JP2006236767A - 電気光学装置、電子機器 - Google Patents
電気光学装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006236767A JP2006236767A JP2005049256A JP2005049256A JP2006236767A JP 2006236767 A JP2006236767 A JP 2006236767A JP 2005049256 A JP2005049256 A JP 2005049256A JP 2005049256 A JP2005049256 A JP 2005049256A JP 2006236767 A JP2006236767 A JP 2006236767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- electro
- optical device
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】 有機EL装置等の電気光学装置の熱耐性を向上させること。
【解決手段】 陽極(28)と陰極(20)との間に発光層(25)を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置(100)であって、上記陰極は、導電性を有し、一方面側が上記発光層と接して設けられる第1の層(21)と、電子輸送機能を有し、上記第1の層に積層して設けられる第2の層(22)と、導電性を有し、上記第2の層に積層して設けられる第3の層(23)と、を含み、上記第1の層を0.05nm以上20nm以下程度の厚さとすることを特徴とする電気光学装置である。
【選択図】 図1
【解決手段】 陽極(28)と陰極(20)との間に発光層(25)を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置(100)であって、上記陰極は、導電性を有し、一方面側が上記発光層と接して設けられる第1の層(21)と、電子輸送機能を有し、上記第1の層に積層して設けられる第2の層(22)と、導電性を有し、上記第2の層に積層して設けられる第3の層(23)と、を含み、上記第1の層を0.05nm以上20nm以下程度の厚さとすることを特徴とする電気光学装置である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子等の発光素子を含んで構成される電気光学装置および当該電気光学装置を備える電子機器に関する。
薄型、軽量、かつ高品質な画像を表示し得る電気光学装置(表示装置)として、有機EL装置が注目されている。かかる有機EL素子は、陽極と陰極との間に発光層を挟んだ構造が基本構成となる。また、有機EL素子の発光効率を向上させるために、発光層と陰極との間に仕事関数の低い金属(例えば、リチウム等)からなるバッファ層を設け、発光層への電子注入性能を高める技術も知られている。更に、特開2004−111280号公報(特許文献1)には、仕事関数の低い金属(例えば、カルシウム等)にマグネシウム等とを含有させて陰極を形成することにより、陰極の電子注入性能と安定性向上とを両立させる技術が開示されている。
しかしながら、従来の陰極構造は、陰極形成後に有機EL装置に対して何らかの熱処理を行った場合に、その後の発光特性が初期特性から低下するという不都合に対して未だ十分に対応できていなかった。また、有機EL装置が比較的に周辺温度の高い状況で用いられる場合(例えば車載用途や屋外用途等)においても、同様の不都合が発生し得る。このため、有機EL装置の耐熱性を向上すべく、陰極構造の更なる改良技術が望まれている。
そこで、本発明は、有機EL装置等の電気光学装置の熱耐性を向上させることを目的とする。
第1の態様の本発明は、陽極と陰極との間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置であって、上記陰極は、導電性を有し、一方面側が上記発光層と接して設けられる第1の層と、電子輸送機能を有し、上記第1の層に積層して設けられる第2の層と、導電性を有し、上記第2の層に積層して設けられる第3の層と、を含み、上記第1の層を0.05nm以上20nm以下程度の厚さとする電気光学装置である。ここで、第1の層の膜厚の下限値である「0.05nm」の値は、第1の層が最低限、原子又は分子の1個分に相当する厚さの膜(単原子膜又は短分子膜)に近いものであればよい、という技術的意義を表すものである。
かかる構成によれば、陰極形成後に有機EL装置等に対して何らかの熱処理を行った場合であっても、発光特性が初期特性から低下することがない。したがって、本発明の陰極構造を採用することにより、有機EL装置の耐熱性を向上させることが可能となる。
好ましくは、上記第1の層を0.5nm程度の厚さとする。
これにより、更に良好な発光特性が得られる。
好ましくは、上記第1の層は、上記第2の層よりも仕事関数の高い材料からなる。
これにより、更に良好な発光特性が得られる。
好ましくは、上記第1の層は、アルミニウム、銀、銅又はニッケルの少なくとも一つを含む材料からなり、上記第2の層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属に属する金属を含む材料からなる。
これにより、良好な第1の層及び第2の層が得られる。
第2の態様の本発明は、上記の本発明にかかる電気光学装置を備える電子機器である。ここで「電子機器」とは、一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定が無いが、例えば、ICカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、一実施形態の有機EL装置の構造を説明する模式断面図である。図1に示す本実施形態の有機EL装置100は、陽極28と陰極20との間に発光層25を介在させてなる有機EL素子を複数備えるものである。
基板27は、有機EL素子の構成要素を支持するものである。本実施形態では、この基板27を介して外部に光が取り出されるボトムエミッション構造を採用しているため、基板27は透光性であることが求められる。このような基板27としては、石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、ケイ酸塩ガラスなどの各種ガラス材料や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの各種樹脂材料などからなる透光性基板を採用し得る。
陽極28は、画素に対応して所定形状にパターニングされ、基板27の上面に設けられている。本実施形態の有機EL装置100がボトムエミッション構造を採用する都合上、この陽極28についても透光性であることが求められる。このような陽極28を形成するための材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide)が好適である。
酸化硅素膜26は、基板27の上面を覆い、かつ陽極28の上面の大部分を露出させるように形成されている。詳細には、酸化硅素膜26は、陽極28の周縁部上に乗り上げるように形成されている。
隔壁(バンク)24は、画素領域を画定するために、陽極28を囲むように形成されている。詳細には、隔壁24は、画素電極である陽極28の周縁部上に乗り上げるようにして、酸化硅素膜26の上面に形成されている。この隔壁24は、後述する正孔注入輸送層29や発光層25などをインクジェット法(液滴吐出法)によって形成する際に、滴下される液状組成物があふれない程度の高さを有する。隔壁24を構成する材料としては、絶縁性を有するものであれば如何なるものも採用し得るが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂など、耐熱性および耐溶媒性を備える樹脂が好適に用いられる。
正孔注入輸送層29は、陽極28の上側であって隔壁24及び酸化硅素膜26によって画定される画素領域内に形成されており、発光層25に正孔(ホール)を注入する機能を果たすものである。この正孔注入輸送層29を構成する材料として、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸などの混合物や、芳香族アミン誘導体(TPD、α−TPDなど)、MTDATA、銅フタロシアニン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニルアミン誘導体などを例として挙げることができる。
発光層25は、正孔注入輸送層29の上側であって隔壁24によって画定される画素領域内に形成されており、正孔注入輸送層29から流入する正孔と陰極20から流入する電子とが再結合するときのエネルギーによって発光を生じるものである。この発光層25を構成する材料として、ポリフルオレン系高分子誘導体、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体を例として挙げることができる。また、発光層25を赤色に発光させるには、ローダミン、DCMの誘導体、ナイルレッドなどを上記の発光層25を構成する材料に添加し、発光層25を緑色に発光させるには、キナクリドン、クマリン6などを上記の発光層25を構成する材料に添加し、そして、発光層25を青色に発光させるには、ペリレン、テトラフェニルブタジエンなどを上記の発光層25を構成する材料に添加する。
陰極20は、発光層25の上側に形成される。本実施形態では、陽極20は、各画素に亘る共通電極として、隔壁24及び発光層25の上面全体に形成されている。本実施形態の陽極20は、図示のように第1の層21、第2の層22、第3の層23の三層を含む積層構造を有する。
第1の層21は、導電性を有し、一方面側が発光層25と接して設けられる。この第1の層21は、0.05nm以上20nm以下程度の厚さとすることが好ましく、0.5nm程度の厚さとすると更に好ましい。また、第1の層21は、アルミニウム、銀、銅又はニッケルの少なくとも一つを含む材料からなることが好ましい。別な観点からは、第1の層21は、第2の層22よりも仕事関数の高い材料からなることが好ましい。
第2の層22は、電子輸送機能を有し、第1の層21の上側(他方面側)に積層して設けられる。この第2の層22は、電子輸送機能を果たす限り、いかなる材料を採用してもよいが、特に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属に属する金属を含む材料、すなわちこれらの金属単体(例えば、カルシウム等)又はこれらを一種類以上含む合金(例えば、フッ化リチウム等)が好適に用いられる。第2の層22の厚さは、例えば数十nm程度にするとよい。
第3の層23は、導電性を有し、第2の層22の上側(他方面側)に積層して設けられる。この第3の層23は、アルミニウム、銀、銅又はニッケルなどの金属単体又はこれらを一つ以上含む合金などを用いて形成することが好ましい。第3の層23の厚さは、例えば数百nm程度にするとよい。
本実施形態の有機EL装置100はこのような構成を有しており、次に、上記構成を採用したより具体的な実施例の有機EL装置について、熱処理に対する発光特性の測定例を説明する。
図2は、熱処理の前後における有機EL素子の印加電圧対発光輝度の測定結果を示すグラフである。図2は、第1の層21を膜厚5nmのアルミニウム薄膜、第2の層22を膜厚20nmのカルシウム薄膜、第3の層23を膜厚200nmのアルミニウム薄膜とした実施例を有機EL装置についての評価結果である。また、本実施例の有機EL装置(実施例1)は、陽極28としてITO、正孔注入輸送層29としてPEDOT:PSS、発光層25としてポリフルオレン系高分子誘導体がそれぞれ採用されている。図2では、上記条件にて有機EL装置を製造した後、何らの熱処理を与えていない場合における特性曲線aに対して、陰極形成後に110℃の熱処理を行った場合の特性bの方が同じ大きさの印加電圧に対して輝度が高くなり、更に、陰極形成後に130℃の熱処理を行った場合の特性cの方が同じ大きさの印加電圧に対してより一層、輝度が高くなるという結果が得られている。すなわち、極薄く形成した第1の層21を設けることにより、加熱に対する耐性が向上し、尚かつ、特性が向上する傾向が見られることが分かる。
図3は、比較例の有機EL素子について、熱処理前後における印加電圧対発光輝度の測定結果を示すグラフである。図3に示す比較例の有機EL装置は、上述した実施例1の有機EL装置と比較して、第1の層21を設けない点以外は同一条件にて製造されたものである。図3に示すように、比較例の有機EL素子では、何らの熱処理を与えていない場合における特性曲線aに対して、陰極形成後に110℃の熱処理を行った場合の特性bの方が同じ大きさの印加電圧に対して輝度が低くなり、更に、陰極形成後に130℃の熱処理を行った場合の特性cの方が同じ大きさの印加電圧に対してより一層、輝度が低くなるという結果が得られている。すなわち、第1の層21を設けない構造においては、加熱に対する耐性が低く、加熱によって特性が低下する傾向が見られることが分かる。
図4は、第1の膜21の膜厚に対する有機EL素子の発光輝度特性の依存性を説明するグラフである。有機EL装置の製造条件は基本的に上述した実施例1の内容と同一であり、第1の層21の膜厚条件を0.5nm、2nm、5nmと設定している。また、発光輝度の測定は印加電圧を6V一定として行った。図4に示すように、熱処理前(温度=22℃)においては、第1の層21の膜厚が薄いほど発光輝度が高いことが分かる。また、この傾向は、110℃の熱処理、130℃の熱処理をそれぞれ行った後においても同様であるが、熱処理の温度が上昇するほど第1の層21の膜厚による発光輝度の差がより大きくなる傾向が見られる。すなわち、第1の膜厚21はより薄い方がよいと考えられる。この測定結果から、第1の膜21は最小で原子1個分に相当する厚さである0.01nm〜0.02nm程度かそれに近い厚さであればよいものと推測される。製造プロセス上の都合等を考慮すると、より現実的には第1の膜21は0.5nm〜1nm程度の膜厚にするとよいと考えられる。また、図4には示していないが、本願発明者の実験によれば、上記実施例1の条件において第1の膜21を20nm以上の膜厚とすると、有機EL素子が発光しにくくなることが確認されている。このことから、第1の膜21の膜厚は20nm以下とすることが必要であると考えられる。
このように本実施形態によれば、陰極形成後に有機EL装置に対して何らかの熱処理を行った場合であっても、発光特性が初期特性から低下することがない。したがって、本実施形態の陰極構造を採用することにより、有機EL装置の耐熱性を向上させることが可能となる。
次に、上述した実施形態にかかる有機EL装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図5は、有機EL装置を含んで構成される電子機器の具体例を説明する図である。図5(A)は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話530はアンテナ部531、音声出力部532、音声入力部533、操作部534、および本実施形態にかかる有機EL装置535を備えている。このように本実施形態の有機EL装置は表示部として利用可能である。図5(B)はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ540は受像部541、操作部542、音声入力部543、および本実施形態にかかる有機EL装置544を備えている。図5(C)はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン550は本実施形態にかかる有機EL装置551を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図5(D)はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン560は本実施形態にかかる有機EL装置561を備えている。本例は、樹脂フィルム等のフレキシブル基板を採用して有機EL装置を形成した場合の例である。また、本実施形態の有機EL装置を搭載可能な電子機器はこれらに限定されず、表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ICカードなども含まれる。
なお、本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、ボトムエミッション型構造の有機EL装置を採り上げて説明したが、トップエミッション型構造の有機EL装置に対しても同様にして本発明を適用することができる。
20…陰極、21…第1の層、22…第2の層、23…第3の層、24…隔壁(バンク)、25…発光層、26…酸化硅素膜、27…基板、28…陽極、29…正孔注入輸送層、100…有機EL装置
Claims (5)
- 陽極と陰極との間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置であって、
前記陰極は、
導電性を有し、一方面側が前記発光層と接して設けられる第1の層と、
電子輸送機能を有し、前記第1の層に積層して設けられる第2の層と、
導電性を有し、前記第2の層に積層して設けられる第3の層と、
を含み、
前記第1の層を0.05nm以上20nm以下程度の厚さとする、電気光学装置。 - 前記第1の層を0.5nm程度の厚さとする、請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1の層は、前記第2の層よりも仕事関数の高い材料からなる、請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1の層は、アルミニウム、銀、銅又はニッケルの少なくとも一つを含む材料からなり、前記第2の層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属に属する金属を含む材料からなる、請求項3に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置を備える電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005049256A JP2006236767A (ja) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | 電気光学装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005049256A JP2006236767A (ja) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | 電気光学装置、電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006236767A true JP2006236767A (ja) | 2006-09-07 |
Family
ID=37044184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005049256A Pending JP2006236767A (ja) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | 電気光学装置、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006236767A (ja) |
-
2005
- 2005-02-24 JP JP2005049256A patent/JP2006236767A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7061176B2 (en) | Electroluminescent device having a thin-film layer, and electronic device having the electroluminescent device | |
US11963415B2 (en) | Display device including a power supply line that overlaps a driving circuit | |
JP5766422B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
KR100690531B1 (ko) | 유기 일렉트로루미네선스 장치 및 전자 기기 | |
US9118033B2 (en) | Organic light-emitting diode and display device employing the same | |
JP2003092191A (ja) | 発光装置及びその作製方法 | |
JP2007242927A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP5759760B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
KR20150133890A (ko) | 유기전계발광소자 | |
CN109448635B (zh) | Oled显示面板 | |
US8624233B2 (en) | Organic electroluminescence display device and electronic apparatus | |
JP2006252990A (ja) | 有機el装置および電子機器 | |
JP2012048906A (ja) | 有機el表示装置および電子機器 | |
CN108878688B (zh) | 有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置 | |
CN101989613A (zh) | 有机el显示装置 | |
US20220238831A1 (en) | Oled device, display apparatus and manufacturing method therefor | |
US20160172421A1 (en) | Display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US7545093B2 (en) | Organic electro-luminescent device | |
US20080024059A1 (en) | System for displaying images incluidng electroluminescent device and method for fabricating the same | |
JP2009064605A (ja) | 有機el装置及び電子機器 | |
US6803123B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
US11432404B2 (en) | Flexible printed circuit (FPC) board and method for manufacturing the same and OLED display device | |
JP2006236767A (ja) | 電気光学装置、電子機器 | |
CN107507917B (zh) | 一种oled器件及其制备方法、显示装置 | |
JP2007242388A (ja) | 発光装置の製造方法 |