JP2006229619A - 高周波回路 - Google Patents
高周波回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006229619A JP2006229619A JP2005041115A JP2005041115A JP2006229619A JP 2006229619 A JP2006229619 A JP 2006229619A JP 2005041115 A JP2005041115 A JP 2005041115A JP 2005041115 A JP2005041115 A JP 2005041115A JP 2006229619 A JP2006229619 A JP 2006229619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- frequency
- nmos
- noise amplifier
- mixer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/26—Circuits for superheterodyne receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/16—Multiple-frequency-changing
- H03D7/165—Multiple-frequency-changing at least two frequency changers being located in different paths, e.g. in two paths with carriers in quadrature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
【解決手段】 高周波回路を、低雑音増幅器と、低雑音増幅器からの高周波信号を中間周波信号に変換するNMOSミキサと、イメージ信号を除去するポリフェイズ・フィルタと、ポリフェイズ・フィルタを通った中間周波信号をベースバンド信号に変換するPMOSミキサとで構成する。
【選択図】 図1
Description
第1は、MOS構造には、1/f雑音が多いことである。図15(a)に示すように、例えばNMOSトランジスタは、P型基板に形成されたN型のソース92からN型のドレイン93への電子の通路となるチャネル95の幅をゲート94にかける電圧で制御する。ここで、ゲート94とチャネル95を分けるゲート酸化膜96に欠陥または歪みがあると、ゲート酸化膜96に形成されたエネルギー順位により、チャネル95を通る電子がゲート酸化膜96に捕捉されたり、ゲート酸化膜96に捕捉された電子がチャネル95に放出したりして、ノイズが発生することがある。なお、図示符号97はアルミ配線である。図15(b)に示すように、このノイズの電力npは周波数fに対して反比例するので1/f雑音といわれ、図から明らかなように、低周波特に直流近辺でのノイズが大きく、ベースバンド信号に対する影響が大きい。
前記低雑音増幅器は、低雑音増幅回路と、該低雑音増幅回路の出力端に設けられた少なくともひとつの利得可変回路とを備えることができ、該利得可変回路は、キャパシタとスイッチング素子で構成できる。
前記NMOS回路に流れる電流を前記PMOS回路に流れる電流より大きくするようにしてもよい。
(低雑音増幅器)
一般に低雑音増幅器に入力する高周波信号の強度はさまざまで、過大な入力信号があった場合、回路が飽和してしまうおそれがある。本実施形態では、回路の飽和を防止するために、利得を可変に構成する。そのために、低雑音増幅器の出力側に容量を並列に挿入可能に構成して、過大な入力信号を逃がすようにする。図3に、低雑音増幅器10の概略図を示す。キャパシタ12とスイッチ13との直列回路で構成される利得可変回路11を低雑音増幅回路の出力側に配置し、スイッチ13をオンにすることにより、後段のミキサ2に入力する信号の大きさを制限する。本実施形態では、低雑音増幅器の出力側で利得を変化させるので、入力側で行うのと比較して受信高周波信号に与える影響を少なくすることができる。
図6に、本実施形態のNMOSミキサ20の一例を示す。図3に示すNOMSミキサ20は、差動信号が入出力するギルバートセルを用いるもので、NMOSの電界効果トランジスタ(FET)24〜29と抵抗R21,R22からなる。NMOSFET24、25は、高周波入力を受ける。NMOSFET24は、NMOSFET26と27の差動対に接続し、NMOSFET25は、NMOSFET28と29の差動対に接続する。差動対の一方であるFET26とFET28は、負荷抵抗R21に接続し、他方のFET27と29は、負荷抵抗R22に接続する。LNA1からの5GHzの高周波(RF)信号は、FET24,25のゲートに差動入力し、位相が90°異なる4.9GHzのローカル信号LO1,LO2はそれぞれ、FET26,29およびFET27,28のゲートに入力する。NMOSミキサの出力である中間周波(IF)信号は、負荷抵抗R21、R22により取り出される。
図8は、ポリフェイズ・フィルタ30の具体例を示した本実施形態の高周波回路である。図2では、差動の入出力を明示しなかったが、図8では、ポリフェイズ・フィルタ30の具体例を示す関係上、差動入力を明示している。
図9は、PMOSミキサ40の具体的な回路を示すものである。PMOSミキサ40は、正孔がキャリアとなるので、NMOSミキサ20の電源ラインと接地ラインとを取り替えたような回路となる。図9に示すように、POMOSミキサは、PMOSFET44〜49と抵抗R41、R42からなる。FET44、45のゲートには、ポリフェイズ・フィルタ30を通過し、イメージ信号が除去された中間周波信号が入力する。FET46と47の差動対は、FET44に接続し、FET48と49の差動対は、FET45に接続する。そして差動対の一方のFET46,48は、負荷抵抗R41に接続し、他方のFET47、49が負荷抵抗R42に接続する。ここで位相が90°異なるローカル信号LO3、LO4がそれぞれ、FET46、49とFET47、48に入力する。FET46、49とFET47、48とは交互にオン・オフを繰り返すことにより、FET44と45とは、ローカル信号の入力に同期して負荷R41と負荷R42に交互に接続する。これにより、出力端子BB+、BB−から差動信号の形態でベースバンド信号が出力する。動作の詳細は、NMOSミキサ20と同様であるので説明を省略する。
次に、図10を参照して、乗算器に入力するローカル信号を発生する局部発振回路について説明する。図10は、NMOSミキサ20で使用するローカル信号LO1とLO2を発生する局部発振回路である。局部発振器61からの発振信号が、2段のポリフェイズ・フィルタ62、63を通って、それぞれ+45°と−45°位相をシフトさせる。ポリフェイズ・フィルタ62、63は、図6で説明したものと同様で、それぞれC3とr3、C4とr4とを図のように結線したものである。その結果、不要なイメージ信号を除去した、90°位相が異なるローカル信号LO1とLO2が得られる。ここでも、ポリフェイズ・フィルタは、90°位相をシフトする中心周波数の帯域をどれだけ広くするかによって、フィルタの段数が決められる。
11 利得可変回路
20 NMOSミキサ
21、22 乗算器
24〜29 NMOSFET
30〜32 ポリフェイズ・フィルタ
40 PMOSミキサ
41、42 乗算器
44〜49 PMOSFET
61 局部発振器
62、63 ポリフェイズ・フィルタ
70 高周波回路
71〜74 NMOSFET
75〜78 PMOSFET
L71、l72 インダクタ
80 負性抵抗回路
Claims (13)
- 低雑音増幅器と、
前記低雑音増幅器の出力を周波数変換するNMOSミキサと、
前記NMOSミキサの出力の位相を変えるフィルタと、
前記フィルタの出力を周波数変換するPMOSミキサと
を備える高周波回路。 - 前記フィルタは、少なくとも1つのポリフェイズ・フィルタからなる請求項1に記載の高周波回路。
- 前記低雑音増幅器は、低雑音増幅回路と、該低雑音増幅回路の出力端に設けられた少なくともひとつの利得可変回路とを備える請求項1又は2に記載の高周波回路。
- 前記利得可変回路は、キャパシタとスイッチング素子からなる請求項3に記載の高周波回路。
- 低雑音増幅器であるNMOS回路と
該NMOS回路の負荷を切り替えるPMOS回路と
を備える高周波回路。 - 前記NMOS回路は、インダクタを介して電源に接続される請求項5に記載の高周波回路。
- 前記インダクタは、負性抵抗回路を介して接地されている請求項6記載の高周波回路。
- 前記NMOS回路は、複数の共振回路を介して電源に接続される請求項5に記載の高周波回路。
- 前記複数の共振回路は、負性抵抗回路を介して接地されている請求項8に記載の高周波回路。
- 前記NMOS回路は、はしご形に接続されたLC回路を介して電源に接続される請求項5に記載の高周波回路。
- 前記LC回路は、負性抵抗回路を介して接地されている請求項10記載の高周波回路。
- 前記NMOS回路に流れる電流を前記PMOS回路に流れる電流より大きくするように駆動する請求項5〜11のいずれか1項に記載の高周波回路。
- 低雑音増幅回路と、
前記低雑音増幅回路の出力端に設けられた、コンデンサとスイッチング素子からなる少なくともひとつの利得可変回路と
を備える低雑音増幅器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005041115A JP4079953B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 高周波回路 |
US11/354,231 US20060194559A1 (en) | 2005-02-17 | 2006-02-15 | Radio-frequency circuit |
US12/662,530 US20100201447A1 (en) | 2005-02-17 | 2010-04-21 | Radio-frequency circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005041115A JP4079953B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 高周波回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006229619A true JP2006229619A (ja) | 2006-08-31 |
JP4079953B2 JP4079953B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=36932518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005041115A Expired - Fee Related JP4079953B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 高周波回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060194559A1 (ja) |
JP (1) | JP4079953B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009194888A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-08-27 | Ricoh Co Ltd | ミキサ回路及び無線通信装置 |
JP2010091379A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | National Institute Of Information & Communication Technology | パルスレーダ装置 |
KR100990194B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2010-10-29 | (주)카이로넷 | 저 플리커 노이즈 씨모스 믹서 |
EP2337228A1 (en) | 2009-12-17 | 2011-06-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Receiving apparatus with image frequency rejection |
US8019314B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Radio communication apparatus |
JP2015043625A (ja) * | 2009-10-21 | 2015-03-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | ダイナミックバイアスを有するrfバッファ回路 |
TWI478491B (zh) * | 2009-10-19 | 2015-03-21 | Qualcomm Inc | 執行多相濾波之裝置及方法、積體電路以及無線通信器件 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080280585A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-13 | Broadcom Corporation, A California Corporation | RF receiver front-end and applications thereof |
US8472576B2 (en) | 2008-06-06 | 2013-06-25 | Maxim Integrated Products, Inc. | Jammer canceller for power-line communication |
EP2487787A1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-15 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (PUBL) | Frequency translation filter apparatus and method |
CN107395139A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-11-24 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种90°相位合成开关中频放大组件电路 |
CN109150214B (zh) * | 2018-10-12 | 2024-05-28 | 南京屹信航天科技有限公司 | 一种小型化odu发射通道电路 |
US10833643B1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-11-10 | Inphi Corporation | Method and structure for controlling bandwidth and peaking over gain in a variable gain amplifier (VGA) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69903702T2 (de) * | 1998-08-26 | 2003-07-03 | Nippon Telegraph & Telephone | Abgestimmter komplementärer Mischer |
JP2004533167A (ja) * | 2001-05-11 | 2004-10-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積チューナ回路 |
US20040150457A1 (en) * | 2001-06-29 | 2004-08-05 | Hiroshi Miyagi | Frequency mixing circuit |
ES2194595B1 (es) * | 2001-12-03 | 2005-03-01 | Diseño De Sistemas En Silicio, S.A | Filtro paso banda analogico. |
FR2837035B1 (fr) * | 2002-03-08 | 2005-04-08 | Thales Sa | Filtre integrateur a temps continu et a variation de phase minimale, modulateur sigma-delta passe bande utilisant un tel filtre |
KR100446004B1 (ko) * | 2002-07-12 | 2004-08-25 | 한국과학기술원 | 깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005041115A patent/JP4079953B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-15 US US11/354,231 patent/US20060194559A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-04-21 US US12/662,530 patent/US20100201447A1/en not_active Abandoned
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8019314B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Radio communication apparatus |
JP2009194888A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-08-27 | Ricoh Co Ltd | ミキサ回路及び無線通信装置 |
JP2010091379A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | National Institute Of Information & Communication Technology | パルスレーダ装置 |
KR100990194B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2010-10-29 | (주)카이로넷 | 저 플리커 노이즈 씨모스 믹서 |
TWI478491B (zh) * | 2009-10-19 | 2015-03-21 | Qualcomm Inc | 執行多相濾波之裝置及方法、積體電路以及無線通信器件 |
JP2015043625A (ja) * | 2009-10-21 | 2015-03-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | ダイナミックバイアスを有するrfバッファ回路 |
EP2337228A1 (en) | 2009-12-17 | 2011-06-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Receiving apparatus with image frequency rejection |
US8619997B2 (en) | 2009-12-17 | 2013-12-31 | Sanyo Semiconductor Co., Ltd. | Receiving apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060194559A1 (en) | 2006-08-31 |
JP4079953B2 (ja) | 2008-04-23 |
US20100201447A1 (en) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4079953B2 (ja) | 高周波回路 | |
Blaakmeer et al. | The blixer, a wideband balun-LNA-I/Q-mixer topology | |
US7167044B2 (en) | Dual-band CMOS front-end with two gain modes | |
US20170149393A1 (en) | Semiconductor device | |
KR102459302B1 (ko) | 반송파 결합 및 비반송파 결합을 위한 저잡음 증폭기 및 그것의 방법 | |
KR20100014861A (ko) | 다중―대역 저 잡음 증폭기 및 이것을 동작시키는 방법 | |
US8521221B2 (en) | Dual mode RF transceiver and receiving method of the same | |
EP3391538B1 (en) | Radio frequency receiver | |
KR100943854B1 (ko) | 구성가능한 능동/수동 믹서 및 공유된 gm 스테이지를위한 방법 및 시스템 | |
Lee et al. | Ultralow-power 2.4-GHz receiver with all passive sliding-IF mixer | |
Chou et al. | The design of wideband and low-power CMOS active polyphase filter and its application in RF double-quadrature receivers | |
US20050043004A1 (en) | Communication apparatus, electronic equipment with communication functions, communication function circuit, amplifier circuit and balun circuit | |
Hu et al. | A Gm-boosted and current peaking wideband merged LNA and mixer | |
JP3806078B2 (ja) | 電圧制御発振器及びこれを用いた無線通信装置 | |
Rastegar et al. | An integrated high linearity CMOS receiver frontend for 24-GHz applications | |
JPWO2005053149A1 (ja) | ミキサ回路 | |
JP5433614B2 (ja) | 半導体集積回路および受信装置 | |
Abdelghany et al. | A low flicker noise direct conversion receiver for IEEE 802.11 g wireless LAN using differential active inductor | |
JP5344890B2 (ja) | 周波数変換器 | |
WO2003003595A1 (fr) | Recepteur | |
Amin et al. | An I/Q mixer with an integrated differential quadrature all-pass filter for on-chip quadrature LO signal generation | |
Chen et al. | A 5-GHz-band CMOS receiver with low LO self-mixing front end | |
Park et al. | A 2.4-㎓ Low-power Low-IF Receiver Employing a Quadrature Low-noise Amplifier for Bluetooth Low Energy Applications | |
Stanic et al. | A 0.5 V Receiver in 90 nm CMOS for 2.4 GHz Applications | |
JP2006074341A (ja) | 受信回路および無線通信デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |