JP2006133813A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
JP2006133813A
JP2006133813A JP2006036051A JP2006036051A JP2006133813A JP 2006133813 A JP2006133813 A JP 2006133813A JP 2006036051 A JP2006036051 A JP 2006036051A JP 2006036051 A JP2006036051 A JP 2006036051A JP 2006133813 A JP2006133813 A JP 2006133813A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
protective film
crystal display
thin film
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006036051A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4565568B2 (en
Inventor
Takahiro Ochiai
孝洋 落合
Kikuo Ono
記久雄 小野
Ryutaro Oke
隆太郎 桶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2006036051A priority Critical patent/JP4565568B2/en
Publication of JP2006133813A publication Critical patent/JP2006133813A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4565568B2 publication Critical patent/JP4565568B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance reliability of a reflection electrode, brightness and production yield of a liquid crystal display. <P>SOLUTION: In the liquid crystal display having a pair of transparent substrates disposed opposite to each other via a liquid crystal layer, a plurality of scanning wires and a plurality of signal wires wired in a direction crossing the scanning wires and thin film transistors in the vicinity of the respective crossing parts thereof which are provided on one substrate, a protective film formed so as to cover the thin film transistors and the signal wires and pixel electrodes formed on the upper part of the protective film to be connected to source electrodes of the thin film transistors and composed of a material having high light reflection efficiency to incident light from the surface thereof, regularly disposed linear fine recessed parts or projecting parts and irregularly disposed recessed parts or projecting parts straddling the linear recessed parts or the projecting parts are formed on the protective film formed under the pixel electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に反射電極を有する薄膜トランジスタ(TFT)方式等のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix liquid crystal display device such as a thin film transistor (TFT) type having a reflective electrode.

液晶表示装置はバックライトからの光の透過と遮断を液晶パネルで切り替えることにより画像の表示を行う透過型液晶表示装置と周囲から入射する光を反射して利用する反射型液晶表示装置とがある。   There are two types of liquid crystal display devices: a transmissive liquid crystal display device that displays an image by switching transmission and blocking of light from a backlight with a liquid crystal panel, and a reflective liquid crystal display device that reflects and uses light incident from the surroundings. .

透過型液晶表示装置はバックライトの消費電力が大きく、また外光により視認性を低下する欠点を有することから、屋外で主に使用する携帯情報端末用表示装置としては最善ではない。   The transmissive liquid crystal display device has the disadvantages that the power consumption of the backlight is large and the visibility is lowered by the external light, so that it is not the best as a display device for a portable information terminal mainly used outdoors.

一方反射型液晶表示装置は低消費電力でありかつ薄型軽量の特徴を持つことから携帯情報端末用表示装置に広く利用されている。   On the other hand, reflective liquid crystal display devices are widely used for display devices for portable information terminals because they have low power consumption and are thin and light.

反射型液晶表示装置の反射電極表面には明るさとコントラストを向上させるために微細な凹凸を不規則に形成して外光の反射効率を高めるように構成されており、その技術は例えば特許文献1に開示されている。   In order to improve the brightness and contrast, irregularities are irregularly formed on the reflective electrode surface of the reflective liquid crystal display device so as to increase the reflection efficiency of external light. Is disclosed.

前記の微細な凹凸は形状制御のしやすさから反射電極下の樹脂で形成している。
特開平6−75238号公報
The fine irregularities are formed of a resin under the reflective electrode for easy shape control.
JP-A-6-75238

しかしながら樹脂と金属の密着性は弱く、部分的に反射電極が樹脂から剥がれ反射効率低下の問題を生じさせる。   However, the adhesion between the resin and the metal is weak, and the reflective electrode is partially peeled off from the resin, causing a problem of a decrease in reflection efficiency.

凹凸の密度を増やすことにより樹脂と金属の密着性の改善が見込めるが、入射光の散乱特性をよくするために凹凸を不規則に配置させなければならない制限があり密着性の強化に不充分である。   Increasing the unevenness density can improve the adhesion between the resin and the metal, but there is a limitation to irregularly arrange the unevenness to improve the scattering characteristics of incident light, which is insufficient for strengthening the adhesion. is there.

本発明の目的は上記従来技術の問題を解消し、反射画素電極部における樹脂と金属の密着が強く、かつ外光を映りこみなく反射させる電極を用いた液晶表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide a liquid crystal display device using an electrode that strongly adheres a resin and a metal in a reflective pixel electrode portion and reflects outside light without reflection.

本願が提供する課題を解決するための手段の代表的なものは次のようになる。   Representative means for solving the problems provided by the present application are as follows.

(手段1)透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極を有し前記画素電極が光反射性を有する材料から形成されている液晶表示装置において、前記保護膜の前記画素電極の下部の領域に、複数の細い線状の凹部または凸部が形成された第1の領域と、前記第1の領域間に配置され凹部または凸部が形成された第2の領域を有し、前記第1の領域での細い線状の凹部または凸部の幅はほぼ規則的であり、前記第2の領域の幅は前記規則的な幅より大きくする。   (Means 1) Having a transparent substrate and the other substrate disposed opposite to the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, a plurality of scanning wirings on the other substrate and wired in a direction crossing the scanning wirings A plurality of signal wirings, a thin film transistor provided in the vicinity of each intersection, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film. Liquid crystal display device having pixel electrodes connected to each other, wherein the pixel electrodes are made of a material having light reflectivity, and a plurality of thin linear recesses are formed in a region under the pixel electrodes of the protective film Alternatively, the first region in which the convex portion is formed and the second region in which the concave portion or the convex portion is disposed between the first region, and the thin linear concave portion in the first region. Or the width of the convex part is almost A law, the width of the second region is larger than the regular width.

(手段2)透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極を有し前記画素電極が光反射性を有する材料から形成されている液晶表示装置において、前記保護膜の前記画素電極の下部の領域に、複数の細い線状の凹部または凸部が形成された第1の領域と、前記第1の領域間にまたがり凹部または凸部が形成された第2の領域を有し、前記第1の領域での細い線状の凹部または凸部の幅はほぼ規則的であり、前記第2の領域を不規則に配置する。   (Means 2) A transparent substrate and the other substrate disposed opposite to the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate and wired in a direction crossing the scanning wirings A plurality of signal wirings, a thin film transistor provided in the vicinity of each intersection, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film. Liquid crystal display device having pixel electrodes connected to each other, wherein the pixel electrodes are made of a material having light reflectivity, and a plurality of thin linear recesses are formed in a region under the pixel electrodes of the protective film Or a first region in which a convex portion is formed and a second region in which a concave portion or a convex portion is formed between the first regions, and the thin linear concave portion in the first region or The width of the convex part is almost It is regular and the second region is irregularly arranged.

(手段3)透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極にコンタクトホールを介して電気的に接続された画素電極をする液晶表示装置において、前記コンタクトホールの少なくとも一部を平面的に見て波型形状とする。   (Means 3) A transparent substrate and the other substrate disposed opposite to the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween. A plurality of scanning wirings are arranged on the other substrate in a direction crossing the scanning wirings. A plurality of signal wirings, a thin film transistor provided in the vicinity of each intersection, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film In a liquid crystal display device having pixel electrodes electrically connected through holes, at least a part of the contact hole is formed into a wave shape when viewed in plan.

さらに、手段3において前記保護膜の前記画素電極の下部の領域にほぼ規則的に配置された複数の線状の凹部または凸部を有し、前記波型形状は前記複数の線状の凹部または凸部とほぼ同様の規則性を有するよう構成する。   Further, the means 3 has a plurality of linear recesses or projections arranged almost regularly in a region below the pixel electrode of the protective film, and the corrugated shape is the plurality of linear recesses or projections. It is configured to have almost the same regularity as the convex portion.

さらに、手段3あるいは4において前記波形形状は前記ほぼ規則的に配置された複数の線状の凹部または凸部の延長線上または隣接したところに形成する。   Further, in the means 3 or 4, the corrugated shape is formed on or adjacent to an extension line of the plurality of linearly arranged concave portions or convex portions arranged almost regularly.

さらに、手段1ないし5において前記ほぼ規則的に配置された線状の凹部または凸部の間隔は50%以内の誤差となるよう配置する。   Further, in the means 1 to 5, the interval between the linear recesses or projections arranged almost regularly is arranged so that an error is within 50%.

さらに、手段1ないし5において前記ほぼ規則的に配置された線状の凹部または凸部の間隔は10%以内の誤差となるよう配置する。   Further, in the means 1 to 5, the intervals between the linearly arranged concave or convex portions arranged almost regularly are arranged so as to have an error within 10%.

さらに、手段1ないし5において前記ほぼ規則的に配置された線状の凹部または凸部の周期が1μm〜6μmとなるよう配置する。   Further, the means 1 to 5 are arranged such that the period of the linearly arranged concave or convex portions arranged almost regularly is 1 μm to 6 μm.

さらに、手段1ないし5において前記ほぼ規則的に配置された前記凹部の深さまたは前記凸部の高さが0.001μm〜1μmとなるよう配置する。   Furthermore, the means 1 to 5 are arranged so that the depth of the concave portions or the height of the convex portions arranged almost regularly is 0.001 μm to 1 μm.

(手段4)感光性樹脂を塗布し、線状の遮光パターンと線状の開口パタンを規則的に配置させたマスクを使用して前記樹脂を露光する工程と、ドットまたは帯状の遮光パターンを不規則に配置させたマスクを使用して前記樹脂を露光する工程とがあり、前記樹脂をアルカリ液により現像してパターンを形成する。   (Means 4) Applying a photosensitive resin and exposing the resin using a mask in which a linear light shielding pattern and a linear opening pattern are regularly arranged; There is a step of exposing the resin using a regularly arranged mask, and the resin is developed with an alkaline solution to form a pattern.

(手段5)感光性樹脂を塗布し、規則的に配置された線状の遮光パターンおよび線状の開口パターンと不規則に配置されたドットまたは帯状の遮光パターンを有するマスクを使用して前記樹脂を露光し、その後前記樹脂をアルカリ液により現像してパターンを形成する。   (Means 5) Applying a photosensitive resin and using a mask having regularly arranged linear light shielding patterns and linear opening patterns and irregularly arranged dots or strips of light shielding patterns Then, the resin is developed with an alkaline solution to form a pattern.

本発明によれば画素電極と保護膜の密着強度を向上し、信頼性が高く、反射率の高い液晶表示装置を実現できる。また規則性部と不規則性部を併せ持つことにより、さらに外光を映りこみなく反射させる電極を有する液晶表示装置を実現できる。   According to the present invention, the adhesion strength between the pixel electrode and the protective film can be improved, and a liquid crystal display device with high reliability and high reflectance can be realized. Further, by having both the regular part and the irregular part, it is possible to realize a liquid crystal display device having an electrode that reflects external light without reflection.

またコンタクトホール部を波型としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高い信頼性を有する液晶表示装置を実現できる。   In addition, since the contact hole portion is corrugated, even if a stress causes peeling to one side of the contact hole, it can be prevented from spreading to the entire side, so the rate of connection failure can be greatly reduced and high A liquid crystal display device having reliability can be realized.

本発明のさらなる手段に関しては以下の説明において明らかとなるであろう。   Further means of the present invention will become apparent in the following description.

本発明によれば、画素電極と保護膜の密着強度を向上し、信頼性が高く、反射率の高い液晶表示装置を実現できる。また規則性部と不規則性部を併せ持つことにより、さらに外光を映りこみなく反射させる電極を有する液晶表示装置を実現できる。またコンタクトホール部を波型としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高い信頼性を有する液晶表示装置を実現できる。また製造においては歩留まりの向上を図ることができる。   According to the present invention, the adhesion strength between the pixel electrode and the protective film can be improved, and a liquid crystal display device with high reliability and high reflectance can be realized. Further, by having both the regular part and the irregular part, it is possible to realize a liquid crystal display device having an electrode that reflects external light without reflection. In addition, since the contact hole portion is corrugated, even if a stress causes peeling to one side of the contact hole, it can be prevented from spreading to the entire side, so the rate of connection failure can be greatly reduced and high A liquid crystal display device having reliability can be realized. In production, the yield can be improved.

以下本発明による液晶表示装置及びその製造方法の実施例を図面を用いて説明する。   Embodiments of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体等価回路図である。同図は等価回路であるが、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。   FIG. 1 is an overall equivalent circuit diagram showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. This figure is an equivalent circuit, but is drawn corresponding to the actual geometric arrangement.

図1において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板SUB1、SUB2があり、該液晶は一方の透明基板SUB1に対する他方の透明基板SUB2の固定を兼ねるシール材SEによって封入されている。   In FIG. 1, there is a pair of transparent substrates SUB1 and SUB2 arranged to face each other via a liquid crystal, and the liquid crystal is sealed by a sealing material SE that also serves to fix the other transparent substrate SUB2 to one transparent substrate SUB1.

シール材SEによって囲まれた前記一方の透明基板SUB1の液晶側の面には、そのX方向に延在しY方向に併設されたゲート信号線GLとY方向に延在しX方向に併設されたドレイン信号線DLとが形成されている。   The liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the sealing material SE and the gate signal line GL extending in the X direction and provided in the Y direction and extending in the Y direction and provided in the X direction. The drain signal line DL is formed.

各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線DLとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ARを構成するようになっている。   A region surrounded by each gate signal line GL and each drain signal line DL constitutes a pixel region, and a matrix aggregate of these pixel regions constitutes a liquid crystal display unit AR.

各画素領域には、その片側のゲート信号線GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素電極PX1が形成されている。   In each pixel region, a thin film transistor TFT that is operated by a scanning signal from the gate signal line GL on one side and a pixel electrode PX1 to which a video signal from the drain signal line DL on one side is supplied via the thin film transistor TFT are formed. Has been.

この画素電極PX1は、透明基板SUB2上に形成された対向透明電極PX2との間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。   The pixel electrode PX1 generates an electric field between the pixel electrode PX1 and the opposing transparent electrode PX2 formed on the transparent substrate SUB2, and the light transmittance of the liquid crystal is controlled by the electric field.

前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は前記シール材SEを超えて延在され、その延在端は垂直信号駆動回路Vの出力端子が接続されている端子を構成するようになっている。   One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the seal material SE, and the extending end constitutes a terminal to which the output terminal of the vertical signal driving circuit V is connected.

また、前記垂直走査駆動回路Vの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。   The input terminal of the vertical scanning drive circuit V receives a signal from a printed circuit board disposed outside the liquid crystal display panel.

垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線GLどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。   The vertical scanning drive circuit V is composed of a plurality of semiconductor devices, and a plurality of gate signal lines GL adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group.

同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞれの一端は前記シール材SEを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。   Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the seal material SE, and the extending end constitutes a terminal to which the output terminal of the video signal driving circuit He is connected. .

また、映像信号駆動回路Heの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。   The input terminal of the video signal drive circuit He is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel.

この映像信号駆動回路Heも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線DLどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。   This video signal drive circuit He is also composed of a plurality of semiconductor devices, and a plurality of adjacent drain signal lines DL are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group.

前記各ゲート信号線GLは、垂直走査回路Vからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。   One of the gate signal lines GL is sequentially selected by a scanning signal from the vertical scanning circuit V.

また、前記各ドレイン信号線DLのそれぞれには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信号線GLの選択のタイミングにあわせて映像信号が供給されるようになっている。   Further, a video signal is supplied to each of the drain signal lines DL by the video signal driving circuit He in accordance with the selection timing of the gate signal line GL.

図2は、前記画素領域における構成を示した平面図(画素電極PX1表面の凹凸は図示していない)で、同図のA−A線における断面図を図3、B−B線における断面図を図4に示している。   FIG. 2 is a plan view showing the configuration in the pixel region (the unevenness of the surface of the pixel electrode PX1 is not shown), and a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. Is shown in FIG.

図3における領域RE1及び図4における領域RE2の断面構造は、図2に示した領域RE内であれば同様の断面構造が得られ、図2に示したA−A線またはB―B線における断面図に限るものではない。   The cross-sectional structures of the region RE1 in FIG. 3 and the region RE2 in FIG. 4 are the same in the region RE shown in FIG. 2, and the same cross-sectional structure is obtained in the line AA or BB shown in FIG. It is not limited to a sectional view.

透明基板SUB1の液晶側の面に、まずX方向に延在しY方向に併設される一対(一方は図示せず)のゲート信号線GLが形成されている。   On the surface of the transparent substrate SUB1 on the liquid crystal side, first, a pair (one not shown) of gate signal lines GL extending in the X direction and provided side by side in the Y direction is formed.

これらゲート信号線GLは後述の一対(一方は図示せず)のドレイン信号線とともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。   These gate signal lines GL surround a rectangular area together with a pair of drain signal lines (one not shown) to be described later, and this area is configured as a pixel area.

このようにゲート信号線GLが形成された透明基板のSUB表面には例えばSiNからなる絶縁膜GIが該ゲート信号線GLを覆って形成されている。   Thus, an insulating film GI made of, for example, SiN is formed on the SUB surface of the transparent substrate on which the gate signal line GL is formed so as to cover the gate signal line GL.

この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線DLの形成領域においては前記ゲート信号線GLに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタTFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Caddの形成領域においてはその誘電体としての機能を有するようになっている。   The insulating film GI functions as an interlayer insulating film for the gate signal line GL in a drain signal line DL formation region described later, and functions as a gate insulating film in a thin film transistor TFT formation region described later. In the region where the capacitor element Cadd is formed, the capacitor element Cadd has a function as a dielectric.

そして、この絶縁膜GIの表面であって、前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにして例えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成されている。   A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed on the surface of the insulating film GI so as to overlap a part of the gate signal line GL.

また、前記半導体層ASは、多結晶Siであってもよい。   The semiconductor layer AS may be polycrystalline Si.

この半導体層ASは、薄膜トランジスタTFTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1及びソース電極SD2を形成することにより、ゲート信号線GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型トランジスタを構成することができる。   This semiconductor layer AS is that of the thin film transistor TFT, and by forming a drain electrode SD1 and a source electrode SD2 on the upper surface thereof, an MIS type transistor having an inverted stagger structure having a part of the gate signal line GL as a gate electrode is formed. can do.

ここで、前記ドレイン電極SD1及びソース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時に形成されるようになっている。   Here, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed simultaneously with the formation of the drain signal line DL.

すなわち、Y方向に延在されるドレイン信号線が形成され、その一部が前記半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜トランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース電極SD2が形成されている。   That is, a drain signal line extending in the Y direction is formed, and a part of the drain signal line extends to the upper surface of the semiconductor layer AS to form the drain electrode SD1, and the drain electrode SD1 and the channel of the thin film transistor TFT are formed. A source electrode SD2 is formed separated by a long distance.

このソース電極SD2は半導体層AS面から画素領域側の絶縁膜GIの上面に至るまで若干延在され、後述の画素電極PXとの接続を図るためのコンタクト部が形成されている。   The source electrode SD2 extends slightly from the semiconductor layer AS surface to the upper surface of the insulating film GI on the pixel region side, and a contact portion for connection with a pixel electrode PX described later is formed.

なお、半導体層ASとドレイン電極SD1及びソース電極SD2との界面には高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層として機能するようになっている。   Note that a thin layer doped with a high concentration impurity is formed at the interface between the semiconductor layer AS and the drain electrode SD1 and the source electrode SD2, and this layer functions as a contact layer.

このコンタクト層は、例えば半導体AS層の形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形成されており、その上面に形成したドレイン電極SD1及びソース電極SD2のパターンをマスクとしてそれから露出された前記不純物をエッチングすることによって形成することができる。   For example, when the semiconductor AS layer is formed, the contact layer has a high-concentration impurity layer already formed on the surface thereof, and the pattern of the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 formed on the upper surface is used as a mask to expose the contact layer. It can be formed by etching impurities.

このように薄膜トランジスタTFT、ドレイン信号線DL、ドレイン電極SD1、及びソース電極SD2が形成された透明基板の表面には保護膜PCが形成されている。   Thus, the protective film PC is formed on the surface of the transparent substrate on which the thin film transistor TFT, the drain signal line DL, the drain electrode SD1, and the source electrode SD2 are formed.

この場合保護膜PCは、薄膜トランジスタTFTの液晶LCとの直接の接触を回避させて該薄膜トランジスタTFTの特性劣化を防止する役割を果たしている。   In this case, the protective film PC plays a role of avoiding the direct contact of the thin film transistor TFT with the liquid crystal LC and preventing the characteristic deterioration of the thin film transistor TFT.

更に、薄膜トランジスタTFTの半導体層ASと前記保護膜PCの間に窒化シリコン(SiNx)からなる無機絶縁膜を形成することにより、薄膜トランジスタTFTの特性劣化防止の信頼性を向上させることができる。   Furthermore, by forming an inorganic insulating film made of silicon nitride (SiNx) between the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT and the protective film PC, it is possible to improve the reliability of preventing the deterioration of characteristics of the thin film transistor TFT.

また、保護膜PCは、後述する画素電極PX1の下地であり、前記画素電極PX1の表面の凹凸を形成する層となる。   Further, the protective film PC is a base for a pixel electrode PX1 described later, and is a layer for forming irregularities on the surface of the pixel electrode PX1.

また、本発明では、保護膜PCにポジ型の感光性高分子樹脂を用いているが、ネガ型の感光性高分子樹脂を用いても凹凸を形成することができる。   In the present invention, the positive photosensitive polymer resin is used for the protective film PC. However, the unevenness can be formed even by using a negative photosensitive polymer resin.

図5は、本発明で使用した保護膜PC表面に凹凸を形成するためのマスク平面図で、同図のC−C線における断面図を図6、同図のD−D線における断面図を図7に示している。   FIG. 5 is a plan view of a mask for forming irregularities on the surface of the protective film PC used in the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 6, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. This is shown in FIG.

図6における領域RE3及び図7における領域RE4の断面構造は、図5に示した遮光パターンSH3で囲まれた領域内であれば同様の断面構造が得られ、図5に示したC−C線またはD―D線における断面図に限るものではない。   The cross-sectional structures of the region RE3 in FIG. 6 and the region RE4 in FIG. 7 are the same cross-sectional structures as long as they are within the region surrounded by the light shielding pattern SH3 shown in FIG. 5, and the CC line shown in FIG. Or it is not restricted to sectional drawing in the DD line.

図6において、遮光パターンSHはマスク基板QU上に光透過率が低い材料、例えばクロム(Cr)で形成されている。開口パターンKA1及び開口パターンCHXは、マスク基板QU上にクロムがない箇所を表している。   In FIG. 6, the light shielding pattern SH is formed on the mask substrate QU with a material having a low light transmittance, for example, chromium (Cr). The opening pattern KA1 and the opening pattern CHX represent locations where there is no chromium on the mask substrate QU.

マスクのある領域RE3では、線状の遮光パターンSH1の幅W1と線状の開口パターンKA1の幅D1の和LXの周期で規則的に配置されている。   In the region RE3 where the mask is provided, they are regularly arranged with a period of the sum LX of the width W1 of the linear light shielding pattern SH1 and the width D1 of the linear opening pattern KA1.

また、本実施例では、前記LXを2μmとしている。   In this embodiment, the LX is 2 μm.

一方、図7において、マスク基板QU上に形成された遮光パターンSH2は、マスクのある領域RE4では不規則的に配置されている。   On the other hand, in FIG. 7, the light shielding pattern SH2 formed on the mask substrate QU is irregularly arranged in the region RE4 where the mask is provided.

この場合の遮光パターンSH2は、平面的にみて円形が好ましいが、四角形あるいは八角形といった多角形でもよい。   In this case, the light shielding pattern SH2 is preferably circular in plan view, but may be a polygon such as a quadrangle or an octagon.

また、マスク基板QU上に形成された開口パターンCHXは、後述する画素電極PX1と薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2を電気的に接続するコンタクトホールCHを形成するためのパターンである。図中において、理解をしやすくするために、開口パターンCHXはハッチングされているが、開口パターンKA1同様に光が透過する領域である。   Further, the opening pattern CHX formed on the mask substrate QU is a pattern for forming a contact hole CH that electrically connects a pixel electrode PX1 described later and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT. In the figure, the opening pattern CHX is hatched for easy understanding, but is an area through which light is transmitted in the same manner as the opening pattern KA1.

上記のようなマスクを透過させ保護膜PCに照射した光の露光量は、開口パターンCHXの箇所では200mJ/cm2とし、開口パターンKA1の箇所では光の干渉と回折を利用し40mJ/cm2としている。 Exposure of the light mask is transmitted through the irradiating the protective film PC as described above, the opening patterns and 200 mJ / cm 2 in place of CHX, utilizing diffraction and interference of light at the location of the opening pattern KA1 40 mJ / cm 2 It is said.

上記のように露光した後、アルカリ液により現像して保護膜PCにパターンを形成している。   After the exposure as described above, a pattern is formed on the protective film PC by developing with an alkaline solution.

また、必要に応じて、続いて保護膜PCの焼成処理をしてもよい。   Further, if necessary, the protective film PC may be baked.

このように保護膜PCが形成された透明基板のSUB1表面には例えばアルミニウム(Al)からなる画素電極PX1が該保護膜PC上に形成されている。   A pixel electrode PX1 made of, for example, aluminum (Al) is formed on the protective film PC on the SUB1 surface of the transparent substrate on which the protective film PC is thus formed.

画素電極PX1は、入射光に対して光反射効率の高い材料であればよく、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、クロム(Cr)、銀(Ag)のような金属を使用してもよい。   The pixel electrode PX1 may be made of a material having high light reflection efficiency with respect to incident light. Molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), chromium (Cr), silver (Ag) A metal such as

図示していないが、アクティブマトリクス基板の液晶LCと接する面(界面)には、液晶分子を初期配向させるための配向膜が成膜されている。   Although not shown, an alignment film for initial alignment of liquid crystal molecules is formed on the surface (interface) in contact with the liquid crystal LC of the active matrix substrate.

上記のようにして形成して得られたSUB1上の表面には、領域RE1では周期Lで規則的に配置された凹凸CO1が形成され、また、領域RE2では不規則に配置された凹凸CO2が形成される。   On the surface on the SUB 1 obtained as described above, irregularities CO1 regularly arranged with a period L in the region RE1 are formed, and irregularities CO2 irregularly arranged in the region RE2 are formed. It is formed.

前記凹凸CO1の凹凸高さは、0.001μm〜1μmであればよく、本実施例では0.4μmとしている。   The unevenness height of the unevenness CO1 may be 0.001 μm to 1 μm, and is 0.4 μm in this embodiment.

前記凹凸CO1は、周期Lで規則的に形成されており、本実施例では2μmとしている。   The unevenness CO1 is regularly formed with a period L, and is 2 μm in this embodiment.

一方、不規則に配置された凹凸CO2の平均の高さは、図2の領域REにおいて、0.1〜2μmの範囲であれば入射光を散乱させることができ、本実施例では0.7μmとしている。   On the other hand, if the average height of irregularly arranged unevenness CO2 is in the range of 0.1 to 2 μm in the region RE of FIG. 2, incident light can be scattered, and in this embodiment, 0.7 μm. It is said.

また、隣接する前記凹凸CO2の頂点間の平均的な間隔は、10μmから30μmであればよく、本実施例では15μmとした。   Further, the average interval between the vertices of the adjacent concave and convex portions CO2 may be 10 μm to 30 μm, and in this embodiment, it is 15 μm.

図14は、図2のコンタクトホールCHの近傍の領域Eの拡大図である。   FIG. 14 is an enlarged view of a region E in the vicinity of the contact hole CH in FIG.

本実施例におけるコンタクトホールCHは四角形の形状で、厳密には角が丸くなった形状である。   The contact hole CH in the present embodiment has a quadrangular shape, strictly speaking, a shape with rounded corners.

前記コンタクトホールCHは上述のような形状に限るものではなく、円形あるいは楕円形であってもよい。   The contact hole CH is not limited to the shape as described above, and may be circular or elliptical.

画素電極PX1と保護膜PCの密着は、保護膜PC表面の規則的な凹凸CO1の存在により表面積が増大し、アンカー効果によって強化される。   The adhesion between the pixel electrode PX1 and the protective film PC is increased by the anchor effect because the surface area increases due to the presence of regular irregularities CO1 on the surface of the protective film PC.

図8は画素電極PX1と保護膜PCの密着強度を示した図である。同図の横軸に示した不規則に配置された凹凸の密度は、凸部の頂点の個数を画素面積で除した値を示すもので、例えば、画素面積16000μm2の中に不規則に配置された凸部の頂点が160個ある場合では、0、01個/μm2となる。実用範囲における不規則に配置された凹凸の密度は、入射光の拡散性を考慮し、0.005個/μm2から0.015個/μm2である。従って、規則的な凹凸CO1を有する本発明構造は、実用範囲において従来構造よりも画素電極PX1と保護膜PCの密着強度が強くなっていることを示している。   FIG. 8 is a diagram showing the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC. The irregularly arranged density shown on the horizontal axis in the figure indicates the value obtained by dividing the number of vertices of the convex portion by the pixel area. For example, the irregularly arranged density is irregularly arranged in the pixel area of 16000 μm2. In the case where there are 160 vertices, the number of protrusions is 0, 01 / μm2. The density of irregularly arranged irregularities in the practical range is 0.005 / μm 2 to 0.015 / μm 2 considering the diffusibility of incident light. Therefore, the structure of the present invention having the regular unevenness CO1 shows that the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC is stronger than the conventional structure in the practical range.

また、不規則に配置された凹凸CO2が存在するため、外光の反射効率は高い。   In addition, since there are irregularly arranged irregularities CO2, the reflection efficiency of external light is high.

実施例2は、実施例1よりもコンタクトホールCHにおける画素電極PX1と保護膜PCの密着強度を強くしたものである。   In the second embodiment, the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC in the contact hole CH is stronger than that in the first embodiment.

図15は図2のコンタクトホールCHの近傍の領域Eの拡大図を示している。   FIG. 15 shows an enlarged view of a region E in the vicinity of the contact hole CH in FIG.

コンタクトホールCHの一部の領域に平面的にみて波型形状が存在することにより、画素電極PX1と保護膜PCの接する面積が増大し、アンカー効果によってコンタクトホールCHの画素電極PX1と保護膜PCの密着が強くなる。   Due to the presence of a wave shape in plan view in a partial region of the contact hole CH, the contact area between the pixel electrode PX1 and the protective film PC increases, and the pixel electrode PX1 and the protective film PC of the contact hole CH are caused by the anchor effect. The adhesion of becomes stronger.

従って、画素電極PX1の剥離による反射率の低下が防止される。   Therefore, a decrease in reflectance due to peeling of the pixel electrode PX1 is prevented.

またコンタクトホールの平面的に見た周囲長が増大する。これにより、周囲長の増大によりコンタクトホール部での断線確率を低減できるとともに、波型としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高い信頼性が実現できる。   Also, the perimeter of the contact hole in plan view increases. As a result, the probability of disconnection at the contact hole portion can be reduced by increasing the perimeter, and the corrugated shape prevents the stress from spreading to the entire side even if the stress causes peeling to one side of the contact hole. Therefore, the rate of connection failure can be greatly reduced, and high reliability can be realized.

実施例3は、実施例1よりもコンタクトホールCHにおける画素電極PX1と保護膜PCの密着強度を強くしたものである。   In Example 3, the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC in the contact hole CH is stronger than that in Example 1.

図16、図17は図2のコンタクトホールCHの近傍の領域Eの拡大図を示している。   16 and 17 show enlarged views of a region E in the vicinity of the contact hole CH in FIG.

コンタクトホールCHの領域に平面的にみて波型形状が存在することにより、画素電極PX1と保護膜PCの接する面積が増大し、アンカー効果によってコンタクトホールCHの画素電極PX1と保護膜PCの密着が強くなる。   Due to the presence of the corrugated shape in the region of the contact hole CH in plan view, the contact area between the pixel electrode PX1 and the protective film PC increases, and the adhesion between the pixel electrode PX1 and the protective film PC in the contact hole CH is caused by the anchor effect. Become stronger.

従って、画素電極PX1の剥離による反射率の低下が防止される。   Therefore, a decrease in reflectance due to peeling of the pixel electrode PX1 is prevented.

またコンタクトホールの平面的に見た周囲長が増大する。これにより、周囲長の増大によりコンタクトホール部での断線確率を低減できるとともに、波型としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高い信頼性が実現できる。   Also, the perimeter of the contact hole in plan view increases. As a result, the probability of disconnection at the contact hole portion can be reduced by increasing the perimeter, and the corrugated shape prevents the stress from spreading to the entire side even if the stress causes peeling to one side of the contact hole. Therefore, the rate of connection failure can be greatly reduced, and high reliability can be realized.

実施例4は実施例1よりも画素電極PX1と保護膜PCの密着を強化し外光の反射効率を高める為に、不規則に配置された凹凸上に線状の凹凸を規則的に配置した形状を形成したものである。   In Example 4, in order to enhance the adhesion between the pixel electrode PX1 and the protective film PC and increase the reflection efficiency of the external light as compared with Example 1, linear irregularities are regularly arranged on irregularly arranged irregularities. A shape is formed.

図9は図2のA−A線における断面図で、図3に対応した図となっている。   9 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2 and corresponds to FIG.

図9のような表面形状を得るために、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極SD1、及びソース電極SD2が形成された後に感光性樹脂からなる保護膜PCを塗布し、後述する図11のマスクを利用し露光量200mJ/cm2で露光する工程と、後述する図12のマスクを利用し露光量40mJ/cm2で露光する工程を経て、アルカリ液で現像する。   In order to obtain the surface shape as shown in FIG. 9, a protective film PC made of a photosensitive resin is applied after the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT are formed, and exposure is performed using a mask shown in FIG. Development is performed with an alkali solution through a step of exposing at an amount of 200 mJ / cm 2 and a step of exposing at an exposure amount of 40 mJ / cm 2 using a mask shown in FIG.

また、必要に応じて、続いて保護膜PCの焼成処理をしてもよい。   Further, if necessary, the protective film PC may be baked.

この場合図10のマスクと図11のマスクの利用する順番を変えても、凹凸を形成することができる。   In this case, unevenness can be formed even if the order of use of the mask of FIG. 10 and the mask of FIG. 11 is changed.

図10及び図11は、本発明で使用した保護膜PC表面に凹凸を形成するためのマスク平面図で、図10のJ−J線における断面図を図12、図11のI−I線における断面図を図13に示している。   10 and 11 are plan views of masks for forming irregularities on the surface of the protective film PC used in the present invention, and a sectional view taken along line JJ in FIG. 10 is taken along line II in FIG. 12 and FIG. A cross-sectional view is shown in FIG.

図12における領域RE6の断面構造は、図10に示した遮光パターンSH3で囲まれた領域内であれば同様の断面構造が得られ、図10に示したJ−J線における断面図に限るものではない。同様に、図13における領域RE7の断面構造は、図11に示した遮光パターンSH6で囲まれた領域内であれば同様の断面構造が得られ、図11に示したI−I線における断面図に限るものではない。   The cross-sectional structure of the region RE6 in FIG. 12 is the same as that of the region surrounded by the light shielding pattern SH3 shown in FIG. 10, and is limited to the cross-sectional view taken along the line JJ shown in FIG. is not. Similarly, the cross-sectional structure of the region RE7 in FIG. 13 is the same as that of the region surrounded by the light shielding pattern SH6 shown in FIG. 11, and the cross-sectional view taken along the line II shown in FIG. It is not limited to.

図12のマスクのある領域RE6には、線状の遮光パタンSH4と開口パターンKA2があり、遮光パターンSH4の幅WX1と開口パターンKA2の幅DX1の和XXの周期で規則的に配置されている。   In the region RE6 where the mask is shown in FIG. 12, there is a linear light shielding pattern SH4 and an opening pattern KA2, which are regularly arranged at a period of the sum XX of the width WX1 of the light shielding pattern SH4 and the width DX1 of the opening pattern KA2. .

また、本実施例では、前記XXを2μmとしている。   In the present embodiment, the XX is 2 μm.

一方、図11のマスクにおいて、QU上に形成された遮光パターンSH5は、マスクのある領域RE7では不規則に配置されている。   On the other hand, in the mask of FIG. 11, the light shielding pattern SH5 formed on the QU is irregularly arranged in the region RE7 where the mask is present.

この場合の遮光パターンSH5は、平面的に見て円形が好ましいが、四角形あるいは八角形といった多角形でもよい。   In this case, the light shielding pattern SH5 is preferably circular in plan view, but may be a polygon such as a quadrangle or an octagon.

次に保護膜PCが形成された透明基板のSUB1表面には例えばアルミニウム(Al)からなる画素電極PX1が該保護膜PC上に形成されている。   Next, a pixel electrode PX1 made of, for example, aluminum (Al) is formed on the protective film PC on the surface of the transparent substrate SUB1 on which the protective film PC is formed.

また、図示していないが、アクティブマトリクス基板の液晶LCと接する面(界面)には、液晶分子を初期配向させるための配向膜が成膜されている。   Although not shown, an alignment film for initial alignment of liquid crystal molecules is formed on the surface (interface) in contact with the liquid crystal LC of the active matrix substrate.

上記のようにして形成して得られたSUB1上の表面は、領域RE6において、図中太い点線で描かれている不規則に配置された凹凸CO4上に線状の凹凸CO3が周期Xで規則的に配置された形状となっている。   In the region RE6, the surface on the SUB 1 obtained as described above has a regular irregularity CO3 with a period X on irregular irregularities CO4 drawn irregularly drawn with thick dotted lines in the figure. It is a shape that is arranged.

本実施例では、周期Xを2μmとしているまた、前記凹凸CO3の凹凸高さは、0.001μm〜1μmであればよく、本実施例では0.001μm〜1μmとしている。   In this embodiment, the period X is 2 μm. The uneven height of the unevenness CO3 may be 0.001 μm to 1 μm, and in this embodiment is 0.001 μm to 1 μm.

一方、不規則に配置された凹凸CO4の平均の高さは、図2の領域REにおいて、0.1〜2μmの範囲であれば入射光を散乱させることができ、本実施例では0.7μmとしている。 On the other hand, the average height of the irregularly arranged irregularities CO4 can scatter incident light within the range of 0.1 to 2 μm in the region RE of FIG. 2. In this embodiment, the average height is 0.7 μm. It is said.

また、コンタクトホールCHは平面的にみて波型形状である。   Further, the contact hole CH has a wave shape in plan view.

図18は本実施例における画素電極PX1と保護膜PCの密着強度を示した図である。   FIG. 18 is a diagram showing the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC in this embodiment.

画素電極PX1と保護膜PCの密着は、保護膜PC表面の規則的な凹凸CO3の存在により表面積が増大し、アンカー効果によって強化される。   The adhesion between the pixel electrode PX1 and the protective film PC is increased by the anchor effect because the surface area increases due to the presence of regular irregularities CO3 on the surface of the protective film PC.

同様に平面的にみて周期Sの波型形状のあるコンタクトホールCHにおいて、画素電極PX1と保護膜PCの密着は、表面積が増大し、アンカー効果によって強化される。   Similarly, in the contact hole CH having a wave shape with a period S in plan view, the adhesion between the pixel electrode PX1 and the protective film PC increases in surface area and is enhanced by the anchor effect.

また、不規則に配置された凹凸CO3が存在するため、外光の反射効率は高い。   In addition, since there are irregularly arranged irregularities CO3, the reflection efficiency of external light is high.

またコンタクトホールの平面的に見た周囲長が増大する。これにより、周囲長の増大によりコンタクトホール部での断線確率を低減できるとともに、波型としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高い信頼性が実現できる。   Also, the perimeter of the contact hole in plan view increases. As a result, the probability of disconnection at the contact hole portion can be reduced by increasing the perimeter, and the corrugated shape prevents the stress from spreading to the entire side even if the stress causes peeling to one side of the contact hole. Therefore, the rate of connection failure can be greatly reduced, and high reliability can be realized.

本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体等価回路である。1 is an overall equivalent circuit showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。It is a top view which shows one Example of the pixel of the liquid crystal display device by this invention. 一実施例における図2のA−A線の断面図である。It is sectional drawing of the AA line of FIG. 2 in one Example. 一実施例における図2のB−B線の断面図である。It is sectional drawing of the BB line of FIG. 2 in one Example. 図3及び図4の画素電極表面形状を形成するためのホトマスクの説明図である。It is explanatory drawing of the photomask for forming the pixel electrode surface shape of FIG.3 and FIG.4. 図5のC−C線における断面図である。It is sectional drawing in the CC line of FIG. 図5のD−D線における断面図である。It is sectional drawing in the DD line | wire of FIG. 画素電極と画素電極下地である樹脂の密着強度を本発明の一実施例と従来で比較したグラフである。It is the graph which compared the adhesion strength of resin which is a pixel electrode and pixel electrode base with the Example of this invention conventionally. 他の実施例における図2のA−A線の断面図である。It is sectional drawing of the AA line of FIG. 2 in another Example. 他の実施例における図9の画素電極表面形状を形成するためのホトマスクの説明図である。It is explanatory drawing of the photomask for forming the pixel electrode surface shape of FIG. 9 in another Example. 他の実施例における図9の画素電極表面形状を形成するためのホトマスクの説明図である。It is explanatory drawing of the photomask for forming the pixel electrode surface shape of FIG. 9 in another Example. 図10のJ−J線における断面図である。It is sectional drawing in the JJ line of FIG. 図11のI−I線における断面図である。It is sectional drawing in the II line | wire of FIG. 一実施例における図2のE領域の拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of an E region in FIG. 2 in one embodiment. 他の実施例における図2のE領域の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of E area | region of FIG. 2 in another Example. 他の実施例における図2のE領域の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of E area | region of FIG. 2 in another Example. 他の実施例における図2のE領域の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of E area | region of FIG. 2 in another Example. 画素電極と画素電極下地である樹脂の密着強度を本発明の他の実施例と従来で比較したグラフである。It is the graph which compared the adhesion strength of resin which is a pixel electrode and pixel electrode base with the other Example of this invention conventionally.

符号の説明Explanation of symbols

SUB…透明基板、GL…ゲート信号線、DL…ドレイン信号線、AS…半導体層、TFT…薄膜トランジスタ、PX…画素電極、GI…絶縁膜、PS…保護膜、LC…液晶、CH…コンタクトホール、QU…透明基板、KA…マスクにおける開口パターン、SH…マスクにおける遮光パターン、SD…ソース・ドレイン電極、CO…画素表面の凹凸形状。

SUB ... transparent substrate, GL ... gate signal line, DL ... drain signal line, AS ... semiconductor layer, TFT ... thin film transistor, PX ... pixel electrode, GI ... insulating film, PS ... protective film, LC ... liquid crystal, CH ... contact hole, QU: Transparent substrate, KA: Opening pattern in mask, SH: Shading pattern in mask, SD: Source / drain electrode, CO: Uneven shape on pixel surface.

Claims (3)

透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極にコンタクトホールを介して電気的に接続された画素電極をする液晶表示装置において、
前記コンタクトホールの少なくとも一部が平面的に見て波型形状であることを特徴とする液晶表示装置。
A transparent substrate and the other substrate disposed opposite to the transparent substrate across the liquid crystal layer, a plurality of scanning wirings on the other substrate, and a plurality of signals wired in a direction intersecting the scanning wirings Wiring, a thin film transistor provided near each intersection, a protective film formed so as to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film via a contact hole In a liquid crystal display device having electrically connected pixel electrodes,
A liquid crystal display device, wherein at least a part of the contact hole has a wave shape when seen in a plan view.
前記保護膜の前記画素電極の下部の領域にほぼ規則的に配置された複数の線状の凹部または凸部を有し、前記波型形状は前記複数の線状の凹部または凸部とほぼ同様の規則性を有することを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。   The protective film has a plurality of linear recesses or projections arranged almost regularly in a region below the pixel electrode of the protective film, and the corrugated shape is substantially the same as the plurality of linear recesses or projections The liquid crystal display device according to claim 1, having the regularity of: 前記波形形状は前記ほぼ規則的に配置された複数の線状の凹部または凸部の延長線上または隣接したところに形成されていることを特徴とする請求項1あるいは2のいずれか1項記載の液晶表示装置。

The said waveform shape is formed in the extended line of the said some linear recessed part or convex part arrange | positioned substantially regularly, or the place which adjoins, The one of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. Liquid crystal display device.

JP2006036051A 2006-02-14 2006-02-14 Liquid crystal display Expired - Fee Related JP4565568B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006036051A JP4565568B2 (en) 2006-02-14 2006-02-14 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006036051A JP4565568B2 (en) 2006-02-14 2006-02-14 Liquid crystal display

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001298911A Division JP3956274B2 (en) 2001-09-28 2001-09-28 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006133813A true JP2006133813A (en) 2006-05-25
JP4565568B2 JP4565568B2 (en) 2010-10-20

Family

ID=36727348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006036051A Expired - Fee Related JP4565568B2 (en) 2006-02-14 2006-02-14 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4565568B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544053A (en) * 2010-12-30 2012-07-04 上海天马微电子有限公司 Active OLED display

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156864A (en) * 1980-05-08 1981-12-03 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal display unit
JPH1010525A (en) * 1996-06-19 1998-01-16 Sharp Corp Reflection type substrate, its manufacture and reflection type liquid crystal display device
JPH10282514A (en) * 1997-04-01 1998-10-23 Dainippon Printing Co Ltd Reflection type liquid crystal display device and manufacture thereof
JP2000111949A (en) * 1998-10-05 2000-04-21 Sony Corp Manufacture of electrooptical device and manufacture of driving substrate for the same
JP2002526811A (en) * 1998-10-02 2002-08-20 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Reflective liquid crystal display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156864A (en) * 1980-05-08 1981-12-03 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal display unit
JPH1010525A (en) * 1996-06-19 1998-01-16 Sharp Corp Reflection type substrate, its manufacture and reflection type liquid crystal display device
JPH10282514A (en) * 1997-04-01 1998-10-23 Dainippon Printing Co Ltd Reflection type liquid crystal display device and manufacture thereof
JP2002526811A (en) * 1998-10-02 2002-08-20 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Reflective liquid crystal display device
JP2000111949A (en) * 1998-10-05 2000-04-21 Sony Corp Manufacture of electrooptical device and manufacture of driving substrate for the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544053A (en) * 2010-12-30 2012-07-04 上海天马微电子有限公司 Active OLED display

Also Published As

Publication number Publication date
JP4565568B2 (en) 2010-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6888596B2 (en) Liquid crystal display device
US20190196278A1 (en) Liquid crystal display device having rectangular-shaped pixel electrodes overlapping with comb-shaped counter electrodes in plan view
US7480015B2 (en) Method for manufacturing array substrate of translucent LCD
JP3768367B2 (en) Liquid crystal display
JP4784382B2 (en) Liquid crystal display
US8350975B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
CN101676781B (en) System for displaying images and fabricating method thereof
JP2007156489A (en) Transflective liquid crystal display
JP4817718B2 (en) Display device substrate and liquid crystal display device including the same
JP4646018B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2009063603A (en) Liquid crystal display and its manufacturing method
JP2007114770A (en) Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display device having the same
KR20040057970A (en) Manufacturing method of substrate for display panel
US7521298B2 (en) Thin film transistor array panel of active liquid crystal display and fabrication method thereof
JP2007226245A (en) Liquid crystal display
JP2005148745A (en) Array substrate and its manufacturing method, and liquid crystal display having same
JP4565568B2 (en) Liquid crystal display
KR20070070041A (en) Liquid crystal display device
JP3956274B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2002323704A (en) Liquid crystal display device
JP2006215062A (en) Liquid crystal display panel, liquid crystal display, and method of manufacturing liquid crystal display panel
JP3929409B2 (en) Liquid crystal display
JP4078928B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5247070B2 (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
KR20010047591A (en) Tft lcd

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090310

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100727

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100730

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4565568

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees