JP2006164165A - Rf-id media - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、非接触型ICカードや非接触型ICラベル等といった非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なRF−IDメディアに関する。 The present invention relates to an RF-ID medium capable of writing and reading information in a non-contact state such as a non-contact IC card and a non-contact IC label.
近年、情報化社会の進展に伴って、情報をカードに記録し、該カードを用いた情報管理や決済等が行われている。また、商品等に貼付されるタグ、ラベルに情報を記録し、このラベルを用いての商品等の管理も行われている。 In recent years, with the progress of the information-oriented society, information is recorded on a card, and information management and settlement using the card are performed. In addition, information is recorded on tags and labels attached to products and the like, and management of products and the like using these labels is also performed.
このようなカードやタグ、ラベルを用いた情報管理においては、カードやタグ、ラベルに対して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しを行うことが可能なICチップが搭載された非接触型ICカードや非接触型ICタグ、非接触型ICラベルがその優れた利便性から急速な普及が進みつつある。 In such information management using a card, tag, or label, a non-contact type IC equipped with an IC chip capable of writing and reading information in a non-contact state with respect to the card, tag, or label Cards, non-contact type IC tags, and non-contact type IC labels are rapidly spreading due to their excellent convenience.
図3は、従来の非接触型ICタグの一構成例を示す図であり、(a)は構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)は機能構成を示すブロック図である。 3A and 3B are diagrams showing a configuration example of a conventional non-contact type IC tag, in which FIG. 3A is a diagram showing a structure, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ shown in FIG. FIG. 3 is a block diagram showing a functional configuration.
図3(a),(b)に示すように本構成例においては、樹脂シート等からなるベース基材30上に、コイル状の導電性アンテナ20が形成されるとともに、このアンテナ20のコイル状の両端に、アンテナ20を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なICチップ10が接続されて搭載されている。
As shown in FIGS. 3A and 3B, in the present configuration example, a coiled
また、ICチップ10は図3(c)に示すように、アンテナ20を介して受信した信号を復調する復調部11と、アンテナ20を介して送信する情報を変調して変調信号とする変調部12と、情報が書き込まれるメモリ14と、復調部11にて復調された信号を情報としてメモリ14に書き込んだり、メモリ14に書き込まれた情報を読み出したりする制御部13と、アンテナ20に流れる電流を整流して電源を生成する電源生成部15とから構成されており、電源生成部15にて生成された電源が、復調部11、変調部12及び制御部13に供給され、それにより、復調部11、変調部12及び制御部13が動作することになる。
Further, as shown in FIG. 3C, the
上記のように構成されたRF−IDタグにおいては、外部に設けられた情報書込/読出装置に近接させることにより、情報書込/読出装置からの電磁誘導によりアンテナ20からICチップ10に電流が供給され、それにより、非接触状態において、情報書込/読出装置からICチップ10内のメモリ14に情報が書き込まれたり、ICチップ10内のメモリ14に書き込まれた情報が情報書込/読出装置にて読み出されたりする。
In the RF-ID tag configured as described above, a current is passed from the
ここで、上述したようなRF−IDメディアに、光を受光する受光素子と、受光素子にて光を受光した場合に、アンテナにて受信された搬送波をICチップに供給する搬送波スイッチとが設けられたものが考えられている(例えば、特許文献1参照。)。この技術においては、例えば、2つの受光素子を設けておき、一方の受光素子にて光を受光した場合に搬送波スイッチをON状態とし、他方の受光素子にて光を受光した場合に搬送波スイッチをOFF状態としたり、また、1つの受光素子を設け、受光素子にて光を受光した場合に搬送波スイッチをON状態とし、その後、制御回路からの命令によって搬送波スイッチをOFF状態としたりすることにより、ICチップに対する情報の書き込みや読み出しを光の受光状態によっても制御している。
しかしながら、上述した特許文献1に記載された技術においては、2つの受光素子のうち一方の受光素子にて光を受光した場合に搬送波スイッチをON状態とし、他方の受光素子にて光を受光した場合に搬送波スイッチをOFF状態としたり、また、受光素子にて光を受光した場合に搬送波スイッチをON状態とし、その後、制御回路からの命令によって搬送波スイッチをOFF状態としたりするといった特殊な制御を搬送波スイッチにて行う必要があるため、搬送波スイッチを専用に作製しなければならず、多大な開発コストがかかってしまうという問題点がある。 However, in the technique described in Patent Document 1 described above, when light is received by one of the two light receiving elements, the carrier switch is turned on and light is received by the other light receiving element. In this case, the carrier switch is turned off, or the carrier switch is turned on when light is received by the light receiving element, and then the carrier switch is turned off by a command from the control circuit. Since it is necessary to carry out with a carrier wave switch, the carrier wave switch has to be produced exclusively, and there is a problem that a great development cost is required.
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、多大な開発コストをかけることなく、ICチップに対する情報の書き込みや読み出しを光の受光状態によっても制御することができるRF−IDメディアを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and controls writing and reading of information with respect to an IC chip according to a light receiving state without incurring a great development cost. An object of the present invention is to provide an RF-ID media that can be used.
上記目的を達成するために本発明は、
ベース基材上に、アンテナが形成されるとともに該アンテナと接続されたICチップが搭載され、前記アンテナを介して前記ICチップに対する情報の書き込み及び読み出しが可能なRF−IDメディアであって、
前記アンテナと接続され、当該RF−IDメディアの静電容量を調節するための静電容量調節部と、
前記アンテナと前記静電容量調節部との間に接続され、光の受光状態によって前記アンテナと前記静電容量調節部との接続状態を切り替える光スイッチとを有する。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
An RF-ID medium on which an antenna is formed and an IC chip connected to the antenna is mounted on a base substrate, and information can be written to and read from the IC chip via the antenna,
A capacitance adjusting unit connected to the antenna for adjusting the capacitance of the RF-ID medium;
And an optical switch that is connected between the antenna and the capacitance adjustment unit and switches a connection state between the antenna and the capacitance adjustment unit according to a light receiving state.
上記のように構成された本発明においては、光スイッチにて光が受光されている場合と光が受光されていない場合とで、アンテナと、RF−IDメディアの静電容量を調節するための静電容量調節部との接続状態が切り替わる。共振周波数を設定する静電容量をICチップ内の静電容量と静電容量調節部における静電容量とからなるものとする場合、光スイッチにて光が受光されてアンテナと静電容量調節部とが接続されると、RF−IDメディアの静電容量が、ICチップ内の静電容量と静電容量調節部における静電容量とからなるものとなり、それにより、ICチップに対して情報を書き込んだり情報を読み出したりする情報書込/読出装置のアンテナとRF−IDメディアのアンテナとが共振し、ICチップに対して情報を書き込んだり情報を読み出したりすることができるようになり、また、光スイッチにて光が受光されずにアンテナと静電容量調節部とが接続されないと、RF−IDメディアの静電容量がICチップ内の静電容量のみとなり、それにより、情報書込/読出装置のアンテナとRF−IDメディアのアンテナとが共振せず、ICチップに対して情報を書き込んだり情報を読み出したりすることができない。また、共振周波数を設定する静電容量をICチップ内の静電容量のみとする場合、光スイッチにて光が受光されてアンテナと静電容量調節部とが接続されると、RF−IDメディアの静電容量が、ICチップ内の静電容量と静電容量調節部における静電容量とからなるものとなり、それにより、情報書込/読出装置のアンテナとRF−IDメディアのアンテナとが共振せず、ICチップに対して情報を書き込んだり情報を読み出したりすることができず、また、光スイッチにて光が受光されずにアンテナと静電容量調節部とが接続されないと、RF−IDメディアの静電容量がICチップ内の静電容量のみとなり、それにより、情報書込/読出装置のアンテナとRF−IDメディアのアンテナとが共振し、ICチップに対して情報を書き込んだり情報を読み出したりすることができるようになる。 In the present invention configured as described above, it is possible to adjust the antenna and the capacitance of the RF-ID medium depending on whether the light is received by the optical switch or not. The connection state with the capacitance adjusting unit is switched. When the capacitance for setting the resonance frequency is composed of the capacitance in the IC chip and the capacitance in the capacitance adjustment unit, the light is received by the optical switch and the antenna and the capacitance adjustment unit Are connected to each other, the capacitance of the RF-ID medium is made up of the capacitance in the IC chip and the capacitance in the capacitance adjustment unit. The antenna of the information writing / reading device for writing and reading information resonates with the antenna of the RF-ID media, so that information can be written to and read from the IC chip. If the optical switch does not receive light and the antenna and the capacitance adjustment unit are not connected, the capacitance of the RF-ID media is only the capacitance in the IC chip, Hoshokomi / reading device antenna and RF-ID without the media antenna resonance of, it is impossible or read information write information to the IC chip. Further, when the capacitance for setting the resonance frequency is only the capacitance in the IC chip, when the light is received by the optical switch and the antenna and the capacitance adjusting unit are connected, the RF-ID medium The electrostatic capacity of the IC chip is composed of the electrostatic capacity in the IC chip and the electrostatic capacity in the electrostatic capacity adjusting unit, whereby the antenna of the information writing / reading device and the antenna of the RF-ID media resonate. Without writing information to or reading information from the IC chip, and when the optical switch does not receive light and the antenna and the capacitance adjustment unit are not connected, the RF-ID The capacitance of the media becomes only the capacitance in the IC chip, which causes the antenna of the information writing / reading device and the antenna of the RF-ID media to resonate and write information to the IC chip. Ri becomes possible or read information.
このように、情報の書き込み及び読み出しを行うために共振周波数を設定するRF−IDメディアの静電容量を調節するための静電容量調節部が設けられ、アンテナと静電容量調節部との接続状態が、光の受光状態によって導通/非導通状態が切り替わる既存の光スイッチによって切り替えられることによりRF−IDメディアの静電容量が調節されるので、ICチップに対する情報の書き込みや読み出しを光の受光状態によっても制御するために多大な開発コストがかかることがない。 As described above, the capacitance adjustment unit for adjusting the capacitance of the RF-ID medium that sets the resonance frequency for writing and reading information is provided, and the connection between the antenna and the capacitance adjustment unit is provided. Since the capacitance of the RF-ID media is adjusted by switching the state with an existing optical switch that switches between conductive and non-conductive states depending on the light reception state, the information can be written to and read from the IC chip. Since the control is performed depending on the state, a large development cost is not required.
以上説明したように本発明においては、情報の書き込み及び読み出しを行うために共振周波数を設定するRF−IDメディアの静電容量を調節するための静電容量調節部を設け、アンテナと静電容量調節部との接続状態を、光の受光状態によって導通/非導通状態が切り替わる既存の光スイッチによって切り替えることによりRF−IDメディアの静電容量を調節する構成としたため、多大な開発コストをかけることなく、ICチップに対する情報の書き込みや読み出しを光の受光状態によっても制御することができる。 As described above, in the present invention, the capacitance adjusting unit for adjusting the capacitance of the RF-ID medium that sets the resonance frequency for writing and reading information is provided, and the antenna and the capacitance Since it is configured to adjust the capacitance of the RF-ID media by switching the connection state with the adjustment unit by an existing optical switch that is switched between conductive / non-conductive state depending on the light receiving state, it requires a large development cost. In addition, the writing and reading of information with respect to the IC chip can be controlled by the light receiving state.
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明のRF−IDメディアの実施の一形態となる非接触型ICタグを示す図であり、(a)は表面側から見た構造を示す図、(b)は裏面側から見た構造を示す図、(c)は(a)に示したA−A’断面図、(d)は(a)に示したB−B’断面図、(e)は機能構成を示すブロック図である。 1A and 1B are diagrams showing a non-contact type IC tag as an embodiment of the RF-ID media of the present invention. FIG. 1A is a diagram showing a structure viewed from the front surface side, and FIG. The figure which shows the structure seen, (c) is AA 'sectional drawing shown to (a), (d) is BB' sectional drawing shown to (a), (e) is a block which shows a functional structure FIG.
図1(a)〜(d)に示すように本形態においては、樹脂シート等からなるベース基材30上に、コイル状の導電性アンテナ20が形成されるとともに、このアンテナ20のコイル状の両端に、アンテナ20を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なICチップ10が接続されて搭載されている。また、ベース基材30のアンテナ20が形成された面に、非接触型ICタグ1の静電容量を調節するための容量パターン51が形成されているとともに、受光部41にて光を受光した場合に導通状態となる光スイッチ40が設けられており、この容量パターン51とアンテナ20とが配線52及び光スイッチ40を介して接続されている。また、ベース基材30の反対側の面には、容量パターン51と対向するように容量パターン54が形成されており、この容量パターン54に接続された配線55とアンテナ20とが導通部53を介して電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 1A to 1D, in this embodiment, a coiled
また、ICチップ10は図1(e)に示すように、アンテナ20を介して受信した信号を復調する復調部11と、アンテナ20を介して送信する情報を変調して変調信号とする変調部12と、情報が書き込まれる記憶領域であるメモリ14と、復調部11にて復調された信号を情報としてメモリ14に書き込んだり、メモリ14に書き込まれた情報を読み出したりする制御部13と、アンテナ20に流れる電流を整流して電源を生成する電源生成部15とから構成されており、電源生成部15にて生成された電源が、復調部11、変調部12及び制御部13に供給され、それにより、復調部11、変調部12及び制御部13が動作することになる。また、光スイッチ40は、光を受光する受光部41と、受光部41にて光を受光した場合にのみ導通状態となるスイッチング部42とから構成されている。この光スイッチとしては、例えば、Si、Ge、CdS等の材料からなる光ダイオードや、光トライアック、光トランジスタ、あるいはフォトMOSリレー等を用いることができる。また、容量パターン51と容量パターン54とこれらに挟まれる領域のベース基材30とから静電容量調節部となる静電容量50が形成される。これにより、アンテナ20と静電容量50との接続状態が光スイッチ40によって切り替えられることになる。
Further, as shown in FIG. 1E, the
以下に、上記のように構成された非接触型ICタグ1の動作について説明する。 The operation of the non-contact type IC tag 1 configured as described above will be described below.
上記のように構成された非接触型ICタグ1においては、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路が、ICチップ10に対して情報の書き込み及び読み出しを行う情報書込/読出装置(不図示)のアンテナと共振した場合に、ICチップ10に対する情報の書き込みあるいは読み出しが可能な状態となる。そのため、アンテナ20とICチップ10とからなる共振回路における共振周波数を、情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数と同一になるように予め設定しておく必要がある。なお、この共振周波数は、アンテナ20のインダクタンスとICチップ10内の静電容量とから設定される。
In the non-contact type IC tag 1 configured as described above, the resonance circuit including the
図2は、静電容量の違いによる共振周波数特性を示す図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating resonance frequency characteristics depending on the difference in capacitance.
図2に示すように、静電容量がC0であり、それにより、共振周波数がf0である非接触型ICタグにおいて、静電容量をC0よりも小さなC1とすると、共振周波数はf0よりも高いf1となる。これは、静電容量をC、インダクタンス成分をLとした場合、共振周波数fが、f=1/{2π(LC)1/2}から算出されることによるものである。 As shown in FIG. 2, in a non-contact IC tag having a capacitance of C 0 and a resonance frequency of f 0 , assuming that the capacitance is C 1 smaller than C 0 , the resonance frequency is f 1 is higher than f 0 . This is because the resonance frequency f is calculated from f = 1 / {2π (LC) 1/2 } where C is the capacitance and L is the inductance component.
これにより、共振周波数を設定する非接触型ICタグ1の静電容量を調節することにより、非接触型ICタグ1における共振周波数を、情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数と同一の周波数に設定することができる。 Thus, by adjusting the capacitance of the non-contact type IC tag 1 that sets the resonance frequency, the resonance frequency in the non-contact type IC tag 1 is set to the same frequency as the resonance frequency in the antenna of the information writing / reading device. Can be set to
まず、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量を、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量から設定される共振周波数が情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数と同一となるように設定した場合における動作について説明する。
First, a capacitance composed of the capacitance in the
光スイッチ40の受光部41にて光が受光されていない場合は、スイッチング部42が非導通状態となっているため、アンテナ20と容量パターン51とが電気的に接続されていない。そのため、非接触型ICタグ1における共振周波数が、ICチップ10内の静電容量のみから設定されることになり、それにより、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路と、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量によって設定される共振周波数を有する情報書込/読出装置のアンテナとは共振せず、ICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しは不可能な状態となる。なお、この場合は、ICチップ10内の静電容量が、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量よりも小さいため、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路における共振周波数は、情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数よりも高くなってしまう。
When no light is received by the
また、光スイッチ40の受光部41にて光が受光されている場合は、スイッチング部42が導通状態となるため、アンテナ20と容量パターン51とが電気的に接続される。すると、非接触型ICタグ1における共振周波数が、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量とから設定されることになり、それにより、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路と、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量によって設定される共振周波数を有する情報書込/読出装置のアンテナとが共振し、ICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しが可能な状態となる。
In addition, when light is received by the
このように、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量を、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量から設定される共振周波数が情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数と同一となるように設定することにより、光スイッチ40の受光部41にて光が受光された場合にのみ、ICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しが可能な状態とすることができる。
In this way, a capacitance composed of the capacitance in the
次に、ICチップ10内の静電容量を、ICチップ10内の静電容量のみから設定される共振周波数が情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数と同一となるように設定した場合における動作について説明する。
Next, when the electrostatic capacity in the
光スイッチ40の受光部41にて光が受光されていない場合は、スイッチング部42が非導通状態となっているため、アンテナ20と容量パターン51とが電気的に接続されていない。そのため、非接触型ICタグ1における共振周波数が、ICチップ10内の静電容量のみから設定されることになり、それにより、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路と、ICチップ10内の静電容量によって設定される共振周波数を有する情報書込/読出装置のアンテナとが共振し、ICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しが可能な状態となる。
When no light is received by the
また、光スイッチ40の受光部41にて光が受光されている場合は、スイッチング部42が導通状態となるため、アンテナ20と容量パターン51とが電気的に接続される。すると、非接触型ICタグ1における共振周波数が、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量とから設定されることになり、それにより、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路と、ICチップ10内の静電容量によって設定される共振周波数を有する情報書込/読出装置のアンテナとが共振せず、ICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しは不可能な状態となる。なお、この場合は、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とからなる静電容量が、ICチップ10内の静電容量よりも大きいため、非接触型ICタグ1のアンテナ20とICチップ10とからなる共振回路における共振周波数は、情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数よりも低くなってしまう。
In addition, when light is received by the
このように、ICチップ10内の静電容量を、ICチップ10内の静電容量から設定される共振周波数が情報書込/読出装置のアンテナにおける共振周波数と同一となるように設定することにより、光スイッチ40の受光部41にて光が受光されていない場合にのみ、ICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しが可能な状態とすることができる。
In this way, by setting the capacitance in the
なお、本形態においては、ICチップ10内の静電容量と、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50との静電容量の違いを用いて非接触型ICタグ1の共振周波数を異ならせ、それにより、ICチップ10への情報の書き込みや読み出しを制御しているが、ICチップ10内の静電容量と、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とが大きく異なる場合は、非接触型ICタグ1のアンテナ20と情報書込/読出装置のアンテナとが共振しない状態においては、非接触型ICタグ1において電源そのものが生成されず、また、ICチップ10内の静電容量と、ICチップ10内の静電容量と容量パターン51,54によって形成される静電容量50とが、非接触型ICタグ1のアンテナ20と情報書込/読出装置のアンテナとが共振しない程度にしか異ならない場合は、非接触型ICタグ1のアンテナ20と情報書込/読出装置のアンテナとが共振しない状態においては、非接触型ICタグ1にて電源が生成されるもののICチップ10に対する情報の書き込みや読み出しが不可能となる。その場合、電源生成部15にて電源が生成されているため、受光部41における光の受光状態によってICチップ10に対する情報の書き込み及び読み出しが可能な状態に変移した場合に、応答速度が遅くなってしまうことがない。
In the present embodiment, the capacitance in the
また、本形態においては、ICチップ10内に、アンテナ20に流れる電流を整流して電源を生成する電源生成部15を設け、電源生成部15にて生成された電源が、復調部11、変調部12及び制御部13に供給されているが、非接触型ICタグ1内に電池等の電源を設けておき、この電源を、復調部11、変調部12及び制御部13に供給する構成とすることも考えられる。
Further, in this embodiment, a
また、本形態においては、ベース基材30の一方の面にアンテナ20及び容量パターン51が形成されるとともにICチップ10及び光スイッチ40が搭載され、他方の面に容量パターン54が形成されただけの形態を例に挙げて説明したが、ベース基材30の一方の面あるいは両面に、紙や樹脂からなるシート基材を粘着剤を介して積層することも考えられる。ただしその場合においても、光スイッチ40の受光部41は、外部から光を受光可能なように露出させておく必要がある。また、本形態のように、非接触型ICタグ1に限らず、非接触型ICラベルや非接触型ICカードに本発明を適用できることは言うまでもない。
In this embodiment, the
1 非接触型ICタグ
10 ICチップ
11 復調部
12 変調部
13 制御部
14 メモリ
15 電源生成部
20 アンテナ
30 ベース基材
40 光スイッチ
41 受光部
42 スイッチング部
50 静電容量
51,54 容量パターン
52,55 配線
53 導通部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-contact-
Claims (1)
前記アンテナと接続され、当該RF−IDメディアの静電容量を調節するための静電容量調節部と、
前記アンテナと前記静電容量調節部との間に接続され、光の受光状態によって前記アンテナと前記静電容量調節部との接続状態を切り替える光スイッチとを有するRF−IDメディア。 An RF-ID medium on which an antenna is formed and an IC chip connected to the antenna is mounted on a base substrate, and information can be written to and read from the IC chip via the antenna,
A capacitance adjusting unit connected to the antenna for adjusting the capacitance of the RF-ID medium;
An RF-ID medium having an optical switch connected between the antenna and the capacitance adjustment unit and switching a connection state between the antenna and the capacitance adjustment unit according to a light receiving state.
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