JP2006249535A - 相分離を利用した分離相、ナノ構造素子及びナノ構造体の製造方法 - Google Patents
相分離を利用した分離相、ナノ構造素子及びナノ構造体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを行った後、熱処理等により第一成分の非磁性金属としてのCu等と第二成分の強磁性体又は反強磁性体とに分離して第二成分からなる分離相を形成することができる。ナノホール内に形成した前記合金めっきを、相分離により形成した分離相の磁性、電気抵抗、熱伝導等の特性を利用したナノ構造素子が得られ、これを利用してナノ構造体を製造することができる。
【選択図】なし
Description
また、めっき時にナノホール内におけるボイドの発生を避けるには、パルス電流を用いてめっきしてもよい。
ここで、表4のCu−Fe合金のFe組成は、ナノホール内の合金めっきの異なる5点について、FESEMのEDX分析装置を用いて求め、その平均値をFe組成とした。
ここで、表5のCu−Co合金のCo組成はFESEMを用いて、相分離後の組織5視野について、面分析を行った結果を画像処理により、分離相の形状を円柱状と仮定して、体積分率に換算した。
2.樹脂
3.シリコン基板
4.合金めっき
5.マトリクス相
6.分離相
7.銅層
8.コバルト層
9.錯化剤濃度0.01mol/lのめっき液における電流−電位曲線
10.錯化剤濃度0.1mol/lのめっき液における電流−電位曲線
11.錯化剤濃度0.5mol/lのめっき液における電流−電位曲線
Claims (23)
- 複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを、相分離させることにより、マトリクス中への機能性を有する分離相の形成方法。
- 前記合金めっきの相分離は加熱処理により合金から結晶性を有する分離層を相分離させることを特徴とする、請求項1に記載の分離相の形成方法。
- 表層にナノホールを有する基板において、全体又は一部に導電性を有するナノホールへ前記めきを充填することを特徴とする、請求項1から請求項2のいずれかに記載の分離相の形成方法。
- 前記分離相の分布に応じて、磁性、電気抵抗、熱伝導率のいずれか1種類の特性がナノホール内で分布を有することを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれかに記載の分離相の形成方法。
- 前記合金めっきは、第一成分を非磁性金属とし、第二成分に強磁性体又は反強磁性体のいずれかを含むことを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれかに記載の分離相の形成方法。
- 前記合金めっきは、第一成分をCuとし、第二成分として強磁性体又は反強磁性体を構成する元素として、Fe、Co、Ni、Mn、Cr、Pt、Pd、Ir、Rhのいずれか1つを含む合金めっきであることを特徴とする、請求項5に記載の分離相の形成方法。
- 表層にナノホールを有する基板において、全体又は一部に導電性を有するナノホールへ合金めっきを充填した後にナノホール内部の合金から結晶性を有する分離相を相分離させることによりマトリクス中に機能性を有する分離相を形成するナノ構造素子の製造方法。
- 前記合金の充填を合金を構成する複数の金属の電気めっきの析出電位を制御する合金めっきにより行うことを特徴とする、請求項7に記載のナノ構造素子の製造方法。
- 前記合金めっきの相分離は加熱処理により合金から結晶性を有する分離相を相分離させることを特徴とする、請求項7又は請求項8に記載のナノ構造素子の製造方法。
- 前記合金めっきは、第一成分を非磁性金属とし、第二成分に強磁性体又は反強磁性体のいずれかを含むことを特徴とする、請求項7から請求項9のいずれかに記載のナノ構造素子の製造方法。
- 前記合金めっきは、第一成分をCuとし、第二成分として強磁性体又は反強磁性体を構成する元素として、Fe、Co、Ni、Mn、Cr、Pt、Pd、Ir、Rhのいずれか1つを含むことを特徴とする、請求項10に記載のナノ構造素子の製造方法。
- 前記合金めっきは、第一成分をCuとし、第二成分をCoとする合金めっきであることを特徴とする、請求項7から請求項9のいずれかに記載のナノ構造素子の製造方法。
- 請求項12に記載のナノ構造素子の製造方法において、前記合金めっきのめっき液として硫酸コバルト、硫酸銅に錯化剤を加えpHを4以上とした水溶液を用い、硫酸コバルトと硫酸銅濃度及び錯化剤添加量の調整により銅とコバルトの析出電位の電位差を調整することで分離相の組成比率を制御することを特徴とする、ナノ構造素子の製造方法。
- 請求項13に記載のナノ構造素子の製造方法において、錯化剤により析出電位を−900mVから−1500mVに制御することを特徴とする、ナノ構造素子の製造方法。
- 請求項14に記載のナノ構造素子の製造方法において、錯化剤としてヒドロキシ酸、多価カルボン酸、ピロリン酸、アミノ酸、アミン類(第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、アンモニア)あるいはこれらの塩、または多価アルコール、ジケトン、環状エーテル、シアン化物イオン、塩化物イオンの少なくともいずれか1種類を用いることを特徴とする、ナノ構造素子の製造方法。
- 前記合金めっきは、第一成分をCuとし、第二成分をFeとする合金めっきであることを特徴とする、請求項7から請求項9のいずれかに記載のナノホール内に形成した分離相の特性を利用してナノホール構造素子を形成するナノ構造素子の製造方法。
- 請求項16に記載のナノ構造素子の製造方法において、前記合金めっきのめっき液として硫酸鉄、硫酸銅に錯化剤を加えた水溶液を用い、硫酸鉄と硫酸銅濃度及び錯化剤添加量の調整により銅と鉄の析出電位の電位差を調整することで分離相の組成比率を制御することを特徴とする、ナノ構造素子の製造方法。
- 請求項17に記載のナノ構造素子の製造方法において、錯化剤としてヒドロキシ酸、多価カルボン酸、ピロリン酸、アミノ酸、アミン類(第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、アンモニア)あるいはこれらの塩、または多価アルコール、ジケトン、環状エーテル、シアン化物イオン、塩化物イオンの少なくともいずれか1種類を用いることを特徴とする、ナノ構造素子の製造方法。
- 合金を構成する複数の金属の電気めっきの析出電位を制御する合金めっきにより形成する第1のステップと合金を加熱処理して、結晶性を有する分離相として相分離させる第2のステップにより機能性を有する分離相を形成する分離相の形成方法。
- 請求項7から請求項18のいずれかに記載のナノ構造素子の製造方法において、ナノホールの孔径が1nmから1000nmで、ナノホールの長さが数nmから300nmであることを特徴とする、ナノ構造素子の製造方法。
- 表層にナノホールを有する基板上において、ナノホール内の所定部位に電極を形成し、合金を構成する複数の金属の電気めっきの析出電位を制御する合金めっきを行なうことにより合金を充填する第1のステップとナノホール内に電気めっきにより形成した合金を加熱処理して、結晶性を有する分離相として相分離させる第2のステップにより機能性を有する分離相をナノホール内に形成することを特徴とする、ナノ構造体の製造方法。
- 表層にナノホールを有する基板上において、ナノホール内の所定部位に電極を形成し、合金を構成する複数の金属の電気めっきの析出電位を制御する合金めっきを行なうことにより合金を充填する第1のステップとナノホール内に電気めっきにより形成した合金を加熱処理して、結晶性を有する分離相として相分離させる第2のステップにより、機能性を有する分離相をナノホール内の中心近傍に形成し、その周囲にマトリックス層を形成することを特徴とする、ナノ構造体の製造方法。
- 請求項21から請求項22のいずれかに記載のナノ構造体の製造方法において、ナノホールの孔径が1nmから1000nmで、ナノホールの長さが数nmから300nmであることを特徴とする、ナノ構造体の製造方法。
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