JP2006210478A - Semiconductor device - Google Patents

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Kazuaki Sumiya
一昭 角谷
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent occurrence of a recognition error in a tape substrate. <P>SOLUTION: In the tape substrate 2 of TCP 6, protection patterns 2f thicker than alignment patterns 2e are formed at the periphery of the alignment patterns 2e with insulating films. The alignment patterns 2e are brought into contact with a spacer tape at the time of winding and transporting a tape, and abrasion is prevented. Thus, abrasion of the alignment patterns 2e and formation of a crack in the alignment patterns 2e can be prevented. Then, occurrence of the recognition error by a position recognition camera can be prevented at the time of assembling TCP 6 and mounting it on a mounting substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、テープ基板を有する半導体装置に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to a semiconductor device having a tape substrate.

半導体を実装するTAB基板において、半導体を実装後打抜される製品と製品の間のTAB基板上に銅パターン及び銅パターン付近に複数のアライメントマークを形成し、前記銅パターン上にレジストを設けたものである(例えば、特許文献1参照)。   In a TAB substrate on which a semiconductor is mounted, a copper pattern and a plurality of alignment marks are formed in the vicinity of the copper pattern on the TAB substrate between the products to be punched after mounting the semiconductor, and a resist is provided on the copper pattern. (For example, refer to Patent Document 1).

また、回路基板において、アライメントマークの周りで絶縁ベース上に、回路基板の表裏に光を透過して、アライメントマークの位置を確認し得るように透明層が形成されている(例えば、特許文献2参照)。
実開平5−85044号公報(図1) 特開2003−304041号公報(図4)
In the circuit board, a transparent layer is formed on the insulating base around the alignment mark so that light can be transmitted to the front and back of the circuit board and the position of the alignment mark can be confirmed (for example, Patent Document 2). reference).
Japanese Utility Model Publication No. 5-85044 (FIG. 1) Japanese Patent Laying-Open No. 2003-304041 (FIG. 4)

TCP(Tape Carrier Package) やCOF(Chip On Film) などのテープ基板を用いた製品(半導体装置)では、そのテープ基板上に位置決め認識用のアライメントパターンが形成されている。   In products (semiconductor devices) using a tape substrate such as TCP (Tape Carrier Package) and COF (Chip On Film), an alignment pattern for positioning recognition is formed on the tape substrate.

しかしながら、前記製品の搬送時、あるいは製品保護のためにテープ層間に配置するスペーサテープの巻き取り時等で、アライメントパターンが前記スペーサテープに接触した際に、アライメントパターンの擦れやキズが形成される。   However, when the alignment pattern comes into contact with the spacer tape, for example, when the product is transported or when the spacer tape disposed between the tape layers for product protection is wound, the alignment pattern is rubbed or scratched. .

その結果、製品(半導体装置)の実装基板への実装時等でアライメントパターンの認識エラーが発生することが問題となる。   As a result, an alignment pattern recognition error occurs when a product (semiconductor device) is mounted on a mounting substrate.

なお、前記特許文献1(実開平5−85044号公報)には、レジスト膜(絶縁膜)のみで保護用のパターンを形成するという記載はない。さらに、前記特許文献1には、アライメントパターンの近傍に保護用のパターンを形成するという記載はない。さらに、前記特許文献1には、レジスト膜(絶縁膜)形成時に保護用のパターンを形成するという記載はない。さらに、前記特許文献1には、アライメントパターンのテープ送り方向の両側に保護用のパターンを形成するという記載はない。   Note that Patent Document 1 (Japanese Utility Model Laid-Open No. 5-85044) does not describe that a protective pattern is formed only by a resist film (insulating film). Furthermore, Patent Document 1 does not describe that a protective pattern is formed in the vicinity of the alignment pattern. Further, Patent Document 1 does not describe that a protective pattern is formed when a resist film (insulating film) is formed. Furthermore, Patent Document 1 does not describe that protective patterns are formed on both sides of the alignment pattern in the tape feeding direction.

また、前記特許文献2(特開2003−304041号公報)には、レジスト層が、アライメントパターンを囲むように形成された記載はあるが、レジスト層による保護用のパターンがアライメントパターンに並んで配置されているという記載はない。   Moreover, although the said patent document 2 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-304041) has description that the resist layer was formed so that an alignment pattern might be enclosed, the pattern for protection by a resist layer was arrange | positioned along with the alignment pattern. There is no description that it is.

本発明の目的は、テープ基板を用いた半導体装置の組み立てや実装時の認識エラーの発生を防止することができる技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing the occurrence of a recognition error during assembly and mounting of a semiconductor device using a tape substrate.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、本発明は、配線を有し、かつアライメントパターンが形成されたテープ基板と、前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されているものである。   That is, the present invention includes a tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon, and a semiconductor chip connected to the tape substrate, and the tape substrate has an alignment pattern around the alignment pattern than the alignment pattern. A thick protective pattern is formed only of an insulating film.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

テープ基板においてアライメントパターンの周辺にこのアライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜で形成されていることにより、アライメントパターンの擦れやアライメントパターンにキズが形成されることを防止でき、その結果、テープ基板を用いた半導体装置の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。   Since the protective pattern thicker than this alignment pattern is formed around the alignment pattern on the tape substrate by the insulating film, it is possible to prevent the alignment pattern from rubbing and the alignment pattern from being scratched. It is possible to prevent a recognition error from being generated by the position recognition camera when the semiconductor device used is assembled or mounted on the mounting board.

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。   In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。   Further, in the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments, but they are not irrelevant to each other unless otherwise specified. The other part or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related.

また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。   Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and it may be more or less than the specific number.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.

(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態の半導体装置(TCP)の構造の一例を示す平面図、図2は図1に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す拡大部分断面図、図3は図1に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造の一例を示す拡大部分平面図、図4は図3に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図、図5は変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図、図6は図5に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図7は図6に示すA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図8は図5に示す半導体装置のテープ基板の保護パターンによる効果を説明する断面図、図9は変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図、図10は図9に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図11は図10のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図12は変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図、図13は図12に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図14は図13のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図15は変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図16は図15のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図17は変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図18は図17のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図、図19は変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図、図20は図19のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図である。
(Embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing an example of the structure of a semiconductor device (TCP) according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view showing the structure of a cross section taken along the line AA shown in FIG. 3 is an enlarged partial plan view showing an example of the structure of the alignment pattern and the protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 4 shows the structure of a cross section taken along the line AA shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing the structure of a modified semiconductor device (TCP), FIG. 6 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protective pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. Is a cross-sectional view showing a structure cut along the line AA shown in FIG. 6, FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the effect of the protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 5, and FIG. The top view and figure which show the structure of the device (TCP) 9 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 9, FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure cut along the line AA in FIG. 10, and FIG. FIG. 13 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and the protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 12, and FIG. 15 is a cross-sectional view showing a structure cut along line A, FIG. 15 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protective pattern of the tape substrate of the semiconductor device (TCP) of the modification, and FIG. FIG. 17 is an enlarged partial plan view showing a structure of an alignment pattern and a protection pattern of a tape substrate of a semiconductor device (TCP) according to a modification, FIG. FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure cut along the line AA in FIG. 17, FIG. 19 is an enlarged partial plan view showing the structure of the alignment pattern and protection pattern of the tape substrate of the semiconductor device (TCP) of the modification. FIG. 20 is a cross-sectional view showing a structure cut along line AA in FIG. 19.

図1、図2に示す本実施の形態の半導体装置は、テープ基板2に半導体チップ1を実装したものであり、ここでは、前記半導体装置の一例としてTCP(Tape Carrier Package) 6を取り上げて説明する。   The semiconductor device according to the present embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is obtained by mounting a semiconductor chip 1 on a tape substrate 2. Here, a TCP (Tape Carrier Package) 6 is taken as an example of the semiconductor device. To do.

TCP6の構造について説明すると、複数のパターン化された配線2a(配線パターンともいう)を有するとともに、位置決め認識用のアライメントパターン2eが形成されたテープ基板2と、このテープ基板2と電気的に接続する半導体チップ1と、半導体チップ1の主面側、および半導体チップ1とテープ基板2との接続部付近を樹脂封止する封止部4とからなる。   The structure of the TCP 6 will be described. A tape substrate 2 having a plurality of patterned wirings 2a (also referred to as wiring patterns) on which an alignment pattern 2e for positioning recognition is formed, and electrically connected to the tape substrate 2 And a sealing portion 4 for resin-sealing the vicinity of the connecting portion between the semiconductor chip 1 and the tape substrate 2.

なお、テープ基板2には、図2に示すように、半導体チップ1より僅かに大きな開口部2cが形成されており、この開口部2cに半導体チップ1が配置されている。さらに、開口部2cには、各配線2aと繋がる複数のリード2bが配置されており、半導体チップ1の表面電極であるパッド1aと、これに対応するリード2bとが金バンプ3を介して電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2, the tape substrate 2 has an opening 2c slightly larger than the semiconductor chip 1, and the semiconductor chip 1 is disposed in the opening 2c. Furthermore, a plurality of leads 2b connected to each wiring 2a are disposed in the opening 2c, and the pads 1a that are the surface electrodes of the semiconductor chip 1 and the leads 2b corresponding thereto are electrically connected via the gold bumps 3. Connected.

テープ基板2の表面の複数の配線2aは、それぞれ一部の露出する箇所を除いて絶縁膜であるレジスト膜2dによって覆われている。また、図1に示すように、テープ基板2の表面には、複数の配線2aのうち最も外側の配線2aのさらに基板外周寄りの近傍に、位置決め認識用のアライメントパターン2eが形成されている。このアライメントパターン2eは、TCP組み立ての際の検査時や、TCP6の基板実装時の位置決め認識用として用いられるものである。   The plurality of wirings 2a on the surface of the tape substrate 2 are covered with a resist film 2d, which is an insulating film, except for some exposed portions. As shown in FIG. 1, an alignment pattern 2e for positioning recognition is formed on the surface of the tape substrate 2 near the outer periphery of the outermost wiring 2a among the plurality of wirings 2a. This alignment pattern 2e is used for positioning recognition during inspection during TCP assembly or when the TCP 6 is mounted on the board.

また、テープ基板2の幅方向の両側の端部には、複数のスプロケットホール2hが等間隔で並んで形成されており、TCP6の組み立て等でテープ基板2を走行させる際のガイドとなる。   In addition, a plurality of sprocket holes 2h are formed at equal intervals on both ends of the tape substrate 2 in the width direction, and serve as a guide when the tape substrate 2 is run by assembling the TCP 6 or the like.

テープ基板2は、その基材が、例えば、ポリイミドなどの樹脂材によって形成された薄膜の部材であり、したがって、可撓性を有している。さらに複数の配線2aやリード2bおよびアライメントパターン2eは、例えば、銅合金によって形成されている。   The tape substrate 2 is a thin film member whose base material is formed of a resin material such as polyimide, and thus has flexibility. Further, the plurality of wirings 2a, leads 2b, and alignment pattern 2e are made of, for example, a copper alloy.

また、テープ基板2の表面には、図1に示すように、そのアライメントパターン2eの周辺にアライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが、ソルダレジスト膜などの絶縁膜のみによって形成されている。   On the surface of the tape substrate 2, as shown in FIG. 1, a protective pattern 2f thicker than the alignment pattern 2e is formed only by an insulating film such as a solder resist film around the alignment pattern 2e.

すなわち、保護パターン2fは、アライメントパターン2eを保護するものであり、アライメントパターン2eの周辺の近傍に、図3および図4に示すように、アライメントパターン2eより高さが高く、かつソルダレジスト膜のみによって四角形に形成されており、これによって、アライメントパターン2eが他の部材と接触して擦れることを防止できる。   That is, the protective pattern 2f protects the alignment pattern 2e, and is higher in the vicinity of the periphery of the alignment pattern 2e than the alignment pattern 2e and only the solder resist film, as shown in FIGS. Thus, the alignment pattern 2e can be prevented from being rubbed in contact with other members.

なお、保護パターン2fは、アライメントパターン2eの周辺に形成されるものであるが、例えば、テープ送り方向に対してアライメントパターン2eと並ぶような位置に形成されていることが好ましい。   The protective pattern 2f is formed around the alignment pattern 2e, but is preferably formed at a position aligned with the alignment pattern 2e in the tape feeding direction, for example.

また、テープ基板2の形成においては、表面の複数の配線2a、リード2bおよびアライメントパターン2eは、同一の層に形成されている。すなわち、配線2a、リード2bおよびアライメントパターン2eは、同一の工程で形成することが可能である。   In the formation of the tape substrate 2, the plurality of wirings 2a, leads 2b, and alignment patterns 2e on the surface are formed in the same layer. That is, the wiring 2a, the lead 2b, and the alignment pattern 2e can be formed in the same process.

一方、表面の各配線2aを覆うレジスト膜2dと、保護パターン2fを形成するソルダレジスト膜などの絶縁膜も同一の層に形成されており、したがって、レジスト膜2dと保護パターン2fも同一の工程で形成することが可能である。したがってアライメントパターン2eと保護パターン2fはテープ基板形成において特別な追加工程無しにテープ基板形成工程において同時に形成されるためにテープ基板形成コストへの影響はない。   On the other hand, the resist film 2d covering each wiring 2a on the surface and the insulating film such as a solder resist film for forming the protective pattern 2f are also formed in the same layer. Therefore, the resist film 2d and the protective pattern 2f are also in the same process. It is possible to form with. Therefore, since the alignment pattern 2e and the protective pattern 2f are formed simultaneously in the tape substrate forming process without any special additional process in the tape substrate forming, there is no influence on the tape substrate forming cost.

ここで、半導体チップ1は、例えば、シリコンなどによって形成され、封止部4は、例えば、エポキシ樹脂などによって形成されている。   Here, the semiconductor chip 1 is formed of, for example, silicon, and the sealing portion 4 is formed of, for example, an epoxy resin.

次に、TCP6の組み立て手順について説明する。   Next, a procedure for assembling the TCP 6 will be described.

まず、パッド1a上に金バンプ3が設けられた半導体チップ1を準備し、その後、多連の長いテープ基板2において開口部2cに半導体チップ1を配置する。   First, the semiconductor chip 1 provided with the gold bumps 3 on the pad 1a is prepared, and then the semiconductor chip 1 is arranged in the opening 2c in the multi-long tape substrate 2.

その後、半導体チップ1のパッド1aとこれに対応するテープ基板2のリード2bとをインナリードボンディングによって金バンプ3を介して電気的に接続する。   Thereafter, the pads 1a of the semiconductor chip 1 and the corresponding leads 2b of the tape substrate 2 are electrically connected through the gold bumps 3 by inner lead bonding.

その後、ポッティングにより封止用樹脂を半導体チップ1とテープ基板2との接続部に滴下し、半導体チップ1の主面側を樹脂封止して封止部4を形成する。   Thereafter, a sealing resin is dropped onto the connection portion between the semiconductor chip 1 and the tape substrate 2 by potting, and the main surface side of the semiconductor chip 1 is resin-sealed to form the sealing portion 4.

その後、ベーク処理を行って封止用樹脂を硬化させる。硬化後、TCP6の電気的特性検査を行う。   Thereafter, baking treatment is performed to cure the sealing resin. After curing, the electrical property inspection of the TCP 6 is performed.

その後、多連の長いテープ基板2をリールに巻き取って出荷する。   Thereafter, the long tape substrate 2 is wound on a reel and shipped.

図1〜図4に示すTCP6によれば、そのテープ基板2においてアライメントパターン2eの周辺にこのアライメントパターン2eより厚い(高さの高い)保護パターン2fがソルダレジスト膜などの絶縁膜のみで形成されていることにより、アライメントパターン2eがテープ巻き取り時やテープ搬送時に図8に示すような層間に配置するスペーサテープ5等の部材と接触して擦れることを防止できる。   In the TCP 6 shown in FIGS. 1 to 4, a protective pattern 2 f thicker (higher) than the alignment pattern 2 e is formed only on an insulating film such as a solder resist film around the alignment pattern 2 e on the tape substrate 2. By doing so, it is possible to prevent the alignment pattern 2e from rubbing in contact with a member such as the spacer tape 5 disposed between the layers as shown in FIG. 8 when winding the tape or transporting the tape.

これにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止できる。   Thereby, it is possible to prevent rubbing of the alignment pattern 2e and formation of scratches on the alignment pattern 2e.

その結果、テープ基板2を用いたTCP6などの半導体装置の組み立てや前記半導体装置の実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。   As a result, it is possible to prevent the occurrence of a recognition error by the position recognition camera when the semiconductor device such as the TCP 6 using the tape substrate 2 is assembled or the semiconductor device is mounted on the mounting substrate.

また、保護パターン2fはソルダレジスト膜などの絶縁膜のみによって形成されているため、保護パターン2fの高さが極端に高くなることはない。したがって、テープ基板2の実装時にテープ周辺部分でのリード2bの浮きを抑えることができる。   Further, since the protective pattern 2f is formed only of an insulating film such as a solder resist film, the height of the protective pattern 2f does not become extremely high. Accordingly, it is possible to suppress the floating of the lead 2b in the peripheral portion of the tape when the tape substrate 2 is mounted.

また、保護パターン2fがアライメントパターン2eの近傍に形成されていることにより、テープ上に保護パターン2fのための追加の領域を必要とせずテープ上での製品ピッチを小さくすることが可能である。   Further, since the protective pattern 2f is formed in the vicinity of the alignment pattern 2e, it is possible to reduce the product pitch on the tape without requiring an additional area for the protective pattern 2f on the tape.

また、保護パターン2fは、テープ送り方向に対してアライメントパターン2eと並ぶように配置されており、アライメントパターン2eを囲むようには形成されていないため、TCP実装時に位置決め認識の妨げになることを防げる。   Further, the protective pattern 2f is arranged so as to be aligned with the alignment pattern 2e with respect to the tape feeding direction, and is not formed so as to surround the alignment pattern 2e. I can prevent it.

また、テープ基板2の形成において、レジスト膜2dの形成時に保護パターン2fも形成することが可能なため、テープ基板2の形成工程を増加させることなく保護パターン2fを形成することが可能である。   In forming the tape substrate 2, the protective pattern 2f can also be formed when the resist film 2d is formed. Therefore, the protective pattern 2f can be formed without increasing the number of steps of forming the tape substrate 2.

次に、本実施の形態の変形例について説明する。   Next, a modification of the present embodiment will be described.

図5〜図7に示す変形例のTCP6は、テープ基板2において、アライメントパターン2eのテープ送り方向の両側にアライメントパターン2eより厚い(高さが高い)保護パターン2fが、アライメントパターン2eと並んでソルダレジスト膜などの絶縁膜のみで形成されているものである。   In the TCP 6 of the modification shown in FIGS. 5 to 7, on the tape substrate 2, protective patterns 2 f that are thicker (higher in height) than the alignment pattern 2 e are aligned with the alignment pattern 2 e on both sides of the alignment pattern 2 e in the tape feeding direction. It is formed only of an insulating film such as a solder resist film.

保護パターン2fがアライメントパターン2eのテープ送り方向の両側に対応して形成されていることにより、テープ巻き取りの双方向においてアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止できる。   Since the protective pattern 2f is formed corresponding to both sides of the alignment pattern 2e in the tape feeding direction, it is possible to prevent the alignment pattern 2e from being scratched in both directions of tape winding.

また、アライメントパターン2eのテープ送り方向の両側に保護パターン2fが形成されていることにより、図8に示すように、例えば、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができるため、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。   In addition, since the protective patterns 2f are formed on both sides of the alignment pattern 2e in the tape feeding direction, as shown in FIG. 8, for example, the spacer tape 5 arranged between the tape layers when winding the tape is protected by the protective pattern 2f. Since it can support on the both sides of the alignment pattern 2e, it can prevent more reliably that the spacer tape 5 contacts the alignment pattern 2e.

図9〜図11に示す変形例のTCP6は、保護パターン2fがアライメントパターン2eの一部を囲むようにコの字型にソルダレジスト膜などの絶縁膜のみで形成されているものである。   The TCP 6 of the modification shown in FIGS. 9 to 11 is formed of only an insulating film such as a solder resist film in a U shape so that the protective pattern 2f surrounds a part of the alignment pattern 2e.

図9に示すTCP6においても、コの字型に絶縁膜のみで形成された保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図11に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fが配置されるため、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。   In the TCP 6 shown in FIG. 9 as well, the protection pattern 2f formed of only the insulating film in the U-shape can prevent the alignment pattern 2e from being rubbed and the alignment pattern 2e from being scratched. Generation of a recognition error by the position recognition camera when mounted on the board can be prevented. Furthermore, as shown in FIG. 11, since the protective patterns 2f are arranged on both sides of the alignment pattern 2e, the spacer tape 5 (see FIG. 8) arranged between the tape layers when winding the tape is replaced with the alignment pattern 2e by the protective pattern 2f. The spacer tape 5 can be more reliably prevented from coming into contact with the alignment pattern 2e.

図12〜図14に示す変形例のTCP6は、テープ基板2において、アライメントパターン2eのテープ送り方向の両側に、アライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが絶縁膜のみで形成されているものであるが、複数の配線2aを覆うレジスト膜2dの配置領域を広げることにより、レジスト膜2dの両端部が保護パターン2fを兼ねるものである。   In the TCP 6 of the modification shown in FIGS. 12 to 14, the protective pattern 2 f thicker than the alignment pattern 2 e is formed only on the insulating film on both sides of the alignment pattern 2 e in the tape feeding direction on the tape substrate 2. By expanding the arrangement area of the resist film 2d covering the plurality of wirings 2a, both ends of the resist film 2d also serve as the protective pattern 2f.

図12に示すTCP6においても、保護パターン2fとレジスト膜2dとにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図14に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fとレジスト膜2dが配置されることにより、スペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fとレジスト膜2dによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。   Also in the TCP 6 shown in FIG. 12, it is possible to prevent the protective pattern 2f and the resist film 2d from rubbing the alignment pattern 2e and forming scratches on the alignment pattern 2e, and the position when the TCP 6 is assembled or mounted on the mounting substrate. Generation of a recognition error by the recognition camera can be prevented. Further, as shown in FIG. 14, the protective pattern 2f and the resist film 2d are arranged on both sides of the alignment pattern 2e, so that the spacer tape 5 (see FIG. 8) is replaced with the alignment pattern 2e by the protective pattern 2f and the resist film 2d. The spacer tape 5 can be more reliably prevented from coming into contact with the alignment pattern 2e.

図15、図16に示す変形例のTCP6は、保護パターン2fがアライメントパターン2eの周囲を囲むように四角のリング状に絶縁膜のみで形成されているものである。   The TCP 6 of the modification shown in FIGS. 15 and 16 is formed of only an insulating film in a square ring shape so that the protective pattern 2f surrounds the periphery of the alignment pattern 2e.

図15に示すTCP6においても、リング状に絶縁膜のみで形成された保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図16に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fが配置されるため、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。   Also in the TCP 6 shown in FIG. 15, the protective pattern 2 f formed only by the insulating film in the ring shape can prevent the alignment pattern 2 e from rubbing and the alignment pattern 2 e from being scratched. It is possible to prevent the occurrence of a recognition error by the position recognition camera when mounting. Further, as shown in FIG. 16, since the protective patterns 2f are arranged on both sides of the alignment pattern 2e, the spacer tape 5 (see FIG. 8) arranged between the tape layers when winding the tape is replaced with the alignment pattern 2e by the protective pattern 2f. The spacer tape 5 can be more reliably prevented from coming into contact with the alignment pattern 2e.

図17、図18に示す変形例のTCP6は、テープ基板2上の配線2aやリード2bと同時に形成された銅合金のダミーパターン2g上にレジスト膜2d(絶縁膜のパターン)を積層して成り、かつアライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが、アライメントパターン2eの近傍に形成されているものである。   The TCP 6 of the modification shown in FIGS. 17 and 18 is formed by laminating a resist film 2d (insulating film pattern) on a copper alloy dummy pattern 2g formed simultaneously with the wiring 2a and the lead 2b on the tape substrate 2. A protective pattern 2f thicker than the alignment pattern 2e is formed in the vicinity of the alignment pattern 2e.

図17に示すTCP6においても、ダミーパターン2gとレジスト膜2dとからなる保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。   Also in TCP6 shown in FIG. 17, it is possible to prevent rubbing of alignment pattern 2e and formation of scratches on alignment pattern 2e by protective pattern 2f made of dummy pattern 2g and resist film 2d. It is possible to prevent the occurrence of a recognition error by the position recognition camera when mounting.

図19、図20に示す変形例のTCP6は、銅合金のダミーパターン2g上にレジスト膜2d(絶縁膜のパターン)を積層して成り、かつアライメントパターン2eより厚い保護パターン2fが、アライメントパターン2eの周囲を囲むように四角のリング状にダミーパターン2gとレジスト膜2dとで形成されているものである。   The TCP 6 of the modification shown in FIGS. 19 and 20 is formed by laminating a resist film 2d (insulating film pattern) on a copper alloy dummy pattern 2g, and a protective pattern 2f thicker than the alignment pattern 2e is formed as an alignment pattern 2e. The dummy pattern 2g and the resist film 2d are formed in a square ring shape so as to surround the periphery of the substrate.

図19に示すTCP6においても、ダミーパターン2gとレジスト膜2dとからなるリング状の保護パターン2fにより、アライメントパターン2eの擦れやアライメントパターン2eにキズが形成されることを防止でき、TCP6の組み立てや実装基板への実装時の位置認識カメラによる認識エラーの発生を防止することができる。さらに、図20に示すように、アライメントパターン2eの両側に保護パターン2fが配置されるため、テープ巻き取り時にテープ層間に配置するスペーサテープ5(図8参照)を、保護パターン2fによってアライメントパターン2eの両側で支持することができ、スペーサテープ5がアライメントパターン2eに接触することをより確実に防ぐことができる。   In the TCP 6 shown in FIG. 19 as well, the ring-shaped protective pattern 2f formed of the dummy pattern 2g and the resist film 2d can prevent the alignment pattern 2e from being rubbed and the alignment pattern 2e from being scratched. Generation of a recognition error by the position recognition camera when mounted on the mounting board can be prevented. Further, as shown in FIG. 20, since the protective patterns 2f are arranged on both sides of the alignment pattern 2e, the spacer tape 5 (see FIG. 8) arranged between the tape layers when winding the tape is replaced with the alignment pattern 2e by the protective pattern 2f. The spacer tape 5 can be more reliably prevented from coming into contact with the alignment pattern 2e.

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

例えば、前記実施の形態では、半導体装置がTCP6の場合を一例として取り上げて説明したが、前記半導体装置は、アライメントパターン2eの近傍に保護パターン2fが形成されたテープ基板2を用いて組み立てられるものであれば、COFやテープBGA(Ball Grid Array)などの他の半導体装置であってもよい。   For example, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor device is TCP 6 has been described as an example. However, the semiconductor device is assembled using the tape substrate 2 in which the protective pattern 2f is formed in the vicinity of the alignment pattern 2e. If so, another semiconductor device such as a COF or a tape BGA (Ball Grid Array) may be used.

本発明は、半導体装置および半導体製造技術に好適である。   The present invention is suitable for semiconductor devices and semiconductor manufacturing techniques.

本発明の実施の形態の半導体装置(TCP)の構造の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the structure of the semiconductor device (TCP) of embodiment of this invention. 図1に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す拡大部分断面図である。It is an expanded partial sectional view which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line shown in FIG. 図1に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造の一例を示す拡大部分平面図である。FIG. 2 is an enlarged partial plan view showing an example of a structure of an alignment pattern and a protection pattern of a tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図3に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line shown in FIG. 本発明の実施の形態の変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semiconductor device (TCP) of the modification of embodiment of this invention. 図5に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図である。FIG. 6 is an enlarged partial plan view showing structures of an alignment pattern and a protection pattern of a tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 5. 図6に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line shown in FIG. 図5に示す半導体装置のテープ基板の保護パターンによる効果を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the effect by the protection pattern of the tape board | substrate of the semiconductor device shown in FIG. 本発明の実施の形態の変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semiconductor device (TCP) of the modification of embodiment of this invention. 図9に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図である。FIG. 10 is an enlarged partial plan view showing structures of an alignment pattern and a protection pattern of a tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 9. 図10のA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line of FIG. 本発明の実施の形態の変形例の半導体装置(TCP)の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semiconductor device (TCP) of the modification of embodiment of this invention. 図12に示す半導体装置のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図である。FIG. 13 is an enlarged partial plan view showing structures of an alignment pattern and a protection pattern of a tape substrate of the semiconductor device shown in FIG. 12. 図13のA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line of FIG. 本発明の実施の形態の変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図である。It is an enlarged partial top view which shows the structure of the alignment pattern of a tape board | substrate of a semiconductor device (TCP) of the modification of embodiment of this invention, and a protection pattern. 図15のA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line of FIG. 本発明の実施の形態の変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図である。It is an enlarged partial top view which shows the structure of the alignment pattern of a tape board | substrate of a semiconductor device (TCP) of the modification of embodiment of this invention, and a protection pattern. 図17のA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line of FIG. 本発明の実施の形態の変形例の半導体装置(TCP)のテープ基板のアライメントパターンと保護パターンの構造を示す拡大部分平面図である。It is an enlarged partial top view which shows the structure of the alignment pattern of a tape board | substrate of a semiconductor device (TCP) of the modification of embodiment of this invention, and a protection pattern. 図19のA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the cross section cut | disconnected along the AA line of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体チップ
1a パッド
2 テープ基板
2a 配線
2b リード
2c 開口部
2d レジスト膜(絶縁膜)
2e アライメントパターン
2f 保護パターン
2g ダミーパターン
2h スプロケットホール
3 金バンプ
4 封止部
5 スペーサテープ
6 TCP(半導体装置)
1 semiconductor chip 1a pad 2 tape substrate 2a wiring 2b lead 2c opening 2d resist film (insulating film)
2e Alignment pattern 2f Protection pattern 2g Dummy pattern 2h Sprocket hole 3 Gold bump 4 Sealing part 5 Spacer tape 6 TCP (semiconductor device)

Claims (5)

配線を有し、かつアライメントパターンが形成されたテープ基板と、
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。
A tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed around the alignment pattern only by an insulating film.
配線を有し、かつアライメントパターンが形成されたテープ基板と、
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンのテープ送り方向の両側に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。
A tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed only on an insulating film on both sides of the alignment pattern in the tape feeding direction.
配線を有し、かつアライメントパターンが形成されたテープ基板と、
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されており、前記保護パターンは前記アライメントパターンと並ぶように配置されていることを特徴とする半導体装置。
A tape substrate having wiring and having an alignment pattern formed thereon;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed only on an insulating film around the alignment pattern, and the protective pattern is arranged so as to be aligned with the alignment pattern. .
銅合金層からなる配線を有し、かつ前記銅合金層からなるアライメントパターンが形成されたテープ基板と、
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記アライメントパターンの周辺に前記アライメントパターンより厚い保護パターンが絶縁膜のみで形成されていることを特徴とする半導体装置。
A tape substrate having a wiring made of a copper alloy layer and having an alignment pattern made of the copper alloy layer;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, a protective pattern thicker than the alignment pattern is formed around the alignment pattern only by an insulating film.
銅合金層からなる配線を有し、かつ前記銅合金層のパターンからなるアライメントパターンが形成されたテープ基板と、
前記テープ基板と接続する半導体チップとを有し、
前記テープ基板において、前記銅合金層からなるダミーパターンとその上に形成された絶縁膜のパターンの積層膜から成り、かつ前記アライメントパターンより厚い前記積層膜からなる保護パターンが、前記アライメントパターンのテープ送り方向の両側に形成されていることを特徴とする半導体装置。
A tape substrate having a wiring made of a copper alloy layer and having an alignment pattern made of a pattern of the copper alloy layer;
Having a semiconductor chip connected to the tape substrate;
In the tape substrate, the protective pattern made of the laminated film of the dummy pattern made of the copper alloy layer and the insulating film formed thereon and thicker than the alignment pattern is a tape of the alignment pattern A semiconductor device formed on both sides in a feeding direction.
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