JP2006179928A - Sensor assembly, digital serial bus and protocol, sensor network, and lithography device and system - Google Patents

Sensor assembly, digital serial bus and protocol, sensor network, and lithography device and system Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system and a method that transfer data in a lithography device. <P>SOLUTION: A sensor assembly as an embodiment includes a sensor, an analog-digital converter which is configured to digitize a data signal received from the sensor, and an array of logic elements configured to receive data of 1st data transfer on a serial bus and transfer data of 2nd data transfer including information in the signal digitized on the serial bus. The array of logic elements transfers data of the 2nd data transfer according to information received by the 1st data transfer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はリソグラフィデバイス内でデータを転送するシステムおよび方法に関する。   The present invention relates to a system and method for transferring data within a lithographic device.

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造において使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ICの個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェハ)上の目標部分(例えば1つあるいはそれ以上のダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射線感光材料(レジスト)の層への描像を介する。   A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In such cases, a patterning device, alternatively referred to as a mask or reticle, can be used to generate a circuit pattern corresponding to an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg including part of, one, or more dies) on a substrate (eg a silicon wafer). The transfer of the pattern is usually via imaging onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on the substrate.

一般的に、1枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に1回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向(「走査」方向)にパターンを投影ビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板に刻印することによって、パターニングデバイスからのパターンを基板へと転写することも可能である。   In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively irradiated. A known lithographic apparatus scans a pattern with a projection beam in a predetermined direction ("scanning" direction), a so-called stepper, in which each target portion is irradiated by exposing the entire pattern once to the target portion, and A so-called scanner is also included in which each target portion is irradiated by simultaneously scanning the substrate in parallel or antiparallel to this direction. It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.

リソグラフィ装置は、局所的温度および受け取った光など、装置内の状態を監視するために幾つかのセンサを含んでよい。センサは通常、装置の外側の電子ラックに結合され、ラックは1つまたは複数のバックプレーンに挿入した1つまたは複数のカードを含む。リソグラフィデバイスは通常、アナログ信号路を使用して、センサを電子ラックに結合する。   The lithographic apparatus may include a number of sensors for monitoring conditions within the apparatus, such as local temperature and received light. The sensor is typically coupled to an electronic rack outside the device, the rack including one or more cards inserted into one or more backplanes. Lithographic devices typically use analog signal paths to couple sensors to an electronic rack.

超紫外線(EUV)リソグラフィが発達するにつれ、EUV露光を実行する真空環境に関する問題が生じている。真空中では、ケーブルはガス発生を引き起こし、これが真空の汚染を引き起こし、潜在的に光学要素の汚れにつながる。真空中で電子機器を作動させることに伴う別の問題は、伝導熱の伝達を行う大気がないことであり、これは熱を発生する回路要素の使用を複雑にする。   As extreme ultraviolet (EUV) lithography has developed, problems have arisen regarding the vacuum environment in which EUV exposure is performed. In vacuum, the cable causes gas evolution, which causes vacuum contamination and potentially leads to contamination of the optical elements. Another problem with operating electronics in a vacuum is the absence of an atmosphere that conducts conduction heat, which complicates the use of circuit elements that generate heat.

センサバス内では、実時間作業の信頼性および支援も望ましいことがある。   Within the sensor bus, reliability and support for real-time work may also be desirable.

1つの実施形態によるセンサアセンブリは、センサデータを出力するように構成されたセンサ、センサデータに対応するアナログ信号を受信して、センサデータのディジタル信号を出力するように構成されたアナログディジタル変換器を含む。センサアセンブリはさらに、遠隔プロセッサからディジタルシリアルバス上で第一データ転送を受信し、ディジタルシリアルバス上で第二データ転送を転送するように構成されたローカルプロセッサを含む。ローカルプロセッサは、第一データ転送で受信した情報に基づいて第二データ転送を転送するように構成することができる。   A sensor assembly according to one embodiment includes a sensor configured to output sensor data, an analog-to-digital converter configured to receive an analog signal corresponding to the sensor data and output a digital signal of the sensor data including. The sensor assembly further includes a local processor configured to receive a first data transfer on the digital serial bus from the remote processor and transfer a second data transfer on the digital serial bus. The local processor can be configured to transfer the second data transfer based on the information received in the first data transfer.

別の実施形態により遠隔プロセッサにデータを提供する方法は、遠隔プロセッサからシリアルデータ線上で情報を受信することと、測定サイトで感知した状態に対応するアナログ信号を生成することと、測定サイトに局所的な位置で、アナログ信号に基づいてディジタル信号を獲得することと、測定サイトに局所的な位置で、シリアルデータ線上でディジタル信号に基づくシリアルデータストリームを出力することと、シリアルデータ線上で情報を伝達することを含む。アナログ信号を生成することと、ディジタル信号を獲得することと、シリアルデータストリームを出力することのうち少なくとも1つは、シリアルデータ線上で受信したプリトリガ情報に従って実行される。   According to another embodiment, a method for providing data to a remote processor includes receiving information on a serial data line from a remote processor, generating an analog signal corresponding to a condition sensed at a measurement site, and local to the measurement site. Acquiring a digital signal based on an analog signal at a typical location, outputting a serial data stream based on a digital signal on a serial data line at a location local to the measurement site, and information on the serial data line Including communicating. At least one of generating an analog signal, acquiring a digital signal, and outputting a serial data stream is performed according to pre-trigger information received on the serial data line.

さらなる実施形態によるデータ取得の方法は、シリアルデータバス上で真空区域内のセンサアセンブリにディジタル制御情報を転送することを含み、ディジタル制御情報は、センサユニットのアドレスを含む。方法は、制御情報にしたがって、シリアルデータバス上でシリアルデータストリームを受信することを含み、シリアルデータストリームは、センサアセンブリからのディジタルセンサデータを含む。   A method of data acquisition according to a further embodiment includes transferring digital control information over a serial data bus to a sensor assembly in a vacuum zone, where the digital control information includes an address of the sensor unit. The method includes receiving a serial data stream on a serial data bus according to the control information, the serial data stream including digital sensor data from a sensor assembly.

次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。   Embodiments of the present invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying schematic drawings. Corresponding reference symbols indicate corresponding parts in the drawings.

本発明の実施形態を適用して、リソグラフィ機械の光センサにディジタルバスを提供することができる。   Embodiments of the present invention can be applied to provide a digital bus to an optical sensor of a lithography machine.

図1は、本発明の1つの実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射線ビームB(例えばUV放射線、EUV放射線または他の放射線)を調整するように構成された照明システム(照明装置)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置PMに連結を行った支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、基板(例えばレジスト塗布したウェハ)Wを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、パターニングデバイスMAによって放射線ビームBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折性投影レンズシステム)PSとを含む。   FIG. 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. The apparatus is constructed to support an illumination system (illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (eg UV radiation, EUV radiation or other radiation) and a patterning device (eg mask) MA. And a support structure (for example, a mask table) MT connected to a first positioning apparatus PM configured to accurately position the patterning device according to specific parameters, and a substrate (for example, a resist-coated wafer) W. A substrate table (e.g. wafer table) WT coupled to a second positioning device PW constructed to support and configured to accurately position the substrate according to specific parameters, and radiation by a patterning device MA The pattern imparted to the beam B is changed to a target portion C (eg If, and one or more a projection system configured to project the composed of the die) of (e.g. refractive projection lens system) PS.

照明システムは、放射線の誘導、成形、あるいは制御を行うために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学構成要素、またはその組み合わせなどの様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。   The illumination system includes various types of optical components, such as refraction, reflection, magnetic, electromagnetic, electrostatic, or other types of optical components, or combinations thereof, for directing, shaping, or controlling radiation. be able to.

支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を担持する。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他の締め付け技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書において使用する「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターニングデバイス」なる用途と同義と見なすことができる。   The support structure supports, ie bears the weight of, the patterning device. This holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and other conditions, such as for example whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure can use mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques to hold the patterning device. The support structure may be a frame or a table, for example, which may be fixed or movable as required. The support structure may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device”.

本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するように、放射線ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが移相形体またはいわゆるアシスト形体を含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。   As used herein, the term “patterning device” should be broadly interpreted as referring to a device that can be used to provide a pattern in a cross section of a radiation beam so as to produce a pattern in a target portion of a substrate. It is. It should be noted that the pattern imparted to the radiation beam may not exactly correspond to the desired pattern at the target portion of the substrate, for example if the pattern includes phase shifting features or so-called assist features. In general, the pattern imparted to the radiation beam corresponds to a special functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.

パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射線ビームにパターンを与える。   The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography and include not only various hybrid mask types but also mask types such as binary masks, Levenson masks, attenuated phase shift masks. One example of a programmable mirror array uses a matrix array of small mirrors. Each of the mirrors can be individually tilted to reflect an incident radiation beam in a different direction. The tilted mirror imparts a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.

本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。   As used herein, the term “projection system” refers to, for example, refractive optics used, catadioptric systems, catadioptric systems, as appropriate to other factors such as the exposure radiation used, or the use of immersion fluids or the use of vacuum. It should be construed broadly to cover various types of projection systems, including optical systems, magneto-optical systems, electromagnetic optical systems, and electrostatic optical systems. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.

ここで示しているように、本装置は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えばプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射性マスクを使用する)。   As shown here, the apparatus is of a transmissive type (eg using a transmissive mask). Alternatively, the device may be of a reflective type (eg using a programmable mirror array or using a reflective mask).

リソグラフィ装置は2つ(デュアルステージ)あるいはそれ以上の基板テーブル(および/または2つもしくはそれ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、1つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が1つ以上のテーブルにて実行される。   The lithographic apparatus is of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such “multi-stage” machines, additional tables are used in parallel. Alternatively, the preliminary process is performed on one or more tables while one or more other tables are used for exposure.

リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するよう、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるために周知である。本明細書で使用する「浸漬」なる用語は、基板などの構造を液体に浸さなければいけないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体を配置するというだけの意味である。   The lithographic apparatus may be of a type wherein at least a portion of the substrate is covered with a liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill a space between the projection system and the substrate. An immersion liquid may be applied to other spaces in the lithographic apparatus, for example, between the mask and the projection system. Immersion techniques are well known for increasing the numerical aperture of projection systems. As used herein, the term “immersion” does not mean that a structure, such as a substrate, must be immersed in liquid, but merely means that liquid is placed between the projection system and the substrate during exposure.

図1を参照すると、照明装置ILは放射線ソースSOから放射線ビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがエキシマレーザである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび/またはビーム拡大器などを含むビーム送出システムBDの助けにより、ソースSOから照明装置ILへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。ソースSOおよび照明装置ILは、必要に応じてビーム送出システムBDとともに放射線システムと呼ぶことができる。   Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. The source and the lithographic apparatus may be separate entities, for example when the source is an excimer laser. In such a case, the source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is emitted from the source SO to the illuminator with the aid of a beam delivery system BD including, for example, a suitable collector mirror and / or beam expander. Passed to IL. In other cases, for example when the source is a mercury lamp, the source may be an integral part of the device. The source SO and the illuminator IL can be referred to as a radiation system together with the beam delivery system BD as required.

照明装置ILは、放射線ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置ADを含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および/あるいは内部放射範囲(一般的にそれぞれ、σ−outerおよびσ−innerと呼ばれる)を調節することができる。また、照明装置ILは、積分器INおよびコンデンサCOのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射線ビームの調整に使用することができる。   The illuminator IL may include an adjuster AD configured to adjust the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, the external and / or internal radiation range (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution at the pupil plane of the illuminator can be adjusted. The illumination device IL also includes various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. The illuminator can be used to adjust the radiation beam so that it has the desired uniformity and intensity distribution across its cross section.

放射線ビームBは、支持構造(例えばマスクテーブルMT)上に保持されているパターニングデバイス(例えばマスクMA)に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射線ビームBはマスクMAを通り抜けて、基板Wの目標部分C上にビームを集束する投影システムPSを通過する。第二位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ)の助けにより、基板テーブルWTは、例えば放射線ビームBの経路における異なる目標部分Cに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置PMおよび別の位置センサ(図1には明示的に図示せず)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射線ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。   The radiation beam B is incident on the patterning device (eg, mask MA), which is held on the support structure (eg, mask table MT), and is patterned by the patterning device. The radiation beam B passes through the mask MA and passes through a projection system PS that focuses the beam onto a target portion C of the substrate W. With the help of the second positioning device PW and the position sensor IF (for example an interferometer device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT can be accurately aligned, for example to align with different target portions C in the path of the radiation beam B Can exercise. Similarly, using the first positioning device PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1), for example after mechanical retrieval from a mask library or during a scanning movement, the radiation beam The mask MA can be accurately positioned with respect to the path B.

一般的に、マスクテーブルMTの運動は、第一位置決め装置PMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)にて行われる。同様に、基板テーブルWTの運動は、第二位置決め装置PWの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、マスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクMAおよび基板Wは、マスクアラインメントマークM1、M2および基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用の目標位置を占有するが、目標部分の間の空間に配置してもよい(スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる)。同様に、マスクMAに複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。   In general, the movement of the mask table MT is performed by a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine positioning) that form part of the first positioning device PM. Similarly, movement of the substrate table WT can be realized using a long stroke module and a short stroke module forming part of the second positioning device PW. In the case of a stepper (as opposed to a scanner) the mask table MT is only connected to a short stroke actuator or is fixed. Mask MA and substrate W may be aligned using mask alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. The substrate alignment mark as shown occupies a dedicated target position, but may be arranged in a space between target portions (referred to as a scribe lane alignment mark). Similarly, in situations where a plurality of dies are provided on the mask MA, mask alignment marks may be placed between the dies.

ここに表した装置は以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
The device represented here can be used in at least one of the following modes:
1. In the step mode, the mask table MT and the substrate table WT are basically kept stationary. Then, the entire pattern given to the radiation beam is projected onto the target portion C at one time (that is, one static exposure). The substrate table WT can then be shifted in the X and / or Y direction and a different target portion C can be irradiated. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C imaged in a single static exposure.
2. In the scanning mode, the mask table MT and the substrate table WT are scanned synchronously, while the pattern given to the radiation beam is projected onto the target portion C (that is, one dynamic exposure). The speed and direction of the substrate table WT relative to the mask table MT is determined by the enlargement (reduction) and image reversal characteristics of the projection system PL. In scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width of the target portion (in the non-scan direction) with a single dynamic exposure, and the length of the scanning operation determines the height of the target portion (in the scan direction). To do.
3. In another mode, whether the substrate table WT operates while the mask table MT is essentially kept stationary to hold the programmable patterning device and project the pattern imparted to the radiation beam onto the target portion C. Scanned. In this mode, a pulsed radiation source is typically used to update the programmable patterning device as needed each time the substrate table WT is operated or between successive radiation pulses during a scan. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.

上述した使用モードの組合せおよび/または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。   Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be employed.

本発明の1つの実施形態では、リソグラフィ装置は、他の状態の中で局所的温度および受け取った光などの状態を監視するために、幾つかのセンサを含んでよい。一例では、エネルギセンサを使用して、照明ビームのエネルギを示す。このようなセンサは、ビーム路にてミラーの背後(例えば放射線ソースとレチクルの間の位置)に位置決めした発光ダイオードで実現することができる。ミラーは、アルミで作成可能で、プリズムの反射表面でもよく、通常はセンサへのビームエネルギの小さい部分(例えば1パーセント)しか伝達しないように設計される。レンズおよびフィルタを、ミラーとエネルギセンサの間の路に配置してもよい。1つの実施例では、ペルティエ要素および温度センサを使用して、エネルギセンサの温度を一定に維持することができる。   In one embodiment of the invention, the lithographic apparatus may include a number of sensors to monitor conditions such as local temperature and received light among other conditions. In one example, an energy sensor is used to indicate the energy of the illumination beam. Such a sensor can be realized with a light emitting diode positioned behind the mirror in the beam path (eg, between the radiation source and the reticle). The mirror can be made of aluminum and can be the reflective surface of a prism, and is usually designed to transmit only a small portion (eg, 1 percent) of beam energy to the sensor. A lens and filter may be placed in the path between the mirror and the energy sensor. In one embodiment, Peltier elements and temperature sensors can be used to keep the temperature of the energy sensor constant.

スポットセンサを使用して、ウェハステージのレベルで照明場の光強度を測定することができる。スポットセンサ(発光ダイオードを使用して実現してもよい)によって獲得される測定値は、線量制御に使用することができる。   A spot sensor can be used to measure the light intensity of the illumination field at the wafer stage level. Measurements acquired by spot sensors (which may be realized using light emitting diodes) can be used for dose control.

クワッドセルを使用して、レチクル、光源および/またはウェハの位置合わせを測定することができる。レチクルを事前に位置合わせするために、1つまたは複数のクワッドセルをレチクルテーブルに装着し、(例えばLEDで)照明して、テーブルに対するレチクルの位置合わせを決定する。レチクルとウェハの相対的位置合わせでは、レチクルとウェハの少なくとも一方を他方に対して移動させながら、ウェハマークの像をレチクルマーク上に投影し、その結果、レチクルマークから出た光がクワッドセルによって感知される。   A quad cell can be used to measure reticle, light source and / or wafer alignment. To pre-align the reticle, one or more quad cells are mounted on the reticle table and illuminated (eg, with LEDs) to determine the alignment of the reticle relative to the table. In the relative alignment of the reticle and wafer, an image of the wafer mark is projected onto the reticle mark while moving at least one of the reticle and wafer relative to the other, and as a result, the light emitted from the reticle mark is projected by the quad cell. Perceived.

1つの実施例では、クワッドセルは4つの感光性要素(例えば光ダイオードまたは光電セル)を含む。通常、各要素に1つの電極が普通である。クワッドセルの各象限が、それに当たる照明の強度に比例する電流を生成する。相互コンダクタンス増幅器を使用して、電流を伝達に変換し、フィルタを使用して、信号から(例えば機械的共鳴からの)ノイズを除去することができる。   In one embodiment, the quad cell includes four photosensitive elements (eg, photodiodes or photoelectric cells). Usually, one electrode is common to each element. Each quadrant of the quad cell generates a current that is proportional to the intensity of the illumination hitting it. A transconductance amplifier can be used to convert the current into a transfer and a filter can be used to remove noise (eg, from mechanical resonance) from the signal.

図2は、センサネットワーク100のアナログアーキテクチャの例を示す。この例では、ネットワークは、感光性センサ、感温性センサ、感圧性センサ、磁気感受性センサ、電荷感受性素子および/または他のセンサのような1つまたは複数のセンサ120を含む。これらのセンサは、能動性または受動性でよく、1つまたは複数の半導体素子を含む。1つの実施例では、ネットワーク100は、感光性半導体PN接合部(例えば光ダイオードまたはフォトトランジスタ)を有するセンサ120を含んでよい。   FIG. 2 shows an example of the analog architecture of the sensor network 100. In this example, the network includes one or more sensors 120, such as photosensitive sensors, temperature sensitive sensors, pressure sensitive sensors, magnetic sensitive sensors, charge sensitive elements and / or other sensors. These sensors may be active or passive and include one or more semiconductor elements. In one example, the network 100 may include a sensor 120 having a photosensitive semiconductor PN junction (eg, a photodiode or phototransistor).

各センサ120は、1つまたは複数の増幅器、フィルタ、インピーダンス整合要素、バイス電源、または他の構成要素のような対応するアナログ回路130に結合することができる。センサ120または回路130が出力する信号は、対応するアナログ信号線140上で信号処理ユニット150へと搬送することができる。各アナログ信号線140は長い線として実現することができる。信号処理ユニット150は、電子機器ラック内に装着するか、センサから離れて配置されたこのようなラック内に装着した比較的大きいシステムに含めてもよい。信号処理ユニット150は、1つまたは複数のアナログディジタル変換器(ADC)160を含み、それぞれが対応するアナログ入力線140上で信号を受信する。   Each sensor 120 may be coupled to a corresponding analog circuit 130, such as one or more amplifiers, filters, impedance matching elements, vice power supplies, or other components. A signal output from the sensor 120 or the circuit 130 can be conveyed to the signal processing unit 150 on the corresponding analog signal line 140. Each analog signal line 140 can be realized as a long line. The signal processing unit 150 may be mounted in an electronics rack or included in a relatively large system mounted in such a rack that is located away from the sensors. The signal processing unit 150 includes one or more analog-to-digital converters (ADC) 160, each receiving a signal on a corresponding analog input line 140.

センサ120または回路130から受信し、ADC160でディジタル信号に変換されたアナログ信号は、次にプロセッサ170で処理、記憶かつ/または(例えば別のプロセッサへ)転送することができる。プロセッサ170は、1つまたは複数のマイクロプロセッサ、DSPユニット、FPGAまたは同様のプログラマブルデバイス、または他のアレイ状の論理要素として実現することができる。1つの用途では、プロセッサ170を組み込み型マイクロコントローラとして実現することができる。信号処理ユニット150は、例えばアナログ信号の多重化を制御する制御信号をアナログ信号線140へと出力することもできる。   The analog signal received from sensor 120 or circuit 130 and converted to a digital signal by ADC 160 can then be processed, stored and / or transferred (eg, to another processor) by processor 170. The processor 170 may be implemented as one or more microprocessors, DSP units, FPGAs or similar programmable devices, or other arrayed logic elements. In one application, the processor 170 can be implemented as an embedded microcontroller. The signal processing unit 150 can output, for example, a control signal for controlling multiplexing of analog signals to the analog signal line 140.

アナログアーキテクチャを有するセンサネットワークは、信号処理ユニット150が受信した状態の測定値の信号対雑音比(SNR)およびダイナミックレンジに関して制限することができる。このようなネットワークは、特定の環境で他の欠点も有する。例えば高真空用途では、他の問題の中でも、アナログ信号線140からのケーブル絶縁のガス放出のせいで、センサ信号線の真空中の全長を最短にすることが望ましい。したがって、標準的なアナログ信号線140の長さでは、高真空環境で好都合に使用することができない。1つの例示的環境は、EUVリソグラフィの機械の露光区域であり、ここでセンサを展開して、特に温度、線量、強度のようなパラメータを測定することができ、測定値は通常、真空区域の外側の処理ユニットに転送される。   A sensor network having an analog architecture can be limited in terms of signal-to-noise ratio (SNR) and dynamic range of measurements as received by the signal processing unit 150. Such networks also have other drawbacks in certain environments. For example, in high vacuum applications, among other problems, it is desirable to minimize the overall length of the sensor signal line in vacuum due to cable insulation outgassing from the analog signal line 140. Therefore, the length of the standard analog signal line 140 cannot be used conveniently in a high vacuum environment. One exemplary environment is an exposure area of a machine in EUV lithography, where sensors can be deployed to measure parameters such as temperature, dose, intensity, etc. Transferred to the outer processing unit.

図3は、本発明の実施形態によるセンサネットワーク200のディジタルアーキテクチャの例を示す。各センサアセンブリ210は、感光性センサ、感温性センサ、感圧性センサ、磁気感受性センサ、電荷感受性素子および/または他のセンサのような少なくとも1つのセンサ220を含んでよい。センサは能動性または受動性でよく、1つまたは複数の半導体素子を含む。センサ220は、アナログネットワーク110で使用するセンサ120と同じであるか、例えばセンサアセンブリ210の他の要素の特定の実施例に適合するために異なってもよい。センサは、圧力、加速度、オブジェクトの存在、および他の測定値を測定するように構成することができる。   FIG. 3 illustrates an example digital architecture of a sensor network 200 according to an embodiment of the present invention. Each sensor assembly 210 may include at least one sensor 220, such as a photosensitive sensor, a temperature sensitive sensor, a pressure sensitive sensor, a magnetic sensitive sensor, a charge sensitive element, and / or other sensors. The sensor may be active or passive and includes one or more semiconductor elements. The sensor 220 may be the same as the sensor 120 used in the analog network 110, or may be different, for example, to accommodate particular embodiments of other elements of the sensor assembly 210. The sensor can be configured to measure pressure, acceleration, object presence, and other measurements.

1つの実施例では、ネットワーク200は、光ダイオードまたはフォトトランジスタを含む感光性半導体PN接合部を有する1つまたは複数のセンサ220を含んでよい。図3は、2つのセンサアセンブリ210を示すが、ネットワーク200はこのようなアセンブリを任意の数だけ含んでよく、アセンブリが場合によっては異なるタイプのセンサ220を含む。センサアセンブリ210をディジタルシリアルバス240に結合してもよい。代替実施形態では、センサアセンブリ210を複数のディジタルシリアルバスに結合することができる。   In one embodiment, the network 200 may include one or more sensors 220 having a photosensitive semiconductor PN junction that includes a photodiode or phototransistor. Although FIG. 3 shows two sensor assemblies 210, the network 200 may include any number of such assemblies, and the assemblies may include different types of sensors 220 in some cases. Sensor assembly 210 may be coupled to digital serial bus 240. In an alternative embodiment, sensor assembly 210 can be coupled to multiple digital serial buses.

各センサアセンブリ210は、1つまたは複数の増幅器、フィルタ、インピーダンス整合要素、バイス電源、または他の構成要素のようなアナログ回路230も含むことができる。本発明の1つの実施形態では、アナログ回路230は、アナログネットワーク100で使用する回路130と同じでよい。本発明の代替実施形態では、アナログ回路230は、他の状態の中でも雑音の感受性、干渉および/または温度、および/または他の制約の中でも汚染の危険性などの環境の特定の制約など、センサアセンブリ210の他の要素の特定の実施例に適合するために、回路130と異なってよい。   Each sensor assembly 210 may also include an analog circuit 230 such as one or more amplifiers, filters, impedance matching elements, vice power supplies, or other components. In one embodiment of the invention, the analog circuit 230 may be the same as the circuit 130 used in the analog network 100. In an alternative embodiment of the present invention, the analog circuit 230 may include sensors such as noise susceptibility, interference and / or temperature, among other conditions, and / or environmental specific constraints such as the risk of contamination, among other constraints. It may be different from circuit 130 to suit a particular embodiment of other elements of assembly 210.

各センサアセンブリ210は、対応するアナログ回路230からのアナログ信号をディジタル信号に変換するADC260、およびADC260からディジタル信号を受信するローカルプロセッサ270も含んでよい。ローカルプロセッサ270は、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、DSPユニット、EPGAまたは他のプログラマブルデバイス、または別のアレイ状の論理要素として実現してよい。ローカルプロセッサ270は、他のメモリの中でもSRAM、DRAM、FLASHのような半導体メモリとして実現することができ、場合によってはローカルプロセッサ270と同じチップに実装することができる記憶装置も含んでよい。このような記憶装置を使用して、測定データ、構成データおよび/または例えばディジタルシリアルバス240上で受信したパケットなどに基づく他の作業パラメータなどの情報を記憶することができる。   Each sensor assembly 210 may also include an ADC 260 that converts the analog signal from the corresponding analog circuit 230 into a digital signal, and a local processor 270 that receives the digital signal from the ADC 260. The local processor 270 may be implemented as a microprocessor, microcontroller, DSP unit, EPGA or other programmable device, or another array of logic elements. The local processor 270 can be realized as a semiconductor memory such as SRAM, DRAM, or FLASH among other memories, and may include a storage device that can be mounted on the same chip as the local processor 270 in some cases. Such a storage device can be used to store information such as measurement data, configuration data and / or other working parameters based on, for example, packets received on the digital serial bus 240.

本発明の1つの実施形態では、変換器280は直列形態でローカルプロセッサからディジタル信号を受信し、信号を直列形態に変換して、ディジタルシリアルバス240上で信号を転送する直列並列変換器でよい。本発明の別の実施形態では、信号は、基準電位に対して時間とともに変化する電位を有する電気信号でよい。代替実施形態では、無線媒体、光学的媒体、光ファイバ媒体または他の通信媒体を通してディジタル信号を転送するように、直列並列変換器を構成することができる。   In one embodiment of the present invention, converter 280 may be a serial-to-parallel converter that receives a digital signal from a local processor in serial form, converts the signal to serial form, and transfers the signal over digital serial bus 240. . In another embodiment of the invention, the signal may be an electrical signal having a potential that varies with time relative to a reference potential. In alternative embodiments, the serial-to-parallel converter can be configured to transfer digital signals over a wireless, optical, fiber optic or other communication medium.

本発明の1つの実施形態では、直列並列変換器280は、ディジタル信号バス240から信号(例えばパケット)を受信し、信号を並列形態に変換して、ローカルプロセッサ270へと信号を転送することができる。さらに別の実施形態では、1つまたは複数のバッファおよび/または当技術分野で知られているような他の要素を含む汎用非同期受信送信機(UART)を使用して、直列並列変換器280を実装することができる。センサアセンブリ210の幾つかの実施例では、ローカルプロセッサ270および変換器280を、論理要素の同じアレイに統合することができる。センサアセンブリ210内で、ADC260、ローカルプロセッサ270および変換器280のうち1つまたは複数を、同じチップ上または同じチップパッケージ内に実装することができる。他の構成を使用してもよい。   In one embodiment of the invention, serial to parallel converter 280 may receive a signal (eg, a packet) from digital signal bus 240, convert the signal to parallel form, and transfer the signal to local processor 270. it can. In yet another embodiment, a serial to parallel converter 280 is configured using a universal asynchronous receiver transmitter (UART) that includes one or more buffers and / or other elements as is known in the art. Can be implemented. In some embodiments of sensor assembly 210, local processor 270 and transducer 280 can be integrated into the same array of logic elements. Within sensor assembly 210, one or more of ADC 260, local processor 270, and transducer 280 may be implemented on the same chip or in the same chip package. Other configurations may be used.

図4は、ディジタルシリアルバス240に接続することができる信号処理ユニット250を示す。信号処理ユニット250は、センサアセンブリ210を制御して、センサアセンブリ210が測定したデータを処理することができる。プロセッサ275は、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、DSPユニット、FPGAまたは他のプログラマブルデバイス、または別のアレイ状の論理要素として実装することができる。プロセッサ275は、半導体RAMまたは他のメモリなどのメモリ、ハードディスクまたは他の記憶デバイスのような記憶デバイス、または有線、無線、光および/または他のネットワークなどのネットワーク上の他のデバイスと通信することができる。センサアセンブリ210との通信以外に、プロセッサ275は、データの処理および/または他のシステムの制御のような他の作業を実行するか、ディジタルシリアルバス240上で他のデバイスと通信する、またはその両方を実行することができる。   FIG. 4 shows a signal processing unit 250 that can be connected to the digital serial bus 240. The signal processing unit 250 can control the sensor assembly 210 to process data measured by the sensor assembly 210. The processor 275 can be implemented as a microprocessor, microcontroller, DSP unit, FPGA or other programmable device, or another array of logic elements. The processor 275 communicates with memory such as semiconductor RAM or other memory, storage devices such as hard disks or other storage devices, or other devices on a network such as wired, wireless, optical and / or other networks. Can do. In addition to communicating with sensor assembly 210, processor 275 performs other tasks such as processing data and / or controlling other systems, communicates with other devices on digital serial bus 240, or the like. Both can be performed.

信号処理ユニット250の要素は、ラック内に一緒に装着することができるが、これらの要素が、同じ筐体内または同じカード上にある必要はない。本発明の1つの実施形態では、信号処理ユニット250を、感知される環境から離れて配置されるセンサのうち少なくとも幾つかから、ある距離をおいて位置決めすることができる。例えば真空環境では、ユニット250を真空区域の外側に配置することが望ましい。本発明の別の実施形態では、ネットワーク200は、周囲温度、または感知される環境に対する他の制御状態を監視するために、信号処理ユニット250に局所的なセンサまたはセンサアセンブリを含むことができる。   The elements of the signal processing unit 250 can be mounted together in a rack, but these elements need not be in the same enclosure or on the same card. In one embodiment of the present invention, the signal processing unit 250 can be positioned at a distance from at least some of the sensors that are located away from the sensed environment. For example, in a vacuum environment, it may be desirable to place unit 250 outside the vacuum zone. In another embodiment of the present invention, the network 200 can include sensors or sensor assemblies local to the signal processing unit 250 to monitor ambient temperature or other control conditions for the environment being sensed.

ADCおよびディジタル処理論理などのインテリジェントADCを各センサに配置することによって、信号は、測定位置に可能な限り近くでディジタル化してよい。代替実施形態では、2つ以上のADCを各センサに配置してよい。このような変換の近接性によって、より高いダイナミックレンジおよびSNRが可能になる。ディジタルインタフェースの設計にとって、マルチドロップケーブルまたは他の結合デバイスを通して柔軟な数のセンサアセンブリ210を1つのバス240に結合できるようにすることが望ましい。   By placing an intelligent ADC, such as an ADC and digital processing logic, in each sensor, the signal may be digitized as close as possible to the measurement location. In alternative embodiments, more than one ADC may be placed on each sensor. Such proximity of transforms allows for higher dynamic range and SNR. For digital interface designs, it is desirable to allow a flexible number of sensor assemblies 210 to be coupled to a single bus 240 through multidrop cables or other coupling devices.

例示的実施形態では、処理を強化するために、2つ以上のADCを並列に作動するように構成することができる。例えば、センサ220は、リソグラフィ装置が光パルスを生成する直前に第一測定(例えば暗さ測定)を実行し、リソグラフィ装置が光パルスを生成した直後に第二測定を実行することができる。ADC260は、第二測定値から第一測定値を引くように構成してよい。第一測定と第二測定との間で経過する時間の量が、1つのADC260の変換時間より短い場合は、測定の欠損を回避するために代替的方法で2つ以上のADC260を使用することができる。   In an exemplary embodiment, two or more ADCs can be configured to operate in parallel to enhance processing. For example, the sensor 220 can perform a first measurement (eg, a darkness measurement) immediately before the lithographic apparatus generates a light pulse, and can perform a second measurement immediately after the lithographic apparatus generates a light pulse. The ADC 260 may be configured to subtract the first measurement value from the second measurement value. If the amount of time that elapses between the first measurement and the second measurement is less than the conversion time of one ADC 260, use two or more ADCs 260 in an alternative way to avoid measurement loss Can do.

伝導熱の伝達する空気がないなど、真空の制約のせいで、センサアセンブリ210およびローカルプロセッサ270などのその部品の真空区域における許容可能な電力損を制限することができる。低電力作動は、他の状況でも利点を有する。例えば寸法の変動を回避すべき用途では、局所的加熱を最小限に抑えることが望ましい。したがって、センサアセンブリ210の低電力作動は、例えばリソグラフィ装置のウェハステージのスポットセンサまたは他の位置などで局所的加熱を最小限に抑えるために、大気圧でもリソグラフィにて有利である。   Due to vacuum constraints, such as no air carrying conducted heat, allowable power losses in the vacuum area of the components such as sensor assembly 210 and local processor 270 can be limited. Low power operation has advantages in other situations. For example, in applications where dimensional variations should be avoided, it is desirable to minimize local heating. Thus, low power operation of the sensor assembly 210 is advantageous in lithography even at atmospheric pressure to minimize local heating, such as at a spot sensor or other location on the wafer stage of the lithographic apparatus.

電力損に制限を設けると、最大許容ボーレートも制限することがある。ボーレートが高くなると、通常は切り換え周波数が増加して、電力損が増加するからである。ボーレートの減少は、ディジタルシリアルバス240を介して2つの隣接する感知事象(例えば回路設計などのパターンを感光性基板に露光するために使用するレーザパルス)間で伝送されるセンサ値の数を制限することができる。この実施例では、特殊な低電留奥電子機器を使用して、ボーレートを最大2.4Mbit/秒まで支援することができる。代替実施形態では、これより高い、または低いボーレートを使用することができる。   Setting a limit on power loss may also limit the maximum allowable baud rate. This is because as the baud rate increases, the switching frequency usually increases and the power loss increases. The reduction in baud rate limits the number of sensor values transmitted between two adjacent sensing events (e.g., laser pulses used to expose patterns such as circuit designs on the photosensitive substrate) via the digital serial bus 240. can do. In this embodiment, a special low-electricity electronic device can be used to support a baud rate of up to 2.4 Mbit / sec. In alternative embodiments, higher or lower baud rates can be used.

本発明の1つの実施形態では、タイムスロットを使用してボーレートを最大にすることができる。タイムスロットは、選択したセンサアセンブリ210からデータを受信することが予想される期間に基づいて画定することができる。1つの実施形態では、タイムスロットは、サイクルに基づいて画定し、サイクル内の時間の経過を含むことができる。例示的実施形態では、タイムスロットは、スレーブデバイス504がトリガおよび/または測定のような動作を実行することができるサイクル、スレーブデバイス504が応答できるサイクル、サイクル中にスレーブデバイス504が応答できる遅延、および他のタイミング情報によって画定することができる。タイムスロットの実施例については、図9に関してさらに詳細に説明する。   In one embodiment of the invention, time slots can be used to maximize baud rate. The time slot can be defined based on the time period expected to receive data from the selected sensor assembly 210. In one embodiment, a time slot may be defined based on a cycle and may include the passage of time within the cycle. In the exemplary embodiment, the time slot is a cycle in which the slave device 504 can perform operations such as triggering and / or measurement, a cycle in which the slave device 504 can respond, a delay in which the slave device 504 can respond during the cycle, And other timing information. Examples of time slots are described in more detail with respect to FIG.

本発明のさらなる実施形態では、センサアセンブリ210に、いつ測定を実行するか、プロセッサ275、または他の受信デバイスにいつ測定値を提供するかに関する事前通知を提供することができる。このようなデータ転送の事前スケジューリングは、ネットワーク200の実時間操作を容易にし、アクセス折衝および/またはデータ衝突から生じるようなオーバヘッドを減少させることができる。   In further embodiments of the present invention, the sensor assembly 210 may be provided with prior notification as to when to perform measurements and when to provide measurements to the processor 275 or other receiving device. Such pre-scheduling of data transfer can facilitate real-time operation of the network 200 and reduce overhead such as may result from access negotiations and / or data collisions.

アナログネットワーク100と比較してディジタルネットワーク200を実装することの潜在的利点は、特に、ダイナミックレンジおよび/または信号対雑音比の測定改善、真空環境において対応するガス放出レベルの削減が可能なケーブル全長の削減、および構成要素の休止状態を可能にすることによる電力消費量の削減を含む。ディジタル構成は、アナログの解決法と比較して融通性も向上させることができる。例えば、測定範囲、複数のローカルセンサからの選択および/または測定のタイミングなどのセンサ構成のようなセンサアセンブリ210の作動パラメータは、ソフトウェアを使用して変更することができる。また、幾つかの実施例では、感知したデータをセンサアセンブリ210内で処理し、それによってバス240上で伝達すべきデータの量を潜在的に減少させることができる。センサアセンブリ内でデータを処理することの追加的利点は、複数の測定値を統合できることである。本発明は他の利点も提供する。   The potential advantages of implementing the digital network 200 compared to the analog network 100 are, among other things, the overall cable length that allows for improved dynamic range and / or signal-to-noise ratio measurements and corresponding gas emission level reduction in a vacuum environment. And reducing power consumption by enabling component hibernation. Digital configurations can also improve flexibility compared to analog solutions. For example, operational parameters of sensor assembly 210, such as sensor configuration, such as measurement range, selection from multiple local sensors and / or timing of measurements, can be changed using software. Also, in some embodiments, sensed data can be processed within sensor assembly 210, thereby potentially reducing the amount of data to be transmitted on bus 240. An additional advantage of processing data within the sensor assembly is that multiple measurements can be integrated. The present invention also provides other advantages.

本発明の1つの実施形態では、センサアセンブリ210はスレーブデバイスに対応することができ、それに関連する遠隔処理ユニット250はマスタデバイスに対応することができる。本発明の代替実施形態では、複数のマスタデバイスが複数のスレーブデバイスを伴うことができ、1つまたは複数のマスタデバイスが複数のスレーブデバイスと能動的に通信することができる。1つの「能動的」マスタを可能にする構成では、「能動的」マスタを複数のマスタデバイスの中から動的に割り当てることができる。   In one embodiment of the invention, the sensor assembly 210 can correspond to a slave device and the associated remote processing unit 250 can correspond to a master device. In alternative embodiments of the present invention, multiple master devices can be associated with multiple slave devices, and one or more master devices can actively communicate with multiple slave devices. In a configuration that allows for one “active” master, an “active” master can be dynamically assigned from among multiple master devices.

センサアセンブリ210による電力損を最小限に抑えるために、スレーブデバイスとマスタデバイスの間で伝達されるビットの数を減少させることが望ましい。ディジタルシリアルバス240を介して通信を実行する際に、低いオーバヘッドに合わせて最適化されているプロトコルを使用することが望ましい。実時間データ取得に適切な半二重バスを、ここで説明する。全二重バスなどの他の構成も使用してよい。   In order to minimize power loss due to the sensor assembly 210, it is desirable to reduce the number of bits transmitted between the slave device and the master device. When performing communication over the digital serial bus 240, it is desirable to use a protocol that is optimized for low overhead. A suitable half-duplex bus for real-time data acquisition will now be described. Other configurations such as a full duplex bus may also be used.

本発明の1つの実施形態では、アドレスビットを含む12ビットパケットを使用して、アドレスパケットのオーバヘッドを減少させることができる。アドレスビットはさらに、アクセスするまでスレーブを休止可能にすることによって、電力節約を可能にすることができる。本発明の別の実施形態では、この実時間センサバスプロトコルを実装して、1つまたは複数のEUV機械の真空環境内でディジタルセンサと通信する低電力で確実なマルチドロップシリアルバスを提供することができる。代替実施形態では、実時間センサバスプロトコルを他の感知用途に適用することができる。   In one embodiment of the present invention, a 12-bit packet containing address bits can be used to reduce address packet overhead. The address bits can also allow power savings by allowing the slave to sleep until it is accessed. In another embodiment of the present invention, this real-time sensor bus protocol is implemented to provide a low power and reliable multi-drop serial bus that communicates with a digital sensor within the vacuum environment of one or more EUV machines. Can do. In alternative embodiments, the real-time sensor bus protocol can be applied to other sensing applications.

図5は、本発明の1つの実施形態によりプロトコルを使用して実装することができるディジタルネットワーク200のコンテキスト図を示す。この例では、マスタデバイス502は信号処理ユニット250に対応して、最大25のセンサアセンブリ210に対応するスレーブデバイスと通信することができる。他の構成または数のデバイスを使用してもよい。   FIG. 5 shows a context diagram of a digital network 200 that can be implemented using a protocol according to one embodiment of the invention. In this example, master device 502 can communicate with slave devices corresponding to up to 25 sensor assemblies 210 corresponding to signal processing unit 250. Other configurations or numbers of devices may be used.

実時間センサバスプロトコルは、アドレス、データブロック、および特に長さおよびチェックサムなどの追加の情報バイトを含むフレーム内に構築することができる。OSIモデルにより開発されたこのプロトコルでは、マスタデバイス502は、ディジタルシリアルバス240を使用して全てのデータトラフィックを制御することができる。   The real-time sensor bus protocol can be built in a frame that includes addresses, data blocks, and additional information bytes, especially length and checksum. With this protocol developed by the OSI model, the master device 502 can control all data traffic using the digital serial bus 240.

本発明の1つの実施形態では、2種類の通信モードを実現することができる。つまり1対1モード(マスタ・スレーブ・マスタ)および同報モード(マスタ・スレーブ・マスタ)である。2種類の通信モードのために、1対1マスタフレーム、1対1スレーブフレーム、同報マスタフレーム、および同報スレーブフレームを含む4タイプのフレームを生成することができる。   In one embodiment of the present invention, two types of communication modes can be realized. That is, one-to-one mode (master / slave / master) and broadcast mode (master / slave / master). For the two types of communication modes, four types of frames can be generated including a one-to-one master frame, a one-to-one slave frame, a broadcast master frame, and a broadcast slave frame.

図6は、対応する1対1マスタフレームおよび対応する1対1スレーブフレームのために1対1モードで伝達されるデータフレームの例を示す。本発明の1つの実施形態では、1対1マスタフレームは1つのアドレスバイト602、長さバイト604、1つまたは複数のデータバイト606(606a〜606n)、およびチェックサムバイト608を含んでよい。アドレスバイト602は、情報を受信するように選択されたスレーブのアドレスを含む。本発明の別の実施形態では、1対1スレーブフレームは、長さバイト612、1対1データバイト614(614a〜614n)、およびチェックサムバイト616を含んでよい。   FIG. 6 shows an example of a data frame transmitted in a one-to-one mode for a corresponding one-to-one master frame and a corresponding one-to-one slave frame. In one embodiment of the invention, the one-to-one master frame may include one address byte 602, a length byte 604, one or more data bytes 606 (606 a-606 n), and a checksum byte 608. Address byte 602 contains the address of the slave selected to receive the information. In another embodiment of the invention, the one-to-one slave frame may include a length byte 612, a one-to-one data byte 614 (614a-614n), and a checksum byte 616.

1対1モードは、マスタデバイス502がスレーブデバイス504と通信する直接的方法である。本発明の1つの実施形態では、マスタデバイス502が1対1マスタフレームを、選択されたスレーブデバイス504に対する要求または命令を含む全てのスレーブデバイス504に送信することができる。任意選択で、1対1マスタフレームは、選択されたスレーブデバイス504のデータを含むことができる。1対1マスタフレームを受信するように選択されていないスレーブデバイス504は、フレームを無視するように構成される。例示的実施形態では、1対1命令を初期化段階中に使用して、ディジタルシリアルバス240およびスレーブデバイスを設定することができる。   The one-to-one mode is a direct method for the master device 502 to communicate with the slave device 504. In one embodiment of the present invention, the master device 502 can send a one-to-one master frame to all slave devices 504 that include a request or instruction for the selected slave device 504. Optionally, the one-to-one master frame can include data for the selected slave device 504. Slave devices 504 that are not selected to receive the one-to-one master frame are configured to ignore the frame. In an exemplary embodiment, a one-to-one instruction can be used during the initialization phase to set up the digital serial bus 240 and slave devices.

別の実施形態では、選択されたスレーブデバイス504は、1対1スレーブフレームに応答し、したがってマスタデバイス502からの命令に応答するように構成し、任意選択でマスタデバイス504から要求されるデータを含むことができる。選択されたスレーブデバイス504は、スレーブデバイスにおけるマイクロコントローラの温度、ランダム数、ソフトウェア版数識別、全ての以前のデータ、試験出力、センサファームウェアのアップロード、および他の構成データを含む構成データを提供することができる。あるいは、選択されたスレーブデバイス504は、スレーブデバイス504から離れた状態について、選択されたスレーブデバイス504が測定したデータを提供することができる。選択されないスレーブデバイス504は、選択されたスレーブデバイス504が送信する1対1スレーブフレームを無視するように構成することができる。   In another embodiment, the selected slave device 504 is configured to respond to a one-to-one slave frame, and thus to respond to instructions from the master device 502, optionally with data requested from the master device 504. Can be included. The selected slave device 504 provides configuration data including microcontroller temperature, random number, software version identification, all previous data, test output, sensor firmware upload, and other configuration data at the slave device. be able to. Alternatively, the selected slave device 504 can provide data measured by the selected slave device 504 for a state remote from the slave device 504. Unselected slave devices 504 can be configured to ignore the one-to-one slave frame transmitted by the selected slave device 504.

図7は、対応する同報マスタフレームおよび対応する同報スレーブフレームのために同報モードで伝達されるデータフレームの例を示す。本発明の1つの実施形態では、同報マスタフレームは1つのアドレスバイト702を含むことができる。同報スレーブフレームは、マスタデバイス502が決定するような1つ、2つ、または4つのデータバイトを含むことができる。本発明の1つの実施形態では、システム作動中に同報モードを実装することができる。   FIG. 7 shows an example of a data frame transmitted in broadcast mode for a corresponding broadcast master frame and a corresponding broadcast slave frame. In one embodiment of the invention, the broadcast master frame can include one address byte 702. A broadcast slave frame may include one, two, or four data bytes as determined by the master device 502. In one embodiment of the invention, the broadcast mode can be implemented during system operation.

同報モードでは、マスタデバイス502は1つの同報マスタフレームを全スレーブデバイス504に同時に送信することができる。本発明の1つの実施形態では、スレーブデバイス504は、同報マスタフレームの受信に肯定応答しないように構成することができる。別の実施形態では、選択されたスレーブデバイス504が、マスタデバイス502に対して、マスタデバイス502によって設定された対応する規定の時間隔の同報スレーブフレームで応答することができ、したがって実時間で作動することができる。同報命令を送信する前に、マスタデバイス502は全スレーブデバイス504に、どのサイクルでスレーブデバイス504がトリガおよび/または測定などの動作を実行するか、どのサイクルでスレーブデバイス504が応答してよいか、サイクル中のどの時間にスレーブデバイス504が返答してよいか、および他のタイミング情報など、タイミング情報を提供することができる。タイミング情報を、これ以降はタイムスロットと呼ぶ。タイムスロットは、1対1マスタフレームを通じてスレーブデバイス504に提供することができる。   In the broadcast mode, the master device 502 can transmit one broadcast master frame to all slave devices 504 simultaneously. In one embodiment of the invention, slave device 504 may be configured not to acknowledge receipt of a broadcast master frame. In another embodiment, the selected slave device 504 can respond to the master device 502 with a corresponding prescribed time interval broadcast slave frame set by the master device 502, and thus in real time. Can be operated. Before sending the broadcast command, the master device 502 may respond to all slave devices 504 in which cycle the slave device 504 performs operations such as triggering and / or measurement, and in which cycle the slave device 504 responds. Timing information can be provided, such as at what time in the cycle the slave device 504 may reply and other timing information. The timing information is hereinafter referred to as a time slot. Time slots can be provided to slave devices 504 through a one-to-one master frame.

また、マスタデバイス502は、応答するために幾つのデータパケットを使用可能であるかなどの情報をスレーブデバイス504に提供することができる。例えば、選択されたスレーブデバイス504は、1つ、2つまたは4つのパケットでそれぞれ応答を送信するように指令される。他の実施例では、選択されたスレーブデバイス504が3つのパケットで応答するか、選択されたスレーブデバイス504が5つ以上のパケットで応答することが許容可能であるか、その両方でよい。   The master device 502 can also provide information to the slave device 504, such as how many data packets can be used to respond. For example, the selected slave device 504 is instructed to send a response in one, two, or four packets, respectively. In other embodiments, the selected slave device 504 may respond with three packets, the selected slave device 504 may be acceptable with more than four packets, or both.

図8は、シリアルプロトコルの1つの実施形態によりフレームを構築するために使用可能なパケットの内容を示す。パケットは、2つのフレーム指示ビット(開始ビット802および停止ビット814)、エラー検出ビット812(パリティ)、状態ビット810(データフィールドにデータまたはアドレスがあるか示す)、および8ビットのデータフィールド804〜808を含んでよい。   FIG. 8 shows the contents of a packet that can be used to construct a frame according to one embodiment of the serial protocol. The packet includes two framing bits (start bit 802 and stop bit 814), error detection bit 812 (parity), status bit 810 (indicates whether the data field has data or address), and an 8-bit data field 804- 808 may be included.

図9は、同報モードデータ伝達の例示的実施形態を示す。この例では、スレーブデバイス504が様々な同報マスタフレームに対して異なる方法で応答するように、マスタデバイス502が全てのスレーブデバイス504を初期化することができる。本発明の1つの実施形態では、同報マスタフレームは、特にデータを測定すること、応答を待つこと、動作を実行しないことなどの動作をスレーブデバイス504が実行することができるサイクル数を識別する情報を、スレーブデバイス504に提供する。また、複数のスレーブデバイス504が同時に応答することを防止するために、スレーブデバイス504は開始インジケータとして応答遅延を使用し、同報スレーブフレームを転送する。   FIG. 9 illustrates an exemplary embodiment of broadcast mode data transmission. In this example, master device 502 can initialize all slave devices 504 so that slave device 504 responds differently to various broadcast master frames. In one embodiment of the present invention, the broadcast master frame identifies the number of cycles that the slave device 504 can perform operations such as measuring data, waiting for a response, not performing any operation, among others. Information is provided to slave device 504. Also, in order to prevent multiple slave devices 504 from responding simultaneously, the slave device 504 uses a response delay as a start indicator and forwards a broadcast slave frame.

図9を参照すると、ディジタルシリアルバス上のセンサの構成が図示されている。スレーブデバイスごとに、トリガサイクル、応答サイクル、応答遅延、および応答長さの設定が図示されている。任意の同報マスタフレームを送信する前に、マスタデバイス502は他のパラメータの中でもトリガサイクル、応答サイクル、応答遅延、および応答長さ、アドレスを含むプレトリガ命令を、選択されたスレーブデバイス504に提供することができる。1つの実施形態では、8つのアドレスが確保されて、プレトリガ命令に使用され、各アドレスはサイクルに対応する。したがって、マスタデバイス502によって8つのサイクルを画定することができる。これらのパラメータのうち1つまたは複数が、同報マスタフレームを受信する前にスレーブデバイス504で設定されていない場合、パラメータの完全なセットを有していないスレーブデバイスは、同報メッセージに応答することができない。   Referring to FIG. 9, the configuration of sensors on the digital serial bus is illustrated. The trigger cycle, response cycle, response delay, and response length settings are shown for each slave device. Prior to sending any broadcast master frame, the master device 502 provides the selected slave device 504 with a pre-trigger instruction including trigger cycle, response cycle, response delay, and response length, address, among other parameters. can do. In one embodiment, eight addresses are reserved and used for pre-trigger instructions, each address corresponding to a cycle. Thus, eight cycles can be defined by the master device 502. If one or more of these parameters are not set on the slave device 504 prior to receiving the broadcast master frame, the slave device that does not have the complete set of parameters responds to the broadcast message. I can't.

例示的実施形態では、マスタスレーブ502は予め画定された周波数で複数の同報マスタフレームおよびサイクル数を送信することができる。この周波数は、レーザまたはEUVソースのような光源がトリガされ、光を放出する周波数に対応してよい。図9で示すように、マスタデバイス502は10kHzの周波数で4つの異なる同報マスタフレーム、サイクル数1〜4を送信することができる。   In the exemplary embodiment, master slave 502 can transmit multiple broadcast master frames and cycle numbers at a predefined frequency. This frequency may correspond to the frequency at which a light source such as a laser or EUV source is triggered to emit light. As shown in FIG. 9, the master device 502 can transmit four different broadcast master frames, 1 to 4 cycles, at a frequency of 10 kHz.

センサ1に対応するスレーブデバイス504aは、サイクル2で測定を実行し、サイクル2で遅延Bの後に2つのパケットで測定データを転送するように初期化することができる。センサ7に対応するスレーブデバイス504bは、サイクル0で(つまり各サイクルで)測定を実行し、サイクル0(各サイクル)で遅延Aの後に2つのパケットで測定データを転送するように初期化することができる。クワッドセル902は、4つのスレーブデバイスを含んで、サイクル1の間にレチクル、光源および/ウェハの位置合わせを測定し、対応するサイクル1〜4の間に、対応する遅延CまたはDの後に2つのパケットで測定データを転送することができる。   The slave device 504a corresponding to sensor 1 can be initialized to perform measurement in cycle 2 and transfer measurement data in two packets after delay B in cycle 2. The slave device 504b corresponding to the sensor 7 performs the measurement at cycle 0 (that is, at each cycle), and initializes the measurement data to be transferred in two packets after delay A at cycle 0 (each cycle). Can do. Quad cell 902 includes four slave devices to measure reticle, light source and / or wafer alignment during cycle 1 and 2 after the corresponding delay C or D during corresponding cycles 1-4. Measurement data can be transferred in one packet.

本発明の実施形態の利点は、特に、ケーブル長の短縮、電力消費量の削減、および実時間操作を含む。本発明の実施形態は、真空環境での使用に適しているが、以上およびその他の実施形態は、大気圧または他の圧力のような他の状態の環境でも使用することができる。例えば、このようなアーキテクチャを大気圧リソグラフィ環境で展開してもよい。このようなネットワーク構成は、温度センサまたは他のセンサのように、明示的に記載されたもの以外のセンサにも使用することができる。   Advantages of embodiments of the present invention include, among other things, reduced cable length, reduced power consumption, and real-time operation. While embodiments of the present invention are suitable for use in a vacuum environment, these and other embodiments can be used in other conditions, such as atmospheric or other pressures. For example, such an architecture may be deployed in an atmospheric pressure lithography environment. Such a network configuration can also be used for sensors other than those explicitly described, such as temperature sensors or other sensors.

本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。   Although particular reference is made herein to the use of lithographic apparatus in the manufacture of ICs, it should be clearly understood that the lithographic apparatus described herein can also be used in many other applications. For example, it can be used in the manufacture of integrated optical devices, magnetic domain memory guidance and detection patterns, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads and the like. In these alternative application contexts, the terms “wafer” or “die” as used herein may be used interchangeably with more general terms such as “substrate” or “target portion”, respectively. It will be understood by those skilled in the art. The substrate referred to herein can be processed before or after exposure, for example, with a track (usually a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist) or a metrology or inspection tool. Where appropriate, the disclosure herein may be applied to these and other substrate processing tools. In addition, the substrate can be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, so the term substrate as used herein also refers to a substrate that already contains multiple processed layers.

以上では光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、刻印リソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに制限されないことが分かる。刻印リソグラフィでは、パターニングデバイスの構造が、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの構造を、基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射線、熱、圧力またはその組み合わせを適用して、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。   Although the foregoing specifically refers to the use of embodiments of the present invention in the context of optical lithography, the present invention can also be used in other applications such as stamped lithography and is not limited to optical lithography, if the situation allows. I understand that. In imprint lithography, the structure of the patterning device defines the pattern that is produced on the substrate. The patterning device structure is pressed against a layer of resist supplied to the substrate, after which electromagnetic radiation, heat, pressure, or a combination thereof is applied to cure the resist. The patterning device is moved away from the resist, leaving a pattern after the resist is cured.

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射線(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、あるいは126nmの波長を有する)および超紫外線(EUV)放射線(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。   As used herein, the terms “radiation” and “beam” include not only particle beams such as ion beams or electron beams, but also ultraviolet (UV) radiation (eg, wavelengths of 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, or 126 nm). ) And extreme ultraviolet (EUV) radiation (eg having a wavelength in the range of 5 nm to 20 nm) is used to cover all types of electromagnetic radiation.

「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素のいずれか、またはその組み合わせを指す。   The term “lens” refers to any of a variety of types of optical components, or combinations thereof, including refractive, reflective, magnetic, electromagnetic and electrostatic optical components, as the situation allows.

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または自身内にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形態をとることができる。   While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, the present invention provides a computer program that includes one or more sequences of machine-readable instructions that describe a method as disclosed above, or a data storage medium (eg, semiconductor memory, having such a computer program within itself). Magnetic or optical disk).

記載された実施形態の以上の提示は、当業者が本発明を作成または使用できるように提供されたものである。これらの実施形態に対する様々な改造が可能であり、本明細書で提示した一般的原理は、他の実施形態にも適用することができる。例えば、本発明は、一部または全体を有線回路として、用途固有の集積回路へと作成する回路構成として、または不揮発性記憶装置にロードしたファームウェアプログラムまたは機械読み取り可能コードとしてデータ記憶媒体から、またはデータ記憶媒体にロードされるソフトウェアプログラムとして実現することができ、このようなコードは、マイクロプロセッサまたは他のディジタル信号処理ユニットのような論理要素のアレイによって実行可能な命令である。本明細書は例示のみと見なされ、したがって本発明の範囲は請求の範囲によってのみ制限されるものとする。   The foregoing presentation of the described embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present invention. Various modifications to these embodiments are possible, and the general principles presented herein can be applied to other embodiments. For example, the present invention may be implemented in part or in whole as a wired circuit, as a circuit configuration that creates an application specific integrated circuit, or from a data storage medium as a firmware program or machine readable code loaded into a non-volatile storage device, or Such code can be implemented as a software program loaded into a data storage medium, such instructions being executable by an array of logic elements such as a microprocessor or other digital signal processing unit. It is intended that the specification be considered as exemplary only and, therefore, the scope of the invention be limited only by the claims.

本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。1 depicts a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention. アナログセンサネットワーク100を示したものである。An analog sensor network 100 is shown. 本発明の実施形態によるセンサネットワーク200を示したものである。1 illustrates a sensor network 200 according to an embodiment of the present invention. センサネットワーク200の別の部分を示したものである。Another part of the sensor network 200 is shown. 本発明の実施形態によるディジタルネットワークのコンテキスト図を示したものである。1 is a context diagram of a digital network according to an embodiment of the present invention. 1対1モードで転送したデータの例を示したものである。An example of data transferred in the one-to-one mode is shown. 報送モードで転送したデータの例を示したものである。An example of data transferred in the report mode is shown. 本発明の実施形態によるプロトコルに一致するパケットの内容を示したものである。Fig. 5 shows the contents of a packet matching a protocol according to an embodiment of the present invention. 報送モードで転送したデータの別の例を示したものである。It shows another example of data transferred in the report mode.

Claims (31)

センサアセンブリであって、
センサデータを出力するように構成されたセンサと、
センサデータに対応するアナログ信号を受信して、センサデータのディジタル信号を出力するように構成されたアナログディジタル変換器と、
アナログディジタル変換器に電気的に結合され、遠隔プロセッサから第一データ転送を受信し、第二データ転送を転送するように構成されたローカルプロセッサとを有し、
ローカルプロセッサは、第一データ転送で受信した情報に基づいて第二データ転送を転送するように構成されるものであるセンサアセンブリ。
A sensor assembly,
A sensor configured to output sensor data;
An analog-to-digital converter configured to receive an analog signal corresponding to the sensor data and output a digital signal of the sensor data;
A local processor electrically coupled to the analog-to-digital converter and configured to receive a first data transfer from a remote processor and transfer a second data transfer;
A sensor assembly, wherein the local processor is configured to transfer the second data transfer based on information received in the first data transfer.
第一データ転送がプレトリガ命令を含み、第二データ転送が、プレトリガ命令の受信の肯定応答を含む、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the first data transfer includes a pre-trigger instruction and the second data transfer includes an acknowledgment of receipt of the pre-trigger instruction. 第一および第二データ転送はデータフレームを含み、第一データ転送の第一データバイトが、目標センサアセンブリのアドレスを含む、請求項2に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 2, wherein the first and second data transfers include data frames, and the first data byte of the first data transfer includes an address of the target sensor assembly. 第一データ転送がアドレスパケットを含み、第二データ転送がセンサデータを含む、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the first data transfer includes an address packet and the second data transfer includes sensor data. センサデータが測定データおよび構成データのうち一方を含む、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the sensor data includes one of measurement data and configuration data. 第二データ転送が、第一データ転送で受信した情報に基づいて開始される、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the second data transfer is initiated based on information received in the first data transfer. ローカルプロセッサが、第一データ転送のプレトリガ命令によって画定されたタイムスロットに基づいて第二データ転送を転送する、請求項2に記載のセンサアセンブリ。   3. The sensor assembly of claim 2, wherein the local processor transfers the second data transfer based on a time slot defined by the first data transfer pre-trigger instruction. ローカルプロセッサがバスに結合される、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the local processor is coupled to the bus. バスがディジタルシリアルバスである、請求項8に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 8, wherein the bus is a digital serial bus. ディジタル信号が、第一データ転送のプレトリガ命令によって示された時間に測定したセンサデータの値に対応する情報を含む、請求項2に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly according to claim 2, wherein the digital signal includes information corresponding to a value of the sensor data measured at a time indicated by the pre-trigger instruction of the first data transfer. 前記センサアセンブリが複数のセンサを有し、
ディジタル信号が、選択されたセンサから受信したセンサデータの値に対応する情報を含み、
前記選択されたセンサが、第一データ転送で受信した情報に基づいて選択される、請求項4に記載のセンサアセンブリ。
The sensor assembly includes a plurality of sensors;
The digital signal includes information corresponding to the value of the sensor data received from the selected sensor;
The sensor assembly of claim 4, wherein the selected sensor is selected based on information received in a first data transfer.
センサが感光性要素を有する、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the sensor has a photosensitive element. センサアセンブリが、真空中で作動するように構成される、請求項1に記載のセンサアセンブリ。   The sensor assembly of claim 1, wherein the sensor assembly is configured to operate in a vacuum. 遠隔プロセッサにデータを提供する方法であって、
遠隔プロセッサからシリアルデータ線上で情報を受信することと、
測定サイトで感知した状態に対応するアナログ信号を生成することと、
測定サイトに局所的な位置で、アナログ信号に基づいてディジタル信号を獲得することと、
測定サイトに局所的な位置で、シリアルデータ線上でディジタル信号に基づくシリアルデータストリームを出力することと、
シリアルデータ線上で遠隔プロセッサに情報を伝達することを含み、
前記アナログ信号を生成することと、ディジタル信号を獲得することと、シリアルデータストリームを出力することのうち少なくとも1つは、シリアルデータ線上で受信したプリトリガ情報に従って実行されるものである方法。
A method for providing data to a remote processor, comprising:
Receiving information on a serial data line from a remote processor;
Generating an analog signal corresponding to the state sensed at the measurement site;
Acquiring a digital signal based on an analog signal at a location local to the measurement site;
Outputting a serial data stream based on a digital signal on a serial data line at a location local to the measurement site;
Communicating information to a remote processor over a serial data line;
A method wherein at least one of generating the analog signal, acquiring a digital signal, and outputting a serial data stream is performed in accordance with pre-trigger information received on the serial data line.
シリアルデータ線上で情報を受信することが、第一データフレームとして情報を受信することを含み、シリアルデータストリームが第二データフレームを含み、第一データフレームの第一データバイトが、目標センサアセンブリのアドレスを含む、請求項14に記載の方法。   Receiving information on the serial data line includes receiving information as a first data frame, the serial data stream includes a second data frame, and the first data byte of the first data frame is transmitted to the target sensor assembly. The method of claim 14, comprising an address. シリアルデータ線上で情報を受信することが、第一データフレームのプレトリガ命令を受信することを含み、シリアルデータストリームが、第二データフレームのプレトリガ命令の受信の肯定応答を含む、請求項14に記載の方法。   15. The method of claim 14, wherein receiving information on the serial data line includes receiving a pre-trigger instruction for a first data frame, and the serial data stream includes an acknowledgment of receipt of a pre-trigger instruction for a second data frame. the method of. シリアルデータストリームを出力することが、シリアルデータ線上で受信した情報に基づいて開始される、請求項14に記載の方法。   The method of claim 14, wherein outputting the serial data stream is initiated based on information received on the serial data line. シリアルデータストリームを出力することが、シリアルデータ線上で受信したプレトリガ命令によって画定されるタイムスロットに基づく、請求項16に記載の方法。   The method of claim 16, wherein outputting the serial data stream is based on a time slot defined by a pre-trigger instruction received on the serial data line. ディジタル信号が、シリアルデータ線上で受信したプレトリガ命令によって示される時間で測定した測定信号の値に対応する情報を含む、請求項16に記載の方法。   The method of claim 16, wherein the digital signal includes information corresponding to a value of the measurement signal measured at a time indicated by the pre-trigger instruction received on the serial data line. 前記方法が、測定サイトで感知した状態に対応する複数のアナログ信号を生成することを含み、
ディジタル信号が、複数のアナログ信号のうち選択されたものの値に対応する情報を含み、
前記複数のアナログ信号のうち選択されたものが、シリアルデータ線上で受信した前記情報に基づいて選択される、請求項14に記載の方法。
The method includes generating a plurality of analog signals corresponding to conditions sensed at a measurement site;
The digital signal includes information corresponding to a value of a selected one of the plurality of analog signals;
The method of claim 14, wherein a selected one of the plurality of analog signals is selected based on the information received on a serial data line.
前記アナログ信号の生成が、照明、温度、圧力、加速度、およびオブジェクトの存在検出の測定のうち少なくとも1つに基づくアナログ信号を生成することを含む、請求項14に記載のデータ測定方法。   The data measurement method of claim 14, wherein generating the analog signal includes generating an analog signal based on at least one of measurements of illumination, temperature, pressure, acceleration, and object presence detection. 前記測定サイトが真空室内に配置される、請求項14に記載のデータ測定方法。   The data measurement method according to claim 14, wherein the measurement site is arranged in a vacuum chamber. データ取得方法であって、
シリアルデータバス上で真空区域内のセンサアセンブリにディジタル制御情報を転送することを含み、前記ディジタル制御情報は、センサユニットのアドレスを含み、さらに、
制御情報に基づいて、シリアルデータバス上でシリアルデータストリームを受信することを含み、前記シリアルデータストリームが、センサアセンブリからのディジタルセンサデータを含むものである方法。
A data acquisition method,
Transferring digital control information over a serial data bus to a sensor assembly in a vacuum zone, wherein the digital control information includes an address of a sensor unit;
Receiving a serial data stream on a serial data bus based on the control information, the serial data stream comprising digital sensor data from a sensor assembly.
前記ディジタル制御情報の転送が、プレトリガ命令を有する前記ディジタル制御情報を含む第一データフレームを転送することを含み、
前記シリアルデータストリームが、前記ディジタルセンサデータを含む第二データフレームを含み、
第一データフレームの第一データバイトがセンサアセンブリのアドレスを含む、請求項23に記載のデータ取得方法。
Transferring the digital control information includes transferring a first data frame including the digital control information having a pre-trigger instruction;
The serial data stream includes a second data frame including the digital sensor data;
24. The data acquisition method according to claim 23, wherein the first data byte of the first data frame includes an address of the sensor assembly.
前記ディジタル制御情報の転送が、アドレスパケットを有する第一データフレームを含み、前記シリアルデータストリームが、前記ディジタルセンサデータを有する第二データフレームを含む、請求項23に記載のデータ取得方法。   24. The data acquisition method according to claim 23, wherein the transfer of the digital control information includes a first data frame having an address packet, and the serial data stream includes a second data frame having the digital sensor data. センサデータが、測定データおよび構成データのうち一方を有する、請求項23に記載のデータ取得方法。   The data acquisition method according to claim 23, wherein the sensor data includes one of measurement data and configuration data. 前記シリアルデータストリームが、ディジタル制御情報によって割り当てられた時間に転送される、請求項23に記載のデータ取得方法。   24. A data acquisition method according to claim 23, wherein the serial data stream is transferred at a time allocated by digital control information. シリアルデータストリームが、プレトリガ命令によって画定されたタイムスロットに基づいて転送される、請求項24に記載のデータ取得方法。   25. The data acquisition method of claim 24, wherein the serial data stream is transferred based on a time slot defined by a pre-trigger instruction. シリアルデータストリームが、前記ディジタル制御情報のプレトリガ命令によって示された時間で測定したセンサデータの値に対応する情報を含む、請求項24に記載のデータ取得方法。   25. The data acquisition method according to claim 24, wherein the serial data stream includes information corresponding to a value of sensor data measured at a time indicated by a pre-trigger instruction of the digital control information. 前記シリアルデータストリームが、複数のセンサアセンブリのうち選択されたものからのディジタルセンサデータを含み、
複数のセンサアセンブリのうち選択されたものが、ディジタル制御情報に基づいて選択される、請求項23に記載のデータ取得方法。
The serial data stream includes digital sensor data from a selected one of a plurality of sensor assemblies;
The data acquisition method of claim 23, wherein a selected one of the plurality of sensor assemblies is selected based on the digital control information.
ディジタルセンサデータが、照明、温度、圧力、加速度、およびオブジェクトの存在検出のうち少なくとも1つを有する、請求項23に記載のデータ取得方法。   The data acquisition method according to claim 23, wherein the digital sensor data includes at least one of illumination, temperature, pressure, acceleration, and object presence detection.
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