP2010014572A (en) Pressure sensor
JPH0755680A (en) Lamb wave device
JP2013011550A (en) Physical quantity sensor, and physical quantity detecting device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071129

A621 Written request for application examination

Effective date: 20080228

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101029

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20101102

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20110308

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02