JP2006156122A - Plasma treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、プロセスガスを放電空間に通して基材に当て、基材のプラズマ表面処理を行なう装置に関する。 The present invention relates to an apparatus that applies a process gas to a substrate through a discharge space to perform plasma surface treatment of the substrate.
この種のプラズマ処理装置には、例えば平行平板型の一対の電極が備えられている。これら電極の間に電界を印加して放電空間を形成するとともに、そこにプロセスガスを導入してプラズマ化する。このプラズマ化したプロセスガスを基材に当て、洗浄、表面改質、成膜、エッチング等の表面処理を行なう。
平行平板型の電極においては、クーロン力や、電極と固体誘電体との熱膨張率差や電極内部の温度差による熱応力によって、反りが発生しやすい。そうすると、電極間隔が部分的に狭まってその部分でプロセスガスが流れにくくなり、処理の均一性が損なわれてしまう。 In a parallel plate type electrode, warping is likely to occur due to Coulomb force, thermal expansion coefficient difference between the electrode and the solid dielectric, and thermal stress due to temperature difference inside the electrode. If it does so, an electrode space | interval will partially narrow, it will become difficult to flow process gas in the part, and the uniformity of a process will be impaired.
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、
プロセスガスを放電空間に通して基材に当てるプラズマ処理装置において、
互いに並んで一方向に延び、間に前記放電空間を形成する一対の電極と、
前記放電空間の上流端に連なるプロセスガス導入口を有する導入口形成部と、を備え、
前記導入口形成部には、放電空間へのプロセスガスの流れを前記一方向(電極延び方向)の所定位置または該所定位置を含む所定部分に偏らせる偏流手段を設けたことを特徴とする。
これによって、所定部分における電極間隔が狭くなっても、ガス流量を確保して処理抜けを防止でき、処理の均一性を確保することができる。
ここで、前記所定部分は、電極間隔が狭くなる傾向が高い部分(例えば前記一方向の中央部分)であることが好ましく、前記所定位置は、前記所定部分の中でも電極間隔が最も狭くなる傾向が高い箇所、例えば前記一方向のちょうど中心位置であることが好ましい。
The present invention has been made to solve the above problems,
In a plasma processing apparatus that applies process gas to a substrate through a discharge space,
A pair of electrodes extending in one direction alongside each other and forming the discharge space therebetween;
An inlet forming part having a process gas inlet connected to the upstream end of the discharge space,
The introduction port forming part is provided with a drifting means for biasing the flow of the process gas to the discharge space toward a predetermined position in the one direction (electrode extending direction) or a predetermined portion including the predetermined position.
As a result, even when the electrode interval in the predetermined portion is narrowed, the gas flow rate can be secured to prevent the processing from being lost, and the uniformity of the processing can be secured.
Here, the predetermined portion is preferably a portion (for example, the central portion in one direction) where the electrode interval tends to be narrow, and the predetermined position tends to have the smallest electrode interval among the predetermined portions. It is preferable that it is a high place, for example, the exact center position in the one direction.
また、本発明は、
プロセスガスを放電空間に通して基材に当てるプラズマ処理装置において、
互いに並んで一方向に延び、間に前記放電空間を形成する一対の電極と、
前記放電空間の上流端に連なるプロセスガス導入口を有する導入口形成部と、を備え、
前記偏流手段として、前記導入口形成部の前記一方向の所定部分には、前記導入口の幅方向(前記電極の並び方向と同方向、前記一方向と直交する方向)に前進・後退可能な開口幅可変部材が設けられ、この開口幅可変部材の前進側の端面が、前記導入口に面して前記所定部分の導入口の内面を画成することを特徴とする。
これによって、所定部分における電極間隔が狭くなっても、開口幅可変部材の前進側の端面を、開口幅可変部材以外の部分の導入口の内面より引っ込ませることにより、導入口の所定部分における開口度を所定部分以外の部分より大きくでき、所定部分でのガス流量を確保して処理抜けを防止でき、処理の均一性を確保することができる。また、プロセスの投入電力量の違い等で電極間のクーロン力や電極の発熱量が変わり、電極の反り量が一定していない場合であっても、開口幅可変部材の引っ込み量を調節することにより、所定部分でのガス流量を確実に確保でき、処理の均一性を確実に確保することができる。
The present invention also provides:
In a plasma processing apparatus that applies process gas to a substrate through a discharge space,
A pair of electrodes extending in one direction alongside each other and forming the discharge space therebetween;
An inlet forming part having a process gas inlet connected to the upstream end of the discharge space,
As the drifting means, a predetermined portion in the one direction of the introduction port forming portion can be moved forward and backward in the width direction of the introduction port (the same direction as the arrangement direction of the electrodes and a direction perpendicular to the one direction). An opening width variable member is provided, and an end face on the advance side of the opening width variable member faces the introduction port and defines an inner surface of the introduction port of the predetermined portion.
Thereby, even if the electrode interval in the predetermined portion is narrowed, the opening at the predetermined portion of the introduction port is retracted from the inner surface of the introduction port of the portion other than the variable opening width member by retracting the forward end surface of the variable opening width member. The degree can be made larger than the portion other than the predetermined portion, the gas flow rate at the predetermined portion can be ensured to prevent the processing from being lost, and the processing uniformity can be ensured. Also, even if the coulomb force between the electrodes or the heat generation amount of the electrode changes due to the difference in the input power amount of the process, etc., the amount of retraction of the variable opening width member should be adjusted even when the amount of electrode warpage is not constant. As a result, the gas flow rate at the predetermined portion can be reliably ensured, and the uniformity of the processing can be reliably ensured.
前記開口幅可変部材または前記所定部分の前記一方向に沿う長さは、導入口の長さに比べ十分に小さいことが好ましい。前記開口幅可変部材は、前記導入口形成部の前記所定部分にだけ配置され、所定部分以外の部分に延び出ていないことが望ましい。
前記導入口形成部の前記所定部分には、前記開口幅可変部材を収容する凹部が形成されていることが望ましい。
前記導入口形成部の開口幅可変部材を挟んで導入口とは逆側(開口幅可変部材の背部すなわち後退側部)には、開口幅可変部材を前進方向へ押す押し部材と後退方向へ引く引き部材とが設けられていることが望ましい。
これによって、開口幅可変部材を確実に前進・後退させることができるとともに、適切な進退位置に位置決めした後は、押し部材の押し力と引き部材の引き力とによって開口幅可変部材を当該位置にしっかりと固定することができる。
The length along the one direction of the opening width variable member or the predetermined portion is preferably sufficiently smaller than the length of the introduction port. It is desirable that the opening width variable member is disposed only in the predetermined portion of the introduction port forming portion and does not extend to a portion other than the predetermined portion.
It is desirable that a concave portion for accommodating the opening width variable member is formed in the predetermined portion of the introduction port forming portion.
A push member that pushes the variable opening width member in the forward direction and a reverse direction is pulled on the opposite side of the introduction port forming portion from the variable opening width member (the back portion of the variable opening width member, that is, the backward side portion). It is desirable that a pulling member is provided.
As a result, the opening width variable member can be reliably moved forward and backward, and after being positioned at an appropriate forward and backward position, the opening width variable member is brought to the position by the pressing force of the pressing member and the pulling force of the pulling member. Can be fixed firmly.
前記開口幅可変部材に前記押し部材と引き部材が前記一方向に離間して配置されていることが望ましい。
これによって、開口幅可変部材全体を、前記一方向に対し傾けることも可能になる。
前記開口幅可変部材が、前記一方向に複数に分割されていてもよい。この場合、各開口幅可変部材が独立して前進・後退可能であることが好ましい。これによって、導入口の開口幅を各開口幅可変部材ごとに調節できる。
各開口幅可変部材に前記押し部材と引き部材が前記一方向に離間して配置されていてもよい。これによって、例えば、2つの開口幅可変部材どうしの境に向かって各開口幅可変部材が導入口から引っ込むように傾けることができる。
前記押し部材は、例えば雄ネジ部材にて構成され、開口幅可変部材の背部の導入口形成部に形成された雌ネジ孔にねじ込まれるとともに、開口幅可変部材の背面(後退側の端面)に突き当てられる。
前記引き部材は、例えば雄ネジ部材にて構成され、頭部が開口幅可変部材の背部の導入口形成部に引っ掛けられるとともに、脚部が、該導入口形成部に形成された貫通孔を貫通し、開口幅可変部材の背部(後退側の端部)に形成された雌ネジ孔にねじ込まれる。
It is desirable that the pressing member and the pulling member are disposed apart from each other in the one direction on the opening width variable member.
As a result, the entire variable opening width member can be tilted with respect to the one direction.
The opening width variable member may be divided into a plurality of parts in the one direction. In this case, it is preferable that each opening width variable member can be moved forward and backward independently. Thereby, the opening width of the inlet can be adjusted for each opening width variable member.
The pressing member and the pulling member may be arranged in each opening width variable member so as to be separated in the one direction. Accordingly, for example, each opening width variable member can be inclined so as to be retracted from the introduction port toward the boundary between the two opening width variable members.
The push member is formed of, for example, a male screw member, and is screwed into a female screw hole formed in the introduction port forming portion of the back portion of the opening width variable member, and on the back surface (reverse side end surface) of the opening width variable member. It is hit.
The pulling member is composed of, for example, a male screw member, and the head is hooked on the introduction port forming part of the back part of the variable opening width member, and the leg part penetrates the through hole formed in the introduction port forming part. Then, it is screwed into a female screw hole formed in the back portion (end portion on the receding side) of the opening width variable member.
前記開口幅可変部材の前進側の端面に、前記放電空間に向かうにしたがって所定位置へ傾く傾斜条が形成されていることが望ましい。
これによって、所定部分の中でも所定位置にプロセスガスがより多量に流れ込むようにすることができ、所定位置での処理抜けを確実に防止することができる。
傾斜条は、傾斜凸条(凸状の傾斜条)または傾斜溝(凹状の傾斜条)を含む。
少なくとも傾斜溝の溝底(内底面)が、開口幅可変部材以外の部分の導入口の内面より引っ込むように、開口幅可変部材の進退位置を調節することにより、導入口の幅を少なくとも傾斜溝のところで広くすることができ、プロセスガスを確実に流れ込みやすくすることができる。
It is desirable that an inclined strip which is inclined toward a predetermined position toward the discharge space is formed on the end surface on the forward side of the opening width variable member.
As a result, a larger amount of process gas can flow into a predetermined position in a predetermined portion, and processing omission at the predetermined position can be reliably prevented.
The inclined line includes an inclined protruding line (convex inclined line) or an inclined groove (concave inclined line).
By adjusting the advancing / retreating position of the opening width variable member so that at least the groove bottom (inner bottom surface) of the inclined groove is retracted from the inner surface of the introduction port other than the opening width variable member, the width of the introduction port is at least inclined groove. However, the process gas can be surely easily flowed.
また、本発明は、
プロセスガスを放電空間に通して基材に当てるプラズマ処理装置において、
互いに並んで一方向に延び、間に前記放電空間を形成する一対の電極と、
前記放電空間の上流端に連なるプロセスガス導入口を有する導入口形成部と、を備え、
前記偏流手段として、前記導入口の前記一方向の所定位置近くの内面には、前記放電空間に向かうにしたがって前記所定位置へ傾く傾斜条が形成されていることを特徴とする。
これによって、プロセスガスが所定位置により多量に流れ込むようにすることができ、所定位置での処理抜けを確実に防止することができる。
ここで、前記所定位置近くの部分とは、前記所定部分に略相当する。
The present invention also provides:
In a plasma processing apparatus that applies process gas to a substrate through a discharge space,
A pair of electrodes extending in one direction alongside each other and forming the discharge space therebetween;
An inlet forming part having a process gas inlet connected to the upstream end of the discharge space,
As the drifting means, on the inner surface near the predetermined position in the one direction of the introduction port, an inclined strip that is inclined toward the predetermined position toward the discharge space is formed.
As a result, a large amount of process gas can flow into the predetermined position, and the processing omission at the predetermined position can be reliably prevented.
Here, the portion near the predetermined position substantially corresponds to the predetermined portion.
前記傾斜条が、前記所定位置の近くの第1位置と、この第1位置より前記所定位置に近い第2位置とにそれぞれ設けられており、前記第2位置の傾斜条が、前記第1位置の傾斜条より大きく傾斜していることが望ましい。
これによって、所定位置から相対的に遠い第1位置では、プロセスガスの偏りを小さくでき、中心位置の周辺での処理抜けも確実に防止でき、全体的な処理の均一性を確実に確保できる。
The inclined strips are respectively provided at a first position near the predetermined position and a second position closer to the predetermined position than the first position, and the inclined strip at the second position is the first position. It is desirable that the slope is larger than the slope.
As a result, at the first position relatively far from the predetermined position, it is possible to reduce the process gas bias, reliably prevent the processing from being lost around the center position, and ensure the uniformity of the overall processing.
本発明のプラズマ処理は、好ましくは、大気圧近傍の圧力下(略常圧)で実行される。ここで、大気圧近傍とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。 The plasma treatment of the present invention is preferably performed under a pressure close to atmospheric pressure (substantially normal pressure). Here, the near atmospheric pressure refers to the range of 1.013 × 10 4 ~50.663 × 10 4 Pa, considering the convenience of easier and device configuration of the pressure adjustment, 1.333 × 10 4 ~ 10.664 × 10 4 Pa is preferable, and 9.331 × 10 4 to 10.9797 × 10 4 Pa is more preferable.
本発明によれば、電極間隔が狭くなる箇所でのガス流量を確保して処理抜けを防止でき、処理の均一性を確保することができる。 According to the present invention, it is possible to secure a gas flow rate at a portion where the electrode interval is narrowed to prevent the processing from being lost, and to ensure the uniformity of the processing.
以下、本発明の一実施形態を図面にしたがって詳述する。
図1に示すように、常圧プラズマ処理装置は、処理ヘッド1を備えている。この処理ヘッド1の下方に、基材Wを配置し、洗浄、成膜、エッチング等のプラズマ表面処理を行なうようになっている。
処理ヘッド1は、ガス導入ユニット10と放電処理ユニット20を上下に積層することによって構成されている。図2及び図3に示すように、これら上下のユニット10,20ひいては処理ヘッド1は、左右に長く延びている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the atmospheric pressure plasma processing apparatus includes a
The
図2に示すように、プロセスガス供給源2からのガス供給路2aが、二手に分岐してガス導入ユニット10の両端部に接続されている。
図1及び図2に示すように、ガス導入ユニット10の内部には、ユニット10の長手方向に延びる一対の通路12と、これら通路12,12の上下に配されたチャンバー13,14とが形成されている。1つの通路12の一端部が、1つのガス供給路2aに連なり、もう1つの通路12の他端部が、もう1つのガス供給路2aに連なっている。各通路12には上側チャンバー13に連なる小孔12aが長手方向に多数並んで配置されている。上下のチャンバー13,14は、通路12の両脇の連通スリット15を介して連なっている。ガス導入ユニット10の底板(下側チャンバー14の底面)には、長手方向に延びる導入溝16が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of
上記プロセスガス供給源2には、処理目的に応じたプロセスガスが貯えられており、このプロセスガスが、ガス供給管2aで二手に分岐され、一対の通路12,12内を互いに対向方向に流れながら小孔12a,12a…を介して順次上側チャンバー13へ漏れ、更にスリット15を介して下側チャンバー14へ流入する。プロセスガスは、このガス導入ユニット10内での流通過程で前後長手方向に均一化される。この均一化されたプロセスガスが、導入溝16から放電処理ユニット20へ導入されるようになっている。
The process gas supply source 2 stores a process gas corresponding to the processing purpose. The process gas is bifurcated by the
図1に示すように、放電処理ユニット20は、金属製の筐体21と、この筐体21内に収容された一対の電極31,32を有している。電極31,32と筐体21は、絶縁樹脂製のホルダ24で絶縁されている。
図1及び図2に示すように、各電極31,32は、断面四角形状をなして左右に長く延びている。一対の電極31,32は、前後に対向配置されており、これら電極31,32どうしの間に隙間30が形成されている。一方の電極31は、電源(図示せず)に接続され、他方の電極32は、接地されている。これによって、電極31,32間の隙間30が常圧の放電空間となるようになっている。少なくとも一方の電極31,32の放電空間形成面には固体誘電体層(図示せず)が設けられている。
As shown in FIG. 1, the
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図1〜図3に示すように、筐体21の上板22は、左右に長く延びている。この上板22の幅方向(前後方向)の中央部にプロセスガス導入口23が形成されている。導入口23は、細幅(例えば1〜2mm)のスリット状をなして上板22の長手方向に延びている。この導入口23の上端開口が、ガス導入ユニット10の導入溝16に連なるとともに、下端開口が、絶縁ホルダ24に形成されたスリット状の導入口25を介して電極間空間30に連なっている。
導入口23,25を有する筐体上板22と絶縁ホルダ24とが、特許請求の範囲の「導入口形成部」を構成している。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
The housing
放電処理ユニット20の底部(電極31,32の下側)には、樹脂やセラミック等の絶縁部材26を介して金属板27が設けられており、この金属板27が電気的に接地されることにより、電極31,32と基材Wの間の電界遮蔽がなされている。絶縁部材26と金属板27には、電極間隙間すなわち放電空間30の下端部に連なる吹出し口28が形成されている。吹出し口28は、放電処理ユニット20の長手方向に延びるスリット状をなしている。
図示は省略するが、筐体21の側壁には、電極31,32を押し又は引くことにより直線度を維持し、ひいては放電空間30の厚さを一定に保つための押しボルトと引きボルトが設けられている。
A
Although illustration is omitted, a push bolt and a pull bolt are provided on the side wall of the
本発明の主要構成について説明する。
図3及び図4に示すように、放電処理ユニット20の筐体上板22の長手方向の中央部分(所定部分)には、導入口23の幅方向両側の縁の内面に凹部22aがそれぞれ形成されている。各凹部22aに開口幅可変部材40が嵌め込まれている。各凹部22aには開口幅可変部材40が2つ(複数)並んで配置されている。すなわち、各凹部22aの開口幅可変部材40は、筐体上板22の長手方向のちょうど中心位置(所定位置)において、左右に2つ(複数)に分割されている。各開口幅可変部材40は、筐体上板22と同じ厚さの左右に細長い板状をなしている。これら開口幅可変部材40の内端面が、導入口23に面し、導入口23の中央部分の内面を画成している。
The main configuration of the present invention will be described.
As shown in FIGS. 3 and 4, in the central portion (predetermined portion) in the longitudinal direction of the casing
図5及び図6に示すように、各開口幅可変部材40の内端面には、複数の細い傾斜凸条41が左右に間隔を空けて形成され、隣り合う傾斜凸条41の間に傾斜凸条41より十分に幅広の浅い傾斜溝42が形成されている。例えば、傾斜凸条41の幅は、1mm程度であり、傾斜凸条41の突出量ないし傾斜溝42の深さは、2mm程度であり、傾斜溝42の幅は、狭いところで7〜9mm程度、広いところで10mm程度である。傾斜凸条41と傾斜溝42を総称して「傾斜条」と呼ぶ。
As shown in FIGS. 5 and 6, a plurality of thin
図6に示すように、各開口幅可変部材40の傾斜凸条41ひいては傾斜溝42は、下に向かうにしたがって中央側に傾いている。しかも、中央に近い傾斜凸条41のほうが、相対的に遠い傾斜凸条41よりも大きく傾斜されている。左右の開口幅可変部材40の傾斜条41,42からなる内端面形状は、対称をなしている。
As shown in FIG. 6, the
図4に示すように、開口幅可変部材40の背部(開口幅可変部材40を挟んで導入口23とは逆側)の筐体上板22には、雄ネジからなる押し部材51と引き部材52が設けられている。押し部材51は、上板22にねじ込まれるとともに開口幅可変部材40の背面の中央部に突き当てられている。この押し部材51によって開口幅可変部材40を押し、導入口23に向けて前進させることができる。
As shown in FIG. 4, the housing
引き部材52は、各開口幅可変部材40に対し2つ設けられている。これら引き部材52は、押し部材51を挟んでその左右両側に少し離れて配置されている。各引き部材52は、上板22を貫いて開口幅可変部材40にねじ込まれている。この引き部材52によって開口幅可変部材40を引き、後退させることができる。
Two pulling
これら押し引き部材51,52によって、開口幅可変部材40を前後方向(導入口23の幅方向)に位置調節できるようになっている。図7の実線に示すように、開口幅可変部材40を後退させると、開口幅可変部材40の内端面全体、すなわち傾斜溝42の溝底(内底面)は勿論、傾斜凸条41も筐体上板22の導入口23の内面より引っ込んだ位置に位置する。図7の仮想線に示すように、開口幅可変部材40を前進させると、傾斜凸条41が筐体上板22の導入口23の内面より突出する。
By these push-
上記構成の常圧プラズマ処理装置によって基材Wをプラズマ処理する方法を説明する。
処理ヘッド1の下方に基材Wを配置する。そして、プロセスガス源2からのプロセスガスを、ガス導入ユニット10にて左右長手方向に均一化し、導入口23,25を介して電極間空間30に導入する。また、電源3からホット電極31への電圧供給を行なう。これにより、電極間空間30に常圧グロー放電が形成され、プロセスガスがプラズマ化される。このプラズマ化されたプロセスガスが、吹出し口28から吹出されて基材Wに当たる。これにより、基材Wの洗浄等の表面処理を行なうことができる。
A method for plasma processing the substrate W by the atmospheric pressure plasma processing apparatus having the above configuration will be described.
A substrate W is disposed below the
電極31,32は、クーロン力や熱応力によって例えば中央部が互いに接近するように歪む傾向がある。そうすると、電極31,32間の放電空間30が長手方向の中央部で狭くなる。この歪み量は、投入電力等のプロセス条件によって区々であり、一定していない。
そこで、この歪み量を見越して、開口幅可変部材40の前後方向の位置を調節しておく。すなわち、例えば、図4に示すように、傾斜凸条41の突出端面が、上板22の導入口23すなわち開口幅可変部材40以外の部分の導入口23の内面と面一になるように調節しておく。したがって、傾斜溝42のところでは、導入口23の開口幅が開口幅可変部材40以外の部分より広くなる。これによって、開口幅可変部材40が配置された中央部分のガス流通抵抗をそれ以外の部分より小さくでき、中央部分により多くのプロセスガスが流れ込むようにすることができる。これにより、電極31,32の歪みによって放電空間20の中央部分が狭くなっても、ガス流量が減少しないようにすることができる。この結果、中央部分での処理抜けを防止でき、処理の均一性を確保することができる。
The
Therefore, the position of the opening
更に、図7の実線に示すように、電極31,32がもっと大きく歪むと見込まれるときは、開口幅可変部材40を図4よりも後退させ、傾斜凸条41の突出端面が、開口幅可変部材40以外の部分の導入口23の内面より引っ込んだ位置になるように調節しておく。これによって、導入口23の中央部分を一層拡幅でき、中央部分でのプロセスガスの流通抵抗を一層小さくすることができる。これにより、電極31,32の歪み量が大きく、放電空間20の中央部分がより狭くなる場合でも、中央部分での処理抜けを確実に防止でき、処理の均一性を確実に確保することができる。
Further, as shown by the solid line in FIG. 7, when the
一方、図7の仮想線に示すように、電極31,32の歪み量が小さいと見込まれるときは、開口幅可変部材40を図4より前進させ、傾斜凸条41が開口幅可変部材40以外の部分の導入口23の内面より突出するようにしておくことも可能である。
勿論、処理の途中で、電極31,32の実際の歪みに対応して、開口幅可変部材40の進退位置を調節するようにしてもよい。
On the other hand, as shown by the phantom line in FIG. 7, when the distortion amount of the
Of course, the advance / retreat position of the opening
また、図6の矢印線に示すように、導入口23の中央部分におけるプロセスガスは、傾斜条41,42によって、中心位置に向かって集まるように偏流させられる。これによって、中心位置にプロセスガスがより多量に流れ込むようにすることができ、中心位置での処理抜けを確実に防止することができる。しかも、プロセスガスの中心位置に近いほど中心位置方向への傾きが大きく、中心位置から遠くなるにしたがって傾きが小さくなるので、中心位置の周辺での処理抜けも確実に防止でき、全体的な処理の均一性を確実に確保できる。
Further, as shown by the arrow line in FIG. 6, the process gas in the central portion of the
更に、図8に示すように、押し引き部材51,52のねじ込み量を相互に調節することにより、左右の開口幅可変部材40を、中心位置に向かうにしたがって後退するように微小角度だけ傾けることも可能である。これによって、中心位置でのプロセスガス流量をより一層増やすことができ、中心位置での処理抜けを一層確実に防止できる。
なお、図8では開口幅可変部材40の傾きを誇張して示してあり、実際は、筐体上板22の凹部22aと開口幅可変部材40等の間のクリアランスに応じた微小な傾きになる。
Further, as shown in FIG. 8, by adjusting the screwing amounts of the push-
In FIG. 8, the inclination of the opening
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、開口幅可変部材40は、導入口23の幅方向両側の縁のうち何れか片側の縁にだけ設けることにしてもよい。
導入口23の各縁に開口幅可変部材40を1つだけ設けることにしてもよく、3つ以上に分割して設けることにしてもよい。
所定部分は、必ずしも導入口長手方向の中央部分に限られない。電極間の両端部分のほうが、中央部分より狭くなる傾向が高い場合には、中央部分ではなく両端部分を「所定部分」として、そこに開口幅可変部材40や傾斜条41,42を設ける。
偏流手段として、導入口23の幅方向両側の内面間に架け渡され、導入口23を仕切る整流板を、斜めに設けることにしてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the opening
Only one variable
The predetermined portion is not necessarily limited to the central portion in the introduction port longitudinal direction. When the end portions between the electrodes tend to be narrower than the center portion, both end portions are set as “predetermined portions” instead of the center portion, and the opening
As the drifting means, a current plate that spans between the inner surfaces of both sides in the width direction of the
この発明は、例えば半導体基材の製造における洗浄や成膜等の表面処理工程に用いる表面処理装置に適用可能である。 The present invention is applicable to, for example, a surface treatment apparatus used in a surface treatment process such as cleaning or film formation in manufacturing a semiconductor substrate.
1 処理ヘッド
20 放電処理ユニット
22 筐体上板(導入口形成部)
23 導入口
30 放電空間
31,32 電極
40 開口幅可変部材(所定部分への偏流手段)
41 傾斜凸条(凸状の傾斜条、所定位置への偏流手段)
42 傾斜溝(凹状の傾斜条、所定位置への偏流手段)
51 押し部材
52 引き部材
DESCRIPTION OF
23
41 Inclined ridges (convex ridges, drifting means to a predetermined position)
42 Inclined groove (concave inclined strip, means for drifting to a predetermined position)
51 Pushing
Claims (7)
互いに並んで一方向に延び、間に前記放電空間を形成する一対の電極と、
前記放電空間の上流端に連なるプロセスガス導入口を有する導入口形成部と、を備え、
前記導入口形成部には、放電空間へのプロセスガスの流れを前記一方向の所定位置または該所定位置を含む所定部分に偏らせる偏流手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 In a plasma processing apparatus that applies process gas to a substrate through a discharge space,
A pair of electrodes extending in one direction alongside each other and forming the discharge space therebetween;
An inlet forming part having a process gas inlet connected to the upstream end of the discharge space,
The plasma processing apparatus, wherein the introduction port forming portion is provided with a drifting means for biasing a flow of the process gas to the discharge space to a predetermined position in the one direction or a predetermined portion including the predetermined position.
互いに並んで一方向に延び、間に前記放電空間を形成する一対の電極と、
前記放電空間の上流端に連なるプロセスガス導入口を有する導入口形成部と、を備え、
前記導入口形成部の前記一方向の所定部分には、前記導入口の幅方向に前進・後退可能な開口幅可変部材が設けられ、この開口幅可変部材の前進側の端面が、前記導入口に面して前記所定部分の導入口の内面を画成することを特徴とするプラズマ処理装置。 In a plasma processing apparatus that applies process gas to a substrate through a discharge space,
A pair of electrodes extending in one direction alongside each other and forming the discharge space therebetween;
An inlet forming part having a process gas inlet connected to the upstream end of the discharge space,
An opening width variable member that can be advanced and retracted in the width direction of the introduction port is provided at a predetermined portion in the one direction of the introduction port forming portion, and an end surface on the advance side of the opening width variable member is the introduction port. The plasma processing apparatus is characterized in that an inner surface of the introduction port of the predetermined portion is defined.
互いに並んで一方向に延び、間に前記放電空間を形成する一対の電極と、
前記放電空間の上流端に連なるプロセスガス導入口を有する導入口形成部と、を備え、
前記導入口の前記一方向の所定位置近くの内面には、前記放電空間に向かうにしたがって前記所定位置へ傾く傾斜条が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 In a plasma processing apparatus that applies process gas to a substrate through a discharge space,
A pair of electrodes extending in one direction alongside each other and forming the discharge space therebetween;
An inlet forming part having a process gas inlet connected to the upstream end of the discharge space,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein an inclined line that is inclined toward the predetermined position toward the discharge space is formed on an inner surface of the introduction port near the predetermined position in the one direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004344777A JP2006156122A (en) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Plasma treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004344777A JP2006156122A (en) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Plasma treatment apparatus |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006156122A true JP2006156122A (en) | 2006-06-15 |
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ID=36634143
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JP2004344777A Pending JP2006156122A (en) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Plasma treatment apparatus |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2006156122A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010073910A (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | Plasma processing device |
JP2013222875A (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | Deposit removing method and gas processor |
-
2004
- 2004-11-29 JP JP2004344777A patent/JP2006156122A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010073910A (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | Plasma processing device |
JP2013222875A (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | Deposit removing method and gas processor |
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