JP2006140765A - バラントランス - Google Patents

Abstract

【課題】 小型化でＢＰＦとバラントランスの間隔が狭くなると特性が劣化する。
【解決手段】 第1平衡端子と第2平衡端子間に第1コイルと第2コイルを接続。第1コイルの第1平衡端子側が第1コンデンサを介して、第2コイルの第2平衡端子側が第2コンデンサを介してアースされる。第3コイルと第4コイルを直列に接続。第3コイルが第3コンデンサを介して、第4コイルが第4コンデンサを介してアースされる。第5コイルと第6コイルを直列に接続して、第5コイルを不平衡端子に接続すると共に、第6コイルが第5コンデンサを介して、第5コイルの不平衡端子側が第6コンデンサを介してアースされる。第1コイル、第3コイル、第5コイルを相互に磁気的に結合させ、第2コイル、第4コイル、第6コイルを相互に磁気的に結合させる。第3コイルのアース側と第5コイルの不平衡端子側間に第7コンデンサが、第4コイルのアース側と第6コイルのアース側間に第8コンデンサが接続される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、移動体通信機器等において、伝送線路のインピーダンスを変換するためのインピーダンス変換器や、平衡伝送線路の信号及び不平衡伝送線路の信号を相互に変換するための信号変換器ないし位相変換器などに用いられ、使用周波数帯域外のノイズが除去できる様にバンドパス機能を有するバラントランスに関する。

従来のバンドパス機能を有するバラントランスに、図１３乃至図１５に示す様に、アース用導体パターン１４２Ａが形成された絶縁体層１４１Ａ、２つのコイル用導体パターン１４３Ａ、１４３Ｂが形成された複数の絶縁体層１４１Ｂ、１４１Ｃ、１４１Ｄ、１４１Ｅ、アース電極１４２Ｂが形成された絶縁体層１４１Ｆ、２つのコイル用導体パターン１４４、１４５が形成された絶縁体層１４１Ｇ、２つのコイル用導体パターン１４４、１４５と２つのコンデンサ用導体パターン１４８、１４９が形成された絶縁体層１４１Ｈ、１４１Ｉ、２つのコイル用導体パターン１４６、１４７が形成された絶縁体層１４１Ｊ、１４１Ｋ及び、保護用の絶縁体層１４１Ｌを積層し、積層体内に不平衡端子１３３と１対の平衡端子１３１、１３２間に、第１の共振器１３４と第２の共振器１３５を電磁気的に結合したバンドパスフィルタＢＰＦと、直列に接続された第１のコイルＬ２２と第２のコイルＬ２３、第１のコイルＬ２２に電磁気的に結合した第３のコイルＬ２４、第２のコイルＬ２３に電磁気的に結合した第４のコイルＬ２５を備えたバラントランスＴが接続され、このバンドパスフィルタとバラントランスが積層体の積層方向から積層体を透視したときに互いに横に並ぶように配列されたものがある（例えば、特許文献１を参照。）。
特開２００３−２７３６８６号公報

近年、移動体通信機器等においてはさらなる小型化が進められており、バラントランスもさらなる小型化が望まれている。しかしながら、この様な従来のバラントランスは、積層体内にバンドパスフィルタとバラントランスがそれぞれ形成され、かつ、積層体内でバンドパスフィルタとバラントランスが横に並ぶ様に形成されているので、小型化に伴って、図１５に示す様にバンドパスフィルタとバラントランスの間隔Ｗが狭くなると図１６に示す様に特性が劣化するという問題があった。

本発明は、特性を劣化させることなく小型化が可能なバンドパス機能を有するバラントランスを提供することを目的とする。

本発明のバラントランスは、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に第１のコイルと第２のコイルを接続すると共に、第１のコイルの第１の平衡端子側が第１のコンデンサを介してアースされ、第２のコイルの第２の平衡端子側が第２のコンデンサを介してアースされ、第３のコイルと第４のコイルを直列に接続すると共に、第３のコイルが第３のコンデンサを介してアースされ、第４のコイルが第４のコンデンサを介してアースされ、第５のコイルと第６のコイルを直列に接続して、第５のコイルを不平衡端子に接続すると共に、第６のコイルが第５のコンデンサを介してアースされ、第５のコイルの不平衡端子側が第６のコンデンサを介してアースされ、第１のコイル、第３のコイル、第５のコイルを相互に磁気的に結合させ、第２のコイル、第４のコイル、第６のコイルを相互に磁気的に結合させ、第３のコイルのアース側と第５のコイルの不平衡端子側間に第７のコンデンサが接続され、第４のコイルのアース側と第６のコイルのアース側間に第８のコンデンサが接続される。
また、本発明のバラントランスは、絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルの第１の平衡端子側とアース間に接続された第１のコンデンサ、第２のコイルの第２の平衡端子側とアース間に接続された第２のコンデンサ、直列に接続された第３のコイルと第４のコイル、第３のコイルとアース間に接続された第３のコンデンサ、第４のコイルとアース間に接続された第４のコンデンサ、直列に接続され、不平衡端子に接続された第５のコイルと第６のコイル、第６のコイルとアース間に接続された第５のコンデンサ、第５のコイルの不平衡端子側とアース間に接続された第６のコンデンサ、第３のコイルのアース側と第５のコイルの不平衡端子側間に接続された第７のコンデンサ及び、第４のコイルのアース側と第６のコイルのアース側間に接続された第８のコンデンサが形成され、第１のコイル、第３のコイル、第５のコイルを相互に磁気的に結合させ、第２のコイル、第４のコイル、第６のコイルを相互に磁気的に結合させる。

本発明のバラントランスは、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に第１のコイルと第２のコイルを接続すると共に、第１のコイルの第１の平衡端子側が第１のコンデンサを介してアースされ、第２のコイルの第２の平衡端子側が第２のコンデンサを介してアースされ、第３のコイルと第４のコイルを直列に接続すると共に、第３のコイルが第３のコンデンサを介してアースされ、第４のコイルが第４のコンデンサを介してアースされ、第５のコイルと第６のコイルを直列に接続して、第５のコイルを不平衡端子に接続すると共に、第６のコイルが第５のコンデンサを介してアースされ、第５のコイルの不平衡端子側が第６のコンデンサを介してアースされ、第１のコイル、第３のコイル、第５のコイルを相互に磁気的に結合させ、第２のコイル、第４のコイル、第６のコイルを相互に磁気的に結合させ、第３のコイルのアース側と第５のコイルの不平衡端子側間に第７のコンデンサが接続され、第４のコイルのアース側と第６のコイルのアース側間に第８のコンデンサが接続されるので、バンドパスフィルタとバラントランスを回路的に一体化することができ、素子の小型化に貢献できる。
また、本発明のバラントランスは、絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルの第１の平衡端子側とアース間に接続された第１のコンデンサ、第２のコイルの第２の平衡端子側とアース間に接続された第２のコンデンサ、直列に接続された第３のコイルと第４のコイル、第３のコイルとアース間に接続された第３のコンデンサ、第４のコイルとアース間に接続された第４のコンデンサ、直列に接続され、不平衡端子に接続された第５のコイルと第６のコイル、第６のコイルとアース間に接続された第５のコンデンサ、第５のコイルの不平衡端子側とアース間に接続された第６のコンデンサ、第３のコイルのアース側と第５のコイルの不平衡端子側間に接続された第７のコンデンサ及び、第４のコイルのアース側と第６のコイルのアース側間に接続された第８のコンデンサが形成され、第１のコイル、第３のコイル、第５のコイルを相互に磁気的に結合させ、第２のコイル、第４のコイル、第６のコイルを相互に磁気的に結合させるので、特性を劣化させることなく小型化することができる。

本発明のバラントランスは、第１の絶縁体層とコイル用導体パターンを積層し、第１の絶縁体層間のコイル用導体パターンを接続して、直列に接続された第１のコイルと第２のコイルが、第２の絶縁体層とコイル用導体パターンを積層し、第２の絶縁体層間のコイル用導体パターンを接続して、直列に接続された第３のコイルと第４のコイルが、第３の絶縁体層とコイル用導体パターンを積層し、第３の絶縁体層間のコイル用導体パターンを接続して、直列に接続された第５のコイルと第６のコイルがそれぞれ形成される。これらのコイルは、第１のコイルと第３のコイルが磁気的に結合し、第２のコイルと第４のコイルが磁気的に結合し、第３のコイルと第５のコイルが磁気的に結合し、第４のコイルと第６のコイルが磁気的に結合する様に第１の絶縁体層、第２の絶縁体層及び、第３の絶縁体層が配列される。この第１の絶縁体層、第２の絶縁体層及び、第３の絶縁体層の積層体の裏面に第４の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第１のコイルの第１の平衡端子側をアースするための第１のコンデンサ、第２のコイルの第２の平衡端子側をアースするための第２のコンデンサ、第５のコイルの不平衡端子側をアースするための第６のコンデンサ及び、第６のコイルの第５のコイルとの接続点と反対側の端をアースするためのの第５のコンデンサが形成される。また、第１の絶縁体層、第２の絶縁体層及び、第３の絶縁体層の積層体の表面に第５の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第３のコイルの第４のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第３のコンデンサ、第４のコイルの第３のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第４のコンデンサ、第３のコイルのアース側と第５のコイルの不平衡端子側間に接続された第７のコンデンサ及び、第４のコイルのアース側と第６のコイルのアース側間に接続された第８のコンデンサが形成される。
また、本発明のバラントランスは、表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶縁体層を積層し、第１のコイル用導体パターン同士及び第２のコイル用導体パターン同士を接続して第１のコイルと第２のコイルが、表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁体層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル用導体パターン同士を接続して第３のコイルと第４のコイルが、表面に第５のコイル用導体パターンと第６のコイル用導体パターンが形成された複数の第３の絶縁体層を積層し、第５のコイル用導体パターン同士及び第６のコイル用導体パターン同士を接続して第５のコイルと第６のコイルがそれぞれ形成される。これらのコイルは、第１のコイル、第３のコイル、第５のコイルが相互に磁気的に結合し、第２のコイル、第４のコイル、第６のコイルが相互に磁気的に結合するように第１の絶縁体層、第２の絶縁体層及び、第３の絶縁体層を積層し、第１のコイルと第２のコイルを第１の平衡端子と第２の平衡端子間に直列に接続し、第５のコイルと第６のコイルを直列に接続して第５のコイルを不平衡端子に接続し、第３のコイルと第４のコイルを直列に接続する。この第１の絶縁体層と第２の絶縁体層と第３の絶縁体層の積層体の裏面に第４の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第１のコイルの第１の平衡端子側をアースするための第１のコンデンサ、第２のコイルの第２の平衡端子側をアースするための第２のコンデンサ、第５のコイルの不平衡端子側をアースするための第６のコンデンサ及び、第６のコイルの第５のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第５のコンデンサが形成される。また、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層と第３の絶縁体層の積層体の表面に第５の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第３のコイルの第４のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第３のコンデンサ、第４のコイルの第３のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第４のコンデンサ、第３のコイルのアース側と第５のコイルの不平衡端子側間に接続された第７のコンデンサ及び、第４のコイルのアース側と第６のコイルのアース側間に接続された第８のコンデンサが形成される。
従って、本発明のバラントランスは、バラントランスを構成する素子とバンドパスフィルタを構成する素子を共用させることができるので、１つの回路でバラントランスとバンドパスフィルタの２つの機能を持たせることができる。

以下、本発明のバラントランスの実施例を図１乃至図１２を参照して説明する。
図１は本発明のバラントランスの第１の実施例の回路図、図２は本発明のバラントランスの第１の実施例の分解斜視図、図３は本発明のバラントランスの第１の実施例の斜視図である。
第１の平衡端子１１と第２の平衡端子１２間には、コイルＬ１とコイルＬ２が直列に接続される。このコイルＬ１とコイルＬ２の接続点はアースされる。第１の平衡端子１１とアース間には、コンデンサＣ１が接続される。また、第２の平衡端子１２とアース間には、コンデンサＣ２が接続される。
さらに、コイルＬ３とコイルＬ４を直列に接続し、コイルＬ３のコイルＬ４との接続点と反対側の端がコンデンサＣ３を介してアースされ、コイルＬ４のコイルＬ３との接続点と反対側の端がコンデンサＣ４を介してアースされる。
またさらに、コイルＬ５とコイルＬ６を直列に接続し、コイルＬ５が不平衡端子１３に接続される。不平衡端子１３とアース間には、コンデンサＣ６が接続される。また、コイルＬ６は、コンデンサＣ５を介してアースされる。
さらに、コイルＬ５の不平衡端子側とコイルＬ３のアース側間にコンデンサＣ７が接続され、コイルＬ６のアース側とコイルＬ４のアース側間にコンデンサＣ８が接続される。
そして、コイルＬ１とコイルＬ３を磁気的に結合させ、コイルＬ２とコイルＬ４を磁気的に結合させ、コイルＬ３とコイルＬ５を磁気的に結合させ、コイルＬ４とコイルＬ６を磁気的に結合させる。
この様な本発明のバラントランスは、コンデンサＣ７とコンデンサＣ８によって、コイルＬ３とコイルＬ５を容量結合させ、コイルＬ４とコイルＬ６を容量結合させることができる。これにより、コイルＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６とコンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８とで第１の共振器が形成され、コイルＬ３に磁気的に結合したコイルＬ１、コイルＬ４に磁気的に結合したコイルＬ２、コイルＬ１に並列接続されたコンデンサＣ１及び、コイルＬ２に並列接続されたコンデンサＣ２とで第２の共振器が形成され、この２つの共振器によってバンドパスフィルタが形成される。また、コイルＬ１、Ｌ２、コイルＬ３、Ｌ４、コイルＬ５、Ｌ６によってバラントランスが形成される。

この様なバラントランスは、図２のように絶縁体層と導体パターンを積層することにより、積層体内に形成される。
絶縁体層２１Ａ乃至２１Ｍは、磁性体、非磁性体、誘電体等、絶縁性を有する材料を用いて形成される。
絶縁体層２１Ａの表面には、アース用導体パターンＧ１が形成される。このアース用導体パターンＧ１は、絶縁体層２１Ａの４つの端面に引き出される。
絶縁体層２１Ｂの表面には、コンデンサ用導体パターン２２Ａ、コンデンサ用導体パターン２２Ｂ、コンデンサ用導体パターン２２Ｃ及び、コンデンサ用導体パターン２２Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄは、絶縁体層２１Ｂの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、アース用導体パターンＧ１と対向する位置に形成される。これらのコンデンサ用導体パターンの引き出し端は、コンデンサ用導体パターン２２Ａの引き出し端とコンデンサ用導体パターン２２Ｄの引き出し端が絶縁体層２１Ｂの対向する端面に引き出され、コンデンサ用導体パターン２２Ｂの引き出し端とコンデンサ用導体パターン２２Ｃの引き出し端が絶縁体層２１Ｂの対向する側面に引き出される。
絶縁体層２１Ｃの表面には、コイル用導体パターン２３Ａとコイル用導体パターン２４Ａが形成される。コイル用導体パターン２３Ａとコイル用導体パターン２４Ａは、互いに接触しない様に離間して形成され、コイル用導体パターン２３Ａの一端とコイル用導体パターン２４Ａの一端が絶縁体層２１Ｃの同じ端面に引き出される。
絶縁体層２１Ｄの表面には、コイル用導体パターン２３Ｂとコイル用導体パターン２４Ｂが形成される。コイル用導体パターン２３Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｄのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２３Ａの他端に接続される。また、コイル用導体パターン２４Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｄのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２４Ａの他端に接続される。コイル用導体パターン２３Ｂの他端とコイル用導体パターン２４Ｂの他端は互いに接続される。この様にコイル用導体パターン２３Ａとコイル用導体パターン２３Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ５が形成され、コイル用導体パターン２４Ａとコイル用導体パターン２４Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ６が形成され、コイル用導体パターン２３Ｂとコイル用導体パターン２４Ｂが接続されてコイルＬ５とコイルＬ６が直列に接続される。
絶縁体層２１Ｅの表面には、コイル用導体パターン２５Ａとコイル用導体パターン２６Ａが形成される。コイル用導体パターン２５Ａとコイル用導体パターン２６Ａは、互いに接触しない様に離間して形成され、コイル用導体パターン２５Ａの一端とコイル用導体パターン２６Ａの一端が絶縁体層２１Ｅの同じ端面に引き出される。
絶縁体層２１Ｆの表面には、コイル用導体パターン２５Ｂとコイル用導体パターン２６Ｂが形成される。コイル用導体パターン２５Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｆのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２５Ａの他端に接続される。また、コイル用導体パターン２６Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｆのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２６Ａの他端に接続される。コイル用導体パターン２５Ｂの他端とコイル用導体パターン２６Ｂの他端は互いに接続され、絶縁体層２１Ｆの端面に引き出される。この様にコイル用導体パターン２５Ａとコイル用導体パターン２５Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ１が形成され、コイル用導体パターン２６Ａとコイル用導体パターン２６Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ２が形成され、コイル用導体パターン２５Ｂとコイル用導体パターン２６Ｂを接続することによりコイルＬ１とコイルＬ２が接続される。
絶縁体層２１Ｇの表面には、互いに接触しない様に離間してコイル用導体パターン２７Ａとコイル用導体パターン２８Ａが形成される。
絶縁体層２１Ｈの表面には、互いに接触しない様に離間してコイル用導体パターン２７Ｂとコイル用導体パターン２８Ｂが形成される。コイル用導体パターン２７Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｈのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２７Ａの他端に接続される。また、コイル用導体パターン２８Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｈのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２８Ａの他端に接続される。
絶縁体層２１Ｉの表面には、コイル用導体パターン２７Ｃとコイル用導体パターン２８Ｃが形成される。コイル用導体パターン２７Ｃの一端は、絶縁体層２１Ｉのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２７Ｂの他端に接続される。また、コイル用導体パターン２８Ｃの一端は、絶縁体層２１Ｉのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２８Ｂの他端に接続される。コイル用導体パターン２７Ｃの他端とコイル用導体パターン２８Ｃの他端は互いに接続される。この様にコイル用導体パターン２７Ａ、コイル用導体パターン２７Ｂ及び、コイル用導体パターン２７Ｃが螺旋状に接続されてコイルＬ３が形成され、コイル用導体パターン２８Ａ、コイル用導体パターン２８Ｂ及び、コイル用導体パターン２８Ｃが螺旋状に接続されてコイルＬ４が形成される。また、コイル用導体パターン２７Ｃとコイル用導体パターン２８Ｃを接続することにより、コイルＬ３とコイルＬ４が直列に接続される。
絶縁体層２１Ｊの表面には、コンデンサ用導体パターン２９Ａ、コンデンサ用導体パターン２９Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン２９Ａ、２９Ｂは、絶縁体層２１Ｊの表面に、互いに接触しない様に離間して形成される。コンデンサ用導体パターン２９Ａの引き出し端とコンデンサ用導体パターン２９Ｂの引き出し端は、絶縁体層２１Ｊの同じ端面に引き出される。
絶縁体層２１Ｋの表面には、コンデンサ用導体パターン２９Ｃ、コンデンサ用導体パターン２９Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン２９Ｃ、２９Ｄは、絶縁体層２１Ｋの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、コンデンサ用導体パターン２９Ｃがコンデンサ用導体パターン２９Ａと、コンデンサ用導体パターン２９Ｄがコンデンサ用導体パターン２９Ｂとそれぞれ対向する様に形成される。また、コンデンサ用導体パターン２９Ｃは、絶縁体層２１Ｋ、２１Ｊ、２１Ｉ、２１Ｈのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２７Ａの一端に接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン２９Ｄは、絶縁体層２１Ｋ、２１Ｊ、２１Ｉ、２１Ｈのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン２８Ａの一端に接続される。
絶縁体層２１Ｌの表面には、アース用導体パターンＧ２が形成される。このアース用導体パターンＧ２は、絶縁体層２１Ｌの４つの端面に引き出される。
絶縁体層２１Ａから絶縁体層２１Ｌまで順次積層し、保護用の絶縁体層２１Ｍで覆われた積層体の側面には、図３に示す様に端子電極３１、３２、３３、３４、Ｇ１、Ｇが形成される。そして、コイル用導体パターン２５Ａの一端が端子電極３１に接続され、コイル用導体パターン２６Ａの一端が端子電極３２に接続されることにより、平衡端子１１と平衡端子１２間にコイルＬ１とコイルＬ２が接続される。また、コイル用導体パターン２５Ｂとコイル用導体パターン２６Ｂの共通接続端とアース用導体パターンＧ１、Ｇ２が端子電極Ｇ１に接続されることにより、コイルＬ１とコイルＬ２の接続点がアースされる。さらに、コイル用導体パターン２３Ａの一端が端子電極３３に接続され、コイル用導体パターン２４Ａの一端が端子電極３４に接続されることにより、直列に接続されたコイルＬ５とコイルＬ６が不平衡端子１３に接続される。
また、コンデンサ用導体パターン２２Ａが端子電極３１に接続されることにより平衡端子１１とアース間にコンデンサＣ１が接続され、コンデンサ用導体パターン２２Ｂが端子電極３２に接続されることにより平衡端子１２とアース間にコンデンサＣ２が接続され、コンデンサ用導体パターン２２Ｄが端子電極３３に接続されることにより不平衡端子１３とアース間にコンデンサＣ６が接続され、コンデンサ用導体パターン２２Ｃが端子電極３４に接続されることによりコイルＬ６の他端とアース間にコンデンサＣ５が接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン２９Ａが端子電極３３に接続され、コンデンサ用導体パターン２９Ｂが端子電極３４に接続されることにより、コイルＬ３のアース側端とコイルＬ５の不平衡端子側端間に容量結合用コンデンサＣ７が形成され、コイルＬ４のアース側端とコイルＬ６のアース側端間に容量結合用コンデンサＣ８が形成される。なお、端子電極Ｇ、Ｇ１はアースに接続される。

この様に形成されたバラントランスにおいて、絶縁体層２１Ａ〜２１Ｍに誘電率が４．６の材料を用い、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２４Ａ、２４Ｂ、２５Ａ、２５Ｂ、２６Ａ、２６Ｂ、２７Ａ、２７Ｂ、２７Ｃ、２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃの線幅を７５μｍにし、コイルＬ１とコイルＬ２を、コイルＬ３とコイルＬ４を、コイルＬ５とコイルＬ６を互いに影響しないように同一平面に配置し、コイルＬ１とコイルＬ３、コイルＬ２とコイルＬ４、コイルＬ１とコイルＬ５、コイルＬ２とコイルＬ６をそれぞれ磁気的に結合させるためにコイルＬ５・Ｌ６、コイルＬ１・Ｌ２、コイルＬ３・Ｌ４の順序で積層し、これらの積層体の上下面にコンデンサを積層し、全体の大きさを２．０×１．２５×０．９５ｍｍとした状態で、コイルＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６とコンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８とで形成された第１の共振器と、コイルＬ１、Ｌ２とコンデンサＣ１、コンデンサＣ２とで形成された第２の共振器を２．３〜２．５ＧＨｚで１／２波長共振させたところ、図４に示す様に通過帯域が２．３〜２．５ＧＨｚとなり、１〜１．９ＧＨｚと４．９〜５．５ＧＨｚのノイズを２０ｄＢ以上減衰させることができた。また、この時の出力差は０ｄＢ、位相差は１８０°となった。なお、図４において、４１が伝送特性を、４２が反射特性を、４３が位相特性を、４４が出力差をそれぞれ示している。

図５は、本発明のバラントランスの第２の実施例の回路図である。
第１の平衡端子５１と第２の平衡端子５２間にコイルＬ７とコイルＬ８が直列に接続され、平衡端子５１とアース間にコンデンサＣ９が、平衡端子５２とアース間にコンデンサＣ１０が接続される。
また、コイルＬ９とコイルＬ１０を直列接続して、コイルＬ９がコンデンサＣ１１を介してアースされ、コイルＬ１０がコンデンサＣ１２を介してアースされる。
さらに、コイルＬ１１とコイルＬ１２が直列接続されて、コイルＬ１１が不平衡端子５３に接続され、コイルＬ１２がコンデンサＣ１３を介してアースされる。またさらに、不平衡端子５３とアース間にコンデンサＣ１４が接続される。さらに、コイルＬ１１の不平衡端子側とコイルＬ９のアース側間にコンデンサＣ１５が接続され、コイルＬ１２のアース側とコイルＬ１０のアース側間にコンデンサＣ１６が接続される。
そして、コイルＬ７とコイルＬ９を、コイルＬ８とコイルＬ１０を、コイルＬ９とコイルＬ１１を、コイルＬ１０とコイルＬ１２をそれぞれ磁気的に結合させる。
この実施例のバラントランスは、前述のバラントランスと異なり、コイルＬ７とコイルＬ８の接続点がアースされていないが、コイルＬ７のインダクタンス値とコイルＬ８のインダクタンス値を等しくすると、１／２波長共振時のコイルＬ７とコイルＬ８の接続点の電力は０となり、前述のものと同等な特性が得られる。

このバラントランスは、図６の様に絶縁体層と導体パターンを積層することにより、積層体内に形成される。
絶縁体層６１Ａの表面には、アース用導体パターンＧ３が形成される。このアース用導体パターンＧ３は、絶縁体層６１Ａの３つの端面に引き出される。
絶縁体層６１Ｂの表面には、コンデンサ用導体パターン６２Ａ、コンデンサ用導体パターン６２Ｂ、コンデンサ用導体パターン６２Ｃ及び、コンデンサ用導体パターン６２Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン６２Ａ〜６２Ｄは、絶縁体層６１Ｂの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、アース用導体パターンＧ３と対向する位置に形成される。これらのコンデンサ用導体パターンの引き出し端は、コンデンサ用導体パターン６２Ａの引き出し端とコンデンサ用導体パターン６２Ｄの引き出し端が絶縁体層６１Ｂの対向する端面に引き出され、コンデンサ用導体パターン６２Ｂの引き出し端とコンデンサ用導体パターン６２Ｃの引き出し端が絶縁体層６１Ｂの対向する側面に引き出される。
絶縁体層６１Ｃの表面には、互いに接触しない様に離間してコイル用導体パターン６３Ａとコイル用導体パターン６４Ａが形成される。コイル用導体パターン６３Ａの一端とコイル用導体パターン６４Ａの一端は、絶縁体層６１Ｃの同じ端面に引き出される。
絶縁体層６１Ｄの表面には、コイル用導体パターン６３Ｂとコイル用導体パターン６４Ｂが形成される。これらのコイル用導体パターンは、コイル用導体パターン６３Ｂの一端がコイル用導体パターン６３Ａの他端に接続され、コイル用導体パターン６４Ｂの一端がコイル用導体パターン６４Ａの他端に接続される。コイル用導体パターン６３Ｂの他端とコイル用導体パターン６４Ｂの他端は互いに接続される。この様にコイル用導体パターン６３Ａとコイル用導体パターン６３Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ１１が形成され、コイル用導体パターン６４Ｂとコイル用導体パターン６４Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ１２が形成され、コイル用導体パターン６３Ｂとコイル用導体パターン６４Ｂが接続されることによりコイルＬ１１とコイルＬ１２が直列に接続される。
絶縁体層６１Ｅの表面には、互いに接触しない様に離間してコイル用導体パターン６５Ａとコイル用導体パターン６６Ａが形成される。コイル用導体パターン６５Ａの一端とコイル用導体パターン６６Ａの一端は絶縁体層６１Ｅの同じ端面に引き出される。
絶縁体層６１Ｆの表面には、コイル用導体パターン６５Ｂとコイル用導体パターン６６Ｂが形成される。これらのコイル用導体パターンは、コイル用導体パターン６５Ｂの一端がコイル用導体パターン６５Ａの他端に接続され、コイル用導体パターン６６Ｂの一端がコイル用導体パターン６６Ａの他端に接続される。この様にコイル用導体パターン６５Ａとコイル用導体パターン６５Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ７が形成され、コイル用導体パターン６６Ａとコイル用導体パターン６６Ｂが螺旋状に接続されてコイルＬ８が形成され、コイル用導体パターン６５Ｂとコイル用導体パターン６６Ｂを接続することによりコイルＬ７とコイルＬ８が直列に接続される。
絶縁体層６１Ｇの表面には、互いに接触しない様に離間してコイル用導体パターン６７Ａとコイル用導体パターン６８Ａが形成される。
絶縁体層６１Ｈの表面には、コイル用導体パターン６７Ｂとコイル用導体パターン６８Ｂが形成される。これらのコイル用導体パターンは、コイル用導体パターン６７Ｂの一端がコイル用導体パターン６７Ａの他端に、コイル用導体パターン６８Ｂの一端がコイル用導体パターン６８Ａの他端にそれぞれ接続される。
絶縁体層６１Ｉの表面には、コイル用導体パターン６７Ｃとコイル用導体パターン６８Ｃが形成される。これらのコイル用導体パターンは、コイル用導体パターン６７Ｃの一端がコイル用導体パターン６７Ｂの他端に、コイル用導体パターン６８Ｃの一端がコイル用導体パターン６８Ｂの他端にそれぞれ接続される。コイル用導体パターン６７Ｃの他端とコイル用導体パターン６８Ｃの他端は互いに接続される。この様にコイル用導体パターン６７Ａ乃至コイル用導体パターン６７Ｃが螺旋状に接続されてコイルＬ９が形成され、コイル用導体パターン６８Ａ乃至コイル用導体パターン６８Ｃが螺旋状に接続されてコイルＬ１０が形成される。また、コイル用導体パターン６７Ｃとコイル用導体パターン６８Ｃを接続することにより、コイルＬ９とコイルＬ１０が直列に接続される。
絶縁体層６１Ｊの表面には、互いに接触しない様に離間してコンデンサ用導体パターン６９Ａとコンデンサ用導体パターン６９Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン６９Ａの引き出し端とコンデンサ用導体パターン６９Ｂの引き出し端は、絶縁体層６１Ｊの同じ端面に引き出される。
絶縁体層６１Ｋの表面には、コンデンサ用導体パターン６９Ｃ、コンデンサ用導体パターン６９Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン６９Ｃ、６９Ｄは、絶縁体層６１Ｋの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、コンデンサ用導体パターン６９Ｃがコンデンサ用導体パターン６９Ａと、コンデンサ用導体パターン６９Ｄがコンデンサ用導体パターン６９Ｂとそれぞれ対向する様に形成される。また、コンデンサ用導体パターン６９Ｃは、絶縁体層６１Ｈ〜６１Ｋのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン６７Ａの一端に接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン６９Ｄは、絶縁体層６１Ｈ〜６１Ｋのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン６８Ａの一端に接続される。
絶縁体層６１Ｌの表面には、アース用導体パターンＧ４が形成される。このアース用導体パターンＧ４は、絶縁体層６１Ｌの３つの端面に引き出される。
絶縁体層６１Ａから絶縁体層６１Ｌまで順次積層し、保護用の絶縁体層６１Ｍで覆われた積層体の側面には、図７に示す様に端子電極７１、７２、７３、７４、Ｇが形成される。そして、コイル用導体パターン６５Ａが端子電極７１に、コイル用導体パターン６６Ａが端子電極７２にそれぞれ接続されることにより、平衡端子５１と平衡端子５２間にコイルＬ７とコイルＬ８が直列に接続される。また、コイル用導体パターン６３Ａが端子電極７３に、コイル用導体パターン６４Ａが端子電極７４にそれぞれ接続されることにより、直列に接続されたコイルＬ１１とコイルＬ１２が不平衡端子５３に接続される。
さらに、コンデンサ用導体パターン６２Ａが端子電極７１に接続されることにより平衡端子５１とアース間にコンデンサＣ９が接続され、コンデンサ用導体パターン６２Ｂが端子電極７２に接続されることにより平衡端子５２とアース間にコンデンサＣ１０が接続される。また、コンデンサ用導体パターン６２Ｄが端子電極７３に接続されることにより不平衡端子５３とアース間にコンデンサＣ１４が接続され、コンデンサ用導体パターン６２Ｃが端子電極７４に接続されることによりコイルＬ１２の他端とアース間にコンデンサＣ１３が接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン６９Ａが端子電極７３に、コンデンサ用導体パターン６９Ｂが端子電極７４にそれぞれ接続されることにより、コイルＬ９のアース側端とコイルＬ１１の不平衡端子側端間に容量結合用コンデンサＣ１５が形成され、コイルＬ１０のアース側端とコイルＬ１２のアース側端間に容量結合用コンデンサＣ１６が形成される。なお、端子電極Ｇはアースに接続される。

この様に形成されたバラントランスにおいて、絶縁体層６１Ａ〜６１Ｍに誘電率が４．６の材料を用い、コイル用導体パターンの線幅を７５μｍにし、コイルＬ１１・Ｌ１２、コイルＬ７・Ｌ８、コイルＬ９・Ｌ１０の順序で積層し、これらの積層体の上下面にコンデンサを積層し、全体の大きさを２．０×１．２５×０．９５ｍｍとした状態で、コイルＬ９、Ｌ１０、Ｌ１１、Ｌ１２とコンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ１６とで形成された第１の共振器と、コイルＬ７、Ｌ８とコンデンサＣ９、Ｃ１０とで形成された第２の共振器を２．３〜２．５ＧＨｚで１／２波長共振させたところ、図８に示す様に通過帯域が２．３〜２．５ＧＨｚとなり、１〜１．９ＧＨｚと４．９〜５．５ＧＨｚのノイズを２０ｄＢ以上減衰させることができた。また、この時の出力差は０、２９ｄＢ、位相差は１７７°となった。なお、図８において、８１が伝送特性を、８２が反射特性を、８３が位相特性を、８４が出力差をそれぞれ示している。

図９は、本発明のバラントランスの第３の実施例の回路図である。
第１の平衡端子９１と第２の平衡端子９２間には、コイルＬ１３とコイルＬ１４が接続される。このコイルＬ１３とコイルＬ１４の接続点は、コイルＬ１９とコンデンサＣ２５の直列回路を介してアースされる。平衡端子９１とアース間にはコンデンサＣ１７が、平衡端子９２とアース間にはコンデンサＣ１８がそれぞれ接続される。
また、コイルＬ１５とコイルＬ１６を直列接続し、コイルＬ１５がコンデンサＣ１９を介してアースされ、コイルＬ１６がコンデンサＣ２０を介してアースされる。
さらに、コイルＬ１７とコイルＬ１８を直列接続し、コイルＬ１７が不平衡用端子９３に接続され、コイルＬ１８がコンデンサＣ２１を介してアースされる。またさらに、不平衡端子９３とアース間にはコンデンサＣ２２が接続される。
また、コイルＬ１７の不平衡端子側とコイルＬ１５のアース側間にコンデンサＣ２３が接続され、コイルＬ１８のアース側とコイルＬ１６のアース側間にコンデンサＣ２４が接続される。
そして、コイルＬ１３とコイルＬ１５を磁気的に結合させ、コイルＬ１４とコイルＬ１６を磁気的に結合させ、コイルＬ１５とコイルＬ１７を磁気的に結合させ、コイルＬ１６とコイルＬ１８を磁気的に結合させる。
この実施例のバラントランスは、コイルＬ１３とコイルＬ１４の接続点が、コイルＬ１９とコンデンサＣ２５の直列回路を介してアースされるので、コンデンサＣ２５の容量によって出力差と位相差特性を調整することができる。

このバラントランスは、図１０の様に絶縁体層と導体パターンを積層することにより、積層体内に形成される。
絶縁体層１０１Ａには、アース用導体パターンＧ５が形成される。このアース用導体パターンＧ５は、絶縁体層１０１Ａの３つの端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｂには、コンデンサ用導体パターン１１０が形成される。コンデンサ用導体パターン１１０は、アース用導体パターンＧ５と対向する位置に形成され、引き出し端が絶縁体層１０１Ｂの端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｃには、アース用導体パターンＧ６が形成される。このアース用導体パターンＧ６は、絶縁体層１０１Ｂの３つの端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｄには、４つのコンデンサ用導体パターン１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ、１０２Ｄが形成され、それぞれ絶縁体層１０１Ｄの端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｅには、互いに接触しないように離間してコイル用導体パターン１０３Ａとコイル用導体パターン１０４Ａが形成される。コイル用導体パターン１０３Ａの一端とコイル用導体パターン１０４Ａの一端が絶縁体層１０１Ｅの同じ端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｆには、コイル用導体パターン１０３Ｂとコイル用導体パターン１０４Ｂが形成される。これらのコイル用導体パターンは、コイル用導体パターン１０３Ｂの一端をコイル用導体パターン１０３Ａに接続してコイルＬ１７が形成され、コイル用導体パターン１０４Ｂの一端をコイル用導体パターン１０４Ａに接続してコイルＬ１８が形成される。また、コイル用導体パターン１０３Ｂとコイル用導体パターン１０４Ｂの他端同士が接続されて、コイルＬ１７とコイルＬ１８が直列に接続される。
絶縁体層１０１Ｇには、コイル用導体パターン１０５Ａとコイル用導体パターン１０６Ａが形成される。コイル用導体パターン１０５Ａの一端とコイル用導体パターン１０６Ａの一端は、絶縁体層１０１Ｇの同じ端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｈには、コイル用導体パターン１０５Ｂとコイル用導体パターン１０６Ｂが形成される。これらのコイル用導体パターンは、コイル用導体パターン１０５Ｂの一端をコイル用導体パターン１０５Ａに接続してコイルＬ１３が形成され、コイル用導体パターン１０６Ｂの一端をコイル用導体パターン１０６Ａに接続してコイルＬ１４が形成される。また、コイル用導体パターン１０５Ｂとコイル用導体パターン１０６Ｂの他端同士が接続されて、コイルＬ１３とコイルＬ１４が接続される。
絶縁体層１０１Ｉには、コイル用導体パターン１０７Ａとコイル用導体パターン１０８Ａが形成される。
絶縁体層１０１Ｊには、コイル用導体パターン１０７Ｂとコイル用導体パターン１０８Ｂが形成される。コイル用導体パターン１０７Ｂの一端がコイル用導体パターン１０７Ａに接続され、コイル用導体パターン１０８Ｂの一端がコイル用導体パターン１０８Ａに接続される。
絶縁体層１０１Ｋには、コイル用導体パターン１０７Ｃとコイル用導体パターン１０８Ｃが形成される。コイル用導体パターン１０７Ｃの一端がコイル用導体パターン１０７Ｂに、コイル用導体パターン１０８Ｃの一端がコイル用導体パターン１０８Ｂにそれぞれ接続され、コイル用導体パターン１０７Ｃの他端とコイル用導体パターン１０８Ｃの他端が接続される。そして、コイル用導体パターン１０７Ａ〜１０７ＣによってコイルＬ１５が、コイル用導体パターン１０８Ａ〜１０８ＣによってコイルＬ１６がそれぞれ形成される。このコイルＬ１５とコイルＬ１６は直列に接続される。
絶縁体層１０１Ｌには、コンデンサ用導体パターン１０９Ａとコンデンサ用導体パターン１０９Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン１０９Ａの一端とコンデンサ用導体パターン１０９Ｂの一端は、絶縁体層１０１Ｌの同じ端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ｍには、コンデンサ用導体パターン１０９Ｃとコンデンサ用導体パターン１０９Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン１０９Ｃは、コンデンサ用導体パターン１０９Ａと対向する位置に形成され、コイル用導体パターン１０７Ａに接続される。また、コンデンサ用導体パターン１０９Ｄは、コンデンサ用導体パターン１０９Ｂと対向する位置に形成され、コイル用導体パターン１０８Ａに接続される。
絶縁体層１０１Ｎには、アース用導体パターンＧ７が形成される。このアース用導体パターンＧ７は、絶縁体層１０１Ｎの３つの端面に引き出される。
絶縁体層１０１Ａから絶縁体層１０１Ｎまで順次積層し、保護用の絶縁体層１０１Ｏで覆われた積層体の側面には、図１１に示す様に端子電極１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、Ｇが形成される。そして、コイル用導体パターン１０５Ａが端子電極１１１に、コイル用導体パターン１０６Ａが端子電極１１２にそれぞれ接続されることにより、平衡端子９１と平衡端子９２間にコイルＬ１３とコイルＬ１４が接続される。また、コイル用導体パターン１０５Ｂとコイル用導体パターン１０６Ｂの共通接続端とコンデンサ用導体パターン１１０が端子電極１１５に接続されることにより、コイルＬ１３とコイルＬ１４の接続点とアース間にコイルＬ１９とコンデンサＣ２５が直列に接続される。この時、コイルＬ１９は、コンデンサ用導体パターン１１０の引き出し端と端子電極１１５によって形成される。さらに、コイル用導体パターン１０３Ａが端子電極１１３に、コイル用導体パターン１０４Ａが端子電極１１４にそれぞれ接続されることにより、直列接続されたコイルＬ１７とコイルＬ１８が不平衡端子９３に接続される。
また、コンデンサ用導体パターン１０２Ａが端子電極１１１に接続されることにより平衡端子９１とアース間にコンデンサＣ１７が接続され、コンデンサ用導体パターン１０２Ｂが端子電極１１２に接続されることにより平衡端子９２とアース間にコンデンサＣ１８が接続され、コンデンサ用導体パターン１０２Ｄが端子電極１１３に接続されることにより不平衡端子９３とアース間にコンデンサＣ２２が接続され、コンデンサ用導体パターン１０２Ｃが端子電極１１４に接続されることによりコイルＬ１８とアース間にコンデンサＣ２１が接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン１０９Ａが端子電極１１３に接続され、コンデンサ用導体パターン１０９Ｂが端子電極１１４に接続されることにより、コイルＬ１５のアース側とコイルＬ１７の不平衡端子側間に容量結合用コンデンサＣ２３が形成され、コイルＬ１６のアース側とコイルＬ１８のアース側間に容量結合用コンデンサＣ２４が形成される。なお、端子電極Ｇ、１１５はアースに接続される。

この様に形成されたバラントランスにおいて、絶縁体層１０１Ａ〜１０１Ｏに誘電率が４．６の材料を用い、コイル用導体パターンの線幅を７５μｍにし、コイルＬ１７・Ｌ１８、コイルＬ１３・Ｌ１４、コイルＬ１５・Ｌ１６の順序で積層し、これらの積層体の上下面にコンデンサを積層し、全体の大きさを２．０×１．２５×０．９５ｍｍとした状態で、コイルＬ１５〜Ｌ１８とコンデンサＣ１９〜Ｃ２２で形成された第１の共振器と、コイルＬ１３、Ｌ１４とコンデンサＣ１７、Ｃ１８とで形成された第２の共振器を２．３〜２．５ＧＨｚで１／２波長共振させ、コンデンサＣ２５の容量値を出力差と位相差特性が最良になる様に調整したところ、図１２に示す様に通過帯域が２．３〜２．５ＧＨｚとなり、１〜１．９ＧＨｚのノイズを２０ｄＢ以上減衰させることができた。また、この時の出力差は０．０２ｄＢ、位相差は１７９．４°となった。なお、図１２において、１２１が伝送特性を、１２２が反射特性を、１２３が位相特性を、１２４が出力差をそれぞれ示している。

本発明のバラントランスの第１の実施例の回路図である。 本発明のバラントランスの第１の実施例の分解斜視図である。 本発明のバラントランスの第１の実施例の斜視図である。 本発明のバラントランスの第１の実施例の特性図である。 本発明のバラントランスの第２の実施例の回路図である。 本発明のバラントランスの第２の実施例の分解斜視図である。 本発明のバラントランスの第２の実施例の斜視図である。 本発明のバラントランスの第２の実施例の特性図である。 本発明のバラントランスの第３の実施例の回路図である。 本発明のバラントランスの第３の実施例の分解斜視図である。 本発明のバラントランスの第３の実施例の斜視図である。 本発明のバラントランスの第３の実施例の特性図である。 従来のバラントランスの回路図である。 従来のバラントランスの分解斜視図である。 従来のバラントランスの上面図である。 従来のバラントランスの特性図である。

符号の説明

Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６ コイル
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８ コンデンサ

Claims (5)

1. 第１の平衡端子と第２の平衡端子間に第１のコイルと第２のコイルを接続すると共に、該第１のコイルの第１の平衡端子側が第１のコンデンサを介してアースされ、該第２のコイルの第２の平衡端子側が第２のコンデンサを介してアースされ、第３のコイルと第４のコイルを直列に接続すると共に、該第３のコイルが第３のコンデンサを介してアースされ、該第４のコイルが第４のコンデンサを介してアースされ、第５のコイルと第６のコイルを直列に接続して、該第５のコイルを不平衡端子に接続すると共に、該第６のコイルが第５のコンデンサを介してアースされ、該第５のコイルの不平衡端子側が第６のコンデンサを介してアースされ、該第１のコイル、該第３のコイル、該第５のコイルを相互に磁気的に結合させ、該第２のコイル、該第４のコイル、該第６のコイルを相互に磁気的に結合させ、該第３のコイルのアース側と該第５のコイルの不平衡端子側間に第７のコンデンサが接続され、該第４のコイルのアース側と該第６のコイルのアース側間に第８のコンデンサが接続されたことを特徴とするバラントランス。
2. 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第１のコイルと第２のコイル、該第１のコイルの第１の平衡端子側とアース間に接続された第１のコンデンサ、該第２のコイルの第２の平衡端子側とアース間に接続された第２のコンデンサ、直列に接続された第３のコイルと第４のコイル、該第３のコイルとアース間に接続された第３のコンデンサ、該第４のコイルとアース間に接続された第４のコンデンサ、直列に接続され、不平衡端子に接続された第５のコイルと第６のコイル、該第６のコイルとアース間に接続された第５のコンデンサ、該第５のコイルの不平衡端子側とアース間に接続された第６のコンデンサ、該第３のコイルのアース側と該第５のコイルの不平衡端子側間に接続された第７のコンデンサ及び、該第４のコイルのアース側と該第６のコイルのアース側間に接続された第８のコンデンサが形成され、該第１のコイル、該第３のコイル、該第５のコイルを相互に磁気的に結合させ、該第２のコイル、該第４のコイル、該第６のコイルを相互に磁気的に結合させたことを特徴とするバラントランス。
3. 表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶縁体層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び該第２のコイル用導体パターン同士を接続して第１のコイルと第２のコイルが形成され、
   表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁体層を積層し、該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル用導体パターン同士を接続して第３のコイルと第４のコイルが形成され、
   表面に第５のコイル用導体パターンと第６のコイル用導体パターンが形成された複数の第３の絶縁体層を積層し、該第５のコイル用導体パターン同士及び該第６のコイル用導体パターン同士を接続して第５のコイルと第６のコイルが形成され、
   該第１のコイル、該第３のコイル、該第５のコイルが相互に磁気的に結合し、該第２のコイル、該第４のコイル、該第６のコイルが相互に磁気的に結合するように該第１の絶縁体層、該第２の絶縁体層及び、該第３の絶縁体層を積層し、
   該第１のコイルと該第２のコイルを該第１の平衡端子と該第２の平衡端子間に直列に接続し、該第５のコイルと該第６のコイルを直列に接続して該第５のコイルを不平衡端子に接続し、該第３のコイルと該第４のコイルを直列に接続し、
   該第１の絶縁体層と該第２の絶縁体層と該第３の絶縁体層の積層体の裏面に第４の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、該第１のコイルの該第１の平衡端子側をアースするための第１のコンデンサ、該第２のコイルの該第２の平衡端子側をアースするための第２のコンデンサ、該第５のコイルの該不平衡端子側をアースするための第６のコンデンサ及び、該第６のコイルの第５のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第５のコンデンサが形成され、
   該第１の絶縁体層と該第２の絶縁体層と該第３の絶縁体層の積層体の表面に第５の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、
   該第３のコイルの第４のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第３のコンデンサ、該第４のコイルの第３のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第４のコンデンサ、該第３のコイルのアース側と該第５のコイルの不平衡端子側間に接続された第７のコンデンサ及び、該第４のコイルのアース側と該第６のコイルのアース側間に接続された第８のコンデンサが形成されたことを特徴とするバラントランス。
4. 前記第１のコイルと前記第２のコイルの接続点がアースされた請求項１、２、３のいずれかに記載のバラントランス。
5. 前記第１のコイルと前記第２のコイルの接続点が第７のコイルと第９のコンデンサの直列回路を介してアースされた請求項１、２、３のいずれかに記載のバラントランス。

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