JP2006188732A - Mask, method for manufacturing mask, and method for manufacturing organic electroluminescence apparatus - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、マスクとその製造方法、及び該マスクを用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a mask, a method for manufacturing the mask, and a method for manufacturing an organic electroluminescence device using the mask.
ＴＶ用ディスプレイ等に用いる大型のフルカラー有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルの製造には、非常に精密な蒸着マスクが必要であり、尚且つその蒸着マスクと被蒸着基板を非常に精密に位置合わせする必要がある。ところが、従来より行われているフルカラー有機ＥＬパネルの作成では、極薄の電鋳により製造されたメタルマスクを用いているが、メタルマスクは非常に薄く撓み易いので、張力を掛けてマスク保持枠に接合して使用されており、張力を掛けたときに生ずる塑性変形によるマスクの寸法が甚大なため、高精度なマスクを作る事が難しかった。したがって、メタルマスクを用いて製造できるフルカラー有機ＥＬパネルの大きさは現状２０インチ程度が限界である。 The manufacture of large full-color organic electroluminescence (EL) panels used for TV displays, etc. requires a very precise vapor deposition mask, and the vapor deposition mask and the substrate to be vapor deposited must be very precisely aligned. There is. However, the conventional production of full-color organic EL panels uses a metal mask manufactured by ultra-thin electroforming, but the metal mask is very thin and easy to bend. Since the size of the mask due to plastic deformation generated when tension is applied is enormous, it is difficult to make a highly accurate mask. Therefore, the size of a full-color organic EL panel that can be manufactured using a metal mask is currently limited to about 20 inches.
このような課題を解決するために、基板の強度と平坦性が非常に高いシリコンウェーハを用いる技術が検討されている。また、シリコン基板自体には大型基板が無いので、大型基板に対応した蒸着マスクを得るべく、シリコンマスクを大型枠に精密に位置決めして貼り付ける手法が例えば特許文献１に開示されている。
特許文献１に開示されているようなシリコン基板を用いた蒸着マスクにおいても、マスクもその大きさが大きくなるに連れて重くなり、自重により撓みが発生してしまう場合がある。そのためマスクに基板をアライメントしておいても、撓みに起因して隙間が生じ、正確なマスクパターニングができない場合がある。 Even in a vapor deposition mask using a silicon substrate as disclosed in Patent Document 1, the mask becomes heavier as the size of the mask increases, and bending may occur due to its own weight. For this reason, even if the substrate is aligned with the mask, a gap is generated due to the bending, and accurate mask patterning may not be performed.
そこで、本発明は、大型化した場合にも、上記のような撓み発生を防止ないし抑制し、高精度な蒸着等の成膜を容易に行うことができるマスクと、その製造方法を提供することを目的としている。また、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法についても提供することを目的としている。 Therefore, the present invention provides a mask capable of preventing or suppressing the occurrence of bending as described above even when the size is increased, and easily forming a film such as highly accurate vapor deposition, and a manufacturing method thereof. It is an object. Moreover, it aims at providing also about the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus.
上記課題を解決するために、本発明のマスクは、ベース基板とマスク本体基板との間に金属膜を有してなるマスクであって、前記ベース基板は、第１開口部を有し、且つ硼珪酸ガラスを構成材料としてなる一方、前記金属膜は、前記ベース基板の第１開口部と連通する第２開口部を有し、前記マスク本体基板は、前記第１開口部及び前記第２開口部の平面視内側に位置する所定パターンの開口部群を有し、且つ硼珪酸ガラスを構成材料としてなることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a mask of the present invention is a mask having a metal film between a base substrate and a mask body substrate, the base substrate having a first opening, and While the borosilicate glass is used as a constituent material, the metal film has a second opening communicating with the first opening of the base substrate, and the mask main body substrate includes the first opening and the second opening. It has a group of openings with a predetermined pattern located on the inner side in plan view, and is made of borosilicate glass as a constituent material.
このようなマスクは、ベース基板とマスク本体基板により金属膜を挟み込んだ構成を有しており、しかもベース基板及びマスク本体基板を硼珪酸ガラスにて構成したことで、非常に撓みが少なく信頼性の高いものとなる。また、特にガラス等の被成膜基板に好適に用いることができ、当該被成膜基板に対して高精度なパターン形成を行うことができるようになる。 Such a mask has a structure in which a metal film is sandwiched between a base substrate and a mask main body substrate, and the base substrate and the mask main body substrate are made of borosilicate glass. Will be expensive. In particular, it can be suitably used for a deposition substrate such as glass, and a highly accurate pattern can be formed on the deposition substrate.
次に、上記課題を解決するために、本発明のマスクの製造方法は、硼珪酸ガラスを構成材料とする第１基板上に金属膜を形成する工程と、前記第１基板に形成した前記金属膜と、硼珪酸ガラスを構成材料とする第２基板とを重ね合わせ、これらを陽極接合する工程と、前記第２基板を研削又は研磨により薄膜化する工程と、前記第２基板に、ドライエッチングを用いたフォトリソグラフィにより、所定パターンの開口部群を形成する工程と、接合された第１基板及び第２基板の表面に、硼珪酸ガラスをエッチングする際のエッチャントに対して、耐エッチング性を有する保護膜を形成する工程と、前記第１基板側に形成された保護膜に対して、前記開口部群を平面視内側に取り囲む形の第２開口部を、フォトリソグラフィにより形成する工程と、前記保護膜をマスクとして、前記第１基板に対してウェットエッチングを行い、該第１基板に第１開口部を形成して前記金属膜を露出させる工程と、前記露出した金属膜に対してウェットエッチングを行い、前記第２基板に形成された前記開口部群の開口を前記第１基板側に貫通させる工程と、残存する保護膜をエッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とする。 Next, in order to solve the above-described problems, the mask manufacturing method of the present invention includes a step of forming a metal film on a first substrate made of borosilicate glass, and the metal formed on the first substrate. A step of superimposing a film and a second substrate made of borosilicate glass and anodically bonding them; a step of thinning the second substrate by grinding or polishing; and dry etching the second substrate. Etch resistance to an etchant for etching borosilicate glass on the surface of the bonded first substrate and second substrate by forming a group of openings with a predetermined pattern by photolithography using A step of forming a protective film, and a step of forming, by photolithography, a second opening having a shape surrounding the opening group on the inner side in a plan view with respect to the protective film formed on the first substrate side , Using the protective film as a mask, performing wet etching on the first substrate to form a first opening in the first substrate to expose the metal film, and to the exposed metal film Performing wet etching to pass through the opening of the opening group formed in the second substrate to the first substrate side, and removing the remaining protective film by etching. .
このような製造方法によると、上記構成の本発明のマスクを好適に製造することができる。特に、ベース基板となる第１基板と、マスク本体基板となる第２基板とを貼り合わせた後、該第２基板を薄膜化するものとしているため、従来のメタルマスクの製造時のように基材からの剥離等の力を掛けるプロセスが必要なく、該剥離時にマスクが変形する等の不具合が生じないものとなる。 According to such a manufacturing method, the mask of the present invention having the above configuration can be preferably manufactured. In particular, since the first substrate as the base substrate and the second substrate as the mask body substrate are bonded together, the second substrate is thinned. A process for applying a force such as peeling from the material is not necessary, and a problem such as deformation of the mask does not occur at the time of peeling.
次に、上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上述したマスクを用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、アルミナシリケイト系ガラスからなる基板上に、前記マスクを介して有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料の成膜を行うことを特徴とする。 Next, in order to solve the above-mentioned problem, the manufacturing method of the organic electroluminescence device of the present invention is a manufacturing method of an organic electroluminescence device using the above-described mask, on a substrate made of alumina silicate glass, The material constituting the organic electroluminescence element is formed through the mask.
このような製造方法によると、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料層を所定のパターンに精度良く成膜することができるようになる。特に、材料層を成膜する被成膜基板としてアルミナシリケイト系ガラス（熱膨張係数３８×１０−７／℃）からなるものを用いており、一方、マスクとしては硼珪酸ガラス（熱膨張係数３２×１０−７／℃）からなるものを用いているため、熱膨張係数差に起因する両者の位置ズレが生じ難く、パターン形成精度を高める要因となっている。 According to such a manufacturing method, the material layer constituting the organic electroluminescence element can be accurately formed into a predetermined pattern. In particular, a substrate made of alumina silicate glass (thermal expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C.) is used as a film formation substrate on which a material layer is formed, while a borosilicate glass (thermal expansion coefficient 32) is used as a mask. × 10 −7 / ° C.), the positional deviation between the two due to the difference in thermal expansion coefficient is unlikely to occur, which increases the pattern formation accuracy.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each figure, in order to make each layer and each member the size which can be recognized on drawing, the scale is varied for every layer and each member.
（マスク）
まず、図１（ａ）は本発明のマスクの一実施の形態であるマスク１００についての平面模式図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。マスク１００は、蒸着等により成膜を行う際、膜パターンを形成するためのマスクであって、複数の開口部３０からなる開口部群３１を備えるマスク本体基板３と、該マスク本体基板３を支持するベース基板１とを有し、これらマスク本体基板３とベース基板１との間に金属膜２が挟持された構成を有している。
(mask)
First, FIG. 1A is a schematic plan view of a mask 100 which is an embodiment of the mask of the present invention, and FIG. 1B is a schematic diagram showing the AA ′ cross section of FIG. is there. The mask 100 is a mask for forming a film pattern when forming a film by vapor deposition or the like, and includes a mask body substrate 3 including an opening group 31 including a plurality of openings 30, and the mask body substrate 3. And a base substrate 1 to be supported, and a metal film 2 is sandwiched between the mask main body substrate 3 and the base substrate 1.
マスク本体基板３は、厚さ５０μｍ〜１００μｍの硼珪酸ガラス板（例えば、コーニング社製７７４０やショット社製テンパックス）から構成されており、複数の開口部３０が形成する膜パターンに対応した開口パターンを有している。なお、マスク本体基板３に形成する各開口部３０は、外側（ベース基板１とは異なる側）の開口径が小さくなるようにテーパ形状のものであっても良い。 The mask main body substrate 3 is composed of a borosilicate glass plate (for example, 7740 made by Corning or Tempax made by Schott) having a thickness of 50 μm to 100 μm, and openings corresponding to the film pattern formed by the plurality of openings 30. Has a pattern. Each opening 30 formed in the mask main body substrate 3 may have a tapered shape so that the opening diameter on the outside (side different from the base substrate 1) becomes small.
ベース基板１は、厚さ１ｍｍ〜１０ｍｍの硼珪酸ガラス板から構成されており、マスク本体基板３の周縁部を支持している。また、ベース基板１は、マスク本体基板３の開口部群３１を平面視内側に取り囲むように開口部（第１開口部）１０を有しており、該開口部１０はマスク本体基板３側の開口径が小さくなるようにテーパ状に形成されている。 The base substrate 1 is composed of a borosilicate glass plate having a thickness of 1 mm to 10 mm, and supports the peripheral portion of the mask main body substrate 3. The base substrate 1 has an opening (first opening) 10 so as to surround the opening group 31 of the mask main body substrate 3 on the inner side in a plan view. The opening 10 is located on the mask main body substrate 3 side. It is formed in a tapered shape so that the opening diameter becomes small.
金属膜２は、厚さ０．０５μｍ〜３．０μｍのアルミニウム膜から構成されており、ベース基板１の開口部１０と連通する開口部（第２開口部）２０を有し、該開口部１０と開口部２０とは同一の開口径を有して構成されている。なお、金属膜２はアルミニウム以外にも例えばシリコン、クロム、ニッケル等、大気中で表面に自然酸化膜を形成する作用を持つ金属材料を適宜用いることができる。 The metal film 2 is made of an aluminum film having a thickness of 0.05 μm to 3.0 μm, and has an opening (second opening) 20 that communicates with the opening 10 of the base substrate 1. And the opening 20 have the same opening diameter. In addition to the aluminum, the metal film 2 may be made of a metal material having an action of forming a natural oxide film on the surface in the atmosphere, such as silicon, chromium and nickel.
ここで、本実施形態のマスク１００は、金属膜２がベース基板１とマスク本体基板３によりサンドイッチされた構成を有しているが、金属膜２とマスク本体基板３とは陽極接合により接合されている。したがって、接着材等による接合構造に比べて、隙間が少なく、緻密な接合となっている。 Here, the mask 100 of the present embodiment has a configuration in which the metal film 2 is sandwiched between the base substrate 1 and the mask main body substrate 3, but the metal film 2 and the mask main body substrate 3 are bonded by anodic bonding. ing. Accordingly, the gap is less than that of the bonding structure using an adhesive or the like, and the bonding is dense.
（マスクの製造方法）
次に、図１に示したマスク１００の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。
図２及び図３はマスク１００の製造工程を模式的に示す断面図で、図４は陽極接合を行う装置を示す模式図である。
(Manufacturing method of mask)
Next, a method for manufacturing the mask 100 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
2 and 3 are sectional views schematically showing the manufacturing process of the mask 100, and FIG. 4 is a schematic view showing an apparatus for performing anodic bonding.
まず、図２（ａ）に示すように、硼珪酸ガラスからなるベース基板（第１基板）１に０．５μｍのアルミニウムからなる金属膜２を例えばスパッタリングや蒸着法等により成膜する。アルミニウムの代わりに、ニッケル、クロム、シリコン等のように、大気中で表面に自然酸化膜を形成する作用を有した金属を使用することができる。 First, as shown in FIG. 2A, a metal film 2 made of 0.5 μm aluminum is formed on a base substrate (first substrate) 1 made of borosilicate glass by, for example, sputtering or vapor deposition. Instead of aluminum, a metal having a function of forming a natural oxide film on the surface in the atmosphere, such as nickel, chromium, silicon, or the like can be used.
このようなベース基板１の金属膜２の形成面に、硼珪酸ガラスからなるマスク本体基板（第２基板）３を重ねて、これらを陽極接合法により接合させる（図２（ｂ））。陽極接合法に用いる装置の概念図を図４に示す。陽極接合を行う際は、まず、ベース基板１の金属膜２とマスク本体基板３とを重ねてホットプレート５の上に置き、３００℃〜４００℃の温度域に加熱する。そして、金属膜２とマスク本体基板３（マスク本体基板３に陰極板７を貼り合わせてある）に約６００Ｖ〜１０００Ｖの直流電圧を印加する。このとき、金属膜２に＋極を、マスク本体基板３に−極を印加する。このようにすることで、数分間程で接着剤なしでベース基板１とマスク本体基板３とを接合することができる。 A mask body substrate (second substrate) 3 made of borosilicate glass is superimposed on the surface of the base substrate 1 where the metal film 2 is formed, and these are bonded by anodic bonding (FIG. 2B). The conceptual diagram of the apparatus used for the anodic bonding method is shown in FIG. When anodic bonding is performed, first, the metal film 2 of the base substrate 1 and the mask main body substrate 3 are placed on the hot plate 5 and heated to a temperature range of 300 ° C. to 400 ° C. Then, a DC voltage of about 600 V to 1000 V is applied to the metal film 2 and the mask main body substrate 3 (the cathode plate 7 is bonded to the mask main body substrate 3). At this time, a positive electrode is applied to the metal film 2 and a negative electrode is applied to the mask body substrate 3. By doing in this way, the base substrate 1 and the mask main body substrate 3 can be joined without an adhesive in several minutes.
次に、図２（ｃ）に示すように、マスク本体基板３の外面を研削・研磨し、金属膜２から研削・研磨面までの距離を５０μｍ〜１００μｍ程度にする。この板厚の管理はレーザー顕微鏡等による光学的な板厚測定により行う。さらに、この研削・研磨した基板面に所定のパターンを有した開口部３０からなる開口部群３１を、ドライエッチングを用いたフォトリソグラフィ法により形成する（図２（ｄ）参照）。 Next, as shown in FIG. 2C, the outer surface of the mask main body substrate 3 is ground and polished so that the distance from the metal film 2 to the ground and polished surface is about 50 μm to 100 μm. This plate thickness is managed by optical plate thickness measurement using a laser microscope or the like. Further, an opening group 31 composed of openings 30 having a predetermined pattern on the ground and polished substrate surface is formed by a photolithography method using dry etching (see FIG. 2D).
続いて、図３（ａ）に示すように、後の工程でガラスのウェットエッチングを行う際に、開口部３０及びその他の基板面を保護する目的で保護膜４を成膜する。ウェットエッチングではフッ酸系エッチング液を使用するために、これに耐える材料であることが必要で、ここでは金／クロム膜を１０００Å／２００Åの膜厚で成膜した。なお、その他の材料として、プラチナ／チタンや窒化シリコン等も用いることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 3A, a protective film 4 is formed for the purpose of protecting the opening 30 and other substrate surfaces when performing glass wet etching in a later step. Since wet etching uses a hydrofluoric acid-based etchant, it is necessary to use a material that can withstand this. Here, a gold / chromium film was formed to a thickness of 1000 mm / 200 mm. Other materials such as platinum / titanium and silicon nitride can also be used.
次に、図３（ｂ）に示すように、ベース基板１の裏面側に形成された保護膜４を除去する工程を行う。ここでは、ウェットエッチングを用いたフォトリソグラフィ法により、対向するマスク本体基板３の開口部群３１を平面視状態で包括するように、保護膜４を除去して開口部４０を形成した。 Next, as shown in FIG. 3B, a step of removing the protective film 4 formed on the back side of the base substrate 1 is performed. Here, the opening 40 is formed by removing the protective film 4 so as to include the opening group 31 of the opposing mask body substrate 3 in a plan view by photolithography using wet etching.
その後、図３（ｃ）に示すように、フッ酸系ウェットエッチング液でベース基板１のエッチングを行い、金属膜２を露出させるべく開口部１０を形成する。その後、開口部１０内に残った金属膜２をウェットエッチングにより除去して開口部２０を形成し、さらに保護膜４を同じくウェットエッチングにより除去して、マスク１００を完成させる（図３（ｄ））。 Thereafter, as shown in FIG. 3C, the base substrate 1 is etched with a hydrofluoric acid-based wet etching solution to form an opening 10 to expose the metal film 2. Thereafter, the metal film 2 remaining in the opening 10 is removed by wet etching to form the opening 20, and the protective film 4 is similarly removed by wet etching to complete the mask 100 (FIG. 3D). ).
このようにして製造されたマスク１００は非常に寸法精度が良く、また撓みも殆どないため、当該マスク１００を用いて蒸着等の成膜を行えば、高精度な膜パターンを容易に形成することが可能となる。 Since the mask 100 manufactured in this way has very good dimensional accuracy and hardly bends, if film formation such as vapor deposition is performed using the mask 100, a highly accurate film pattern can be easily formed. Is possible.
（有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法）
次に、上記マスク１００による成膜方法を実際に用いた有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の製造方法について説明する。
まず、図５は製造された有機ＥＬ装置２００の概略構成を示す断面模式図である。有機ＥＬ装置２００は、アルミナシリケイト系ガラスからなる基板５４上に、画素パターン毎に形成された画素電極５６と、正孔輸送層５８と、赤色、緑色、青色の各色発光層６０，６２，６４と、陰極６６とを有する。このような有機ＥＬ装置は、表示装置（ディスプレイ）として好適で、発光層６０，６２，６４においてパターンずれの少ない信頼性の高い表示を提供可能となっている。
(Method for manufacturing organic electroluminescence device)
Next, a method for manufacturing an organic electroluminescence device (organic EL device) that actually uses the film forming method using the mask 100 will be described.
First, FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of the manufactured organic EL device 200. The organic EL device 200 includes a pixel electrode 56 formed for each pixel pattern, a hole transport layer 58, and red, green, and blue light emitting layers 60, 62, and 64 on a substrate 54 made of alumina silicate glass. And a cathode 66. Such an organic EL device is suitable as a display device (display), and can provide a highly reliable display with little pattern shift in the light emitting layers 60, 62, and 64.
このような有機ＥＬ装置２００を製造する際に、上記マスク１００を用いた成膜技術を採用している。具体的には、アルミナシリケイト系ガラスからなる基板５４に対して蒸着法により各発光層６０，６２，６４を形成する際、画素パターンに対応した開口部３０を有する上記マスク１００を介して蒸着を行うものとしている。この場合、基板５４のアルミナシリケイト系ガラスの熱膨張係数が３８×１０−７／℃で、マスク１００の硼珪酸ガラスの熱膨張係数３２×１０−７／℃であるため、熱膨張係数差に起因する両者の位置ズレが生じ難く、非常に高精度な画素パターンを形成することが可能となっている。 When manufacturing such an organic EL device 200, a film forming technique using the mask 100 is employed. Specifically, when each light emitting layer 60, 62, 64 is formed on the substrate 54 made of alumina silicate glass by vapor deposition, vapor deposition is performed through the mask 100 having the opening 30 corresponding to the pixel pattern. To do. In this case, the thermal expansion coefficient of the alumina silicate glass of the substrate 54 is 38 × 10 −7 / ° C., and the thermal expansion coefficient of the borosilicate glass of the mask 100 is 32 × 10 −7 / ° C. The resulting positional misalignment is unlikely to occur, and it is possible to form a highly accurate pixel pattern.
次に、上記有機ＥＬ装置２００を有する電子機器として、図６に携帯電話５００を示した。この携帯電話では、表示部５０１に上記有機ＥＬ装置２００を備えた構成とされており、非常に信頼性の高い表示を提供可能となっている。 Next, as an electronic apparatus having the organic EL device 200, a mobile phone 500 is shown in FIG. This mobile phone is configured to include the organic EL device 200 in the display portion 501 and can provide a highly reliable display.
１…ベース基板、２…金属膜、３…マスク本体基板、１０…第１開口部、２０…第２開口部、３１…開口部群、１００…マスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base substrate, 2 ... Metal film, 3 ... Mask main body substrate, 10 ... 1st opening part, 20 ... 2nd opening part, 31 ... Opening part group, 100 ... Mask
Claims (3)
前記ベース基板は、第１開口部を有し、且つ硼珪酸ガラスを構成材料としてなる一方、
前記金属膜は、前記ベース基板の第１開口部と連通する第２開口部を有し、
前記マスク本体基板は、前記第１開口部及び前記第２開口部の平面視内側に位置する所定パターンの開口部群を有し、且つ硼珪酸ガラスを構成材料としてなることを特徴とするマスク。 A mask having a metal film between a base substrate and a mask body substrate,
The base substrate has a first opening and is composed of borosilicate glass,
The metal film has a second opening communicating with the first opening of the base substrate;
The mask main body substrate has a predetermined pattern of opening portions located inside the first opening and the second opening in a plan view, and is made of borosilicate glass as a constituent material.
前記第１基板に形成した前記金属膜と、硼珪酸ガラスを構成材料とする第２基板とを重ね合わせ、これらを陽極接合する工程と、
前記第２基板を研削又は研磨により薄膜化する工程と、
前記第２基板に、ドライエッチングを用いたフォトリソグラフィにより、所定パターンの開口部群を形成する工程と、
接合された第１基板及び第２基板の表面に、硼珪酸ガラスをエッチングする際のエッチャントに対して、耐エッチング性を有する保護膜を形成する工程と、
前記第１基板側に形成された保護膜に対して、前記開口部群を平面視内側に取り囲む形の第２開口部を、フォトリソグラフィにより形成する工程と、
前記保護膜をマスクとして、前記第１基板に対してウェットエッチングを行い、該第１基板に第１開口部を形成して前記金属膜を露出させる工程と、
前記露出した金属膜に対してウェットエッチングを行い、前記第２基板に形成された前記開口部群の開口を前記第１基板側に貫通させる工程と、
残存する保護膜をエッチングにより除去する工程と、
を含むことを特徴とするマスクの製造方法。 Forming a metal film on a first substrate comprising borosilicate glass as a constituent material;
Overlaying the metal film formed on the first substrate with a second substrate made of borosilicate glass, and anodic bonding them;
Thinning the second substrate by grinding or polishing;
Forming a group of openings having a predetermined pattern on the second substrate by photolithography using dry etching;
Forming a protective film having an etching resistance against an etchant when etching borosilicate glass on the surfaces of the first substrate and the second substrate bonded together;
Forming, by photolithography, a second opening having a shape surrounding the opening group inside in a plan view with respect to the protective film formed on the first substrate side;
Performing wet etching on the first substrate using the protective film as a mask, forming a first opening in the first substrate, and exposing the metal film;
Performing wet etching on the exposed metal film and penetrating the opening of the opening group formed in the second substrate to the first substrate side;
Removing the remaining protective film by etching;
A method for manufacturing a mask, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005001154A JP2006188732A (en) | 2005-01-06 | 2005-01-06 | Mask, method for manufacturing mask, and method for manufacturing organic electroluminescence apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2005001154A JP2006188732A (en) | 2005-01-06 | 2005-01-06 | Mask, method for manufacturing mask, and method for manufacturing organic electroluminescence apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006188732A true JP2006188732A (en) | 2006-07-20 |
Family
ID=36796194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005001154A Withdrawn JP2006188732A (en) | 2005-01-06 | 2005-01-06 | Mask, method for manufacturing mask, and method for manufacturing organic electroluminescence apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006188732A (en) |
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- 2005-01-06 JP JP2005001154A patent/JP2006188732A/en not_active Withdrawn
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