JP2006121120A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダイシングにより切削されたチップ周辺の各側面の内、一辺の任意の箇所だけに切り欠き部50を有し、それ以外には帯状に残留して露出する金属層30を形成する。このようにすれば、金属層30が露出していない切り欠き部50がチップの向きを表すマークとして機能するようになる。この結果、ポストの配置や形状を変えることなくチップの向きを一目瞭然にすることができる。
【選択図】 図5
Description
Package)構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
図1および図2は、第1実施例による半導体装置100の構造およびその製造工程を説明する為の図である。これらの図において前述した従来例(図6〜8参照)と共通する部分には同一の番号を付している。第1実施例による半導体装置100が、前述した従来例の半導体装置10と相違する点は、ダイシングにより個片化されたチップの一辺側面に、このダイシングにより露出してチップの向きを表すマークとして機能する識別ポスト20を設けたことにある。
上述した第1実施例では、再配線5−1上に角柱状の識別ポスト20を設け、これをダイシングにて切削することによって、個片化された半導体装置100の一辺側面側に矩形状のマークとして露出するようにした。
上述の第2実施例では、識別ポスト21の断面を台形状にすることによって、封止樹脂層7に対してクサビ状に固定され、これによりダイシング時に封止樹脂層7から剥離するのを防ぐようにしたが、これに限らず図4に図示する態様で識別ポスト21を形成することも可能である。すなわち、ダイシングに用いるダイサーのブレードによっては、削り代が少ない場合がある。そのような場合には、図4に図示するように、台形状に形成される識別ポスト21の底辺を長くして認識し易いようにし、かつ底辺部を複数のクサビ状に形成して封止樹脂層7との接合強度を高める。
2 接続パッド
3 パッシベーション
4,4−1 保護膜
5,5−1 再配線
6 ポスト
7 封止樹脂層
20,21 識別ポスト
30 金属層
50 切り欠き部
Claims (2)
- 開口部以外が絶縁膜で被覆された複数の接続パッドを備えた半導体基板上に、これら接続パッドの開口部を介して電気的に接続される再配線および基端が前記再配線と電気的に接続される複数のポストを形成し、これらポストの先端のみが露出するよう前記半導体基板上を封止した構造の半導体装置において、
前記複数のポストと共に再配線上に形成される金属層を有し、
この金属層は、ダイシングにより個片化された上記構造の半導体装置の周辺側面の内、一辺側面の任意の箇所だけに切り欠き部を備え、その他の周辺側面には帯状に残留して露出することを特徴とする半導体装置。 - 開口部以外が絶縁膜で被覆された複数の接続パッドを備えた半導体基板上に、これら接続パッドの開口部を介して電気的に接続される再配線および基端が前記再配線と電気的に接続される複数のポストを形成し、これらポストの先端のみが露出するよう前記半導体基板上を封止した構造の半導体装置を製造する方法において、
ダイシングにより個片化された上記構造の半導体装置の周辺側面の内、一辺側面の任意の箇所だけに切り欠き部を備え、その他の周辺側面には帯状に残留して露出する金属層を前記複数のポストと共に再配線上に形成する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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