JP2006208354A - 液晶アレイの欠陥検出方法とそれに用いる装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 液晶アレイの欠陥を検出する探知設備を提供する。
【解決手段】 液晶アレイの欠陥を検出する探知設備であって、当該探知設備は、主チャンバと、検出装置と、ベースと、主加熱装置と、を備える。ベースは、主チャンバ中に配置され、液晶アレイを配置する。検出装置は、主チャンバに配置され、接触又は非接触の方式で、液晶アレイの電気特性を検出する。主加熱装置は、主チャンバの内側又は外側に位置し、液晶アレイを第一温度まで加熱し、液晶アレイの欠陥を知らせる。
【選択図】 図１ａ

Description

本発明は、液晶アレイの欠陥の検出方法及びそれに用いる装置に関するものである。
公知の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（TFT LCD）アレイの欠陥検出は、接触式又は非接触式等の方式により、液晶ディスプレイアレイの電気特性の欠陥を検出するものである。接触式探知は、探針により検出を実行し、非接触式探知は、電子ビーム又は光束により検出を実行する。
図３は、電子ビーム探知の原理を示す図である。画素Ｐ１は、透明電極Ｄ１、薄膜トランジスタＴ１及びコンデンサＣ１を有する。電子ビーム探知は、電子ビーム発射器１１を利用して、電圧を印加した画素Ｐ１の透明電極に対し、電子ビームを照射し、電子ビームは透明電極Ｄ１に接触した後、二次電子を生成する。この二次電子は、受信器１２により受信される。一般のアレイ欠陥（ここで定義されるのは、常温下で検出可能なアレイ欠陥であり、例えば、透明電極とデータライン間のショート又はデータラインの開回路等のことである）は、透明電極Ｄ１の帯電量異常を生じ（即ち、帯有する正電荷又は負電荷が多い）、受信器１２が受信する二次電子の電量が変化し（正電気は反発し、負電気は親和する原理）、これにより、アレイ上の欠陥を探知する。
しかし、公知の液晶ディスプレイアレイ検出方式は、接触式又は非接触式の探知方式にかかわらず、薄膜トランジスタに生じる欠陥を完全に検出できるわけではなく、例えば、“脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）”、又は高温欠陥（ここで定義されるのは、高温下で検出される欠陥）を検出することはできない。
図４は、薄膜トランジスタの特性曲線であり、理想状態下で、薄膜トランジスタの電気特性は、図中の点線２０で示されるように、入力電圧がしきい電圧（Threshold voltage）より小さい時、通電量は低く、液晶中の光路が閉鎖され、入力電圧が、しきい電圧より大きい時、通電量は高く、液晶中の光路が開放される。実際の一般情況は、薄膜トランジスタの特性曲線は、曲線２１で示されるように、点線２０と若干のずれがあるが、ほぼ理想状態の趨勢である。入力電圧がしきい電圧より大きい時、光路を開放し始める。
しかし、“脆弱薄膜トランジスタ”は、材料、構造又は製造工程に起因して欠陥を生じた薄膜トランジスタを指し、温度が上昇する環境下で、重大な漏電現象を引き起こす。図４中の曲線２２で示されるように、温度が上昇する時、欠陥のあるトランジスタは、しきい電圧より大きい入力電圧が供給されていないが、相当に高い通電量（漏電）があり、“白点欠陥（bright point defect）”を生じる。即ち、ノーマルホワイトモード（Normal white Mode）下で、この位置の光路は常に開いており、フルブラックフレームの表示時、この位置は白点を生じる。反対に、ノーマルブラックモード（Normal black Mode）下では、“黒色欠陥（Black point defect）”を生じる。
液晶ディスプレイを使用する時、バックライトモジュールは、大量の熱エネルギーを生成するので、薄膜トランジスタに欠陥がある時、上述の“白点欠陥”は避けられない。一般の液晶ディスプレイアレイの欠陥の探知は、直接、液晶ディスプレイアレイの製造工程の完了後に実行されるが、この時、未だバックライトモジュールは未装着であり、また、液晶を注入していないので、上述の薄膜トランジスタの高温欠陥を検出することはできない。パネル製作完成後、“白色欠点”を発見した場合には、欠陥探知を再実行することになり、或いは当該パネルを廃棄することになって、コストがかさむ。
上述の問題を解決するため、本発明は、液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する探知設備及び方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第１に本発明は、液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する探知設備であって、主チャンバと、前記主チャンバ中に設置され、前記液晶ディスプレイアレイを配置するベースと、前記主チャンバ中に設置され、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を探知する検出装置と、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度まで加熱して、前記液晶ディスプレイアレイの前記欠陥を発現させる主加熱装置と、を備えたことを特徴とする探知設備を提供する（発明１）。
上記発明（発明１）において、前記検出装置は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器及びセンサーを備えており、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイに向けて、電子ビームを発射し、前記センサーは、前記電子ビームが前記液晶ディスプレイアレイに接触した後生成される少なくとも一つの二次電子を検出し、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出することが好ましい（発明２）。
上記発明（発明２）において、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイの透明電極に向けて、前記電子ビームを発射することが好ましい（発明３）。
上記発明（発明１）において、前記主チャンバは、真空チャンバであることが好ましい（発明４）。
上記発明（発明１）において、前記欠陥は、脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）であることが好ましい（発明５）。
上記発明（発明１）において、前記第一温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明６）。
上記発明（発明６）において、前記第一温度は、６０℃であることが好ましい（発明７）。
上記発明（発明１）において、前記主加熱装置は、ランプによる加熱、赤外線加熱又はホットウォール型加熱等の方式により、前記液晶ディスプレイアレイに対し熱量を提供することが好ましい（発明８）。
上記発明（発明１）においては、更に、補助チャンバ及び補助加熱装置を有し、前記補助チャンバと前記主チャンバは連通し、前記補助加熱装置は、前記加熱装置の前に配置され、前記液晶ディスプレイアレイを、まず、前記第一温度より低い第二温度に加熱することが好ましい（発明９）。
上記発明（発明１）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明１０）。
上記発明（発明１０）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明１１）。
上記発明（発明１）においては、更に、補助チャンバ及び補助加熱装置を有し、前記補助チャンバと前記主チャンバは連通し、前記補助加熱装置は、検出終了後、前記液晶ディスプレイアレイの温度を、前記第一温度より低い第二温度まで下降させることが好ましい（発明１２）。
上記発明（発明１２）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明１３）。
上記発明（発明１３）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明１４）。
上記発明（発明１）において、前記液晶ディスプレイアレイは、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、ポリシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬディスプレイ又はアクティブフラット検出器の液晶ディスプレイアレイであることが好ましい（発明１５）。
第２に本発明は、液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する探知設備であって、前記液晶ディスプレイアレイを配置するベースと、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を探知する検出装置と、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度まで加熱して、前記液晶ディスプレイアレイの前記欠陥を発現させる主加熱装置と、を備えたことを特徴とする探知設備を提供する（発明１６）。
上記発明（発明１６）において、前記検出装置は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器及びセンサーを備えており、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイに向けて、電子ビームを発射し、前記センサーは、前記電子ビームが前記液晶ディスプレイアレイに接触した後生成される少なくとも一つの二次電子を検出し、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出することが好ましい（発明１７）。
上記発明（発明１７）において、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイの透明電極に向けて、前記電子ビームを発射することが好ましい（発明１８）。
上記発明（発明１６）において、前記欠陥は、脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）であることが好ましい（発明１９）。
上記発明（発明１６）において、前記第一温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明２０）。
上記発明（発明２０）において、前記第一温度は、６０℃であることが好ましい（発明２１）。
上記発明（発明１６）において、前記主加熱装置は、ランプによる加熱、赤外線加熱又はホットウォール型加熱等の方式により、前記液晶ディスプレイアレイに対し熱量を提供することが好ましい（発明２２）。
上記発明（発明１６）においては、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱してもよい（発明２３）。
上記発明（発明２３）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明２４）。
上記発明（発明２４）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明２５）。
上記発明（発明１６）においては、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱してもよい（発明２６）。
上記発明（発明２６）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明２７）。
上記発明（発明２７）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明２８）。
上記発明（発明１６）においては、検出終了後、前記加熱装置は、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱してもよい（発明２９）。
上記発明（発明２９）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明３０）。
上記発明（発明３０）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明３１）。
上記発明（発明１６）においては、検出終了後、前記加熱装置は、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱してもよい（発明３２）。
上記発明（発明３２）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明３３）。
上記発明（発明３３）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明３４）。
上記発明（発明１６）において、前記液晶ディスプレイアレイは、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、ポリシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬディスプレイ又はアクティブフラット検出器の液晶ディスプレイアレイであることが好ましい（発明３５）。
第３に本発明は、液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する方法であって、検出装置及び加熱装置を提供する工程と、前記加熱装置を利用して、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する工程と、前記検出装置を利用して、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出する工程と、を備えたことを特徴とする液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する方法を提供する（発明３６）。
上記発明（発明３６）において、前記検出装置は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器及びセンサーを備えており、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイに向けて、電子ビームを発射し、前記センサーは、前記電子ビームが前記液晶ディスプレイアレイに接触した後生成される少なくとも一つの二次電子を検出し、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出することが好ましい（発明３７）。
上記発明（発明３７）において、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイの透明電極に向けて、前記電子ビームを発射することが好ましい（発明３８）。
上記発明（発明３７）において、前記欠陥は、脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）であることが好ましい（発明３９）。
上記発明（発明３６）において、前記第一温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明４０）。
上記発明（発明４０）において、前記第一温度は、６０℃であることが好ましい（発明４１）。
上記発明（発明３６）において、前記主加熱装置は、ランプによる加熱、赤外線加熱又はホットウォール型加熱等の方式により、前記液晶ディスプレイアレイに対し熱量を提供することが好ましい（発明４２）。
上記発明（発明３６）においては、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱してもよい（発明４３）。
上記発明（発明４３）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明４４）。
上記発明（発明４４）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明４５）。
上記発明（発明３６）においては、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱してもよい（発明４６）。
上記発明（発明４６）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明４７）。
上記発明（発明４７）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明４８）。
上記発明（発明３６）において、検出終了後、前記加熱装置は、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで下降させてもよい（発明４９）。
上記発明（発明４９）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明５０）。
上記発明（発明５０）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明５１）。
上記発明（発明３６）において、検出終了後、前記加熱装置は、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで下降させてもよい（発明５２）。
上記発明（発明５２）において、前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることが好ましい（発明５３）。
上記発明（発明５３）において、前記第二温度は、４０℃であることが好ましい（発明５４）。
本発明により、直接、アレイ製造工程後に、薄膜トランジスタの欠陥、特に、温度に起因する高温欠陥を検出することができる。これにより、液晶注入、バックライトモジュールの装着工程の前に、直接、欠陥のある薄膜トランジスタに対し処理を施すことが出来、パネル製作のコストを節約することが出来る。
本発明では、液晶ディスプレイアレイを探知する時、液晶ディスプレイアレイに対し、熱量を提供し、アレイの欠陥を発現させ、特に、薄膜トランジスタの温度に起因する高温欠陥を発現させる。また、薄膜トランジスタと電気特性が相関する素子に対し検出を実行するので、薄膜トランジスタの欠陥を検出することが出来る。
〔第一実施形態〕
図１ａは、本発明の第一実施形態の探知設備１００を示す図であり、主チャンバ４０と、検出装置１０と、ベース３０と、加熱装置（ランプ４１）と、からなる。検出装置１０及びベース３０は、主チャンバ４０中に配置される。ベース３０は、液晶ディスプレイアレイ２３を配置するのに用いられる。検出装置１０は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器１１及びセンサー１２からなり、電子ビーム発射器１１は、液晶ディスプレイアレイ２３上の透明電極（図示しない）に向けて、電子ビームを発射し、センサー１２は、電子ビームが液晶ディスプレイアレイ２３に接触した後生成される二次電子を検出して、液晶ディスプレイアレイ２３の電気特性を検出する。この他、電子ビームに合わせて、主チャンバ４０は、真空チャンバとなっている。
第一実施形態の欠陥探知工程は、まず、液晶ディスプレイアレイ２３を主チャンバ４０中に配置し、続いて、ランプ４１を利用し、輻射方式で液晶ディスプレイアレイ２３を第一温度まで加熱し、最後に、検出装置１０により、液晶ディスプレイアレイ２３の電気特性を検出する。第一温度は２０〜１５０℃であることが好ましく、特に６０℃であることが好ましい。
本発明の原理は、液晶ディスプレイアレイ２３に対し加熱を施すことにより、薄膜トランジスタの欠陥を発現させるものであり、特に、温度に起因する高温欠陥、例えば、“脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）”を発現させる。欠陥のある薄膜トランジスタは、第一温度下で漏電現象が生じるので、透明電極表面にて電気特性の異常を引き起こし、よって、電子ビーム探知方式により、薄膜トランジスタの高温欠陥を検出する。
図１ｂは、本発明の第一実施形態の第一変形例を示す図であり、その特徴は、加熱装置を加熱コイル４２に変更し、当該加熱コイル４２をチャンバ４０の外に環繞し、ホットウォール型加熱方式により、液晶ディスプレイアレイ２３に対し熱量を提供することである。
図１ｃは、本発明の第一実施形態の第二変形例を示す図であり、その特徴は、加熱装置を加熱コイル４２に変更し、当該加熱コイル４２をチャンバ４０内に環繞し、ホットウォール型加熱方式により、液晶ディスプレイアレイ２３に対し熱量を提供することである。ホットウォール型加熱は、赤外線加熱であると定義される。
図１ｄは、本発明の第一実施形態の第三変形例を示す図であり、その特徴は、加熱装置を加熱コイル３１に変更し、当該加熱コイル３１をベース３０中に埋設し、伝導方式によりベース３０を加熱し、更にベース３０は、熱量を液晶ディスプレイアレイ２３に伝達する。
図１ｄの実施例中、加熱コイル３１はベース３０中に埋設されるが、これに限定されない。加熱コイル３１は、ベース３０表面に設置して、伝導方式により加熱してもよいし、或いは、液晶ディスプレイアレイ２３上方に設置して、輻射などの方式で加熱してもよい。
第一実施形態において、加熱装置は、まず、液晶ディスプレイアレイ２３を、均一に第二温度（予熱）に加熱する。第二温度は第一温度より低く、２０〜１５０℃の間であることが好ましく、特に４０℃であることが好ましい。予熱には二つの長所があり、一つは、液晶ディスプレイアレイ２３のガラス基板の破裂を防止することが出来ることと、もう一つは、未だ真空状態になっていない下で予熱できるので、対流、伝導の方式、又は対流及び伝導の方式で、液晶ディスプレイアレイ２３の加熱が可能であり、加熱速度を大きくすることが出来る。予熱後、真空にして、輻射方式により第一温度に加熱し、検出を実行する。
同様に、検出完了後、加熱装置を制御することにより、液晶ディスプレイアレイ２３の温度を、均一に第二温度まで下降させ、液晶ディスプレイアレイ２３のガラス基板の破裂を防止する。第二温度に達した後、真空を解除し、対流又は伝導の方式で、解熱を加速する。
本実施形態は、電子ビーム探知の方式により、液晶ディスプレイアレイ２３の欠陥を検出するので、検出環境は真空チャンバである。しかし、これに限定されず、本発明は、探針若しくはその他の接触式、又は非接触式の検出方式により検出することも出来、チャンバ中での探知に限定されず、また、加熱方式も、検出方式によって異なり、輻射、対流及び伝導等の方式を適宜組み合わせて使用することができる。
探知対象としての液晶ディスプレイアレイは、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、ポリシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬディスプレイ、又はアクティブフラット検出器の液晶ディスプレイアレイなどである。
〔第二実施形態〕
図２ａは、本発明の第二実施形態を示す図であり、第一実施形態と異なるのは、補助チャンバ５０を増設し、予熱及び解熱を加速すると共に、熱応力の生成を回避することである。説明を分かりやすくするために、主チャンバ４０中の加熱装置（ランプ４１）は、“主加熱装置”とし、補助チャンバ５０中の加熱装置（ランプ５１）は、“補助加熱装置”とする。本実施形態中、主加熱装置及び補助加熱装置は、ランプ加熱の方式を採用するが、第一実施形態で提供された任意の加熱方式を応用することができる。補助チャンバ５０は、主チャンバ４０に隣接し、補助加熱装置５１及びベース５２は、チャネル４５により、選択可能な方式で主チャンバ４０と連通している。
検出の前、液晶ディスプレイアレイ２３は、まず、補助チャンバ５０中のベース５２上に配置されて、第二温度まで加熱され、チャンネル４５を経て、主チャンバ４０に進入し、第一温度まで加熱されると共に、検出が実行される。同様に、検出完了後、液晶ディスプレイアレイ２３は、主チャンバ４０中から、補助チャンバ５０中に戻され、温度が均一に第二温度にまで下降した後、補助チャンバ５０から移出される。補助チャンバ５０は、真空チャンバでなくてもよい。よって、同時に、対流、輻射等の多重方式で、迅速且つ均一に、液晶ディスプレイアレイ２３に対し、加熱・冷却を施し、予熱・解熱処理時間を短縮すると共に、予熱・解熱の処理均一度を向上させ、液晶ディスプレイアレイ２３のガラス基板の破裂を防止する。
図２ｂは、本発明の第二実施形態の第一変形例を示す図であり、ここでは、補助チャンバ及び主チャンバ中の装置の図示を省略して、説明を簡潔にする。図２ｂでは、補助チャンバ５０及び補助チャンバ５０’が設けられ、共に、主チャンバ４０に隣接している。その特徴は、検出前、液晶ディスプレイアレイ２３が、まず補助チャンバ５０中に置かれ、第二温度まで予熱された後、主チャンバ４０に送入されて、加熱及び検出が実行される。検出完了後、液晶ディスプレイアレイ２３は、主チャンバ４０中から、補助チャンバ５０’中に送られ、温度が第二温度まで安定して下降する。本実施形態では、更に、予熱・解熱処理時間を短縮することが出来ることが長所である。
図２ｃは、本発明の第二実施形態の第二変形例を示す図である。ここでは、補助チャンバ及び主チャンバ中の装置の図示を省略して、説明を簡潔にする。図２ｃでは、主チャンバ４０、主チャンバ４０’及び主チャンバ４０”が設けられ、それぞれ補助チャンバ５０に隣接している。その特徴は、検出前、液晶ディスプレイアレイ２３が、まず、補助チャンバ５０中に置かれ、第二温度まで予熱され、更に、主チャンバ４０、主チャンバ４０’又はチャンバ４０”に送入されて、加熱及び検出が実行される。検出完了後、液晶ディスプレイアレイ２３は、主チャンバ４０、主チャンバ４０’又はチャンバ４０”中から、補助チャンバ５０中に戻され、温度が第二温度まで安定して下降する。本実施形態では、検出速度を加速することが出来ることが長所である。
本発明により、直接、アレイ製造工程後に、薄膜トランジスタの欠陥、特に、温度に起因する高温欠陥を検出することができる。これにより、液晶注入、バックライトモジュールの組み立て工程の前に、直接、欠陥のある薄膜トランジスタに対し処理を施すことが出来、パネル製作のコストを節約することが出来る。
本明細書では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更や改良を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で規定した内容を基準とする。
本発明の第一実施形態を示す図である。 本発明の第一実施形態の第一変形例を示す図である。 本発明の第一実施形態の第二変形例を示す図である。 本発明の第一実施形態の第三変形例を示す図である。 本発明の第二実施形態を示す図である。 本発明の第二実施形態の第一変形例を示す図である。 本発明の第二実施形態の第二変形例を示す図である。 電子ビーム探知の原理を示す図である。 薄膜トランジスタの電気特性曲線である。
符号の説明
１０…検出装置
１１…電子ビーム発射器
１２…受信器
２１，２２…曲線
２３…液晶ディスプレイアレイ
３０…ベース
３１…加熱コイル
４０，４０’，４０”…主チャンバ
４１…ランプ
４２…加熱コイル
４５…チャネル
５０，５０’…補助チャンバ
５１…ランプ（補助加熱装置）
５２…ベース
１００…探知設備
Ｐ１…画素
Ｔ１…薄膜トランジスタ
Ｄ１…透明電極
Ｃ１…コンデンサ

Claims (54)

  1. 液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する探知設備であって、
    主チャンバと、
    前記主チャンバ中に設置され、前記液晶ディスプレイアレイを配置するベースと、
    前記主チャンバ中に設置され、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を探知する検出装置と、
    前記液晶ディスプレイアレイを第一温度まで加熱して、前記液晶ディスプレイアレイの前記欠陥を発現させる主加熱装置と、
    を備えたことを特徴とする探知設備。
  2. 前記検出装置は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器及びセンサーを備えており、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイに向けて、電子ビームを発射し、前記センサーは、前記電子ビームが前記液晶ディスプレイアレイに接触した後生成される少なくとも一つの二次電子を検出し、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出することを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  3. 前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイの透明電極に向けて、前記電子ビームを発射することを特徴とする請求項２に記載の探知設備。
  4. 前記主チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  5. 前記欠陥は、脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）であることを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  6. 前記第一温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  7. 前記第一温度は、６０℃であることを特徴とする請求項６に記載の探知設備。
  8. 前記主加熱装置は、ランプによる加熱、赤外線加熱又はホットウォール型加熱等の方式により、前記液晶ディスプレイアレイに対し熱量を提供することを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  9. 更に、補助チャンバ及び補助加熱装置を有し、前記補助チャンバと前記主チャンバは連通し、前記補助加熱装置は、前記加熱装置の前に配置され、前記液晶ディスプレイアレイを、まず、前記第一温度より低い第二温度に加熱することを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  10. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項９に記載の探知設備。
  11. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項１０に記載の探知設備。
  12. 更に、補助チャンバ及び補助加熱装置を有し、前記補助チャンバと前記主チャンバは連通し、前記補助加熱装置は、検出終了後、前記液晶ディスプレイアレイの温度を、前記第一温度より低い第二温度まで下降させることを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  13. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項１２に記載の探知設備。
  14. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項１３に記載の探知設備。
  15. 前記液晶ディスプレイアレイは、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、ポリシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬディスプレイ又はアクティブフラット検出器の液晶ディスプレイアレイであることを特徴とする請求項１に記載の探知設備。
  16. 液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する探知設備であって、
    前記液晶ディスプレイアレイを配置するベースと、
    前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を探知する検出装置と、
    前記液晶ディスプレイアレイを第一温度まで加熱して、前記液晶ディスプレイアレイの前記欠陥を発現させる主加熱装置と、
    を備えたことを特徴とする探知設備。
  17. 前記検出装置は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器及びセンサーを備えており、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイに向けて、電子ビームを発射し、前記センサーは、前記電子ビームが前記液晶ディスプレイアレイに接触した後生成される少なくとも一つの二次電子を検出し、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出することを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  18. 前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイの透明電極に向けて、前記電子ビームを発射することを特徴とする請求項１７に記載の探知設備。
  19. 前記欠陥は、脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）であることを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  20. 前記第一温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  21. 前記第一温度は、６０℃であることを特徴とする請求項２０に記載の探知設備。
  22. 前記主加熱装置は、ランプによる加熱、赤外線加熱又はホットウォール型加熱等の方式により、前記液晶ディスプレイアレイに対し熱量を提供することを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  23. 前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱することを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  24. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項２３に記載の探知設備。
  25. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項２４に記載の探知設備。
  26. 前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱することを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  27. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項２６に記載の探知設備。
  28. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項２７に記載の探知設備。
  29. 検出終了後、前記加熱装置は、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱することを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  30. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項２９に記載の探知設備。
  31. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項３０に記載の探知設備。
  32. 検出終了後、前記加熱装置は、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱することを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  33. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項３２に記載の探知設備。
  34. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項３３に記載の探知設備。
  35. 前記液晶ディスプレイアレイは、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、ポリシリコンの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬディスプレイ又はアクティブフラット検出器の液晶ディスプレイアレイであることを特徴とする請求項１６に記載の探知設備。
  36. 液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する方法であって、
    検出装置及び加熱装置を提供する工程と、
    前記加熱装置を利用して、前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する工程と、
    前記検出装置を利用して、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出する工程と、
    を備えたことを特徴とする液晶ディスプレイアレイの欠陥を検出する方法。
  37. 前記検出装置は、電子ビーム探知装置であり、電子ビーム発射器及びセンサーを備えており、前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイに向けて、電子ビームを発射し、前記センサーは、前記電子ビームが前記液晶ディスプレイアレイに接触した後生成される少なくとも一つの二次電子を検出し、前記液晶ディスプレイアレイの電気特性を検出することを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  38. 前記電子ビーム発射器は、前記液晶ディスプレイアレイの透明電極に向けて、前記電子ビームを発射することを特徴とする請求項３７に記載の検出方法。
  39. 前記欠陥は、脆弱薄膜トランジスタ（TFT Weak）であることを特徴とする請求項３７に記載の検出方法。
  40. 前記第一温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  41. 前記第一温度は、６０℃であることを特徴とする請求項４０に記載の検出方法。
  42. 前記主加熱装置は、ランプによる加熱、赤外線加熱又はホットウォール型加熱等の方式により、前記液晶ディスプレイアレイに対し熱量を提供することを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  43. 前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱することを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  44. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項４３に記載の検出方法。
  45. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項４４に記載の検出方法。
  46. 前記液晶ディスプレイアレイを第一温度に加熱する前に、前記加熱装置は、まず、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで加熱することを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  47. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項４６に記載の検出方法。
  48. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項４７に記載の検出方法。
  49. 検出終了後、前記加熱装置は、対流又は伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで下降させることを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  50. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項４９に記載の検出方法。
  51. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項５０に記載の検出方法。
  52. 検出終了後、前記加熱装置は、対流及び伝導の方式により、前記液晶ディスプレイアレイを、前記第一温度より低い第二温度まで下降させることを特徴とする請求項３６に記載の検出方法。
  53. 前記第二温度は、２０〜１５０℃の間であることを特徴とする請求項５２に記載の検出方法。
  54. 前記第二温度は、４０℃であることを特徴とする請求項５３に記載の検出方法。
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