JP2006258539A - Surface analyzer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は電子線やX線等の1次ビームを試料に照射して試料表面を分析するオージェマイクロプローブ、光電子分光装置等の試料表面分析装置に関するものである。 The present invention relates to a sample surface analyzer such as an Auger microprobe or a photoelectron spectrometer that irradiates a sample with a primary beam such as an electron beam or an X-ray to analyze the sample surface.
試料の組成や化学状態等を分析する装置としてオージェマイクロプローブがある。このようなオージェマイクロプローブは、試料表面に細く絞った電子を照射し、照射により試料極薄層から発生したオージェ電子をインプットレンズにより集束して静電半球型アナライザに導き、ここでエネルギ分光する。そして、分光されたオージェ電子を検出器で検出し、検出されたオージェ電子のエネルギースペクトルを得、スペクトルを解析して試料の微小領域(ナノオーダレベル)の組成や化学状態等を分析している。すなわち、エネルギースペクトルに現れるピークの位置から所定元素の量を演算することにより、試料表面の所定元素の量が分かり、電子線の照射位置を順次ずらして測定を行い各位置での元素量を色に対応させてマッピング表示することによりオージェ像を得ることができる。 There is an Auger microprobe as an apparatus for analyzing the composition and chemical state of a sample. Such Auger microprobes irradiate finely focused electrons on the sample surface, and focus the Auger electrons generated from the sample ultrathin layer by the input lens to the electrostatic hemispherical analyzer for energy spectroscopy. . Then, the dispersed Auger electrons are detected by a detector, an energy spectrum of the detected Auger electrons is obtained, and the spectrum is analyzed to analyze the composition, chemical state, and the like of a minute region (nano-order level) of the sample. In other words, by calculating the amount of the predetermined element from the position of the peak appearing in the energy spectrum, the amount of the predetermined element on the sample surface can be determined, and measurement is performed by sequentially shifting the irradiation position of the electron beam, and the amount of element at each position An Auger image can be obtained by displaying the mapping corresponding to the above.
また、試料の組成や化学状態等を分析する装置として光電子分光装置がある。この様な光電子分光装置は、X線源からのX線を試料に照射し、照射により試料から発生した光電子をインプットレンズにより集束して静電半球型アナライザに導き、ここでエネルギー分光する。そして、分光された光電子を検出器で検出し、検出された光電子のエネルギースペクトルを得、スペクトルを解析して試料の組成や化学状態等を分析している。 There is a photoelectron spectrometer as an apparatus for analyzing the composition and chemical state of a sample. Such a photoelectron spectrometer irradiates a sample with X-rays from an X-ray source, and the photoelectrons generated from the sample by irradiation are focused by an input lens and led to an electrostatic hemispherical analyzer where energy spectroscopy is performed. Then, the dispersed photoelectrons are detected by a detector, the energy spectrum of the detected photoelectrons is obtained, and the spectrum is analyzed to analyze the composition and chemical state of the sample.
スペクトルを得るために、静電半球型アナライザに時間に対して直線的に増加する電圧である掃引電圧を印加する。図2は掃引電圧を印加する掃引電圧増幅器の回路図である。入力端子にはViの電圧が印加されている。一方の入力に抵抗Riが接続されている演算増幅器には、掃引電圧増幅器の出力電圧である高圧掃引信号Voのノイズを減少するため、帰還抵抗20Rfと並列にコンデンサ21Cfが接続されている。ここで、時間に対して直線的に増加する掃引電源の入力電圧である掃引信号Vi(t)=αt(αは上昇率)とすると、高圧掃引信号Voは次式となる。ただし、Tf=Rf・Cf(一定)とする。
Vo(t)=−α・(Rf/Ri)・(t−Tf・(1−exp(−t/Tf)))・・・(1)
式(1)を図で示すと、図3のようになる。exp(−t/Tf)≪1となる範囲では(初期段階を除く)、次式のようになる。
Vo(t)=−α・(Rf/Ri)・t+α・(Rf/Ri)・Tf・・・(2)
α・(Rf/Ri)・Tfはエネルギーシフト量である。
In order to obtain a spectrum, a sweep voltage, which is a voltage that increases linearly with time, is applied to the electrostatic hemispherical analyzer. FIG. 2 is a circuit diagram of a sweep voltage amplifier that applies a sweep voltage. A voltage V i is applied to the input terminal. The operational amplifier to one input resistor R i is connected, to reduce the high pressure sweep signal V o of the noise is the output voltage of the sweep voltage amplifier, the capacitor 21C f are connected in parallel with the feedback resistor 20R f ing. Here, when the sweep signal V i (t) = αt (α is an increase rate), which is an input voltage of the sweep power supply that linearly increases with time, the high-voltage sweep signal V o is expressed by the following equation. However, T f = R f · C f (constant).
V o (t) = − α · (R f / R i ) · (t−T f · (1−exp (−t / T f ))) (1)
Expression (1) is shown in FIG. In a range where exp (−t / T f ) << 1 (excluding the initial stage), the following equation is obtained.
V o (t) = − α · (R f / R i ) · t + α · (R f / R i ) · T f (2)
α · (R f / R i ) · T f is an energy shift amount.
このように掃引をした時に観測されるスペクトルにはエネルギーシフトが発生しており、エネルギーシフトが発生するため速い掃引はできなかった。 An energy shift occurs in the spectrum observed when the sweep is performed as described above, and a fast sweep cannot be performed because the energy shift occurs.
なお、従来技術としては、試料に印加されたバイアス電圧に応じて電圧補正回路により出力電圧値を調整する光電子分光装置がある(例えば、特許文献1)。 As a conventional technique, there is a photoelectron spectrometer that adjusts an output voltage value by a voltage correction circuit according to a bias voltage applied to a sample (for example, Patent Document 1).
本発明が解決しようとする問題点は、観測されるスペクトルにエネルギーシフトが発生しているため速い掃引はできなかったという点である。 The problem to be solved by the present invention is that a fast sweep could not be performed because of an energy shift in the observed spectrum.
請求項1の発明は、1次ビーム源と、前記1次ビーム源より照射された1次ビームにより試料から発生した2次ビームを分光するための静電型エネルギーアナライザと、掃引信号を発生する掃引信号発生手段と、前記掃引信号に基づいて前記静電型エネルギーアナライザに掃引電圧を印加する掃引電圧発生手段と、を備えた表面分析装置において、前記掃引電圧のエネルギーシフト成分を打ち消すように、前記掃引信号に補正信号を加算することを特徴とする表面分析装置である。
The invention of
請求項2の発明は、前記掃引信号発生手段が、時間に対して略直線的に増加する前記掃引信号を発生する第1信号発生器と、掃引速度に応じた直流電流である前記補正信号を発生する第2信号発生器と、第1信号発生器と第2信号発生器の両出力を加算する信号加算器と、を備えることを特徴とする請求項1に記載された表面分析装置である。
According to a second aspect of the present invention, the sweep signal generating means includes a first signal generator that generates the sweep signal that increases substantially linearly with respect to time, and the correction signal that is a direct current corresponding to a sweep speed. The surface analyzer according to
請求項3の発明は、前記第2信号発生器はDA変換器から構成されることを特徴とする請求項2に記載された表面分析装置である。 According to a third aspect of the present invention, in the surface analysis apparatus according to the second aspect, the second signal generator includes a DA converter.
請求項4の発明は、前記第2信号発生器は、前記第1信号発生器の出力を反転する反転増幅器と、前記反転増幅からの信号に基づいて掃引速度に対応した直流信号を発生する微分器とから構成されることを特徴とする請求項2に記載された表面分析装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, the second signal generator includes an inverting amplifier for inverting the output of the first signal generator, and a differential for generating a DC signal corresponding to a sweep speed based on the signal from the inverting amplification. The surface analysis apparatus according to
請求項5の発明は、前記エネルギーアナライザが、前記2次ビームを減速するための減速電極と、減速された前記2次ビームを分光するための分光電極と、とから構成された請求項1乃至4のいずれかに記載された表面分析装置であって、前記分光電極に分光のための電場を発生させる電圧を印加する分光電源を備え、前記掃引電圧を前記減速電極及び前記分光電源に印加することを特徴とする表面分析装置である。 According to a fifth aspect of the present invention, the energy analyzer includes a decelerating electrode for decelerating the secondary beam and a spectroscopic electrode for dispersing the decelerated secondary beam. 4. The surface analysis apparatus according to claim 4, further comprising: a spectroscopic power source that applies a voltage that generates an electric field for spectroscopy to the spectroscopic electrode, and applies the sweep voltage to the deceleration electrode and the spectroscopic power source. This is a surface analysis apparatus characterized by the above.
請求項6の発明は、前記1次ビームが電子線であり、前記2次ビームがオージェ電子であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載された表面分析装置である。
The invention according to
請求項7の発明は、前記1次ビームがX線であり、前記2次ビームが光電子であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかにに記載された表面分析装置である。
The invention according to claim 7 is the surface analysis apparatus according to any one of
本発明により掃引信号に補正信号を加算して掃引すると、減速掃引電圧信号にはエネルギーシフト起因成分が入らず、結果的にエネルギーシフトのないスペクトルが得られ、速い掃引が可能となる。 When the correction signal is added to the sweep signal according to the present invention and the sweep is performed, the decelerated sweep voltage signal does not include an energy shift component, and as a result, a spectrum without an energy shift is obtained and a fast sweep is possible.
以下、発明を実施するための最良の形態により、本発明を詳細に説明する。図1は本発明による光電子分光装置の概略図である。試料1の斜め上方には図示しないX線源が設置されており、試料1の上方には試料1から発生した光電子を阻止電極3の入射スリット10近傍に集束する為のインプットレンズ系2が設けられている。10、11は各インプットレンズの増幅器である。阻止電極3には、掃引電圧増幅器8よりの電圧により、減速電場を作り、光電子を分光エネルギーに減速する。掃引信号発生器9は掃引信号を掃引電圧増幅器8、レンズ増幅器11、12に供給する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail according to the best mode for carrying out the invention. FIG. 1 is a schematic view of a photoelectron spectrometer according to the present invention. An X-ray source (not shown) is installed obliquely above the
半球型エネルギーアナライザ5の球面電極4にはアナライザ電源6からのアナライザパスエネルギーに掃引電圧増幅器8からの出力電圧RVが重畳したものが印加される。半球型エネルギーアナライザ5は、分光エネルギーに相当する電場を作り、入射スリット10を介して導かれてきた光電子をエネルギーに関して分光する。6は半球型エネルギーアナライザ5の各電極間に電位差(+A、−A)を与えるためのアナライザ電源である。半球型エネルギーアナライザ5の出口近傍には検出器7が複数個、半球型エネルギーアナライザ5のエネルギー分光方向に沿って配置されている(図では便宜上1個の検出器のみ示されている)。
The spherical electrode 4 of the
例えば、半球型エネルギーアナライザ5によりEi のエネルギーの光電子が分光された場合には、真ん中に位置された検出器7がエネルギーEi の光電子を、真ん中の検出器7から左右に離れるに従い夫々エネルギーEi−1 とEi+1 に近いエネルギーの光電子を検出する。各検出器7で検出された光電子に基づく信号は図示しない夫々アンプを介して図示しない制御装置に送られる。制御装置の指令に従って検出された光電子のエネルギースペクトルは図示しない表示装置によって表示される。
For example, when the photoelectrons having the energy Ei are separated by the
すなわち、この様な構成の装置において、X線源(図示せず)からのX線を試料1に照射し、該照射により試料1から発生した光電子をインプットレンズ系2により集束して静電半球型エネルギーアナライザ5に導き、ここでエネルギー分光する。
この例の場合、阻止電極3の入射スリット10に入って来た光電子を一定のアナライザパスエネルギーで分光するために、球面電極4の各電極間の電位差(+A,−A)を一定に保ちながら、球面電極4の各電極に印加される電圧が掃引される様にしている。その為に、アナライザ電圧に掃引電圧増幅器8からの掃引電圧を重畳するように成している。
そして、エネルギー分光された光電子を検出器7で検出し、該検出された光電子に基づく信号に基づいたエネルギースペクトルを表示装置(図示せず)に表示させるようにしている。
もちろん、阻止電圧の電圧を変えず、減速比一定で球面電極4のみを掃引してもよい。
That is, in the apparatus having such a configuration, the
In the case of this example, in order to separate the photoelectrons entering the
Then, the photoelectrons subjected to energy spectroscopy are detected by the detector 7, and an energy spectrum based on a signal based on the detected photoelectrons is displayed on a display device (not shown).
Of course, it is also possible to sweep only the spherical electrode 4 with a constant reduction ratio without changing the blocking voltage.
図2は掃引電圧を印加する掃引電圧増幅器8の回路図である。入力端子にはViの電圧が印加されている。一方の入力に抵抗Riが接続されている演算増幅器には、掃引電圧増幅器の出力電圧である高圧掃引信号Voのノイズを減少するため、帰還抵抗20Rfと並列にコンデンサ21Cfが接続されている。
FIG. 2 is a circuit diagram of the
ここで、時間に対して直線的に増加する掃引電圧増幅器の入力電圧である掃引信号Vi(t)=αt(αは上昇率)とすると、高圧掃引信号Voは次式となる。ただし、Tf=Rf・Cfとする。
Vo(t)=−α・(Rf/Ri)・(t−Tf・(1−exp(−t/Tf)))・・・(1)
式(1)を図で示すと、図3のようになる。exp(−t/Tf)≪1となる範囲では(初期段階を除く)、次式のようになる。
Vo(t)=−α・(Rf/Ri)・t+α・(Rf/Ri)・Tf・・・(2)
α・(Rf/Ri)・Tfはエネルギーシフト量である。
αは変数で、Rf、Ri、Tfの値は既知の一定値であるので、エネルギーシフト量α・(Rf/Ri)・Tfもαに応じた値となる。よって、エネルギーシフト量α・(Rf/Ri)・Tfをゼロとするように、入力電圧に補正電圧を加える。
Here, when the sweep signal V i (t) = αt (α is an increase rate) that is the input voltage of the sweep voltage amplifier that linearly increases with time, the high-voltage sweep signal V o is expressed by the following equation. However, Tf = Rf * Cf.
V o (t) = − α · (R f / R i ) · (t−T f · (1−exp (−t / T f ))) (1)
Expression (1) is shown in FIG. In a range where exp (−t / T f ) << 1 (excluding the initial stage), the following equation is obtained.
V o (t) = − α · (R f / R i ) · t + α · (R f / R i ) · T f (2)
α · (R f / R i ) · T f is an energy shift amount.
α is a variable, and the values of R f , R i , and T f are known constant values. Therefore, the energy shift amount α · (R f / R i ) · T f is also a value corresponding to α. Therefore, a correction voltage is added to the input voltage so that the energy shift amount α · (R f / R i ) · T f is zero.
ここで、補正電圧としてα・Tfを設定する。補正電圧を加えた入力電圧Vic(t)は次式のようになる。
Vic(t)=α・t+α・Tf・・・(3)
α・Tf成分による出力電圧をVoco(t)とすると、Voco(t)は次式のようになる。
Voco(t)=−α・Tf・(Rf/Ri)・(1−exp(−t/Tf))
入力電圧Vic(t)のうち、α・t成分による出力電圧Vo(t)は式(1)と同じで次式のようになる。
Vo(t)=−α・(Rf/Ri)・(t−Tf・(1−exp(−t/Tf)))
よって、補正電圧を加えた場合の出力電圧Voc(t)は次式のようになる。
Voc(t)=Voco(t)+Vo(t)=−α・(Rf/Ri)・t・・・(5)
図4にこれらの波形を示す。
Here, α · T f is set as the correction voltage. The input voltage V ic (t) to which the correction voltage is added is expressed by the following equation.
V ic (t) = α · t + α · T f (3)
Assuming that the output voltage based on the α · T f component is V oco (t), V oco (t) is expressed by the following equation.
V oco (t) = − α · T f · (R f / R i ) · (1-exp (−t / T f ))
Of the input voltage V ic (t), the output voltage V o (t) due to the α · t component is the same as the equation (1) and is given by the following equation.
V o (t) = − α · (R f / R i ) · (t−T f · (1−exp (−t / T f )))
Therefore, the output voltage V oc (t) when the correction voltage is applied is expressed by the following equation.
V oc (t) = V oco (t) + V o (t) = − α · (R f / R i ) · t (5)
FIG. 4 shows these waveforms.
式(5)及び図4に示されたVoc(t)の波形から分かるように、Voc(t)はエネルギーシフト量に対応するα・(Rf/Ri)・Tfのない信号になるので、こような信号を減速掃引電圧信号とすれば、エネルギーシフトのないスペクトルが得られ、αを大きくした速い掃引が可能となる。 As can be seen from the waveform of V oc (t) shown in Expression (5) and FIG. 4, V oc (t) is a signal without α · (R f / R i ) · T f corresponding to the energy shift amount. Therefore, if such a signal is used as a decelerated sweep voltage signal, a spectrum without an energy shift can be obtained, and a fast sweep with a larger α can be achieved.
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、1次線のX線源の替わりに電子線源を用い、2次線の光電子の替わりにオージェ電子とし、オージェマイクロプローブとしてもよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, an electron beam source may be used instead of the primary X-ray source, Auger electrons may be used instead of the secondary line photoelectrons, and an Auger microprobe may be used.
図5は図1における掃引電圧増幅器8及び掃引信号発生器9の詳細図である。図5の構成及び動作について説明すると、掃引信号発生手段である信号発生器31から時間tに対して任意に決めた上昇率αからα・tの直線的に上昇する電圧を発生する。補正信号発生手段である直流電圧発生器32はα・Tfの直流電圧を発生する。直流電圧発生器32に接続されたスイッチ33は走査信号開始(t=0に相当)と同期してONする。信号発生器31とスイッチ33が接続された加算器34より掃引電圧増幅器8にα・t+α・Tfを入力するので、式(5)より出力は−α・(Rf/Ri)・tとなる。このように、加算された信号(α・t+α・Tf)が、掃引電圧増幅器8に入力されると、前記原理の説明の様に、エネルギーシフトの無いスペクトルが得られることになる。
FIG. 5 is a detailed view of the
図6は図1における掃引電圧増幅器8及び掃引信号発生器9の詳細図である。図6において、実施例1と同一の構成要素には同一番号を付し、説明を省略する。実施例2は実施例1と同様であるが、直流電圧発生器32の部分をDAコンバータ36に置き換えたものである。様々なα(掃引スピード)に対応してDAコンバータ36の入力コードを設定し、補正信号であるα・Tfの出力を得る。
FIG. 6 is a detailed view of the
図7は図1における掃引電圧増幅器8及び掃引信号発生器9の詳細図である。図7において、実施例1と同一の構成要素には同一番号を付し、説明を省略する。実施例3も実施例1と同様であるが、直流電圧発生器32の部分を反転増幅器37及び微分器38に置き換えたものである。反転増幅器37は入力α・tに対して出力は−α・t(増幅度は1に設定しておく)となる。この出力を図8に示す(CfとRfの値は掃引電圧増幅器8と同じ値に設定しておく)微分器38に入力すると、出力はα・Rf・Cf=α・Tfとなる。
FIG. 7 is a detailed view of the
1 試料
2 インプットレンズ系
3 阻止電極
4 球面電極
5 半球型エネルギーアナライザ
6 アナライザ電源
7 検出器
8 掃引電圧増幅器
9 掃引信号発生器
10 入射スリット
11 レンズアンプ
12 レンズアンプ
20 帰還抵抗
21 コンデンサ
22 掃引信号
23 高圧掃引信号
24 演算増幅器
31 信号発生器
32 直流電圧発生器
33 スイッチ
34 加算器
36 DAコンバータ
37 反転増幅器
38 微分器
1
Claims (7)
前記1次ビーム源より照射された1次ビームにより試料から発生した2次ビームを分光するための静電型エネルギーアナライザと、
掃引信号を発生する掃引信号発生手段と、
前記掃引信号に基づいて前記静電型エネルギーアナライザに掃引電圧を印加する掃引電圧発生手段と、
を備えた表面分析装置において、
前記掃引電圧のエネルギーシフト成分を打ち消すように、前記掃引信号に補正信号を加算することを特徴とする表面分析装置。 A primary beam source;
An electrostatic energy analyzer for dispersing a secondary beam generated from the sample by the primary beam irradiated from the primary beam source;
A sweep signal generating means for generating a sweep signal;
Sweep voltage generating means for applying a sweep voltage to the electrostatic energy analyzer based on the sweep signal;
In a surface analysis apparatus equipped with
A surface analysis apparatus, wherein a correction signal is added to the sweep signal so as to cancel an energy shift component of the sweep voltage.
時間に対して略直線的に増加する前記掃引信号を発生する第1信号発生器と、
掃引速度に応じた直流電流である前記補正信号を発生する第2信号発生器と、
第1信号発生器と第2信号発生器の両出力を加算する信号加算器と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載された表面分析装置。 The sweep signal generating means is
A first signal generator for generating the sweep signal increasing substantially linearly with respect to time;
A second signal generator for generating the correction signal which is a direct current corresponding to the sweep speed;
A signal adder for adding both outputs of the first signal generator and the second signal generator;
The surface analysis apparatus according to claim 1, comprising:
前記分光電極に分光のための電場を発生させる電圧を印加する分光電源を備え、
前記掃引電圧を前記減速電極及び前記分光電源に印加することを特徴とする表面分析装置。 5. The energy analyzer according to claim 1, wherein the energy analyzer includes a decelerating electrode for decelerating the secondary beam and a spectroscopic electrode for dispersing the decelerated secondary beam. A surface analyzer,
A spectroscopic power source for applying a voltage for generating an electric field for spectroscopy to the spectroscopic electrode;
A surface analysis apparatus, wherein the sweep voltage is applied to the deceleration electrode and the spectroscopic power source.
6. The surface analysis apparatus according to claim 1, wherein the primary beam is an X-ray and the secondary beam is a photoelectron.
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