JP2006191747A - Switching circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the efficiency of a switching circuit by delaying a leading edge of a switching control signal for prevention of a through current. <P>SOLUTION: This switching circuit includes first and second transistors TR1a, TR1b connected in series between power sources; first and second control circuits 1a, 1b connected between a control terminal and a source or a drain of the transistor; and first, second, third and fourth voltage clamp elements formed in the control circuit. Therefore, a threshold voltage of the transistor as a switching element is near the central level of the switching signal to make such a timing that two transistors are turned off together. Thus, the through current generated at a switching operation is prevented, thus attaining high switching speed and high efficiency of the switching circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、放電灯用点灯回路に関し、とくに放電灯用点灯回路のスイッチング回路に関する。   The present invention relates to a discharge lamp lighting circuit, and more particularly to a switching circuit for a discharge lamp lighting circuit.

近年、放電灯用点灯回路で省電力化の観点からその点灯効率の向上の要求が大きくなってきている。放電灯用点灯回路ではスイッチング回路が用いられている。このスイッチング回路において、2つのトランジスタを直列に接続したスイッチング回路が用いられている。スイッチング回路では、この2つのトランジスタが互いに逆相の矩形波で駆動されている。そのため制御信号の立ち上がり、立ち下がり時に2つのトランジスタが共にオン状態となり貫通電流が流れてしまう問題があった。   In recent years, there has been an increasing demand for improving the lighting efficiency of a discharge lamp lighting circuit from the viewpoint of power saving. A switching circuit is used in the discharge lamp lighting circuit. In this switching circuit, a switching circuit in which two transistors are connected in series is used. In the switching circuit, these two transistors are driven by rectangular waves having opposite phases. Therefore, there is a problem that the two transistors are both turned on when the control signal rises and falls, causing a through current to flow.

特許文献1では、このような貫通電流を低減するための技術が開示されている。図3は特許文献1に示されているスイッチング回路を示す回路図である。特許文献1に記載の技術では制御信号の立ち上がりを遅らせ、立ち下がりを早めることで2つのトランジスタが共にオン状態になるのを回避している。図4に特許文献1に示された技術の出力トランジスタのゲート電圧の波形と出力電圧の波形を示す。特許文献1記載の回路では、2つのトランジスタの同時オン状態を避けるために、制御信号の立ち上がりを遅らせている。
特開平10−162982号公報
Patent Document 1 discloses a technique for reducing such a through current. FIG. 3 is a circuit diagram showing a switching circuit disclosed in Patent Document 1. In FIG. In the technique described in Patent Document 1, the rise of the control signal is delayed and the fall of the control signal is advanced, thereby avoiding that both transistors are turned on. FIG. 4 shows the waveform of the gate voltage and the waveform of the output voltage of the output transistor of the technique disclosed in Patent Document 1. In the circuit described in Patent Document 1, the rise of the control signal is delayed in order to avoid the simultaneous ON state of two transistors.
JP-A-10-162982

しかしながら、特許文献1に記載の技術では、貫通電流防止のために、スイッチング制御信号の立ち上がりを遅らせているためにスイッチング回路の効率が悪くなってしまう場合があった。   However, in the technique described in Patent Document 1, the switching circuit efficiency may be deteriorated because the rise of the switching control signal is delayed in order to prevent a through current.

本発明のスイッチング回路は第1の電源と第2の電源の間に直列に接続された第1及び第2の出力トランジスタを有するスイッチング回路であって、前記第1の出力トランジスタの制御端子及び前記第1の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続され、第1及び第2の入力端子を介して第1の制御信号が入力される第1の制御回路と、前記第2の出力トランジスタの制御端子及び前記第2の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続され、第3及び第4の入力端子を介して前記第1の制御信号とは逆相の第2の制御信号が入力される第2の制御回路と、前記第1の制御回路内に形成され前記第2の入力端子と前記第1の出力トランジスタの制御端子の間に接続された第1の電圧クランプ素子と、前記第1の制御回路内に形成され前記第2の入力端子と前記第1の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続された第2の電圧クランプ素子と、前記第2の制御回路内に形成され前記第4の入力端子と前記第2の出力トランジスタの制御端子の間に接続された第3の電圧クランプ素子と、前記第2の制御回路内に形成され前記第4の入力端子と前記第2の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続された第4の電圧クランプ素子とを有している。これによりスイッチング素子であるトランジスタの閾値電圧をスイッチング制御信号の中心レベル付近にし、2つのトランジスタが共にオフ状態となるタイミングを作る。この結果、スイッチ動作のときに発生していた貫通電流を防止し、スイッチング速度の高速化とスイッチング回路の高効率化が可能となる。   The switching circuit of the present invention is a switching circuit having first and second output transistors connected in series between a first power source and a second power source, the control terminal of the first output transistor, and the A first control circuit connected between a source or a drain of the first output transistor and receiving a first control signal via the first and second input terminals; and the second output transistor A second control signal that is connected between the control terminal and the source or drain of the second output transistor and is opposite in phase to the first control signal is input via the third and fourth input terminals. A second control circuit, a first voltage clamp element formed in the first control circuit and connected between the second input terminal and the control terminal of the first output transistor, and 1 control times A second voltage clamp element formed between the second input terminal and the source or drain of the first output transistor, and formed in the second control circuit. A third voltage clamp element connected between the input terminal and the control terminal of the second output transistor; and the fourth input terminal and the second output transistor formed in the second control circuit. And a fourth voltage clamp element connected between the source and the drain. As a result, the threshold voltage of the transistor, which is a switching element, is set near the center level of the switching control signal, and the timing at which both transistors are turned off is created. As a result, it is possible to prevent the through current generated during the switching operation, and to increase the switching speed and increase the efficiency of the switching circuit.

本発明のスイッチング回路によれば、貫通電流を防止しながらスイッチング回路の高効率化を図れる。   According to the switching circuit of the present invention, the efficiency of the switching circuit can be increased while preventing a through current.

実施の形態1   Embodiment 1

本発明の実施の形態1に関わるスイッチング回路の回路図を図1に示す。実施の形態1のスイッチング回路は第1、第2の出力トランジスタTR1a、TR1b、および信号制御回路1a、1bを有している。   A circuit diagram of a switching circuit according to Embodiment 1 of the present invention is shown in FIG. The switching circuit of the first embodiment has first and second output transistors TR1a and TR1b and signal control circuits 1a and 1b.

出力トランジスタTR1a、TR1bは電源電位と接地電位の間に直列に接続されており、TR1aが電源電位側に接続され、TR1bが接地電位側に接続されている。   The output transistors TR1a and TR1b are connected in series between the power supply potential and the ground potential, TR1a is connected to the power supply potential side, and TR1b is connected to the ground potential side.

制御回路1a、1bは入力された制御信号から、それぞれトランジスタTR1a、TR1bのゲートに与えられる電圧を生成する回路である。制御回路1aには、第1、第2の入力端子101a、102aを介して第1の制御信号Saが与えられている。制御回路1bには第3、第4の入力端子101b、102bを介して第1の制御信号とは逆相の第2の制御信号Sbが与えられている。制御信号Sa,Sbはトランスなどを介して前段の回路から与えられる信号である。制御信号Sa,Sbは互いに位相が180°ずれた矩形波である。制御回路1a、1bは、与えられる制御信号が異なっているのみで、同一の構成であるため、以下の説明では制御回路1aを中心にその構成、動作を説明する。   The control circuits 1a and 1b are circuits that generate voltages applied to the gates of the transistors TR1a and TR1b, respectively, from the input control signals. A first control signal Sa is supplied to the control circuit 1a via the first and second input terminals 101a and 102a. The control circuit 1b is supplied with a second control signal Sb having a phase opposite to that of the first control signal via the third and fourth input terminals 101b and 102b. The control signals Sa and Sb are signals given from the preceding circuit through a transformer or the like. The control signals Sa and Sb are rectangular waves whose phases are shifted from each other by 180 °. The control circuits 1a and 1b have the same configuration except that the control signals to be supplied are different. Therefore, in the following description, the configuration and operation will be described focusing on the control circuit 1a.

制御回路1aは、ツェナーダイオード142a、コンデンサ151a、161a、ダイオード141a、121a、122a、抵抗131a、132a、133aを有している。   The control circuit 1a includes a Zener diode 142a, capacitors 151a and 161a, diodes 141a, 121a and 122a, and resistors 131a, 132a and 133a.

ライン111aにはカップリングコンデンサ161aを介して抵抗131a、132a、133aとダイオード121aが接続される。抵抗131aはライン113aを介して出力トランジスタTR1aのゲートに接続される。ダイオード121aはライン113aからライン111aに向かって順方向に接続されており、抵抗131aと並列になるように接続されている。抵抗132aはライン111aと、ライン112aとの間に接続されている。抵抗133aはダイオード122aを介して出力トランジスタのソース側に接続される。ダイオード122aは抵抗133aから出力トランジスタのソース方向に対し順方向に接続されている。ダイオード141aはライン112aからライン113aに向かって順方向に接続されている。ツェナーダイオード142aはライン112aから出力トランジスタTR1aのソース端子方向に順方向に接続される。コンデンサ151aはライン112aと出力トランジスタTR1aのソース端子の間にツェナーダイオード142aに並列になるように接続されている。   Resistors 131a, 132a, 133a and a diode 121a are connected to the line 111a via a coupling capacitor 161a. The resistor 131a is connected to the gate of the output transistor TR1a through the line 113a. The diode 121a is connected in the forward direction from the line 113a to the line 111a, and is connected in parallel with the resistor 131a. The resistor 132a is connected between the line 111a and the line 112a. The resistor 133a is connected to the source side of the output transistor via the diode 122a. The diode 122a is connected in the forward direction from the resistor 133a to the source direction of the output transistor. The diode 141a is connected in the forward direction from the line 112a toward the line 113a. The Zener diode 142a is connected in the forward direction from the line 112a to the source terminal direction of the output transistor TR1a. The capacitor 151a is connected in parallel with the Zener diode 142a between the line 112a and the source terminal of the output transistor TR1a.

図1に示すように、入力端子101aは制御回路1aのライン111aに接続され、入力端子102aは制御回路1aのライン112aに接続される。入力端子101bは制御回路1bのライン111bに接続され、入力端子102bは制御回路1bのライン112bに接続される。   As shown in FIG. 1, the input terminal 101a is connected to the line 111a of the control circuit 1a, and the input terminal 102a is connected to the line 112a of the control circuit 1a. The input terminal 101b is connected to the line 111b of the control circuit 1b, and the input terminal 102b is connected to the line 112b of the control circuit 1b.

実施の形態1の回路の動作のタイミングチャートを図2に示す。以下に制御回路1aの動作について図2を参照して説明する。入力端子101a、102a間に与えられる制御信号が、タイミングt0で立ち上がった場合、ライン113aの電圧は、所定の時定数に基づいてタイミングt0からt3にかけてLowレベルからHighレベルになる。また、制御信号がタイミングt4で立ち下がった場合、ライン113aの電圧は所定の時定数に基づいてタイミングt4からLowレベルになる。この立ち上がり、立ち下がりの時定数は、制御回路内に設けられた抵抗や容量に基づいて定められるものであり、この点については後述する。   A timing chart of the operation of the circuit of Embodiment 1 is shown in FIG. The operation of the control circuit 1a will be described below with reference to FIG. When the control signal applied between the input terminals 101a and 102a rises at timing t0, the voltage of the line 113a changes from low level to high level from timing t0 to t3 based on a predetermined time constant. When the control signal falls at the timing t4, the voltage of the line 113a becomes a low level from the timing t4 based on a predetermined time constant. The rise and fall time constants are determined based on the resistance and capacitance provided in the control circuit, and this point will be described later.

またこの時、ライン113aのLowレベルはダイオード141aの順方向電圧とツェナーダイオード142aのツェナー電圧を足した電圧で決まるレベルであり、Highレベルは入力電圧の最大レベルからツェナーダイオード142aのツェナー電圧を引いた電圧で決まるレベルである。つまり、出力トランジスタTR1aのゲートに与えられる電圧は正側と負側に振幅を持つ信号となる。ダイオード141a、ツェナーダイオード142aは電圧クランプ素子として使用している。抵抗132aは入力信号の負荷抵抗である。   At this time, the low level of the line 113a is determined by a voltage obtained by adding the forward voltage of the diode 141a and the Zener voltage of the Zener diode 142a, and the High level is obtained by subtracting the Zener voltage of the Zener diode 142a from the maximum level of the input voltage. The level is determined by the voltage. That is, the voltage applied to the gate of the output transistor TR1a is a signal having an amplitude on the positive side and the negative side. The diode 141a and the Zener diode 142a are used as voltage clamp elements. The resistor 132a is a load resistor for the input signal.

出力トランジスタTR1aのゲート電圧(ライン113aの電圧)の立ち上がりと立ち下がりの動作を説明する。まず、ライン111aの電圧が立ち上がった場合について説明する。TR1aのゲート電圧の立ち上がりの時定数は、抵抗132aとコンデンサ151aの容量値で決まる時定数となる。   The rising and falling operations of the gate voltage (voltage of the line 113a) of the output transistor TR1a will be described. First, the case where the voltage of the line 111a rises will be described. The time constant of the rise of the gate voltage of TR1a is a time constant determined by the capacitance values of the resistor 132a and the capacitor 151a.

この時、抵抗133aとダイオード122aを介してコンデンサ151aが充電される。さらに、ツェナーダイオード142aに逆方向の電圧が印加されるため、ツェナー電圧を発生する。これにより、ライン113aはトランジスタTR1aのソース端子に対して、ツェナー電圧だけ低い電圧となる。つまり、トランジスタTR1aのゲートとソースの間には入力電圧の最大値からツェナーダイオード142aのツェナー電圧を引いた電圧が印加されていることになる。   At this time, the capacitor 151a is charged through the resistor 133a and the diode 122a. Further, since a reverse voltage is applied to the Zener diode 142a, a Zener voltage is generated. Thereby, the line 113a becomes a voltage lower than the source terminal of the transistor TR1a by a Zener voltage. That is, a voltage obtained by subtracting the Zener voltage of the Zener diode 142a from the maximum value of the input voltage is applied between the gate and source of the transistor TR1a.

次に、ライン111aの制御信号が立ち下がる場合について説明する。ライン111aが立ち下がったことに基づいて、トランジスタTR1aのゲート電圧(ライン113aの電圧)も所定の時定数をもって立ち下がり始める。制御信号が立ち下がるとき、ライン111aとライン113aの電位差がダイオード121aの順方向電圧の閾値以上となるため、抵抗131aはダイオード121aによってバイパスされる。よって、ゲート電圧の立ち下がりは時定数をもたずに急速に立ち下がる。つまり、ダイオード121aはゲート電圧の立ち下がりを制御している立ち下がり回路として動作しており、ゲート電圧の立ち下がりに時定数をもたせないようにしている。   Next, the case where the control signal of the line 111a falls will be described. Based on the fall of the line 111a, the gate voltage of the transistor TR1a (the voltage of the line 113a) also starts to fall with a predetermined time constant. When the control signal falls, the potential difference between the line 111a and the line 113a is equal to or greater than the threshold value of the forward voltage of the diode 121a, so that the resistor 131a is bypassed by the diode 121a. Therefore, the gate voltage falls rapidly without a time constant. That is, the diode 121a operates as a falling circuit that controls the falling of the gate voltage, and does not give a time constant to the falling of the gate voltage.

この時、トランジスタTR1aのゲートに蓄えられた電荷は、ダイオード121aとコンデンサ161aとトランスとダイオード141aによる経路で放電される。また、コンデンサ161aに蓄えられた電荷もTR1aのゲートに蓄えられた電荷と同じ経路で放電される。また、コンデンサ151aに蓄えられた電荷は、ツェナーダイオード142aに流れ込みツェナー電圧を発生させている。   At this time, the electric charge stored in the gate of the transistor TR1a is discharged through a path formed by the diode 121a, the capacitor 161a, the transformer, and the diode 141a. Further, the electric charge stored in the capacitor 161a is discharged along the same path as the electric charge stored in the gate of TR1a. In addition, the electric charge stored in the capacitor 151a flows into the Zener diode 142a and generates a Zener voltage.

このことより、制御信号が立ち下がった時のトランジスタTR1aのゲートとソース間の電圧は、ソース電圧よりゲート電圧が低い、ツェナーダイオード142aのツェナー電圧とダイオード141aの順方向電圧を足し合わせた電圧になる。   Therefore, the voltage between the gate and the source of the transistor TR1a when the control signal falls is a voltage obtained by adding the Zener voltage of the Zener diode 142a and the forward voltage of the diode 141a, which is lower than the source voltage. Become.

制御回路1a、1bではツェナーダイオード142aを用いることにより、出力トランジスタTR1a、TR1bのゲート電極に与える電圧が正側と負側両方に振幅をもつことが可能となる。   In the control circuits 1a and 1b, by using the Zener diode 142a, the voltage applied to the gate electrodes of the output transistors TR1a and TR1b can have amplitudes on both the positive side and the negative side.

この実施の形態では、抵抗、ダイオードを設けることで制御信号が立ち上がったときのゲート電圧(ライン113aの電圧)の立ち上がり時の時定数を調整し、制御信号が立ち下がった時のゲート電圧(ライン113aの電圧)の立ち下がり時の時定数を小さくする制御を行っている。   In this embodiment, by providing a resistor and a diode, the time constant at the time of rising of the gate voltage (voltage of the line 113a) when the control signal rises is adjusted, and the gate voltage (line of when the control signal falls) Control is performed to reduce the time constant at the time of falling of the voltage 113a.

出力トランジスタTR1a、TR1bの動作をトランジスタのゲート電圧の波形を示した図2を参照して説明する。まずt0でTR1a側のゲート電圧が上がり始め、TR1bのゲート電圧は下がり始める。   The operation of the output transistors TR1a and TR1b will be described with reference to FIG. 2 showing the waveforms of the gate voltages of the transistors. First, the gate voltage on the TR1a side starts increasing at t0, and the gate voltage on TR1b starts decreasing.

立ち上がりと立ち下がりの時定数の関係から、タイミングt1でまずTR1bがオン状態からオフ状態になる。次にタイミングt2でTR1aがオフ状態からオン状態になる。つまり、タイミングt1からt2の区間ではTR1a、TR1b共にオフ状態になっている。タイミングt3でTR1aのゲート電圧は−5V+10Vになり、TR1bのゲート電圧は−5Vになっている。   Due to the relationship between the rise and fall time constants, TR1b first changes from on to off at timing t1. Next, at timing t2, TR1a changes from the off state to the on state. That is, both the TR1a and TR1b are in the off state during the period from the timing t1 to the time t2. At timing t3, the gate voltage of TR1a is −5V + 10V, and the gate voltage of TR1b is −5V.

タイミングt4でTR1aのゲート電圧は下がり始め、TR1bのゲート電圧は上がり始める。立ち上がりと立ち下がりの時定数の関係から、タイミングt5でまずTR1aがオン状態からオフ状態になる。次にタイミングt6でTR1bがオフ状態からオン状態になる。つまり、タイミングt5からt6の区間ではTR1a、TR1b共にオフ状態になっている。タイミングt7でTR1aのゲート電圧は−5Vになり、TR1bのゲート電圧は−5V+10Vになっている。   At timing t4, the gate voltage of TR1a starts to decrease, and the gate voltage of TR1b starts to increase. Due to the relationship between the rise and fall time constants, TR1a first changes from the on state to the off state at timing t5. Next, at timing t6, TR1b changes from the off state to the on state. That is, both the TR1a and TR1b are in the off state during the period from the timing t5 to the time t6. At timing t7, the gate voltage of TR1a is −5V, and the gate voltage of TR1b is −5V + 10V.

本実施のスイッチング回路は、ツェナーダイオードとコンデンサによって、出力トランジスタのゲート電極の電圧に負の振幅を持たせ、出力トランジスタのゲート電圧の立ち上がりの時定数を小さくできる。   In the switching circuit of this embodiment, the voltage at the gate electrode of the output transistor has a negative amplitude by the Zener diode and the capacitor, and the time constant of the rise of the gate voltage of the output transistor can be reduced.

本実施のスイッチング回路によれば、スイッチング回路の制御信号の立ち上がりの速度を早くしても2つのトランジスタが共にオフする状態を作ることができる。よって、出力トランジスタのスイッチング時に流れる貫通電流を防止することができる。これにより、高速なスイッチング動作が可能になるため、スイッチング回路の効率の向上が図れる。   According to the switching circuit of this embodiment, even when the rising speed of the control signal of the switching circuit is increased, it is possible to create a state in which both transistors are turned off. Therefore, a through current that flows when the output transistor is switched can be prevented. As a result, a high-speed switching operation is possible, so that the efficiency of the switching circuit can be improved.

また、本発明の実施の形態は上記実施例に限られるものではなく、適宜変更することも可能である。例えば、制御信号の振幅を決定するためにダイオードを複数直列に接続することも可能である。   Further, the embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed. For example, a plurality of diodes can be connected in series to determine the amplitude of the control signal.

実施の形態1にかかるスイッチング回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a switching circuit according to a first exemplary embodiment; 実施の形態1にかかるスイッチング回路の出力トランジスタのゲート電圧波形と出力波形のタイミングチャートである。3 is a timing chart of a gate voltage waveform and an output waveform of an output transistor of the switching circuit according to the first exemplary embodiment; 特許文献1に記載されているスイッチング回路の回路図である。2 is a circuit diagram of a switching circuit described in Patent Document 1. FIG. 特許文献1にかかるスイッチング回路の出力トランジスタのゲート電圧波形と出力波形のタイミングチャートである。6 is a timing chart of a gate voltage waveform and an output waveform of an output transistor of a switching circuit according to Patent Document 1.

符号の説明Explanation of symbols

1a、1b 本発明にかかる制御回路
2a、2b 特許文献1にかかる制御回路
TR1a、TR1b、TR2a、TR2b 出力トランジスタ
101a、102a、101b、102b 入力端子
201a、202a、201b、202b 入力端子
111a、112a、113a、111b、112b、113b 配線(ライン)
211a、212a、213a、211b、212b、213b 配線(ライン)
121a、122a、121b、122b、141a、141b ダイオード
221a、221b ダイオード
131a、132a、133a、131b、132b、133b 抵抗
231a、231b 抵抗
142a、142b ツェナーダイオード
151a、151b、161a、161b コンデンサ
1a, 1b Control circuit 2a, 2b according to the present invention Control circuit TR1a, TR1b, TR2a, TR2b according to Patent Document 1 Output transistors 101a, 102a, 101b, 102b Input terminals 201a, 202a, 201b, 202b Input terminals 111a, 112a, 113a, 111b, 112b, 113b Wiring (line)
211a, 212a, 213a, 211b, 212b, 213b Wiring (line)
121a, 122a, 121b, 122b, 141a, 141b Diode 221a, 221b Diode 131a, 132a, 133a, 131b, 132b, 133b Resistor 231a, 231b Resistor 142a, 142b Zener diode 151a, 151b, 161a, 161b Capacitor

Claims (8)

第1の電源と第2の電源の間に直列に接続された第1及び第2の出力トランジスタを有するスイッチング回路であって、
前記第1の出力トランジスタの制御端子及び前記第1の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続され、第1及び第2の入力端子を介して第1の制御信号が入力される第1の制御回路と、
前記第2の出力トランジスタの制御端子及び前記第2の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続され、第3及び第4の入力端子を介して前記第1の制御信号とは逆相の第2の制御信号が入力される第2の制御回路と、
前記第1の制御回路内に形成され前記第2の入力端子と前記第1の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続された第1の電圧クランプ素子と、
前記第2の制御回路内に形成され前記第4の入力端子と前記第2の出力トランジスタのソースまたはドレインとの間に接続された第2の電圧クランプ素子とを有するスイッチング回路。
A switching circuit having first and second output transistors connected in series between a first power supply and a second power supply,
The first output transistor is connected between the control terminal of the first output transistor and the source or drain of the first output transistor, and the first control signal is input through the first and second input terminals. A control circuit;
The second output transistor is connected between the control terminal of the second output transistor and the source or drain of the second output transistor, and has a phase opposite to that of the first control signal via the third and fourth input terminals. A second control circuit to which two control signals are input;
A first voltage clamp element formed in the first control circuit and connected between the second input terminal and the source or drain of the first output transistor;
A switching circuit having a second voltage clamp element formed in the second control circuit and connected between the fourth input terminal and the source or drain of the second output transistor.
前記第1の電圧クランプ素子と並列に接続される第1のコンデンサと、
前記第2の電圧クランプ素子と並列に接続される第2のコンデンサとを有することを特徴とする請求項1記載のスイッチング回路。
A first capacitor connected in parallel with the first voltage clamp element;
The switching circuit according to claim 1, further comprising a second capacitor connected in parallel with the second voltage clamp element.
前記第1及び第2の制御信号の立ち上がり、または、立ち下がりに基づいて前記第1及び第2の出力トランジスタのゲート電圧を制御する時定数回路を有していることを特徴とする請求項1記載のスイッチング回路   2. A time constant circuit for controlling gate voltages of the first and second output transistors based on rising or falling edges of the first and second control signals. Switching circuit described 前記第1の制御回路はさらに前記第1の出力トランジスタのゲート電圧の立ち上がりを制御する第1の立ち上がり回路と、
前記第1の出力トランジスタのゲート電圧の立ち下がりを制御する第1の立ち下がり回路と、
前記第2の制御回路はさらに前記第2の出力トランジスタのゲート電圧の立ち上がりを制御する第2の立ち上がり回路と、
前記第2の出力トランジスタのゲート電圧の立ち下がりを制御する第2の立ち下がり回路を有していることを特徴とする請求項1記載のスイッチング回路。
The first control circuit further includes a first rising circuit that controls rising of a gate voltage of the first output transistor;
A first falling circuit for controlling the falling of the gate voltage of the first output transistor;
The second control circuit further includes a second rising circuit for controlling the rising of the gate voltage of the second output transistor;
2. The switching circuit according to claim 1, further comprising a second falling circuit for controlling the falling of the gate voltage of the second output transistor.
前記第1の立ち上がり回路は、前記第1の入力端子と前記第1の出力トランジスタの制御端子の間に接続された第1の抵抗と、
前記第1の入力端子に接続される第2の抵抗と、
前記第2の抵抗から前記第1の出力トランジスタのソースに向かって順方向に接続される第1のダイオードを有することを特徴とする請求項4記載のスイッチング回路。
The first rising circuit includes a first resistor connected between the first input terminal and a control terminal of the first output transistor;
A second resistor connected to the first input terminal;
The switching circuit according to claim 4, further comprising a first diode connected in a forward direction from the second resistor toward a source of the first output transistor.
前記第1の立ち下がり回路は、前記第1の出力トランジスタの制御端子から前記第1の入力端子に向かい順方向に接続された第2のダイオードを有することを特徴とする請求項4記載のスイッチング回路。   5. The switching according to claim 4, wherein the first falling circuit includes a second diode connected in a forward direction from the control terminal of the first output transistor toward the first input terminal. circuit. 前記第2の立ち上がり回路は、前記第3の入力端子と前記第2の出力トランジスタの制御端子の間に接続された第3の抵抗と、
前記第3の入力端子に接続される第4の抵抗と、
前記第4の抵抗から前記第2の出力トランジスタのソースに向かって順方向に接続される第3のダイオードを有することを特徴とする請求項4記載のスイッチング回路。
The second rising circuit includes a third resistor connected between the third input terminal and a control terminal of the second output transistor;
A fourth resistor connected to the third input terminal;
The switching circuit according to claim 4, further comprising a third diode connected in a forward direction from the fourth resistor toward a source of the second output transistor.
前記第2の立ち下がり回路は、前記第2の出力トランジスタの制御端子から前記第3の入力端子に向かい順方向に接続された第4のダイオードを有することを特徴とする請求項4記載のスイッチング回路。   5. The switching according to claim 4, wherein the second falling circuit includes a fourth diode connected in a forward direction from the control terminal of the second output transistor toward the third input terminal. circuit.
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