JP2006108507A - 熱電変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 熱電変換素子の入出力電極と外部の電源等との接続および熱電変換素子とこれを取り付ける部材との接続方法は、別々に行われている。とくに、電気的な接続はリード線等手間のかかる取り付け方が行われている。さらに、熱電変換素子の小型化薄型化という点で、リード線による取り付けは、外部との接続というだけでなく、熱電変換素子と太いリード線の取り付け自体が困難になってきている。熱電変換素子の電気的および熱的な接続を容易に行うと同時に、小型薄型化への対応できる構造を提供する。
【解決手段】 熱電変換素子を構成する2枚の基板のうち、すくなくとも一方の基板にスルーホール配線や端面配線を形成し、これを用いて基板内側にある電極を基板外面に引き回すことにより、熱電変換素子の基板外面より電力の入出力が可能となる構造とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、冷却や加熱および温度差により発電を行う熱電変換素子からなる熱電変換装置に関する。
熱電変換素子は、P型熱電材料とN型熱電材料とを、金属を介して接合し、PN接合を形成することにより作製される。この熱電変換素子は、素子に電流を流すことにより、一方の接合対で冷却、他方の接合対で発熱が起こるいわゆるペルチェ効果を生じ、これを利用した冷却装置や精密温度制御装置などとして利用されている。
一般に、熱電変換素子は複数個の熱電エレメントと呼ばれる柱状のP型およびN型熱電材料片(以下、熱電エレメントと呼ぶ)とこれらを接合する金属電極を備えた2枚の基板により構成されている。P型及びN型熱電エレメントは2枚の基板に挟み込まれた状態で、一端面が一方の基板の金属電極に、他端面がもう一方の基板の金属電極にそれぞれ固着され、該金属電極を介してPN接合対が形成されるとともに、PN接合対が直列につながれるようになっている。
このような構造をしている熱電変換素子への電力の供給あるいは取り出しを行うために、この熱電変換素子を構成する一方の基板には、はんだ等により単芯または撚線からなるリード線が取り付けられている。例えば、特許文献1に、このような例が記載されている。
一方、デジタルカメラやビデオカメラ等では、画像のセンシングにCCDイメージセンサーやCMOSイメージセンサー等の半導体を用いた固体撮像素子を用いているが、これらの半導体を用いたイメージセンサーは、温度上昇と共に暗電流が増化する。この暗電流の増化は、センシングした画像の画質の低下をもたらしている。
温度上昇による暗電流の増加を防ぐために、上記の半導体を用いたイメージセンサーを熱電変換素子で冷却することが行われている。このような例は、特許文献2に記載されている。
特開平3−201579号公報(2頁および6頁第1図) 特開平2000−101888号公報
しかしながら、熱電変換素子に取り付けられたリード線により、電力の供給あるいは取り出しを行う場合、電源をはじめとする外部の装置との接続が面倒であったり、取り付ける相手によっては直接取り付けられないといった問題があった。
さらに、熱電変換素子はその原理より、素子を構成する熱電エレメントの基板に平行な断面の断面積とエレメントの高さの比を一定に保てば、小型化、薄型化が可能であることから、近年、熱電変換素子の薄型化、小型化が進んでいる。リード線は、二枚の基板の間に収められた状態で一方の基板にはんだ等で取り付ける方法と、一方の基板に対し電極取り付け部分を大きくした基板に取り付ける方法があった。しかしながら、上述のように薄型化、小型化が進むにつれて、前者の取り付け方法では、リード線が入るのに十分な隙間が基板間に確保できないことが生じる。後者の取り付け方法では、リード線の太さや接合に使用するはんだの盛り上がりにより、リード線を取り付けた基板に対向するもう一方の基板よりこれらが高くなってしまうことが生じる。この場合、熱電変換素子を取り付ける部材とリード線が接触していまい、熱電変換素子と部材との取り付けがうまく出来なくなってしまうという問題があった。図10に従来の熱電変換素子の概略図を示す。図10(a)は、従来の熱電変換素子の概略のうち、断面を示す図であり、図10(b)は上面より見た図を示す図である。
本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明の熱電変換素子は、P型熱電材料からなる複数のP型熱電エレメントと、N型熱電材料からなる複数のN型熱電エレメントとこれらP型及びN型の異種熱電エレメントを一対ずつ接合してPN接合対を形成可能とする金属等からなる電極を有する第1基板と第1基板とともに、前記P型およびN型熱電エレメントを挟む状態に配置され、PN接合対を形成可能とする金属等からなる電極を有する第2基板とから構成されており、この熱電変換素子の入出力電極が上記第1基板および第2基板の少なくとも一方の基板で、上記エレメントを挟む面とは反対側の面に引き出されている。これにより、熱電変換素子への電力の入力あるいは、熱電変換素子からの電力の取り出しは、第1基板あるいは第2基板の外面より行うことができるようになる。
また、本発明の熱電変換素子の入出力電極の基板外面への引き回しを第1基板あるいは第2基板に設けられたスルーホールまたは基板の端面より行うようにしてある。これにより、リード線などの特別な配線を用いず入出力電極を基板の内面から外面へ引き回すことができる。
また、本発明の熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面と反対側の面がメタライズされ、このメタライズされた部分がエレメントを挟む面より引き回された入出力電極と接続されている。これにより、このメタライズ部がペルチェ素子の入出力電極となる。
また、本発明の熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面と反対側の面に、電気的に分割された複数のメタライズ部が形成され、このメタライズ部の1つもしくは複数にエレメントを挟む面より引き回された入出力電極が電気的に接続されている。これにより、入出力電極と同時に、入出力電極とは電気的に分離されたメタライズ部が基板の外面に形成される。
また、本発明の熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板のいずれか一方が、樹脂または樹脂を主成分とする材料を基材としている。この場合、樹脂は耐熱性を有するものが好ましいく、その厚みは、薄ければ薄いほど良い。熱伝導などを考慮すると樹脂層の厚みは、0.1マイクロmから100マイクロm程度が好ましい。
また、本発明の熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板のいずれか一方が、樹脂または樹脂を主成分とする材料を基材とし、銅が積層されている。この銅層は、熱伝導が低い樹脂からなる基材からの熱を受け、この熱を拡散する。また、この銅層を利用して、熱電変換素子に取り付けられる部材への接着、接合性を高めることができる。たとえば、はんだ等による接続が可能となる。
本発明によれば、熱電変換素子の入出力用の電極が熱電変換素子を構成する基板の外面に引き出されるので、内面側からのリード線による配線による電力供給だけでなく、外面より、電力を供給できるようになるので、配線に自由度を持たせることができる。
また、熱電変換素子の基板に設けたスルーホールまたは基板の端面を利用して、内面側から入出力電極を外面に引き回すことにより、不必要な配線を取り付けることなく引き回しができると同時に、基板作製時に同時にこの引き回し配線を形成することができるので、製造上のコストが下げることができる。
基板内面より引き回された配線が、外面に設けられたメタライズ部に接続されることにより、熱電変換素子への電力供給もしくは熱電変換素子からの電力出力を外面から行うことが可能となる。このメタライズ部を熱電変換素子へ接続するための配線を施したプリント配線基板などにはんだ等の導電性を有する接合剤で接続することにより電力をプリント配線基板などから供給もしくは出力することができるようになるので、熱電変換素子と外部との電気的な接続を容易にする。さらに、外面メタライズ部の構造を適宜設計することにより、熱電変換素子に対する熱接続も向上することができる。すなわち、電気と熱の接続を同時に行うことができるようになる。
熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面と反対側の面に、電気的に分割された複数のメタライズ部が形成され、このメタライズ部の1つもしくは複数にエレメントを挟む面より引き回された入出力電極が電気的に接続されていることにより、入出力電極と同時に、入出力電極とは電気的に分離されたメタライズ部が基板の外面に形成される。これにより、入出力電極と接続されたメタライズ部はあらかじめ配線をほどこしたプリント配線基板等に接続し、電気的に接続されないメタライズ部を熱が流出入する部材、たとえば被温度制御部材や放熱を行うための部材へ直接はんだ等の接合剤により、同時に接続できる。これにより、放熱性、温度制御性を高めると同時に熱電変換素子への電力の入出力を容易に行えるようになり、製造においても非常に効率が高まる。
熱電変換素子を構成する第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板を構成する部材を樹脂または樹脂を主成分とする材料を基材とすることにより、スルーホールや端面配線による基板内面から基板外面への配線の引き回しをしやすくする。また、樹脂等は熱電変換素子を構成する電極材料や熱電材料と熱膨張率がセラミックス等の無機材料とくらべ非常に近いので、製造上におけるはんだ接合等における熱的な衝撃や使用時における熱ひずみに対して有効に働く。なお、厚みについては、熱伝導率を考慮すると、0.1μmから100μm程度が好ましい。
熱電変換素子を構成する第1基板もしくは第2基板のいずれか一方が、樹脂または樹脂を主成分とする材料を基材とし、銅が積層されている。この銅層は、熱伝導が低い樹脂からなる基材からの熱を受け、この熱を拡散する。また、この銅層を利用して、熱電変換素子に取り付けられる部材への接着、接合性を高めることができる。たとえば、はんだ等による接続が可能となる。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態に係わる熱電変換素子について、図面を参照にして説明する。図1(a)は本発明である熱電変換素子の概略断面図である。また、図1(b)は、この熱電変換素子を第2基板3方向よりみた概略図面である。この熱電変換素子は、熱電材料からなる熱電エレメント1がアルミナからなる第1基板2とアルミナからなる第2基板3により挟まれた構造をとっている。第1基板2および第2基板3の熱電エレメント1側の面には、PN接合をおこなうための電極4が形成されている。第1基板2にはこのPN接合を行うための電極4のうち両端が入出力電極5を兼ねている。第1基板2には、スルーホール穴6が形成されている。このスルーホール6内はメタライズされており、外面のメタライズ部7へと一体化されており、電気的に接続がとられている。
図2は第1基板の外面の構造を示した図である。熱電変換素子の二つの電極をスルーホール6aおよびスルーホール6bを通して、外面に引き出しメタライズ部7aおよびメタライズ部7bへ接続しているおり、これらのメタライズ部7aおよびメタライズ部7bが各々熱電変換素子の入出力電極となっている。このうち、図2(a)では、それぞれのメタライズ部が同じ形状をしており、熱電変換素子を構成しているエレメント1の下までそれぞれ伸びた構造をとっている例である。図2(b)は一方のメタライズ部7aは、熱電変換素子を構成しているエレメント1の下まで至っておらず、メタライズ部7bがエレメント1の下まで広がっている構造をとっている例である。
さらに、図3は、入出力電極につながるメタライズ部7aおよびメタライズ部7bとは別に独立したメタライズ部8aまたはメタライズ部8bを形成した例である。図3aでは、入出力電極につながるメタライズ部7aおよび7bは、スルーホール6aおよびスルーホール6bの近傍のみに形成されており、独立したメタライズ部8aはメタライズ部7aおよびメタライズ部7bから、第1基板2のエレメント1設置部の下に形成されている。図3(b)は、独立したメタライズ部8bがスルーホール6aおよびスルーホール6bの近傍にのみ形成されたメタライズ部7aおよびメタライズ部7bの間にまで広げた例である。
第1基板1の外面メタライズ部の形状等については、図2および図3に示した以外にも考えられるが、熱電変換素子が取り付けられる部材の形状等によりメタライズ部7a、7bおよび独立したメタライズ部8a、8bの形状、大きさ、メタライズ層の材質等は変わることはいうまでもない。また、第1実施形態では、第1基板2の内面と外面の接続をスルーホール6により行ったが、図4に示したように、第1基板2の端面に端面メタライズ部9を設けることにより内面と外面の接続を行うこともできる。
図5は本実施形態で作製した熱電変換素子を実際に対象物に取り付けた例である。熱電変換素子10は、第1基板2側で入出力行うための配線11を形成してある部材12とはんだ13により接続されている。この場合、部材12の材質はすくなくとも配線11の部分では絶縁物である必要があるが、全体としては、その材質、性状、機能を問うものではない。一方、第2基板3に部材14が搭載されている。第2基板3と部材14との接続は、熱伝導性グリースなどで行われるが、第2基板3の外面にメタライズを施しておけば、部材14がはんだ付け可能なものであれば、はんだ付けをおこなってもよい。はんだ付けが可能な場合、熱電変換素子10の取り付けは、電気的、熱的な接続は一回のハンダ付けで可能になりうるので非常に効率が上がる。取り付けられた熱電変換素子10は、冷却素子として使用する場合と発電変換素子として使用する場合がある。
この熱電変換素子10は、発電および冷却として使用することができるが、いずれの場合においても、部材12、部材14のいずれが高温側、低温側であっても良い。
(第2実施形態)
次に、本発発明に係わる第2実施形態について説明する。
本実施形態では、第1基板2aにポリイミド樹脂を使い、第2基板3aにアルミナを用いている。図6に第2実施形態に係わる熱電変換素子の概略断面図を示す。ポリイミド樹脂はアルミナ等のセラミックス材料等と比べると、熱伝導率の高さの点で劣っているが、加工性、柔軟性、強度等の点で優れている。ポリイミド樹脂の厚みをできる限り薄くすることにより熱抵抗を下げるようにする。厚みは0.1μmから100μm程度が好ましい。ポリイミド樹脂層の厚みが薄い場合は、メタライズ部となる銅箔上に液状のポリイミド樹脂を塗布し硬化することによりポリイミド樹脂層を形成する。厚い場合は、フィルム状のポリイミド樹脂を銅等の金属でメタライズすればよい。ポリイミド樹脂と銅等の金属が積層された部材を作製したのち、穴あけ加工、めっき、フォトリソグラフィー等の技術を用いることによりPN電極、メタライズ部等を形成すれば容易に第1基板2aを作製することができる。一方の第2基板3aは、アルミナ上へのめっきとフォトリソグラフィー技術により容易に作製する。第1基板2aと第2基板3aとの間に挟まれる熱電材料としてビスマス・テルル系材料を使用する場合、ビスマス・テルルのエレメント端面にニッケルメッキを施しておき、PN接合を行うための電極4にはんだ付けすることにより熱電変換素子を作製する。
このようにして作製された熱電変換素子を冷却素子として使用する場合、入力電極が形成されている第1基板2aを冷却側として用いることが好ましい。冷却素子として熱電変換素子を使用する場合、冷却側基板を通過する熱量は、放熱側基板を通過する熱量より、かなり小さくなる。熱伝導に劣るポリイミド樹脂等の有機材料を基板として使用する場合、極力通過する熱量を小さくすることにより発生する温度差を小さくできるので、本形態の場合第1基板2aを冷却側にすることにより性能をより高く発揮できる。
また、第1基板および第2基板を構成する基材の材質違いに対する組み合わせは、任意行うことができる。図7(a)は第1基板および第2基板の両方に樹脂製基材を用い、第2基板3bの外面にメタライズ部15を形成し、第2基板3bをはんだによる外部部材との接続を可能としたものである。図7(b)は第1基板にアルミナ基板を用い、第2基板に外面にメタライズ部15を形成した樹脂製基材を用いた例を示した図である。
第1基板外面のメタライズ部15の配置については、図2および図3に示したものなどが使えることは、第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
本発発明に係わる第3実施形態について説明する。
図8は、第3実施形態に係わる熱電変換素子の縦断面の概略図である。
第1基板2dおよび第2基板3dにいずれにもスルーホール6d、6eを形成し、熱電変換素子の入出力電極5aおよび5bを第1基板2dおよび第2基板3dにおのおの別々の基板に形成する。図9(a)から(c)は第1基板2dの外面のメタライズ部の配置を示した図である。第2基板3dについても、スルーホール6eの位置が異なるだけで、実質的な配置は図9(a)から(c)と同様である。
この構造によると、熱電変換素子の入出力電極の一方を高温側、他方を低温側となる。あらかじめ、熱電変換素子を取り付ける部材に接続用配線を施しておけば、はんだ等容易に接続できる。一方の基板に両方の電極を設けた場合とことなり、部材との接続時に、はんだ等の流れによる電気的なショートを防ぐことができる。
本発明の第1実施形態に係わる熱電変換素子の概略を示した図である。 本発明の第1実施形態の第1基板の外面の入出力電極につながるメタライズ部を示した図である 本発明の第1実施形態の第1基板の外面の入出力電極につながるメタライズ部と独立したメタライズ部を示した図である 本発明の第1実施形態の第1基板の端面に端面メタライズ部を設けることにより内面と外面の接続を行った熱電変換素子の概略断面を示した図である。 本発明の第1実施形態で作製した本発明の熱電変換素子を対象物に取り付けた例を示した図である。 本発明の第2実施形態に係わる熱電変換素子の概略断面を示した図である。 本発明の第2実施形態における熱電変換素子を構成する第1基板と第2基板の組み合わせを変えた場合の熱電変換素子の概略断面を示す図である。 本発明の第3実施形態に係わる熱電変換素子の概略断面を示した図である。 本発明の第3実施形態の熱電変換素子を構成する第1基板の外面メタライズ部の配置を示した図である。 本発明と対比するための従来の熱電変換素子の概略を示した図である。
符号の説明
1・・・熱電エレメント
2、2a、2b、2c、2d・・・第1基板
3、3a、3b、3c、3d・・・第2基板
4・・・PN接合を行うための電極
5・・・入出力電極
6、6a、6b、6c、6d、6e・・・スルーホール
7、7a、7b、7c、7d・・・外面メタライズ部
8a、8b、8c、8d・・・独立したメタライズ部
9・・・端面メタライズ部
10・・・熱電変換素子
11・・・入出力を行うための配線
12・・・熱電変換素子に取り付けられる部材
13・・・はんだ
14・・・熱電変換素子に取り付けられる部材
15・・・メタライズ部
16・・・リード線

Claims (7)

  1. P型熱電材料からなる複数のP型熱電エレメントと、
    N型熱電材料からなる複数のN型熱電エレメントと、
    これらP型及びN型の異種熱電エレメントを一対ずつ接合してPN接合対を形成可能とする電極を有する第1基板と、
    該第1基板とともに、前記P型およびN型熱電エレメントを挟む状態に配置され、PN接合対を形成可能とする電極を有する第2基板とを備えた熱電変換素子において、この熱電変換素子の入出力電極が上記第1基板および第2基板の少なくとも一方の基板で、上記エレメントを挟む面とは反対側の面に引き出されていることを特徴とする熱電変換装置。
  2. 上記熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面から反対の面への電極の引き回しが、基板に設けられたスルーホールによりなされていることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換装置。
  3. 上記熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面から反対の面への電極の引き回しが、基板の端面よりなされていることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換装置。
  4. 上記熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面と反対側の面がメタライズされ、このメタライズされた部分がエレメントを挟む面より引き回された入出力電極と接続されていることを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか1項に記載の熱電変換装置。
  5. 上記熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方の基板において、エレメントを挟む面と反対側の面に、電気的に分割された複数のメタライズ部が形成され、このメタライズ部の1つもしくは複数にエレメントを挟む面より引き回された入出力電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載の熱電変換装置。
  6. 上記熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方が、樹脂または樹脂を主成分とする材料を基材としていることを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載の熱電変換装置。
  7. 上記熱電変換素子の第1基板もしくは第2基板の少なくとも一方が、樹脂または樹脂を主成分とする材料を基材とし、この基材に銅が積層されていることを特徴とする請求項1から請求項6のうちいずれか1項に記載の熱電変換装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317865A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュール
JP2009267316A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Asset-Wits Co Ltd 熱電変換モジュールならびにその製造方法および熱電発電システム
JP2012074662A (ja) * 2009-12-09 2012-04-12 Sony Corp 熱電発電装置、熱電発電方法、電気信号検出装置及び電気信号検出方法
KR20160125678A (ko) * 2015-04-22 2016-11-01 엘지이노텍 주식회사 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치
JP2017208478A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 熱電変換モジュールおよび熱電変換装置
JPWO2017056549A1 (ja) * 2015-09-28 2018-03-15 京セラ株式会社 熱電モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065224A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Tekunisuko:Kk サーモモジュール
JP2001160632A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Yamaha Corp 熱電モジュール
WO2003007391A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 Ferrotec (Usa) Corporation Thermoelectric module with thin film substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065224A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Tekunisuko:Kk サーモモジュール
JP2001160632A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Yamaha Corp 熱電モジュール
WO2003007391A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 Ferrotec (Usa) Corporation Thermoelectric module with thin film substrates

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317865A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュール
US7893345B2 (en) * 2006-05-25 2011-02-22 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Thermoelectric module device
JP2009267316A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Asset-Wits Co Ltd 熱電変換モジュールならびにその製造方法および熱電発電システム
JP2012074662A (ja) * 2009-12-09 2012-04-12 Sony Corp 熱電発電装置、熱電発電方法、電気信号検出装置及び電気信号検出方法
KR20160125678A (ko) * 2015-04-22 2016-11-01 엘지이노텍 주식회사 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치
KR102412389B1 (ko) * 2015-04-22 2022-06-23 엘지이노텍 주식회사 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치
JPWO2017056549A1 (ja) * 2015-09-28 2018-03-15 京セラ株式会社 熱電モジュール
JP2017208478A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 熱電変換モジュールおよび熱電変換装置

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