JP2006156590A - Light emitting diode - Google Patents

Light emitting diode Download PDF

Info

Publication number
JP2006156590A
JP2006156590A JP2004342875A JP2004342875A JP2006156590A JP 2006156590 A JP2006156590 A JP 2006156590A JP 2004342875 A JP2004342875 A JP 2004342875A JP 2004342875 A JP2004342875 A JP 2004342875A JP 2006156590 A JP2006156590 A JP 2006156590A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
layer
light
type
nitride semiconductor
current diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004342875A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Susumu Hiraoka
Hiromitsu Kudo
Hiroaki Okagawa
広明 岡川
広光 工藤
晋 平岡
Original Assignee
Mitsubishi Cable Ind Ltd
三菱電線工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such a problem that, though light emission becomes most intense in the projection area of a metal film in the conventional GaN-based LED provided with an electrode combined with a light-transmissive electrode film and a metal film, the light is prevented from being picked up by the metal film that is located just above, and light emission efficiency is lowered as a result. <P>SOLUTION: The GaN-based LED is provided with a current diffusion layer made of a metallic material, and an electrode combined with a light-transmissive electrode layer. A material for the current diffusion layer and the light transmission electrode layer is selected to match for the conductive type of the nitride semiconductor layer, so that a contact resistance on the boundary between the current diffusion layer and a nitride semiconductor layer may be larger than that on the boundary between the light-transmissive electrode layer and the nitride semiconductor layer. Therefore, current supplied to the nitride semiconductor layer concentrates on a route crossing the boundary between the light-transmissive electrode layer and the nitride semiconductor layer, so that light emission can be prevented in the projection area of the current diffusion area. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は発光ダイオードに関し、特に、n型層およびp型層を含む複数の窒化物半導体層からなる積層体を有する発光ダイオード(以下「GaN系LED」という。)の、発光効率を向上させる技術に関する。 The present invention relates to a light emitting diode, in particular, light-emitting diodes (hereinafter referred to as "GaN-based LED".) Having a plurality of laminates made of nitride semiconductor layers including an n-type layer and a p-type layer of, improving the luminous efficiency technology on.

GaN系LEDは、n型の窒化物半導体層とp型の窒化物半導体層とが接合されたpn接合ダイオード構造を基本構造として有する発光素子であり、発光領域に用いる窒化物半導体の組成を選択することによって、可視〜紫外領域の光を発生させることが可能である。 GaN-based LED is a light emitting device having an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer and is bonded pn junction diode structure as a basic structure, selecting the composition of the nitride semiconductor used for the light-emitting region by, it is possible to generate light in the visible-ultraviolet region. 特に、可視短波長(青色)〜近紫外波長の光を発生するGaN系LEDは、照明光源やフルカラー表示装置用の光源に用いられる白色LEDの励起用光源として注目されている。 In particular, GaN-based LED which generates light in the visible short wavelength (blue) to near ultraviolet wavelengths, it has attracted attention as a white LED excitation light source which is used as a light source for illuminating light source or a full color display device.

窒化物半導体は、一般式Al In Ga 1−a−b N(0≦a≦1、0≦b≦1、0≦a+b≦1)で表される化合物半導体であって、例えば、二元系のGaN、AlN、InN、三元系のAlGaN、InGaN、InAlN、四元系のAlInGaNなど、任意の組成のものが例示される。 Nitride semiconductor is a general formula Al a In b Ga 1-a -b N (0 ≦ a ≦ 1,0 ≦ b ≦ 1,0 ≦ a + b ≦ 1) is represented by a compound semiconductor, for example, two original system of GaN, AlN, InN, ternary AlGaN, InGaN, InAlN, four-component such as AlInGaN, is exemplified any composition. ここで、3族元素の一部を、B(ホウ素)、Tl(タリウム)等で置換したものや、N(窒素)の一部をP(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)等で置換したものも、窒化物半導体に含まれる。 Here, a part of the group III element, B (boron), Tl or those substituted with (thallium), etc., a part of N (nitrogen) P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony), those substituted with Bi (bismuth), etc. are also included in the nitride semiconductor.
窒化物半導体は、欠陥として含まれる窒素空孔から電子が供給されるために、アンドープでもn型導電性を示すが、n型として用いる場合には、通常、Si(ケイ素)、Ge(ゲルマニウム)、Se(セレン)、Te(テルル)、C(炭素)などの元素がn型不純物としてドープされる。 Nitride semiconductor, since electrons are supplied from the nitrogen vacancy included as a defect, but an n-type conductivity in undoped, when used as n-type, typically, Si (silicon), Ge (germanium) , Se (selenium), Te (tellurium), elements such as C (carbon) is doped as n-type impurity.
p型の窒化物半導体は、Mg(マグネシウム)、Zn(亜鉛)、Be(ベリリウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)などの元素をp型不純物としてドープすることにより得られる。 p-type nitride semiconductor of, Mg (magnesium), Zn (zinc), Be (beryllium), Ca (calcium), Sr (strontium), obtained by doping an element such as Ba (barium) as p-type impurity It is. MOVPE(有機金属化合物気相成長)法やHVPE(ハイドライド気相成長)法で窒化物半導体の結晶成長を行う際に、これらのp型不純物をドープする場合には、水素パッシベーションが生じるので、成長後、不活性ガス雰囲気中でアニーリング処理や電子線照射処理を行い、p型不純物を活性化させることが好ましい。 When performing crystal growth of a nitride semiconductor by MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy) method or HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method, when the dope these p-type impurity, since hydrogen passivation occurs, growth after performs annealing or electron beam irradiation treatment in an inert gas atmosphere, it is preferable to activate the p-type impurity.

GaN系LEDは、一般に、MOVPE法、HVPE法、MBE(分子線エピタキシー)法などの気相成長法を用いて、基板上に窒化物半導体からなるn型層、p型層を順次成長して積層体を形成した後、n型層とp型層とに、それぞれn側電極とp側電極を形成することによって作製される。 GaN-based LED is generally, MOVPE method, HVPE method, a vapor phase growth method such as MBE (molecular beam epitaxy) method, n-type layer made of a nitride semiconductor on a substrate, by sequentially growing a p-type layer after forming the laminate, the n-type layer and the p-type layer, is manufactured by forming an n-side electrode and the p-side electrode, respectively. n型層とp型層との間に、これらn型層およびp型層よりもバンドギャップの小さい発光層を挿入すると、ダブルヘテロ構造となり、発光効率が向上する。 Between the n-type layer and the p-type layer, inserting a small light-emitting layer having a band gap than those n-type layer and the p-type layer becomes a double heterostructure, the luminous efficiency is improved.
n側電極を形成するとき、基板が絶縁性の場合には、p型層側からのドライエッチによりn型層を部分的に露出させ、その露出された表面に形成する。 When forming the n-side electrode, when the substrate is an insulating property, the n-type layer by dry etching from the p-type layer side partially exposed, to form on the exposed surface. 導電性基板を用いた場合には、n側電極を基板の裏面(窒化物半導体層を形成しない側の面)に形成することもできる。 In the case of using a conductive substrate, the n-side electrode may be formed on the back surface of the substrate (the surface that does not form a nitride semiconductor layer).
p側電極は、積層体の上面であるp型層の表面を覆うように形成される。 p-side electrode is formed so as to cover the surface of the p-type layer which is the upper surface of the laminate. 光透過性のp側電極が実用化されており、そのようなp側電極を用いたGaN系LEDは、p側電極を通して発光を取り出すことができるので、基板の裏面をマウント面に接着することにより、簡便に実装することができる。 Light transmitting p-side electrode have been put into practical use, GaN-based LED using such p-side electrode, since light can be emitted through the p-side electrode, adhering the rear surface of the substrate to the mounting surface Accordingly, it is possible to easily implement.

特開2000−216431号公報(特許文献1)には、透光性のp側電極として、格子状パターンに形成された金属膜と透明導電層とからなる複合電極を用いた、GaN系LEDが開示されている。 Japanese Patent 2000-216431 (Patent Document 1), as a translucent p-side electrode, using a composite electrode consisting of a grid pattern which is formed in the metal film and the transparent conductive layer, GaN-based LED is It has been disclosed. このGaN系LEDの断面図を図9に示す。 It shows a cross-sectional view of the GaN-based LED in FIG.
図9において、1はサファイア基板、2はバッファ層、3はSiドープGaNからなるn型GaNコンタクト層、4はアンドープGaN層とアンドープInGaN層とが交互に積層されたMQW構造のInGaN発光層、5はMgドープAlGaNからなるp型AlGaNクラッド層、6はMgドープGaNからなるp型GaNコンタクト層、P1はn側電極、P2はp側電極である。 9, 1 is a sapphire substrate, 2 is a buffer layer, 3 n-type GaN contact layer made of Si-doped GaN, InGaN light-emitting layer of the MQW structure in which the undoped GaN layer and the undoped InGaN layer are alternately stacked is 4, p-type AlGaN cladding layer made of Mg-doped AlGaN is 5, 6 p-type GaN contact layer made of Mg-doped GaN, P1 is n-side electrode, P2 is p-side electrode.
p側電極P2は、格子状パターンに形成された金属膜P2Aと、それを覆って形成された透明導電層P2Bとからなる。 p-side electrode P2 is a metal film P2A formed in a lattice pattern, consists of a transparent conductive layer P2B formed covering. 金属膜P2Aは、p型コンタクト層6とのオーミック性の良好な金属からなり、具体的には、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、Ni(ニッケル)などからなる。 Metal film P2A is made ohmic good metal and p-type contact layer 6, specifically, Pd (palladium), Pt (platinum), and the like Ni (nickel). 透明導電層P2Bは、SnO (酸化錫)、ITO(酸化インジウム錫)、MgO(酸化マグネシウム)、ZnO(酸化亜鉛)などの導電性金属酸化物からなる。 Transparent conductive layer P2B is, SnO 2 (tin oxide), ITO (indium tin oxide), MgO (magnesium oxide), made of a conductive metal oxide such as ZnO (zinc oxide).
n側電極P1およびp側電極P2から電流が供給されることにより、InGaN発光層4で発光が生じる。 When a current is supplied from the n-side electrode P1 and the p-side electrode P2, light emission occurs in InGaN light-emitting layer 4. この発光は、金属膜P2Aの開口部(金属膜P2Aが形成されず、透明導電層P2Bがp型コンタクト層6の表面に接して形成された領域)を通して、素子外部に取り出される。 This emission opening of the metal film P2A through (metal film P2A is not formed, a transparent conductive layer P2B is formed regions in contact with the surface of the p-type contact layer 6) is extracted to the outside of the device. 導電性の高い金属膜P2Aを含むために、p側電極P2を流れる電流は横方向(窒化物半導体の積層体の厚さ方向と直交する方向)に十分に拡散し、発光層4の面内における発光の均一性が良好となる。 To include highly conductive metal film P2A, the current flowing through the p-side electrode P2 is laterally sufficiently diffused (the direction perpendicular to the thickness direction of the nitride semiconductor laminated body), the light-emitting layer 4 in a plane uniformity of light emission is improved in.

ところで、特許文献1によれば、Pd、Pt、Niなどからなる金属膜は、p型窒化物半導体との間で、導電性金属酸化物よりも良好なオーミック性接触を形成する。 Meanwhile, according to Patent Document 1, Pd, Pt, a metal film made of Ni is between the p-type nitride semiconductor, than conductive metal oxide to form a good ohmic contact. 従って、図9のGaN系LEDにおいて、p側電極P2からp型コンタクト層6へと流れる電流は、接触抵抗の低い、金属膜P2Aとp型コンタクト層6との界面を横切る経路に集中することになり、そのために、発光層4における発光は、金属膜P2Aの射影領域において最も強くなる。 Thus, the GaN-based LED in FIG. 9, the current flowing from the p-side electrode P2 to the p-type contact layer 6, a low contact resistance, concentrating on path across the interface between the metal film P2A and the p-type contact layer 6 It becomes, because its light emission in the light emitting layer 4 is most stronger in the projection region of the metal film P2A. しかし、該領域での発光は、該領域の直上に位置する金属膜P2Aによって反射され易いことから、外部への取り出しが妨げられ、それによって、LEDの発光効率が低下するという問題がある。 However, light emission of the region, since it is easy and is reflected by the metal film P2A located directly above the region, impeded extraction to the outside, whereby the luminous efficiency of the LED is lowered.

特開2000−216431号公報 JP 2000-216431 JP 特開2003−60236号公報 JP 2003-60236 JP 特開2001−210867号公報 JP 2001-210867 JP 特開2004−179365号公報 JP 2004-179365 JP 特開2004−266258号公報 JP 2004-266258 JP 特開2004−6991号公報 JP 2004-6991 JP

本発明は、光透過性の電極膜と、金属膜とが複合化された電極を備えたGaN系LEDにおける、上記従来技術の問題点を解決し、発光効率の優れたGaN系LEDを提供することを目的とする。 The present invention includes an optically transparent electrode film, the GaN-based LED and the metal film with electrodes that are complexed to solve the problems of the prior art and provides an excellent GaN-based LED light emitting efficiency and an object thereof.

上記目的を達成するために、本発明に係るGaN系LEDは、以下の特徴を有する。 To achieve the above object, GaN-based LED according to the present invention has the following characteristics.
(1)基板と、上記基板の上に形成された、n型層およびp型層を含む複数の窒化物半導体層からなる積層体と、上記積層体の上面に部分的に形成された、金属からなる電流拡散層と、上記電流拡散層が形成されていない領域に露出した上記積層体の上面に、上記電流拡散層と電気的に接続されるように形成された透光性電極層とを有し、上記積層体と上記電流拡散層との界面の接触抵抗が、上記積層体と上記透光性電極層との界面の接触抵抗よりも大きいことを特徴とする発光ダイオード。 (1) and the substrate, which is formed on said substrate, and a laminate comprising a plurality of nitride semiconductor layers including an n-type layer and a p-type layer, partially formed on the top surface of the laminate, metal and the current diffusion layer composed of the upper surface of the laminate exposed to the area where the current diffusion layer is not formed, and a translucent electrode layer formed so as to be above the current diffusion layer and electrically connected a light emitting diode contact resistance of the interface between the laminate and the current diffusion layer, being larger than the contact resistance of the interface between the laminate and the transparent electrode layer.
(2)上記積層体の最上層がn型窒化物半導体からなり、上記電流拡散層がAg、Rh、PdまたはPtからなり、かつ、上記透光性電極層が導電性金属酸化物からなる、上記(1)に記載の発光ダイオード。 (2) the uppermost layer of the laminate is made of n-type nitride semiconductor, it the current diffusion layer is Ag, Rh, Pd, or Pt, and the translucent electrode layer is made of a conductive metal oxide, the light emitting diode according to the above (1).
(3)トンネル接合構造を有する、上記(2)に記載の発光ダイオード。 (3) having a tunnel junction structure, the light emitting diode according to the above (2).
(4)上記最上層が、膜厚1μm未満のn型窒化物半導体層であるか、または、電子濃度1×10 18 cm −3未満のn型窒化物半導体層である、上記(2)に記載の発光ダイオード。 (4) The top layer, or an n-type nitride semiconductor layer of less than the thickness 1 [mu] m, or an n-type nitride semiconductor layer of less than electron concentration 1 × 10 18 cm -3, the above (2) the light-emitting diode according.
(5)上記積層体の最上層がp型窒化物半導体からなり、上記電流拡散層がAlからなり、かつ、上記透光性電極層が導電性金属酸化物からなる、上記(1)に記載の発光ダイオード。 (5) the top layer of the laminate is made of p-type nitride semiconductor, the current diffusion layer is made of Al, and the translucent electrode layer is made of a conductive metal oxide, according to the above (1) light-emitting diode.
(6)上記積層体の最上層がp型窒化物半導体からなり、上記電流拡散層がAlからなり、かつ、上記透光性電極層がAlよりも仕事関数の大きな金属からなる、上記(1)に記載の発光ダイオード。 (6) the uppermost layer of the laminate is made of p-type nitride semiconductor, the current diffusion layer is made of Al, and the translucent electrode layer is made of a large metal work function than Al, the (1 light-emitting diode according to).
(7)上記透光性電極層が、Ni、Pd、Rh、Au、IrまたはPtからなる、上記(6)に記載の発光ダイオード。 (7) The light-transmitting electrode layer is composed of Ni, Pd, Rh, Au, Ir, or Pt, light emitting diode according to (6).
(8)上記導電性金属酸化物からなる透光性電極層の厚さが200nm以下である、上記(2)〜(5)のいずれかに記載の発光ダイオード。 (8) The thickness of the light-transmitting electrode layer made of the conductive metal oxide is 200nm or less, (2) to (5) light-emitting diode according to any one of.
(9)上記透光性電極層が上記電流拡散層の上を覆って形成され、それによって、上記電流拡散層が形成されていない領域に露出した上記積層体の上面に、上記透光性電極層が形成された構成となっている、上記(1)〜(8)のいずれかに記載の発光ダイオード。 (9) The light-transmitting electrode layer is formed to cover the top of the current diffusion layer, whereby the upper surface of the laminate exposed to the area where the current diffusion layer is not formed, the transmissive electrode has a structure in which the layer is formed, the light emitting diode according to any one of (1) to (8).
(10)更に、上記透光性電極層の上に形成されたボンディング用のパッド電極と、少なくともその一部が上記パッド電極の射影領域内に入るように、上記積層体の上面に形成された電流阻止層とを有し、上記電流阻止層は、上記電流拡散層と同じ材料からなるとともに、上記電流拡散層と実質的に同じ膜厚を有し、かつ、上記積層体の上面における、上記パッド電極の射影領域の50%以上が、上記電流阻止層により覆われている、上記(1)〜(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。 (10) Further, a pad electrode for bonding is formed on the translucent electrode layer, so that at least a part thereof enters the projection area of ​​the pad electrode, formed on the top surface of the laminate and a current blocking layer, the current blocking layer, as well as made of the same material as the current diffusion layer has substantially the same thickness as the current diffusion layer, and the upper surface of the laminate, the 50% or more of the projected area of ​​the pad electrode is covered by the current blocking layer, the light emitting diode according to any one of (1) to (9).

本発明に係るGaN系LEDは、n型層およびp型層を含む複数の窒化物半導体層からなる積層体(以下、これを単に「積層体」ともいう)の上面に形成された、電流拡散層と透光性電極層とを備える。 GaN-based LED according to the present invention, n-type layer and the laminate including a plurality of nitride semiconductor layers containing a p-type layer (hereinafter, simply referred to as "laminate") is formed on the upper surface of the current spreading and a layer and the translucent electrode layer. この電流拡散層が、透光性電極層に電気的に接続されて、透光性電極層における横方向の電流拡散を補助するために、発光領域に電流が均一性よく供給されるようになり、素子面内での発光の均一性が良好となる。 The current diffusion layer is electrically connected to the transparent electrode layer, in order to assist the lateral current spreading in the light-transmitting electrode layer, now current to the light emitting region is supplied good uniformity , the uniformity of light emission in the device surface is improved.
また、本発明に係るGaN系LEDでは、電流拡散層と積層体との界面の接触抵抗が、透光性電極層と積層体との界面の接触抵抗よりも高くなるように、積層体の最上層をなす窒化物半導体層の伝導型に合わせて、電流拡散層および透光性電極層の材料が選択される。 Furthermore, the GaN-based LED according to the present invention, such that interfacial contact resistance between the current diffusion layer and the laminate is higher than the contact resistance at the interface between the translucent electrode layer and the laminate, most of the stack in accordance with the conduction type nitride semiconductor layer constituting the upper layer, the material of the current diffusion layer and the translucent electrode layer is selected. そのために、透光性電極層から積層体に供給される電流は、殆どが透光性電極層と積層体との界面を横切る電流経路を流れることになる。 Therefore, the electric current supplied to the laminated body from the transparent electrode layer will hardly flows through the current path across the interface between the laminate and the transparent electrode layer. その結果、発光層において、電流拡散層の射影領域での発光が抑制される一方、透光性電極層と積層体とが界面を形成した領域の射影領域での発光が促進される。 As a result, in the light-emitting layer, while the light emission of the projective area of ​​the current diffusion layer is suppressed, and the translucent electrode layer and the laminate emission at projection area of ​​the region forming the interface is promoted. 後者の領域での発光は、直上に影となる電流拡散層が存在しないために、透光性電極層を通して効率的に素子の外部に取り出されるので、LEDの発光効率が改善される。 Light emission in the latter area, since the current spreading layer as a shadow does not exist directly above, since extracted outside efficiently element through the light-transmitting electrode layer, the luminous efficiency of the LED is improved.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
図1〜図3は、本発明の第1の実施形態に係るGaN系LED100の素子構成図であり、図1は平面図、図2は図1のA−B線における断面図、図3は図1のC−D線における断面図である。 1 to 3, a device configuration diagram of a GaN-based LED100 according to the first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a plan view, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-B of FIG. 1, FIG. 3 it is a sectional view taken along line C-D in FIG.
図1〜図3において、101はサファイア基板、102は窒化物半導体材料からなる低温成長バッファ層、103はSiドープGaN(電子濃度約5×10 18 cm −3 )からなる膜厚3μmのn型GaNクラッド層、104はInGaN層を井戸層として含むMQW構造のInGaN発光層、105はMgドープAlGaNからなる膜厚50nmのp型AlGaNクラッド層、106はMgドープGaN(Mg濃度約1×10 20 cm −3 )からなる膜厚150nmの高ドープp型GaN層、107はSiドープGaN(電子濃度約1×10 20 cm −3 )からなる膜厚5nmのn型GaNコンタクト層、P101は膜厚30nmのTi層の上に膜厚100nmのAl層を積層したn側電極、P102はAg(銀)からなる膜厚40 1 to 3, 101 sapphire substrate, 102 is the low-temperature growth buffer layer made of a nitride semiconductor material, 103 the thickness 3 [mu] m n-type composed of Si-doped GaN (electron concentration of about 5 × 10 18 cm -3) GaN clad layer, 104 InGaN light emitting layer of the MQW structure containing InGaN layer as a well layer, the film thickness 50 nm p-type AlGaN cladding layer made of Mg-doped AlGaN 105, 106 Mg-doped GaN (Mg concentration of about 1 × 10 20 cm thickness 150nm highly doped p-type GaN layer made of -3), 107 Si-doped GaN (electron concentration of about 1 × 10 20 cm -3) made of film thickness 5 nm n-type GaN contact layer, P101 is the thickness n-side electrode formed by stacking an Al layer having a thickness of 100nm on top of 30 nm Ti layer, the film thickness made of Ag (silver) is P102 40 mの電流拡散層、P103はITOからなる膜厚100nmの透光性電極層、P104とP105は、それぞれ、膜厚30nmのTi層の上に膜厚300nmのAu層を積層した、n側およびp側のボンディング用パッド電極、P106はAgからなる膜厚40nmの電流阻止層である。 Current spreading layer of m, P103 is translucent electrode layer having a thickness 100nm made of ITO, P104 and P105, respectively, were laminated Au layer having a thickness of 300nm on the Ti layer having a thickness of 30 nm, n-side and bonding pad electrodes of the p-side, P106 is a current blocking layer having a thickness of 40nm made of Ag.

GaN系LED100において、発光に係るpn接合はn型GaNクラッド層103とp型AlGaNクラッド層105との間に形成され、n型GaNコンタクト層107と高ドープp型GaN層106との接合部は発光に関与しない。 In GaN-based LED 100, pn junction of the light emitting is formed between the n-type GaN clad layer 103 and the p-type AlGaN cladding layer 105, the junction between the n-type GaN contact layer 107 and the highly doped p-type GaN layer 106 not involved in the light-emitting. このようなGaN系LEDの構成は、特開2003−60236号公報(特許文献2)などに開示されており、n型不純物が高濃度にドープされたn型層とp型不純物が高濃度にドープされたp型層との界面にトンネル接合構造が形成されることを利用して、p側のコンタクト層をn型層とすることができ、それによって、p側電極の接触抵抗を低下させることができる。 Configuration of such a GaN-based LED is JP 2003-60236 JP are disclosed in (Patent Document 2), etc., n-type layer n-type impurity is doped at a high concentration and p-type impurities at a high concentration by utilizing the fact that the interface to the tunnel junction structure between the doped p-type layer is formed, a contact layer of p-side can be an n-type layer, thereby reducing the contact resistance of the p-side electrode be able to.
後述するように、GaN系LED100では、n型GaNコンタクト層107が、InGaN発光層104の後に成長されるが、n型GaNコンタクト層107を成長する際の熱によって、InGaN発光層104が劣化し、発光効率が低下することを防ぐために、n型GaNコンタクト層107は薄く形成することが望ましい。 As described later, the GaN-based LED 100, the n-type GaN contact layer 107, but is grown after the InGaN light-emitting layer 104, the heat at the time of growing the n-type GaN contact layer 107, InGaN light-emitting layer 104 is degraded , to prevent the luminous efficiency decreases, n-type GaN contact layer 107 is preferably formed thin. そのために、n型GaNコンタクト層107に十分な横方向の電流拡散性を持たせることは難しい。 Therefore, it is difficult to provide a sufficient lateral current spreading of the n-type GaN contact layer 107.

GaN系LED100の、n側、p側の各パッド電極P104、P105に通電すると、p側では、電流拡散層P102と透光性電極層P103とによって、電流が横方向に広げられる。 GaN-based LED 100, n-side, when energized each pad electrode P104, P105 of the p-side, the p-side, by the current spreading layer P102 and the translucent electrode layer P103, spread current laterally.
ここで、ITOやZnOなどの導電性金属酸化物の抵抗率は、最も導電性の良好なもので、10 −4 Ωcmのオーダーであるのに対し、金属の抵抗率は10 −6 〜10 −5 Ωcmのオーダーであることから、同程度の厚さに形成した金属薄膜と導電性金属酸化物薄膜とでは、前者の電流拡散能力が後者の10〜100倍にもなる。 Here, the resistivity of the conductive metal oxide such as ITO or ZnO is most conductive in favorable, whereas it is 10 -4 [Omega] cm order, metal resistivity 10-6 - 5 since Ωcm on the order of, a metal thin film and a conductive metal oxide thin film was formed to a thickness comparable, the former current spreading capacity also becomes 10 to 100 times the latter. 従って、透光性電極層P103に、その1/10以上の膜厚を有する電流拡散層P102を複合化することによって、透光性電極層P103の電流拡散性を十分に補うことができる。 Therefore, the transparent electrode layer P103, by compounding the current spreading layer P102 having a thickness of 1/10 or more, it is possible to compensate for the current spreading of the light-transmitting electrode layer P103 sufficiently.
ITOやZnOなどの導電性金属酸化物と金属材料との接触抵抗は一般的に低いので、電流拡散層P102と透光性電極層P103は、相互に接するように形成すれば、電気的に接続することができる。 Since the contact resistance between the conductive metal oxide and a metal material such as ITO or ZnO is generally low, the current spreading layer P102 and the translucent electrode layer P103, if formed in contact with one another, electrically connected can do. また、電流拡散層P102と透光性電極層P103とを形成した後に熱処理を行うことによって、両層間の接触抵抗を低下させることができる。 Further, by performing heat treatment after formation of the current diffusion layer P102 and the translucent electrode layer P103, it is possible to reduce the contact resistance between the two layers.

ITOなどの導電性金属酸化物は、可視〜近紫波長域において高い透過率を有するが、全く吸収が無いというわけではなく、特に可視短波長領域から紫外にかけての波長領域では、バンド間遷移による吸収の影響も現れて、透過率が低くなる傾向がある。 Conductive metal oxides such as ITO, which has a high transmittance in the visible to near ultraviolet wavelength region, not that there is no completely absorbed, especially in the wavelength region of toward ultraviolet visible short wavelength region, due to interband transitions the effect of absorption also appeared, the transmittance tends to be low. また、屈折率が約2であるITOからなる透光性電極層P103と、素子外部を取り巻く媒体(SiO2からなるパッシベーション膜、封止樹脂、空気等)との界面では、屈折率差によって、発光が再び素子内部に向かって反射され易いために、発光の一部は透光性電極層P103を何度も横切ることになる。 Further, the translucent electrode layer P103 made of ITO having a refractive index of about 2, the medium surrounding the element outside the interface between the (passivation film made of SiO2, the sealing resin, air, etc.), by the refractive index difference, the light emitting There to easily reflected toward the inside again elements, some emission will cross the light-transmitting electrode layer P103 many times. 従って、透光性電極層P103を薄く形成して光透過性を向上させることにより、LEDの発光効率を改善することができる。 Therefore, by improving the optical transparency by forming a thin transparent electrode layer P103, it is possible to improve the luminous efficiency the LED.
例えば、特開2001−210867号公報(特許文献3)には、膜厚約0.5μmのITO電極を用いたGaN系LEDが開示されているが、これに対して、GaN系LED100では、ITOの数十倍の導電率を有するAgで電流拡散層P102を形成し、透光性電極層P103の電流拡散性を補う構成とするので、この透光性電極層P103の厚さを従来の半分以下とすることができる。 For example, Japanese Patent 2001-210867 (Patent Document 3), although a GaN-based LED is disclosed in which an ITO electrode having a thickness of about 0.5 [mu] m, In contrast, in the GaN-based LED 100, ITO forming a current spreading layer P102 with Ag having a several tens of times the conductivity of, since a configuration to compensate for the current spreading of the light-transmitting electrode layer P103, half the thickness of the translucent electrode layer P103 conventional it can be less than or equal to.
本発明に係るGaN系LEDでは、透光性電極層を導電性金属酸化物で形成する場合の好ましい厚さは200nm以下であり、より好ましくは100nm以下である。 In the GaN-based LED according to the present invention, the preferred thickness of the case of forming the light-transmitting electrode layer of a conductive metal oxide is at 200nm or less, more preferably 100nm or less.

GaN系LED100における電流拡散層P102の効果は、LEDチップのサイズが大きくなるにつれ、顕著となる。 Effect of the current spreading layer P102 in GaN-based LED100 is, as the size of the LED chip is increased, a remarkable. これまで、GaN系LEDのチップサイズは、300〜400μm角が標準的であったが、特に、照明装置の用途においては、小さなチップを多数実装するよりも、大型のチップを少数実装する方が製造上有利となるために、チップサイズが1mm角以上のGaN系LEDの開発が行われている。 Previously, the chip size of the GaN-based LED is 300~400μm angle has been the standard, in particular, in applications of the lighting device, rather than a large number implement small chip, it is better to fewer implement large chip for the production advantageously, the chip size is being developed for 1mm square or more GaN-based LED. このような、大サイズのチップにおいては、横方向の電流拡散性の確保が重要となるために、電流拡散層によって横方向の電流拡散を補助する本発明の構成が、特に有用となる。 Such, in the large size of the chip, in order to ensure the lateral current spreading resistance is important, the structure of the present invention to assist current spreading in the lateral direction by the current spreading layer, is particularly useful.

電流拡散層P102の材料であるAgは、n型窒化物半導体とは良好なオーミック性接触を形成しないことが知られており、n型窒化物半導体用のオーミック電極の材料とし得ることが知られているITOやZnOよりも、n型窒化物半導体との接触抵抗が大きくなる。 Is a material of the current spreading layer P102 Ag is the n-type nitride semiconductor are not known to form a good ohmic contact, it is known which may be a material of the ohmic electrode for the n-type nitride semiconductor also of ITO and ZnO have the contact resistance between the n-type nitride semiconductor is increased. 従って、n型GaNコンタクト層107に供給される電流は、透光性電極層P103とn型コンタクト層107との界面を横切る経路に集中し、電流拡散層P102とn型GaNコンタクト層107との界面を横切って流れる電流は僅かとなる。 Accordingly, the current supplied to the n-type GaN contact layer 107 concentrates in the path across the interface between the translucent electrode layer P103 and the n-type contact layer 107, the current diffusion layer P102 and n-type GaN contact layer 107 current flowing across the interface becomes to slightly. そして、膜厚の小さいn型GaNコンタクト層107、膜厚が小さく、かつ導電率も低い高ドープp型GaN層106およびp型AlGaNクラッド層105の内部では、電流が横方向に殆ど拡散しないので、InGaN発光層104において発光が生じるのは、実質的に、n型GaNコンタクト層107と透光性電極層P103とが界面を形成した領域の、射影領域のみとなる。 Then, the film thickness small n-type GaN contact layer 107, the film thickness is small and the inside of the conductivity is low high-doped p-type GaN layer 106 and the p-type AlGaN cladding layer 105, the current is hardly diffused in the lateral direction , the light emission in the InGaN light-emitting layer 104 occurs substantially, and n-type GaN contact layer 107 and the transparent electrode layer P103 is a region in which to form an interface, a projection area only. 該領域で発生する光は、該領域直上に電流拡散層P102が存在しないために、透光性電極層P103を通して効率良く素子外に取り出される。 Light generated in the region, since the current spreading layer P102 directly above region does not exist, is retrieved efficiently outside the element through the light-transmitting electrode layer P103.

電流拡散層P102の材料として好適な、n型窒化物半導体と良好なオーミック性接触を形成しない金属としては、Agの他に、Rh(ロジウム)、Pt、Pdなどが挙げられる。 Suitable as material for the current diffusion layer P102, as the n-type nitride semiconductor and a metal which does not form a good ohmic contact, in addition to Ag, Rh (rhodium), Pt, Pd and the like. 中でも、Ag、Rhは、光反射性が特に優れているため、Ag、Rhで電流拡散層P102を形成すると、電流拡散層P102による光吸収が小さくなり、LEDの発光効率を向上させるうえで好ましい。 Among them, Ag, Rh, because the light reflectivity is particularly excellent, Ag, to form a current spreading layer P102 with Rh, light absorption is reduced due to the current diffusion layer P102, preferred in order to improve the luminous efficiency of the LED .

電流拡散層P102は、光透過性が生じる厚さに形成してもよく、それによって、発光の取り出し性が向上する。 Current spreading layer P102 may be formed to a thickness of the light transmittance is caused, whereby the extraction of the emission can be improved. 一般に、金属膜は厚さ20nm程度以下に形成すると光透過性を示すようになる。 In general, the metal film is as shown optical transparency when formed below a thickness of about 20 nm. 光透過性とする場合の金属膜の膜厚は、導電性を確保するために、3nm以上とすることが好ましい。 Thickness of the metal film in the case where a light transmitting property in order to ensure the conductivity, it is preferable to 3nm or more.

電流拡散層P102のパターン(チップを上方から見たときのパターン)は特に限定されず、透光性電極層P103における横方向の電流拡散を補うことのできるパターンであればよい。 Pattern of the current spreading layer P102 (pattern when viewed chip from above) is not particularly restricted as long as it is a pattern that can compensate for the lateral current spreading in the light-transmitting electrode layer P103. 図1、図4〜図6に、電流拡散層P102のパターンの一例を示す。 1, 4 to 6 shows an example of a pattern of the current spreading layer P102. これらの図において、点線で表しているのが、電流拡散層P102と、後述する電流阻止層P106の輪郭線である。 In these figures, what expressed by dotted lines, a current diffusion layer P102, an outline of the current blocking layer P106 to be described later. 点線で表示したのは、これらの層が、透光性電極層P103の下に形成された層であるからである。 Was displayed in dotted lines, these layers, because a layer formed under the light-transmitting electrode layer P103.

図1の例は、線状の電流拡散層P102を、複数、n型GaNコンタクト層107の表面に、相互に離間して形成したものである。 The example of FIG. 1, a linear current diffusion layer P102, a plurality, on the surface of the n-type GaN contact layer 107, and is formed apart from each other.
図4の例は、複数の線状の電流拡散層P202を、放射状のパターンに形成し、更に、線状部分の一端で電流素子層P206と一体化したものである。 The example of FIG. 4, a plurality of linear current diffusion layer P202, is formed on the radial pattern, further, is formed by integrating the current element layer P206 at one end of the linear portion.
図5の例は、線状の電流拡散層P302を円環状に形成したものである。 Example of FIG. 5 is obtained by forming a linear current diffusion layer P302 annularly.
図6の例は、複数の線状の電流拡散層P402を、井桁状のパターンに形成したものである。 Example of FIG. 6, a plurality of linear current diffusion layer P402, is obtained by forming in a grid-like pattern. このパターンは格子状パターンの一種と見ることもできる。 This pattern may be regarded as a kind of grid pattern.
電流拡散層のパターンは、これらの図に例示したパターンを変形したり、相互に組み合わせたパターンとしてもよい。 Pattern of the current diffusion layer, or by modifying the exemplified patterns in these figures may be a pattern in combination with one another. また、図示しないが、電流拡散層は、n型GaNコンタクト層107の上面に広がった、ネット状、樹枝状、櫛状などのパターンに形成することもできる。 Although not shown, the current diffusion layer is spread on the upper surface of the n-type GaN contact layer 107, a net-like, can also be formed dendritic, a pattern such as a comb.

InGaN発光層104のうち、電流拡散層P102の射影領域は発光が弱くなる(もしくは、発光しない)ことから、n型GaNコンタクト層107の上面のうち、電流拡散層P102により覆われた領域の面積は、電流拡散性が著しく低下しない範囲で、小さくすることが望ましい。 Of InGaN light-emitting layer 104, the projection area of ​​the current spreading layer P102 is light emission is weak (or no light) because, of the upper surface of the n-type GaN contact layer 107, the area of ​​the region covered by the current spreading layer P102 is a range where the current spreading resistance is not significantly reduced, it is desirable to reduce. 金属材料は上述のように抵抗率が低いので、電流拡散層P102は比較的幅の狭い線状部分からなるパターンとすることができる。 Since the metal material has a low resistivity as described above, the current spreading layer P102 may be a pattern of relatively narrow linear portion width. 例えば、上記例示した各パターンに含まれる線状部分の線幅は、0.5μm〜10μmとすることが好ましい。 For example, the line width of the linear portion included in each pattern exemplified above is preferably in the 0.5 ~ 10 m.

p側のボンディング用パッド電極P105の下方には、電流阻止層P106を形成してもよい。 Below the bonding pad electrode P105 of the p-side, it may be formed current blocking layer P106. InGaN発光層104の、パッド電極P105の下方に位置する領域での発光は、その殆どが大きなパッド電極P105により遮られて素子外部に取り出されないので、損失となる。 The InGaN light-emitting layer 104, light emission in a region below the pad electrode P105, since most do not retrieved occluded by elements outside the large pad electrode P105, the loss. 電流阻止層P106は、パッド電極P105の射影領域における、透光性電極層P103から窒化物半導体層への電流供給を阻止することによって、このような損失の発生を抑制するための層である。 Current blocking layers P106 is in the projective area of ​​the pad electrode P105, by blocking the current supply to the nitride semiconductor layer from the translucent electrode layer P103, is a layer for suppressing the occurrence of such losses.
電流阻止層P106は、図1の例のように、n型GaNコンタクト層107の表面におけるパッド電極P105の射影領域を、完全に覆うように形成することが最も好ましいが、該射影領域の50%以上を覆うように形成すれば、損失を軽減する効果が得られる。 Current blocking layers P106, as in the example of FIG. 1, the projection area of ​​the pad electrode P105 at the surface of the n-type GaN contact layer 107, it is most preferably formed so as to completely cover, 50% of the projective area be formed so as to cover the above, the effect of reducing the losses is obtained. この場合、該射影領域の中心に近い部分を、電流阻止層P106で覆う方が効果的である。 In this case, the portion near the center of the projective areas, it is covered with a current blocking layer P106 is effective.
製造効率の点から、電流阻止層P106は、電流拡散層P102と同じ材料から、同時に形成することが好ましい。 From the viewpoint of production efficiency, the current blocking layer P106, from the same material as the current diffusion layer P102, is preferably formed at the same time. 図4に示すように、電流拡散層P202と電流阻止層P206をパターンのうえで一体化させることもできる。 As shown in FIG. 4, it is also possible to integrate the current diffusion layer P202 and the current blocking layer P206 upon the pattern. 電流阻止層P106を電流拡散層P102と同じ材料で形成すると、電流素子層P106が導電性となるので、p側のパッド電極P105と電流阻止層P106との間の透光性電極層P103を省略し、p側のパッド電極P105を電流阻止層P106の表面上に直接形成することもできる。 When forming the current blocking layer P106 of the same material as the current diffusion layer P102, the current element layer P106 is conductive, omitted translucent electrode layer P103 between the p-side pad electrode P105 and the current blocking layer P106 and, it is also possible to directly form the pad electrodes P105 p-side on the surface of the current blocking layer P106.
電流阻止層は、電流拡散層と異なる材料で形成することも妨げられない。 Current blocking layer is also not hindered be formed of a material different from the current diffusion layer. 例えば、各種の絶縁性材料を用いることもできる。 For example, it is also possible to use various insulating materials.

GaN系LED100は、次の方法で作製することができる。 GaN-based LED100 can be produced by the following method.
まず、サファイア基板101をMOVPE装置にセットし、水素気流中で加熱することにより表面のサーマルエッチングを行う。 First, it sets the sapphire substrate 101 to the MOVPE apparatus, and the thermal etching of the surface by heating in a hydrogen stream. 次に、有機金属原料とアンモニアを供給して、300〜700℃で低温成長バッファ層102を形成した後、基板温度を約1000℃に上げて、n型GaNクラッド層103、InGaN発光層104、p型AlGaNクラッド層105、高ドープp型GaN層106、n型GaNコンタクト層107を、順次、所定の厚さに成長し、窒化物半導体の積層体を形成する。 Next, by supplying the organic metal source and ammonia, after forming a low-temperature growth buffer layer 102 at 300 to 700 ° C., the substrate temperature is raised to about 1000 ° C., n-type GaN clad layer 103, InGaN light-emitting layer 104, p-type AlGaN cladding layer 105, a highly doped p-type GaN layer 106, n-type GaN contact layer 107 are sequentially grown to a predetermined thickness, to form a laminate of the nitride semiconductor. なお、InGaN発光層104を成長するときの基板温度は、約800℃とする。 The substrate temperature when growing the InGaN light-emitting layer 104, and about 800 ° C..

次に、反応性イオンエッチング(RIE)により、n型GaNコンタクト層107の表面から、n型GaNクラッド層103に達する深さのエッチングを行い、InGaN発光層104、p型AlGaNクラッド層105、高ドープp型GaN層106、n型GaNコンタクト層107の一部を除去して、n型GaNクラッド層103を露出させる。 Then, by reactive ion etching (RIE), from the surface of the n-type GaN contact layer 107, etched in a depth reaching the n-type GaN clad layer 103, InGaN light-emitting layer 104, p-type AlGaN cladding layer 105, a high some of doped p-type GaN layer 106, n-type GaN contact layer 107 is removed to expose the n-type GaN clad layer 103.

次に、上記露出させたn型GaNクラッド層103の表面に、真空蒸着、スパッタリング等の方法を用いて、Ti膜およびAl膜を順次積層することにより、n側電極P101を形成する。 Next, the surface of the n-type GaN clad layer 103 which is the exposed, vacuum deposition, using a method such as sputtering, by sequentially stacking a Ti film and an Al film, an n-side electrode P101.
なお、n側電極は、透光性電極層と同じ導電性金属酸化物で形成することもできる。 Incidentally, n-side electrode can be formed of the same conductive metal oxide and the transparent electrode layer. その場合は、工程の順序を変更し、n側電極と透光性電極層とを同時に形成することが好ましい。 If so, change the order of steps, it is preferable to simultaneously form the n-side electrode and the transparent electrode layer.

次に、n型GaNコンタクト層107の表面に、真空蒸着、スパッタリング等の方法を用いて、Agからなる電流拡散層P102および電流阻止層P106を、所定の位置に形成する。 Next, the surface of the n-type GaN contact layer 107, vacuum vapor deposition, using a method such as sputtering, a current spreading layer P102 and the current blocking layer P106 made of Ag, are formed at a predetermined position. このとき、Ag単体を用いてもよいが、Ag単体と比べて化学的安定性が改良されたAg合金を用いることもできる。 At this time, it may be used Ag alone, chemical stability compared with the Ag alone can also be used an Ag alloy which is improved. 電流拡散層P102をRh、Pt、Pdなどで形成する場合も、材料はこれらの金属の単体に限定されず、合金を用いることができる。 May form a current diffusion layer P102 Rh, Pt, Pd, etc., the material is not limited to a single of these metals, or an alloy.

次に、上記形成した電流拡散層P102を覆って、n型GaNコンタクト層107の表面に、ITOからなる透光性電極層P103を形成する。 Then, over the current spreading layer P102 mentioned above formed on the surface of the n-type GaN contact layer 107, to form the translucent electrode layer P103 made of ITO. 透光性電極層P103の形成には、CVD法(熱CVD、プラズマCVD、MOCVD、光CVD)、スプレー法、スパッタリング法、真空蒸着法、クラスタービーム蒸着法、パルスレーザ蒸着法、イオンプレーティング法、ゾルゲル法、レーザアブレーション法、その他、公知のITO薄膜の形成方法を適宜用いることができる。 The formation of the light-transmitting electrode layer P103, CVD method (thermal CVD, plasma CVD, MOCVD, optical CVD), spraying, sputtering, vacuum evaporation, cluster beam deposition method, pulsed laser deposition, ion plating , sol-gel method, laser ablation, and other, can be used as appropriate forming method known ITO film.
透光性電極層は、ZnO、SnO など、ITO以外の導電性金属酸化物で形成してもよいが、その場合も、上記方法を使用することができる。 The translucent electrode layer, ZnO, etc. SnO 2, may be formed using a conductive metal oxide other than ITO, even in which case, it is possible to use the above method.

次に、n側電極P101および透光性電極層P103の上の所定の位置に、真空蒸着、スパッタリング等の方法で、Ti膜、Au膜を順次積層することにより、n側およびp側のボンディング用パッド電極P104、P105を形成する。 Then, at a predetermined position on the n-side electrode P101 and the transparent electrode layer P103, vacuum deposition, by a method such as sputtering, Ti film, by sequentially depositing an Au film, bonding the n-side and p-side forming a use pad electrode P104, P105. p側のパッド電極P105は、先に形成した電流阻止層P106の上に形成する。 Pad electrodes P105 of the p-side are formed on the current blocking layer P106 previously formed. これら2つのパッド電極の形成は、同時に行うことができる。 The formation of these two pad electrodes can be performed simultaneously.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図7および図8は、本発明の第2の実施形態に係るGaN系LED500の素子構成図であり、図7は平面図、図8は図7のE−F線における断面図である。 7 and 8, a device configuration diagram of a GaN-based LED500 according to the second embodiment of the present invention, FIG. 7 is a plan view, FIG. 8 is a sectional view along E-F line in FIG.
図7および図8において、501はサファイア基板、502は窒化物半導体材料からなる低温成長バッファ層、503はSiドープGaN(電子濃度約5×10 18 cm −3 )からなる膜厚3μmのn型GaNクラッド層、504はInGaN層を井戸層として含むMQW構造のInGaN発光層、505はMgドープAlGaNからなる膜厚50nmのp型AlGaNクラッド層、506はMgドープGaN(Mg濃度約1×10 20 cm −3 )からなる膜厚150nmのp型GaNコンタクト層、P501は膜厚30nmのTi層の上に膜厚300nmのAu層を積層したn側電極、P502はAl(アルミニウム)からなる膜厚40nmの電流拡散層、P503はITOからなる膜厚100nmの透光性電極層、P505は、膜厚 7 and 8, the sapphire substrate 501, 502 is the low-temperature growth buffer layer made of a nitride semiconductor material, 503 the thickness 3 [mu] m n-type composed of Si-doped GaN (electron concentration of about 5 × 10 18 cm -3) GaN cladding layer, 504 InGaN light emitting layer of the MQW structure containing InGaN layer as a well layer, 505 p-type AlGaN cladding layer with a thickness 50nm made of Mg-doped AlGaN, 506 are Mg-doped GaN (Mg concentration of about 1 × 10 20 thickness 150 nm p-type GaN contact layer made of cm -3), P501 n-side electrode formed by laminating an Au layer having a thickness of 300nm on the Ti layer having a thickness of 30 nm, a film thickness made of Al (aluminum) is P502 40nm current diffusion layer, P503 is translucent electrode layer having a thickness 100nm made of ITO, P505, the thickness 0nmのTi層の上に膜厚300nmのAu層を積層したp側のボンディング用パッド電極、P506はAlからなる膜厚40nmの電流阻止層である。 p-side bonding pad electrode formed by laminating an Au layer having a thickness of 300nm on the Ti layer of 0 nm, P506 is a current blocking layer having a thickness of 40nm made of Al.

GaN系LED500の特徴的な構成は、p型GaNコンタクト層506の表面に形成された、Alからなる電流拡散層P502と、それを覆って形成された、ITOからなる透光性電極層P503である。 Characteristic configuration of the GaN-based LED500 is formed on the surface of the p-type GaN contact layer 506, a current diffusion layer P502 consisting of Al, formed over it, a translucent electrode layer P503 made of ITO is there.
Alは10 −6 Ωcmのオーダーの抵抗率を有するのに対し、ITOの抵抗率は10 −4 Ωcmのオーダーであるから、電流拡散層P502は透光性電極層P503の電流拡散を十分に補うことができる。 Al whereas has a resistivity of the order of 10 -6 [Omega] cm, because the resistivity of the ITO is of the order of 10 -4 [Omega] cm, the current spreading layer P502 compensate sufficiently current diffusion of the light-transmitting electrode layer P503 be able to.
また、Alはp型の窒化物半導体と良好なオーミック性接触を形成しないことが知られており、p型窒化物半導体用のオーミック電極の材料にも用いられるITOやZnOなどの導電性金属酸化物と比べ、p型窒化物半導体との接触抵抗が大きい。 Further, Al is p-type nitride are known not to the semiconductor and form a good ohmic contact, a conductive metal oxide such as ITO or ZnO to be used for the material of the ohmic electrode for p-type nitride semiconductor compared with objects, a large contact resistance between the p-type nitride semiconductor. 従って、p型GaNコンタクト層506に供給される電流は、透光性電極層P503とp型GaNコンタクト層506との界面を横切る経路に集中し、電流拡散層P502とp型GaNコンタクト層506との界面を横切って流れる電流は僅かとなる。 Accordingly, the current supplied to the p-type GaN contact layer 506 is focused on the path across the interface between the translucent electrode layer P503 and the p-type GaN contact layer 506, a current diffusion layer P502 and the p-type GaN contact layer 506 It is to just the current flowing across the interface. 従って、InGaN発光層504において発光が生じるのは、実質的に、p型GaNコンタクト層106と透光性電極層P503とが界面を形成する領域の、射影領域のみとなる。 Therefore, the emission in the InGaN light-emitting layer 504 occurs is substantially in the region where the p-type GaN contact layer 106 and the transparent electrode layer P503 to form an interface, a projection area only. 該領域で発生する光は、該領域の直上に電流拡散層P502が存在しないために、透光性電極層P503を通して効率良く素子外に取り出される。 Light generated in the region, since the current spreading layer P502 directly above the region does not exist, is retrieved efficiently outside the element through the light-transmitting electrode layer P503.

Alは、光反射性に優れていること、導電率が高いこと、化学的に安定であることから、p型GaNコンタクト層506上に形成する電流拡散層P502の材料として最適である。 Al, it has excellent light reflectivity, it has high conductivity, since it is chemically stable, is optimal as a material for the current diffusion layer P502 to be formed on the p-type GaN contact layer 506.
電極の熱処理工程や、素子表面にパッシベーション膜を形成する工程における熱変形を抑制するために、AlにSi(ケイ素)、Ti(チタン)、Cu(銅)、Nd(ネオジム)等の元素を添加して耐熱性を向上させたAl合金を用いることもできる。 Added and heat treatment process of the electrodes, in order to suppress thermal deformation in the step of forming a passivation film on the device surface, Si (silicon) in Al, Ti (titanium), Cu (copper), the element such as Nd (neodymium) it is also possible to use an Al alloy with improved heat resistance and. なお、Al合金膜は、合金スパッタリングや多元蒸着などによる他、Al単体からなる層と、添加しようとする金属元素からなる層を積層した多層膜を形成し、Alの融点以下の温度で熱処理を行うことによっても、得ることができる。 Incidentally, Al alloy film, the other due to alloy sputtering or multi-source deposition, a layer of Al alone, a layer made of a metal element to be added multilayer film is formed by stacking, the heat treatment at a temperature below the melting point of Al also by performing, it can be obtained.

GaN系LED500では、図7に示すように、電流拡散層P502を格子状パターンに形成し、その一部に連続した電流素子層P506を設けている。 In GaN-based LED 500, as shown in FIG. 7, the current spreading layer P502 formed in a grid pattern, it is provided a current element layer P506 continuous in a part thereof. これは、電流拡散層P502のパターンの一例であり、本第2の実施形態においても、電流拡散層を、前記第1の実施形態の説明中で例示した各種のパターンに形成することができる。 This is an example of a pattern of the current diffusion layer P502, also in the second embodiment, it is possible to form the current spreading layer, a variety of patterns as examples in the description of the first embodiment.

透光性電極層の材料としては、ITOの他に、ZnO、SnO などの導電性金属酸化物を用いることもできる。 As the material of the light-transmitting electrode layer, in addition to ITO, ZnO, it can also be used a conductive metal oxide such as SnO 2.
導電性金属酸化物とp型窒化物半導体との接触抵抗を低減するために、次の方法を用いてもよい。 In order to reduce the contact resistance of the conductive metal oxide and the p-type nitride semiconductor may be used the following methods.
(a)導電性金属酸化物に、p型窒化物半導体にドープされたp型不純物と同じp型不純物をドープする。 (A) a conductive metal oxide is doped with the same p-type impurity and p-type impurity doped in p-type nitride semiconductor. 詳細は、特開2004−179365号公報(特許文献4)などを参照することができる。 Details can be referred to, such as JP-2004-179365 (Patent Document 4).
(b)p型窒化物半導体層の表面に、一層目として、スパッタリング法以外の方法、例えば、真空蒸着法、レーザーアブレーション法、ゾルゲル法などによって、膜厚100オングストローム以上の導電性金属酸化物層を形成し、その後、厚膜化する。 (B) on the surface of the p-type nitride semiconductor layer, a first layer, a method other than sputtering, for example, a vacuum deposition method, a laser ablation method, the sol-gel method, or the thickness 100 Å of the conductive metal oxide layer It is formed and then thickened. 詳細は、前記特許文献3などを参照することができる。 Details and the like can be referred to the Patent Document 3.
(c)導電性金属酸化物がZnOの場合に、Ga(ガリウム)またはB(ホウ素)をドープする。 (C) a conductive metal oxide in the case of ZnO, doped with Ga (gallium) or B (boron). 詳細は、特開2004−266258号公報(特許文献5)などを参照することができる。 Details can be referred to, such as JP-2004-266258 (Patent Document 5).

透光性電極層として、光透過性が生じる厚さに形成した金属膜を用いることもできる。 As the light-transmitting electrode layer may be a metal film formed in a thickness of optical transparency occurs.
p型の窒化物半導体は大きな仕事関数(p型GaNで約7eVといわれる)を有するために、どのような金属を電極に用いた場合も、接合部にショットキー型の障壁が形成される。 p-type nitride semiconductor is to have a large work function (referred to as p-type GaN at about 7 eV), even when using any metal in the electrode, a Schottky barrier is formed at the junction. 従って、電極材料とする金属の仕事関数が大きい程、障壁の高さが低くなり、接触抵抗が低くなる。 Therefore, the larger the work function of the metal to the electrode material, the lower the height of the barrier, the contact resistance is lowered.
そこで、Alよりも仕事関数の大きな金属で透光性電極層P503を形成すれば、電流拡散層P502とp型GaNコンタクト層506との接触抵抗を、透光性電極層P503とp型GaNコンタクト層506との接触抵抗よりも大きくすることができる。 Therefore, by forming the light-transmitting electrode layer P503 with a large work function metal than Al, the contact resistance between the current diffusion layer P502 and the p-type GaN contact layer 506, p-type GaN contact and the transparent electrode layer P503 it can be larger than the contact resistance between the layer 506. そのような金属として、Ni、Pd、Rh、Au(金)、Ir(イリジウム)、Pt等、およびこれらの合金が、好適に用い得る。 As such metal, Ni, Pd, Rh, Au (gold), Ir (iridium), Pt, etc., and their alloys, can be suitably used. これらの金属は、p型窒化物半導体用のオーミック電極に用い得ることが知られているものであり、中でも、Ni−Au系の薄膜は、低接触抵抗の光透過性電極として汎用されている。 These metals are those that are known to be used for the ohmic electrode for p-type nitride semiconductor, inter alia, a thin film of Ni-Au system, it is widely used as a light-transmitting electrode of low contact resistance .

以上、本発明の第1の実施形態および第2の実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。 Having described the first embodiment and the second embodiment of the present invention, the present invention is not limited to these embodiments, various modifications without departing from the scope of the present invention possible it is.

上記第1の実施形態として、トンネル接合構造を含むGaN系LEDを例に、n型窒化物半導体層上に電流拡散層および透光性電極層を形成する態様を説明したが、この態様は、トンネル接合構造を含むGaN系LEDに限定されるものではない。 Above for the first embodiment, as an example a GaN-based LED including a tunnel junction structure has been described manner to form a current diffusion layer and the translucent electrode layer to the n-type nitride semiconductor layer, this embodiment, It is not limited to GaN-based LED including a tunnel junction structure.
特開2004−6991号公報(特許文献6)には、サファイア基板上に、窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層を順に積層した積層体を形成した後、p型層の表面にオーミック電極を介して、別途用意した導電性の支持基板を接合し、続いて、研磨やレーザリフトオフによってサファイア基板を除去してn型層を露出させ、露出させたn型層の表面にn側電極を形成するGaN系LEDの製造方法が記載されている。 The JP 2004-6991 (Patent Document 6), on a sapphire substrate, n-type layer made of nitride semiconductor, light emitting layer, after forming the laminated body obtained by laminating a p-type layer in this order, the p-type layer through the ohmic electrodes on the surface, and bonding the conductive support substrate which is separately prepared, followed by removing the sapphire substrate to expose the n-type layer by polishing or laser lift-off, the surface of the n-type layer exposed method of manufacturing a GaN-based LED to form the n-side electrode has been described. この方法で製造されるGaN系LEDは、支持基板上に接合形成された積層体の最上層がn型窒化物半導体層となるので、その表面に、上記第1の実施形態と同様の、電流拡散層および透明電極層を形成することができる。 GaN-based LED is manufactured in this way, since the uppermost layer of the junction formed laminate on a supporting substrate is n-type nitride semiconductor layer, on its surface, similar to the above first embodiment, the current it is possible to form the diffusion layer and the transparent electrode layer.

ところで、特許文献6の方法では、発光層の成長を行う前にn型層を成長するので、n型層の成長時に発光層が劣化するという問題が無く、n型層を任意の厚さに成長することができる。 Incidentally, in the method of Patent Document 6, since the growth of the n-type layer before performing the growth of the light-emitting layer, there is no problem that the light emitting layer during the growth of the n-type layer is deteriorated, the n-type layer to an arbitrary thickness it can be grown. そして、n型層は、電子濃度が1×10 18 cm −3以上となるようにn型不純物をドープし、かつ、膜厚を1μm以上に形成すれば、シート抵抗がかなり低くなり、横方向の電流拡散性が良好となる。 Then, n-type layer is doped with an n-type impurity so that the electron concentration becomes 1 × 10 18 cm -3 or more, and, by forming the thickness of more than 1 [mu] m, the sheet resistance becomes considerably low, lateral current diffusion property becomes good. そのために、n型層を厚くし、かつ、電子濃度が十分高くなる濃度に不純物をドープすることが行われているが、一方で、n型層を厚く形成すると、製造効率が低下するという問題があり、また、不純物の濃度を高くすると、当該n型層や、その上に成長する発光層、p型層の結晶性が低下し、発光効率の低下やリーク電流の増加という問題が現れる。 Therefore, thickening the n-type layer, and the electron density is being performed to dope the impurity to a concentration high enough, on the other hand, when forming a thick n-type layer, a problem that the production efficiency decreases There is, also, increasing the concentration of impurities, and the n-type layer, light emitting layer grown thereon, reduces the crystallinity of the p-type layer, appears a problem that an increase and a decrease in leakage current of the light emitting efficiency.
これに対して、透光性電極層と、金属からなる電流拡散層とを複合化した電極を用いれば、電極によって横方向の電流拡散が達成されるので、n型層を薄くすることができ、また、n型不純物のドープ量を少なくすることができる。 In contrast, using a light-transmitting electrode layer, the complexed electrode and a current diffusion layer made of a metal, since lateral current spreading is achieved by the electrode, it is possible to thin the n-type layer in addition, it is possible to reduce the doping amount of n-type impurity. そして、このような電極を用いたとき、透光性電極層とn型層との接触抵抗を、電流拡散層とn型層との接触抵抗より高くするという、本発明の構成が、好ましく用い得る。 Then, when using such an electrode, the contact resistance between the transparent electrode layer and the n-type layer, that higher than the contact resistance between the current diffusion layer and the n-type layer, the configuration of the present invention, preferably used obtain.
すなわち、本発明は、結晶成長用基板が除去され、支持基板上に、n型層が最上層となるように、積層体が接合形成されたGaN系LEDにおいて、該n型層の膜厚を1μm未満、特に500nm未満とするときに、好適に用いることができ、また、該n型層の電子濃度を1×10 18 cm −3未満、特に1×10 17 cm −3未満とするときに、好適に用いることができる。 That is, the present invention provides crystal growth substrate is removed, on a supporting substrate, so that the n-type layer is the top layer, the GaN-based LED which the laminate is bonded form, the thickness of the n-type layer less than 1 [mu] m, especially when less than 500 nm, preferably it can be used, also, the n-type layer less than 1 × 10 18 cm -3 the concentration of electrons, when a particular less than 1 × 10 17 cm -3 , it can be suitably used.

本発明のGaN系LEDに含まれる基板は、窒化物半導体層の成長に用いられた基板である必要はなく、該成長に用いられた基板が、工程中に研磨、レーザリフトオフ等により除去された後、接合された支持基板であってもよい。 Substrate included in the GaN-based LED of the present invention need not be a substrate used for the growth of nitride semiconductor layers, substrate used in the growth is polished during the process, which is removed by laser lift-off, etc. after, or it may be bonded support substrate.
窒化物半導体層の成長には、サファイア基板の他に、SiC、GaN、AlN、Si、スピネル、ZnO、GaAs、NGO、LGO等からなる基板を用いることができる。 The growth of the nitride semiconductor layer can be used in addition to the sapphire substrate, SiC, GaN, AlN, Si, spinel, ZnO, GaAs, NGOs, the substrate made of LGO or the like.
窒化物半導体からなる積層体を形成した後、支持基板を接合する場合、該支持基板は、導電性、熱伝導性、熱膨張係数、へき開性などの観点から、目的に応じて望ましいものを適宜選択することができる。 After forming the stack of the nitride semiconductor, when bonding the support substrate, the support substrate is electrically conductive, thermally conductive, thermal expansion coefficient, from the viewpoint of cleavage of the desirable depending on the intended purpose as appropriate it can be selected. また、支持基板は、積層体の表面に、メッキ、気相成長などの方法で成長させた、厚膜金属層であってもよい。 The supporting substrate, the surface of the laminate plating, grown by a method such as vapor deposition, may be a thick metal layer.

透光性電極層として導電性金属酸化物を用いる場合であるが、ITO、ZnO等の製膜は、真空蒸着法やスパッタリング法のような物理的手法であれば150℃〜300℃、CVDやスプレー法のような化学的手法でも350℃〜500℃という、窒化物半導体の結晶成長と比べると、かなり低い基板温度で行うことができる。 Is a case of using a conductive metal oxide as a transparent electrode layer is, ITO, film of ZnO or the like, if physical techniques such as vacuum deposition or sputtering 0.99 ° C. to 300 ° C., CVD Ya that even 350 ° C. to 500 ° C. by chemical techniques such as spraying, as compared with the crystal growth of a nitride semiconductor can be conducted at a much lower substrate temperature. 従って、InGaN発光層に大きな熱ダメージを与えることなく、比較的厚い膜を形成することができる。 Therefore, without providing a large thermal damage to the InGaN light-emitting layer, it is possible to form a relatively thick film. そこで、透光性電極層を予め厚めに形成し、その後、エッチングなどの方法で、該透光性電極層中における発光波長の1/4以上の深さを有する凹部を表面に形成することにより、透光性電極層の表面を光散乱性とすることができる。 Accordingly, it formed in advance thick translucent electrode layer, then, by a method such as etching, a recess having a quarter or more of the depth of the emission wavelength in the light-transmitting electrode layer by forming on the surface it can be a light-scattering surface of the light-transmitting electrode layer. 透光性電極層の表面を光散乱性にすると、InGaN発光層で発生する光が該表面で散乱・回折されて、素子外部に取り出され易くなるため、LEDの光取り出し効率を改善することができる。 When the surface of the transparent electrode layer to the light scattering property, light generated in the InGaN light-emitting layer is scattered and diffracted by the surface, to become easily extracted to the outside of the element, to improve the LED light extraction efficiency it can.

基板上に形成される、窒化物半導体からなる積層体は、発光可能なpn接合ダイオード構造を含むものであればよく、従来公知の技術を参照して、上記第1の実施形態、第2の実施形態として例示した構造に、追加や省略を行ったり、各窒化物半導体層の厚さ、組成、バンドギャップ、不純物の種類、キャリア濃度等に、種々の変形を加えることができる。 Is formed on the substrate, the laminate made of nitride semiconductor may be any one containing the light-emitting possible pn junction diode structure, and conventionally refer to known techniques, the first embodiment, the second in the structure exemplified as an embodiment, or add and omitted, the thickness of each nitride semiconductor layer, the composition, band gap, the type of impurity, the carrier concentration and the like, it is possible to add various modifications.

本発明の第1の実施形態に係るGaN系LEDを示す平面図である。 It is a plan view showing a GaN-based LED according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係るGaN系LEDを示し、図1のA−B線における断面図である。 It shows the GaN-based LED according to the first embodiment of the present invention, is a cross-sectional view taken along line A-B in FIG. 本発明の第1の実施形態に係るGaN系LEDを示し、図1のC−D線における断面図である。 It shows the GaN-based LED according to the first embodiment of the present invention, is a cross-sectional view taken along line C-D in FIG. 本発明の第1の実施形態に係るGaN系LEDを示す平面図である。 It is a plan view showing a GaN-based LED according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係るGaN系LEDを示す平面図である。 It is a plan view showing a GaN-based LED according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係るGaN系LEDを示す平面図である。 It is a plan view showing a GaN-based LED according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係るGaN系LEDを示す平面図である。 It is a plan view showing a GaN-based LED according to the second embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係るGaN系LEDを示し、図7のE−F線における断面図である。 It shows the GaN-based LED according to the second embodiment of the present invention, is a cross-sectional view taken along E-F line in FIG. 従来のGaN系LEDを示す断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating a conventional GaN-based LED.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

101 サファイア基板 102 低温成長バッファ層 103 n型GaNクラッド層 104 InGaN発光層 105 p型AlGaNクラッド層 106 高ドープp型GaN層 107 n型GaNコンタクト層 P101 n側電極 P102 電流拡散層 P103 透光性電極層 P104 n側のボンディング用パッド電極 P105 p側のボンディング用パッド電極 P106 電流阻止層 101 sapphire substrate 102 low-temperature growth buffer layer 103 n-type GaN clad layer 104 InGaN light-emitting layer 105 p-type AlGaN cladding layer 106 highly doped p-type GaN layer 107 n-type GaN contact layer P101 n-side electrode P102 current spreading layer P103 translucent electrode layers P104 n-side bonding pad electrode P105 p-side bonding pad electrode P106 current blocking layer of the

Claims (10)

  1. 基板と、 And the substrate,
    上記基板の上に形成された、n型層およびp型層を含む複数の窒化物半導体層からなる積層体と、 Formed on the substrate, a laminated body including a plurality of nitride semiconductor layers including an n-type layer and a p-type layer,
    上記積層体の上面に部分的に形成された、金属からなる電流拡散層と、 Partially formed on the upper surface of the laminated body, and the current diffusion layer made of a metal,
    上記電流拡散層が形成されていない領域に露出した上記積層体の上面に、上記電流拡散層と電気的に接続されるように形成された透光性電極層とを有し、 On the top surface of the laminate exposed to the area where the current diffusion layer is not formed, and a translucent electrode layer formed so as to be above the current diffusion layer and electrically connected,
    上記積層体と上記電流拡散層との界面の接触抵抗が、上記積層体と上記透光性電極層との界面の接触抵抗よりも大きいことを特徴とする発光ダイオード。 Light emitting diode contact resistance of the interface between the laminate and the current diffusion layer, being larger than the contact resistance of the interface between the laminate and the transparent electrode layer.
  2. 上記積層体の最上層がn型窒化物半導体からなり、上記電流拡散層がAg、Rh、PdまたはPtからなり、かつ、上記透光性電極層が導電性金属酸化物からなる、請求項1に記載の発光ダイオード。 The uppermost layer of the laminate is made of n-type nitride semiconductor, the current diffusion layer is Ag, Rh, Pd, or Pt, and the translucent electrode layer is made of a conductive metal oxide, according to claim 1 light-emitting diode according to.
  3. トンネル接合構造を有する、請求項2に記載の発光ダイオード。 Having a tunnel junction structure, the light emitting diode of claim 2.
  4. 上記最上層が、膜厚1μm未満のn型窒化物半導体層であるか、または、電子濃度1×10 18 cm −3未満のn型窒化物半導体層である、請求項2に記載の発光ダイオード。 The top layer is either an n-type nitride semiconductor layer of less than the thickness 1 [mu] m, or an n-type nitride semiconductor layer of less than electron concentration 1 × 10 18 cm -3, the light emitting diode according to claim 2 .
  5. 上記積層体の最上層がp型窒化物半導体からなり、上記電流拡散層がAlからなり、かつ、上記透光性電極層が導電性金属酸化物からなる、請求項1に記載の発光ダイオード。 The uppermost layer of the laminate is made of p-type nitride semiconductor, it the current diffusion layer is from Al, and the translucent electrode layer is made of a conductive metal oxide, the light emitting diode according to claim 1.
  6. 上記積層体の最上層がp型窒化物半導体からなり、上記電流拡散層がAlからなり、かつ、上記透光性電極層がAlよりも仕事関数の大きな金属からなる、請求項1に記載の発光ダイオード。 The uppermost layer of the laminate is made of p-type nitride semiconductor, the current diffusion layer is made of Al, and the translucent electrode layer is made of a large metal work function than Al, as defined in claim 1 light-emitting diode.
  7. 上記透光性電極層が、Ni、Pd、Rh、Au、IrまたはPtからなる、請求項6に記載の発光ダイオード。 The translucent electrode layer is composed of Ni, Pd, Rh, Au, Ir, or Pt, light emitting diode according to claim 6.
  8. 上記導電性金属酸化物からなる透光性電極層の厚さが200nm以下である、請求項2〜5のいずれかに記載の発光ダイオード。 The thickness of the conductive metal oxide made of a transparent electrode layer is 200nm or less, the light emitting diode according to any one of claims 2-5.
  9. 上記透光性電極層が上記電流拡散層の上を覆って形成され、それによって、上記電流拡散層が形成されていない領域に露出した上記積層体の上面に、上記透光性電極層が形成された構成となっている、請求項1〜8のいずれかに記載の発光ダイオード。 The translucent electrode layer is formed to cover the top of the current diffusion layer, whereby the upper surface of the laminate exposed to the area where the current diffusion layer is not formed, the light-transmitting electrode layer is formed has a configurations, the light emitting diode according to claim 1.
  10. 更に、上記透光性電極層の上に形成されたボンディング用のパッド電極と、少なくともその一部が上記パッド電極の射影領域内に入るように、上記積層体の上面に形成された電流阻止層とを有し、上記電流阻止層は、上記電流拡散層と同じ材料からなるとともに、上記電流拡散層と実質的に同じ膜厚を有し、かつ、上記積層体の上面における、上記パッド電極の射影領域の50%以上が、上記電流阻止層により覆われている、請求項1〜9のいずれかに記載の発光ダイオード。 Furthermore, a pad electrode for bonding is formed on the translucent electrode layer at least partially to fall within the projection area of ​​the pad electrode, a current blocking layer formed on the upper surface of the laminate has the door, the current blocking layer, as well as made of the same material as the current diffusion layer has substantially the same thickness as the current diffusion layer, and the upper surface of the laminate, the pad electrode 50% or more of the projection area is covered by the current blocking layer, the light emitting diode according to any one of claims 1 to 9.
JP2004342875A 2004-11-26 2004-11-26 Light emitting diode Pending JP2006156590A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004342875A JP2006156590A (en) 2004-11-26 2004-11-26 Light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004342875A JP2006156590A (en) 2004-11-26 2004-11-26 Light emitting diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006156590A true true JP2006156590A (en) 2006-06-15

Family

ID=36634500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004342875A Pending JP2006156590A (en) 2004-11-26 2004-11-26 Light emitting diode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006156590A (en)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100833309B1 (en) * 2006-04-04 2008-05-28 삼성전기주식회사 Nitride semiconductor light emitting device
JP2008192710A (en) * 2007-02-01 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting element
JP2008244161A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Toyoda Gosei Co Ltd Method for forming electrode of group iii nitride-based compound semiconductor light-emitting element
WO2009057311A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device using the same
JP2009206449A (en) * 2008-02-29 2009-09-10 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Semiconductor element
JP2010504640A (en) * 2006-09-25 2010-02-12 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド Light emitting diode having an electrode extension for current dispersion
JP2010512662A (en) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニアThe Regents of The University of California Transparent light-emitting diode
JP2010512660A (en) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニアThe Regents of The University of California Nonpolar and semipolar emitting devices
JP2010123742A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Showa Denko Kk Light emitting diode and method of manufacturing the same, and lamp
WO2010146808A1 (en) * 2009-06-18 2010-12-23 パナソニック株式会社 Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting diode
JP2011049322A (en) * 2009-08-26 2011-03-10 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same
JP2011151346A (en) * 2009-12-24 2011-08-04 Stanley Electric Co Ltd Face-up optical semiconductor device
CN102169942A (en) * 2010-02-26 2011-08-31 丰田合成株式会社 Semiconductor light-emitting element
WO2012005252A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 昭和電工株式会社 Semiconductor light emitting element, lamp, electronic device, and machine
US8110847B2 (en) 2007-01-03 2012-02-07 Samsung Led Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting diode
US8120057B2 (en) 2007-02-01 2012-02-21 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
JP2012138465A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Showa Denko Kk Group-iii nitride semiconductor light-emitting element manufacturing method, group-iii nitride semiconductor light-emitting element, lamp, electronic apparatus and machinery
JP2012156555A (en) * 2007-09-14 2012-08-16 Sharp Corp Nitride semiconductor light emitting element
KR101464282B1 (en) * 2008-04-18 2014-11-21 에피스타 코포레이션 Semiconductor device
US8956896B2 (en) 2006-12-11 2015-02-17 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US9553240B2 (en) 2014-09-30 2017-01-24 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting element

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256602A (en) * 1997-03-12 1998-09-25 Sharp Corp Semiconductor light emitting device
JP2001156333A (en) * 1999-11-30 2001-06-08 Showa Denko Kk AlGaInP LIGHT EMITTING DIODE
JP2003060236A (en) * 2001-05-30 2003-02-28 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Light-emitting diode having insulating substrate
JP2004172189A (en) * 2002-11-18 2004-06-17 Nitride Semiconductor Co Ltd Nitride semiconductor device and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256602A (en) * 1997-03-12 1998-09-25 Sharp Corp Semiconductor light emitting device
JP2001156333A (en) * 1999-11-30 2001-06-08 Showa Denko Kk AlGaInP LIGHT EMITTING DIODE
JP2003060236A (en) * 2001-05-30 2003-02-28 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Light-emitting diode having insulating substrate
JP2004172189A (en) * 2002-11-18 2004-06-17 Nitride Semiconductor Co Ltd Nitride semiconductor device and its manufacturing method

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100833309B1 (en) * 2006-04-04 2008-05-28 삼성전기주식회사 Nitride semiconductor light emitting device
JP2010504640A (en) * 2006-09-25 2010-02-12 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド Light emitting diode having an electrode extension for current dispersion
US9130119B2 (en) 2006-12-11 2015-09-08 The Regents Of The University Of California Non-polar and semi-polar light emitting devices
US8956896B2 (en) 2006-12-11 2015-02-17 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US8835959B2 (en) 2006-12-11 2014-09-16 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
JP2010512660A (en) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニアThe Regents of The University of California Nonpolar and semipolar emitting devices
JP2010512662A (en) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニアThe Regents of The University of California Transparent light-emitting diode
US8110847B2 (en) 2007-01-03 2012-02-07 Samsung Led Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting diode
KR101332053B1 (en) 2007-02-01 2013-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 Semiconductor light emitting element
US8120057B2 (en) 2007-02-01 2012-02-21 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
JP2008192710A (en) * 2007-02-01 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting element
JP2008244161A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Toyoda Gosei Co Ltd Method for forming electrode of group iii nitride-based compound semiconductor light-emitting element
JP2012156555A (en) * 2007-09-14 2012-08-16 Sharp Corp Nitride semiconductor light emitting element
WO2009057311A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device using the same
US8309975B2 (en) 2007-11-01 2012-11-13 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device using the same
WO2009057241A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device using the same
JPWO2009057311A1 (en) * 2007-11-01 2011-03-10 パナソニック株式会社 The semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device using the same
JP2009206449A (en) * 2008-02-29 2009-09-10 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Semiconductor element
KR101464282B1 (en) * 2008-04-18 2014-11-21 에피스타 코포레이션 Semiconductor device
JP2010123742A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Showa Denko Kk Light emitting diode and method of manufacturing the same, and lamp
JPWO2010146808A1 (en) * 2009-06-18 2012-11-29 パナソニック株式会社 The gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting diode
WO2010146808A1 (en) * 2009-06-18 2010-12-23 パナソニック株式会社 Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting diode
US8791498B2 (en) 2009-08-26 2014-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2011049322A (en) * 2009-08-26 2011-03-10 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same
JP2011151346A (en) * 2009-12-24 2011-08-04 Stanley Electric Co Ltd Face-up optical semiconductor device
US8274070B2 (en) 2010-02-26 2012-09-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element including an auxiliary electrode
JP2011181597A (en) * 2010-02-26 2011-09-15 Toyoda Gosei Co Ltd Semiconductor light emitting element
CN102169942A (en) * 2010-02-26 2011-08-31 丰田合成株式会社 Semiconductor light-emitting element
WO2012005252A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 昭和電工株式会社 Semiconductor light emitting element, lamp, electronic device, and machine
US8835966B2 (en) 2010-07-09 2014-09-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine
JP2012138465A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Showa Denko Kk Group-iii nitride semiconductor light-emitting element manufacturing method, group-iii nitride semiconductor light-emitting element, lamp, electronic apparatus and machinery
US9553240B2 (en) 2014-09-30 2017-01-24 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5977566A (en) Compound semiconductor light emitter
US20090072262A1 (en) (Al,In,Ga,B)N DEVICE STRUCTURES ON A PATTERNED SUBSTRATE
US6921928B2 (en) Nitride semiconductor element
US20040182914A1 (en) Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact
US20050269588A1 (en) Flip chip type nitride semiconductor light-emitting diode
US20050199904A1 (en) Light emitting device of III-V group compound semiconductor and fabrication method therefor
US20040089868A1 (en) Gallium nitride based compound semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor
US20090078951A1 (en) Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device
US6693352B1 (en) Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same
US20080258174A1 (en) Optical Device and Method of Fabricating the Same
US7291865B2 (en) Light-emitting semiconductor device
US20080048172A1 (en) Gallium Nitride-Based Compound Semiconductor Light-Emitting Device
US20050199888A1 (en) Top-emitting nitride-based light-emitting device and method of manufacturing the same
US20050199895A1 (en) Nitride-based light-emitting device and method of manufacturing the same
US20040201110A1 (en) Flip-chip light emitting diode with indium-tin-oxide based reflecting contacts
US20070200122A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
WO2005050748A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2006066903A (en) Positive electrode for semiconductor light-emitting element
JP2006135311A (en) Light-emitting diode using nitride semiconductor
US20040077135A1 (en) Light-emitting diode device geometry
Pan et al. Enhanced output power of InGaN-GaN light-emitting diodes with high-transparency nickel-oxide-indium-tin-oxide ohmic contacts
JP2007194536A (en) Light emitting diode and manufacturing method thereof
JP2005033197A (en) Nitride semiconductor device
JP2006128227A (en) Nitride semiconductor light emitting element
US20070034857A1 (en) Nitride-based white light emitting device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070928

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080401

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20090610

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100506

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100714

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100907