JP2006119271A - Adhesion improver and substrate treating liquid using the same - Google Patents

Adhesion improver and substrate treating liquid using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2006119271A
JP2006119271A JP2004305627A JP2004305627A JP2006119271A JP 2006119271 A JP2006119271 A JP 2006119271A JP 2004305627 A JP2004305627 A JP 2004305627A JP 2004305627 A JP2004305627 A JP 2004305627A JP 2006119271 A JP2006119271 A JP 2006119271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
manufactured
mol
adhesion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004305627A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Yoji Fujita
陽二 藤田
Tomoyuki Yumiba
智之 弓場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2004305627A priority Critical patent/JP2006119271A/en
Publication of JP2006119271A publication Critical patent/JP2006119271A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesion improver which does not cause deterioration of photosensitive property and improves adhesive property to a base material after heat curing. <P>SOLUTION: The adhesion improver comprises a compound selected from compounds each obtained by reacting a specific aromatic amine with a specific silane compound having a group which reacts with an aromatic amino group. A surface treating liquid for a substrate using the adhesion improver is also provided. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、樹脂組成物の接着性を向上させる接着改良剤に関するものであり、特に半導体分野において層間絶縁膜、表面保護層などに用いられる耐熱樹脂前駆体組成物に適し、シリコンなどの無機材料との接着性を向上させる接着改良剤に関する。   The present invention relates to an adhesion improver that improves the adhesion of a resin composition, and is particularly suitable for a heat-resistant resin precursor composition used for an interlayer insulating film, a surface protective layer, etc. in the semiconductor field, and an inorganic material such as silicon. It is related with the adhesive improvement agent which improves the adhesiveness.

ポリイミドなどの耐熱性樹脂は、その優れた耐熱性、電気絶縁性などからLSIなどの半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜などに用いられている。このような用途では、基板材料であるシリコン基板と高い接着性を示すことが重要である。しかしながら、ポリイミド樹脂自体は接着性が低く、シランカップリング剤による接着改良(特許文献1参照)、シロキサンジアミンのポリイミドへの共重合により接着を改良する方法(特許文献2参照)などが知られている。
一方、近年の半導体素子の微細化に伴い、ポリイミドも1μm程度の微細なパターンを形成する必要が出てきた。微細なパターンを形成できるポジ型の感光性ポリイミドやポリベンゾオキサゾール(特許文献3参照)がある。しかしながら、特許文献3に示されたポジ型感光性ポリイミドでは微細なパターンを形成できるが、従来、効果があるとされていたアミノシラン系のシランカップリング剤では、ポジ型の感光剤に使用しているナフトキノンジアジド化合物の分解を促進し、感度低下、不安定化などの問題があった。
A heat-resistant resin such as polyimide is used for a surface protective film, an interlayer insulating film, and the like of a semiconductor element such as an LSI because of its excellent heat resistance and electrical insulation. In such an application, it is important to show high adhesiveness with a silicon substrate as a substrate material. However, the polyimide resin itself has low adhesiveness, and adhesion improvement using a silane coupling agent (see Patent Document 1), a method of improving adhesion by copolymerizing siloxane diamine to polyimide (see Patent Document 2), and the like are known. Yes.
On the other hand, with the recent miniaturization of semiconductor elements, it has become necessary to form a fine pattern of about 1 μm on polyimide. There are positive photosensitive polyimide and polybenzoxazole (see Patent Document 3) that can form a fine pattern. However, although the positive photosensitive polyimide disclosed in Patent Document 3 can form a fine pattern, the aminosilane-based silane coupling agent, which has been considered effective in the past, is used as a positive photosensitive agent. The decomposition of the naphthoquinonediazide compound promotes the degradation of sensitivity and destabilization.

これまでは感光性組成物に使用する接着改良成分としてイミダゾールシラン系のもの(特許文献4参照)、窒素含有基を有するアルコキシシラン化合物の部分加水分解縮合物を含むもの(特許文献5参照)、特にポジ型の感光性樹脂組成物の接着改良剤として、アミノシラン化合物と酸を反応させたもの(特許文献6参照)、アミノシランのアミノ基にアクロイル基が結合したシランカップリング剤などが知られている(特許文献7参照)。
しかしながら、イミダゾールシラン系の化合物は、塩基性が強く、ナフトキノンジアジド化合物の分解を促進すること、ポリイミド系のポリマーのイミド化を促進し、保存安定性に劣るものとなる。アミノシラン化合物と酸を反応させた化合物を加えたものは、ナフトキノンジアジド化合物の分解を促進する効果は弱いものの、接着改良効果も充分ではないという問題がある。アミノシランのアミノ基にアクロイル基が結合したシランカップリング剤は、アクロイル基が光重合をするため、ポジ型の感光性組成物を作る場合、アクロイル基が光重合して、露光部の溶解を妨げ、感度が低下するという問題があった。
特開昭63−27834号公報(請求項3) 特開昭61−176630号公報(請求項1〜5) 特開2003−345019号(請求項1〜8) 特開2004−144946号公報(請求項1) 特開2004−69962号公報(請求項1〜4) 特開平11−242338号公報(請求項1) 特開平5−25219号公報(請求項1、2)
So far, as an adhesion improving component used in the photosensitive composition, an imidazole silane-based component (see Patent Document 4), a component containing a partial hydrolysis condensate of an alkoxysilane compound having a nitrogen-containing group (see Patent Document 5), Particularly known as adhesion improvers for positive photosensitive resin compositions are those obtained by reacting an aminosilane compound and an acid (see Patent Document 6), and silane coupling agents in which an acroyl group is bonded to the amino group of aminosilane. (See Patent Document 7).
However, imidazole silane compounds have strong basicity, promote the decomposition of naphthoquinone diazide compounds, promote the imidation of polyimide polymers, and have poor storage stability. The addition of a compound obtained by reacting an aminosilane compound and an acid has a problem that the effect of promoting the decomposition of the naphthoquinonediazide compound is weak, but the effect of improving the adhesion is not sufficient. The silane coupling agent in which an acryloyl group is bonded to the amino group of aminosilane is photopolymerized because the acryloyl group is photopolymerized. Therefore, when making a positive photosensitive composition, the acryloyl group is photopolymerized to prevent dissolution of the exposed area. There was a problem that sensitivity was lowered.
JP 63-27834 A (Claim 3) JP-A-61-176630 (Claims 1 to 5) JP 2003-345019 A (Claims 1 to 8) JP 2004-144946 A (Claim 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-69962 (Claims 1 to 4) JP-A-11-242338 (Claim 1) JP-A-5-25219 (Claims 1 and 2)

本発明は、感光特性の維持を確保するには有効な、従来から用いられているo−キノンジアジド化合物などの酸発生剤を使用しながら、接着性改良をもたらす新たな化合物の検討と、従来品からの感度低下のない、加熱硬化後の基材との接着特性が良好な接着改良剤および基板処理液の提供を目的とする。   The present invention is a novel compound that improves adhesion while using an acid generator such as an o-quinonediazide compound that has been used in the past, which is effective for ensuring the maintenance of photosensitive characteristics. It is an object of the present invention to provide an adhesion improver and a substrate processing solution that have good adhesive properties with a base material after heat-curing without causing a decrease in sensitivity.

すなわち本発明は、一般式(1)〜(3)で表される化合物の少なくとも1種を有することを特徴とする接着改良剤である。   That is, this invention is an adhesion | attachment improving agent characterized by having at least 1 sort (s) of the compound represented by General formula (1)-(3).

Figure 2006119271
Figure 2006119271

(R、R、R11、R12、R13はそれぞれ、1個以上10個以下の炭素原子を有する有機基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、炭素数2以上10未満のエステル基から選ばれた基を表す。R、R、R、R、R、R10、R17、R18、R19はそれぞれ、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表す。R、R、R14、R15、R16、R20はそれぞれ、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基から選ばれた基を表し、少なくとも1つは炭素数1〜6のアルコキシ基である。Xは炭素数1〜10のアルキル基、アルキレン基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、炭素数2〜10のエステル基、炭素数2〜10までのアミド基から選ばれた基を表す。XX、YYは単結合、 (R 1 , R 7 , R 11 , R 12 , R 13 are each an organic group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a carboxyl group, 2 to 10 carbon atoms. R 2 , R 3 , R 4 , R 8 , R 9 , R 10 , R 17 , R 18 , R 19 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 5 , R 6 , R 14 , R 15 , R 16 , and R 20 are each a group selected from an alkenyl group, a phenyl group, and a substituted phenyl group, each having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, A group selected from a phenyl group, a substituted phenyl group, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of which is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, X is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkylene Group, nitro group, hydroxyl group Represents a group selected from an alkoxy group, a carboxyl group, an ester group having 2 to 10 carbon atoms, and an amide group having 2 to 10 carbon atoms, XX and YY are single bonds,

Figure 2006119271
Figure 2006119271

から選ばれた基を表す。R21、R22は、それぞれ水素、フッ素、炭素数1〜10のアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表す。p、q、s、u、vは1〜4の整数、mは1〜3の整数、lは0〜2までの整数、a、b、k、nは0〜10までの整数、d、f、gは1〜4までの整数、t、hは0〜100までの整数、jは1〜3までの整数を表す。 Represents a group selected from R 21 and R 22 each represent a group selected from hydrogen, fluorine, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, an alkoxy group, a phenyl group, and a substituted phenyl group. p, q, s, u, v are integers of 1-4, m is an integer of 1-3, l is an integer of 0-2, a, b, k, n are integers of 0-10, d, f and g are integers from 1 to 4, t and h are integers from 0 to 100, and j is an integer from 1 to 3.

一般式(1)〜(3)で表される化合物は、芳香族アミンとアミノ基と反応する基であるエポキシ基、クロロメチル基などを有したシランカップリング剤を反応させることで、芳香族アミンの活性が低下しナフトキノンジアジド化合物の分解を促進することなく、基板との接着性のある化合物を得ることが出来る。シリコン基板表面にあるシラノール基と一般式(1)で表される化合物にある2級のアミノ基は、50〜200℃の低温でも作用し、さらに一般式(1)で表される化合物にあるアルコキシ基はシリコン基板表面にあるシラノール基とシロキサン結合を形成し得るが、一般式(1)で表される化合物にある2級のアミノ基の触媒作用により、その結合が促進する。上記の構成にすることによって、シリコン基板との接着力がより大きくなる。また、シリコン系の基板表面としてはシリコンナイトライド、酸化ケイ素、セラミック類なども同様に表面のシラノール基と作用するために同様の効果が得られる。また、鉄、ニッケル、銅などの金属面でも表面に形成された金属酸化物の薄層に形成されているOH基(水酸基)と作用するために良好な接着性を得ることが出来る。   The compounds represented by the general formulas (1) to (3) are aromatic by reacting a silane coupling agent having an epoxy group or a chloromethyl group, which is a group that reacts with an aromatic amine and an amino group. A compound having adhesiveness to the substrate can be obtained without reducing the activity of the amine and promoting the decomposition of the naphthoquinonediazide compound. The silanol group on the surface of the silicon substrate and the secondary amino group in the compound represented by the general formula (1) act at a low temperature of 50 to 200 ° C., and further exist in the compound represented by the general formula (1). The alkoxy group can form a siloxane bond with a silanol group on the surface of the silicon substrate, but the bond is promoted by the catalytic action of the secondary amino group in the compound represented by the general formula (1). With the above configuration, the adhesive force with the silicon substrate is further increased. In addition, since silicon nitride, silicon oxide, ceramics and the like similarly act on the surface silanol groups as the silicon-based substrate surface, the same effect can be obtained. Further, even on a metal surface such as iron, nickel, copper, etc., it acts with the OH group (hydroxyl group) formed in the thin layer of the metal oxide formed on the surface, so that good adhesion can be obtained.

Figure 2006119271
Figure 2006119271

、Rはそれぞれ、1個以上10個以下の炭素原子を有する有機基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、炭素数2以上10未満のエステル基から選ばれた基を表す。R、R、R、R、R、R10はそれぞれ、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表す。R、R、R20はそれぞれ、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、炭素数1〜6のアルコキシル基から選ばれた有機基を表し、少なくとも1つは炭素数1〜6のアルコキシ基である。Xは炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシル基、カルボキシル基、炭素数2〜10のエステル基、炭素数2〜10までのアミド基から選ばれた基を表す。p、qは1〜4の整数、mは1〜3の整数、lは0〜2までの整数、k、nは0〜10までの整数を表す。
、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基などのフッ素化アルキル基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数2〜10までのエステル基、炭素数2〜10までのアミド基などがある。これらの中でアルキル基、フッ素化アルキル基、水酸基が好ましい。
、R、R、R、R、R10は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表しており、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基などが好ましい。R、R、R20はそれぞれ、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、炭素数1〜6のアルコキシル基から選ばれた有機基を表し、少なくとも1つは炭素数1〜6のアルコキシ基を表しており、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基を表しており、必ず1つはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル基であることが必要である。Xは炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシル基、カルボキシル基、炭素数2〜10のエステル基を表しており、特に水酸基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル基、ニトロ基が好ましい。
R 1 and R 7 each represents a group selected from an organic group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a carboxyl group, and an ester group having 2 to 10 carbon atoms. R 2 , R 3 , R 4 , R 8 , R 9 , and R 10 each represent a group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, a phenyl group, and a substituted phenyl group. R 5 , R 6 , and R 20 each represent an organic group selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, a phenyl group, a substituted phenyl group, and an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms. Is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. X represents a group selected from an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxyl group, a carboxyl group, an ester group having 2 to 10 carbon atoms, and an amide group having 2 to 10 carbon atoms. . p and q are integers of 1 to 4, m is an integer of 1 to 3, l is an integer of 0 to 2, and k and n are integers of 0 to 10.
R 1 and R 7 are a hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, a fluorinated alkyl group such as a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoropropyl group, or a perfluorobutyl group. Groups, hydroxyl groups, nitro groups, carboxyl groups, amino groups, ester groups having 2 to 10 carbon atoms, amide groups having 2 to 10 carbon atoms, and the like. Among these, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, and a hydroxyl group are preferable.
R 2 , R 3 , R 4 , R 8 , R 9 , and R 10 represent a group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a substituted phenyl group. Group, propyl group, phenyl group and the like are preferable. R 5 , R 6 , and R 20 each represent an organic group selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, a phenyl group, a substituted phenyl group, and an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms. Represents an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and represents a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a phenyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, or a butoxy group. It is necessary to be an alkoxyl group such as a group, a propoxy group, or a butoxy group. X represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxyl group, a carboxyl group, an ester group having 2 to 10 carbon atoms, particularly a hydroxyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, An alkoxyl group such as a butoxy group and a nitro group are preferred.

本発明に使用することの出来る芳香族アミンは、pKa(水溶液中での解離定数)が3〜9の範囲の芳香族アミンを使用することができる。pKaが3より小さくなると基板への接着性が低下し、pKaが9より大きくなると、感光成分の分解を推進する。さらに好ましくはpKaが4〜8の範囲である。このようなpKaが3〜9の範囲にあるアミンとしては、アニリン、シアノアニリン、ヒドロキシルアニリン、ニトロアニリン、クロロアニリン、アミノ安息香酸エチル、トリフルオロメチルアニリン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、メチルヒドロキシルアニリン、アミノピリジン、メチルアミノピリジン、ジヒロドキシアニリン、ヒドロキシアミノピリジンなどの芳香族アミン類、あるいは、ジアミノベンゼン、トリアミノベンゼン、ジアミノピリジン、トリアミノピリジン、ヒドロキシジアミノベンゼン、ジヒドロキシジアミノベンゼンなどの芳香族多価アミン類をあげることが出来る。   As the aromatic amine that can be used in the present invention, an aromatic amine having a pKa (dissociation constant in an aqueous solution) in the range of 3 to 9 can be used. When the pKa is smaller than 3, the adhesion to the substrate is lowered, and when the pKa is larger than 9, the decomposition of the photosensitive component is promoted. More preferably, the pKa is in the range of 4-8. Examples of such amines having a pKa in the range of 3 to 9 include aniline, cyanoaniline, hydroxylaniline, nitroaniline, chloroaniline, ethyl aminobenzoate, trifluoromethylaniline, methylaniline, dimethylaniline, methylhydroxylaniline, Aromatic amines such as aminopyridine, methylaminopyridine, dihydroxyaniline and hydroxyaminopyridine, or aromatics such as diaminobenzene, triaminobenzene, diaminopyridine, triaminopyridine, hydroxydiaminobenzene and dihydroxydiaminobenzene Polyvalent amines can be mentioned.

これらの芳香族アミン類と、アミノ基と反応する基を有したシランカップリング剤を反応させる。これらのアミノ基と反応する基として好ましいものはエポキシ基、クロロメチル基などを挙げることが出来る。しかしながら、芳香族アミン類のアミノ基と反応する基がカルボキシル基やスルホン酸基であると、アミノ基の塩基性が完全に失われ、時として酸として作用するために好ましくない。以上のことから、このようなシラン化合物の例としては、トリメトキシ−1−ジメチレンクロライド、トリメトキシエポキシシラン、トリエトキシエポキシシラン、カルボキシルプロピルトリメトキシシラン、ビス(エポキシ)テトラメトキシジシロキサン、トリス(エポキシ)トリメトキシジシロキサン、トリス(エポキシ)ペンタ(メトキシ)トリシロキサン、などのエポキシ基、クロロメチル基などのアミノ基と反応する基を有したシラン化合物をあげることができる。   These aromatic amines are reacted with a silane coupling agent having a group that reacts with an amino group. Preferred examples of the group that reacts with these amino groups include an epoxy group and a chloromethyl group. However, if the group that reacts with the amino group of the aromatic amine is a carboxyl group or a sulfonic acid group, the basicity of the amino group is completely lost and sometimes acts as an acid. From the above, examples of such silane compounds include trimethoxy-1-dimethylene chloride, trimethoxyepoxysilane, triethoxyepoxysilane, carboxylpropyltrimethoxysilane, bis (epoxy) tetramethoxydisiloxane, tris ( Examples thereof include silane compounds having a group that reacts with an epoxy group such as (epoxy) trimethoxydisiloxane and tris (epoxy) penta (methoxy) trisiloxane, and an amino group such as a chloromethyl group.

一般式(2)で表される化合物は、2個以上のアミノ基を有した芳香族アミノ化合物と芳香族アミノ化合物が有するアミノ基と反応する基を有したシランカップリング剤を反応させることで得ることが出来る。   The compound represented by the general formula (2) is obtained by reacting an aromatic amino compound having two or more amino groups with a silane coupling agent having a group that reacts with the amino group of the aromatic amino compound. Can be obtained.

Figure 2006119271
Figure 2006119271

11はそれぞれ、1個以上10個以下の炭素原子を有する有機基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、炭素数2以上10未満のエステル基から選ばれた基を表す。R17、R18、R19はそれぞれ、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表す。R14、R15、R16、R20はそれぞれ、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、炭素数1〜6のアルコキシル基から選ばれた基を表し、少なくとも1つは炭素数1〜6のアルコキシ基である。Xは炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシル基、カルボキシル基、炭素数2〜10のエステル基、炭素数2〜10までのアミド基から選ばれた基を表す。XXは単結合、 R 11 represents a group selected from an organic group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a carboxyl group, and an ester group having 2 to 10 carbon atoms. R 17 , R 18 , and R 19 each represent a group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, a phenyl group, and a substituted phenyl group. R 14 , R 15 , R 16 and R 20 each represent a group selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, a phenyl group, a substituted phenyl group, and an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, One is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. X represents a group selected from an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxyl group, a carboxyl group, an ester group having 2 to 10 carbon atoms, and an amide group having 2 to 10 carbon atoms. . XX is a single bond,

Figure 2006119271
Figure 2006119271

から選ばれた基を表す。sは1〜4の整数、a、bは0〜10までの整数、dは1〜4までの整数、tは1〜100までの整数を表す。R21、R22は、水素、フッ素、炭素数1〜10のアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、置換フェニル基を表す。jは1〜3までの整数を表している。 Represents a group selected from s is an integer of 1 to 4, a and b are integers of 0 to 10, d is an integer of 1 to 4, and t is an integer of 1 to 100. R 21 and R 22 represent hydrogen, fluorine, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, an alkoxyl group, a phenyl group, or a substituted phenyl group. j represents an integer from 1 to 3.

芳香族ジアミンとしては、アミノ基を2個有し、pKaが3〜9にあるものを表しており、フェニレンジアミン、メチルフェニレンジアミン、シアノフェニレンジアミン、ヒドロキシフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノビフェニル、ジメチルジアミノビフェニル、ジメトキシジアミノビフェニル、ビス(トリフルオロメチル)ジアミノビフェニル、ビス(アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(アミノフェニル)ジプロピルベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)ジフェニルエーテル、ビス(アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、ビス(アミノフェノキシ)ジフェニルプロパン、ビス(アミノヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(アミノヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(アミノヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(アミノフェノキシフェニル)エーテルなど置換された、あるいは置換されていない芳香族ジアミンをあげることができる。特にフェノール性の水酸基を有したジアミンを用いるのが好ましい。   Aromatic diamines are those having two amino groups and having a pKa of 3 to 9, including phenylenediamine, methylphenylenediamine, cyanophenylenediamine, hydroxyphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenyl ether, diaminobiphenyl. , Dimethyldiaminobiphenyl, dimethoxydiaminobiphenyl, bis (trifluoromethyl) diaminobiphenyl, bis (aminophenoxy) benzene, bis (aminohydroxyphenyl) propane, bis (aminophenyl) dipropylbenzene, bis (aminophenoxy) diphenyl ether, bis (Aminophenoxy) diphenylsulfone, bis (aminophenoxy) diphenylpropane, bis (aminohydroxyphenyl) hexafluoropropane It can be exemplified bis (amino-hydroxyphenyl) propane, bis (amino-hydroxyphenyl) sulfone, bis substituted, such as (aminophenoxy phenyl) ether, or an aromatic diamine which is unsubstituted. In particular, it is preferable to use a diamine having a phenolic hydroxyl group.

また、2個以上のアミノ基を有した芳香族アミノ化合物として、トリ(アミノフェニル)メタン、トリ(アミノフェニル)エタン、トリ(アミノフェニル)プロパン、テトラ(アミノフェニル)メタン、トリ(アミノフェニル)トリフルオロエタンやこれらにニトロ基、エステル基、アルキル基などの置換基がついたトリアミノ化合物、テトラ(アミノフェニル)メタンなどのテトラアミノ化合物を挙げることが出来る。   Moreover, as an aromatic amino compound having two or more amino groups, tri (aminophenyl) methane, tri (aminophenyl) ethane, tri (aminophenyl) propane, tetra (aminophenyl) methane, tri (aminophenyl) Examples thereof include trifluoroethane, triamino compounds having a substituent such as a nitro group, an ester group, and an alkyl group attached thereto, and tetraamino compounds such as tetra (aminophenyl) methane.

一般式(2)で表される化合物を得るために用いることが出来るシラン化合物としては、一般式(1)で用いられるものと同様のものを好ましく使用することができる。   As the silane compound that can be used to obtain the compound represented by the general formula (2), the same silane compound as that used in the general formula (1) can be preferably used.

一般式(3)で表される化合物は、芳香族ジアミン、トリアミン、あるいは3価以上のポリアミンと、これらのアミン化合物を有するアミノ基と反応する基を有したシランカップリング剤を反応させることで得ることが出来る。   The compound represented by the general formula (3) is obtained by reacting an aromatic diamine, a triamine, or a triamine or higher polyamine with a silane coupling agent having a group that reacts with an amino group having these amine compounds. Can be obtained.

Figure 2006119271
Figure 2006119271

12、R13はそれぞれ、1個以上10個以下の炭素原子を有する有機基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、炭素数2以上10未満のエステル基から選ばれた基を表す。上記Qに係る置換基等については上記と同じである。YYは単結合、 R 12 and R 13 each represents a group selected from an organic group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a carboxyl group, and an ester group having 2 to 10 carbon atoms. The substituent and the like according to Q are the same as described above. YY is a single bond,

Figure 2006119271
Figure 2006119271

から選ばれた基を表す。R21、R22は、水素、フッ素、炭素数1〜10のアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、置換フェニル基を表す。u、vは1〜4の整数、a、bは0〜10までの整数、f、gは1〜4までの整数、hは1〜100までの整数、jは1〜3までの整数を表している。 Represents a group selected from R 21 and R 22 represent hydrogen, fluorine, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, an alkoxyl group, a phenyl group, or a substituted phenyl group. u and v are integers of 1 to 4, a and b are integers of 0 to 10, f and g are integers of 1 to 4, h is an integer of 1 to 100, and j is an integer of 1 to 3. Represents.

本発明中、Xは炭素数1〜10のアルキル基、アルキレン基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、炭素数2〜10のエステル基、炭素数2〜10までのアミド基から選ばれた基を表しており、この中でも極性のあるニトロ基、水酸基、カルボキシル基、エステル基、アミド基が好ましく、さらに好ましくは水酸基である。   In the present invention, X is selected from alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, alkylene groups, nitro groups, hydroxyl groups, alkoxy groups, carboxyl groups, ester groups having 2 to 10 carbon atoms, and amide groups having 2 to 10 carbon atoms. Of these, polar nitro groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, ester groups and amide groups are preferred, and hydroxyl groups are more preferred.

一般式(1)〜(3)に示す好ましい具体例としては、例えば、下記に表されるような化合物が挙げられるがこれらに限定されない。   Preferable specific examples shown in the general formulas (1) to (3) include, but are not limited to, compounds shown below.

Figure 2006119271
Figure 2006119271

Figure 2006119271
Figure 2006119271

Figure 2006119271
Figure 2006119271

本発明の接着改良剤は、芳香族アミンとシランカップリング剤をそのまま、あるいは溶媒中で混合し、−20℃から150℃の範囲で、1分から1週間反応させることで得ることが出来る。この時、芳香族アミンとシランカップリング剤の配合比は、全体のアミノ基量100モル%に対して、シランカップリング剤は10〜400モル%の範囲が好ましく、より好ましくは50〜200モル%である。さらに好ましくは60〜150モル%の範囲である。芳香族アミン100モル%に対してシランカップリング剤が10モル%未満では接着改良効果が得られず、400モル%を超えるとゲル化などの反応が起こり、系が不安定になる。低温あるいは短時間の反応で反応を途中で停止させて使用することも可能であるが、保存安定性が劣る。また、溶媒を加えない場合も、反応物の安定性が悪くなる可能性があり、1〜90%の溶液として反応させることが好ましい。   The adhesion improver of the present invention can be obtained by reacting an aromatic amine and a silane coupling agent as they are or in a solvent and reacting in the range of −20 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 1 week. At this time, the compounding ratio of the aromatic amine and the silane coupling agent is preferably in the range of 10 to 400 mol%, more preferably 50 to 200 mol, with respect to the total amino group amount of 100 mol%. %. More preferably, it is the range of 60-150 mol%. If the silane coupling agent is less than 10 mol% with respect to 100 mol% of the aromatic amine, an adhesion improving effect cannot be obtained, and if it exceeds 400 mol%, a reaction such as gelation occurs and the system becomes unstable. Although the reaction can be stopped at a low temperature or for a short time, the storage stability is poor. Moreover, also when a solvent is not added, stability of a reaction material may worsen and it is preferable to make it react as a 1-90% solution.

またギ酸、酢酸、シュウ酸などの炭素数1〜10の有機酸、硫酸、塩酸、リン酸などの酸化合物、あるいはトリエチルアミン、ピリジンなどの炭素数1から10のアミン類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基類を触媒として加えてもよい。これらの触媒は芳香族アミンとシラン化合物の総重量100部に対して、0.0001重量部から1重量部が良い。   Further, organic acids having 1 to 10 carbon atoms such as formic acid, acetic acid and oxalic acid, acid compounds such as sulfuric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid, or amines having 1 to 10 carbon atoms such as triethylamine and pyridine, sodium hydroxide, hydroxylated Bases such as potassium and sodium carbonate may be added as a catalyst. These catalysts are preferably used in an amount of 0.0001 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the aromatic amine and the silane compound.

得られた接着改良剤の溶解性と安定性から、炭素数1〜7までのアルコール類、炭素数2〜20までのエステル類、炭素数3〜20までのケトン類、炭素数3〜20までのアミド類、炭素数3〜20までの硫黄含有溶媒より選ばれる少なくとも1種を用いて希釈することが可能である。これらの溶媒を用いて希釈することで、溶液の安定性を高める事が出来る。このような溶媒の量は、一般式(1)〜(3)の化合物100重量部に対して、1から10000重量部加えることが好ましい。さらに好ましくは、10部から1000部である。1部より少ないと添加した効果が見られないし、100000部より多いと、ワニスに加える溶液の量が増え、ワニスの不揮発分、粘度の低下が大きくなり好ましくない。具体的にはエタノール、プロパノール、ブタノール、メトキシメチルブタノールなどのアルコール類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、炭酸プロピレンなどのエステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルイミダゾリン、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができる。   From solubility and stability of the obtained adhesion improver, alcohols having 1 to 7 carbon atoms, esters having 2 to 20 carbon atoms, ketones having 3 to 20 carbon atoms, and 3 to 20 carbon atoms It is possible to dilute using at least one selected from the following amides and sulfur-containing solvents having 3 to 20 carbon atoms. By diluting with these solvents, the stability of the solution can be increased. The amount of such a solvent is preferably 1 to 10,000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compounds of the general formulas (1) to (3). More preferably, it is 10 parts to 1000 parts. If the amount is less than 1 part, the added effect is not observed. If the amount is more than 100000 parts, the amount of the solution added to the varnish increases, and the non-volatile content of the varnish and the decrease in the viscosity increase. Specifically, alcohols such as ethanol, propanol, butanol and methoxymethylbutanol, esters such as ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate and propylene carbonate, ethers such as propylene glycol monomethyl ether and tetrahydrofuran, N- Examples thereof include methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylimidazoline, and dimethyl sulfoxide.

また本発明における接着改良剤は、フォトレジスト、非感光性ポリイミド、感光性ポリイミド、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性アクリル組成物等の各樹脂組成物を基板へ塗布する前に、基板の表面処理をし、接着性を向上させるための処理液として使用することができる。この場合、本発明の接着改良剤を0.0001%から50%の溶液を基板にスピンコート、スプレーコート、ロールコートなどの手法で全体に薄く塗布する。その後50〜800℃の温度で10秒から1時間の範囲で熱処理を行う。熱処理はオーブン、ファーネスで実施しても良いし、ホットプレートで実施しても良い。この時、反応を進めるために水分がある雰囲気下で実施することもできる。   Further, the adhesion improver in the present invention is a surface treatment of the substrate before applying each resin composition such as photoresist, non-photosensitive polyimide, photosensitive polyimide, photosensitive polybenzoxazole, photosensitive acrylic composition to the substrate. And can be used as a treatment liquid for improving adhesiveness. In this case, a 0.0001% to 50% solution of the adhesion improver of the present invention is thinly applied to the entire substrate by a technique such as spin coating, spray coating, or roll coating. Thereafter, heat treatment is performed at a temperature of 50 to 800 ° C. for 10 seconds to 1 hour. The heat treatment may be performed in an oven or a furnace, or may be performed on a hot plate. At this time, in order to advance reaction, it can also implement in the atmosphere with a water | moisture content.

さらに、本発明で得られた接着改良剤は、フォトレジスト、感光性アクリル組成物、非感光性ポリイミド、感光性ポリイミド、感光性ポリベンゾオキサゾールなどに樹脂分100部に対して0.1から10重量部混合しても良い。混合することでフォトレジスト、感光性アクリル組成物、感光性ポリイミドと基板との接着性を改良することができる。   Furthermore, the adhesion improver obtained in the present invention is 0.1 to 10 with respect to 100 parts of resin content in photoresist, photosensitive acrylic composition, non-photosensitive polyimide, photosensitive polyimide, photosensitive polybenzoxazole and the like. You may mix a weight part. By mixing, the adhesion between the photoresist, the photosensitive acrylic composition, and the photosensitive polyimide and the substrate can be improved.

本発明で得られた接着改良剤は、溶解性の悪い樹脂を用いたフォトレジスト、非感光性ポリイミド溶液、感光性ポリイミド溶液、感光性ポリベンゾオキサゾール溶液などに加えても、ポリマーの沈殿を析出される恐れが無くなり、異物の少ない溶液を得ることができる。このような溶液に使用する溶媒としては、上記に挙げた溶媒の他、接着改良剤と各樹脂組成物を溶解するものであれば、どのようなものでも使えるが、沸点が80℃から300℃までのものが好ましく、さらに好ましくは沸点が110℃から210℃のものである。これらの溶媒は1種だけを使用してもよいが、2種以上のものを混合することもできる。   The adhesion improver obtained in the present invention precipitates a polymer precipitate even when added to a photoresist using a resin having poor solubility, a non-photosensitive polyimide solution, a photosensitive polyimide solution, a photosensitive polybenzoxazole solution, or the like. This eliminates the risk of being removed, and a solution with less foreign matter can be obtained. As the solvent used in such a solution, any solvent can be used as long as it dissolves the adhesion improver and each resin composition in addition to the solvents listed above, but the boiling point is 80 ° C to 300 ° C. Those having a boiling point of 110 ° C. to 210 ° C. are more preferable. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

フォトレジストとしては、ノボラック樹脂にナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を加えたもの、アルカリ可溶性基が保護された樹脂に光酸発生剤を加えたものなどに好ましく使用することが出来る。   As a photoresist, it can use preferably for the thing which added the naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound to the novolak resin, and the thing which added the photo-acid generator to the resin in which the alkali-soluble group was protected.

感光性アクリル組成物としては、アクリル酸を共重合したアルカリ可溶性アクリル樹脂にナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を加えたもの、光重合性基を導入したアクリル樹脂に光重合開始剤を加えたもの、アルカリ可溶性アクリル樹脂に光重合性モノマー類と光重合開始剤を配合したものなどをあげることができる。   Examples of the photosensitive acrylic composition include those obtained by adding a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound to an alkali-soluble acrylic resin copolymerized with acrylic acid, those obtained by adding a photopolymerization initiator to an acrylic resin into which a photopolymerizable group has been introduced, alkali The thing which mix | blended the photopolymerizable monomer and the photoinitiator with the soluble acrylic resin can be mention | raise | lifted.

感光性ポリイミドとしては、光重合性のあるアルコールをポリイミド前駆体であるポリアミド酸のカルボキシル基にエステル結合で導入したもの、光重合性のアミンをポリアミド酸のカルボキシル基とイオン結合で導入したもの、ポリアミド酸とナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を混合したもの、アルカリ可溶性のポリイミドとナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を混合したもの、ポリアミド酸のカルボキシル基にヒドロキシメチルフェノールをエステルで導入したポリアミド酸エステルとナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を混合したもの、ナフトキノンジアジドスルホニルアミド化したポリイミド前駆体を用いるものなどがある。また、これとは別に感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物にも適用することもできる。このようなものとしてはポリベンゾオキサゾール前駆体にナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を混合したもの、光重合性基を導入したポリベンゾオキサゾール前駆体に光重合開始剤を混合したものなどがある。   As the photosensitive polyimide, a photopolymerizable alcohol is introduced into the carboxyl group of the polyamic acid which is a polyimide precursor by an ester bond, a photopolymerizable amine is introduced by an ion bond with the carboxyl group of the polyamic acid, Polyamide acid and naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound mixed, alkali-soluble polyimide and naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound mixed, polyamic acid ester and naphthoquinone diazide introduced with hydroxymethylphenol into the carboxyl group of the polyamic acid There are a mixture of a sulfonic acid ester compound and a naphthoquinonediazidesulfonylamidated polyimide precursor. Apart from this, it can also be applied to a photosensitive polybenzoxazole precursor composition. Examples of such a material include a polybenzoxazole precursor mixed with a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound, and a polybenzoxazole precursor into which a photopolymerizable group has been introduced mixed with a photopolymerization initiator.

本発明で用いる基板とは、シリコン基板、あるいはこの表面に酸化ケイ素、窒化ケイ素が製膜されたもの銅、アルミ、ステンレス、クロム、ニッケル、パラジウム、金などを基板として用いることが出来る。このような基板は、また溶液を塗布する前に酸素プラズマ処理、アルゴンスパッタリング処理、窒素プラズマ処理などを行い、溶液の塗工性を高めてから使用することも出来る。   As the substrate used in the present invention, a silicon substrate or a substrate having silicon oxide or silicon nitride formed on the surface thereof, such as copper, aluminum, stainless steel, chromium, nickel, palladium, or gold can be used as the substrate. Such a substrate can also be used after improving the coating property of the solution by performing oxygen plasma treatment, argon sputtering treatment, nitrogen plasma treatment or the like before applying the solution.

まず、実施例で用いた評価方法を記載する。
1)基板との接着性評価
まず、シリコンウエハ上にワニスを回転塗布し、次いで、120℃のホットプレートで3分ベーク(大日本スクリーン製造(株)製SKW−636使用)し、最終的に厚さ8μmのプリベーク膜を作製した。この膜をオーブンに投入して170℃で30分、次いで300℃で1時間キュアして硬化膜を得た。キュアは窒素中で行った。キュア後の膜に2mm間隔で10行10列の碁盤目状の切り込みをいれ、200時間のプレッシャークッカーテスト(以降、PCTと記載する、使用装置タバイ(株)製EHS−221MD)処理を行った後に、セロテープ(登録商標)(ニチバン(株)製)による引き剥がしによって100マスのうち何マス剥がれたかで接着特性の評価を行った。引き剥がしテストで剥がれ個数が10未満を良好、10以上を不良とした。PCT処理は121℃、0.21MPaの飽和条件で行った。
First, the evaluation methods used in the examples are described.
1) Evaluation of adhesion to substrate First, varnish was spin-coated on a silicon wafer, then baked for 3 minutes on a hot plate at 120 ° C (using SKW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.), and finally A pre-baked film having a thickness of 8 μm was produced. This film was put into an oven and cured at 170 ° C. for 30 minutes and then at 300 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. Cure was performed in nitrogen. The cured film was cut into 10 rows and 10 columns at 2 mm intervals and subjected to a 200-hour pressure cooker test (hereinafter referred to as PCT, EHS-221MD manufactured by Tabai Co., Ltd.). Later, the adhesive properties were evaluated based on how many squares of 100 squares were peeled off by peeling with cello tape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.). In the peeling test, the number of peeling was less than 10 as good and 10 or more as bad. The PCT treatment was performed under a saturation condition of 121 ° C. and 0.21 MPa.

2)感光特性の評価
ワニスA〜Fについては、6インチシリコンウエハ上にワニスを回転塗布し、次いで、120℃のホットプレートで3分ベーク(大日本スクリーン製造(株)製SKW−636使用)し、最終的に厚さ8μmのプリベーク膜を作製した。この膜をi線ステッパー(GCA製DSW−8000)を用いて0〜800mJ/cmの露光量にて25mJ/cmステップで露光し、露光後、2.38%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液(三菱ガス化学(株)製、ELM−D)で90秒現像、ついで純水でリンスした。
2) Evaluation of photosensitive properties For varnishes A to F, varnish was spin-coated on a 6-inch silicon wafer and then baked for 3 minutes on a hot plate at 120 ° C (using SKW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) Finally, a prebaked film having a thickness of 8 μm was produced. The film was exposed at 25 mJ / cm 2 steps by the exposure amount of 0~800mJ / cm 2 using an i-line stepper (GCA manufactured DSW-8000), after exposure, 2.38% tetramethylammonium (TMAH) Development was carried out with an aqueous solution (ELM-D, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) for 90 seconds, followed by rinsing with pure water.

また、ワニスG、Hについては6インチシリコンウエハ上にワニスを回転塗布し、次いで、100℃のホットプレートで1分30秒ベーク(大日本スクリーン製造(株)製SKW−636使用)し、最終的に厚さ1.5μmのプリベーク膜を作製した。この膜をi線ステッパー(GCA製DSW−8000)を用いて0〜500mJ/cmの露光量にて10mJ/cmステップで露光し、露光後、ワニスGについては2.38%のTMAH水溶液(三菱ガス化学(株)製、ELM−D)で90秒現像、ついで純水でリンスした。また、ワニスHについては、0.4%のTMAH水溶液で90秒現像後、純水リンスした。 For varnishes G and H, varnish was spin-coated on a 6-inch silicon wafer, and then baked for 1 minute 30 seconds on a hot plate at 100 ° C. (using SKW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) Thus, a pre-baked film having a thickness of 1.5 μm was prepared. The film was exposed at 10 mJ / cm 2 steps by the exposure amount of 0~500mJ / cm 2 using an i-line stepper (GCA manufactured DSW-8000), after exposure, 2.38% TMAH aqueous solution for varnish G (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., ELM-D) developed for 90 seconds, and then rinsed with pure water. Varnish H was rinsed with pure water after developing for 90 seconds with a 0.4% TMAH aqueous solution.

得られたパターンを顕微鏡観察し、パターン形成に必要な最低露光量Eth(1)を見積もった。次に、この耐熱性樹脂前駆体ワニスを23℃で3日間放置し、上記と同様の評価を行って最低露光量Eth(2)を見積もった。ついで、Eth(2)−Eth(1)の値を算出し、この値の絶対値が50mJ/cm以下なら良好、50mJ/cmを越える場合は不良とした。
さらに、この現像後のウエハのライン&スペースが1:1になっているパターンを観察し、何μmのパターンまでが残存しているのかを観察した。これは細かい数字まで残っているのが好ましく、30μm以上しか残らないものは不良と判断した。
The obtained pattern was observed with a microscope, and the minimum exposure amount Eth (1) necessary for pattern formation was estimated. Next, this heat-resistant resin precursor varnish was allowed to stand at 23 ° C. for 3 days, and the same evaluation as described above was performed to estimate the minimum exposure amount Eth (2). Next, a value of Eth (2) −Eth (1) was calculated. If the absolute value of this value was 50 mJ / cm 2 or less, it was judged good, and if it exceeded 50 mJ / cm 2 , it was judged as bad.
Furthermore, the pattern in which the line and space of the developed wafer was 1: 1 was observed, and how many μm of the pattern remained was observed. It is preferable that fine numbers remain, and those that remain only 30 μm or more were judged to be defective.

合成例1:ヒドロキシル基含有酸無水物の合成
乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(クラリアント社製、以下6FAPという)18.3g(0.05モル)とアリルグリシジルエーテル34.2g(0.3モル、東京化成(株)製)を酢酸エチル(ナカライテスク(株)製)100gに溶解させ、−15℃に冷却した。ここに酢酸エチル50g(ナカライテスク(株)製)に溶解させた無水トリメリット酸クロリド22.1g(0.11モル、東京化成(株)製)を反応液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、0℃で4時間反応させた。反応後に析出した黄色の個体をろ過で集め、トルエン(和光純薬(株)製)で洗浄して下記の酸無水物を得た。得られた物質は350℃までに明確な融点が見られなかった。
Synthesis Example 1 Synthesis of Hydroxyl Group-Containing Acid Anhydride Under a dry nitrogen stream, 28.3 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (manufactured by Clariant, hereinafter referred to as 6FAP) 05 mol) and 34.2 g of allyl glycidyl ether (0.3 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were dissolved in 100 g of ethyl acetate (manufactured by Nacalai Tesque) and cooled to -15 ° C. Here, 22.1 g of trimellitic anhydride chloride (0.11 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) dissolved in 50 g of ethyl acetate (manufactured by Nacalai Tesque Co., Ltd.) is used so that the temperature of the reaction solution does not exceed 0 ° C. It was dripped in. After completion of dropping, the reaction was carried out at 0 ° C. for 4 hours. The yellow solid precipitated after the reaction was collected by filtration and washed with toluene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) to obtain the following acid anhydride. The material obtained did not have a clear melting point up to 350 ° C.

Figure 2006119271
Figure 2006119271

合成例2:ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成
18.3g(0.05モル)の6FAPをアセトン100mL(ナカライテスク(株)製)、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル、東京化成(株)製)に溶解させ、−15℃に冷却した。ここに3−ニトロベンゾイルクロリド20.4g(0.11モル、東京化成(株))をアセトン100mLに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。析出した黄色の個体をろ過で集め、メタノール(ナカライテスク(株)製)で洗浄した。この固体をエチレングリコールモノメチルエーテル300mL(ナカライテスク(株)製)とテトラヒドロフラン300mL(和光純薬(株)製)に溶解させて、5%パラジウム−炭素(和光純薬(株)製)を2g加えて、激しく攪拌させた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約4時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記のジアミン化合物を得た。本品の融点は310℃であった。得られた固体をそのまま反応に使用した。
Synthesis Example 2 Synthesis of Hydroxyl Group-Containing Diamine Compound 18.3 g (0.05 mol) of 6FAP in 100 mL of acetone (manufactured by Nacalai Tesque), 17.4 g of propylene oxide (0.3 mol, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) And cooled to -15 ° C. A solution prepared by dissolving 20.4 g of 3-nitrobenzoyl chloride (0.11 mol, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) in 100 mL of acetone was added dropwise thereto. After completion of dropping, the mixture was reacted at −15 ° C. for 4 hours and then returned to room temperature. The precipitated yellow solid was collected by filtration and washed with methanol (manufactured by Nacalai Tesque). This solid was dissolved in 300 mL of ethylene glycol monomethyl ether (manufactured by Nacalai Tesque) and 300 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and 2 g of 5% palladium-carbon (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. And stirred vigorously. Hydrogen was introduced here with a balloon and the reduction reaction was carried out at room temperature. After about 4 hours, the reaction was terminated by confirming that the balloons did not squeeze any more. After completion of the reaction, the catalyst was filtered to remove the palladium compound, and the mixture was concentrated by a rotary evaporator to obtain the following diamine compound. The melting point of this product was 310 ° C. The obtained solid was used for the reaction as it was.

Figure 2006119271
Figure 2006119271

合成例3
乾燥窒素気流下、36.6g(0.1モル)の6FAPをN,N−ジメチルアセトアミド(和光純薬(株)製)100mL中に溶解させ、−5℃に冷却した。ここに、グリシジルメチルエーテル52.8g(0.6モル、東京化成(株)製)を加えて、ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリド29.5g(0.1モル、日本農薬(株)製)をアセトン50gに溶解させた溶液を反応溶液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、10℃まで溶液の温度を上げて1時間攪拌を続け、その後、20℃で6時間攪拌を続けた。攪拌終了後、溶液を10Lの水に投入してポリヒドロキシアミドの沈殿を得た。さらに水3Lで洗浄して、この沈殿をろ過で集め、その後60℃の真空乾燥機で20時間乾燥させた。この乾燥させたポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)の固体10gとオルトナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとして4NT−300(2,3,4,4’−テトラヒドロキシビンゾフェノン1モルに対して1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド3モルを反応させて得られたエステル、東洋合成工業(株)製)2gをγ−ブチロラクトン(三菱化学(株)製、GBL)20gに溶解させ、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体のワニスAを得た。
Synthesis example 3
Under a dry nitrogen stream, 36.6 g (0.1 mol) of 6FAP was dissolved in 100 mL of N, N-dimethylacetamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and cooled to -5 ° C. To this, 52.8 g of glycidyl methyl ether (0.6 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and 29.5 g of diphenyl ether dicarboxylic acid chloride (0.1 mol, manufactured by Nippon Agricultural Chemicals Co., Ltd.) was added to 50 g of acetone. The dissolved solution was added dropwise so that the temperature of the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of the dropwise addition, the temperature of the solution was raised to 10 ° C. and stirring was continued for 1 hour, and then stirring was continued at 20 ° C. for 6 hours. After stirring, the solution was poured into 10 L of water to obtain a polyhydroxyamide precipitate. After further washing with 3 L of water, the precipitate was collected by filtration and then dried in a vacuum dryer at 60 ° C. for 20 hours. 10 g of this dried polyhydroxyamide (polybenzoxazole precursor) solid and 4NT-300 as orthonaphthoquinonediazide sulfonic acid ester (1,2,4 with respect to 1 mol of 2,3,4,4′-tetrahydroxyvinzophenone) -2 g of ester obtained by reacting 3 mol of naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride, manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd. in 20 g of γ-butyrolactone (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., GBL) Photosensitive polybenzoxazole precursor varnish A was obtained.

合成例4
18.3g(0.05モル)の6FAPをエタノール(ナカライテスク(株)製)150mL中に溶解させ5℃に冷却した。ここに、カリウム−t−ブトキシド11.2g(0.1モル、東京化成(株)製)を徐々に加えた。さらに、二炭酸−t−ブチル21.8g(0.1モル、東京化成(株)製)を徐々に加えて2時間攪拌を続け、6FAPの水酸基がt−ブトキシカルボニル基で保護されたジアミン化合物を得た。この溶液を水1lに投入して、沈殿を得た。この沈殿をろ過で集め、30℃の真空乾燥機で20時間乾燥した。
Synthesis example 4
18.3 g (0.05 mol) of 6FAP was dissolved in 150 mL of ethanol (manufactured by Nacalai Tesque) and cooled to 5 ° C. To this, 11.2 g of potassium-t-butoxide (0.1 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was gradually added. Further, 21.8 g of t-butyl dicarbonate (0.1 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was gradually added, and stirring was continued for 2 hours. A diamine compound in which the hydroxyl group of 6FAP was protected with a t-butoxycarbonyl group Got. This solution was poured into 1 l of water to obtain a precipitate. This precipitate was collected by filtration and dried in a vacuum dryer at 30 ° C. for 20 hours.

乾燥窒素気流下、27.5g(0.075モル)の6FAPと上記で合成した6FAPの水酸基をt−ブトキシカルボニル基で保護したジアミン13.4g(0.025モル)をN,N−ジメチルアセトアミド150mL中に溶解させ、−5℃に冷却した。ここに、グリシジルメチルエーテル52.8g(0.6モル)を加えて、イソフタル酸ジクロリド20.3g(0.1モル、東京化成(株)製)をアセトン100gに溶解させた溶液を反応溶液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、10℃にまで溶液の温度を上げて1時間攪拌を続け、その後、20℃で6時間攪拌させた。攪拌終了後、溶液を10Lの水に投入してポリヒドロキシアミドの沈殿を得た。この沈殿をろ過で集め、その後60℃の真空乾燥機で20時間乾燥させた。この乾燥させたポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)の固体10gと光酸発生剤としてNAI−105(みどり化学(株)製)0.5g、2gの4NT−300をGBL20gに溶解させ、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体のワニスBを得た。   Under a dry nitrogen stream, 27.5 g (0.075 mol) of 6FAP and 13.4 g (0.025 mol) of diamine in which the hydroxyl group of 6FAP synthesized above was protected with a t-butoxycarbonyl group were added to N, N-dimethylacetamide. Dissolve in 150 mL and cool to -5 ° C. A solution prepared by adding 52.8 g (0.6 mol) of glycidyl methyl ether and dissolving 20.3 g of isophthalic acid dichloride (0.1 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) in 100 g of acetone was added to the reaction solution. The solution was added dropwise so that the temperature did not exceed 0 ° C. After completion of the dropwise addition, the temperature of the solution was raised to 10 ° C., and stirring was continued for 1 hour, followed by stirring at 20 ° C. for 6 hours. After stirring, the solution was poured into 10 L of water to obtain a polyhydroxyamide precipitate. This precipitate was collected by filtration and then dried for 20 hours in a vacuum dryer at 60 ° C. 10 g of this dried polyhydroxyamide (polybenzoxazole precursor) solid, 0.5 g of NAI-105 (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.) as a photoacid generator, and 2 g of 4NT-300 are dissolved in 20 g of GBL. A varnish B of a functional polybenzoxazole precursor was obtained.

合成例5
乾燥窒素気流下、1Lの4つ口フラスコに4,4’−ジアミノジフェニルエーテル20.0g(0.1モル、和歌山精化工業(株))をGBL350gに溶解させた。ここに、合成例1で合成した酸無水物71.4g(0.1モル)をGBL40gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで40℃で2時間反応させた。さらにN,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール23.8g(0.2モル、三菱レーヨン(株)製)を加え、40℃で2時間撹拌し、室温に降温した。その後、酢酸60g(1モル、和光純薬(株)製)を投入し、室温で1時間攪拌した。これを水10Lに投入して沈殿物を濾別し、70℃で120時間乾燥して目的のポリマーを得た。得られたポリマー35gをGBL65gに溶解させ、これにo−キノンジアジド化合物4NT−300 7.5gを加えて感光性ポリイミド前駆体のワニスCを得た。
Synthesis example 5
Under a nitrogen stream, 20.0 g of 4,4′-diaminodiphenyl ether (0.1 mol, Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 350 g of GBL in a 1 L four-necked flask. The acid anhydride 71.4g (0.1 mol) synthesize | combined in the synthesis example 1 was added here with GBL40g, and it was made to react at 20 degreeC for 1 hour, and then was made to react at 40 degreeC for 2 hours. Further, 23.8 g (0.2 mol, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) of N, N-dimethylformamide dimethyl acetal was added, and the mixture was stirred at 40 ° C. for 2 hours and cooled to room temperature. Thereafter, 60 g of acetic acid (1 mol, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and stirred at room temperature for 1 hour. This was poured into 10 L of water, and the precipitate was filtered off and dried at 70 ° C. for 120 hours to obtain the desired polymer. 35 g of the obtained polymer was dissolved in 65 g of GBL, and 7.5 g of o-quinonediazide compound 4NT-300 was added thereto to obtain a varnish C as a photosensitive polyimide precursor.

合成例6
乾燥窒素気流下、1Lの4つ口フラスコに合成例2で合成したジアミン化合物24.2g(0.04モル)をNMP100gに溶解させ、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物12.4g(0.04モル)を加えて80℃で3時間撹拌した。さらにN,N−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール8.8g(0.06モル)を加え、40℃で2時間撹拌し、室温に降温した。その後、酢酸24g(0.4モル)を投入し、室温で1時間攪拌した。これを水5Lに投入して沈殿物を濾別し、70℃で120時間乾燥して目的のポリマーを得た。得られたポリマー35gをGBL65gに溶解させ、これに合成例3で用いたo−キノンジアジド化合物4NT−300を7.5g混合して感光性ポリイミド前駆体のワニスDを得た。
Synthesis Example 6
Under a dry nitrogen stream, 24.2 g (0.04 mol) of the diamine compound synthesized in Synthesis Example 2 was dissolved in 100 g of NMP in a 1 L four-necked flask, and 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic acid 12.4 g (0.04 mol) of anhydride was added and stirred at 80 ° C. for 3 hours. Further, 8.8 g (0.06 mol) of N, N-dimethylformamide diethyl acetal was added, stirred at 40 ° C. for 2 hours, and cooled to room temperature. Thereafter, 24 g (0.4 mol) of acetic acid was added and stirred at room temperature for 1 hour. This was poured into 5 L of water, the precipitate was filtered off, and dried at 70 ° C. for 120 hours to obtain the desired polymer. 35 g of the obtained polymer was dissolved in 65 g of GBL, and 7.5 g of o-quinonediazide compound 4NT-300 used in Synthesis Example 3 was mixed therewith to obtain a photosensitive polyimide precursor varnish D.

合成例7
乾燥窒素気流下、500mLの4つ口フラスコに3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物31g(0.1モル)とヒドロキシエチルメタクリレート26g(0.2モル、東京化成(株)製)、ピリジン10g、GBL100mLを加え、30℃で12時間反応させた。この後、この溶液を−5℃に冷却した。
Synthesis example 7
In a 500 mL four-necked flask under a dry nitrogen stream, 31 g (0.1 mol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride and 26 g of hydroxyethyl methacrylate (0.2 mol, Tokyo Kasei ( Co., Ltd.), 10 g of pyridine and 100 mL of GBL were added and reacted at 30 ° C. for 12 hours. After this time, the solution was cooled to -5 ° C.

ついで、この反応物を乾燥窒素気流下、ジシクロヘキシルカルボジイミド41.2g(0.2モル、東京化成(株)製)をガンマブチラクトン50mLに加熱して溶解させた。このジシクロカルボジイミドの溶液を上記の冷却した溶液に20分かけて滴下した。その後、白色の沈殿が生じるが、そのまま攪拌を行った。   Subsequently, 41.2 g (0.2 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) of dicyclohexylcarbodiimide was dissolved in 50 mL of gamma butylactone under a dry nitrogen stream. The dicyclocarbodiimide solution was added dropwise to the cooled solution over 20 minutes. Thereafter, white precipitate was formed, but stirring was performed as it was.

この溶液に4,4’−ジアミノジフェニルエーテル20g(0.1モル)固体のまま入れた。その後、温度を0〜5℃に保ちながら、攪拌を4時間続けた。その後、溶液を徐々に温度を室温に戻し、さらに1時間攪拌した。得られた溶液をろ過して白色の固体を除き、ろ液を5Lの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥した。   To this solution, 20 g (0.1 mol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether was added as a solid. Thereafter, stirring was continued for 4 hours while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C. Thereafter, the temperature of the solution was gradually returned to room temperature and further stirred for 1 hour. The obtained solution was filtered to remove a white solid, the filtrate was poured into 5 L of water, and the precipitate was collected and washed, and then dried under reduced pressure.

減圧乾燥した固体ポリマー30g、光重合開始剤としてイルガキュア369(チバスペショリティーケミカル製)0.9g、エチレングリコールジメタクリレート3g(新中村化学(株)製)をNMP30gと15gの乳酸エチル(武蔵野化学(株)製、EL)に攪拌溶解させ、感光性ポリイミド前駆体のワニスEを得た。   30 g of solid polymer dried under reduced pressure, 0.9 g of Irgacure 369 (manufactured by Ciba Specialty Chemical) as a photopolymerization initiator, 3 g of ethylene glycol dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and 30 g of ethyl lactate (Musashino Chemical) It was made to stir-dissolve in EL made from Co., Ltd., and the varnish E of the photosensitive polyimide precursor was obtained.

合成例8
6FAP 18.3g(0.05モル、東京化成(株)製)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル10g(0.05モル)をNMP150mL、トルエン50mLに50℃で溶解させた。ここにシクロブタンテトラカルボン酸2無水物 19.6g(0.1モル、東京化成(株)製)を加え、50℃で1時間、その後、冷却管を付け系外に水をトルエンとともに共沸で除去しながら溶液の温度を120℃にして2時間、さらに180℃で2時間反応させた。反応終了後、この溶液30mLをとり、2gの4NT−300を加え、感光性ポリイミドのワニスFを得た。
Synthesis example 8
18.3 g of 6FAP (0.05 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 10 g (0.05 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether were dissolved in 150 mL of NMP and 50 mL of toluene at 50 ° C. To this was added 19.6 g of cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (0.1 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 1 hour at 50 ° C., and then a condenser was attached to the outside of the system to azeotrope water with toluene. While removing, the temperature of the solution was raised to 120 ° C. for 2 hours and further at 180 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, 30 mL of this solution was taken and 2 g of 4NT-300 was added to obtain a varnish F of photosensitive polyimide.

合成例9
攪拌装置と温度計を取り付けた500mLの3つ口セパラブルフラスコにm−クレゾール75g(0.69モル、東京化成(株)製)とp−クレゾール25g(0.23モル、東京化成(株)製)を投入した。ここに37重量%のホルムアルデヒド水溶液70g(和光純薬(株)製)とシュウ酸0.04g(和光純薬(株)製)を添加した。攪拌を行いながら、オイルバスに入れ100℃に加熱し、10時間攪拌を続けた。その後、温度計を外し、内圧を3990Paまで減圧して水を除去し、さらにその後180℃に加熱して1時間未反応物を除去した。その後、室温にまで冷却してノボラック樹脂を得た。
Synthesis Example 9
In a 500 mL three-necked separable flask equipped with a stirrer and a thermometer, 75 g of m-cresol (0.69 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 25 g of p-cresol (0.23 mol, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Made). To this, 70 g of a 37 wt% aqueous formaldehyde solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 0.04 g of oxalic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added. While stirring, the mixture was placed in an oil bath and heated to 100 ° C., and stirring was continued for 10 hours. Thereafter, the thermometer was removed, the internal pressure was reduced to 3990 Pa to remove water, and then heated to 180 ° C. to remove unreacted substances for 1 hour. Then, it cooled to room temperature and obtained novolak resin.

このノボラック樹脂20g、ナフトキノンジアジド化合物として、5gの4NT−300、トリメトキシビニルシラン(信越化学(株)製、KBM−1003)0.1gを75gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(クラレ(株)製、PGMEA)に溶解させ、口径0.22μmのポリテトラフルオロエチレン製メンブレンフィルターでろ過をし、ワニスGを得た。   20 g of this novolak resin, 5 g of 4NT-300, 0.1 g of trimethoxyvinylsilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-1003) as a naphthoquinone diazide compound, 75 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Kuraray Co., Ltd., PGMEA) And varnish G was obtained by filtration through a membrane filter made of polytetrafluoroethylene having a diameter of 0.22 μm.

合成例10
温度計、撹拌装置、窒素導入管、滴下ロートを取り付けた500mLの4つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル(クラレ(株)製、PGME)200gを入れ、溶液の温度を85℃にした。ここにスチレン30g(東京化成(株)製、0.29モル)、メタクリル酸30g(東京化成(株)製、0.35モル)、メタクリル酸メチル40g(東京化成(株)製、0.4モル)をPGME100gで希釈した溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、溶液の温度を95℃に上昇し、アゾイソブチロニトリル0.5g(東京化成(株)製)を30分毎に5回に分けて加えた。この後、溶液温度を95℃にして1時間30分攪拌し、溶液を室温にまで低下した。
Synthesis Example 10
200 g of propylene glycol monomethyl ether (manufactured by Kuraray Co., Ltd., PGME) was placed in a 500 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube, and a dropping funnel, and the temperature of the solution was 85 ° C. Here, 30 g of styrene (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 0.29 mol), 30 g of methacrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 0.35 mol), 40 g of methyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 0.4 Mol) was diluted with 100 g of PGME and added dropwise over 2 hours. After completion of the dropping, the temperature of the solution was raised to 95 ° C., and 0.5 g of azoisobutyronitrile (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added in 5 portions every 30 minutes. Thereafter, the solution temperature was raised to 95 ° C. and stirred for 1 hour and 30 minutes, and the solution was lowered to room temperature.

この溶液100gに、0.1gのKBM−1003、ナフトキノンジアジド化合物として7.5gの4NT−300を混合し、0.22μmのメンブレンフィルターでろ過し、ワニスHを得た。   100 g of this solution was mixed with 0.1 g of KBM-1003 and 7.5 g of 4NT-300 as a naphthoquinonediazide compound, and filtered through a 0.22 μm membrane filter to obtain varnish H.

実施例1(接着改良剤A1の合成)
200mLの4つ口フラスコに、3−アミノフェノール10.9g(0.1モル)をとり、これに乳酸エチル100gを添加した。ついでこの溶液に3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン23.6g(0.1モル、KBM−403、信越化学(株)製)を添加して60℃で3時間攪拌し、接着改良剤A1を得た。
Example 1 (Synthesis of adhesion improver A1)
In a 200 mL four-necked flask, 10.9 g (0.1 mol) of 3-aminophenol was taken, and 100 g of ethyl lactate was added thereto. Next, 23.6 g of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (0.1 mol, KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added to this solution and stirred at 60 ° C. for 3 hours to obtain an adhesion improver A1. Obtained.

得られた化合物の溶液1gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(クラレ(株)製、PGMEA)100gに溶解し、6インチウエハに3000回転で塗布後、250℃のホットプートで1分間処理した。   1 g of the obtained compound solution was dissolved in 100 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, manufactured by Kuraray Co., Ltd.), applied to a 6-inch wafer at 3000 rpm, and then treated with a 250 ° C. hot pouch for 1 minute.

処理後、ワニスBの感光特性の評価を行ったところ、露光量の変化は25mJ/cmであった。この現像のパターンは、10μmパターンが残っていた。さらに基板との接着性評価で、剥がれは見られず優れた接着性を示していた。 After the treatment, the photosensitive property of varnish B was evaluated, and the change in exposure amount was 25 mJ / cm 2 . This development pattern remained as a 10 μm pattern. Further, in the evaluation of adhesion to the substrate, no peeling was observed, and excellent adhesion was shown.

また、ワニスG、ワニスHについても上記処理をしたウエハを用いて感光性の評価を行ったところ、露光量の変化はそれぞれ0mJ/cmであった。ワニスGについては2μm、ワニスHについては10μmのパターンが残っていた。基板との接着性については、硬化温度を上記の評価方法にある300℃から、ワニスGで230℃、ワニスHで250℃として行ったところ、ワニスGについては5個の剥離、ワニスHについては1個の剥離と良好な結果であった。 Further, regarding the varnish G and the varnish H, when the photosensitivity was evaluated using the wafer subjected to the above treatment, the change in exposure amount was 0 mJ / cm 2 . A pattern of 2 μm remained for varnish G and 10 μm for varnish H. Regarding the adhesion to the substrate, the curing temperature was changed from 300 ° C. in the above evaluation method to 230 ° C. for varnish G and 250 ° C. for varnish H. One peel and good results.

実施例2(接着改良剤B1合成)
36.6g(0.1モル)の6FAPを100gのELを添加した。ついでこの溶液に3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン55.6g(0.2モル、KBE−403、信越化学(株)製)を加え、50℃で6時間攪拌し、接着改良剤B1を得た。得られた化合物の溶液1gをワニスA30gに加えた。
Example 2 (Adhesion improver B1 synthesis)
36.6 g (0.1 mol) of 6FAP was added to 100 g of EL. Next, 55.6 g (0.2 mol, KBE-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) of 3-glycidoxypropyltriethoxysilane was added to this solution, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours to obtain an adhesion improver B1. It was. 1 g of the resulting compound solution was added to 30 g of varnish A.

得られたワニスの感光性の評価結果は、感度の変化0mJ/cmであり、5μmのパターンも解像していた。また、基板との接着性は剥がれが見られなかった。 As a result of evaluating the photosensitivity of the obtained varnish, the sensitivity change was 0 mJ / cm 2 , and a pattern of 5 μm was also resolved. Moreover, peeling with respect to the adhesiveness with a board | substrate was not seen.

実施例3(接着改良剤A2の合成)
2−トリフルオロアニリン16.1g(0.1モル、東京化成(株)製)をプロピレングリコールモノメチルエーテル50gに溶解させた。その後、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン24.8g(0.1モル、KBE−402、信越化学(株)製)を加え、80℃で2時間攪拌し、接着改良剤A2を得た。ついで実施例2と同様、ワニスC30gに接着改良剤A2の溶液1gを加えた。
Example 3 (Synthesis of adhesion improver A2)
16.1 g of 2-trifluoroaniline (0.1 mol, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was dissolved in 50 g of propylene glycol monomethyl ether. Thereafter, 24.8 g of 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane (0.1 mol, KBE-402, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added and stirred at 80 ° C. for 2 hours to obtain an adhesion improver A2. . Then, as in Example 2, 1 g of a solution of adhesion improver A2 was added to 30 g of varnish C.

得られたワニスの感光性の評価では、感度変化が25mJ/cmであり、10μmのパターンまで残っていた。また基板との接着性では剥がれは見られなかった。基板との接着性についても剥がれは無かった。 In the evaluation of the photosensitivity of the obtained varnish, the sensitivity change was 25 mJ / cm 2 , and a pattern of 10 μm remained. Moreover, peeling was not seen by the adhesiveness with a board | substrate. There was no peeling with respect to the adhesion to the substrate.

実施例4(接着改良剤B2の合成)
ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン28g(0.1モル、日本化薬(株)製)をN−メチル−2−ピロリドン30g(三菱化学(株)製)に溶解し、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン36.9g(0.15モル、KBM−303、信越化学(株)製)を加え、70℃で4時間攪拌し、接着改良剤B2を得た。
Example 4 (Synthesis of adhesion improver B2)
28 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone (0.1 mol, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was dissolved in 30 g of N-methyl-2-pyrrolidone (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and 2- (3,4-Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane 36.9 g (0.15 mol, KBM-303, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added and stirred at 70 ° C. for 4 hours to obtain an adhesion improver B2. .

実施例1と同様に、接着改良剤B2の溶液1gをPGMEA100gに溶解し、ウエハの表面を処理した。このウエハにワニスDを用いて、パターン加工を実施したが10μmのパターンまで残っていた。さらに基板との接着性の評価でも、剥がれは無かった。感度変化は0mJ/cmであった。 In the same manner as in Example 1, 1 g of the solution of the adhesion improving agent B2 was dissolved in 100 g of PGMEA, and the surface of the wafer was processed. Patterning was performed on this wafer using varnish D, but a pattern of 10 μm remained. Furthermore, there was no peeling in evaluation of the adhesiveness with a board | substrate. The change in sensitivity was 0 mJ / cm 2 .

実施例5(接着改良剤C1の合成)
芳香族ポリアミンとしてM−1540(大都産業(株)製、活性H等量95g/eq)9.5gをN−メチル−2−ピロリドン30gに溶解し、シクロヘキシルエポキシシラン(0.33モル、KBM−600、信越化学(株)製)を加え、40℃で8時間攪拌し、接着改良剤C1を得た。
Example 5 (Synthesis of adhesion improver C1)
As an aromatic polyamine, 9.5 g of M-1540 (manufactured by Daito Sangyo Co., Ltd., active H equivalent 95 g / eq) was dissolved in 30 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and cyclohexylepoxysilane (0.33 mol, KBM- 600, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and stirred at 40 ° C. for 8 hours to obtain an adhesion improver C1.

実施例2と同様に接着改良剤C1の溶液1gをワニスE30gに溶解させた。この溶液を用いてパターン加工したが、10μmのパターンが残存していた。基板との接着性についても剥がれは無かった。感度変化は25mJ/cmであった。 In the same manner as in Example 2, 1 g of the adhesion improver C1 solution was dissolved in 30 g of varnish E. Patterning was performed using this solution, but a 10 μm pattern remained. There was no peeling with respect to the adhesion to the substrate. The change in sensitivity was 25 mJ / cm 2 .

実施例6(接着改良剤B3の合成)
ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン28g(0.1モル、日本化薬(株)製)をN−メチル−2−ピロリドン30g(三菱化学(株)製)に溶解し、KBE−403を加え、70℃で4時間攪拌し、接着改良剤B3を得た。
Example 6 (Synthesis of adhesion improver B3)
28 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone (0.1 mol, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was dissolved in 30 g of N-methyl-2-pyrrolidone (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and KBE- 403 was added and stirred at 70 ° C. for 4 hours to obtain an adhesion improver B3.

実施例1と同様に、接着改良剤B3の溶液1gをPGMEA100gに溶解し、ウエハを処理した。このウエハにワニスFを用いて、パターン加工を実施したが20μmのパターンまで残っていた。さらに基板との接着性の評価でも、剥がれは無かった。感度変化は0mJ/cmであった。 In the same manner as in Example 1, 1 g of the solution of the adhesion improving agent B3 was dissolved in 100 g of PGMEA, and the wafer was processed. Patterning was performed using varnish F on this wafer, but a pattern of 20 μm remained. Furthermore, there was no peeling in evaluation of the adhesiveness with a board | substrate. The change in sensitivity was 0 mJ / cm 2 .

実施例7
実施例2で基板をシリコンウエハから150mm×150mm×0.7mm(厚み)の非アルカリガラス(コーニング社製、「1787」)を用いた以外は実施例2と同様に行った。感度の変化は0mJ/cmであり、15μmまでパターンが残存していた。基板との接着も、剥がれは無かった。
Example 7
The same procedure as in Example 2 was performed, except that a non-alkaline glass (Corning, “1787”) of 150 mm × 150 mm × 0.7 mm (thickness) was used as the substrate in Example 2. The change in sensitivity was 0 mJ / cm 2 , and the pattern remained up to 15 μm. There was also no peeling off from the substrate.

実施例8
実施例4で基板をシリコンウエハから150mm×150mm×25μm(厚み)のステンレス基板(新日本製鐵(株)製「SUS304 H−TA」)を用いた以外は実施例4と同様に行った。感度の変化は0mJ/cmであり、10μmまでパターンが残存していた。基板との接着も、剥がれは無かった。
Example 8
The same procedure as in Example 4 was performed except that a stainless steel substrate (“SUS304 H-TA” manufactured by Nippon Steel Corporation) was used as the substrate in Example 4 from a silicon wafer to 150 mm × 150 mm × 25 μm (thickness). The change in sensitivity was 0 mJ / cm 2 , and the pattern remained up to 10 μm. There was also no peeling off from the substrate.

比較例1〜5
実施例1〜5において接着改良剤を用いなかった、あるいはウエハの表面処理を行わなかった他は、実施例1〜5と同様に行った。感光性の評価ではワニスB〜Eでは50μm以上のパターンが残存していた。ワニスAについては、20μm、ワニスGについては10μm、ワニスHについては30μmのパターンが残存していた。感度の変化はワニスBで25mJ/cm、ワニスA、C、D、E、G、Hで0mJ/cmであった。基板との接着性の評価では全てキュア後の膜に剥離が見られた。
Comparative Examples 1-5
The same procedure as in Examples 1 to 5 was performed except that no adhesion improver was used in Examples 1 to 5 or the wafer surface treatment was not performed. In the evaluation of photosensitivity, patterns of 50 μm or more remained in varnishes B to E. For varnish A, a pattern of 20 μm, for varnish G of 10 μm, and for varnish H of 30 μm remained. Change in sensitivity 25 mJ / cm 2 with a varnish B, Varnish A, C, D, E, G, was 0 mJ / cm 2 with H. In the evaluation of adhesion to the substrate, peeling was observed in the cured film.

比較例6
実施例2で、接着改良剤B1に換えて、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、KBM−603)1gを接着改良剤として加えた。基板との接着性については剥離は無かったが、2日放置した樹脂組成物の感度が初期より200mJ/cmの大きな低下が起こった。
Comparative Example 6
In Example 2, 1 g of N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-603) was added as an adhesion improver in place of the adhesion improver B1. The adhesiveness with the substrate was not peeled off, but the sensitivity of the resin composition left for 2 days was greatly reduced by 200 mJ / cm 2 from the initial stage.

比較例7
実施例2で、接着改良剤B1に換えて、接着改良剤としてN−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、KBM−573)1gを接着改良剤として加えた。基板との接着性については、100個中30個の剥離が見られた。
Comparative Example 7
In Example 2, 1 g of N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-573) was added as an adhesion improving agent instead of the adhesion improving agent B1. As for the adhesion to the substrate, 30 pieces were peeled out of 100 pieces.

比較例8
実施例3で、接着改良剤A2に換えて、3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、KBM−903)1gを接着改良剤としてワニスに加えた。基板との接着性については、剥離がなかったが、感光性の評価で、感度低下が300mJ/cmと大きな低下があり、50μm以上のパターンが残存した。
Comparative Example 8
In Example 3, instead of the adhesion improving agent A2, 1 g of 3-aminopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-903) was added as an adhesion improving agent to the varnish. Regarding the adhesion to the substrate, there was no peeling, but in the evaluation of photosensitivity, there was a large decrease in sensitivity of 300 mJ / cm 2, and a pattern of 50 μm or more remained.

比較例9
実施例4で、接着改良剤B2に換えて、1gのKBM−403を接着改良剤としてワニスに加えた。基板との接着性については、全数剥離が見られた。感光性の評価では、感度低下は25mJ/cmであったが、40μm以上のパターンが残存した。
Comparative Example 9
In Example 4, instead of the adhesion improver B2, 1 g of KBM-403 was added to the varnish as an adhesion improver. As for the adhesiveness with the substrate, all peeling was observed. In the evaluation of the photosensitivity, the sensitivity decrease was 25 mJ / cm 2 , but a pattern of 40 μm or more remained.

比較例10(接着改良剤D1の合成)
3.58g(0.02モル)のKBM−903を20gのNMPに溶解させた。ここに3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物3.22g(ダイセル化学工業(株)製、0.01モル)を固体のまま加えた。この溶液を30℃で6時間攪拌した。これにより、アミノシラン化合物のアミノ基が芳香族カルボン酸とアミド結合したシラン化合物(D1)を得た。
Comparative Example 10 (Synthesis of adhesion improver D1)
3.58 g (0.02 mol) of KBM-903 was dissolved in 20 g of NMP. 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 3.22 g (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., 0.01 mol) was added as a solid. The solution was stirred at 30 ° C. for 6 hours. As a result, a silane compound (D1) in which the amino group of the aminosilane compound was amide-bonded with an aromatic carboxylic acid was obtained.

実施例3で、接着改良剤A2に換えて、シラン化合物(D1)をワニスに加えた他は実施例3と同様に行った。基板との接着性については、100個中30個の剥離が生じた。感光性の評価では、感度低下は200mJ/cmであった。 The same procedure as in Example 3 was performed except that the silane compound (D1) was added to the varnish instead of the adhesion improver A2 in Example 3. As for the adhesion to the substrate, 30 pieces of 100 pieces were peeled off. In the evaluation of photosensitivity, the sensitivity reduction was 200 mJ / cm 2 .

Claims (4)

一般式(1)〜(3)で表される化合物の少なくとも1種を有することを特徴とする接着改良剤。
Figure 2006119271
(R、R、R11、R12、R13はそれぞれ、1個以上10個以下の炭素原子を有する有機基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、炭素数2以上10未満のエステル基から選ばれた基を表す。R、R、R、R、R、R10、R17、R18、R19はそれぞれ、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表す。R、R、R14、R15、R16、R20はそれぞれ、炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基から選ばれた基を表し、少なくとも1つは炭素数1〜6のアルコキシ基である。Xは炭素数1〜10のアルキル基、アルキレン基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、炭素数2〜10のエステル基、炭素数2〜10までのアミド基から選ばれた基を表す。XX、YYは単結合、
Figure 2006119271
から選ばれた基を表す。R21、R22は、それぞれ水素、フッ素、炭素数1〜10のアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、置換フェニル基から選ばれた基を表す。p、q、s、u、vは1〜4の整数、mは1〜3の整数、lは0〜2までの整数、a、b、k、nは0〜10までの整数、d、f、gは1〜4までの整数、t、hは1〜100までの整数、jは1〜3までの整数を表している。
It has at least 1 sort (s) of the compound represented by General formula (1)-(3), The adhesive improvement agent characterized by the above-mentioned.
Figure 2006119271
(R 1 , R 7 , R 11 , R 12 , R 13 are each an organic group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a carboxyl group, 2 to 10 carbon atoms. R 2 , R 3 , R 4 , R 8 , R 9 , R 10 , R 17 , R 18 , R 19 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 5 , R 6 , R 14 , R 15 , R 16 , and R 20 are each a group selected from an alkenyl group, a phenyl group, and a substituted phenyl group, each having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group, A group selected from a phenyl group, a substituted phenyl group, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of which is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, X is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkylene Group, nitro group, hydroxyl group Represents a group selected from an alkoxy group, a carboxyl group, an ester group having 2 to 10 carbon atoms, and an amide group having 2 to 10 carbon atoms, XX and YY are single bonds,
Figure 2006119271
Represents a group selected from R 21 and R 22 each represent a group selected from hydrogen, fluorine, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, an alkoxy group, a phenyl group, and a substituted phenyl group. p, q, s, u, v are integers of 1-4, m is an integer of 1-3, l is an integer of 0-2, a, b, k, n are integers of 0-10, d, f and g are integers from 1 to 4, t and h are integers from 1 to 100, and j is an integer from 1 to 3.
一般式(1)〜(3)で表される化合物の少なくとも1種100重量部に対して、1から10000重量部の溶剤を含むことを特徴とする請求項1記載の接着改良剤。 The adhesion improver according to claim 1, comprising 1 to 10,000 parts by weight of a solvent with respect to 100 parts by weight of at least one of the compounds represented by the general formulas (1) to (3). 炭素数1〜7までのアルコール類、炭素数2〜20までのエステル類、炭素数3〜20までのケトン類、炭素数3〜20までのアミド類、炭素数3〜20までの含硫黄溶媒より選ばれる少なくとも1種の溶媒が、全溶媒量の80%以上含有されることを特徴とする請求項2記載の接着改良剤。 Alcohols having 1 to 7 carbon atoms, esters having 2 to 20 carbon atoms, ketones having 3 to 20 carbon atoms, amides having 3 to 20 carbon atoms, and sulfur-containing solvents having 3 to 20 carbon atoms The adhesion improver according to claim 2, wherein at least one solvent selected from the above is contained in an amount of 80% or more of the total amount of the solvent. 請求項1記載の接着改良剤が、基板表面を処理する処理液であることを特徴とする基板処理液。 The substrate treatment liquid, wherein the adhesion improving agent according to claim 1 is a treatment liquid for treating a substrate surface.
JP2004305627A 2004-10-20 2004-10-20 Adhesion improver and substrate treating liquid using the same Pending JP2006119271A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004305627A JP2006119271A (en) 2004-10-20 2004-10-20 Adhesion improver and substrate treating liquid using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004305627A JP2006119271A (en) 2004-10-20 2004-10-20 Adhesion improver and substrate treating liquid using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006119271A true JP2006119271A (en) 2006-05-11

Family

ID=36537233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004305627A Pending JP2006119271A (en) 2004-10-20 2004-10-20 Adhesion improver and substrate treating liquid using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006119271A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008058839A (en) * 2006-09-01 2008-03-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2008083124A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Toray Ind Inc Positive photosensitive resin composition
JP2008164816A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2012063788A (en) * 2011-12-02 2012-03-29 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition
WO2017018290A1 (en) * 2015-07-24 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film and electronic device
KR101870831B1 (en) * 2017-08-18 2018-06-27 주식회사 픽슨 A mixed corrugated steel pipe containing of adhesive composition and a preparation method thereof

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008058839A (en) * 2006-09-01 2008-03-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2008083124A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Toray Ind Inc Positive photosensitive resin composition
JP2008164816A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2012063788A (en) * 2011-12-02 2012-03-29 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition
WO2017018290A1 (en) * 2015-07-24 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film and electronic device
JPWO2017018290A1 (en) * 2015-07-24 2018-03-22 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and electronic device
JP2019144581A (en) * 2015-07-24 2019-08-29 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and electronic device
TWI696036B (en) * 2015-07-24 2020-06-11 日商住友電木股份有限公司 Photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film, and electronic device
KR101870831B1 (en) * 2017-08-18 2018-06-27 주식회사 픽슨 A mixed corrugated steel pipe containing of adhesive composition and a preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5087923B2 (en) Photosensitive resin composition and pattern forming method
EP1431822A1 (en) Positive photosensitive polyimide resin composition
TW201615696A (en) Resin and photosensitive resin composition
JP2008083124A (en) Positive photosensitive resin composition
TWI750178B (en) Resin composition and method for manufacturing relief pattern of cured film
JP5061435B2 (en) Heat-resistant resin precursor composition and semiconductor device using the same
KR20120009899A (en) Poly-imide copolymer and photosensitive resin composition comprising the same
JP5263523B2 (en) Positive photosensitive resin composition containing polyhydroxyurea resin
KR102261232B1 (en) Polyimide resin and negative type photosensitive resin composition comprising same
JP2010229210A (en) Resin composition
JP4337389B2 (en) Method for producing heat-resistant resin precursor composition
JP2006119271A (en) Adhesion improver and substrate treating liquid using the same
EP1705204B1 (en) Photosensitive resin and a method of preparing the same
KR101200140B1 (en) Positive typed photosensitive composition
CN102713753A (en) Positive photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film and electronic component
TW202244611A (en) Photosensitive resin composition, cured product, display device, organic EL display device, and semiconductor device
JP2003114538A (en) Rinsing liquid, washing method using the same and photosensitive resin precursor composition to be washed off
JP2011133615A (en) Positive photosensitive resin composition
TWI711648B (en) Method for manufacturing substrate and method for manufacturing light-emitting element using the same
JP2001242640A (en) Processing method for photosensitive resin composition and semiconductor device using same
JP4396143B2 (en) Heat-resistant resin precursor composition
KR101609706B1 (en) Photosensitive resin composition and method of manufacturing patternized layer by using the same
KR102275345B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
CN102725694B (en) Light-sensitive polymer composition, method for producing pattern, and electronic component
JP2007328363A (en) Photosensitive heat-resistant polymer composition