JP2006184797A - Method for depositing large-sized pellicle - Google Patents

Method for depositing large-sized pellicle Download PDF

Info

Publication number
JP2006184797A
JP2006184797A JP2004381009A JP2004381009A JP2006184797A JP 2006184797 A JP2006184797 A JP 2006184797A JP 2004381009 A JP2004381009 A JP 2004381009A JP 2004381009 A JP2004381009 A JP 2004381009A JP 2006184797 A JP2006184797 A JP 2006184797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
pellicle
substrate
film formation
peeling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004381009A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4330525B2 (en
Inventor
Yoshimasa Kuriyama
芳真 栗山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP2004381009A priority Critical patent/JP4330525B2/en
Publication of JP2006184797A publication Critical patent/JP2006184797A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4330525B2 publication Critical patent/JP4330525B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To perform deposition of a pellicle film at a low cost by manufacturing a large-sized depositing substrate whose area is 3,000 cm<SP>2</SP>or more at a low cost and using the depositing substrate. <P>SOLUTION: A method for manufacturing a large-sized pellicle manufactures a pellicle by uniformly applying polymer solution on the depositing substrate and peeling it by using a temporary frame after drying the polymer solution. In the depositing substrate used for the manufacturing method, its area is ≥3,000 cm<SP>2</SP>, and it is obtained by using a blue sheet glass as a material and performing chemical polishing after physical polishing. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は大型ペリクルの成膜方法に関し、特に、特殊な表面処理を施した成膜基板を用いて成膜する大型ペリクルの成膜方法に関する。   The present invention relates to a method for forming a large pellicle, and more particularly to a method for forming a large pellicle using a film formation substrate subjected to a special surface treatment.

大型ペリクルを成膜する方法は次の通りである。まず、ポリマーを溶媒に溶かすことで生成したポリマー溶液を、スピンコート法やスリットコート法を用いて成膜基板上に膜状に形成する。次に、乾燥によって溶媒を蒸発させると、前記成膜基板上には乾燥したペリクル膜が生成される。最後に、前記乾燥したペリクル膜を成膜基板から剥離させることでペリクル膜が形成される。   The method for forming a large pellicle is as follows. First, a polymer solution generated by dissolving a polymer in a solvent is formed into a film shape on a deposition substrate using a spin coating method or a slit coating method. Next, when the solvent is evaporated by drying, a dried pellicle film is generated on the film formation substrate. Finally, the pellicle film is formed by peeling the dried pellicle film from the deposition substrate.

このようにして得られた膜を、粘着材や保護フィルムつきのフレームに貼り付け、余分な膜をカットすることによりペリクルを製作している。   A pellicle is manufactured by attaching the film thus obtained to a frame with an adhesive material or a protective film, and cutting off the excess film.

ここで、従来のペリクルを製作する際に使用する成膜基板は、面積が3000cm2未満の小型のもので、酸化アルミニウム等の研磨剤を用いて物理的に研磨を行うことにより得られていた。 Here, the film formation substrate used when manufacturing the conventional pellicle is a small substrate having an area of less than 3000 cm 2 and is obtained by physical polishing using an abrasive such as aluminum oxide. .

しかしながら、このような成膜基板を用いてペリクル膜の成膜を行うと、徐々に基板表面にポリマーが付着する。すると、基板面に微細な凹凸が形成され、この凹凸がペリクル膜に転写されることにより、ペリクル膜が曇るという現象が起きる。このようにペリクル膜の膜面が曇ると、膜面検査時の付着異物の検出が困難になるという問題があった。このため、このようにポリマーが付着した成膜基板は、ペリクル膜の成膜に使用することができなくなるため、廃棄して新品を使用するか、再研磨や洗浄によって基板表面の微小な凹凸を除去することによって、再度成膜基板として使用していた。   However, when a pellicle film is formed using such a film formation substrate, the polymer gradually adheres to the substrate surface. Then, fine irregularities are formed on the substrate surface, and the irregularities are transferred to the pellicle film, thereby causing a phenomenon that the pellicle film becomes cloudy. When the film surface of the pellicle film becomes cloudy in this way, there is a problem that it is difficult to detect adhered foreign substances during the film surface inspection. For this reason, the film-formed substrate to which the polymer adheres cannot be used for the formation of the pellicle film. Therefore, it is discarded and a new one is used, or minute irregularities on the substrate surface are formed by re-polishing or washing. By removing it, it was used again as a film formation substrate.

また、シリコンウエハーや面積が400cm2の石英ガラス基板に対してシラザン処理を施したもの(例えば、特許文献1)や、シリコンウエハーや面積が400cm2の石英ガラス基板の表面にパーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物を形成したもの(例えば、特許文献2)がある。 Further, those silicon wafers and area was subjected to a silazane processing on quartz glass substrates of 400 cm 2 (e.g., Patent Document 1) and a silicon wafer and the area is a perfluoroalkyl group on the surface of the quartz glass substrate of 400 cm 2 There exists what formed the silicon compound which has (for example, patent document 2).

特開2000−241960JP 2000-241960 A 特開平10−39493JP-A-10-39493

しかしながら、最近では従来に使用されていたペリクルよりも大きな大きさのペリクルが要求されるようになった。これに伴い、成膜基板も3000cm2以上の大型のものを使用する必要がでてきた。しかし、3000cm2以上の大型の成膜基板を用いると、以下のような問題が発生した。 However, recently, there has been a demand for a pellicle having a size larger than that of a pellicle used in the past. Along with this, it has become necessary to use a film-forming substrate having a large size of 3000 cm 2 or more. However, when a large film-forming substrate of 3000 cm 2 or more is used, the following problems occur.

まず、面積が3000cm2のような大きな成膜基板を、従来のように物理研磨を行うと、研磨機における基板支持の不均一性や研磨剤の押しつけ圧力の不均一などの原因により、全面にわたりペリクル膜用成膜基板として実用上問題のないレベルにまで研磨痕なく研磨することは困難である。実用上問題のないレベルの研磨痕とは、幅・深さとも0.5μm以下のことである。 First, when a large film formation substrate having an area of 3000 cm 2 is subjected to physical polishing as in the past, the entire surface is caused by non-uniformity of substrate support in the polishing machine and non-uniformity of pressing pressure of the abrasive. It is difficult to polish the pellicle film formation substrate to a level where there is no practical problem without polishing marks. Polishing marks at a level where there is no problem in practical use are 0.5 μm or less in both width and depth.

また、成膜基板の価格は面積に応じて高くなるため、面積が3000cm2以上という大型の成膜基板では、成膜基板が使用不可能になった時に、新たなものに変更したり、再研磨をすることはコスト的に実用的ではない。また、洗浄を行うことは成膜をするためのプロセスが増えるため、好ましくはない。 In addition, since the price of a film-forming substrate increases with the area, a large-sized film-forming substrate with an area of 3000 cm 2 or more can be changed to a new one when the film-forming substrate becomes unavailable. Polishing is not practical in cost. Further, it is not preferable to perform cleaning because the number of processes for film formation increases.

また、成膜基板が大きくなるにつれて、膜と成膜基板との接触面積が増えるため、成膜基板から膜を剥離するためにはより大きな力が必要となる。このため膜を破らずに且つ剥離開始から剥離終了まで連続的に剥離することが困難になる。剥離開始から剥離終了まで連続的に剥離ができず、剥離速度が不連続になった箇所では局所的な膜の延びが発生し、膜面にスジが発生する。   Further, since the contact area between the film and the film formation substrate increases as the film formation substrate becomes larger, a greater force is required to peel the film from the film formation substrate. For this reason, it becomes difficult to peel continuously from the start of peeling to the end of peeling without breaking the film. The film cannot be continuously peeled from the start of peeling to the end of peeling, and the film is locally extended at the place where the peeling speed becomes discontinuous, and streaks are generated on the film surface.

大型の成膜基板にはシラザン処理やパーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物を形成したものは用いられておらず、コスト面を考慮した大型ペリクル膜を生成するのに最適な成膜基板の構成、及び成膜方法は把握されていなかった。   A large-sized film-forming substrate that does not use silazane treatment or a silicon compound having a perfluoroalkyl group is used, and the structure of the film-forming substrate that is optimal for producing a large-sized pellicle film considering the cost, In addition, the film forming method has not been grasped.

本発明は、面積が3000cm2以上の大型の成膜基板を用いてペリクル膜を成膜することにおいて、低コストで高品質のペリクル膜を得ることを目的としている。 An object of the present invention is to obtain a high-quality pellicle film at a low cost by forming a pellicle film using a large film formation substrate having an area of 3000 cm 2 or more.

前記目的を達成するための本発明に係る第1の方法は、成膜基板上にポリマー溶液を均一に塗布し、該ポリマー溶液を乾燥させた後に仮枠を用いて剥離することによりペリクルを製造する大型ペリクルの製造方法において、前記製造方法に使用される成膜基板は、面積が3000cm2以上であり、ソーダライムガラスを材料とし、物理研磨を行った後に化学研磨を行うことにより得られることを特徴としている。この効果は基板面積が大きくなるほど大きくなり、例えば基板面積が5000cm2ではより効果が大きく、7000cm2では更に効果が大きく、10000cm2、20000cm2と大きくなるほど効果が大きくなる。 The first method according to the present invention for achieving the above object is to manufacture a pellicle by uniformly applying a polymer solution on a film formation substrate, drying the polymer solution, and then peeling it using a temporary frame. In the manufacturing method of the large pellicle, the film formation substrate used in the manufacturing method has an area of 3000 cm 2 or more, and is obtained by performing chemical polishing after performing physical polishing using soda lime glass as a material. It is characterized by. This effect increases as the substrate area increases, for example, board area is larger and more effective at 5000 cm 2, in 7000 cm 2 further large effect, the effect increases as increases and 10000 cm 2, 20000 cm 2.

本発明に係る第2の方法は、第1の方法の大型ペリクルの製造方法であって、前記成膜基板には、下記化学式によって示されるシラザンを用いて表面処理を施したことを特徴とする。

Figure 2006184797
A second method according to the present invention is a method for producing a large pellicle according to the first method, wherein the film formation substrate is subjected to a surface treatment using silazane represented by the following chemical formula. .
Figure 2006184797


本発明に係る第3の方法は、第1の方法の大型ペリクルの製造方法であって、前記成膜基板には、下記化学式によって示されるサイクリックシラザンを用いて表面処理を施したことを特徴とする。

Figure 2006184797

A third method according to the present invention is a method for producing a large pellicle according to the first method, wherein the film formation substrate is subjected to surface treatment using cyclic silazane represented by the following chemical formula. And
Figure 2006184797


本発明に係る第4の方法は、第1の方法の大型ペリクルの製造方法であって、前記成膜基板には、下記化学式によって示されるヘキサメチルジシラザンを用いて表面処理を施したことを特徴とする。

Figure 2006184797

A fourth method according to the present invention is a method for producing a large pellicle according to the first method, wherein the film-formed substrate is subjected to a surface treatment using hexamethyldisilazane represented by the following chemical formula. Features.
Figure 2006184797


本発明に係る第5の方法は、第1の方法の大型ペリクルの製造方法であって、前記成膜基板には、下記化学式によって示されるパーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物を用いて表面処理を施したことを特徴とする。

Figure 2006184797

A fifth method according to the present invention is a method for producing a large pellicle according to the first method, wherein the film formation substrate is subjected to a surface treatment using a silicon compound having a perfluoroalkyl group represented by the following chemical formula. It is characterized by that.
Figure 2006184797

本発明は、上述の如く、ソーダライムガラスを使用して、物理研磨、化学研磨、表面処理を行って生成した成膜基板を使用して、ペリクルを製造する。ソーダライムガラスを用いたことにより成膜基板を低コストで製作することができる。また、物理研磨後に化学研磨を施すことで、低コストで実用的な水準まで平滑に研磨することができる。   In the present invention, as described above, a pellicle is manufactured using a film formation substrate produced by performing physical polishing, chemical polishing, and surface treatment using soda lime glass. By using soda lime glass, a film formation substrate can be manufactured at low cost. Further, by performing chemical polishing after physical polishing, it can be polished smoothly to a practical level at low cost.

また、前記成膜基板にシラザン処理やパーフルオロアルキル層を形成するような表面処理を施すことによって、ペリクル膜の前記成膜基板からの剥離性を向上させる。これにより、剥離時にペリクル膜の破れ等が発生することを抑制し、効率的に剥離を行うことができる。また、剥離時に成膜基板の表面にペリクル膜のポリマーが付着して凹凸を形成することを抑制する。この結果、成膜基板の寿命を延長させることができる。   In addition, by performing surface treatment such as silazane treatment or perfluoroalkyl layer formation on the film formation substrate, the peelability of the pellicle film from the film formation substrate is improved. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of tearing of the pellicle film at the time of peeling, and to perform the peeling efficiently. In addition, it prevents the polymer of the pellicle film from adhering to the surface of the film formation substrate during peeling to form irregularities. As a result, the lifetime of the film formation substrate can be extended.

このように、面積が3000cm2以上の大型の成膜基板を低コストで製作し、該成膜基板を使用することでペリクル膜の成膜を低コストで行うことができる。 In this manner, a large film formation substrate having an area of 3000 cm 2 or more can be manufactured at low cost, and the pellicle film can be formed at low cost by using the film formation substrate.

図を用いて本発明の実施形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(大型ペリクルの成膜方法)
大型ペリクルの製造方法を説明する。ペリクル膜の代表的な成膜方法として、スピンコート法とスリットコート法を例示して説明する。図1はスピンコート法の説明図であり、図2はスリットコート法の説明図である。
(Large pellicle deposition method)
A method for manufacturing a large pellicle will be described. As typical film forming methods for the pellicle film, a spin coating method and a slit coating method will be described as an example. FIG. 1 is an explanatory diagram of the spin coating method, and FIG. 2 is an explanatory diagram of the slit coating method.

まず、スリットコート法を説明する。図1(a)に示すように、回転対称な成膜基板10のほぼ中央にポリマーを溶媒に溶かして生成したポリマー溶液11を滴下し、成膜基板10上をポリマー溶液11によって満たす。次に、図1(b)に示すように、成膜基板10を回転台12にて高速で回転させ、余分なポリマー溶液11を振り飛ばすことにより薄い溶液膜を形成する。   First, the slit coating method will be described. As shown in FIG. 1A, a polymer solution 11 formed by dissolving a polymer in a solvent is dropped almost at the center of a rotationally symmetric film-forming substrate 10, and the film-forming substrate 10 is filled with the polymer solution 11. Next, as shown in FIG. 1B, a thin film is formed by rotating the film formation substrate 10 at a high speed on a turntable 12 and shaking off the excess polymer solution 11.

ペリクル膜を構成するポリマーとしては、ニトロセルロース、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、エチルセルロース、シアノエチルセルロース、セルロースカーボネートなどのセルロース誘導体ポリマー;アセチル化プルラン、シアノエチルプルランなどのプルラン誘導体ポリマー;ポリ乳酸ポリマー;ポリフッ化ビニリデン、テトラフロロエチレン−弗化ビニリデン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体、クロロトリフルオロエチレン−フッ化ビニリデン共重合体又はポリフッ化ビニル、主鎖に環構造を有する含弗素ポリマー(CYTOP(旭硝子(株)製、商品名)、TEFLON AF(DuPont社製、商品名)など)などのフッ素ポリマー;ポリビニルブチラール、ポリビニルプロピオナールなどのポリビニルアセタールポリマー;4−メチル−1−ペンテン系共重合ポリマーなどが使用できる。ポリマーの分子量は、ペリクル膜の強度、弾性率や露光光線に対する耐久性、溶媒への溶解性などを考慮し選択する。   Examples of polymers constituting the pellicle membrane include cellulose derivative polymers such as nitrocellulose, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate propionate, cellulose propionate, cellulose acetate butyrate, ethyl cellulose, cyanoethyl cellulose, and cellulose carbonate; Pullulan, cyanoethyl pullulan and other pullulan derivative polymers; polylactic acid polymers; polyvinylidene fluoride, tetrafluoroethylene-vinylidene fluoride copolymers, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymers, ethylene-tetrafluoroethylene copolymers, tetra Fluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene -Perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, polychlorotrifluoroethylene, ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer, chlorotrifluoroethylene-vinylidene fluoride copolymer or polyvinyl fluoride, fluorine-containing fluorine having a ring structure in the main chain Fluoropolymers such as polymers (CYTOP (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), TEFLON AF (trade name, manufactured by DuPont), etc .; polyvinyl acetal polymers such as polyvinyl butyral and polyvinyl propional; 4-methyl-1-pentene Copolymers can be used. The molecular weight of the polymer is selected in consideration of the strength of the pellicle film, the elastic modulus, durability against exposure light, solubility in a solvent, and the like.

これらを溶解する溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチルなどのエステル系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート;パーフルオロアルキルアミン(FLUORINERTシリーズ(3M社製、商品名)、CT-Solvシリーズ(旭硝子(株)製、商品名)など)、パーフルオロアルキルフラン(FLUORINERTシリーズ(3M社製、商品名)など)、ハイドロフルオロエーテル(Novecシリーズ(3M社製、商品名))、パーフルオロエーテル(GALDEN(SOLVAY SOLEXIS社製、商品名))、ハイドロフルオロエーテル(H-GALDEN(SOLVAY SOLEXIS社製、商品名))などのフッ素系溶媒などが使用できる。これらの溶媒は単独で使用してもよいし、混合して使用してもよい。   Solvents that dissolve these include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl lactate; alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, and butanol; propylene glycol Monomethyl ether acetate; perfluoroalkylamine (FLUORINERT series (product name) manufactured by 3M, CT-Solv series (product name) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), perfluoroalkylfuran (FLUORINERT series (product made by 3M, product) Name)), hydrofluoroether (Novec series (manufactured by 3M, product name)), perfluoroether (GALDEN (manufactured by SOLVAY SOLEXIS, product name)), hydrofluoroether (H-GALDEN (manufactured by SOLVAY SOLEXIS, Fluorine solvents such as product name)) can be used . These solvents may be used alone or in combination.

ポリマーと溶媒の組合せは、異物やゲルを除去するための所望の口径によるろ過ができるように溶解性を考慮したり、所望のペリクル膜厚が得られるよう、成膜に最適な濃度−粘度特性や蒸発速度を考慮して選択する。   The combination of polymer and solvent is a concentration-viscosity characteristic that is optimal for film formation, taking into account solubility so that filtration can be performed with a desired diameter to remove foreign substances and gels, and obtaining a desired pellicle film thickness. Select with consideration of evaporation rate.

ペリクル膜は単層でもよいし、光線透過率を高めるため、屈折率の異なるポリマーを積層し多層膜としても良い。   The pellicle film may be a single layer, or in order to increase the light transmittance, polymers having different refractive indexes may be laminated to form a multilayer film.

加熱、加圧、攪拌などの手段によりポリマーを溶媒に溶解しポリマー溶液とする。   The polymer is dissolved in a solvent by means of heating, pressurization, stirring, etc. to obtain a polymer solution.

ポリマー溶液は、乾燥空気、窒素などの不活性ガス、あるいはポンプなどで加圧ろ過し、溶液中の異物やゲルを取り除く。ろ過に使用するフィルターは、四フッ化エチレン、超高分子量ポリエチレン、ナイロン、ポリプロピレン製のメンブレンフィルターやデプスフィルターが挙げられる。   The polymer solution is pressure filtered with dry air, an inert gas such as nitrogen, or a pump to remove foreign substances and gel in the solution. Filters used for filtration include membrane filters and depth filters made of ethylene tetrafluoride, ultrahigh molecular weight polyethylene, nylon, and polypropylene.

図1(c)に示すようにホットプレート13や加熱炉による乾燥、減圧乾燥など、あるいはそれらの組み合わせによって乾燥させて、ペリクル膜14を成膜する。最後に、図1(d)に示すように、成膜基板10上にて仮枠15を貼り付け、ペリクル膜14を成膜基板10から剥離させる。このようにして得られたペリクル膜14を、粘着材や保護フィルムつきのフレームに貼り付け、余分な膜をカットすることによりペリクルを製作する。   As shown in FIG. 1C, the pellicle film 14 is formed by drying using a hot plate 13 or a heating furnace, drying under reduced pressure, or a combination thereof. Finally, as shown in FIG. 1D, a temporary frame 15 is attached on the film formation substrate 10, and the pellicle film 14 is peeled from the film formation substrate 10. The pellicle film 14 obtained in this manner is attached to a frame with an adhesive material or a protective film, and the pellicle is manufactured by cutting off the excess film.

次に、スリットコート法を説明する。図2に示すように、矩形(長方形)の成膜基板20に対し、ダイ21からペリクル膜原料溶液を吐出しつつ、ダイ21を成膜基板20に沿って移動させる。これによりペリクル膜原料溶液を塗布する。以後の乾燥及び剥離はスピンコート法の場合と同様である。   Next, the slit coat method will be described. As shown in FIG. 2, the die 21 is moved along the film formation substrate 20 while discharging the pellicle film raw material solution from the die 21 onto the rectangular (rectangular) film formation substrate 20. Thereby, the pellicle film raw material solution is applied. Subsequent drying and peeling are the same as in the spin coating method.

(成膜基板の材質)
上記成膜方法で使用される成膜基板10、20の材質は、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス、石英ガラスが考えられるが、ソーダライムガラスが好ましい。
(Material of deposition substrate)
The material of the film formation substrates 10 and 20 used in the film formation method may be soda lime glass, low thermal expansion glass, or quartz glass, but soda lime glass is preferred.

低熱膨張ガラスは、母材中に多くの気泡が含まれるため、成膜基板の面積が大きくなると基板表面に気泡が存在する確率が高くなる。このような気泡が成膜基板表面に存在すると、その形状がペリクル膜に転写する。すると、膜面検査時に転写された気泡の形状が、膜面に付着した異物と区別することができないため、そのペリクル膜を使用することができなくなる。ここで、膜面検査とは、暗室内で膜面をハロゲンランプの光を当てることにより、膜面の微小な異物の有無や微小なスジの有無の確認を行う検査方法である。   Since the low thermal expansion glass contains many bubbles in the base material, when the area of the deposition substrate is increased, the probability that bubbles are present on the substrate surface increases. When such bubbles are present on the surface of the film formation substrate, the shape is transferred to the pellicle film. Then, since the shape of the bubble transferred at the film surface inspection cannot be distinguished from the foreign matter attached to the film surface, the pellicle film cannot be used. Here, the film surface inspection is an inspection method in which the film surface is exposed to light from a halogen lamp in a dark room to confirm the presence or absence of minute foreign matter or minute lines on the film surface.

尚、石英ガラスの母材にはほとんど気泡がないが、石英ガラスは非常に高価である。また、他のガラスの母材と比べて入手が困難であり、基板面積が大きくなるほどその傾向は大きくなる。そのため、大型ペリクルを生成するための成膜基板に石英ガラスを使用すると、成膜基板が非常に高価になり、且つ定常的に入手することが困難になる可能性がある。   Although the quartz glass base material has almost no bubbles, quartz glass is very expensive. Moreover, it is difficult to obtain as compared with other glass base materials, and the tendency increases as the substrate area increases. Therefore, when quartz glass is used as a film formation substrate for generating a large pellicle, the film formation substrate becomes very expensive and it may be difficult to obtain it on a regular basis.

ソーダライムガラスは、母材中に気泡は少ない。また、安く、入手しやすい。しかし、硬度が低いために研磨後に微小なスジ状の研磨痕が残りやすい。しかしながら後述するように、化学研磨をも施すことで、実用的な程度にまで傷を解消することができる。   Soda lime glass has few bubbles in the base material. It is also cheap and easy to obtain. However, since the hardness is low, fine streak-like polishing marks are likely to remain after polishing. However, as will be described later, scratches can be resolved to a practical level by applying chemical polishing.

(成膜基板の製法)
上記成膜方法で使用される成膜基板10、20の製法について説明する。説明は、製作工程の順序に沿って行う。即ち、まず前記ソーダライムガラスに対し物理研磨による加工をし、次に化学研磨による加工をし、最後に成膜基板の表面処理をするという順序で説明する。説明では省略するが、必要に応じて各工程で基板の洗浄や乾燥を行ってもよい。
(Manufacturing method of deposition substrate)
A method of manufacturing the film formation substrates 10 and 20 used in the film formation method will be described. The description will be made in the order of the manufacturing process. That is, first, the soda lime glass is processed by physical polishing, then processed by chemical polishing, and finally the surface treatment of the film formation substrate is performed. Although omitted in the description, the substrate may be cleaned or dried in each step as necessary.

物理研磨工程においては次のように処理する。まず、表面面積が3000cm2以上になるようにソーダライムガラスを切り取って成膜基板とする。次に該成膜基板の表面に、砥粒を供給しつつ回転する研磨盤を押圧しながら研磨する。ここで使用する砥粒としては特に限定はないが、酸化アルミニウム、セリウム等を使用することができる。 The physical polishing process is performed as follows. First, soda lime glass is cut so that the surface area is 3000 cm 2 or more to obtain a film formation substrate. Next, the surface of the film-forming substrate is polished while pressing a rotating polishing disk while supplying abrasive grains. The abrasive grains used here are not particularly limited, and aluminum oxide, cerium, and the like can be used.

化学研磨工程においては次のように処理する、前記物理研磨した成膜基板の表面に対して薬品を供給する。すると、当該薬品が成膜基板の表面の極表層を溶かす。これにより、成膜基板の表層が平滑になる。ここで使用する薬品としては特に限定はないが、例えば臭化メタノールを使用することができる。   In the chemical polishing step, chemicals are supplied to the surface of the film substrate that has been physically polished, which is processed as follows. Then, the chemical dissolves the extreme surface layer on the surface of the film formation substrate. As a result, the surface layer of the film formation substrate becomes smooth. The chemical used here is not particularly limited, but for example, methanol bromide can be used.

表面処理工程について説明する。成膜基板10、20の表面処理は、ペリクル膜の成膜基板に接する層の種類に応じて2種類あり、適宜、シラザン処理やパーフルオロアルキル層の形成等を施す。表面処理を施すことにより、成膜基板表面へのポリマーの付着を防止し、成膜基板の使用回数を大幅に延ばすことができる。また、剥離力が小さくなるため剥離開始から剥離終了まで連続して行うことができ、膜面にスジが入ることなく剥離を行うことができるようになる。   The surface treatment process will be described. There are two types of surface treatment of the film formation substrates 10 and 20 depending on the type of the layer of the pellicle film in contact with the film formation substrate, and a silazane treatment, formation of a perfluoroalkyl layer, or the like is appropriately performed. By performing the surface treatment, adhesion of the polymer to the surface of the film formation substrate can be prevented, and the number of times the film formation substrate can be used can be greatly increased. Further, since the peeling force becomes small, it can be continuously performed from the start of peeling to the end of peeling, and the peeling can be performed without streaking on the film surface.

まず、表面処理の種類を説明する。図3に示すように、ペリクル膜の構成には、フッ素膜51のみで形成される単層構造(図3(a))、フッ素膜51の下にセルロース誘導体52が形成される2層構造(図3(b))、該2層構造の下に更にフッ素膜51が形成される3層構造(図3(c))、がある。ここで、成膜基板と接する層がセルロース誘導体52の場合は、成膜基板の表面61にシラザン処理を行う。また、成膜基板と接する層がフッ素膜51の場合は、成膜基板の表面62にパーフルオロアルキル層を形成する。尚、上述した単層構造では、フッ素膜のみで形成したが、セルロース膜のみで単層構造を形成してもよい。   First, the types of surface treatment will be described. As shown in FIG. 3, the structure of the pellicle film includes a single-layer structure (FIG. 3A) formed by only the fluorine film 51, and a two-layer structure in which the cellulose derivative 52 is formed under the fluorine film 51 (FIG. FIG. 3B shows a three-layer structure (FIG. 3C) in which a fluorine film 51 is further formed below the two-layer structure. Here, when the layer in contact with the film formation substrate is the cellulose derivative 52, the silazane treatment is performed on the surface 61 of the film formation substrate. When the layer in contact with the deposition substrate is the fluorine film 51, a perfluoroalkyl layer is formed on the surface 62 of the deposition substrate. In the single-layer structure described above, only the fluorine film is formed. However, the single-layer structure may be formed using only the cellulose film.

まず、シラザン処理について説明する。成膜基板にペリクル膜のセルロース誘導体52が接する場合、成膜基板の表面にはシラザン処理を施す。シラザン処理に用いるシラザンとしては、図4に示すようなシラザンを使用する。ここで図4(a)は一般的なシラザンであり、図4(b)はサイクリックシラザンであり、図4(c)はヘキサメチルジシラザンである。   First, the silazane process will be described. When the cellulose derivative 52 of the pellicle film is in contact with the film formation substrate, silazane treatment is performed on the surface of the film formation substrate. As silazane used for silazane treatment, silazane as shown in FIG. 4 is used. Here, FIG. 4A is a general silazane, FIG. 4B is a cyclic silazane, and FIG. 4C is hexamethyldisilazane.

シラザン処理の具体的方法としては、スピンコート法、蒸着法、ディップ法、スプレーコート法、ロールコーターによるコーティング法などが挙げられるが、特にスピンコート法や蒸着法が好ましい。ここで、スピンコート法は、シラザンを単体、又はシラザンを分解させないようにベンゼン、トルエン、ヘキサン等の溶剤にシラザンを溶解させて希釈溶液で成膜基板表面にスピンコートを行う方法である。   Specific examples of the silazane treatment include spin coating, vapor deposition, dipping, spray coating, and roll coater coating, with the spin coating and vapor deposition being particularly preferred. Here, the spin coating method is a method in which silazane is dissolved alone or in a solvent such as benzene, toluene, hexane or the like so as not to decompose the silazane and spin coating is performed on the surface of the film formation substrate with a diluted solution.

スピンコートの条件としては、回転数100rpm〜6000rpmで、5秒〜10分間、スピンコートをすることが好ましい。特に回転数300rpm〜5000rpmで20秒〜3分間、スピンコートすることが好ましい。   As conditions for spin coating, spin coating is preferably performed at a rotation speed of 100 rpm to 6000 rpm for 5 seconds to 10 minutes. It is particularly preferable to spin coat at a rotational speed of 300 rpm to 5000 rpm for 20 seconds to 3 minutes.

また、蒸着法は、専用の容器中に前記シラザンと成膜基板を入れ、シラザンの蒸気を前記成膜基板に付着反応させる方法である。圧力は常圧あるいは減圧下が好ましい。蒸着温度は、5℃〜200℃が好ましく、更に好ましくは15℃〜120℃が好ましい。容器は密閉することが好ましいが、外部との通気口があっても構わない。蒸着時間は、10秒〜24時間が好ましく、更に好ましくは1分〜1時間の範囲が好ましい。スピンコート法又は蒸着法のどちらの方法でも、シラザン処理前若しくはシラザン処理後、又はその両方に、基板洗浄若しくは乾燥、又はその両方を行ってもよい。   The vapor deposition method is a method in which the silazane and the film formation substrate are placed in a dedicated container, and the vapor of the silazane is adhered to the film formation substrate. The pressure is preferably normal pressure or reduced pressure. The deposition temperature is preferably 5 ° C to 200 ° C, more preferably 15 ° C to 120 ° C. The container is preferably sealed, but there may be a vent hole to the outside. The deposition time is preferably 10 seconds to 24 hours, more preferably 1 minute to 1 hour. In either the spin coating method or the vapor deposition method, substrate cleaning and / or drying may be performed before or after silazane treatment, or both.

次に、パーフルオロアルキル層の形成について説明する。成膜基板にペリクル膜のフッ素膜51が接する場合、成膜基板の表面にパーフルオロアルキル層を形成する。パーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物としては、図5(a)〜(e)に示すような一般式の溶媒を使用するのが好ましい。   Next, formation of a perfluoroalkyl layer will be described. When the fluorine film 51 of the pellicle film is in contact with the film formation substrate, a perfluoroalkyl layer is formed on the surface of the film formation substrate. As the silicon compound having a perfluoroalkyl group, it is preferable to use a solvent having a general formula as shown in FIGS.

パーフルオロアルキル層の形成の具体的方法としては、いかなる方法でも構わないが、スピンコート法や、蒸着法が好ましく、特に蒸着法が好ましい。蒸着法は、常圧下、減圧下又は加圧下のいずれでもよい。容器中に前記パーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物と基板を入れ、パーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物の蒸気を基板表面に付着反応させる。蒸着温度は5℃〜200℃が好ましく、更に好ましくは20℃〜130℃が好ましい。容器は密封するのが好ましいが、外部との通気口があっても構わない。蒸着時間は1分間〜7日間が好ましく、更に好ましくは1時間〜3日間が好ましい。スピンコート法又は蒸着法のどちらの方法でも、シラザン処理前若しくはシラザン処理後、又はその両方に、基板洗浄若しくは乾燥、又はその両方を行ってもよい。   As a specific method for forming the perfluoroalkyl layer, any method may be used, but a spin coating method or a vapor deposition method is preferable, and a vapor deposition method is particularly preferable. The vapor deposition method may be performed under normal pressure, reduced pressure, or increased pressure. The silicon compound having a perfluoroalkyl group and the substrate are placed in a container, and the vapor of the silicon compound having a perfluoroalkyl group is adhered to the substrate surface. The deposition temperature is preferably 5 ° C to 200 ° C, more preferably 20 ° C to 130 ° C. The container is preferably sealed, but it may have a vent hole to the outside. The deposition time is preferably 1 minute to 7 days, more preferably 1 hour to 3 days. In either the spin coating method or the vapor deposition method, substrate cleaning and / or drying may be performed before or after silazane treatment, or both.

次に実施例及び比較例を挙げて対比し、本実施形態を具体的に説明する。   Next, the embodiment and the comparative example will be given and compared to specifically describe the present embodiment.

〔実施例1〕
1辺が570mmの正方形のソーダライムガラスを用意し、物理研磨、化学研磨を行った。この基板を純水でスクラブ洗浄後、超音波洗浄を行い、温風乾燥を行った後にヘキサメチルジシラザンの蒸着処理を行い、大型ペリクル用成膜基板とした。セルロースアセテートプロピオネート(CAP 480-20、Eastman Chemical Company製)を乳酸エチルに溶かしたポリマー溶液を窒素で0.01MPaに加圧し、口径0.1μmのメンブレンフィルターを通してろ過した液をスピンコート法でこの成膜基板上に塗布し、ホットプレートで乾燥した。スピンコート法はクローズドカップ方式のスピンコーターに前記ポリマー溶液をガラス基板上に300g供給し、ガラス基板を350rpmで60秒間回転させる。乾燥法は、ポリマー溶液を塗布した成膜基板を60℃のホットプレート上に30分間載せる。
[Example 1]
A square soda lime glass having a side of 570 mm was prepared and subjected to physical polishing and chemical polishing. This substrate was scrubbed with pure water, subjected to ultrasonic cleaning, dried with hot air, and then subjected to hexamethyldisilazane vapor deposition to obtain a large-sized pellicle film formation substrate. A polymer solution obtained by dissolving cellulose acetate propionate (CAP 480-20, manufactured by Eastman Chemical Company) in ethyl lactate was pressurized to 0.01 MPa with nitrogen and filtered through a membrane filter having a diameter of 0.1 μm by spin coating. It apply | coated on this film-forming board | substrate, and dried with the hotplate. In the spin coating method, 300 g of the polymer solution is supplied onto a glass substrate on a closed cup type spin coater, and the glass substrate is rotated at 350 rpm for 60 seconds. In the drying method, the film formation substrate coated with the polymer solution is placed on a hot plate at 60 ° C. for 30 minutes.

その後、仮枠を用いてペリクル膜の剥離作業を行った。ここで述べる蒸着処理とはクリーンオーブンで100℃、2時間温風乾燥後、室温まで冷却した。次にこの基板とヘキサメチルジシラザン20ccを導入した直径5cmの上部が開放されたポリエチレン容器を清浄な金属製の箱に室温で30分間封入した。成膜基板を取り出した後、クリーンオーブンで100℃、2時間加熱した。   Thereafter, the pellicle film was peeled off using a temporary frame. The vapor deposition process described here was performed at 100 ° C. for 2 hours in a clean oven and then cooled to room temperature. Next, this substrate and a polyethylene container having an open top with a diameter of 5 cm into which 20 cc of hexamethyldisilazane was introduced were sealed in a clean metal box for 30 minutes at room temperature. After taking out the film formation substrate, it was heated in a clean oven at 100 ° C. for 2 hours.

この成膜・剥離作業を繰り返し100回行った。剥離法は、外径が成膜基板と同じで幅20mm、厚み6mmの仮枠に両面テープを貼り付け、両面テープ面を基板面側にして成膜基板に押しつけ、片側から仮枠を持ち上げることにより、成膜基板上の膜を仮枠に移し取った。   This film forming / peeling operation was repeated 100 times. In the peeling method, the double-sided tape is attached to a temporary frame having the same outer diameter as the film-formed substrate, 20 mm in width and 6 mm in thickness. Thus, the film on the film formation substrate was transferred to a temporary frame.

この結果、剥離作業は100回とも剥離力が小さくて済み、剥離開始から剥離終了まで連続的に行うことができた。また、剥離を行った各ペリクル膜の膜面検査を行った結果、100枚のペリクル膜の膜面にスジが入ることはなく、各ペリクル膜の表面は曇ることはなかった。また、100枚のペリクル膜の膜面検査を行った結果、同一箇所に輝点は見られなかったことから、基板表面にキズや気泡は無いと判断できる。   As a result, the peeling work required only a small peeling force 100 times and could be continuously performed from the start of peeling to the end of peeling. Further, as a result of the film surface inspection of each peeled pellicle film, no streaks entered the film surface of 100 pellicle films, and the surface of each pellicle film did not become cloudy. Further, as a result of the film surface inspection of 100 pellicle films, no bright spots were found at the same location, so it can be determined that there are no scratches or bubbles on the substrate surface.

〔実施例2〕
1辺が1200mmの正方形のソーダライムガラスを用意し、物理研磨、化学研磨を行った。この基板を純水でスクラブ洗浄後、超音波洗浄を行い、温風乾燥を行った後にヘキサメチルジシラザンの蒸着処理を行い、大型ペリクル用成膜基板とした。蒸着法は実施例1と同じである。
[Example 2]
A square soda lime glass with a side of 1200 mm was prepared and subjected to physical polishing and chemical polishing. This substrate was scrubbed with pure water, subjected to ultrasonic cleaning, dried with hot air, and then subjected to hexamethyldisilazane vapor deposition to obtain a large-sized pellicle film formation substrate. The vapor deposition method is the same as in Example 1.

成膜・剥離作業を繰り返し100回行った。使用したポリマー溶液、成膜法、乾燥法、剥離法は実施例1と同じである。   The film forming / peeling operation was repeated 100 times. The polymer solution, film formation method, drying method, and peeling method used are the same as those in Example 1.

この結果、剥離作業は100回とも剥離力が小さくて済み、剥離開始から剥離終了まで連続的に行うことができた。また、剥離を行った各ペリクル膜の膜面検査を行った結果、100枚のペリクル膜の膜面にスジが入ることはなく、各ペリクル膜の表面は曇ることはなかった。また、100枚のペリクル膜の膜面検査を行った結果、同一箇所に輝点は見られなかったことから、基板表面にキズや気泡は無いと判断できる。   As a result, the peeling work required only a small peeling force 100 times and could be continuously performed from the start of peeling to the end of peeling. Further, as a result of the film surface inspection of each peeled pellicle film, no streaks entered the film surface of 100 pellicle films, and the surface of each pellicle film did not become cloudy. Further, as a result of the film surface inspection of 100 pellicle films, no bright spots were found at the same location, so it can be determined that there are no scratches or bubbles on the substrate surface.

〔実施例3〕
1辺が1400mmの正方形のソーダライムガラスを用意し、物理研磨、化学研磨を行った。この基板を純水でスクラブ洗浄後、超音波洗浄を行い、温風乾燥を行った後にヘキサメチルジシラザンの蒸着処理を行い、大型ペリクル用成膜基板とした。蒸着法は実施例1と同じである。
Example 3
A square soda lime glass having a side of 1400 mm was prepared and subjected to physical polishing and chemical polishing. This substrate was scrubbed with pure water, subjected to ultrasonic cleaning, dried with hot air, and then subjected to hexamethyldisilazane vapor deposition to obtain a large-sized pellicle film formation substrate. The vapor deposition method is the same as in Example 1.

成膜・剥離作業を繰り返し100回行った。使用したポリマー溶液、成膜法、乾燥法、剥離法は実施例1と同じである。   The film forming / peeling operation was repeated 100 times. The polymer solution, film formation method, drying method, and peeling method used are the same as those in Example 1.

この結果、剥離作業は100回とも剥離力が小さくて済み、剥離開始から剥離終了まで連続的に行うことができた。また、剥離を行った各ペリクル膜の膜面検査を行った結果、100枚のペリクル膜の膜面にスジが入ることはなく、各ペリクル膜の表面は曇ることはなかった。また、100枚のペリクル膜の膜面検査を行った結果、同一箇所に輝点は見られなかったことから、基板表面にキズや気泡は無いと判断できる。   As a result, the peeling work required only a small peeling force 100 times and could be continuously performed from the start of peeling to the end of peeling. Further, as a result of the film surface inspection of each peeled pellicle film, no streaks entered the film surface of 100 pellicle films, and the surface of each pellicle film did not become cloudy. Further, as a result of the film surface inspection of 100 pellicle films, no bright spots were found at the same location, so it can be determined that there are no scratches or bubbles on the substrate surface.

〔比較例1〕
1辺が1200mmの正方形のソーダライムガラスを用意し、物理研磨のみを行った。この基板を純水でスクラブ洗浄後、超音波洗浄を行い、温風乾燥を行った後にヘキサメチルジシラザンの蒸着処理を行い、大型ペリクル用成膜基板とした。蒸着法は実施例1と同じである。
[Comparative Example 1]
A square soda lime glass with a side of 1200 mm was prepared, and only physical polishing was performed. This substrate was scrubbed with pure water, subjected to ultrasonic cleaning, dried with hot air, and then subjected to hexamethyldisilazane vapor deposition to obtain a large-sized pellicle film formation substrate. The vapor deposition method is the same as in Example 1.

成膜・剥離作業を繰り返し100回行った。使用したポリマー溶液、成膜法、乾燥法、剥離法は実施例1と同じである。   The film forming / peeling operation was repeated 100 times. The polymer solution, film formation method, drying method, and peeling method used are the same as those in Example 1.

この結果、剥離作業は100回とも剥離力が小さくて済み、剥離開始から剥離終了まで連続的に行うことができた。また、剥離を行った各ペリクル膜の膜面検査を行った結果、100枚のペリクル膜の表面は曇ることはなかった。しかしながら、100枚のペリクル膜の膜面検査を行った結果、膜面の同一箇所にスジが観察され、基板の当該箇所を観察したところ、スジ状の研磨痕が観察された。   As a result, the peeling work required only a small peeling force 100 times and could be continuously performed from the start of peeling to the end of peeling. Further, as a result of the film surface inspection of each peeled pellicle film, the surface of 100 pellicle films did not become cloudy. However, as a result of the film surface inspection of the 100 pellicle films, streaks were observed at the same position on the film surface, and when the corresponding portions of the substrate were observed, streaky polishing marks were observed.

〔比較例2〕
1辺が570mmの正方形のソーダライムガラスを用意し、物理研磨、化学研磨を行った。この基板を純水でスクラブ洗浄後、超音波洗浄及び温風乾燥を行い、大型ペリクル用成膜基板とした。
[Comparative Example 2]
A square soda lime glass having a side of 570 mm was prepared and subjected to physical polishing and chemical polishing. This substrate was scrubbed with pure water, then subjected to ultrasonic cleaning and hot air drying to obtain a film substrate for a large pellicle.

成膜・剥離作業を繰り返し10回行った。使用したポリマー溶液、成膜法、乾燥法、剥離法は実施例1と同じである。   The film forming / peeling operation was repeated 10 times. The polymer solution, film formation method, drying method, and peeling method used are the same as those in Example 1.

この結果、剥離作業は10回目では剥離力が大きく、剥離開始から剥離終了まで不連続な剥離となった。また、剥離を行った各ペリクル膜の膜面検査を行った結果、10枚目のペリクル膜の表面は曇っていた。更に、膜面には、剥離が不連続となったことによるスジが入っていた。尚、10枚のペリクル膜の膜面検査を行った結果、同一箇所に輝点は見られなかったことから、基板表面にキズや気泡は無いと判断できる。   As a result, the peeling operation had a large peeling force at the 10th time, and was discontinuous from the start of peeling to the end of peeling. Further, as a result of the film surface inspection of each peeled pellicle film, the surface of the tenth pellicle film was cloudy. Furthermore, streaks due to discontinuity of peeling were found on the film surface. As a result of the film surface inspection of ten pellicle films, no bright spots were found at the same location, so it can be determined that there are no scratches or bubbles on the substrate surface.

〔比較例3〕
1辺が800mmの正方形の低熱膨張ガラスを用意し、物理研磨、化学研磨を行った。この基板を純水でスクラブ洗浄後、超音波洗浄を行い、温風乾燥を行った後にヘキサメチルジシラザンの蒸着処理を行い、大型ペリクル用成膜基板とした。蒸着法は実施例1と同じである。
[Comparative Example 3]
A square low thermal expansion glass having a side of 800 mm was prepared and subjected to physical polishing and chemical polishing. This substrate was scrubbed with pure water, subjected to ultrasonic cleaning, dried with hot air, and then subjected to hexamethyldisilazane vapor deposition to obtain a large-sized pellicle film formation substrate. The vapor deposition method is the same as in Example 1.

成膜・剥離作業を繰り返し100回行った。使用したポリマー溶液、成膜法、乾燥法、剥離法は実施例1と同じである。   The film forming / peeling operation was repeated 100 times. The polymer solution, film formation method, drying method, and peeling method used are the same as those in Example 1.

この結果、剥離作業は100回とも剥離力が小さくて済み、剥離開始から剥離終了まで連続的に行うことができた。また、剥離を行った各ペリクル膜の膜面検査を行った結果、100枚のペリクル膜の膜面にスジが入ることはなく、各ペリクル膜の表面は曇ることはなかった。しかしながら、100枚のペリクル膜の膜面検査を行った結果、同一箇所に輝点が見られた。基板の当該箇所を観察したところ、基板上に気泡が観察された。   As a result, the peeling work required only a small peeling force 100 times and could be continuously performed from the start of peeling to the end of peeling. Further, as a result of the film surface inspection of each peeled pellicle film, no streaks entered the film surface of 100 pellicle films, and the surface of each pellicle film did not become cloudy. However, as a result of the film surface inspection of 100 pellicle films, bright spots were found at the same location. When the portion of the substrate was observed, bubbles were observed on the substrate.

本発明は、大型ペリクルの成膜方法に利用することができる。   The present invention can be used in a method for forming a large pellicle.

スピンコート法の説明図。Explanatory drawing of a spin coat method. スリットコート法の説明図。Explanatory drawing of the slit coat method. ペリクル膜の構成と成膜基板の表面処理との関係を説明する図。The figure explaining the relationship between the structure of a pellicle film and the surface treatment of a film-forming board | substrate. 表面処理に使用するシラザンを説明する図。The figure explaining the silazane used for surface treatment. 表面処理に使用するパーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物を説明する図。The figure explaining the silicon compound which has the perfluoroalkyl group used for surface treatment.

符号の説明Explanation of symbols

10 …成膜基板
11 …ポリマー溶液
12 …回転台
13 …ホットプレート
14 …ペリクル膜
15 …仮枠
20 …成膜基板
51 …フッ素膜
52 …セルロース誘導体
61 …表面
62 …表面
10… deposition substrate
11… Polymer solution
12… turntable
13… Hot plate
14 Pellicle membrane
15 ... Temporary frame
20… deposition substrate
51… Fluorine membrane
52… Cellulose derivatives
61… Surface
62… Surface

Claims (5)

成膜基板上にポリマー溶液を均一に塗布し、該ポリマー溶液を乾燥させた後に仮枠を用いて剥離することによりペリクルを製造する大型ペリクルの製造方法において、
前記製造方法に使用される成膜基板は、面積が3000cm2以上であり、ソーダライムガラスを材料とし、物理研磨を行った後に化学研磨を行うことにより得られることを特徴とする大型ペリクルの製造方法。
In a method for producing a large pellicle, a pellicle is produced by uniformly applying a polymer solution on a film formation substrate, drying the polymer solution, and then peeling it using a temporary frame.
A film forming substrate used in the manufacturing method has an area of 3000 cm 2 or more, and is obtained by performing chemical polishing after performing physical polishing using soda lime glass as a material, and manufacturing a large pellicle Method.
請求項1に記載の大型ペリクルの製造方法であって、
前記成膜基板には、下記化学式によって示されるシラザンを用いて表面処理を施したことを特徴とする大型ペリクルの製造方法。
Figure 2006184797
A method for producing a large pellicle according to claim 1,
A method for producing a large pellicle, wherein the film formation substrate is subjected to a surface treatment using silazane represented by the following chemical formula.
Figure 2006184797
請求項1に記載の大型ペリクルの製造方法であって、
前記成膜基板には、下記化学式によって示されるサイクリックシラザンを用いて表面処理を施したことを特徴とする大型ペリクルの製造方法。
Figure 2006184797
A method for producing a large pellicle according to claim 1,
A method for producing a large pellicle, wherein the film formation substrate is subjected to a surface treatment using cyclic silazane represented by the following chemical formula.
Figure 2006184797
請求項2に記載の大型ペリクルの製造方法であって、
前記成膜基板には、下記化学式によって示されるヘキサメチルジシラザンを用いて表面処理を施したことを特徴とする大型ペリクルの製造方法。
Figure 2006184797
A method for producing a large pellicle according to claim 2,
A method for producing a large pellicle, wherein the film formation substrate is subjected to a surface treatment using hexamethyldisilazane represented by the following chemical formula.
Figure 2006184797
請求項1に記載の大型ペリクルの製造方法であって、
前記成膜基板には、下記化学式によって示されるパーフルオロアルキル基を有するシリコン化合物を用いて表面処理を施したことを特徴とする大型ペリクルの製造方法。
Figure 2006184797
A method for producing a large pellicle according to claim 1,
A method for producing a large pellicle, wherein the film formation substrate is subjected to a surface treatment using a silicon compound having a perfluoroalkyl group represented by the following chemical formula.
Figure 2006184797
JP2004381009A 2004-12-28 2004-12-28 Deposition method for large pellicle Active JP4330525B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004381009A JP4330525B2 (en) 2004-12-28 2004-12-28 Deposition method for large pellicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004381009A JP4330525B2 (en) 2004-12-28 2004-12-28 Deposition method for large pellicle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006184797A true JP2006184797A (en) 2006-07-13
JP4330525B2 JP4330525B2 (en) 2009-09-16

Family

ID=36737932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004381009A Active JP4330525B2 (en) 2004-12-28 2004-12-28 Deposition method for large pellicle

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4330525B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008001431A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Asahi Kasei Emd Corporation Large pellicle forming substrate
JP2016011391A (en) * 2014-06-30 2016-01-21 東京応化工業株式会社 Method for producing resin substrate, and device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008001431A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Asahi Kasei Emd Corporation Large pellicle forming substrate
JPWO2008001431A1 (en) * 2006-06-27 2009-11-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Large pellicle deposition substrate
JP2016011391A (en) * 2014-06-30 2016-01-21 東京応化工業株式会社 Method for producing resin substrate, and device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4330525B2 (en) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3267403B2 (en) Method for producing fluoropolymer membrane
JP5521034B2 (en) Method for providing flexible semiconductor device at high temperature and flexible semiconductor device
US20060040079A1 (en) Method of die coating with a die coater
JP2004157229A (en) Pellicle for lithography and its manufacturing method
JP5152870B2 (en) Pellicle for lithography and method for manufacturing the same
JP2021144249A (en) Manufacturing method of semiconductor device or liquid crystal display
US11225057B2 (en) Bonded article of thin glass on support substrate, preparation method and use thereof
JP4330525B2 (en) Deposition method for large pellicle
JPWO2008001431A1 (en) Large pellicle deposition substrate
WO2015118985A1 (en) Glass roll
KR101930723B1 (en) Pellicle and method of manufacturing the same
JP6661587B2 (en) Thin glass bonded article on a supporting substrate, method of making the same and use thereof
JP2011104889A (en) Method of producing protective coating of roll mold for manufacturing optical film
JP4371458B2 (en) Pellicle manufacturing method
JP4004414B2 (en) Method for removing unnecessary film, apparatus for removing unnecessary film, and method for manufacturing mask blank for lithography
KR20100116105A (en) Method of forming pelicle membrane using substrate having realising layer
JP2006163215A (en) Method for manufacturing pellicle film
JP4055856B2 (en) Manufacturing method of large pellicle membrane
JPH06222551A (en) Releasable substrate for formation of film and production of pellicle film
JP2006039257A (en) Large pellicle
JPH05323579A (en) Cleanzing method for surface of substrate
JP2009225122A (en) Mobile phone and method of forming protective coat on image display part of mobile phone
JPH0748106B2 (en) Pellicle membrane
JPH0768574A (en) Manufacture of optical resin thin film
JP4274313B2 (en) Film forming substrate for large pellicle and method for producing large pellicle film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060614

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20090401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090616

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090616

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4330525

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140626

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350