JP2006228925A - 光源装置およびその製造方法並びにプロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【課題】 発光光の取り出し効率が高い光源装置とその製造方法とを提供する。
【解決手段】 各層の界面において全反射が起きないように、高屈折率の散乱層を発光素素子の出射表面に形成する。散乱層は液晶性高分子からなり、屈折率異方性を有するので、発光光を散乱させて効率よく発光光を空気中に放射させることができる。散乱層は、モノマー液の塗布、硬化、洗浄の3工程で形成可能であり、製造コストを低減できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 各層の界面において全反射が起きないように、高屈折率の散乱層を発光素素子の出射表面に形成する。散乱層は液晶性高分子からなり、屈折率異方性を有するので、発光光を散乱させて効率よく発光光を空気中に放射させることができる。散乱層は、モノマー液の塗布、硬化、洗浄の3工程で形成可能であり、製造コストを低減できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は光源装置およびその製造方法、並びにプロジェクタに関するものである。
プロジェクタは、近年小型化、高輝度化、長寿命化、廉価化等が図られてきている。例えば、小型化に対しては液晶パネル(光変調素子)サイズは対角1.3インチが0.5インチになり、面積比で1/6強の小型化がされてきている。
一方、プロジェクタの光源として、固体光源である発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)光源を用いることによる小型化が提案されている。LED光源は、電源を含めて小型であり、瞬時点灯/消灯が可能であること、色再現性が広く長寿命であることなど、プロジェクタ用光源としてのメリットを有している。また、水銀などの有害物質を含まないため、環境保全上からみても好ましいものである。
LED光源は化合物半導体からなる発光部を基板の片側表面に積層してなり、なかでも窒化ガリウム系化合物半導体とサファイア基板とを用いたLED光源はその発光色が紫外から赤色にまで及ぶために有望視されている。フリップチップ実装されたLED光源においては、発光部から出射された光は基板を介して、基板の逆側の出射表面から出射される。ところが、基板の屈折率は空気の屈折率よりも大きいので、出射表面と空気との界面において全反射が起きてしまい、発光光を効率良く取り出すことができないという問題があった。
特許文献1には、n形GaN層とp形GaN層とからなる発光部と、この各発光部にそれぞれ別個に接続された電極とが、サファイア基板の片側表面上に形成されてなる発光素子において、これら発光部と電極とが形成されていない側のサファイア基板の表面に、周期的な回折構造からなる屈折率調整部を設けて、サファイア基板とその上層となる空気層との界面での内部全反射を低減する構成が開示されている。さらに、基板表面に前記屈折率調整部となる溝や回折構造をレーザ加工で形成する方法が記載されている。
特開2004−128445号公報
ところが、上記構成では基板に屈折率調整部となる周期的な回折構造を形成する必要があるが、サファイア基板は化学的に安定であるために、その加工が困難であるという問題があった。これに対して、レーザ加工によって屈折率調整部を形成する方法が提案されているが、高精密な加工が必要でプロセスが煩雑になるので、製造コストが高くなるという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、発光光を高効率で取り出すことのできる光源装置と、これを簡便かつ安価にて提供可能な製造方法と、この光源装置を用いたプロジェクタとを提供することを目的としている。
前記の目的を達成するために本発明の光源装置は、化合物半導体からなる発光部が基板上に積層されてなる発光素子を備えてなる光源装置であって、前記発光素子の発光光の出射面上に、該出射面の屈折率と同等、あるいはそれより高い屈折率を有する散乱層が形成されてなることを特徴とする。
発光素子の基板の出射側表面上に散乱層を積層すると、発光部から出射された光は、基板に入射した後、散乱層に入射される。この際に、散乱層の屈折率は基板の屈折率と同等かそれより高くされているので、基板と散乱層との界面で全反射が起きることがない。そして、散乱層に入射した光はここで散乱されて空気中へ放射されるので、発光素子から発光光を効率よく取り出すことができる。
本発明の光源装置にあっては、前記散乱層が高分子網目構造からなることを特徴とする。
網目構造をなす高分子の配列に沿って散乱層内での屈折率に異方性が生じるので、単一部材であっても、均一な散乱を起こす層となる。よって、単純な構成であっても、発光素子から発光光を効率よく取り出すことができる。
網目構造をなす高分子の配列に沿って散乱層内での屈折率に異方性が生じるので、単一部材であっても、均一な散乱を起こす層となる。よって、単純な構成であっても、発光素子から発光光を効率よく取り出すことができる。
さらに、本発明の光源装置にあっては、前記高分子網目構造が液晶性高分子からなることを特徴とする。
液晶性高分子はその配列が不規則状態であって、屈折率異方性を有するので、層内に入射した光をランダムに散乱させることができ、均一な面発光を行うことができる。特に、液晶性高分子は高い屈折率と屈折率異方性とを併せ持つ材料であるので、複雑な構造や複数の部材を用いることなく、液晶性高分子からなる単一の散乱層を形成するだけで、均一性の高い面発光をする発光光を効率よく取り出すことができる。
液晶性高分子はその配列が不規則状態であって、屈折率異方性を有するので、層内に入射した光をランダムに散乱させることができ、均一な面発光を行うことができる。特に、液晶性高分子は高い屈折率と屈折率異方性とを併せ持つ材料であるので、複雑な構造や複数の部材を用いることなく、液晶性高分子からなる単一の散乱層を形成するだけで、均一性の高い面発光をする発光光を効率よく取り出すことができる。
本発明の光源装置の製造方法にあっては、化合物半導体からなる発光部が基板上に積層されてなる発光素子を備えてなり、前記発光素子の発光光の出射面上に、該出射面の屈折率と同等、あるいはそれより高い屈折率を有する散乱層が形成されてなる光源装置の製造方法であって、前記発光素子の発光光の出射面上に紫外線硬化性モノマー液を塗布してモノマー層を形成し、このモノマー層に紫外線を照射して硬化させた後、未硬化の紫外線硬化性モノマー液を洗浄除去して散乱層を形成することを特徴とする。
本発明の製造方法はエッチングや機械的切削などによって基板本体に加工を施すものではないので、基板が化学的に安定なサファイア基板などであっても、加工が困難であるという問題点がなく、発光光の取り出し効率の高い光源装置を安価にて提供可能となる。
また、本発明の製造方法のプロセスは、基板上にモノマー液を塗布した後、これを硬化させて散乱層を形成するものであるから、従来の製造プロセスおよび製造装置に若干の変更を加えるだけでよく、簡便な方法である。よって、均一な面発光をする高効率の光源装置を安価にて提供可能となる。
また、本発明の製造方法のプロセスは、基板上にモノマー液を塗布した後、これを硬化させて散乱層を形成するものであるから、従来の製造プロセスおよび製造装置に若干の変更を加えるだけでよく、簡便な方法である。よって、均一な面発光をする高効率の光源装置を安価にて提供可能となる。
本発明のプロジェクタは、光源装置から出射された光を変調して表示面に投写することによって画像を形成するプロジェクタであって、上記光源装置として、本発明の光源装置を備えることを特徴とする。
本発明の光源装置によれば、その出射光を効率よく利用することができるばかりでなく、平面における輝度が均一な照明光を得ることができるので、高品位の画像を形成できるものとなる。また、安価な本発明の光源装置を備えることにより、本発明のプロジェクタもまた、安価なものとなる。
本発明の光源装置によれば、その出射光を効率よく利用することができるばかりでなく、平面における輝度が均一な照明光を得ることができるので、高品位の画像を形成できるものとなる。また、安価な本発明の光源装置を備えることにより、本発明のプロジェクタもまた、安価なものとなる。
以下、図面を参照して、本発明に係る光源装置およびその製造方法、並びにプロジェクタの一実施形態について説明する。
図1は、本発明の一実施形態の光源装置1における発光素子としてのLEDチップ20の概略断面図である。図2は、図1に示したLEDチップ20を備えた光源装置100の概略構成を示した平面図である。また、図3は図2におけるA−A´断面図である。
これらの図に示すように、本実施形態の光源装置100は、基台10と発光素子としてのLEDチップ20と、樹脂フレーム30とキャップ40とを備えて構成されている。
図1は、本発明の一実施形態の光源装置1における発光素子としてのLEDチップ20の概略断面図である。図2は、図1に示したLEDチップ20を備えた光源装置100の概略構成を示した平面図である。また、図3は図2におけるA−A´断面図である。
これらの図に示すように、本実施形態の光源装置100は、基台10と発光素子としてのLEDチップ20と、樹脂フレーム30とキャップ40とを備えて構成されている。
基台10はたとえばアルミニウムからなり、基台10の上面には、LEDチップ20が実装されており、このLEDチップ20の周囲を環状に囲むようにリフレクタ14が形成されている。このリフレクタ14は、LEDチップ20から射出された光を導光するものである。本実施形態の光源装置100においては、基台10とリフレクタ14とが一体形成されている。
基台10の上面には、リフレクタ14を囲うように樹脂フレーム30が配置されている。そして、樹脂フレーム30の上部に支持されてキャップ40が配置されており、キャップ40と樹脂フレーム30によって形成された空間内には、シリコンオイル等が充填されている。図2及び図3に示すように、樹脂フレーム30には、アウターリード31,32がインサードモールドされており、このアウターリード31,32の一端が基台10上に配置されたフレキシブル基板17,18と接続され、他端が金ワイヤ22等によってサブマウント21上に形成された接続パッドと接続されている。そして、サブマウント21、フレキシブル基板17,18、アウターリード31,32及び金ワイヤ22を介してLEDチップ20に電力が供給される。なお、本実施形態においては、図2に示すように、各アウターリード31,32に3本ずつの金ワイヤ22が接続されているが、LEDチップ20に供給される電力量に応じて金ワイヤ22の本数は変更される。
LEDチップ20は、電力を供給されることによって発光するものであり、電力を供給するための配線が形成されたサブマウント21上にフリップチップ実装され、このサブマウント21ごと熱伝導性の接着剤(例えば、銀ペースト)によって基台10上に実装されている。
LEDチップ20は図1に示したように、基板1の片側表面(図1中の下面側)に化合物半導体からなる発光部2を備えてなる。この発光部2はn形化合物半導体層2aとp形化合物半導体層2bとを積層してなり、各化合物半導体層2a、2bには、それぞれ電極3a、3bとが接続されており、発光部2に通電することができる。基板1の、発光部2が形成されていない側の表面(図1中の上面側)には、散乱層4が積層されている。
基板1および化合物半導体層2a、2bは、いずれも特に限定されるものではない。たとえば基板1としては、サファイア基板(Al2O3)のほか、GaN,GaAs、GaP、SiCなどを用いることができる。化合物半導体としては、GaAs、GaAsP、GaAlAs、GaP、GaNなどを適宜組み合わせて用いることができる。
上記基板1および発光部2となる化合物半導体はいずれも空気よりも大きな屈折率を有するので、LEDチップ20の出射表面とその上層となる空気層との界面で、発光光が全反射されて、発光光の取り出し効率が低下する。これに対して、本発明のLEDチップ20にあっては、基板1と同等であるか、それより高い屈折率を有する材料からなる散乱層4を基板1の出射側表面上に設けてあるので、発光光が発光部2から基板1を介して散乱層4内に入射する際にその界面で全反射することがない。
なお、散乱層4の屈折率が基板1と同等以上であれば、基板1と散乱層4との界面における全反射を防止できて望ましい構成となるが、散乱層4の屈折率が基板1より小さい場合にも、上記界面における全反射の臨界角が大きくなり、全反射が生じ難くなるので、散乱層4を具備しない従来のLEDチップと比較すると光取り出し効率を高めることができ、明るいLEDチップを得ることができる。
散乱層4を高屈折率材料から構成すると、散乱層4と空気との界面においてもまた、全反射が起きることが懸念されるが、網目構造を有する高分子を用いると、散乱層4において光を散乱することができるので、効率よく発光光を空気中へ放射することができる。これは、高分子の網目構造によれば、散乱層4内部での屈折率異方性を持たせることができるためである。このように高屈折率を有し、かつ屈折率異方性を持つような高分子網目構造を有する材料としては、液晶性高分子を挙げることができる。液晶性高分子によって散乱層4を構成すれば、不規則に配向した液晶性高分子によって、散乱層4内に入射された光はランダムに散乱され、その出射表面から均一に放射されることとなる。よって、発光面の均一性が高く、かつ取り出し効率のよいLEDチップ20とすることができる。
このように構成された光源装置100にあっては、LEDチップ20に電力が供給されると、LEDチップ20から光が射出され、この射出された光がキャップ40を介して光源装置1から射出される。そして、LEDチップ20から側方に射出された光は、リフレクタ14によってキャップ40方向に反射され、その後キャップ40を介して光源装置1から射出される。
なお、上記実施の形態では、フリップチップ実装によりサブマウント21上に実装される態様のLEDチップ20を用いた場合について説明したが、発光素子であるLEDチップとしては、ワイヤーボンディング等の他の実装方法により基台10上に実装されるものも採用できるのは勿論であり、その実装態様に応じてLEDチップ自体の構成も適宜変更することができる。たとえば、ワイヤーボンディングにより実装するLEDチップである場合には、図1に示した電極3a、3bを備えた発光部2が、基板1を挟んで基台10と反対側に配置されることになるが、この場合には、散乱層4を基板1上に形成した発光部2のさらに上側(最表面)に形成することで、光取り出し効率を高めることができる。
次に、本実施形態の光源装置100の製造方法について説明する。はじめに発光素子としてのLEDチップ20を用意する。
基板1としてサファイア基板を用意し、この上にMOCVD法などを用いてn型GaN層2aと、p型GaN層2bとを順に積層する。ついでフォトリソグラフィー技術を用いて、p型GaN層2bに所定パターンを形成したのち、その一部をエッチングして、電極を形成できるだけのn型GaN層2aを露出させる。この後、各化合物半導体層2a、2bのそれぞれに電極3a、3bを接続する。
基板1としてサファイア基板を用意し、この上にMOCVD法などを用いてn型GaN層2aと、p型GaN層2bとを順に積層する。ついでフォトリソグラフィー技術を用いて、p型GaN層2bに所定パターンを形成したのち、その一部をエッチングして、電極を形成できるだけのn型GaN層2aを露出させる。この後、各化合物半導体層2a、2bのそれぞれに電極3a、3bを接続する。
次に、サファイア基板1の、発光部2が形成されている面とは逆側の表面に散乱層4を形成する。
散乱層4は、紫外線硬化性の液晶性高分子から構成することが好ましい。液晶性高分子は高屈折率と屈折率異方性とを併せもつからである。そのなかでも紫外線硬化性の液晶性高分子を用いれば、以下に述べるように、紫外線硬化性モノマー液の塗布、硬化、洗浄の3工程で所望の特性と膜厚とを有する散乱層4を非常に簡便に形成することができる。
散乱層4は、紫外線硬化性の液晶性高分子から構成することが好ましい。液晶性高分子は高屈折率と屈折率異方性とを併せもつからである。そのなかでも紫外線硬化性の液晶性高分子を用いれば、以下に述べるように、紫外線硬化性モノマー液の塗布、硬化、洗浄の3工程で所望の特性と膜厚とを有する散乱層4を非常に簡便に形成することができる。
散乱層4を形成するにあたっては、まず、石英ガラス基板を別に用意する。この石英ガラス基板は、散乱層4の出射側表面(図1上面)を平滑に形成するためのものであるので、形成した散乱層4を構成する液晶性高分子から剥がしやすくするための処理を施しておくことが好ましい。そのため、石英ガラス基板の表面の接触角を大きくするように、具体的には、フッ素コーティングやカップリング剤によって処理されていることが好ましい。
次に、サファイア基板1の、発光部2が形成されている面とは逆側の表面に、散乱層4を構成する液晶性高分子となる液晶性モノマーを含んだ紫外線硬化性モノマー液を塗布する。液晶性モノマーとしては、重合して高分子を形成した際に、サファイアと同等かそれより高い屈折率を有する材料であって、かつ屈折率異方性を示すような網目構造を有するものが好ましく、上記紫外線硬化性モノマー液としては、液晶材料に紫外線硬化性モノマーを配合したものなどを例示できる。より具体的には、たとえば大日本インキ化学工業株式会社製のUVキュアラブル液晶MixtureC(商品名)などである。
上記紫外線硬化性モノマー液を、発光部2とは逆側のサファイア基板1表面に滴下したならば、これにギャップ剤を介して前記の石英ガラス基板を載置する。サファイア基板1と石英ガラス基板との間にギャップ剤を介在させることにより、このギャップ剤の大きさに対応して、塗布した紫外線硬化性モノマー液からなるモノマー層の厚さ(形成する散乱層4の厚さ)を制御することができる。ギャップ剤は特に限定されるものではないが、形成すべきモノマー層の厚さに対応して、その粒径が100〜500μmのガラスビーズなどを利用することができる。
前記モノマー層と石英ガラス基板とが順次積層されたサファイア基板1に紫外線を照射すると、液晶性モノマーが硬化して高分子層が形成される。紫外線の照射条件は、モノマー層を構成するモノマーの種類および膜厚によって適宜選択されるが、たとえば上記のUVキュアラブル液晶の場合には、室温で350nmの紫外線を10mW/cm2の強度で約10分間照射することで、液晶性モノマーを硬化させて高分子層とすることができる。
そして、石英ガラス基板を高分子層から剥離する。この際に、石英ガラス基板は、先に述べたように、その表面の接触角が大きくなるように処理されているので、容易に高分子層から剥離することができる。
ついで、前記高分子層に含まれる未硬化の液晶性モノマーをエタノールやアセトンなどの有機溶剤を用いて洗浄除去することで、先のギャップ剤の粒径に対応して100〜500μmの膜厚を有する散乱層4が形成されたLEDチップ20とすることができる。
次に、基台10をアルミニウムのプレス成形などによって作成する。ここで、本実施形態の光源装置100の製造方法においては、基台10を作成する際に、リフレクタ14が基台10と同一材料(本実施形態においてはアルミニウム)によって一体形成される。
続いて、配線パターンが形成されたフレキシブル基板17,18を基台10上に貼り付けた後、アウターリード31,32がインサートモールドされた樹脂フレーム30に接合し、アクターリード31,32をフレキシブル基板17,18に半田付けする。そして、リフレクタ14によって囲まれた領域の中心部(基台10の上面)に、サブマウント21に実装された上記LEDチップ20をサブマウント21ごと実装する。その後、金ワイヤ22によってサブマウント21上に形成された接続パッドとアウターリード31,32とを電気的に接続する。続いて、樹脂フレーム30によって囲まれた空間内に、シリコンオイルを充填し、樹脂フレーム30の上部に支持させる形でキャップ40を配置することによって、本実施形態の光源装置100が製造される。
本発明の製造方法によれば、基板1に切削などの機械的加工を施すことなく散乱層4を直接形成できるので、基板1が化学的に安定で加工が困難であるサファイアであっても、散乱層4を容易に形成することができる。また、本発明の製造方法によれば、散乱層4は、単一部材の単一層であり、単純な製造工程で製造可能である。散乱層4は紫外線硬化性の液晶性高分子からなるので、製造プロセスは紫外線硬化性モノマー液の塗布、硬化、洗浄の3工程であり、非常に簡便なプロセスとなる。また、このプロセスは、いずれも従来のLEDチップ20の製造工程中に含まれるものであり、従来の製造工程の若干の変更でよく、高効率で発光光を取り出し可能な光源装置を低コストで提供できる。
次に、上記実施形態の光源装置を備えるプロジェクタについて説明する。
図4は、上記実施形態の光源装置を備えたプロジェクタ500の説明図である。図中、符号512、513、514は上記実施形態の光源装置、522、523、524は液晶ライトバルブ(光変調手段)、525はクロスダイクロイックプリズム(色光合成手段)、526は投写レンズ(投写手段)を示している。
図4は、上記実施形態の光源装置を備えたプロジェクタ500の説明図である。図中、符号512、513、514は上記実施形態の光源装置、522、523、524は液晶ライトバルブ(光変調手段)、525はクロスダイクロイックプリズム(色光合成手段)、526は投写レンズ(投写手段)を示している。
図4のプロジェクタ500は、本実施形態のように構成した3個の光源装置512、513、514を備えている。各光源装置512、513、514には、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)に発光するLEDが採用されている。なお、光源光の照度分布を均一化させるための均一照明系として、各光源装置の後方にロッドレンズやフライアイレンズを配置してもよい。
赤色光源装置512からの光束は、重畳レンズ535Rを透過して反射ミラー517で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ522に入射する。また、緑色光源装置513からの光束は、重畳レンズ535Gを透過して緑色光用液晶ライトバルブ523に入射する。
また、青色光源装置514からの光束は、重畳レンズ535Bを透過して反射ミラー516で反射され、青色光用液晶ライトバルブ524に入射する。なお、各光源からの光束は重畳レンズを介することにより液晶ライトバルブの表示領域において重畳され、液晶ライトバルブが均一に照明されるようになっている。
また、青色光源装置514からの光束は、重畳レンズ535Bを透過して反射ミラー516で反射され、青色光用液晶ライトバルブ524に入射する。なお、各光源からの光束は重畳レンズを介することにより液晶ライトバルブの表示領域において重畳され、液晶ライトバルブが均一に照明されるようになっている。
また、各液晶ライトバルブの入射側および出射側には、偏光板(図示せず)が配置されている。そして、各光源からの光束のうち所定方向の直線偏光のみが入射側偏光板を透過して、各液晶ライトバルブに入射する。また、入射側偏光板の前方に偏光変換手段(図示せず)を設けてもよい。この場合、入射側偏光板で反射された光束をリサイクルして各液晶ライトバルブに入射させることが可能になり、光の利用効率を向上させることができる。
各液晶ライトバルブ522、523、524によって変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム525に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投写レンズ526により投写スクリーン527上に投写され、拡大された画像が表示される。
上述した本実施形態のプロジェクタは、発光光の取り出し効率が高く、かつ均一な面発光をする安価な光源装置を備えたものであるので、高輝度化されるとともに安価に製造することができるものである。したがって、上述した光源装置を備えることにより、表示特性の優れたプロジェクタを安価に提供することができる。
以上、図面を参照しながら本発明に係る光源装置及びその製造方法、並びにプロジェクタの好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記実施形態では固体光源としてLEDチップを採用したが、固体光源として半導体レーザ等を採用することも可能である。さらに、上述したプロジェクタでは光変調手段として液晶ライトバルブを採用したが、光変調手段として微小ミラーアレイデバイス等を採用することも可能である。
100…光源装置、10…基台、1…基板、2…発光部、4…散乱層、20…LEDチップ。
Claims (5)
- 化合物半導体からなる発光部が基板上に積層されてなる発光素子を備えた光源装置であって、
前記発光素子の発光光の出射面上に、該出射面の屈折率と同等、あるいはそれより高い屈折率を有する散乱層が形成されてなることを特徴とする光源装置。 - 前記散乱層が高分子網目構造からなることを特徴とする請求項1記載の光源装置。
- 前記高分子網目構造が液晶性高分子からなることを特徴とする請求項2記載の光源装置。
- 請求項1に記載の光源装置の製造方法であって、
前記発光素子の発光光の出射面上に紫外線硬化性のモノマー液を塗布してモノマー層を形成し、このモノマー層に紫外線を照射して硬化させた後、未硬化の紫外線硬化性モノマー液を洗浄除去して散乱層を形成することを特徴とする光源装置の製造方法。 - 光源装置から出射された光を変調して表示面に投写することによって画像を形成するプロジェクタであって、
前記光源装置として、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の光源装置を備えることを特徴とするプロジェクタ。
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ID=36990031
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005040230A Withdrawn JP2006228925A (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 光源装置およびその製造方法並びにプロジェクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006228925A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012023246A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードパッケージ |
KR101171770B1 (ko) | 2011-03-29 | 2012-08-07 | 동국대학교 산학협력단 | 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040230A patent/JP2006228925A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012023246A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードパッケージ |
KR101171770B1 (ko) | 2011-03-29 | 2012-08-07 | 동국대학교 산학협력단 | 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |