JP2006225275A - ジメチルエーテルの合成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アルミナ系脱水触媒とSiC等の温度制御用担体とを混合充填した触媒層にメタノールガスを導入し、マイクロ波を連続照射しながら200〜350℃で反応させ、ジメチルエーテルを合成する。
【選択図】 図1
Description
1)メチルアルコールを、気相下、触媒を用いて脱水しジメチルエーテルを合成するに際し、マイクロ波照射により加熱することを特徴とするジメチルエーテルの合成方法、
2)前記触媒として、脱水触媒と温度制御用担体とを併用する前記1)に記載の合成方法、
3)前記脱水触媒がアルミナである前記2)に記載の合成方法、
4)前記温度制御用担体が炭化ケイ素である前記2)または3)に記載の合成方法、
5)前記温度制御用担体の添加量が、脱水触媒100質量部に対し、50〜150質量部の範囲である前記2)〜4)のいずれかに記載の合成方法、および、
6)反応温度が200〜350℃、反応圧力が常圧〜3MPa、空間速度が100〜2000/hrの条件下でメタノールを触媒と接触させる前記1)〜5)のいずれかに記載の合成方法。
図1に示したマイクロ波照射装置(1)内に設置された、内径40mmのガラス製固定床反応容器内に、脱水用Al2O3系触媒(12)(細孔容積0.35cm3/g、比表面積178m2/g)25gと、温度制御用担体としてSiCペレット(11)25gとを、混合して充填した。窒素ボンベより反応容器内に窒素を供給し、容器内を窒素雰囲気にした。
反応温度を250℃に変更した以外は、実施例1と同様な方法によりDMEの合成反応を行った。その結果を表1に示す。この反応条件でのメタノールからジメチルエーテルへの転化率は22%であった。
反応温度を200℃に変更した以外は、実施例1と同様な方法によりDMEの合成反応を行った。その結果を表1に示す。この反応条件でのメタノールからジメチルエーテルへの転化率は6%であった。
2 マイクロ波制御装置
3 不活性ガス
4 メタノールガス発生器
5 インピンジャー
Claims (6)
- メチルアルコールを、気相下、触媒を用いて脱水しジメチルエーテルを合成するに際し、マイクロ波照射により加熱することを特徴とするジメチルエーテルの合成方法。
- 前記触媒として、脱水触媒と温度制御用担体とを併用する請求項1に記載の合成方法。
- 前記脱水触媒がアルミナである請求項2に記載の合成方法。
- 前記温度制御用担体が炭化ケイ素である請求項2または3に記載の合成方法。
- 前記温度制御用担体の添加量が、脱水触媒100質量部に対し、50〜150質量部の範囲である請求項2〜4のいずれかに記載の合成方法。
- 反応温度が200〜350℃、反応圧力が常圧〜3MPa、空間速度が100〜2000/hrの条件下でメタノールを触媒と接触させる請求項1〜5のいずれかに記載の合成方法。
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JP2012022858A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 電極の製造方法 |
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