JP2006226800A - 超伝導x線検出装置及びそれを用いた超伝導x線分析装置 - Google Patents

超伝導x線検出装置及びそれを用いた超伝導x線分析装置 Download PDF

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Atsushi Nagata
篤士 永田
Satoru Nakayama
哲 中山
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Abstract

【課題】 試料からのX線を効率的に超伝導X線検器に入射でき、かつ光軸や焦点調整が容易に実施できる超伝導X線検出装置を提供する。
【解決手段】 冷凍手段となる希釈冷凍機2と、冷却される冷却ヘッド5と、冷却ヘッド5に固定された超伝導X線検出器1とからなる超伝導X線検出装置において、超伝導X線検出器1の近傍に設けられたX線入射部の4K輻射熱シールド6の内壁にX線集光手段としてポリキャピラリー12を接合する構造にした。
【選択図】 図1

Description

本発明は、超伝導X線検出装置およびそれを用いた超伝導X線分析装置に関し、特に試料からのX線を効率的に超伝導X線検器に入射でき、かつ光軸調整が容易にする技術に関する。
従来から、超伝導X線検出器は、従来のX線検出器に比べ、高感度、かつ、高いエネルギー分解能を有することから、X線分析装置や宇宙線検出装置などの用途に対応するためのシステム化研究が行われている。
超伝導X線検出器には、TES(超伝導転移端温度計;Transition Edge Sensor)やSTJ(超伝導トンネル接合;Superconducting Tunnel Junction)などがあり、これらは超伝導現象を利用したもので、駆動するには検出器を低温に冷却する必要がある。
そのため、より低温で駆動することで熱ノイズの影響が少なくなり、高性能化が望めるために、通常100mK程度の極低温まで冷却されている。
TESは、物質が超伝導状態から温度上昇により常伝導状態へ遷移する際に起こる急激な抵抗値変化を利用した温度センサであり、X線照射のエネルギーを熱に変換して検出を行うX線センサである。
TESにバイアス電圧を印加して超伝導転移端に動作点を固定すると、TESにX線を照射により温度上昇が起こり急激な抵抗変化が生じる。
この抵抗変化によりTESに流れる電流値が変化するため、電流値をモニターすることでX線を検出することができる。X線照射に伴う電流変化は数pAと微弱であるために、SQUID(超伝導量子干渉素子;Superconducting QUantum Interference Device)アレーを低温初段増幅器として用いて信号を増幅させる。
TESをX線分析装置として使用する例として、走査型電子顕微鏡(SEM)と組み合わせて使用することがある。
TESは真空環境に保たれたSEMの試料室へ挿入され、X線の検出効率を向上させるために試料へ接近させて設置される。電子線の照射によって試料から発生するX線がTESに入射すると、X線のエネルギー強度に応じた抵抗変化が生じて電流値が変化する。この電流値の変化量を計測することにより、試料の材料分析を行うことができる。
図5に従来技術による超伝導X線分析装置の概略図を示す。(例えば、非特許文献1を参照)。試料22を固定する試料ホルダー21と、試料22に電子線を照射する電子線鏡筒20と、試料からのX線を検出する超伝導X線検出器1と、超伝導X線検出器1を設置する冷却ヘッド5と、超伝導X線検出装置の先端部に設けられた開口部10を介して試料からのX線を集光して効率よく超伝導X線検出器1にX線を照射するためのポリキャピラリー12とからなる構造である。
ポリキャピラリー12として、立体角が22度であるものが用いられ、その両端の焦点が試料22表面と超伝導X線検出器1になるような位置になるようにポリキャピラリー12を調整する必要がある。
電子線鏡筒20から電子線が試料22に照射されると、試料22の表面からX線が放射され、ポリキャピラリー12に入射する。ポリキャピラリー12の対抗側からX線が収束して放射され、超伝導X線検出器1に入射するようになっている。
D. A. WOLLMAN, et al. "High-resolution, energy-dispersive microcalorimeter spectrometer for x-ray microanalysis", Journal of Microscopy, (EN), Dec.1997, 188 (3), P.196-223, Fig.30
しかしながら、上記従来の超伝導X線分析装置では、冷凍機先端部と試料の間にポリキャピラリーを設けられているが、試料とポリキャピラリーと冷凍機先端部が独立して設置されているために、試料とポリキャピラリー間、およびポリキャピラリーと超伝導X線検出器間の光軸調整および焦点調整を個別に調整する必要があり、最終的に試料と超伝導X線検出器がポリキャピラリーの焦点になる位置調整が難しかった。そのために、光軸や焦点のずれにより検出器へ入射するX線が低下して、感度が低下するという問題があった。
特に、冷凍機や超伝導X線検出器の交換やメンテナンス後に、再度調整が必要であった。
本発明は、上記問題点を解決し、試料からのX線を効率的に超伝導X線検器に入射でき、かつ光軸や焦点調整が容易に実施できる超伝導X線検出装置を提供することを目的とする。
冷凍手段と、冷凍手段の先端部内に設けられた冷却ヘッドと、冷却ヘッドに固定された超伝導X線検出器とからなる超伝導X線検出装置において、冷凍手段の先端部に設けられたX線入射部にX線集光手段を接合した構造にした。
この発明にかかる超伝導X線検出装置及びそれを用いた超伝導X線分析装置によれば、X線集光手段と超伝導X線検出器を含む冷凍機先端部が一体型になることで、光軸や焦点調整が容易になり、特に超伝導X線X線検出器とポリキャピラリーの位置調整する必要はなく、ある場合でも微調整するだけですみ、試料から発生したX線を効率よく収集でき、高い感度の超伝導X線検出器が得られる。
また、超伝導X線出器は微小な外部磁気も検出してしまうために、外部磁気がノイズとなり、超伝導X線出器のX線検出の性能を低下させる。
しかし、磁気シールドとなる外層の開口部から離れた位置になることで、超伝導X線出器に外層の開口部から入射する外部磁場が減少し、超伝導X線の性能低下を防ぐ効果も有する。
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
図1は本発明による超伝導X線検出装置の第一実施例を示した先端部の概略図である。
本実施例に係る超伝導X線検出装置は、冷却手段となるHe3とHe4を混合して冷却を行う希釈冷凍機2と、真空を保持や外部磁気をシールドするための外層3と、輻射熱シールドを行う2層の77K輻射熱シールド4と4K輻射熱シールド6と、希釈冷凍機2により冷却される冷却ヘッド5と、冷却ヘッド5に設置される超伝導X線検出器1と、及びX線集光手段としてポリキャピラリー12とから構成される。
本実施例では、超伝導X線検出器1として、TES(超伝導転移端温度計)を用い、超伝導X線検出器1との入出力制御するSQUID(超伝導量子干渉素子)アレーからなる低温初段増幅器7とともにセンサーホルダ8に接着され、冷却ヘッド5の先端部にねじで装着されている。また、超伝導X線検出器1の検出部のみにX線が入射するように、コリメータ9が設けてある。センサーホルダ8には、熱伝導特性の良い高純度無酸素銅やサファイアを用いている。
77K輻射熱シールド4は、絶対温度が77Kである液体窒素により冷却されている。
また、4K輻射熱シールド6は、絶対温度が4Kである液体ヘリウムにより冷却されている。そして、超伝導X線検出器1と低温初段増幅器7が駆動させるために冷凍機により100mKまで冷却する。
超伝導X線検出器の近傍に、超伝導X線検出器1にX線を入射できるように、開口部10が設けられている。また、超伝導X線検出器1にX線以外の熱源の入射を防ぐために、開口部10の外層3、77K輻射熱シールド4、4K輻射熱シールド6のそれぞれには窓膜11、14、15を貼り付けている。窓膜11、14,15として輻射熱や赤外線などの外部熱源の侵入を防ぎ、かつX線が透過しやすい材料として、ベリリウムやカーボン系の材料が適している。本発明では、ベリリウム、パリレン、ポリイミド、シリコンナイトライド、ボロンナイトライド、ポリカーボネイド、マイラー、テフロン、カーボンのいずれかの膜が設けられている。また、開口部の温度分布を均一にするために、窓膜上にAl膜を蒸着した。
そして、超伝導X線検出器1と4K輻射熱シールド6の間に、X線を集光する手段としてポリキャピラリー12の片側を4K輻射熱シールド6の内壁に固定してある。
ポリキャピラリー12は、多数のX線を導くガラス製の細束管で、これを用いて、X線源(図示せず)から出射したX線を高い立体角で取り込み、反対側の出口で集束して放射する構造のものを用いる。そして、X線源と超伝導X線検出器1が共にポリキャピラリー12の焦点になる位置にする配置することで、X線源から出たX 線を効率的に超伝導X線検出器1に照射することができるようになる。
本実施例では、ポリキャピラリー12がねじで装着され、焦点や光軸を調整する必要がないように設計されているが、位置調整の微調整を必要とされる場合にはポリキャピラリー12側または冷却ヘッド5を固定されるセンサーホルダ8側のねじの位置微調整できる機構を設けてある。
図2は本発明による超伝導X線検出装置の第二実施例を示した先端部の概略図である。
本実施例では、外層3に設けられた開口部10部分の外側にポリキャピラリー12の片側を設置し、外部磁気シールドとなる外層3をポリキャピラリー12に対して他の部品との接触による破損を防ぐためにポリキャピラリー12のX線の光路以外の部分を覆うような構造にした。X線源からX線をポリキャピラリー12により集束し、開口部10に設けられた窓膜11、14、15を介して、超伝導X線出器1に照射して検出するようにした。
図3は本発明による超伝導X線検出装置の第三実施例を示した先端部の概略図である。
本実施例では、超伝導X線出器1と4K輻射熱シールド6の間に、X線を集光する手段としてX線ミラー13を4K輻射熱シールド6の開口部10部分の内壁に設ける構造にした。
本実施例では、X線ミラー13は湾曲型多層膜X線ミラーを1枚用いて、X線源から開口部10に設けられた窓膜11、14、15を介してX線ミラー13に入射したX線を収束して、超伝導X線出器1に照射して検出するようにした。
なお、X線ミラーは本実施例に限定されず、例えばX線源から拡散してきたX線源を1枚目のX線ミラーで平行光にして、2枚目のX線ミラーで収束して超伝導X線検出器に入射する構造でも良い。
図4は本発明による超伝導X線分析装置の構成を示す概略図である。
本実施例では、実施例1で説明した超伝導X線検出装置を用いたものである。超伝導X線検出装置の先端部を真空環境に保たれた筐体23に設置する。
放射源となる電子線鏡筒20から出射された電子線の照射によって試料ホルダー21に設置された試料22から発生するX線は、超伝導X線検出器1で検出される。
このとき、超伝導X線検出装置を試料22が超伝導X線検出装置内のポリキャピラリー12の焦点になるように位置を調整して固定する。
尚、筐体23の内部に試料22から発生する電子を検出する二次電子検出器24を設置しても良い。
尚、電子線鏡筒20以外にも、X線やイオンを出射できる放射線源を用いることでも良い。
本発明による超伝導X線検出装置の先端部分の第一実施例を示した断面図である。 本発明による超伝導X線検出装置の先端部分の第ニ実施例を示した断面図である。 本発明による超伝導X線検出装置の先端部分の第三実施例を示した断面図である。 本発明による超伝導X線分析装置の構成を示した概略図である。 従来の超伝導X線分析装置の構造を示した断面図である。
符号の説明
1 超伝導X線検出器
2 希釈冷凍機(冷凍手段)
3 外層
4 77K輻射熱シールド
5 冷却ヘッド
6 4K輻射熱シールド
7 低温初段増幅器
8 センサーホルダ
9 コリメータ
10 開口部
11 窓膜
12 ポリキャピラリー(X線集光手段)
13 X線ミラー(X線集光手段)
14 窓膜
15 窓膜
20 電子線鏡筒(放射源)
21 試料ホルダー
22 試料
23 筐体
24 二次電子検出器

Claims (9)

  1. 冷凍手段と、前記冷凍手段の先端部内に設けられた冷却される冷却ヘッドと、前記冷却ヘッドに固定された超伝導X線検出器とからなる超伝導X線検出装置において、
    前記超伝導X線検出器の近傍に設けられたX線入射部にX線集光手段を接合したことを特徴とする超伝導X線検出装置。
  2. X線集光手段を超伝導X線検出器と前記超伝導X線検出器の近傍に設けられた入射部との間に設けたことを特徴とする請求項1記載の超伝導X線検出装置。
  3. X線集光手段を超伝導X線検出器の近傍に設けられた開口部とX線源の間に設けたことを特徴とする請求項1記載の超伝導X線検出装置。
  4. X線集光手段がポリキャピラリーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の超伝導X線検出装置。
  5. X線集光手段がX線ミラーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の超伝導X線検出装置。
  6. 超伝導X線検出器が超伝導転移端センサであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の超伝導X線検出装置。
  7. X線集光手段に位置調整機構を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の超伝導X線検出装置。
  8. 冷却ヘッドに位置調整機構を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の超伝導X線検出装置。
  9. 筐体と前記筐体に納められた電子線、イオン、X線のいずれかを放出する放射線を照射する放射源と試料ホルダーを備え、前記試料ホルダー上の試料に電子線、イオン、X線のいずれかを照射し、前記試料から発生するX線のエネルギーを分析することにより、前記試料の組成を分析する超伝導X線分析装置において、
    請求項1乃至8のいずれか1項記載の超伝導X線検出装置を用いたことを特徴とする超伝導X線分析装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009175117A (ja) * 2007-12-25 2009-08-06 Sii Nanotechnology Inc X線分析装置
JP2011039053A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Fei Co X線分光法用の微量熱量測定
JP2015121479A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 株式会社日立ハイテクサイエンス X線分析装置
JP2016142729A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 株式会社日立ハイテクサイエンス X線分析装置

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