JP2006184384A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】 有機EL装置等の電気光学装置の輝度ムラの低減、開口率の向上、及びフリッカの低減を同時に実現する。
【解決手段】 画素回路70Gは、保持容量10及び20を備えており、これら2つの保持容量により、データ信号に応じた電荷をこれら保持容量に保持することが可能である。保持容量10及び20が保持する電荷によれば、1垂直走査期間において走査信号が画素回路70Gに供給されていない期間においても、保持容量10及び20に保持された電荷に応じた電圧を電流制御TFT83のゲートに印加することが可能である。
【選択図】 図2

Description

本発明は、例えば、カラー表示可能な有機EL装置等の電気光学装置及びこれを備えた電子機器の技術分野に関する。
液晶表示装置に代わる画像表示装置として、有機EL素子を備えた有機EL装置が注目されている。有機EL素子は、光の透過量を変化させる液晶素子とは異なり、素子自身が発光する電流駆動型の自発光素子である。
有機EL素子を用いたアクティブマトリクス駆動の電気光学装置では、有機EL素子の発光階調を調整するための画素回路が、各画素に設けられている。画素回路における発光階調の設定は、発光階調に応じた電圧又は電流を画素回路に供給し、有機EL素子に流れる駆動電流を調整することによって行われる。ここで、画素とは、画像表示領域を構成する単位領域であって、その領域内に有機EL素子を一つずつ含む場合、或いは赤色、緑色及び青色等の光を発光する複数の有機EL素子を一つずつ含んでなる場合の両方の意味を含む。尚、本明細書において、画像表示領域は複数の画素領域を含む画像表示面全体の範囲を意味し、画素回路とは、各画素に含まれる有機EL素子及び半導体素子等を備える回路であって、各画素に含まれる単位回路を意味する。
有機EL素子を駆動するには駆動電流を流す必要があるため、電源回路から画素回路までの電源線において電圧降下が生じる。このような電源線の引き回しによる電圧降下を低減するために、例えば、特許文献1に示すような電源線が提案されている。特許文献1によれば、画素領域の内部に配列された配線によって電流が上下方向から画素回路に供給される。
また、アクティブマトリクス駆動される有機EL装置は、通常有機EL素子に流れる駆動電流を制御する薄膜トランジスタを備えている。このような薄膜トランジスタは、画素回路の保持容量から印加される電圧によってオン・オフが切り換えられる。
特開2002−108252号公報
この種の電気光学装置では、上述した電圧降下の低減及び保持容量の確保に加えて各画素領域における開口率を高めることが画質を向上させるために重要になる。しかしながら、電源線を極力細くすることによる開口率の確保、電源線の電圧降下に起因する画像表示領域内における輝度ムラの防止、及び1垂直走査期間において電位を保持するだけの十分な保持容量の確保の3つの課題を同時に解決することは困難である。このような問題点に対し、例えば、電源線を画像表示領域に格子状に配置する、或いは電源線を縦方向にのみ配線し、その電源線の下に保持容量を作り込むことも考えられるが、やはり上記3つの課題を同時に解決することは困難である。より具体的には、開口率を高めるために電源線を細くした場合には、電源線における電圧降下が増大する。また、高解像を得るために画素領域のサイズを小さくした場合には、画素回路毎に十分な保持容量を作り込むことが困難になり、例えばフリッカの如き不具合が発生する。尚、本明細書中において、“各画素の開口率”或いは単に“開口率”とは、画素毎に、その全領域のうち実質的に光が出射される領域たる“開口領域”が占める割合を意味する。即ち、各画素において、有機EL素子から出射された光が配線等で遮られることがない開口領域及びそれ以外の非開口領域を含む、各画素の全領域たる“画素領域”のうち、開口領域が占める割合を意味する。
本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、電源線における電圧降下の低減、保持容量の確保及び開口率の確保によって、表示性能が高められた有機EL装置等の電気光学装置及びこれを備えた電子機器を提供することを目的とする。
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、相互に交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、該複数のデータ線及び該複数の走査線の交差に対応して夫々配置されており、互いに異なる色の光を発光する複数の発光素子と、前記データ線に沿って延在するように設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の主電源線と、前記走査線に沿って延在するように層間絶縁膜を介して前記主電源線の下層側に設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の副電源線と、該副電源線と同一層を含んでなると共に前記層間絶縁膜を介して前記主電源線の下側に前記発光素子毎に設けられており、前記主電源線が延在する延在方向において前記副電源線と電気的に絶縁され、且つ前記層間絶縁膜を貫通する第1導電部を介して前記主電源線に電気的に接続された第1容量電極と、前記発光素子毎に前記主電源線及び前記副電源線の夫々に沿って延在するように、前記副電源線の下層側に誘電体膜を介して設けられており、前記データ線から供給されるデータ信号に応じた電荷を前記副電源線及び前記第1容量電極の夫々との間で保持するための第1保持容量及び第2保持容量を構成する第2容量電極とを備える。
本発明に係る電気光学装置によれば、電流駆動型の発光素子は、例えば有機EL素子等であり、例えば、赤色、緑色、及び青色の対応した波長の光を発生する発光素子として、複数の走査線及び複数のデータ線が交差する領域に対応して設けられた画素領域に夫々配置されている。したがって、その動作時には、データ線及び走査線を介して画像信号及び走査信号を供給することで、これら素子を所要のタイミングで発光させることによって、画像をカラー表示できる。
ここで、複数の主電源線及び複数の副電源線は、基板上で互いに交差するように配置された複数の走査線及び複数のデータ線に沿って延在するように設けられているため、これら電源線における電圧降下を低減できる。より具体的には、例えば、有機EL装置の画像表示領域において縦方向及び横方向の一方の方向に沿ってのみ電源線を設ける場合に比べて、縦方向及び横方向の夫々に沿って電源線を設けることによって電源線全体の電気抵抗を低減でき、電源線における電圧降下を低減できる。これに伴い、電源線の夫々のサイズ、より具体的には例えば幅を小さくでき、画素領域における開口率を高めることが可能である。
複数の主電源線及び複数の副電源線は、例えば、赤色、緑色、及び青色の夫々の光を発生する有機EL素子に応じて個別に電源を供給する。例えば、赤色の光を発光する有機EL素子に緑色の光を発光する有機EL素子に供給される電源が供給されることがなく、各色を発光する有機EL素子に応じた適切な電源が供給される。より具体的には、例えば、有機EL素子の如き電流駆動型の自発光素子に関して、発光させるべき光の波長及び輝度に応じて適切な駆動電流及び電圧等があり、これら駆動電流及び電圧からはずれた電流等が発光素子に供給された場合、輝度及び光の波長が狙いの値からずれてしまうが、本発明に係る電気光学装置によれば、各色に応じた適切な電源を有機EL素子に供給することにより、所要の波長及び輝度の光を発光するように各有機EL素子を駆動することが可能である。
本発明に係る電気光学装置によれば、複数の副電源線及び複数の第1容量電極の夫々と、第2容量電極との間で第1保持容量及び第2保持容量を構成でき、これら第1及び第2保持容量によって、例えばフリッカを低減するために十分な保持容量を確保できる。本発明に係る「第1保持容量」は、副電源線及び第2容量電極の夫々を容量電極として構成されており、「第2保持容量」は、第1容量電極及び第2容量電極の夫々を容量電極として備える。第1容量電極は、副電源線と電気的に絶縁されており且つ主電源線に電気的に接続されているので、副電源線による色別の電源供給を可能としつつ、主電源線に沿って第2保持容量を画素回路毎に設けることが可能となる。加えて、副電源線、第2容量電極、及び誘電体膜により、副電源線に沿って、例えば画素回路毎に第1保持容量を設けることが可能である。即ち、主電源線及び副電源線の夫々に沿って第1保持容量及び第2保持容量を画素回路毎に設けることが可能であり、これら第1及び第2保持容量によって十分な容量を確保でき、フリッカ等の不具合を低減できる。本発明に係る「第2容量電極」とは、例えば、画素回路に含まれる半導体素子を構成する半導体膜であり、「誘電体膜」とは、半導体層の上側に成膜された絶縁膜を意味する。このような絶縁膜は、通常非常に薄い膜厚を有することから第1保持容量及び第2保持容量を構成する誘電体層として機能し得る。尚、主電源線及び副電源線は互いに交差するように設けられるため、これら電源線の間には、これら電源線を互いに絶縁するように層間絶縁膜が介在する。そこで、例えばコンタクトホールに形成されたコンタクト部如き第1導電部を介して主電源線及び第1容量電極を電気的に接続しておくことにより、データ信号に応じた電荷を第2保持容量に保持できる。
以上により、本発明に係る電気光学装置によれば、電源線における電圧降下を低減でき、しかも開口率を高くできる。加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、十分な保持容量を発光素子毎に確保できることから、例えばフリッカ等の不具合を低減でき、表示性能に優れた電気光学装置を提供することが可能である。
本発明に係る電気光学装置の一の態様においては、前記副電源線は、前記走査線と同一層から構成されていてもよい。
この態様によれば、例えば、基板上に走査線及び副電源線を構成する導電膜を一括して形成でき、走査線及び副電源線を別々の工程で形成する場合に比べて簡便な製造プロセスによって電気光学装置を製造することが可能である。
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記第2容量電極は、前記発光素子の発光を制御する薄膜トランジスタを構成する半導体膜と同一層から構成されており、前記誘電体膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一層から構成されていてもよい。
この態様によれば、基板上に発光素子毎に設けられる薄膜トランジスタの素子構造を利用して第2容量電極及び誘電体層を構成でき、別途新たな構造を電気光学装置に設けることなく、第2保持容量を構成できる。
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記第1容量電極は、前記主電源線に沿って延在するように前記誘電体膜上の所定の領域に設けられており、前記第1導電部は、前記主電源線及び前記第1容量電極を電気的に接続するように前記層間絶縁膜を貫通する複数の補助導電部から構成されていてもよい。
この態様によれば、第2保持容量を所要の容量を有する保持容量として構成できることに加え、主電源線の電気抵抗を低減できる。より具体的には、主電源線が複数の補助導電部によって第1容量電極と電気的に接続されていることにより、第1容量電極分だけ主電源線の電気抵抗を低減できる。即ち、第1容量電極によって新たに電源の供給路が付加された分だけ主電源線を介して供給される電源に対する電気抵抗が小さくなり、その分主電源線における電圧降下を低減できる。ここで、補助導電部は、例えば、層間絶縁膜を貫通する複数のコンタクト部であり、これらコンタクト部は主電源線に沿って設けられている。この態様によれば、主電源線における電圧降下を低減でき、電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記主電源線及び前記副電源線のうち互いに同色の光を発光する発光素子に電源を供給する一の主電源線及び一の副電源線が互いに交差する領域で、該一の電源線及び該一の副電源線は前記層間絶縁膜を貫通する第2導電部を介して電気的に接続されていてもよい。
この態様によれば、一の主電源及び一の副電源線からこれら電源線に対応した色に発光する発光素子に電源を供給でき、効果的に発光素子に電源を供給できる。より具体的には、例えば、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)に発光する発光素子が、所謂ストライプ配列で画像表示領域に配置されている場合、赤色の発光素子に電源を供給する主電源線及び赤色の発光素子に電源を供給する副電源線が交差した領域でこれら2本の電源線は電気的に接続され、夫々が赤色の発光素子に電源を供給する。これと同様に、緑色又は青色に発光する発光素子に電源を供給する主電源線及び副電源線も互いに交差する領域で互いに電気的に接続される。即ち、画像表示領域において、互いに異なる色に発光する発光素子に電源を供給する主電源及び副電源線は互いに電気的に接続されないように層間絶縁膜を介して絶縁されている。一方、同色に発光する発光素子に電源を供給する主電源線及び副電源線は、層間絶縁膜を貫通する第2導電部の一例であるコンタクト部を介して互いに電気的に接続される。従って、同一色の電源線について見れば、冗長性が増すことで配線としての信頼性が増大し、しかも冗長構造による低抵抗化を図ることも可能となる。
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記発光素子は、有機EL素子であってもよい。
この態様によれば、有機EL素子の発光特性を十分に発揮させることができ、これにより電気光学装置の表示性能も高めることが可能である。
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。更に、本発明に係る電子機器によれば、プリンタヘッドを備えたプリンタ等の画像形成装置も実現可能である。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置及びこれを備えた電子機器の実施形態を説明する。
先ず、図1を参照しながら本発明に係る「電気光学装置」の実施形態である有機EL装置1の電気的な接続構成を説明する。図1は、有機EL装置1の電気的な接続構成を示すブロック図である。尚、以下では図1中の横方向をX方向、縦方向をY方向する。
図1において、有機EL装置1は、電源系統9、有機ELパネル100、駆動回路120、画像信号処理回路300、タイミングジェネレータ400、及び電源回路500を備えている。
有機ELパネル100は、その素子基板の中央を占める画像表示領域110に、図中縦横に配線されたデータ線114及び走査線112と、データ線114及び走査線112が交差する位置に合わせてマトリクス状に設けられた複数の画素回路70とを備えている。画素回路70の夫々は有機EL素子を備えており、有機EL素子の発光色に応じて3種類の画素回路70R、70G、70Bに分けられる。より具体的には、画素回路70は、駆動時に赤色(R)に発光する有機EL素子を備えた画素回路70R、緑色(G)に発光する有機EL素子を備えた画素回路70G、青色(B)に発光する有機EL素子を備えた画素回路70Bに分けられる。画素回路70は、図中X方向に沿って左側から順に画素回路70R、画素回路70G、画素回路70B、・・・、画素回路70R、画素回路70G、画素回路70Bの順に配置されており、図中Y方向に沿って同一の列に同種の画素回路70が配列されている。即ち、所謂ストライプ配列が、ここでは採用されている。後述するように、画素回路70は、書込み制御TFT81、保持TFT82、電流制御TFT83、及び発光制御TFT84等の薄膜トランジスタを備えており、データ線114及び走査線112は所定の薄膜トランジスタに電気的に接続されている。
有機EL装置1は、データ線114、走査線112、及び電源系統9から供給される各種信号及び電源によってカラー画像を表示できる。尚、本実施形態では、画素回路70R、70G、70Bの夫々が個別の画素部を構成しているが、これら画素回路70R、70G、70Bを一組として一つの画素部を構成することも可能である。本実施形態では、画素回路70の配置の例として格子状の配列を例に挙げているが、本発明に係る電気光学装置は本実施形態に係る画素回路70の配置、即ちストライプ配列に限定されるものではなく、例えば、画素回路70R、70G、及び70Bが、所謂デルタ配列やトライアングル配列に配設されている場合であってもよい。即ち、本発明に係る電気光学装置は、画素回路70に電源を供給する電源線の交差に対応して画素回路が配設されているものであれば如何なる電気光学装置にも適用可能である。
電源回路500は、3色に発光する有機EL素子に対応した3種類の電源を生成し、これら電源を画像表示領域110の周辺に配設された外側電源線11に供給する。外側電源線11は、電源回路500から供給される電源種に応じて3種類の外側電源線11R、11G、11Bから構成されている。
電源系統9は、3種類の外側電源線11R、11G、11Bから構成される外側電源線11、本発明に係る「主電源線」の夫々一例である3種類のY電源線13R、13G、13Bから構成されるY電源線13、本発明に係る「副電源線」の夫々一例である3種類のX電源線12R、12G、12Bから構成されるX電源線12を備えており、赤色、緑色、青色の各色に発光する有機EL素子を備えた画素回路70R、70G、70Bに対してこれら色に応じた電源を供給する。
X電源線12及びY電源線13は、画像表示領域110内で互いに交差するように格子状に配設されている。Y電源線13R、13G、13Bは、図中X方向に沿って順に配設されており、電源回路500に夫々電気的に接続された外側電源線11R、11G、11Bから図中Y方向に沿って延在するように枝分かれした電源線である。より具体的には、Y電源線13R、13G、13Bは、画像表示領域110内に延在されており、電源回路500から各画素回路70に含まれる有機EL素子に駆動電流を供給する電流供給線の一部である。本実施形態では、画素回路70R、70G、70Bが図中X方向に沿って画素回路70R、70G、70Bの順で繰り返し配列されており、Y電源線13R、13G、13Bも画素回路70R、70G、70Bの配列に合わせて図中左側からY電源線13R、13G、13Bの順で配設されている。
Y電源線13R、13G、13Bは、画素回路70R、70G、70Bに電気的に接続されており、各画素回路70R、70G、70Bに応じた電源を供給する。より具体的には、Y電源線13Rは外側電源線11Rを介して供給された赤色に発光する有機EL素子用の電源を画素回路70Rに電源を供給する。同様に、Y電源線13G及びY電源線13Bも、緑色又は青色に発光する有機EL素子用の電源を画素回路70G又は画素回路70Bに供給する。即ち、Y電源線13は、有機EL素子が発光する色に対応した電源を供給する複数種類の電源線から構成される。
X電源線12R、12G、12Bは、外側電源線11R、11G、11BのうちY方向に沿って延在する一部から夫々枝分かれした電源線であり、図中X方向に沿って延在する。X電源線12R、12G、12Bは、Y電源線13R、13G、13Bと同様に画素回路70が備える有機EL素子に駆動電流を供給する電流供給線である。X電源線12Rには、外側電源線11Rから赤色の有機EL素子を発光させるための電源が供給される。同様に、X電源線12G及び12Bの夫々には、外側電源線11G及び11Bから緑色の有機EL素子又は青色の有機EL素子の夫々を発光させるための電源が供給される。即ち、X電源線12は、Y電源線13と同様に有機EL素子が発光する色に応じた電源を供給する複数種類の電源線を含んでいる。
X電源線12R、12G、12Bは、マトリクス状に配置された画素回路70の各行Li(i=1、2、・・・、n;nは自然数)に一本ずつ設けられており、各行の画素回路70のうちX電源線12R、12G及び12Bの夫々に対応する画素回路70に電源を供給する。より具体的には、図中最も上側の行L1に延在されたX電源線12Rは、行L1に含まれる画素回路70Rに電気的に接続されている。同様に、行L1の次の行L2に延在されたX電源線12Gは、行L2に含まれる画素回路70Gに電気的に接続されており、行L2の次の行L3に延在されたX電源線12Bは、行L3に含まれる画素回路70Bに電気的に接続されている。行L3の次の行L4から図中も最も下側に位置する行Lnまでの各行に、X電源線12R、12G、12Bの順で一本ずつX電源線12R、12G、12Bが延在される。よって、画像表示領域110において、X電源線12R、12G、12Bは、これら各電源線に応じた画素回路70R、70G、70Bに電気的に接続されている。
X電源線12及びY電源線13によれば、電源回路500から画素回路70に電源を供給する際に電源系統9に生じる電圧降下を低減することが可能である。電源系統9に含まれる電源線のうち画像表示領域110内に延在されるX電源線12及びY電源線13を画像表示領域110内で格子状に配設することによって、Y電源線13のみから画素回路70に電源を供給する場合、又はX電源線12のみから画素回路70に電源を供給する場合に比べて、X電源線12及びY電源線13の幅を狭くしつつ、電源系統9全体の電気抵抗を低減できる。したがって、画素回路70に電源を供給する際に電源系統9で生じる電圧降下を低減することが可能であり、電源線における電圧降下に起因して生じる画像表示領域110内の輝度ムラを低減できる。例えば、画像表示領域110の端付近に配置された画素回路70Rに供給される電源と、画像表示領域110の中央付近に配置された画素回路70Rに供給される電源との電圧の差を低減でき、同じ輝度で発光すべき有機EL素子が、画像表示領域110内に配置された画素回路70の位置の違いによって異なる輝度で発光することを低減できる。特に、有機EL装置1が大画面を有する場合には、電圧降下のバラツキによる輝度ムラが効果的に低減される。これにより、画像表示領域110内全体で輝度ムラを低減でき、有機EL装置1の画質を高めることが可能である。
X電源線12R、12G、12Bは、各行L1、L2、・・・、Lnに含まれる画素回路70のうち、X電源線12R、12G、12Bの夫々に対応する画素回路70R、70G、70Bにのみ電気的に接続されているため、一の色に発光する有機EL素子を備えた画素回路70に他の色に発光する有機EL素子を備えた画素回路70に供給するべき電源が供給されることがない。より具体的には、X電源線12R及びY電源線13Rは、画素回路70Rにのみ電源を供給する。同様に、画素回路70G及び70Bの夫々に対応した電源が、X電源線12G及び12B、並びにY電源線13G及び13Bから夫々供給される。X電源線12及びY電源線13によれば、電源回路500で生成する電源の電圧又は電流等の諸条件を設定しておくことにより、各種有機EL素子の発光色に応じて異なる電源を供給できる。各有機EL素子の発光効率は発光色毎に異なるため、X電源線12及びY電源線13の夫々に供給される電源を有機EL素子の発光色に応じて異ならせておけば、効率良く各有機EL素子を発光させることが可能である。加えて、各有機EL素子で発生する光が所定の波長からずれることを低減できる。また、各電源線における電圧降下を低減するため、或いは均一にするためにX電源線12及びY電源線13の線幅を電源の最終的な供給先である有機EL素子の発光色に応じて設定してもよい。
駆動回路120は、走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150を備えて構成されている。
走査線駆動回路130は、マトリクス状に配列された画素回路70の行毎に配設された走査線112を介して走査信号を画素回路70の各行に供給する。尚、後述するように、走査線112は、画素回路70に書き込み信号を供給する書込み制御信号線と、発光制御信号を供給する発光制御信号線を含んで構成される。データ線駆動回路150は、データ信号を各データ線114に順次供給する。本実施形態では、駆動回路120は、有機EL装置1の素子基板上に構築されているため、有機ELパネル100は、駆動回路内蔵型のパネルである。駆動回路120は、好ましくは、画像表示領域110に作り込まれる各画素回路70に係る薄膜トランジスタ等の半導体素子と共に、素子基板上における画像表示領域110の周辺に位置する周辺領域に作り込まれる。但し、このような駆動回路120は、少なくとも部分的に外付けICとして構成され、周辺領域に後付けされてもよい。
タイミングジェネレータ400は、有機ELパネル100の各部で使用される各種タイミング信号を出力する。タイミングジェネレータ400の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素回路を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Yクロック信号YCK、反転Yクロック信号YCKB、Xクロック信号XCK、反転Xクロック信号XCKB、Y転送開始パルスDY及びX転送開始パルスDXが生成される。
画像信号処理回路300は、外部から入力画像データD1が入力されると、この入力画像データD1に基づいて画像信号D2を生成する。画像信号D2はデータ線駆動回路150に含まれるラッチ回路等でラッチ又はサンプリングされ、データ信号d1、d2、・・・、dnとしてデータ線114から有機ELパネル100の各画素回路70に供給される。
次に、図2乃至図8を参照しながら、画素回路70の具体的な構成を説明する。尚、本実施形態では、画素回路70におけるX電源線12及びY電源線13の接続形態は、有機EL素子の発光色、X電源線12及びY電源線13から供給される電源種の組み合わせに応じて大きく2つの接続形態に分類される。以下では、この2つの接続形態の夫々を順次示しながら画素回路70の構成を説明する。
先ず、図2乃至図5を参照しながら画素回路70におけるX電源線12及びY電源線13の接続構成の一形態を説明する。図2は、画素回路70Gの具体的な構成を示す平面図である。より具体的には、図1中の領域A内に形成された画素回路70Gの具体的な構成を示す平面図である。図1に示すように領域A内には、2つの画素回路70Gが図中上下方向に並んで形成されている。図3は、図2のIII−III´線断面図であり、図4は、図2のIV−IV´線断面図である。図5は、図2に示す画素回路70Gの回路図である。
図2、図3及び図4において、画素回路70Gは、有機EL素子72G、保持容量10及び20、書込み制御TFT81、保持TFT82、電流制御TFT83、発光制御TFT84を備えている。
図2及び図3において、有機EL素子72Gは、例えば、ガラス基板等の素子基板8上に、不図示の透明電極である陽極と、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機EL層と、陰極とを重ねて構成された多層構造を有している。図3及び図4において、図2において図示を省略したアクリル層26及び背面電極27が形成されている。アクリル層26は、素子基板8上に形成される複数の有機EL素子を互いに仕切る隔壁部である。背面電極27は、各有機EL素子のカソード側と共通に電気的に接続されており、陰極として機能する。背面電極27の上側には、有機EL素子を封止するガラス基板等の対向基板が配置される。
図2、図3及び図4において、保持容量10は、本発明に係る「第1保持容量」の一例であり、本発明に係る「第2容量電極」の一例である半導体層22、本発明に係る「誘電体膜」の一例であるゲート絶縁膜23、及びX電源線12Rの一部から構成されている。
図3及び図4において、半導体層22は、素子基板8上に形成された絶縁膜21上で、例えば、アモルファスシリコン膜を結晶化させることによって得られるポリシリコン層である。半導体層22は、絶縁膜21上に形成されたアモルファスシリコン膜を所定の形状にパターニングした後、このアモルファスシリコン膜を結晶化させることによって得られる。ポリシリコン層はアモルファスシリコン膜に比べてキャリアの移動度が大きいため、半導体層22は保持容量10を構成する容量電極として十分機能する。
図2、図3及び図4において、半導体層22は、素子基板8上の同一平面に形成される書込み制御TFT81、保持TFT82、電流制御TFT83、及び発光制御TFT84のチャネル領域を含む半導体層と同一層として形成されている。より具体的には、絶縁膜21上に形成された半導体層22のうちX電源線12Rに沿って広がる部分が、保持容量10を構成する一方の容量電極として機能する。したがって、保持容量10を構成する容量電極として別途新たな電極を設ける必要がなく、素子基板8上に形成された既存の層構造を利用して保持容量10を構成できる。半導体層22のうち、Y電源線13Gの下層側に延在する一部が保持容量20を構成する一方の容量電極として機能する。
図2、図3及び図4において、ゲート絶縁膜23は、書込み制御TFT81、保持TFT82、発光制御TFT84、電流制御TFT83のゲート絶縁膜と同一層として半導体層22を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜23は、書込み制御TFT81等のゲート絶縁膜を形成する際に同時形成される。ゲート絶縁膜23は極薄い膜厚を有しており、保持容量10及び20の誘電体膜として機能する。
図2において、X電源線12Rは、X方向に沿って画素回路70G内に延在されている。X電源線12Rは、書込み制御TFT81、保持TFT82、発光制御TFT84、電流制御TFT83のゲートと同一層として形成された後、所要の形状にパターニングされている。図3及び図4において、X電源線12Rは、ゲート絶縁膜23上に形成されており、保持容量10を構成する一方の容量電極として機能する。保持容量10は、ゲート絶縁膜23の上側に延在するX電源線12R及びゲート絶縁膜23の下層側に延在する半導体層22を一対の容量電極として含む。
図2、図3及び図4において、保持容量20は、本発明に係る「第2保持容量」の一例であり、半導体層22、ゲート絶縁膜23、及び本発明に係る「第1容量電極」の一例である導電膜29から構成されている。
図2及び図3において、導電膜29は、X電源線12Rと同一層であり、X電源線12Rと同様に、書込み制御TFT81、保持TFT82、電流制御TFT83、及び発光制御TFT84のゲートと同一層として形成された後、所定の形状にパターニングされることによって形成されている。より具体的には、導電膜29は、Y電源線13の下層側でY方向に沿って延在するようにパターニングされ、画素回路70毎に設けられている。尚、Y電源線13Gは、素子基板8上に形成される書込み制御TFT81、保持TFT82、電流制御TFT83、発光制御TFT84等の素子のソース電極と同一層として形成された後、所定の形状にパターニングされることによって形成されている。
図2及び図3において、導電膜29及びY電源線13Gは、本発明に係る「補助導電部」の夫々一例であるコンタクト部31及び32を介して電気的に接続されている。導電膜29の電位はY電源線13の電位と同電位に維持され、後に詳細に説明するように導電膜29及び半導体層22の電位差に応じた電荷が保持容量20に保持される。ゲート絶縁膜23は、導電膜29及び半導体層22の間に介在していることから、保持容量20の誘電体膜として機能する。
このように、画素回路70Gは、保持容量10及び20を備えており、これら2つの保持容量により、データ信号に応じた電荷をこれら保持容量に保持することが可能である。保持容量10及び20が保持する電荷によれば、1垂直走査期間において走査信号が画素回路70Gに供給されていない期間においても、保持容量10及び20に保持された電荷に応じた電圧を電流制御TFT83のゲートに印加することが可能である。Y電源線13Gから有機EL素子72Gに駆動電流が流れる電流経路を構成する電流制御TFT83のオン状態を維持することにより、1垂直走査期間において引き続き有機EL素子を点灯させておくことが可能である。保持容量10及び20によれば、X電源線12及びY電源線13の一方に沿って保持容量を形成する場合より多くの容量を画素回路70G毎に設けることが可能であり、有機EL装置1の表示性能を低下させることなく有機EL装置1をアクティブマトリクス駆動できる。尚、画素回路70R及び70Bも、画素回路70Gと同様に2つの保持容量を備えており、1垂直走査期間においてこれら画素回路70R及びBに含まれる有機EL素子を継続して点灯させることが可能である。
図2及び図3において、コンタクト部31及び32は、本発明に係る「第1導電部」の一例を構成する。コンタクト部31及び32は、コンタクトホール50及び51に充填された導電材料により構成されており、導電膜29及びY電源線13Gを電気的に接続している。コンタクト部31及び32が形成されるコンタクトホール50及び51は、導電膜29及びX電源線12R上に形成された絶縁膜24をY電源線13Gから導電膜29まで貫通している。コンタクト部31及び32は、図中Y方向に沿って導電膜29の両端に電気的に接続されている。コンタクト部31及び32、並びに導電膜29によれば、Y電源線13Gに導電膜29が電気的に接続されている分だけ導電膜29を含めたY電源線13Gの電気抵抗を低減できる。より具体的には、図中Y方向に沿って画素回路70Gに供給される電源に対して、Y電源線13Gの電気抵抗を低減できる。他の画素回路70R及び70Bも同様に導電膜29を有し、Y電源線13R及び13Bがこれら画素回路70R及び70Bに含まれる導電膜29に電気的に接続されている。X電源線12及びY電源線13を画像表示領域110内で格子状に配設することに加えY電源線13の電気抵抗を低減することによって、各画素回路70に電源を供給する際にY電源線13で生じる電圧降下を低減することが可能であり、画像表示領域110における有機EL素子の輝度ムラを低減することが可能である。
図1に示したようにX電源線12及びY電源線13が格子状に配設されていることにより、2つの保持容量10及び20を確保しつつ、画素回路70を含む各画素領域の開口率を高めることが可能である。X電源線12及び半導体層22のみを一対の容量電極として保持容量を構成する場合、或いはY電源線13及び半導体層22のみを一対の容量電極として保持容量を構成する場合には、保持容量を増やすために各容量電極の面積を大きくする必要がある。即ち、X電源線12のY方向に沿った幅寸法を大きくする場合や、Y電源線13のX方向に沿った幅寸法を大きくすることによって、保持容量を増やすことになる。このようにX方向又はY方向の一方に沿ってのみ保持容量を設けた場合、保持容量の増大させるためにX電源線12又はY電源線13の幅寸法が大きくなり、画素回路70を含む画素領域の開口率を低下させてしまう。
そこで、本実施形態のように、X方向及びY方向の夫々に沿って保持容量10及び20を設けることによって、所要の保持容量を確保しつつ、各画素領域における開口率の低下を抑制できる。即ち、X電源線12及びY方向に沿って延在する導電膜29を夫々容量電極として用いることによって、十分な容量を確保しつつX電源線12及びY電源線13の夫々の幅寸法を低減できる。その結果、有機EL素子から出射される光がX電源線12及びY電源線13によって遮られる領域を減少させることができ、画素領域における開口率を高めることが可能である。これにより、有機EL素子に注入される電気エネルギーに対して画素回路70から出射される光の輝度を高めることができ、有機EL装置1は効率良く画像を表示できる。
図3において、導電膜29は、Y方向に沿ってX電源線12Rと離間されており、Y方向においてX電源線12Rと電気的に絶縁されている。Y電源線13Gは、コンタクトホールに導電材料を充填することによって形成されたコンタクト部33を介して電流制御TFT83のソース側に電気的に接続されている。X電源線12Rは、緑色の光を発光する有機EL素子72Gを含む画素回路70Gの各素子に電気的に接続されていない。更に、X電源線12R及びY電源線13Gも互いに電気的に接続されていないため、画素回路70Gに電源を供給する電源線は、Y電源線13Gのみである。緑色に発光する有機EL素子用の電源のみが画素回路70Gに供給されることになり、赤色或いは青色に発光する有機EL素子用の電源は画素回路70Gに供給されることがないため、有機EL素子72Gに緑色の波長の光を発光させるための適切な電流或いは電圧等の電源が供給される。同様に、赤色或いは青色に発光する有機EL素子を含む画素回路70R及び70Bには、夫々赤色に発光する有機EL素子用、或いは青色に発光する有機EL素子用の電源のみが供給される。このように、X電源線12及びY電源線13の交差に応じて配置された画素回路70のうち、互いに異なる色に発光する有機EL素子用の電源を供給するX電源線及びY電源線は互いに電気的に絶縁されており、有機EL素子の発光色に合わせた適切な電源が各画素回路70に供給される。
図2において、走査線112は、書込み制御信号線112A及び発光制御信号線112Bを備えて構成されている。書込み制御信号線112A及び発光制御信号線112BはX方向に沿って延在されている。書込み制御信号線112Aは、書込み制御TFT81及び保持TFT82のゲートと同一層の導電層としてゲート絶縁膜23上に形成されている。書き込み制御信号線112Aの一部が書込み制御TFT81及び保持TFT82のゲートとして機能する。書込み制御TFT81及び保持TFT82は、書込み制御信号線112Aを介して供給される書込み制御信号に応じてオン・オフされる。
発光制御信号線112Bの一部は、発光制御TFT84のゲートとして機能し、発光制御信号線112Bを介して供給される発光制御信号に応じて発光制御TFT84がオン・オフされる。尚、発光制御信号線112Bは、有機EL素子の発光色に応じて個別に設けられていてもよい。例えば、図2では、画素回路70Gに含まれる発光制御TFT84に電気的に接続された発光制御信号線112Bを図示しているが、赤色及び青色の有機EL素子用の発光制御信号線が画素回路70R及び70Bの夫々に個別に接続されていてもよい。発光制御信号線を有機EL素子の発光色に応じて画素回路70に個別に接続することにより、同一行に配設された互いに異なる色に発光する有機EL素子を互いに独立に発光させることが可能である。
図5を参照しながら、画素回路70Gの電気的な接続構成及び動作を説明する。尚、他の画素回路70R及び70Bは、供給される電源の種類及び後述する発光制御信号が異なるのみであり、画素回路70Gと同様の手順で動作する。
図5において、電流制御TFT83のソースは、Y電源線13に電気的に接続されており、他方、ドレインは、発光制御TFT84のソース、書込み制御TFT81のドレイン、及び保持TFT82のソースに夫々電気的に接続されている。書込み制御TFT81のゲート及び保持TFT82のゲートは電気的に共通化されており、走査線112を構成する書込み制御信号線112Aの一部が、書込み制御TFT81のゲート及び保持TFT82のゲートとして機能する。書込み制御TFT81のソースはデータ線114に電気的に接続されている。保持TFT82のドレインは、保持容量10及び20の一端に電気的に接続されている。書込み制御TFT81及び保持TFT82は、書込み制御信号線112Aを介して供給される書込み制御信号が高電位、即ちHレベルとなった際にオン状態になる。
保持TFT82がアクティブになると、保持TFT82のソース及びドレイン間が導通する。この状態において、電流制御TFT83のゲート及びドレイン間が導通状態となり、電流制御TFT83は単なるダイオードとして機能する。
一方、Hレベルの書込み制御信号が供給されるに伴い、保持TFT82とゲート電圧が共通化された書込み制御TFT81もオン状態となる。結局、書込み制御信号がHレベルにある期間では、データ線114を介して供給されるデータ信号に応じて書込み制御TFT81及び保持TFT82に電流が流れ、この電流に応じて電流制御TFT83のゲートに電圧が印加される。ここで、保持容量10及び20の一方の端のうち保持TFT82のドレイン側に電気的に接続された端にゲート信号に応じた電流が流れ込み、保持容量10及び20の夫々の両端における電位差に応じた電荷が、保持容量10及び20に保持される。より具体的には、保持容量10は、X電源線12R及び半導体層22間の電位差に応じた電荷を保持し、保持容量20は、Y電源線13Gと同電位である導電膜29及び半導体層22間の電位差に応じた電荷を保持する。保持容量10及び20に保持された電荷は、電流制御TFT83を介して有機EL素子72Gに供給される駆動電流を規定する電荷である。以下では、保持容量10及び20に電荷が保持される期間を「プログラミングステージ」と称する。
書込み制御信号が低電位(即ち、Lレベル)に制御されると、画素部70Gを含む行のプログラミングステージは終了する。より具体的には、図1に示す行L2におけるプログラミングステージが終了する。即ち、画素回路70Gを含む行L2に対して1フレーム内に行われる書込み制御信号の供給が終了する。プログラミングステージが終了すると、保持TFT82及び書込み制御TFT81は、オフ状態となる。しかしながら、保持容量10及び20に電荷が保持されているので、電流制御TFT83のゲートの電位はプログランミングステージにおける電位に保持される。したがって、保持容量10及び20は、1フレーム内、即ち1垂直走査期間において、電流制御TFT83のゲートに十分な大きさの電圧を印加できる電荷を保持することが可能であり、保持容量が不足することによって生じるフリッカの発生を低減できる。
プログラミングステージが終了した画素回路70Gの発光制御信号線112Bに対し、所定のタイミングでHレベルの発光制御信号が供給される。発光制御信号の供給時には、発光制御TFT84がオン状態になり、電流制御TFT83のソース及びドレイン間に、電流制御TFT83のゲート及びY電源線13Gの間の電位差に基づいた電流が流れる。この電流は、Y電源線13G、電流制御TFT83、発光制御TFT84、有機EL素子72Gを順次通過する経路で流れ、有機EL素子72Gが発光する。有機EL素子72Gの発光は、前段階のプログラミングステージで予めプログラミングされた電流値に基づいて行なわれるため、有機EL素子72Gの発光期間は、「リプロダクションステージ」とも称される。
このように、有機EL装置1は、画像表示領域110における行単位でプログラミングステージが実行されると共に、順次このプログラミングステージを実行する行を切り替えて走査を行なっている。プログラミングステージが終了した行は、所定の遅延時間を隔ててリプロダクションステージに移行する。プログラミングステージ及びリプロダクションステージの切り替えタイミングは、図1に示す走査線駆動回路110によって適切に実行される。例えば、走査線駆動回路110は、任意の行Liについて、プログラミングステージとリプロダクションステージとが同時に実行されないように制御される。
次に、図6及び図8を参照しながら画素回路70に対するX電源線12及びY電源線13の他の接続形態を説明する。図6乃至図8に示す画素回路70Rは、互いに同じ色に発光する有機EL素子を含む画素回路70に電源を供給するX電源線12R及びY電源線13Rが画素回路70Rに電気的に接続されている態様を示している。図6は、画素回路70Rの具体的な構成を示す平面図であり、より具体的には、図1中の領域B内に形成された画素回路70Rの具体的な構成を示す平面図である。図1に示す領域B内には、2つの画素回路70Rが図中上下方向に並んで形成されている。図7は、図6のVII−VII´線断面図である。図8は、図6に示す画素回路70Rの回路図である。尚、画素回路70Rは、有機EL素子が赤色の光を発光する素子であること、並びにX電源線12R及びY電源線13Rが電気的に接続されている点を除けば、上述した画素回路70Gと同様の構成を有している。よって、説明の便宜上、図6乃至図8においては、図1乃至図5と共通する部分について共通の参照符号を付して説明する。
図6及び図7において、X電源線12R及びY電源線13Rは、本発明に係る「第2導電部」の一例であるコンタクト部35を介して電気的に接続されている。コンタクト部35は、X電源線12R及びY電源線13R間に介在する絶縁膜24をX電源線12RからY電源線13Rまで貫通するコンタクトホール52に導電材料を充填することによって形成されている。したがって、図1に示す外側電源線11Rに電気的に接続されたX電源線12R及びY電源線13Rは赤色に発光する有機EL素子用の電源を画素回路70Rに供給する。
図8において、画素回路70Rには、赤色に発光する有機EL素子用の電源がX電源線12R及びY電源線13Rの両方から供給される。X電源線12R及びY電源線13Rは共通の電位を有しているため、保持容量10及び20の一端は共通の電位を有している。したがって、保持容量10及び20は、X電源線12R及びY電源線13Rと、半導体層22との間の電位差に応じた電荷を夫々保持する。同様に、緑色に発光する有機EL素子用の電源を供給するX電源線12G及びY電源線13Gが互いに交差する領域に配設された画素回路70Gは、これら2つの電源線から電源の供給を受ける。また、X電源線12B及びY電源線13Bが交差する領域に配設された画素回路70Bも同様に、これら2つの電源線から電源の供給を受ける。
このように、互いに同色の発光色に対応した電源を供給するX電源線12及びY電源線が交差する領域に合わせて配設された画素回路70には、X電源線12及びY電源線13の両方から電源が供給される。したがって、画像表示領域110に配設された複数の画素回路70は、X電源線及びY電源線が供給する電源の種類の組み合わせに応じて、Y電源線のみから電源の供給を受ける画素回路70と、X電源線12及びY電源線13の両方から電源の供給を受ける画素回路70の2つの種類の画素回路に大別することができる。このような電源線及び画素回路の接続形態によれば、複数色に発光する有機EL素子を備えた画素回路70をマトリクス状に配設し、これら画素回路70に格子状に配設された複数種の電源線から電源を供給する場合であっても、異なる色に対応した電源が同一の画素回路70に供給されることがなく、発光色に応じた適切な電源を各有機EL素子に供給できる。
以上、説明したように本実施形態に係る有機EL装置1によれば、画素回路に電源を供給する電源線全体の電気抵抗を低減することによる輝度ムラの低減、開口率の向上による画像表示領域全体における輝度の向上、及び十分な保持容量を確保することによるフリッカの低減が可能であり、これら複数の問題点が解決された高性能の電気光学装置を提供できる。尚、本実施形態に係る有機EL装置1は、他の電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム型の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することも可能であり、これら画素回路に対しても上述した接続形態を適用することで上述した複数の問題点を一挙に解決できる。
(電子機器)
次に、図9及び図10を参照しながら、上述した有機EL装置1を備えた電子機器の各態様を説明する。
<A:モバイル型コンピュータ>
図9を参照しながらモバイル型のパーソナルコンピュータに上述した有機EL装置の一例である有機EL装置1を適用した例について説明する。図9は、コンピュータ1200の構成を示す斜視図である。
図9において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、図示しない有機EL装置1を用いて構成された表示部1005を有する表示ユニット1206とを備えている。表示部1005は、上述の有機EL装置1を備えているため、画像表示領域における輝度ムラの低減、開口率の向上、及びフリッカの低減が可能となっており、高品位の画像を表示できる。また、表示部1005によれば、フルカラー表示で画像表示を行うことができる。
<B:携帯型電話機>
更に、上述した有機EL装置1を携帯型電話機に適用した例について、図10を参照して説明する。図10は、携帯型電話機1300の構成を示す斜視図である。
図10において、携帯型電話機1300は、複数の操作ボタン1302と共に、本発明の一実施形態である有機EL装置を有する表示部1305を備えるものである。
表示部1305は、上述の表示部1005と同様の構成を有しているため、高品位の画像を表示できることに加え、携帯型電話機として重要な携帯性が損なわれることもない。また、表示部1305が備える複数の有機EL素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部1305はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。
尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機EL装置等の電気光学装置、及び有機EL装置等の電気光学装置を備えて構成される電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
本実施形態に係る有機EL装置の電気的な接続構成を示すブロック図である。 本実施形態に係る画素回路の構成の一態様を示す平面図である。 図2のIII−III´線断面図である。 図2のIV−IV´線断面図である。 本実施形態の画素回路の電気的な接続構成の一態様を示すブロック図である。 本実施形態に係る画素回路の構成の他の態様を示す平面図である。 図6のVII−VII´線断面図である。 本実施形態の画素回路の電気的な接続構成の他の態様を示すブロック図である。 本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。 本実施形態に係る電子機器の他の例を示す斜視図である。
符号の説明
1・・・有機EL装置、12・・・X電源線、13・・・Y電源線、10,20・・・保持容量、22・・・半導体層、29・・・導電膜、72・・・有機EL素子112・・・走査線、114・・・データ線、31,32,35・・・コンタクト部

Claims (7)

  1. 基板上に、
    相互に交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
    該複数のデータ線及び該複数の走査線の交差に対応して夫々配置されており、互いに異なる色の光を発光する複数の発光素子と、
    前記データ線に沿って延在するように設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の主電源線と、
    前記走査線に沿って延在するように層間絶縁膜を介して前記主電源線の下層側に設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の副電源線と、
    該副電源線と同一層を含んでなると共に前記層間絶縁膜を介して前記主電源線の下側に前記発光素子毎に設けられており、前記主電源線が延在する延在方向において前記副電源線と電気的に絶縁され、且つ前記層間絶縁膜を貫通する第1導電部を介して前記主電源線に電気的に接続された第1容量電極と、
    前記発光素子毎に前記主電源線及び前記副電源線の夫々に沿って延在するように、前記副電源線の下層側に誘電体膜を介して設けられており、前記データ線から供給されるデータ信号に応じた電荷を前記副電源線及び前記第1容量電極の夫々との間で保持するための第1保持容量及び第2保持容量を構成する第2容量電極と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記副電源線は、前記走査線と同一層から構成されていること
    を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
  3. 前記第2容量電極は、前記発光素子の発光を制御する薄膜トランジスタを構成する半導体膜と同一層から構成されており、前記誘電体膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一層から構成されていること
    を特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
  4. 前記第1容量電極は、前記主電源線に沿って延在するように前記誘電体膜上の所定の領域に設けられており、
    前記第1導電部は、前記主電源線及び前記第1容量電極を電気的に接続するように前記層間絶縁膜を貫通する複数の補助導電部から構成されていること
    を特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の電気光学装置。
  5. 前記主電源線及び前記副電源線のうち互いに同色の光を発光する発光素子に電源を供給する一の主電源線及び一の副電源線が互いに交差する領域で、該一の電源線及び該一の副電源線は前記層間絶縁膜を貫通する第2導電部を介して電気的に接続されていること
    を特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の電気光学装置。
  6. 前記発光素子は、有機EL素子であること
    を特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の電気光学装置。
  7. 請求項1から6の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
    を特徴とする電子機器。
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