JP2006191076A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、超紫外線を反射させうる材料からなる反射層と、
   前記反射層に前記超紫外線に対する吸収物質のイオンが、イオン注入法によって注入されて所定パターンをなすイオン部と、を備えることを特徴とする反射フォトマスク。
2. 前記イオン部は、前記反射層の上部の表面に注入されることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。
3. 前記超紫外線に対する吸収物質は、酸素を含んで超紫外線を吸収し、イオン注入法によって注入されうる物質であることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。
4. 前記イオン部は多層膜からなり、前記イオン部には、前記イオンが８層以上に注入されることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。
5. 基板を設けるステップと、
   前記基板上に超紫外線を反射させうる材料で反射層を形成するステップと、
   前記反射層に前記超紫外線に対する吸収物質のイオンを、イオン注入法によって注入してイオン部を形成するステップと、を含むことを特徴とする反射フォトマスクの製造方法。
6. 前記イオン部を形成するステップは、前記反射層上にフォトレジスト層を形成するステップと、前記フォトレジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンを利用して、前記吸収物質のイオンをイオン注入法によって前記反射層に注入するステップと、前記レジストパターンを除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスクの製造方法。
7. 前記イオン部を形成するステップは、前記吸収物質のイオンを前記反射層の上部の表面に注入するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスクの製造方法。
8. 前記イオン部を形成するステップは、前記超紫外線に対する吸収物質として酸素を利用することを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスク。
9. 前記イオン部を形成するステップは、多層膜からなるイオン部に前記イオンを８層以上注入するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスクの製造方法。