JP2006215493A - Liquid crystal array inspection apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶ディスプレイ等に使われる液晶基板の検査に使用する液晶アレイ検査装置に関し、特に、プローバフレームのプローブピンを液晶基板の電極に接触させて検査信号を供給して当該液晶基板上に形成された液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、プローブピンと電極との接触状態の判定に関する。 The present invention relates to a liquid crystal array inspection apparatus used for inspecting a liquid crystal substrate used in a liquid crystal display or the like, and in particular, an inspection signal is supplied by bringing a probe pin of a prober frame into contact with an electrode of the liquid crystal substrate to provide the inspection signal on the liquid crystal substrate. The present invention relates to determination of a contact state between a probe pin and an electrode in a liquid crystal array inspection apparatus that inspects a formed liquid crystal array.
液晶アレイ基板は、ガラス基板等の基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がマトリックス状に配置されてなるＴＦＴアレイと、このＴＦＴアレイに駆動信号を供給する信号電極とを備え、ＴＦＴアレイはソース電極やゲート電極等の電極を通して供給される信号によって駆動される。 The liquid crystal array substrate includes a TFT array in which thin film transistors (TFTs) are arranged in a matrix on a glass substrate or the like, and a signal electrode that supplies a drive signal to the TFT array. The TFT array includes a source electrode and a gate. It is driven by a signal supplied through an electrode such as an electrode.
液晶ガラス基板に形成されるアレイを検査する装置として、各電極と電気的に接続して検査信号を印加するプローバと検査回路を備えた液晶アレイ検査装置が知られている。液晶アレイ検査装置は、プローバフレームのプローブピンを液晶基板の電極に接触させて検査信号を供給し、このときの液晶アレイの電位状態や電流状態を測定することにより、ゲート−ソース間の短絡、点欠陥、断線等を検査する。 As an apparatus for inspecting an array formed on a liquid crystal glass substrate, a liquid crystal array inspection apparatus having a prober and an inspection circuit that are electrically connected to each electrode and applies an inspection signal is known. The liquid crystal array inspection device supplies probe signals by contacting the probe pins of the prober frame to the electrodes of the liquid crystal substrate, and by measuring the potential state and current state of the liquid crystal array at this time, a short circuit between the gate and the source, Inspect for point defects, disconnection, etc.
液晶アレイを検査する際には、液晶ガラス基板上にプローバフレームを載置し、プローバフレームの下方に備えるプローブピンを液晶ガラス基板の電極に接触させ、このプローブピンと電極との接触によって液晶ガラス基板側とプローバ側とに間を電気的に接続している。 When inspecting the liquid crystal array, a prober frame is mounted on the liquid crystal glass substrate, and probe pins provided below the prober frame are brought into contact with the electrodes of the liquid crystal glass substrate, and the liquid crystal glass substrate is brought into contact with the probe pins and the electrodes. The side and the prober side are electrically connected.
液晶アレイ検査装置によって検査を行うには、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との間の電気的接触が正常であることが求められる。プローバフレームと電極と間に接触不良がある場合、液晶アレイ検査装置は接触不良を液晶アレイの欠陥と誤って判定するおそれがあり、正確な検査が望めないことになる。 In order to perform inspection by the liquid crystal array inspection apparatus, it is required that electrical contact between the probe pin of the prober frame and the electrode of the liquid crystal glass substrate is normal. If there is a contact failure between the prober frame and the electrode, the liquid crystal array inspection apparatus may erroneously determine the contact failure as a defect in the liquid crystal array, and an accurate inspection cannot be expected.
従来、この接触不良を検出する機構として、例えばプローバフレームにコンタクトチェック機能を備えたものが提案されている。このコンタクトチェック機能は、通常の導通検査に用いられるハードウエアによって構成される。 Conventionally, as a mechanism for detecting this contact failure, for example, a prober frame having a contact check function has been proposed. This contact check function is configured by hardware used for a normal continuity test.
コンタクトチェック機能をハードウエアで構成する場合には、当然プローバフレームにハードウエアを設ける必要となり、構成要素が増加するという問題があるほか、液晶ガラス基板のサイズや、基板上に形成されるアレイ構成が変更された場合には、それごとにハードウエアの構成を変更しなければならないという問題もある。 When the contact check function is configured with hardware, naturally it is necessary to provide the prober frame with hardware, which increases the number of components, as well as the size of the liquid crystal glass substrate and the array configuration formed on the substrate. When there is a change, there is a problem that the hardware configuration must be changed accordingly.
そこで、コストの点の他、液晶ガラス基板の変更に対する自由度等の点からも、ハードウエアによらずソフトウエアの構成によって接触不良を検出するものが望ましい。 Therefore, in addition to the cost, it is desirable to detect a contact failure by a software configuration regardless of hardware, from the viewpoint of flexibility in changing the liquid crystal glass substrate.
従来、ソフトウエアによって接触不良を検出する方法として、液晶ガラス基板全体について測定を行って測定データを取得し、測定データをデータ処理して線欠陥を抽出し、その欠陥が繰り返して発生するといった発生状況から判断する方法が知られている。これは、接触不良による発生する測定データには、所定の繰り返しパターンが含まれるという特徴を利用するものである。 Conventionally, as a method of detecting a contact failure by software, measurement is performed on the entire liquid crystal glass substrate to obtain measurement data, and the measurement data is subjected to data processing to extract a line defect, and the defect is repeatedly generated. A method of judging from the situation is known. This utilizes the feature that the measurement data generated due to poor contact includes a predetermined repetitive pattern.
従来知られているソフトウエアによる接触不良の検出方法では、結局、液晶ガラス基板に形成されたアレイについて全て測定を行って欠陥分析を行った後に、その分析データを利用して接触不良を検出するに過ぎず、限られた時間内で接触不良を検出するには不向きである。 In the conventional method for detecting contact failure using software, after all the array formed on the liquid crystal glass substrate is measured and analyzed for defects, the contact data is detected using the analysis data. However, it is not suitable for detecting a contact failure within a limited time.
接触不良の検出では、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することが望まれる。 In the detection of contact failure, it is desired to detect contact failure at the stage of a measurement signal before performing defect analysis.
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、液晶アレイ検査装置において、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との接触不良を、測定信号を信号処理することでソフトウエアによって検出することを目的とする。 Therefore, the present invention solves the above-described conventional problems, and in a liquid crystal array inspection apparatus, a contact failure between a probe pin of a prober frame and an electrode of a liquid crystal glass substrate is detected by software by processing a measurement signal. For the purpose.
また、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することを目的とする。 It is another object of the present invention to detect a contact failure at the stage of a measurement signal before performing defect analysis.
本発明は、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との接触不良を、液晶アレイ検査装置の測定信号を信号処理することでソフトウエアによって自動判定するものであり、液晶ガラス基板の各電極に接続されるソースラインやゲートライン等の複数のラインの中から不良ラインを検出する第１の段階と、検出した不良ラインの本数に基づいて接触不良を判定する第２の段階の２つの段階により行う。 In the present invention, the contact failure between the probe pin of the prober frame and the electrode of the liquid crystal glass substrate is automatically determined by software by processing the measurement signal of the liquid crystal array inspection apparatus. There are two stages: a first stage for detecting a defective line from a plurality of lines such as connected source lines and gate lines, and a second stage for determining a contact failure based on the number of detected defective lines. Do.
この２つの段階は測定信号のソフトウエア処理によって行うことができる。また、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することができる。 These two steps can be performed by software processing of the measurement signal. Also, contact failure can be detected at the stage of the measurement signal before performing the defect analysis.
本発明の液晶アレイ検査装置は、プローバフレームのプローブピンを液晶基板の電極に接触させて検査信号を供給して当該液晶基板上に形成された液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、前記した２つの段階を実行する手段として、液晶アレイの各ラインの測定信号強度を用いて不良ラインを抽出し、各電極に接続されるライン中の不良ラインの本数を求める不良ライン抽出手段と、不良ライン数を用いて電極とプローブピンとの接触状態の良・不良を判定する接触状態判定手段とを備える。 The liquid crystal array inspection apparatus according to the present invention is the liquid crystal array inspection apparatus that inspects the liquid crystal array formed on the liquid crystal substrate by supplying the inspection signal by bringing the probe pin of the prober frame into contact with the electrode of the liquid crystal substrate. As means for executing the two stages, a defective line is extracted by using the measurement signal intensity of each line of the liquid crystal array and the number of defective lines in the lines connected to the respective electrodes is obtained. Contact state determination means for determining whether the contact state between the electrode and the probe pin is good or bad using the number.
ここで、不良ライン抽出手段を構成する第１の態様は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度を用いて当該ラインの平均強度を算出する平均強度演算部と、平均強度と第１のしきい値とを比較する強度比較部と、強度比較部の比較結果に基づいて、接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備える構成とすることができる。 Here, the first aspect constituting the defective line extraction means includes an average intensity calculation unit that calculates the average intensity of the line using the measurement signal intensity of the measurement point included in each line, the average intensity, and the first An intensity comparison unit that compares the threshold value and a defective line counting unit that counts the number of defective lines determined to be poor contact based on the comparison result of the intensity comparison unit can be provided.
測定信号の強度は、接触が良好である場合にはライン内においてばらつきはあるものの、ほぼ所定の強度レベルを中心に分布し、接触が不良である場合には当該強度レベルよりも低いレベルで分布する。第１の態様はこの良・不良による測定信号強度の分布特性を利用するものであり、測定信号強度の分布特性を測定点の測定信号強度の平均強度によって求め、この平均強度を予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。 The intensity of the measurement signal varies within the line when the contact is good, but is distributed around a predetermined intensity level, and when the contact is poor, it is distributed at a level lower than the intensity level. To do. The first mode uses the distribution characteristics of the measurement signal intensity due to the good / bad conditions. The distribution characteristics of the measurement signal intensity are obtained from the average intensity of the measurement signal intensity at the measurement points, and the average intensity is determined in advance. The line is judged to be good or bad by comparing with the threshold value.
平均強度演算部は、各ラインに含まれる測定信号強度の平均値を算出し、平均値の算出処理はソフトウエアによる通常の演算処理により行うことができる。 The average intensity calculation unit calculates an average value of the measurement signal intensity included in each line, and the calculation process of the average value can be performed by a normal calculation process by software.
強度比較部は、平均強度演算部で算出した平均値と第１のしきい値とを比較する。第１のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値に許容値を加えた値、又は接触良好時の測定信号強度の平均値から許容値を差し引いた値により設定する。 The intensity comparison unit compares the average value calculated by the average intensity calculation unit with the first threshold value. The first threshold value is set by a value obtained by adding an allowable value to the average value of the measurement signal intensity at the time of poor contact or a value obtained by subtracting the allowable value from the average value of the measurement signal intensity at the time of good contact.
接触が良好な場合の測定信号強度の平均値は第１のしきい値より大きくなり、接触が不良な場合の測定信号強度の平均値は第１のしきい値よりも小さくなる。強度比較部は平均強度が第１のしきい値よりも小さい場合に、当該ラインを不良ラインとして判定する。 The average value of the measurement signal strength when the contact is good is larger than the first threshold value, and the average value of the measurement signal strength when the contact is bad is smaller than the first threshold value. The intensity comparison unit determines that the line is a defective line when the average intensity is smaller than the first threshold value.
不良ライン計数部は、強度比較部で不良ラインを判定する毎にその本数を計数し、各パネルにおいて電極毎の不良ラインを計数する。 The defective line counting unit counts the number of defective lines each time the intensity comparing unit determines defective lines, and counts defective lines for each electrode in each panel.
また、不良ライン抽出手段を構成する第２の態様は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度と第３のしきい値とを比較する強度比較部と、強度比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する測定点計数部と、接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較する測定点数比較部と、測定点数比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備える構成とすることができる。 Further, the second aspect constituting the defective line extraction means is based on the comparison result of the intensity comparison unit that compares the measurement signal intensity of the measurement point included in each line with the third threshold value, and the intensity comparison unit. Comparison results of a measurement point counting unit that counts the number of measurement points determined to be poor contact, a measurement point comparison unit that compares the count value of the measurement point of poor contact with a fourth threshold value, and a measurement point comparison unit And a defective line counting unit that counts the number of defective lines determined to be poor based on the above.
第２の態様は、一ライン中における測定信号強度の分布範囲は、接触の良・不良によって異なることを利用するものであり、各測定信号強度が予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。 The second mode uses the fact that the distribution range of the measurement signal intensity in one line differs depending on whether the contact is good or bad, and the line is obtained by comparing each measurement signal intensity with a predetermined threshold value. Judgment of good / bad quality.
強度比較部は、各測定信号強度と第３のしきい値とを比較する。第３のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値又は中心値に許容値を加えた値、あるいは接触良好時の測定信号強度の平均値又は中心値から許容値を差し引いた値により設定する。 The intensity comparison unit compares each measurement signal intensity with a third threshold value. The third threshold is a value obtained by adding an allowable value to the average value or the center value of the measurement signal intensity when the contact is poor, or a value obtained by subtracting the allowable value from the average value or the center value of the measurement signal intensity when the contact is good. Set by.
接触が良好な場合の測定信号強度は第３のしきい値より大きくなり、接触が不良な場合の測定信号強度は第３のしきい値よりも小さくなる。強度比較部は測定信号強度が第３のしきい値よりも小さい場合に、当該測定信号を不良して判定する。 The measurement signal strength when the contact is good is larger than the third threshold value, and the measurement signal strength when the contact is bad is smaller than the third threshold value. The intensity comparison unit determines that the measurement signal is defective when the measurement signal intensity is smaller than the third threshold value.
測定点計数部は、強度比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する。 The measurement point counting unit counts the number of measurement points determined to be poor contact based on the comparison result of the strength comparison unit.
一ラインにおいて、当該ラインと接続する電極の接触が良好である場合には、当該ラインにおいて測定信号強度が第３のしきい値を越える測定点の個数は少なく、当該電極の接触が不良である場合には、当該ラインにおいて測定信号強度が第３のしきい値を越える測定点の個数は多くなる。 When the contact of the electrode connected to the line is good in one line, the number of measurement points where the measurement signal intensity exceeds the third threshold in the line is small, and the contact of the electrode is poor. In this case, the number of measurement points at which the measurement signal intensity exceeds the third threshold value in the line increases.
測定点数比較部は、測定点計数部で計数した接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較し、計数値が第４のしきい値よりも大きい場合に当該ラインを不良ラインと判定する。 The measurement point comparison unit compares the count value of the measurement point of contact failure counted by the measurement point counting unit with the fourth threshold value, and if the count value is larger than the fourth threshold value, the line is defective. Judge as a line.
本発明の接触状態判定手段は、不良ライン計数部が計数した不良ライン数と第２のしきい値とを比較するライン数比較部を備える。ライン数比較部は、電極と接続するラインの内で不良ライン数が第２のしきい値が定める範囲内である場合に接触状態を接触不良と判定する。 The contact state determination means of the present invention includes a line number comparison unit that compares the number of defective lines counted by the defective line counting unit with a second threshold value. The line number comparison unit determines that the contact state is a contact failure when the number of defective lines among the lines connected to the electrodes is within a range determined by the second threshold value.
接触不良と判定する範囲は、上限値と下限値とを含む第２のしきい値により設定することができ、不良ライン数が上限値を越える場合にはパネルに欠陥が存在すると判定し、不良ライン数が上限値と下限値との間である場合には接触不良であると判定し、不良ライン数が下限値以下の場合には接触は良好であると判定する。 The range for determining a contact failure can be set by a second threshold value including an upper limit value and a lower limit value. If the number of defective lines exceeds the upper limit value, it is determined that a defect exists in the panel, When the number of lines is between the upper limit value and the lower limit value, it is determined that the contact is poor, and when the number of defective lines is equal to or less than the lower limit value, it is determined that the contact is good.
本発明によれば、液晶アレイ検査装置において、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との接触不良を、測定信号を信号処理することでソフトウエアによって検出することができる。 According to the present invention, in the liquid crystal array inspection apparatus, the contact failure between the probe pin of the prober frame and the electrode of the liquid crystal glass substrate can be detected by software by processing the measurement signal.
また、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することができる。 Also, contact failure can be detected at the stage of the measurement signal before performing the defect analysis.
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１は本発明の液晶アレイ検査装置を説明するために各構成部分を分離して示した概略図である。 FIG. 1 is a schematic view showing the components separated to explain the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention.
液晶ガラス基板２１の基板上にはアレイが生成されたパネル２３ａ〜２３ｄが形成されている。この液晶ガラス基板２１の各パネル２３ａ〜２３ｄのサイズや配置、パネル上に生成されるアレイのレイアウト、電極、配線パターン等は仕様に応じて種々に設定される。アレイには薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がマトリックス状に生成され、各薄膜トランジスタを駆動する電極端子が形成され、また、アレイの外側にはプローバフレーム１にプローブピン２と電気的に接続するための電極２２が形成される。 On the substrate of the liquid crystal glass substrate 21, panels 23a to 23d in which arrays are generated are formed. The size and arrangement of the panels 23a to 23d of the liquid crystal glass substrate 21, the layout of the array generated on the panel, electrodes, wiring patterns, and the like are variously set according to specifications. Thin film transistors (TFTs) are formed in a matrix on the array, electrode terminals for driving each thin film transistor are formed, and electrodes 22 for electrically connecting probe pins 2 to the prober frame 1 are provided outside the array. It is formed.
本発明のプローバは、液晶ガラス基板２１に検査信号を印加するためのプローバフレーム１を備え、このプローバフレーム１には液晶ガラス基板２１の電極２２と接触して電気的に接続するためのプローブピン２を備える。プローブピン２のピン数及び配列は、液晶ガラス基板２１の電極２２に対応して設けられる。プローバフレーム１は、例えばアルミニウムやＳＵＳ等の金属材料で形成される。 The prober of the present invention includes a prober frame 1 for applying an inspection signal to a liquid crystal glass substrate 21, and probe pins for contacting and electrically connecting to the electrodes 22 of the liquid crystal glass substrate 21 to the prober frame 1. 2 is provided. The number and arrangement of the probe pins 2 are provided corresponding to the electrodes 22 of the liquid crystal glass substrate 21. The prober frame 1 is formed of a metal material such as aluminum or SUS, for example.
液晶ガラス基板２１のアレイ検査を行うには、ステージ（図示しない）上に液晶ガラス基板２１を配置し、さらに液晶ガラス基板２１上にプローバフレーム１を載置し、プローブピン２を電極２２に電気的に接触させ（図１（ａ））、液晶ガラス基板２１に検査信号を供給して所定の駆動パターンで駆動する。 In order to perform an array inspection of the liquid crystal glass substrate 21, the liquid crystal glass substrate 21 is placed on a stage (not shown), the prober frame 1 is placed on the liquid crystal glass substrate 21, and the probe pins 2 are electrically connected to the electrodes 22. The inspection signal is supplied to the liquid crystal glass substrate 21 and driven with a predetermined drive pattern (FIG. 1A).
この液晶ガラス基板２１に対して電子源３から電子線を照射し、アレイから放出される二次電子を検出器４で検出する。測定装置１０は、検出信号を用いてアレイの欠陥分析を行う（図１（ｂ））。 The liquid crystal glass substrate 21 is irradiated with an electron beam from the electron source 3, and secondary electrons emitted from the array are detected by the detector 4. The measuring apparatus 10 performs array defect analysis using the detection signal (FIG. 1B).
パネル上で電子線を走査させ、検出器４は走査に伴って検出することにより、パネル上の二次元の測定信号強度の分布を取得する。本発明の液晶アレイ検査装置において、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との電気的接触の良否判定は、このパネル上の測定信号強度を二次元データ（イメージデータ）から縦方向、横方向のライン方向で測定信号強度を読み出し、これらのライン上の測定信号強度を用いることで電極の良否判定を行う。この縦方向のラインを用いた良否判定は、例えばパネルのゲート電極の良否判定に対応し、横方向のラインを用いた良否判定は、例えばパネルのソース電極の良否判定に対応する。 An electron beam is scanned on the panel, and the detector 4 detects the scanning along with the scanning, thereby obtaining a two-dimensional measurement signal intensity distribution on the panel. In the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention, whether or not the electrical contact between the probe pin of the prober frame and the electrode of the liquid crystal glass substrate is determined is determined by measuring the intensity of the measurement signal on the panel from two-dimensional data (image data) in the vertical and horizontal directions. The measurement signal intensity is read out in the line direction, and the quality of the electrode is determined by using the measurement signal intensity on these lines. The quality determination using the vertical line corresponds to, for example, the quality determination of the gate electrode of the panel, and the quality determination using the horizontal line corresponds to, for example, the quality determination of the source electrode of the panel.
本発明による電極の良否判定の概略構成を図２の概略ブロック図を用いて説明する。 A schematic configuration of electrode quality determination according to the present invention will be described with reference to a schematic block diagram of FIG.
本発明による電極の良否判定は、接触不良ラインを抽出する第１の段階と、電極の良・不良の判定する第２の段階からなる。 The electrode quality determination according to the present invention includes a first stage for extracting a contact failure line and a second stage for determining the quality of the electrode.
第１の段階は接触不良ラインの抽出であり、液晶ガラス基板の各電極に接続されるソースラインやゲートライン等の複数のラインの中から不良ラインを検出する。液晶ガラス基板に設けられる電極には複数のラインが接続され、当該電極での接触が不良である場合には、これらラインで検出される測定信号強度は正常な接触状態に比較して低下する。各ラインについて測定信号強度を正常な接触状態の場合と比較することによって、当該ラインが正常であるか否かを判定し、接触不良のラインを抽出する。 The first step is the extraction of defective contact lines, where defective lines are detected from a plurality of lines such as source lines and gate lines connected to the respective electrodes of the liquid crystal glass substrate. When a plurality of lines are connected to the electrodes provided on the liquid crystal glass substrate and the contact at the electrodes is poor, the measurement signal intensity detected at these lines is lower than that in a normal contact state. By comparing the measurement signal intensity for each line with that in a normal contact state, it is determined whether or not the line is normal, and a line with poor contact is extracted.
第２の段階は電極の良・不良の判定であり、第１の段階で抽出した接触不良のラインの本数に基づいて接触不良を判定する。一つの電極には複数のラインが接続されており、これら複数のラインの多くが接触不良と判定されている場合には、当該電極に接触不良が発生していると判定し、接触不良と判定されるライン数が少ない場合には、当該電極には接触不良が発生していないと判定する。 The second stage is to determine whether the electrode is good or bad. The poor contact is determined based on the number of poor contact lines extracted in the first stage. When a plurality of lines are connected to one electrode and many of the plurality of lines are determined to have poor contact, it is determined that contact failure has occurred in the electrode, and it is determined to have poor contact. When the number of lines to be applied is small, it is determined that no contact failure has occurred in the electrode.
上記の各段階は、検出器が検出した測定信号を用いて行うため、欠陥検査を行う前の段階で行うことができる。 Since each of the above steps is performed using the measurement signal detected by the detector, it can be performed before the defect inspection.
２つの段階を実行する手段として、液晶アレイの各ラインの測定信号強度を用いて不良ラインを抽出し、各電極に接続されるライン中の不良ラインの本数を求める不良ライン抽出手段１２と、不良ライン数を用いて電極とプローブピンとの接触状態の良・不良を判定する接触状態判定手段１３とを備える。 As means for executing the two stages, a defective line is extracted by using the measurement signal intensity of each line of the liquid crystal array and the number of defective lines in the lines connected to each electrode is obtained. Contact state determination means 13 is provided for determining whether the contact state between the electrode and the probe pin is good or bad using the number of lines.
次に、本発明の液晶アレイ検査装置の第１の態様について、図３〜図９を用いて説明する。 Next, a first aspect of the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.
図３は本発明の液晶アレイ検査装置の第１の態様の構成を説明するための概略ブロック図である。 FIG. 3 is a schematic block diagram for explaining the configuration of the first aspect of the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention.
液晶アレイ検査装置の第１の態様は、電極の良・不良による各ラインの測定信号強度の分布特性を利用する態様であり、測定信号強度の分布特性を測定点の測定信号強度の平均強度によって求め、この平均強度を予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。 The first aspect of the liquid crystal array inspection apparatus is an aspect in which the distribution characteristic of the measurement signal intensity of each line due to the quality of the electrodes is used, and the distribution characteristic of the measurement signal intensity is determined by the average intensity of the measurement signal intensity at the measurement point. The line is determined to be good / bad by comparing the average intensity with a predetermined threshold value.
第１の態様による構成は、測定データ記憶部１１と、不良ライン抽出手段１２と、接触状態判定手段１３と、判定データ記憶部１４を備える。 The configuration according to the first aspect includes a measurement data storage unit 11, a defective line extraction unit 12, a contact state determination unit 13, and a determination data storage unit 14.
測定データ記憶部１１は、検出器４による測定信号強度を液晶ガラス基板のパネル毎に記憶する。測定データはシグナルイメージの形態で記憶され、例えば各パネルの二次元配列で記憶される。 The measurement data storage unit 11 stores the measurement signal intensity from the detector 4 for each panel of the liquid crystal glass substrate. The measurement data is stored in the form of a signal image, for example, stored in a two-dimensional array of each panel.
不良ライン抽出手段１２は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度を用いて当該ラインの平均強度を算出する平均強度演算部１２ａと、平均強度と第１のしきい値とを比較する強度比較部１２ｂと、強度比較部１２ｂの比較結果に基づいて、接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部１２ｃとを備える。 The defective line extraction unit 12 uses the measurement signal intensity at the measurement points included in each line to calculate the average intensity of the line, and an intensity for comparing the average intensity with the first threshold value. A comparison unit 12b and a defective line counting unit 12c that counts the number of defective lines determined to be poor contact based on the comparison result of the strength comparison unit 12b are provided.
平均強度演算部１２ａは、測定データ記憶部１１に記憶される測定信号強度をラインデータとして読み込み、各ラインの測定信号強度の平均値をソフトウエアによる演算処理によって算出する。 The average intensity calculation unit 12a reads the measurement signal intensity stored in the measurement data storage unit 11 as line data, and calculates the average value of the measurement signal intensity of each line by calculation processing by software.
強度比較部１２ｂは、平均強度演算部１２ａで算出した平均値を判定データ記憶部１４に記憶する第１のしきい値と比較し、当該ラインの良否判定を行う。 The intensity comparison unit 12b compares the average value calculated by the average intensity calculation unit 12a with the first threshold value stored in the determination data storage unit 14, and determines the quality of the line.
図４は、ラインの良否判定を説明するための図である。第１のしきい値は、例えば接触不良時の測定信号強度の平均値に許容値を加えた値（図４（ａ））、あるいは接触良好時の測定信号強度の平均値から許容値を差し引いた値（図４（ｂ））により設定することができる。 FIG. 4 is a diagram for explaining line quality determination. The first threshold value is, for example, a value obtained by adding an allowable value to the average value of the measurement signal intensity at the time of poor contact (FIG. 4A), or subtracting the allowable value from the average value of the measurement signal intensity at the time of good contact. This value can be set according to the value (FIG. 4B).
図４（ｃ）において、接触が良好な場合には、測定値３０の平均強度３１は第１のしきい値３２より大となる。強度比較部１２ｂによる比較において、平均強度３１が第１のしきい値３２より大の場合には当該ラインは“良”と判定される。 In FIG. 4C, when the contact is good, the average intensity 31 of the measured value 30 is larger than the first threshold value 32. In the comparison by the intensity comparison unit 12b, when the average intensity 31 is larger than the first threshold value 32, the line is determined to be “good”.
一方、図４（ｄ）において、接触が不良な場合には、測定値３０の平均強度３１は第１のしきい値３２より小となる。強度比較部１２ｂによる比較において、平均強度３１が第１のしきい値３２より小の場合には当該ラインは“不良”と判定される。 On the other hand, in FIG. 4D, when the contact is poor, the average intensity 31 of the measured value 30 is smaller than the first threshold value 32. In the comparison by the intensity comparison unit 12b, when the average intensity 31 is smaller than the first threshold value 32, the line is determined to be “defective”.
接触状態判定手段１３は、不良ライン計数部１２ｃが計数した不良ライン数と第２のしきい値とを比較するライン数比較部１３ａを備える。 The contact state determination unit 13 includes a line number comparison unit 13a that compares the number of defective lines counted by the defective line counting unit 12c with a second threshold value.
図５は不良ライン数による接触状態の判定を説明するための図である。図５（ａ）において、電極ａ，ｂにはそれぞれ複数のライン（ソースライン、ゲートライン）が接続される。各ラインは、前記不良ライン抽出手段１２によって良否判定される。不良ライン計数部１２ｃは、不良ラインと判定したラインに本数を計数している。ここで、電極ａに接続されるラインの内で不良ラインと判定された本数をＮａ本、電極ｂに接続されるラインの内で不良ラインと判定された本数をＮｂ本とする。 FIG. 5 is a diagram for explaining determination of a contact state based on the number of defective lines. In FIG. 5A, a plurality of lines (source line and gate line) are connected to the electrodes a and b, respectively. The quality of each line is judged by the defective line extraction means 12. The defective line counting unit 12c counts the number of lines determined to be defective lines. Here, the number of lines determined to be defective among the lines connected to the electrode a is Na, and the number of lines determined to be defective among the lines connected to the electrode b is Nb.
ライン数比較部１３ａは、不良ライン数と第２のしきい値とを比較する。第２のしきい値は、例えば図５（ｂ）に示すように、 “接触良”と“接触不良”とを識別する値Ｎ１と、“接触不良”と“パネル不良” とを識別する値Ｎ２を備える。 The line number comparison unit 13a compares the number of defective lines with the second threshold value. For example, as shown in FIG. 5B, the second threshold value is a value N1 that identifies “good contact” and “bad contact”, and a value that identifies “bad contact” and “panel failure”. N2 is provided.
ここで、不良ライン数ＮａがＮ１以下の場合には“接触良”と判定し、不良ライン数ＮｂがＮ１とＮ２との範囲内である場合には“接触不良”と判定し、不良ライン数がＮ２を越える場合には“パネル不良”と判定する。 Here, when the number of defective lines Na is N1 or less, it is determined as “contact good”, and when the number of defective lines Nb is within the range between N1 and N2, it is determined as “contact defective” and the number of defective lines. Is greater than N2, it is determined that the panel is defective.
また、判定データ記憶部１４は、不良ライン抽出手段１２による不良ラインの抽出に用いる第１のしきい値と、接触状態判定手段１３による電極状態の判定に用いる第２のしきい値を備える。 Further, the determination data storage unit 14 includes a first threshold value used for extraction of a defective line by the defective line extraction unit 12 and a second threshold value used for determination of an electrode state by the contact state determination unit 13.
次に、不良ライン抽出手段の動作について図６のフローチャートを用いて説明し、接触状態判定手段の動作について図７のフローチャートを用いて説明する。また、図８，９は不良ラインの抽出と接触状態判定を説明するための図である。 Next, the operation of the defective line extraction unit will be described with reference to the flowchart of FIG. 6, and the operation of the contact state determination unit will be described with reference to the flowchart of FIG. 8 and 9 are diagrams for explaining defective line extraction and contact state determination.
はじめに、プローバフレームを液晶ガラス基板上に載置し、プローブピンを液晶ガラス基板上の電極に当て（S1a)、プローバフレームに検査信号を印加して検出器から測定信号を取得し（S1b）、取得した測定信号の強度データを測定データ記憶部に記憶する。測定データ記憶部では、液晶ガラス基板上にパネル毎にシグナルイメージとしてパネルの二次元配列と対応可能に記憶する（S1c）。 First, the prober frame is placed on the liquid crystal glass substrate, the probe pin is applied to the electrode on the liquid crystal glass substrate (S1a), the test signal is applied to the prober frame to obtain the measurement signal from the detector (S1b), The intensity data of the acquired measurement signal is stored in the measurement data storage unit. In the measurement data storage unit, a signal image is stored for each panel on the liquid crystal glass substrate so as to be compatible with the two-dimensional array of panels (S1c).
少なくとも一パネルについて測定信号を記憶した後、電極の良否を行うパネルを選択する（S1d）。選択したパネルにおいて横方向あるいは縦方向の一ラインを選択する。横方向のラインは例えばソース電極に接続されるラインに関わり、縦方向のラインは例えばゲート電極に接続されるラインに関わる（S1ｅ）。 After storing the measurement signal for at least one panel, a panel for performing electrode quality is selected (S1d). Select one line in the horizontal or vertical direction on the selected panel. The horizontal line relates to, for example, a line connected to the source electrode, and the vertical line relates to, for example, a line connected to the gate electrode (S1e).
選択した一ライン分のラインデータ（測定信号強度）を測定データ記憶部から読み出し（S1ｆ）、平均強度を演算する（S1ｇ）。ライン不良判定用の強度データを判定データ記憶部から読み出し（S1h）、演算で求めた平均強度を読み出したライン不良判定用の強度データと比較する（S1i）。 The selected line data (measurement signal intensity) for one line is read from the measurement data storage unit (S1f), and the average intensity is calculated (S1g). The line defect determination intensity data is read from the determination data storage unit (S1h), and the average intensity obtained by the calculation is compared with the read line defect determination intensity data (S1i).
比較の結果、平均強度が判定強度よりも大きい場合には（S1j）、良ラインと判定する（S1k）。一方、平均強度が判定強度よりも小さい場合には（S1j）、不良ラインと判定し（S1L）、不良ライン数を計数する（S1m）。 As a result of the comparison, when the average intensity is larger than the determination intensity (S1j), it is determined as a good line (S1k). On the other hand, when the average intensity is smaller than the determination intensity (S1j), it is determined as a defective line (S1L), and the number of defective lines is counted (S1m).
上記した（S1e）〜（S1m）の工程を、１パネルに含まれる全ライン（横方向のラインと縦方向のライン）について行って、全ライン中の不良ラインの本数を計数する（S1n）。 The above-described steps (S1e) to (S1m) are performed for all lines (horizontal line and vertical line) included in one panel, and the number of defective lines in all lines is counted (S1n).
次に、電極の良否判定を行う。電極の良否判定は、計数した不良ラインの本数を読み出し（S2a）、接触不良判定用のライン数データを判定データ記憶部から読み出し（S2b）、不良ラインの本数を接触不良判定用のライン数データと比較する（S2c）。 Next, the quality of the electrode is determined. To determine whether or not an electrode is good, read the number of defective lines counted (S2a), read line number data for contact failure judgment from the judgment data storage unit (S2b), and determine the number of defective lines as line number data for contact failure judgment. Compare with (S2c).
比較の結果、不良ライン数が判定データよりも小さい場合には（S2d）、接触良の電極と判定する（S2e）。一方、不良ライン数が判定データよりも大きい場合には（S2d）、接触不良の電極と判定し（S2f）、判定結果を表示する（S2g）。これにより、一パネル内の電極の接触の良否判定を行うことができる。 As a result of comparison, when the number of defective lines is smaller than the determination data (S2d), it is determined that the electrode is in good contact (S2e). On the other hand, when the number of defective lines is larger than the determination data (S2d), it is determined as an electrode with poor contact (S2f), and the determination result is displayed (S2g). Thereby, the quality determination of the contact of the electrode in one panel can be performed.
（S1d）〜（S2g）の各工程を繰り返すことによって、液晶ガラス基板上に生成される全パネルが備える電極について電極の接触の良否判定を行う。 By repeating the steps (S1d) to (S2g), the electrode contact quality is determined for the electrodes included in all the panels generated on the liquid crystal glass substrate.
ここで、図８はソース電極の接触の良否判定を行う場合を示し、図９はゲート電極の接触の良否判定を行う場合を示している。 Here, FIG. 8 shows a case where the quality of the contact of the source electrode is judged, and FIG. 9 shows a case where the quality of the contact of the gate electrode is judged.
図８のソース電極の接触の良否判定では、例えばソース電極Saに接続される複数のソースラインについて、平均強度ｍsa1〜ｍsa4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭsと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎsa本を判定データＮsと比較し、Ｎsa＜Ｎsから接触良と判定する。 In the determination of the contact quality of the source electrode in FIG. 8, for example, average intensities msa1 to msa4,... Are calculated for a plurality of source lines connected to the source electrode Sa, and the line is compared with the intensity data Ms for determining line defects The pass / fail judgment is performed. In this line quality determination, the number Nsa of defective lines is compared with the determination data Ns, and it is determined that contact is good from Nsa <Ns.
また、ソース電極Sbに接続される複数のソースラインについて、平均強度ｍsb1〜ｍsb4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎsb本を判定データＮsと比較し、Ｎsb＞Ｎsから接触不良と判定する。 Further, average intensities msb1 to msb4,... Are calculated for a plurality of source lines connected to the source electrode Sb, and the quality of the lines is determined by comparing with the intensity data M for determining line defects. In this line pass / fail determination, the number Nsb of defective lines is compared with the determination data Ns, and contact failure is determined from Nsb> Ns.
図９のゲート電極の接触の良否判定では、例えばゲート電極Gaに接続される複数のゲートラインについて、平均強度ｍga1〜ｍga4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭgと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎga本を判定データＮgと比較し、Ｎga＜Ｎgから接触良と判定する。 In the determination of the quality of the contact of the gate electrode in FIG. 9, for example, average intensities mga1 to mga4,... Are calculated for a plurality of gate lines connected to the gate electrode Ga, and compared with the intensity data Mg for line defect determination. The pass / fail judgment is performed. In this line quality determination, the number Nga of defective lines is compared with the determination data Ng, and it is determined that contact is good from Nga <Ng.
また、ゲート電極Gbに接続される複数のゲートラインについて、平均強度ｍgb1〜ｍgb4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭgと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎgb本を判定データＮgと比較し、Ｎgb＞Ｎgから接触不良と判定する。 Further, average intensities mcb1 to mcb4,... Are calculated for a plurality of gate lines connected to the gate electrode Gb, and the quality of the lines is determined by comparing with the intensity data Mg for determining line defects. In this line pass / fail determination, the number of defective lines Ngb is compared with the determination data Ng, and contact failure is determined from Ngb> Ng.
次に、本発明の液晶アレイ検査装置の第２の態様について、図１０〜図１２を用いて説明する。 Next, a second aspect of the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.
図１０は本発明の液晶アレイ検査装置の第２の態様の構成を説明するための概略ブロック図である。 FIG. 10 is a schematic block diagram for explaining the configuration of the second aspect of the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention.
液晶アレイ検査装置の第２の態様は、一ライン中における各測定信号強度を予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。 The second aspect of the liquid crystal array inspection apparatus determines the quality of a line by comparing each measurement signal intensity in one line with a predetermined threshold value.
第２の態様による構成は、第１の態様と同様に、測定データ記憶部１１と、不良ライン抽出手段１２と、接触状態判定手段１３と、判定データ記憶部１４を備え、第１の態様とは不良ライン抽出手段１２の構成、判定データ記憶部１４に記憶するデータの点で相違し、その他の構成については第１の態様と同様である。 Similar to the first mode, the configuration according to the second mode includes a measurement data storage unit 11, a defective line extraction unit 12, a contact state determination unit 13, and a determination data storage unit 14, and the first mode is the same as the first mode. Are different in the configuration of the defective line extraction unit 12 and the data stored in the determination data storage unit 14, and the other configurations are the same as those in the first mode.
以下、第１の態様と相違する構成についてのみ説明し、共通する構成については説明を省略する。 Hereinafter, only the configuration different from the first embodiment will be described, and description of the common configuration will be omitted.
第２の態様が備える不良ライン抽出手段１２は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度と第３のしきい値とを比較する強度比較部１２ｄと、強度比較部１２ｄの比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する測定点計数部１２ｅと、接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較する測定点数比較部１２ｆと、測定点数比較部１２ｆの比較結果に基づいて接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部１２ｇとを備える。 The defective line extraction means 12 included in the second aspect is based on the comparison result of the intensity comparison unit 12d that compares the measurement signal intensity of the measurement point included in each line with the third threshold value, and the intensity comparison unit 12d. The measurement point counting unit 12e that counts the number of measurement points determined to be poor contact, the measurement point comparison unit 12f that compares the count value of the measurement point of contact failure with the fourth threshold value, and the measurement point comparison unit 12f And a defective line counting unit 12g that counts the number of defective lines determined to be poor contact based on the comparison result.
強度比較部１２ｄは、各測定信号強度と第３のしきい値とを比較する。第３のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値又は中心値に許容値を加えた値、あるいは接触良好時の測定信号強度の平均値又は中心値から許容値を差し引いた値により設定する。 The intensity comparison unit 12d compares each measurement signal intensity with the third threshold value. The third threshold is a value obtained by adding an allowable value to the average value or the center value of the measurement signal intensity when the contact is poor, or a value obtained by subtracting the allowable value from the average value or the center value of the measurement signal intensity when the contact is good. Set by.
接触が良好な場合の測定信号強度は第３のしきい値より大きくなり、接触が不良な場合の測定信号強度は第３のしきい値よりも小さくなる。強度比較部は測定信号強度が第３のしきい値よりも小さい場合に、当該測定信号を不良して判定する。 The measurement signal strength when the contact is good is larger than the third threshold value, and the measurement signal strength when the contact is bad is smaller than the third threshold value. The intensity comparison unit determines that the measurement signal is defective when the measurement signal intensity is smaller than the third threshold value.
図１１は、ラインの良否判定を説明するための図である。第３のしきい値は、例えば接触不良時の基準強度（測定信号強度の平均値又は中心値）に許容値を加えた値（図１１（ａ））、あるいは接触良好時の基準強度（測定信号強度の平均値又は中心値）から許容値を差し引いた値（図１１（ｂ））により設定することができる。 FIG. 11 is a diagram for explaining line quality determination. The third threshold value is, for example, a value obtained by adding an allowable value to the reference strength (average value or center value of the measurement signal strength) at the time of poor contact, or the reference strength (measurement when the contact is good). It can be set by a value (FIG. 11B) obtained by subtracting an allowable value from the average value or the central value of the signal intensity.
図１１（ｃ）において、接触が良好な場合には、各測定値３０は第３のしきい値３３より大となる。強度比較部１２ｂによる比較において、測定値３０が第３のしきい値３３より小となる測定点を抽出し、一ライン中において不良と判定される測定点の個数を計数部１２ｅで計数する。測定点数比較部１２ｆは、計数部１２ｅで計数した測定点の個数n1を第４のしきい値と比較し、個数n1が第４のしきい値Ｎより小である場合には当該ラインは“良”と判定される。 In FIG. 11C, when the contact is good, each measured value 30 becomes larger than the third threshold value 33. In the comparison by the intensity comparison unit 12b, the measurement points where the measurement value 30 is smaller than the third threshold value 33 are extracted, and the number of measurement points determined to be defective in one line is counted by the counting unit 12e. The measurement point number comparison unit 12f compares the number n1 of measurement points counted by the counting unit 12e with a fourth threshold value. If the number n1 is smaller than the fourth threshold value N, the line is “ It is determined as “good”.
一方、図１１（ｄ）において、接触が不良な場合には、測定値３０は第３のしきい値３３より小となる。強度比較部１２ｂによる比較において、測定値３０が第３のしきい値３３より小となる測定点を抽出し、一ライン中において不良と判定される測定点の個数を計数部１２ｅで計数する。測定点数比較部１２ｆは、計数部１２ｅで計数した測定点の個数n1を第４のしきい値と比較し、個数n1が第４のしきい値Ｎより大である場合には当該ラインは“不良”と判定される。 On the other hand, in FIG. 11D, when the contact is poor, the measured value 30 is smaller than the third threshold value 33. In the comparison by the intensity comparison unit 12b, the measurement points where the measurement value 30 is smaller than the third threshold value 33 are extracted, and the number of measurement points determined to be defective in one line is counted by the counting unit 12e. The measurement point number comparison unit 12f compares the number n1 of measurement points counted by the counting unit 12e with a fourth threshold value, and when the number n1 is larger than the fourth threshold value N, the line is “ It is determined as “bad”.
判定データ記憶部１４は、不良ライン抽出手段１２による不良ラインの抽出に用いる第３のしきい値と第４のしきい値、接触状態判定手段１３による電極状態の判定に用いる第２のしきい値を備える。 The determination data storage unit 14 includes a third threshold value and a fourth threshold value that are used for extracting defective lines by the defective line extracting unit 12, and a second threshold value that is used for determining the electrode state by the contact state determining unit 13. With value.
次に、第２の態様の不良ライン抽出手段の動作について図１２のフローチャートを用いて説明する。図１２に示すフローチャートは、前記図６のフローチャート中の（S1g）〜（S1j）の工程において相違し、その他の工程は共通している。 Next, the operation of the defective line extraction means of the second aspect will be described using the flowchart of FIG. The flowchart shown in FIG. 12 is different in the steps (S1g) to (S1j) in the flowchart of FIG. 6, and the other steps are common.
以下では、第１の態様と相違するいかでは（S1G）〜（S1J）の工程についてのみ説明し、その他の工程については説明を省略する。 Hereinafter, only the steps (S1G) to (S1J) that are different from the first embodiment will be described, and description of the other steps will be omitted.
選択した一ライン分のラインデータ（測定信号強度）を測定データ記憶部から読み出した後（S1ｆ）、測定値を第３のしきい値と比較し（S1G）、第３のしきい値を下回る測定点の個数を計数する（S1H）。計数値を第４のしきい値と比較する（S1I）。 After reading the selected line data (measurement signal intensity) from the measurement data storage unit (S1f), the measured value is compared with the third threshold value (S1G) and falls below the third threshold value. Count the number of measurement points (S1H). The count value is compared with a fourth threshold value (S1I).
比較の結果、計数値が第４のしきい値よりも小さい場合には（S1J）、接触良ラインと判定する（S1K）。一方、計数値が第４のしきい値よりも大きい場合には（S1J）、不良ラインと判定し（S1L）、不良ライン数を計数する（S1m）。 As a result of the comparison, when the count value is smaller than the fourth threshold value (S1J), it is determined as a good contact line (S1K). On the other hand, when the count value is larger than the fourth threshold value (S1J), it is determined as a defective line (S1L), and the number of defective lines is counted (S1m).
なお、前記した各態様のしきい値は一例であり、液晶ガラス基板やパネルの仕様に応じて変更することができる。本発明の液晶アレイ検査装置によれば、全ての処理をソフトウエアにより行うため、ハードウエアを追加することなく接触の良否判定を行うことができる。 In addition, the threshold value of each aspect mentioned above is an example, and can be changed according to the specification of a liquid crystal glass substrate or a panel. According to the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention, since all processing is performed by software, it is possible to determine whether or not the contact is good without adding hardware.
また、本発明の液晶アレイ検査装置による測定信号の平均強度の演算は、欠陥抽出の処理と比較して処理の容易さや計算時間等の点において優れている。 In addition, the calculation of the average intensity of the measurement signal by the liquid crystal array inspection apparatus of the present invention is superior in processing easiness, calculation time and the like as compared with the defect extraction processing.
本発明の液晶パネルのほか、有機ＥＬパネルの検査等に適用することができる。 In addition to the liquid crystal panel of the present invention, it can be applied to inspection of an organic EL panel.
１…プローバフレーム、２…プローブピン、３…電子源、４…検出器、１０…測定装置、１１…測定データ記憶部、１２…不良ライン抽出手段、１２ａ…平均強度演算部、１２ｂ…強度比較部、１２ｃ…不良ライン計数部、１２ｄ…強度比較部、１２ｅ…測定点計数部、１２ｆ…測定点数比較部、１２ｇ…不良ライン計数部、１３…電極状態判定手段、１３ａ…不良ライン数比較部、１４…判定データ記憶部、１４ａ…第１のしきい値、１４ｂ…第２のしきい値、１４ｃ…第３のしきい値、１４ｄ…第４のしきい値、２１…液晶ガラス基板、２２…電極、２３ａ〜２３ｄ…パネル、３０…測定値、３１…平均強度、３２…第１のしきい値、３３…第３のしきい値。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Prober frame, 2 ... Probe pin, 3 ... Electron source, 4 ... Detector, 10 ... Measuring apparatus, 11 ... Measurement data storage part, 12 ... Defective line extraction means, 12a ... Average intensity calculating part, 12b ... Intensity comparison , 12c: defective line counting unit, 12d: intensity comparing unit, 12e: measuring point counting unit, 12f: measuring point number comparing unit, 12g: defective line counting unit, 13: electrode state determining means, 13a: defective line number comparing unit 14 ... Determination data storage unit, 14a ... First threshold value, 14b ... Second threshold value, 14c ... Third threshold value, 14d ... Fourth threshold value, 21 ... Liquid crystal glass substrate, 22 ... Electrode, 23a-23d ... Panel, 30 ... Measurement, 31 ... Average intensity, 32 ... 1st threshold value, 33 ... 3rd threshold value.
Claims (7)
前記液晶アレイの各ラインの測定信号強度を用いて不良ラインを抽出し、各電極に接続されるライン中の不良ラインの本数を求める不良ライン抽出手段と、
前記不良ライン数を用いて前記電極と前記プローブピンとの接触状態の良・不良を判定する接触状態判定手段とを備えることを特徴とする、液晶アレイ検査装置。 In a liquid crystal array inspection apparatus for inspecting a liquid crystal array formed on the liquid crystal substrate by supplying a probe signal by contacting a probe pin of a prober frame with an electrode of the liquid crystal substrate,
A defective line extracting means for extracting a defective line using the measurement signal intensity of each line of the liquid crystal array and obtaining the number of defective lines in the line connected to each electrode;
A liquid crystal array inspection apparatus comprising: a contact state determination unit that determines whether the contact state between the electrode and the probe pin is good or bad using the number of defective lines.
各ラインに含まれる測定点の測定信号強度を用いて当該ラインの平均強度を算出する平均強度演算部と、
前記平均強度と第１のしきい値とを比較する強度比較部と、
前記強度比較部の比較結果に基づいて、接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の液晶アレイ検査装置。 The defective line extraction means includes
An average intensity calculator that calculates the average intensity of the line using the measurement signal intensity of the measurement points included in each line;
An intensity comparison unit for comparing the average intensity with a first threshold;
The liquid crystal array inspection apparatus according to claim 1, further comprising: a defective line counting unit that counts the number of defective lines determined to be poor contact based on a comparison result of the strength comparing unit.
前記強度比較部は、前記平均強度演算部が算出した平均強度が第１のしきい値よりも小さい場合に、当該ラインを不良ラインと判定することを特徴とする請求項２に記載の液晶アレイ検査装置。 The first threshold is set by a value obtained by adding an allowable value to the average value of the measurement signal intensity at the time of poor contact, or a value obtained by subtracting the allowable value from the average value of the measurement signal intensity at the time of good contact,
The liquid crystal array according to claim 2, wherein the intensity comparison unit determines that the line is a defective line when the average intensity calculated by the average intensity calculation unit is smaller than a first threshold value. Inspection device.
各ラインに含まれる測定点の測定信号強度と第３のしきい値とを比較する強度比較部と、
前記強度比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する測定点計数部と、
前記接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較する測定点数比較部と、
前記測定点数比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の液晶アレイ検査装置。 The defective line extraction means is
An intensity comparison unit for comparing the measurement signal intensity at the measurement point included in each line with the third threshold value;
A measurement point counting unit that counts the number of measurement points determined to be poor contact based on the comparison result of the strength comparison unit;
A measurement point number comparison unit for comparing the count value of the measurement point of the poor contact with a fourth threshold value;
The liquid crystal array inspection apparatus according to claim 1, further comprising: a defective line counting unit that counts the number of defective lines determined to be poor contact based on a comparison result of the measurement point comparing unit.
前記強度比較部は測定信号強度が第３のしきい値よりも小さい場合に当該測定点を接触不良と判定し、
前記第４のしきい値は接触不良とみなす測定点数であり、
前記測定点比較部は測定点の計数値が第４のしきい値よりも大きい場合に当該ラインを不良ラインと判定することを特徴とする請求項４に記載の液晶アレイ検査装置。 The third threshold value is a value obtained by adding an allowable value to the average value or center value of the measurement signal intensity at the time of poor contact, or subtracting the allowable value from the average value or center value of the measurement signal intensity at the time of good contact. Set by value,
The intensity comparison unit determines that the measurement point is a poor contact when the measurement signal intensity is smaller than a third threshold value,
The fourth threshold value is the number of measurement points regarded as poor contact,
The liquid crystal array inspection apparatus according to claim 4, wherein the measurement point comparison unit determines that the line is a defective line when a count value of the measurement point is larger than a fourth threshold value.
前記不良ライン計数部が計数した不良ライン数と第２のしきい値とを比較するライン数比較部を備え、
前記ライン数比較部は、前記不良ライン数が前記第２のしきい値が定める範囲内である場合に前記接触状態を接触不良と判定することを特徴とする、請求項１乃至５の何れかに記載の液晶アレイ検査装置。 The contact state determination means includes
A line number comparison unit that compares the number of defective lines counted by the defective line counting unit with a second threshold value;
6. The line number comparison unit according to claim 1, wherein the contact state is determined to be a contact failure when the number of defective lines is within a range determined by the second threshold value. 2. A liquid crystal array inspection apparatus according to 1.
前記不良ライン数が前記第２のしきい値が定める範囲以上である場合に前記液晶アレイの欠陥と判定することを特徴とする、請求項６に記載の液晶アレイ検査装置。 The line number comparison unit of the contact state determination means is
The liquid crystal array inspection apparatus according to claim 6, wherein a defect of the liquid crystal array is determined when the number of defective lines is equal to or greater than a range determined by the second threshold value.
Priority Applications (1)
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