JP2006211834A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006211834A JP2006211834A JP2005021301A JP2005021301A JP2006211834A JP 2006211834 A JP2006211834 A JP 2006211834A JP 2005021301 A JP2005021301 A JP 2005021301A JP 2005021301 A JP2005021301 A JP 2005021301A JP 2006211834 A JP2006211834 A JP 2006211834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- switching element
- circuit
- temperature
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
【解決手段】加算回路14によって検出電圧Vsの正の温度依存性が、出力電圧V13の負の温度依存性により打ち消され、温度依存性の無い加算出力電圧V14を得る。比較回路8は加算出力電圧V14が基準電圧Vrを超えた場合、過電流供給状態であると判定する。制御回路7は、過電流状態時にスイッチング素子2の動作を停止させる駆動信号S7を駆動回路9に与える過電流保護機能を有している。また、制御回路7は、A/D変換回路15より取り込んだデジタル加算出力電圧値D15に基づき基準電圧Vrを設定する基準電圧設定機能をさらに有している。
【選択図】図1
Description
図1はこの発明の実施の形態であるIPM(電力用半導体装置)の構成を示すブロック図である。同図に示すように、実施の形態のIPMはパワーモジュール1と制御部5から構成される。
しかしながら、検出電圧Vsの温度依存性はスイッチング素子2毎にバラツキが生じ、一方、温度検出用ダイオード4の順方向電圧Vtの温度依存性も温度検出用ダイオード4毎にバラツキが生じる。すなわち、パワーモジュール1単位に加算出力電圧V14にバラツキが生じる可能性がある。
Claims (3)
- 主電流供給用の主電流端子と検出電流供給用の検出電流端子とを有するスイッチング素子及び温度検出用ダイオードを同一の半導体基板上に形成した半導体チップと、
前記半導体チップと電気的に接続され前記スイッチング素子を駆動制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記検出電流端子より得られる検出電流を電流電圧変換して検出電圧を得る電流電圧変換部と、
前記温度検出用ダイオードより得られる順方向電圧を取得し、該順方向電圧に基づき、前記検出電圧の温度依存性を打ち消す温度補正用電圧を出力する温度調整回路部と、
前記検出電圧と温度補正用電圧とを加算して加算出力電圧を出力する加算回路と、
基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
前記加算出力電圧と前記基準電圧とを比較し、その比較結果に基づき前記スイッチング素子の過電流供給状態の有無を判定する比較回路と、
前記スイッチング素子のオン,オフ動作を制御する駆動制御部とを備え、前記駆動制御部は、前記比較回路が過電流供給状態を判定した場合に、前記スイッチング素子をオフ状態にする過電流保護機能を有し、
前記駆動制御部は、
前記スイッチング素子をオン状態にして、前記加算出力電圧に関する所定数のサンプリング電圧を取得し、前記所定数のサンプリング電圧に基づき前記基準電圧を設定する基準電圧設定機能をさらに有することを特徴とする、
電力用半導体装置。 - 請求項1記載の電力用半導体装置であって、
前記加算出力電圧をA/D変換器してデジタル加算出力電圧値を得るA/D変換回路をさらに備え、
前記駆動制御部はデジタル演算能力を有し、
前記基準電圧設定機能は
過電流供給状態でも破壊しない程度の短いサンプリング期間において、前記スイッチング素子をオン状態にして、前記デジタル加算出力電圧値を前記サンプリング電圧として取得する第1のステップを備え、前記第1のステップは前記所定数回実行され、
前記第1のステップで得た前記所定数のサンプリング電圧の平均値を前記デジタル演算機能により求め、該平均値を前記基準電圧に設定する第2のステップをさらに備える、
電力用半導体装置。 - 請求項2記載の電力用半導体装置であって、
前記駆動制御部は外部より外部制御信号を受け、
前記外部制御信号がサンプリングモードを指示するとき前記第1のステップが実行され、
前記外部制御信号が基準値決定モードを指示するとき前記第2のステップが実行される、
電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005021301A JP4545603B2 (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005021301A JP4545603B2 (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006211834A true JP2006211834A (ja) | 2006-08-10 |
JP4545603B2 JP4545603B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=36968060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005021301A Active JP4545603B2 (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4545603B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008136335A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Denso Corp | 過電流検出回路 |
JP2012085407A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体デバイスの電流検出回路および検出方法 |
US8598942B2 (en) | 2011-07-06 | 2013-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current correction circuit for power semiconductor device and current correction method |
US8644038B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-02-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current detection circuit for a power semiconductor device |
JP2017063270A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および電子装置 |
US10193323B2 (en) | 2013-09-06 | 2019-01-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2020176851A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社クオルテック | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0819164A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2001197723A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2001063765A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module de puissance |
JP2002026707A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Nissan Motor Co Ltd | Mosトランジスタの過電流保護装置 |
JP2004127983A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
-
2005
- 2005-01-28 JP JP2005021301A patent/JP4545603B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0819164A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2001197723A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2001063765A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module de puissance |
JP2002026707A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Nissan Motor Co Ltd | Mosトランジスタの過電流保護装置 |
JP2004127983A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008136335A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Denso Corp | 過電流検出回路 |
JP2012085407A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体デバイスの電流検出回路および検出方法 |
US8659864B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-02-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device current detector circuit and detection method |
US8644038B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-02-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current detection circuit for a power semiconductor device |
US8598942B2 (en) | 2011-07-06 | 2013-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current correction circuit for power semiconductor device and current correction method |
US10193323B2 (en) | 2013-09-06 | 2019-01-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
DE112013007409B4 (de) | 2013-09-06 | 2022-02-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
JP2017063270A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および電子装置 |
JP2020176851A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社クオルテック | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4545603B2 (ja) | 2010-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4545603B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5500192B2 (ja) | スイッチング素子の駆動回路 | |
JP4924086B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN107887895B (zh) | 检测装置、检测方法和检测系统 | |
JP4762929B2 (ja) | 半導体電力変換装置 | |
US10298223B2 (en) | Semiconductor device driving circuit | |
JP2005151631A (ja) | 半導体装置および過電流の基準レベルのデータ設定方法 | |
JP2004229382A (ja) | ゲート駆動回路、および電力変換装置 | |
US11228307B2 (en) | Overcurrent detection device, control device, and overcurrent detection method | |
US11387642B2 (en) | Overcurrent sense control of semiconductor device | |
CN108226839B (zh) | 一种变换器、霍尔传感器的异常检测方法及装置 | |
US11757444B2 (en) | Semiconductor element drive device and power conversion apparatus | |
JP5223758B2 (ja) | 電力変換回路の駆動回路 | |
US20190207508A1 (en) | Inverter device | |
JP2003009508A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2011149926A (ja) | パワー半導体デバイスの電流検出回路 | |
JP4586450B2 (ja) | 電力スイッチング回路、電力変換装置及び電力用半導体スイッチング素子の駆動方法 | |
JP6711059B2 (ja) | 保護回路 | |
JP6409982B2 (ja) | 多相電力変換装置の制御回路 | |
US11183834B2 (en) | Semiconductor module and power conversion apparatus having a diode bridge circuit and a protection circuit | |
US10199925B2 (en) | Overcurrent protection apparatus | |
JP2006067660A (ja) | 半導体装置 | |
JP6753348B2 (ja) | スイッチング素子の駆動回路 | |
JP2014155267A (ja) | スイッチ駆動装置 | |
JP2015119594A (ja) | 半導体装置の駆動制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070822 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100629 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100630 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4545603 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |