JP2006210478A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に、テープ基板を有する半導体装置に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to a semiconductor device having a tape substrate.
半導体を実装するTAB基板において、半導体を実装後打抜される製品と製品の間のTAB基板上に銅パターン及び銅パターン付近に複数のアライメントマークを形成し、前記銅パターン上にレジストを設けたものである(例えば、特許文献1参照)。 In a TAB substrate on which a semiconductor is mounted, a copper pattern and a plurality of alignment marks are formed in the vicinity of the copper pattern on the TAB substrate between the products to be punched after mounting the semiconductor, and a resist is provided on the copper pattern. (For example, refer to Patent Document 1).
また、回路基板において、アライメントマークの周りで絶縁ベース上に、回路基板の表裏に光を透過して、アライメントマークの位置を確認し得るように透明層が形成されている(例えば、特許文献2参照)。
TCP(Tape Carrier Package) やCOF(Chip On Film) などのテープ基板を用いた製品(半導体装置)では、そのテープ基板上に位置決め認識用のアライメントパターンが形成されている。 In products (semiconductor devices) using a tape substrate such as TCP (Tape Carrier Package) and COF (Chip On Film), an alignment pattern for positioning recognition is formed on the tape substrate.
しかしながら、前記製品の搬送時、あるいは製品保護のためにテープ層間に配置するスペーサテープの巻き取り時等で、アライメントパターンが前記スペーサテープに接触した際に、アライメントパターンの擦れやキズが形成される。 However, when the alignment pattern comes into contact with the spacer tape, for example, when the product is transported or when the spacer tape disposed between the tape layers for product protection is wound, the alignment pattern is rubbed or scratched. .
その結果、製品(半導体装置)の実装基板への実装時等でアライメントパターンの認識エラーが発生することが問題となる。 As a result, an alignment pattern recognition error occurs when a product (semiconductor device) is mounted on a mounting substrate.
なお、前記特許文献1(実開平5−85044号公報)には、レジスト膜(絶縁膜)のみで保護用のパターンを形成するという記載はない。さらに、前記特許文献1には、アライメントパターンの近傍に保護用のパターンを形成するという記載はない。さらに、前記特許文献1には、レジスト膜(絶縁膜)形成時に保護用のパターンを形成するという記載はない。さらに、前記特許文献1には、アライメントパターンのテープ送り方向の両側に保護用のパターンを形成するという記載はない。
Note that Patent Document 1 (Japanese Utility Model Laid-Open No. 5-85044) does not describe that a protective pattern is formed only by a resist film (insulating film). Furthermore,
また、前記特許文献2(特開2003−304041号公報)には、レジスト層が、アライメントパターンを囲むように形成された記載はあるが、レジスト層による保護用のパターンがアライメントパターンに並んで配置されているという記載はない。 Moreover, although the said patent document 2 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-304041) has description that the resist layer was formed so that an alignment pattern might be enclosed, the pattern for protection by a resist layer was arrange | positioned along with the alignment pattern. There is no description that it is.
本発明の目的は、テープ基板を用いた半導体装置の組み立てや実装時の認識エラーの発生を防止することができる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing the occurrence of a recognition error during assembly and mounting of a semiconductor device using a tape substrate.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明は、配線を有し、かつアライメントパターンが形成されたテープ基板と、前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されているものである。 That is, the present invention includes a tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon, and a semiconductor chip connected to the tape substrate, and the tape substrate has an alignment pattern around the alignment pattern than the alignment pattern. A thick protective pattern is formed only of an insulating film.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
テープ基板においてアライメントパターンの周辺にこのアライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜で形成されていることにより、アライメントパターンの擦れやアライメントパターンにキズが形成されることを防止でき、その結果、テープ基板を用いた半導体装置の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。 Since the protective pattern thicker than this alignment pattern is formed around the alignment pattern on the tape substrate by the insulating film, it is possible to prevent the alignment pattern from rubbing and the alignment pattern from being scratched. It is possible to prevent a recognition error from being generated by the position recognition camera when the semiconductor device used is assembled or mounted on the mounting board.
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。 In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。 Further, in the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments, but they are not irrelevant to each other unless otherwise specified. The other part or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related.
また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。 Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and it may be more or less than the specific number.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.
(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態の半導体装置(TCP)の構造の一例を示す平面図、図2は図1に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す拡大部分断面図、図3は図1に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造の一例を示す拡大部分平面図、図4は図3に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図、図5は変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図、図6は図5に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図7は図6に示すA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図8は図5に示す半導体装置のテープ基板の保護パターンによる効果を説明する断面図、図9は変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図、図10は図9に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図11は図10のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図12は変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図、図13は図12に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図14は図13のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図15は変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図16は図15のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図17は変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図18は図17のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図19は変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図20は図19のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図である。
(Embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing an example of the structure of a semiconductor device (TCP) according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view showing the structure of a cross section taken along the line AA shown in FIG. 3 is an enlarged partial plan view showing an example of the structure of the alignment pattern and the protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 4 shows the structure of a cross section taken along the line AA shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing the structure of a modified semiconductor device (TCP), FIG. 6 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protective pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. Is a cross-sectional view showing a structure cut along the line AA shown in FIG. 6, FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the effect of the protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 5, and FIG. The top view and figure which show the structure of the device (TCP) 9 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 9, FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure cut along the line AA in FIG. 10, and FIG. FIG. 13 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and the protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 12, and FIG. 15 is a cross-sectional view showing a structure cut along line A, FIG. 15 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protective pattern of the tape substrate of the semiconductor device (TCP) of the modification, and FIG. FIG. 17 is an enlarged partial plan view showing a structure of an alignment pattern and a protection pattern of a tape substrate of a semiconductor device (TCP) according to a modification, FIG. FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure cut along the line AA in FIG. 17, FIG. 19 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device (TCP) of the modification. FIG. 20 is a cross-sectional view showing a structure cut along line AA in FIG. 19.
図1、図2に示す本実施の形態の半導体装置は、テープ基板2に半導体チップ1を実装したものであり、ここでは、前記半導体装置の一例としてTCP(Tape Carrier Package) 6を取り上げて説明する。
The semiconductor device according to the present embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is obtained by mounting a
TCP6の構造について説明すると、複数のパターン化された配線2a(配線パターンともいう)を有するとともに、位置決め認識用のアライメントパターン2eが形成されたテープ基板2と、このテープ基板2と電気的に接続する半導体チップ1と、半導体チップ1の主面側、および半導体チップ1とテープ基板2との接続部付近を樹脂封止する封止部4とからなる。
The structure of the TCP 6 will be described. A
なお、テープ基板2には、図2に示すように、半導体チップ1より僅かに大きな開口部2cが形成されており、この開口部2cに半導体チップ1が配置されている。さらに、開口部2cには、各配線2aと繋がる複数のリード2bが配置されており、半導体チップ1の表面電極であるパッド1aと、これに対応するリード2bとが金バンプ3を介して電気的に接続されている。
As shown in FIG. 2, the
テープ基板2の表面の複数の配線2aは、それぞれ一部の露出する箇所を除いて絶縁膜であるレジスト膜2dによって覆われている。また、図1に示すように、テープ基板2の表面には、複数の配線2aのうち最も外側の配線2aのさらに基板外周寄りの近傍に、位置決め認識用のアライメントパターン2eが形成されている。このアライメントパターン2eは、TCP組み立ての際の検査時や、TCP6の基板実装時の位置決め認識用として用いられるものである。
The plurality of
また、テープ基板2の幅方向の両側の端部には、複数のスプロケットホール2hが等間隔で並んで形成されており、TCP6の組み立て等でテープ基板2を走行させる際のガイドとなる。
In addition, a plurality of
テープ基板2は、その基材が、例えば、ポリイミドなどの樹脂材によって形成された薄膜の部材であり、したがって、可撓性を有している。さらに複数の配線2aやリード2bおよびアライメントパターン2eは、例えば、銅合金によって形成されている。
The
また、テープ基板2の表面には、図1に示すように、そのアライメントパターン2eの周辺にアライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが、ソルダレジスト膜などの絶縁膜のみによって形成されている。
On the surface of the
すなわち、保護パターン2fは、アライメントパターン2eを保護するものであり、アライメントパターン2eの周辺の近傍に、図3および図4に示すように、アライメントパターン2eより高さが高く、かつソルダレジスト膜のみによって四角形に形成されており、これによって、アライメントパターン2eが他の部材と接触して擦れることを防止できる。
That is, the
なお、保護パターン2fは、アライメントパターン2eの周辺に形成されるものであるが、例えば、テープ送り方向に対してアライメントパターン2eと並ぶような位置に形成されていることが好ましい。
The
また、テープ基板2の形成においては、表面の複数の配線2a、リード2bおよびアライメントパターン2eは、同一の層に形成されている。すなわち、配線2a、リード2bおよびアライメントパターン2eは、同一の工程で形成することが可能である。
In the formation of the
一方、表面の各配線2aを覆うレジスト膜2dと、保護パターン2fを形成するソルダレジスト膜などの絶縁膜も同一の層に形成されており、したがって、レジスト膜2dと保護パターン2fも同一の工程で形成することが可能である。したがってアライメントパターン2eと保護パターン2fはテープ基板形成において特別な追加工程無しにテープ基板形成工程において同時に形成されるためにテープ基板形成コストへの影響はない。
On the other hand, the
ここで、半導体チップ1は、例えば、シリコンなどによって形成され、封止部4は、例えば、エポキシ樹脂などによって形成されている。
Here, the
次に、TCP6の組み立て手順について説明する。
Next, a procedure for assembling the
まず、パッド1a上に金バンプ3が設けられた半導体チップ1を準備し、その後、多連の長いテープ基板2において開口部2cに半導体チップ1を配置する。
First, the
その後、半導体チップ1のパッド1aとこれに対応するテープ基板2のリード2bとをインナリードボンディングによって金バンプ3を介して電気的に接続する。
Thereafter, the pads 1a of the
その後、ポッティングにより封止用樹脂を半導体チップ1とテープ基板2との接続部に滴下し、半導体チップ1の主面側を樹脂封止して封止部4を形成する。
Thereafter, a sealing resin is dropped onto the connection portion between the
その後、ベーク処理を行って封止用樹脂を硬化させる。硬化後、TCP6の電気的特性検査を行う。
Thereafter, baking treatment is performed to cure the sealing resin. After curing, the electrical property inspection of the
その後、多連の長いテープ基板2をリールに巻き取って出荷する。
Thereafter, the
図1〜図4に示すTCP6によれば、そのテープ基板2においてアライメントパターン2eの周辺にこのアライメントパターン2eより厚い(高さの高い)保護パターン2fがソルダレジスト膜などの絶縁膜のみで形成されていることにより、アライメントパターン2eがテープ巻き取り時やテープ搬送時に図8に示すような層間に配置するスペーサテープ5等の部材と接触して擦れることを防止できる。
In the
これにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止できる。
Thereby, it is possible to prevent rubbing of the
その結果、テープ基板2を用いたTCP6などの半導体装置の組み立てや前記半導体装置の実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。
As a result, it is possible to prevent the occurrence of a recognition error by the position recognition camera when the semiconductor device such as the
また、保護パターン2fはソルダレジスト膜などの絶縁膜のみによって形成されているため、保護パターン2fの高さが極端に高くなることはない。したがって、テープ基板2の実装時にテープ周辺部分でのリード2bの浮きを抑えることができる。
Further, since the
また、保護パターン2fがアライメントパターン2eの近傍に形成されていることにより、テープ上に保護パターン2fのための追加の領域を必要とせずテープ上での製品ピッチを小さくすることが可能である。
Further, since the
また、保護パターン2fは、テープ送り方向に対してアライメントパターン2eと並ぶように配置されており、アライメントパターン2eを囲むようには形成されていないため、TCP実装時に位置決め認識の妨げになることを防げる。
Further, the
また、テープ基板2の形成において、レジスト膜2dの形成時に保護パターン2fも形成することが可能なため、テープ基板2の形成工程を増加させることなく保護パターン2fを形成することが可能である。
In forming the
次に、本実施の形態の変形例について説明する。 Next, a modification of the present embodiment will be described.
図5〜図7に示す変形例のTCP6は、テープ基板2において、アライメントパターン2eのテープ送り方向の両側にアライメントパターン2eより厚い(高さが高い)保護パターン2fが、アライメントパターン2eと並んでソルダレジスト膜などの絶縁膜のみで形成されているものである。
In the
保護パターン2fがアライメントパターン2eのテープ送り方向の両側に対応して形成されていることにより、テープ巻き取りの双方向においてアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止できる。
Since the
また、アライメントパターン2eのテープ送り方向の両側に保護パターン2fが形成されていることにより、図8に示すように、例えば、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができるため、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。
In addition, since the
図9〜図11に示す変形例のTCP6は、保護パターン2fがアライメントパターン2eの一部を囲むようにコの字型にソルダレジスト膜などの絶縁膜のみで形成されているものである。
The
図9に示すTCP6においても、コの字型に絶縁膜のみで形成された保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図11に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fが配置されるため、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。
In the
図12〜図14に示す変形例のTCP6は、テープ基板2において、アライメントパターン2eのテープ送り方向の両側に、アライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが絶縁膜のみで形成されているものであるが、複数の配線2aを覆うレジスト膜2dの配置領域を広げることにより、レジスト膜2dの両端部が保護パターン2fを兼ねるものである。
In the
図12に示すTCP6においても、保護パターン2fとレジスト膜2dとにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図14に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fとレジスト膜2dが配置されることにより、スペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fとレジスト膜2dによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。
Also in the
図15、図16に示す変形例のTCP6は、保護パターン2fがアライメントパターン2eの周囲を囲むように四角のリング状に絶縁膜のみで形成されているものである。
The
図15に示すTCP6においても、リング状に絶縁膜のみで形成された保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図16に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fが配置されるため、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。
Also in the
図17、図18に示す変形例のTCP6は、テープ基板2上の配線2aやリード2bと同時に形成された銅合金のダミーパターン2g上にレジスト膜2d(絶縁膜のパターン)を積層して成り、かつアライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが、アライメントパターン2eの近傍に形成されているものである。
The
図17に示すTCP6においても、ダミーパターン2gとレジスト膜2dとからなる保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。
Also in TCP6 shown in FIG. 17, it is possible to prevent rubbing of
図19、図20に示す変形例のTCP6は、銅合金のダミーパターン2g上にレジスト膜2d(絶縁膜のパターン)を積層して成り、かつアライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが、アライメントパターン2eの周囲を囲むように四角のリング状にダミーパターン2gとレジスト膜2dとで形成されているものである。
The
図19に示すTCP6においても、ダミーパターン2gとレジスト膜2dとからなるリング状の保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図20に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fが配置されるため、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。
In the
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.
例えば、前記実施の形態では、半導体装置がTCP6の場合を一例として取り上げて説明したが、前記半導体装置は、アライメントパターン2eの近傍に保護パターン2fが形成されたテープ基板2を用いて組み立てられるものであれば、COFやテープBGA(Ball Grid Array)などの他の半導体装置であってもよい。
For example, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor device is
本発明は、半導体装置および半導体製造技術に好適である。 The present invention is suitable for semiconductor devices and semiconductor manufacturing techniques.
1 半導体チップ
1a パッド
2 テープ基板
2a 配線
2b リード
2c 開口部
2d レジスト膜(絶縁膜)
2e アライメントパターン
2f 保護パターン
2g ダミーパターン
2h スプロケットホール
3 金バンプ
4 封止部
5 スペーサテープ
6 TCP(半導体装置)
1 semiconductor
Claims (5)
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。 A tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed around the alignment pattern only by an insulating film.
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンのテープ送り方向の両側に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。 A tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed only on an insulating film on both sides of the alignment pattern in the tape feeding direction.
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されており、前記保護パターンは前記アライメントパターンと並ぶように配置されていることを特徴とする半導体装置。 A tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed only on an insulating film around the alignment pattern, and the protective pattern is arranged so as to be aligned with the alignment pattern. .
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。 A tape substrate having a wiring made of a copper alloy layer and having an alignment pattern made of the copper alloy layer;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed around the alignment pattern only by an insulating film.
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記銅合金層からなるダミーパターンとその上に形成された絶縁膜のパターンの積層膜から成り、かつ前記アライメントパターンより厚い前記積層膜からなる保護パターンが、前記アライメントパターンのテープ送り方向の両側に形成されていることを特徴とする半導体装置。 A tape substrate having a wiring made of a copper alloy layer and having an alignment pattern made of a pattern of the copper alloy layer;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, the protective pattern made of the laminated film of the dummy pattern made of the copper alloy layer and the insulating film formed thereon and thicker than the alignment pattern is a tape of the alignment pattern A semiconductor device formed on both sides in a feeding direction.
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- 2005-01-26 JP JP2005017967A patent/JP2006210478A/en active Pending
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