JP2006108348A - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006108348A JP2006108348A JP2004292313A JP2004292313A JP2006108348A JP 2006108348 A JP2006108348 A JP 2006108348A JP 2004292313 A JP2004292313 A JP 2004292313A JP 2004292313 A JP2004292313 A JP 2004292313A JP 2006108348 A JP2006108348 A JP 2006108348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- boat
- processing apparatus
- chamber
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing such as generation of a thin film on a substrate such as a silicon wafer.
基板処理装置としては、所要枚数を一度に処理するバッチ式の基板処理装置或は一枚或は複数枚を個別に処理する枚葉式の基板処理装置とがある。例えば、バッチ式の基板処理装置として、縦型反応炉を具備した縦型基板処理装置があり、該縦型基板処理装置に関するものとして特許文献1に示すものがある。 As the substrate processing apparatus, there are a batch type substrate processing apparatus that processes a required number of sheets at once, or a single wafer type substrate processing apparatus that processes one or a plurality of sheets individually. For example, as a batch type substrate processing apparatus, there is a vertical type substrate processing apparatus provided with a vertical type reaction furnace.
特許文献1に示される基板処理装置について、図11、図12に於いて略述する。 The substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 will be briefly described with reference to FIGS.
反応室を有する処理炉1の下側に待機室、即ちロードロック室2が気密に連設され、該ロードロック室2と前記処理炉1間にはゲートバルブ3が設けられ、前記ロードロック室2の側面にもゲートバルブ4が設けられている。前記ロードロック室2にはボートエレベータ(図示せず)が収納され、該ボートエレベータによりボート5が昇降され、前記ロードロック室2から前記処理炉1にボート5が装入、引出し(ローディング、アンローディング)される様になっている。
A standby chamber, that is, a
前記ロードロック室2に隣設してボート交換装置6が設けられている。
A
該ボート交換装置6はボート5を載置可能な2組の移載用テーブル7,8を有し、該移載用テーブル7,8はベーステーブル9に図11中左右方向(X方向)にスライド可能に設けられている。該ベーステーブル9は、図11の紙面に対して垂直方向(Y方向)にスライド可能に設けられている。
The
前記移載用テーブル7,8は、前記ゲートバルブ4を通して載置したボート5を前記ロードロック室2内に挿入可能であり、前記ボートエレベータとの協働で該ボートエレベータと前記移載用テーブル7,8間でのボート5の移載が可能となっている。
The transfer tables 7 and 8 can insert the
前記ボート交換装置6と対向してカセット棚11が設けられ、該カセット棚11と前記ボート交換装置6との間にウェーハ移載装置12が設けられている。該ウェーハ移載装置12は、進退且つ回転可能な移載機13及び移載機エレベータ14を具備し、該移載機エレベータ14と前記移載機13との協働で前記カセット棚11のカセット15と前記移載用テーブル7,8上のボート5との間でウェーハの移載を行う様になっている。
A
前記処理炉1及び前記ロードロック室2にはそれぞれ排気ポンプ16,17が接続され、内部が真空引きされる様になっている。
上記した基板処理装置に於ける基板処理について説明する。 The substrate processing in the above substrate processing apparatus will be described.
外部搬送装置(図示せず)、或は作業者がカセット15を搬送して前記カセット棚11に収納させる。前記ウェーハ移載装置12はカセット15内のウェーハを前記ボート交換装置6上のボート5に移載する。該ボート5に1バッチ分の未処理ウェーハが移載されると、前記ゲートバルブ4が開けられ、前記ボート交換装置6により前記ボート5が図示しないボートエレベータに移載される。前記ゲートバルブ3、前記ゲートバルブ4が閉じられた状態で、前記排気ポンプ17により前記ロードロック室2内が減圧され、前記処理炉1と同圧化される。
An external conveyance device (not shown) or an operator conveys the
前記ゲートバルブ3が開かれ、ボートエレベータにより前記処理炉1に前記ボート5がローディングされ、前記処理炉1内部が加熱されつつ、該処理炉1内部に反応ガスが導入され、前記排気ポンプ16によって排気され、前記ボート5に保持されたウェーハに薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等所要の処理がなされる。
The
処理が完了すると、ボートエレベータにより前記ボート5が降下され、前記処理炉1からアンローディングされ、前記ゲートバルブ3が閉じられ、前記ロードロック室2がガスパージされる。
When the processing is completed, the
前記処理炉1での基板処理中に前記ウェーハ移載装置12により前記ボート交換装置6のもう1つのボート5に未処理ウェーハが移載され、待機している。
During the substrate processing in the processing furnace 1, an unprocessed wafer is transferred to another
外部と同圧化された後、前記ゲートバルブ4が開かれる。処理済のウェーハを保持したボート5が前記ボート交換装置6により前記ゲートバルブ4を通して取出されると、未処理ウェーハを保持したボート5が前記ボートエレベータに移載され、前記ゲートバルブ4が閉じられ、ウェーハの処理が繰返される。
After the same pressure as the outside, the gate valve 4 is opened. When the
前記ボート交換装置6で取出されたボート5は、処理済ウェーハが所要温度迄冷却されると、前記ボート5から前記カセット棚11のカセット15に前記ウェーハ移載装置12によって処理済ウェーハが移載され、該処理済ウェーハを収納したカセット15は外部に搬出される。
When the processed wafer is cooled to a required temperature, the processed wafer is transferred from the
近年、半導体装置が益々細密化するにつれ、微細なパーティクル、或は自然酸化膜の生成が、半導体装置の品質に影響を及す様になり、又基板処理装置内での基板の搬送空間を気密とし、或は不活性ガス雰囲気とし、基板処理装置内で基板がパーティクルに汚染されること、基板に自然酸化膜が生成することを防止する様になっている。 In recent years, as semiconductor devices have become increasingly finer, the generation of fine particles or natural oxide films has affected the quality of semiconductor devices, and the substrate transport space within the substrate processing apparatus has become airtight. Or an inert gas atmosphere to prevent the substrate from being contaminated by particles in the substrate processing apparatus and from generating a natural oxide film on the substrate.
更に、カセット15を密閉式の基板収納容器とし、基板処理装置内部の大気雰囲気での基板の搬送、基板の収納、更に基板処理装置外部での基板の搬送は、基板をカセット15に収納した状態で行う様にし、基板がパーティクルに汚染されることを防止している。
Further, the
然し乍ら、密閉式の前記カセット15は、基板をパーティクル汚染から防止するが、大気雰囲気で基板を収納するので、酸素濃度や水分濃度は、大気雰囲気と同じレベル(例えば、酸素23%、水分1%)となってしまい、基板表面に酸化膜が生成することは防止し得なかった。特に、1つの基板処理装置で基板を処理した後、次工程の処理を行う基板処理装置に搬送する場合は、処理後の基板表面に自然酸化膜が生成する可能性があり、自然酸化膜はコンタクト抵抗の増加となって半導体装置の品質に悪影響を与える。
However, the sealed
本発明は斯かる実情に鑑み、処理済の基板が外気に曝されることなく、次工程の基板処理装置に搬送可能とし、処理表面への酸化膜の生成、或はパーティクルの付着を防止する基板処理装置を提供するものである。 In view of such circumstances, the present invention allows a processed substrate to be transported to a substrate processing apparatus in the next process without being exposed to the outside air, and prevents the formation of an oxide film or the adhesion of particles to the processing surface. A substrate processing apparatus is provided.
本発明は、基板処理装置が、基板を基板保持具に保持して処理する処理室と、該処理室の下方に連設された待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板保持具を昇降する昇降手段と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記待機室内に配置され、前記基板収納容器と前記基板保持具との間で前記基板を搬送する基板移載機とを備え、前記基板処理装置が複数台並設され、一方の基板処理装置の待機室と他方の基板処理装置の待機室とはゲート弁を介して連通され、一方の基板処理装置の基板移載機は一方の基板処理装置の基板保持具から他方の基板処理装置の基板保持具に基板を移載可能である基板処理装置に係るものである。 The present invention provides a processing chamber in which a substrate processing apparatus holds and processes a substrate on a substrate holder, a standby chamber provided below the processing chamber, and the processing chamber and the standby chamber. Elevating means for elevating and lowering the substrate holder, a substrate storage container for storing the substrate, a substrate transfer machine disposed in the standby chamber and transporting the substrate between the substrate storage container and the substrate holder, A plurality of the substrate processing apparatuses are arranged in parallel, the standby chamber of one substrate processing apparatus and the standby chamber of the other substrate processing apparatus are communicated via a gate valve, and the substrate transfer of one substrate processing apparatus is performed The apparatus relates to a substrate processing apparatus capable of transferring a substrate from a substrate holder of one substrate processing apparatus to a substrate holder of the other substrate processing apparatus.
本発明によれば、基板処理装置が、基板を基板保持具に保持して処理する処理室と、該処理室の下方に連設された待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板保持具を昇降する昇降手段と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記待機室内に配置され、前記基板収納容器と前記基板保持具との間で前記基板を搬送する基板移載機とを備え、前記基板処理装置が複数台並設され、一方の基板処理装置の待機室と他方の基板処理装置の待機室とはゲート弁を介して連通され、一方の基板処理装置の基板移載機は一方の基板処理装置の基板保持具から他方の基板処理装置の基板保持具に基板を移載可能であるので、処理済の基板を基板処理装置外の外気に曝すことなく、清浄雰囲気内で次工程の基板処理装置への基板の移載が可能であり、基板表面の酸化膜の成長を抑止でき、又パーティクルの付着を防止できる等の優れた効果を発揮する。 According to the present invention, the substrate processing apparatus holds the substrate on the substrate holder for processing, the standby chamber connected below the processing chamber, and between the processing chamber and the standby chamber. And a substrate transfer unit disposed in the standby chamber and transporting the substrate between the substrate storage container and the substrate holder. A plurality of the substrate processing apparatuses are arranged in parallel, the standby chamber of one substrate processing apparatus and the standby chamber of the other substrate processing apparatus are communicated via a gate valve, and the substrate of one substrate processing apparatus Since the transfer machine can transfer the substrate from the substrate holder of one substrate processing apparatus to the substrate holder of the other substrate processing apparatus, the processed substrate is cleaned without being exposed to the outside air outside the substrate processing apparatus. The substrate can be transferred to the substrate processing equipment for the next process in the atmosphere. It can suppress the growth of oxide film on the surface of the substrate, and exhibits excellent effects such can prevent adhesion of particles.
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
本発明は、複数の基板処理装置が連結されて構成される。 The present invention is configured by connecting a plurality of substrate processing apparatuses.
図1、図2は2組の基板処理装置19a,19bが連設された場合を示している。尚、基板処理装置19aと基板処理装置19bとは同一の構成を有するので、以下基板処理装置19aについて説明する。
1 and 2 show a case where two sets of
密閉な空間を形成する筐体20の前面には授受ステージ22が設けられ、該授受ステージ22は密閉構造の基板収納容器であるポッド(以下カセット21)を授受可能となっている。前記授受ステージ22に隣接する前記筐体20の内部にはカセット搬送空間23が形成され、前記筐体20に設けられたクリーンユニット(図示せず)により前記カセット搬送空間23には清浄空気の流れが形成されている。
A
前記筐体20の後下部には気密な待機室であるロードロック室24が連設され、該ロードロック室24内は大気ゲート弁25を介して前記カセット搬送空間23に連通している。
A
該カセット搬送空間23には、前記授受ステージ22に対向してカセット搬送機26が設けられ、該カセット搬送機26を介して前記授受ステージ22に対向する位置にカセット受け台27が設けられ、該カセット受け台27には前記大気ゲート弁25に連設されたカセット開閉手段であるポッドオープナ29が設けられている。又、前記カセット受け台27の上方に位置するカセット棚28が前記ロードロック室24の上面に設けられている。
In the
前記カセット棚28の後側に炉収納部31が設けられ、該炉収納部31には基板処理室としての処理炉32が収納され、該処理炉32は炉口ゲートバルブ33を介して前記ロードロック室24と連通している。該ロードロック室24には図11で示したと同様排気ポンプ(図示せず)が設けられ、又窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給ライン(図示せず)が連通されている。
A
前記ロードロック室24の内部には、前記処理炉32の下方に基板保持具昇降手段であるボートエレベータ34が設けられ、該ボートエレベータ34は基板保持具であるボート35を交換可能に載置し、該ボート35を昇降して前記処理炉32にローディング/アンローディング可能となっている。前記ボート35はウェーハ39を水平姿勢で多段に保持するものであり、該ウェーハ39は前記ボート35に保持された状態で前記炉収納部31内にローディングされ、所要の処理がなされる。
Inside the
前記ボートエレベータ34の側方に基板保持具交換手段であるボートチェンジャ30、保持具置き台36が設けられ、前記ボートエレベータ34と前記大気ゲート弁25との間には基板移載手段である基板移載機37が設けられている。
A
尚、前記筐体20にはアンローディングされた状態のボート35に対向する位置に気密構造のローディングロックドア40が設けられ、該ローディングロックドア40を開いて保守作業が可能となっている。
The
前記授受ステージ22に対してはAGV、或はOHT等の外部搬送装置(図示せず)により前記カセット21が搬入出される。前記カセット搬送機26は横行可能、昇降可能、進退可能なカセット搬送アーム38を具備し、該カセット搬送アーム38の横行、昇降、進退の協働により前記授受ステージ22から前記カセット受け台27又は前記カセット棚28間で、或は前記カセット受け台27と前記カセット棚28間で前記カセット21の搬送を行う様になっている。
The
前記カセット棚28は回転可能な複数段の棚41(図示では2段)を有し、各段の棚にそれぞれ複数個の前記カセット21を載置可能となっている。
The
前記基板移載機37について図3、図4に於いて説明する。
The
前記ロードロック室24の底部より筒状の駆動部支持体42が気密に取付けられ、該駆動部支持体42に前記基板移載機37の駆動機構部43が取付けられている。前記駆動部支持体42の下面に筒状支持部材44が取付けられ、該筒状支持部材44の下端に上ベース45が取付けられ、該上ベース45に支柱46,46を介して下ベース47が取付けられ、前記上ベース45と前記下ベース47間にスクリューシャフト48,48が回転自在に設けられ、該スクリューシャフト48,48はギアボックス49,49を介してタイミングベルト51により連結され、モータ50により同期回転される様になっている。前記支柱46に昇降ベース52が昇降自在に設けられ、該昇降ベース52は図示しないナットブロックを介して前記スクリューシャフト48,48に螺合している。前記昇降ベース52には2重シャフト53が立設され、該2重シャフト53の上端には磁気シール部54を介してフランジ55が回転自在に気密に設けられ、該フランジ55と前記上ベース45間にはベローズシール部材56が気密に取付けられ、前記フランジ55は前記駆動部支持体42の上部を貫通して昇降可能となっている。
A cylindrical
前記2重シャフト53の上端にはウェーハ移載アーム57が設けられ、前記2重シャフト53の外軸、内軸(図示しない)を個々に回転することで、前記ウェーハ移載アーム57全体が回転すると共に該ウェーハ移載アーム57が伸縮する様になっている。
A
而して、前記支柱46、前記スクリューシャフト48等の摺動部、回転部は前記ベローズシール部材56によって前記ロードロック室24内とは離隔されており、前記駆動機構部43による前記ロードロック室24内部の汚染を防止している。又、該ロードロック室24は前記駆動機構部43を外部に設けたので、前記ロードロック室24の容積を小さくでき、減圧、復圧等の工程を短時間で行える。
Accordingly, the sliding portion and the rotating portion of the
次に、図5、図6により前記ボートエレベータ34について説明する。
Next, the
前記ロードロック室24の上面にエレベータ昇降機構部59が設けられ、該エレベータ昇降機構部59はガイドシャフト61に昇降自在に設けられた昇降ブロック62を具備し、該昇降ブロック62にはナットブロック(図示せず)を介してスクリューロッド64が螺合し、該スクリューロッド64は昇降モータ63により減速機60を介して回転され、前記スクリューロッド64が前記昇降モータ63により回転されることで前記昇降ブロック62が昇降可能となっている。
An elevator lifting / lowering
該昇降ブロック62には前記ロードロック室24の天井部を貫通して該ロードロック室24内に延出する昇降軸65が垂設され、該昇降軸65の前記ロードロック室24貫通箇所にはベローズ66が設けられ、前記昇降軸65の貫通部は気密構造となっている。前記ベローズ66は前記昇降ブロック62の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、前記ベローズ66の内径は前記昇降軸65の外形に比べ充分に大きく前記ベローズ66の伸縮で前記昇降軸65に接触することがない様になっている。
The lifting
該昇降軸65の下端にエレベータアーム67が設けられており、該エレベータアーム67にはローラ68が回転自在に設けられている。前記ロードロック室24の内壁面で前記昇降軸65に対峙する部分にはガイドレール69が取付けられ、該ガイドレール69には前記ローラ68が転動する様になっている。
An
前記エレベータアーム67に前記処理炉32の炉口部を気密に閉鎖可能な炉口蓋71が設けられている。該炉口蓋71はボート受け台として機能し、該炉口蓋71に前記ボート35が着脱可能に載置される。
The
而して、前記昇降モータ63の駆動により、前記昇降軸65を介して前記エレベータアーム67が昇降し、該エレベータアーム67の昇降により前記ボート35が前記処理炉32にローディング/アンローディングされる様になっている。又、前記エレベータアーム67が前記ローラ68を介して前記ガイドレール69にガイドされているので前記昇降軸65の撓みが抑止され、前記ボート35の昇降動作に伴う前記昇降軸65の撓みによる前記ボート35の水平変位が防止される。
Thus, by driving the lifting
尚、前記エレベータアーム67は気密な中空構造となっており、該エレベータアーム67内にボート回転手段(図示せず)が設けられ、該ボート回転手段は前記炉口蓋71を貫通するボート回転軸(図示せず)を有しており、該ボート回転軸を介して前記ボート35を回転可能となっている。
The
前記ボート回転手段に対する給電用のケーブル、駆動制御用のケーブル(図示せず)が前記昇降軸65を通して配線されている。又、前記炉口蓋71、前記ボート回転手段のシールを冷却する為の冷却流路(図示せず)が形成されており、該冷却流路に冷却水を循環する為の冷却水配管(図示せず)も前記昇降軸65内を通して配管されている。尚、前記冷却水配管はウェーハに対して金属汚染等汚染を起こさない金属等の材質が採用されている。
A power feeding cable and a drive control cable (not shown) for the boat rotating means are wired through the lifting
図7、図8により前記ボートチェンジャ30について説明する。
The
該ボートチェンジャ30の駆動機構部72は前記ロードロック室24の外部に設けられ、前記駆動機構部72は前記ロードロック室24の底部を貫通して設けられ、貫通部は磁気シールで気密となっている。
The
磁気シールで気密構造となっている軸受部73が前記ロードロック室24の底部を貫通して気密に設けられ、前記軸受部73に2重軸74が磁気シールされ回転自在に設けられている。
A bearing 73 having an airtight structure with a magnetic seal passes through the bottom of the
該2重軸74の外軸75の上端部は前記ロードロック室24内部に突出し下端部は前記ロードロック室24の外部に突出している。又、内軸76の上端部は前記外軸75の上端より突出し、下端部は該外軸75の下端より突出している。
An upper end portion of the
該外軸75の下端部にはプーリ、例えばタイミングギア77が嵌着され、該タイミングギア77は動力伝達部材、例えばタイミングベルト78を介して第1モータ79の出力軸に設けられたタイミングギア81と連結されている。又、前記内軸76の下端部にはプーリ、例えばタイミングギア82が嵌着され、該タイミングギア82は動力伝達部材、例えばタイミングベルト83を介して第2モータ84の出力軸に設けられたタイミングギア85と連結されている。前記第1モータ79、前記第2モータ84はそれぞれ独立して駆動され、前記外軸75、前記内軸76は個々に回転される様になっている。
A pulley, for example, a
前記外軸75の上端にはボート支持体である第1ボート交換アーム86が固着され、前記内軸76の上端にはボート支持体である第2ボート交換アーム87が固着されている。前記第1ボート交換アーム86、前記第2ボート交換アーム87の先端部はそれぞれ半円弧形状のボート載置部86a,87aを有しており、該ボート載置部86a,87aの内縁部は凹段差となっている。前記ボート35は前記凹段差に位置決めされて載置され、それぞれ前記第1ボート交換アーム86、前記第2ボート交換アーム87に支持される様になっている。又、前記外軸75、前記内軸76の回転で、前記第1ボート交換アーム86と前記第2ボート交換アーム87は、干渉することなく回転する様になっている。
A first
図9により、前記保持具置き台36について説明する。 With reference to FIG. 9, the holder table 36 will be described.
該保持具置き台36の駆動機構部88は、前記ロードロック室24の下側に該ロードロック室24の内部とは離隔して設けられている。
The
該ロードロック室24の下面に架体89が設けられ、該架体89には図示しない複数の支柱が昇降ベース95を介して取付けられ、又複数のスクリューシャフト91,91が回転自在に設けられ、該スクリューシャフト91,91は前記駆動機構部43と同様な構造となっており、ギアボックス92,92を介してタイミングベルト(図示せず)により連結され、前記ギアボックス92,92はモータ94により同期回転される様になっている。
A
前記スクリューシャフト91,91には前記昇降ベース95がナットブロック(図示せず)を介して螺合しており、前記スクリューシャフト91,91の回転で昇降する様になっている。
The elevating
前記昇降ベース95には中空の支柱96が気密に立設され、該支柱96は前記ロードロック室24の底部を遊貫して上端部が前記ロードロック室24内に突出し、前記支柱96の内部には回転軸(図示せず)が回転自在に設けられ、該回転軸の上端にボート受載フランジ98が取付けられている。前記回転軸の支持部は磁気シール等により気密となっており、該回転軸の下端部は前記昇降ベース95の下面に設けられた回転アクチュエータ93、例えばモータ等に連結され該回転アクチュエータ93の駆動により、前記ボート受載フランジ98が回転される様になっている。
A
該ボート受載フランジ98は前記ボート載置部86a,87aの内径よりも小さい外径を有し、該ボート載置部86a,87aの中心部を通って昇降可能となっている。
The
前記昇降ベース95と前記ロードロック室24下面間にはベローズ97が設けられ、該ベローズ97は前記支柱96と同心であると共に非接触となっている。前記ベローズ97は、前記ボート受載フランジ98の上面が前記ボート載置部86aの下面より下方迄降下し、又前記ボート受載フランジ98の下面が前記第2ボート交換アーム87の上面より上方迄上昇するだけの伸縮量を有している。
A bellows 97 is provided between the elevating
又、前記保持具置き台36に隣接して管状の不活性ガス供給ノズル99(図2参照)が立設されており、該不活性ガス供給ノズル99は図示しない窒素ガス等の不活性ガス供給源に接続されている。前記不活性ガス供給ノズル99の上端は、前記ボート35が前記保持具置き台36に載置された状態で少なくとも前記ボート35上端迄の高さを有し、該ボート35に対向する面に所要間隔で穿設されたガス吐出孔(図示せず)を有する。
In addition, a tubular inert gas supply nozzle 99 (see FIG. 2) is provided adjacent to the holder table 36, and the inert
図10により前記処理炉32について説明する。
The
前記ロードロック室24の上面に炉口フランジ101が設けられ、該炉口フランジ101の上端に有天筒状の外管102が立設され、該外管102と同心に処理室を画成する内管103が配設され、該内管103は上端が開放され、下端を前記炉口フランジ101に支持されている。
A
前記炉口蓋71に処理ガス導入ノズル104が連通され、該処理ガス導入ノズル104はガス供給ライン105を介して処理ガス供給源(図示せず)、或は窒素ガス等不活性ガス供給源(図示せず)に接続されている。又、前記炉口フランジ101の前記内管103の下端より上方に排気管106が連通され、該排気管106は排気装置(図示せず)に接続されている。
A processing
前記外管102と同心に筒状のヒータユニット107が配設され、該ヒータユニット107はヒータベース108に立設されている。
A
前記ボートエレベータ34の前記エレベータアーム67には前記炉口蓋71が設けられ、該炉口蓋71は前記炉口フランジ101の下端開口部(炉口部)を気密に閉塞する。前記炉口蓋71の下面にはボート回転装置109が設けられ、該ボート回転装置109の回転軸111が前記炉口蓋71を気密に貫通している。前記回転軸111の上端に設けられたボート受け台112に前記ボート35が載置される。
The
前記処理炉32で処理される前記ウェーハ39の処理状態は主制御部113によって制御される。該主制御部113は、炉内の温度を制御する温度制御部114、処理ガスの流量を制御するガス流量制御部115、前記外管102内の圧力を制御する圧力制御部116、前記ボート回転装置109を制御する駆動制御部117を備えている。
The processing state of the
前記内管103と前記外管102との間には温度検出器118が設けられ、該温度検出器118は前記外管102内の温度を検出し、前記温度制御部114には温度検出信号が入力される。前記ガス供給ライン105にガス流量制御器119が設けられ、前記ガス流量制御部115により所要のガス流量に制御される。前記排気管106には圧力検出器121が設けられ、前記排気管106は排気ライン122を介して図示しない排気装置に接続され、前記排気ライン122には圧力制御弁123が設けられている。前記圧力検出器121により検出された排気圧力の圧力検出信号は前記圧力制御部116に入力され、該圧力制御部116は前記圧力制御弁123を制御して前記外管102内の圧力の制御を行う。
A
次に、前記基板処理装置19aと前記基板処理装置19bとの関係について説明する。尚、図2(A)、図2(B)に関する説明に於いて、前記基板処理装置19aの構成物と前記基板処理装置19bの構成物とを区別する場合は、それぞれの構成物の参照番号にa、及びbを付して説明する。
Next, the relationship between the
前記基板処理装置19a、前記基板処理装置19bは、図2(A)、図2(B)に示される様に、ロードロック室24a、ロードロック室24bとが接合する様に並設される。該ロードロック室24aとロードロック室24bとの接合壁には連絡ゲートバルブ125が設けられ、該連絡ゲートバルブ125が閉じられた場合は、両ロードロック室24a,24bは気密に閉塞され、前記連絡ゲートバルブ125が開放された場合は、両ロードロック室24a,24bは前記連絡ゲートバルブ125を介して連通する様になっている。又、該連絡ゲートバルブ125の位置は、一方の基板移載機37が前記連絡ゲートバルブ125を通して他方の保持具置き台36に載置されたボート35に対してウェーハ39の移載を行える配置となっている。例えば、図2に於いて、前記基板処理装置19aの基板移載機37aが前記連絡ゲートバルブ125を通して前記基板処理装置19bの保持具置き台36bに載置されたボート35に対してウェーハ39の移載を可能としている。尚、前記保持具置き台36bは、前記基板処理装置19bの基板移載機37bが移載を行う場合は、前記ボート35bの向きを前記基板移載機37bに向け、前記基板移載機37aが移載を行う場合は、前記回転アクチュエータ93bにより前記ボート35bの向きを前記基板移載機37aに向ける様、前記ボート受載フランジ98bを介して前記ボート35bを回転させる。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
以下、前記基板処理装置19a、前記基板処理装置19bが個々に同じ基板処理を行う場合、或は両基板処理装置19a,19bが独立して異なる基板処理を行う場合の作用について説明する。
Hereinafter, an operation when the
前記カセット21に所定数、例えば25枚の未処理ウェーハが装填され、前記授受ステージ22に搬送される。
A predetermined number, for example, 25 unprocessed wafers are loaded in the
前記カセット搬送機26により前記カセット棚28にカセット21が搬送され、前記カセット棚28に所要数のカセット21が収納される。前記カセット搬送機26は前記カセット棚28から、或は前記授受ステージ22から直接前記カセット受け台27にカセット21を搬送する。
A
前記ボート35がアンローディングされた状態で、前記ロードロック室24内が不活性ガスによりガスパージされ大気圧と同圧化される。
In the state where the
前記ポッドオープナ29により前記カセット21の蓋が開けられる。
The lid of the
前記ボートエレベータ34には空のボート35が載置されており、前記基板移載機37により前記カセット受け台27上の前記カセット21内のウェーハ39が前記ボートエレベータ34の前記ボート35(以下第1ボート35′)に移載される。予定した移載枚数が25枚を超える場合は、空のカセット21とウェーハ39が装填されたカセット21が順次交換され、移載が繰返される。尚、前記保持具置き台36には空のボート35(以下第2ボート35′′)が載置されている。
An
予定した枚数のウェーハ39が前記第1ボート35′に移載されると、前記大気ゲート弁25が閉じられ、前記ロードロック室24内が減圧され、又不活性ガスによりガスパージされ、前記ロードロック室24が前記処理炉32内と同圧化されると共に酸素濃度、水分濃度が0.5ppm以下に維持される。
When a predetermined number of
前記炉口ゲートバルブ33が開かれ、前記ボートエレベータ34により前記第1ボート35′が前記処理炉32にローディングされ、前記ウェーハ39に所要の処理がなされる。
The
ウェーハ39に処理がなされている間に、前記ロードロック室24がガスパージされ、大気圧復帰される。この状態でも、前記ロードロック室24内は酸素濃度、水分濃度が0.5ppm以下に維持される。
While the
前記保持具置き台36に載置された前記第2ボート35′′に前記基板移載機37により未処理のウェーハ39が移載される。前記第2ボート35′′に所要枚数のウェーハ39が移載されると、前記大気ゲート弁25が閉じられ、前記ロードロック室24内が排気され減圧され、前記処理炉32内と同圧されると共に酸素濃度、水分濃度が0.5ppm以下に維持される。
前記処理炉32で処理が完了すると前記外管102内がガスパージされ、前記ロードロック室24内と同圧化され、前記ボートエレベータ34により前記第1ボート35′がアンローディングされる。アンローディング時には前記ロードロック室24は減圧不活性ガス雰囲気であるので、処理直後の高温となった処理済ウェーハが酸化され、或はパーティクルに汚染されることが防止される。
When the processing in the
前記ボートチェンジャ30の前記第2ボート交換アーム87がアンローディングされた前記第1ボート35′迄回転して、該第1ボート35′を載置支持する。前記第2ボート交換アーム87が逆方向に回転して、前記第1ボート35′を待機位置迄移動する。
The second
前記保持具置き台36で前記モータ94が駆動され、前記ボート受載フランジ98が降下され、未処理ウェーハが装填された前記第2ボート35′′が前記第1ボート交換アーム86に載置される。
The
該第1ボート交換アーム86が降下状態の前記炉口蓋71上迄前記第2ボート35′′を移動させる。前記炉口蓋71が若干上昇され、該炉口蓋71が前記第2ボート35′′を載置する。前記第1ボート交換アーム86が逆方向に回転して、退避する。前記ボートエレベータ34により前記第2ボート35′′が前記処理炉32内にローディングされ、ウェーハ39の処理が行われる。
The first
前記第2ボート交換アーム87が前記保持具置き台36迄回転し、前記ボート受載フランジ98が上昇され、前記第1ボート35′が前記ボート受載フランジ98に載置される。前記第2ボート交換アーム87は待機位置迄後退する。
The second
前記不活性ガス供給ノズル99により窒素ガス等の不活性ガスを供給して、前記ロードロック室24内を大気圧迄ガスパージすると共に供給する不活性ガスにより前記保持具置き台36に載置された前記第1ボート35′の処理済ウェーハ39の冷却を行う。
An inert gas such as nitrogen gas is supplied from the inert
処理済のウェーハ39が所定温度迄冷却されると、前記大気ゲート弁25が開放されると共に前記ポッドオープナ29により前記カセット21の蓋が開かれる。
When the processed
前記基板移載機37により前記第1ボート35′から空のカセット21に処理済のウェーハ39が移載される。処理済のウェーハ39が装填されたカセット21は前記カセット搬送機26により前記授受ステージ22に搬送され、又前記カセット搬送機26により前記カセット受け台27に空のカセット21が搬送される。
The processed
上記ウェーハ39の移載が繰返され、処理済のウェーハ39の払出しが行われる。前記保持具置き台36の前記第1ボート35′は空となり、該第1ボート35′には前記処理炉32でウェーハ39の処理が行われている間に未処理ウェーハ39が移載される。
The transfer of the
而して、ボート35へのウェーハ39の移載、払出し、前記処理炉32へのボート35のローディング、アンローディングが繰返され、ウェーハ39の処理が繰返される。
Thus, the transfer and delivery of the
ボート35へのウェーハ39の移載、払出し、前記処理炉32へのボート35のローディング、アンローディングに於いて、前記基板移載機37によるウェーハ移載動作、前記ボートエレベータ34によるボート35のローディング、アンローディング動作、前記ボートチェンジャ30によるボート交換動作、前記保持具置き台36によるボート35の昇降動作が行われるが、上述した様に前記基板移載機37の駆動機構部43は前記磁気シール部54、前記ベローズシール部材56で前記ロードロック室24内と離隔され、前記ボートエレベータ34のエレベータ昇降機構部59は前記ベローズ66により前記ロードロック室24内と離隔され、前記ボートチェンジャ30の駆動機構部72は前記軸受部73の磁気シールにより前記ロードロック室24内と離隔され、前記保持具置き台36の駆動機構部88は前記ベローズ97により前記ロードロック室24内と隔離されている。従って、摺動部に塗布される有機物のグリースによる有機物汚染が防止され、又動作時に発生するグリースの飛沫によるウェーハ39の汚染が防止される。その他、可動部の動作時に発生するパーティクルによる汚染が防止される。
In the transfer and delivery of the
次に、前記処理炉32でのウェーハ39の処理について説明する。
Next, processing of the
前記ヒータユニット107により加熱しながら、前記外管102内の温度を所定の処理温度にする。該外管102内の温度は前記温度検出器118により、前記ヒータユニット107の加熱状態は処理温度に維持される様前記温度制御部114により制御される。
While heating by the
前記ガス供給ライン105を介して不活性ガスが、前記ガス流量制御器119により供給量を制御されて前記外管102に供給され、該外管102が前記ロードロック室24内と同圧化される。前記外管102内が前記ロードロック室24内と同圧化されると、前記炉口ゲートバルブ33が開放され、前記ボートエレベータ34により前記第1ボート35′が前記処理炉32内にローディングされる。
An inert gas is supplied to the
前記排気ライン122より前記外管102内を排気し、内部の圧力は前記圧力検出器121により検出され、処理圧力迄減圧され前記圧力制御部116により処理圧力が維持される。
The inside of the
前記ボート回転装置109により前記回転軸111を介して前記第1ボート35′が回転され、同時に前記ガス供給ライン105から前記処理ガス導入ノズル104を介して処理ガスが導入される。処理ガスは、前記外管102内を上昇し、前記ウェーハ39に対して均一に供給される。
The boat
減圧CVD処理中の前記外管102内は、前記排気ライン122を介して排気され、前記外管102内の圧力は前記圧力検出器121からの検出結果に基づき前記圧力制御部116が前記圧力制御弁123を制御することで、所定処理圧に維持される。
The inside of the
前記ウェーハ39の処理中、前記ロードロック室24内が真空排気される。前記ウェーハ39の処理が完了すると、前記外管102内が真空排気され、該外管102内と前記ロードロック室24内が同圧化される。前記ボートエレベータ34により、前記第1ボート35′がアンローディングされる。
During the processing of the
以下、ボート35の交換、ウェーハ39の払出し等は上述した通りである。
Hereinafter, the replacement of the
尚、ボートのローディング、アンローディング、ロードロック室24の真空引き、ガスパージ、ウェーハの移載動作の手順については種々の態様が考えられる。
Note that various modes can be considered for the procedures of boat loading, unloading, evacuation of the
例えば、前記処理炉32でのウェーハ処理完了後、前記外管102内を前記ロードロック室24内と同圧化し、前記第1ボート35′をアンローディングする。アンローディングされた該第1ボート35′は一旦前記第2ボート交換アーム87により退避される。退避と同期して前記ロードロック室24の大気圧復帰のガスパージが行われ、前記第1ボート35′は退避した位置でガスパージする窒素ガス等の不活性ガスによるウェーハ39の冷却が並行して実施される。
For example, after the wafer processing in the
アンロードされた前記第1ボート35′が退避するに続いて、前記保持具置き台36に載置された空の第2ボート35′′が前記第1ボート交換アーム86により降下状態の前記炉口蓋71に移載される。
After the unloaded
前記ロードロック室24の大気圧復帰が完了すると、前記大気ゲート弁25が開放される。前記カセット受け台27には未処理ウェーハ39が装填されたカセット21が搬送されており、前記基板移載機37により前記カセット21から前記第2ボート35′′へウェーハ39が移載される。
When the return to atmospheric pressure of the
前記第2ボート35′′に所定枚数のウェーハ39が移載し終ると、前記大気ゲート弁25を閉じ、前記第2ボート35′′をローディングする。
When a predetermined number of
前記第2ボート交換アーム87を回転し、退避していた前記第1ボート35′を前記保持具置き台36に移載する。移載後前記第2ボート交換アーム87は待機位置に戻される。
The second
前記カセット受け台27には空のカセット21が搬送され、前記大気ゲート弁25が開かれ、前記第1ボート35′から処理済ウェーハ39が前記基板移載機37により前記カセット21に移載される。
An
処理済ウェーハ39が装填されたカセット21は前記カセット搬送機26により前記授受ステージ22に搬送され、更に外部搬送装置(図示せず)により搬出される。
The
更に、前記ロードロック室24を大気圧に復帰させるタイミングとしては種々考えられ、例えば、前記外管102内と前記ロードロック室24内とを同圧化する際に、同時に大気圧復帰させることで同圧化してもよい。又、アンローディング後には、炉口ゲートバルブ33は閉じる様にしてもよい。
Further, various timings for returning the
次に、前記基板処理装置19bで基板処理を行った後、続いて前記基板処理装置19aで次工程の基板処理を行う場合について説明する。尚、前記基板処理装置19bで基板処理した後、前記基板処理装置19bのカセット21から搬出するか、前記基板処理装置19aで次工程の基板処理を行うかは、図示しない操作部により入力、選択可能である。
Next, a description will be given of the case where the substrate processing is performed by the
尚、前記基板処理装置19a、前記基板処理装置19bでの、カセット21の搬入搬出、処理炉32での処理は、上記した基板処理装置19a、基板処理装置19b個々の基板処理と同様であるので、説明を省略する。
The loading / unloading of the
該基板処理装置19bでの処理が処理済のウェーハ39が所定温度迄冷却されると、前記連絡ゲートバルブ125が開かれる。尚、前記基板処理装置19aのロードロック室24a内は事前にガスパージされ、前記ロードロック室24bと同圧化されていると共に酸素濃度、水分濃度が0.5ppm以下に維持されている。又、保持具置き台36aには予め空のボート35aが載置されている。
When the
前記基板移載機37aにより処理済のウェーハ39が前記保持具置き台36bのボート35bから前記保持具置き台36aのボート35aへ移載される。
The processed
処理済のウェーハ39が全て前記ボート35aに移載されると、前記連絡ゲートバルブ125が閉じられ、前記ボート35aが前記第1ボート交換アーム86aによりボートエレベータ34aに移換えられ、該ボートエレベータ34aにより処理炉32aに前記ボート35aが装入され、処理がなされる。
When all the processed
従って、処理済のウェーハ39は次工程の処理を行う前記基板処理装置19aで外気に曝されることなく、搬入され更に移載時の雰囲気は酸素濃度、水分濃度が0.5ppm以下に維持されているので、基板に自然酸化膜が形成されることがない。
Therefore, the processed
尚、前記保持具置き台36aにある空ボート35aに前記基板移載機37aにてボート35bから移載するのみならず、前記ボートエレベータ34aにある空ボート35aに前記基板移載機37aにてボート35bから移載する様にしてもよい。 In addition to transferring from the boat 35b to the empty boat 35a in the holder mounting table 36a by the substrate transfer machine 37a, the substrate transfer machine 37a to the empty boat 35a in the boat elevator 34a. You may make it transfer from the boat 35b.
尚、前記ロードロック室24aと前記ロードロック室24bとを同圧化させる場合、減圧であることが好ましく、特に高真空として同圧化してもよい。 When the load lock chamber 24a and the load lock chamber 24b are made to have the same pressure, the pressure is preferably reduced, and the pressure may be made particularly high vacuum.
前記基板処理装置19aで処理が完了したウェーハ39は、前記ボートエレベータ34aでボート35aが前記ロードロック室24aに降下され、更に前記基板移載機37aによりカセット21aに払出され、更に該カセット21aはカセット搬送機26aを介して外部に搬送される。
The
尚、上記実施の形態では、基板処理装置19a,19bの2台が連設する例示をしたが、連設するのは2台に限らず、3台以上であっても上述の通り各々のロードロック室との間に連絡ゲートバルブを設け、該連絡ゲートバルブを介し、選択に応じて処理済のウェーハを一方の基板処理装置から他方の基板処理装置に移載する様にすればよい。
In the above-described embodiment, the two
(付記)
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.
(付記1)基板を基板保持具に保持しつつ処理する処理室と、該処理室の下方に隣接する待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板保持具を昇降する昇降手段と、前記待機室内に配置され、前記基板を供給する基板収納容器と前記基板保持具との間で前記基板を搬送する基板移載機とを備える基板処理装置に於いて、該基板処理装置を複数台並列に配置した際に、一方の前記基板処理装置に前記基板収納容器から前記基板を供給した後、前記一方の基板処理装置にて処理された前記基板を前記基板収納容器に戻すか若しくは、前記一方の基板処理装置の前記基板収納容器には戻さずに直接他方の前記基板処理装置に移載するか選択可能であることを特徴とする基板処理装置。 (Supplementary Note 1) A processing chamber for processing a substrate while holding it on a substrate holder, a standby chamber adjacent to the lower side of the processing chamber, and a lift for raising and lowering the substrate holder between the processing chamber and the standby chamber A substrate processing apparatus comprising: means; a substrate storage container disposed in the standby chamber and configured to transport the substrate between the substrate holder and the substrate holder. When the plurality of substrates are arranged in parallel, after the substrate is supplied from the substrate storage container to one of the substrate processing apparatuses, the substrate processed by the one substrate processing apparatus is returned to the substrate storage container. Alternatively, the substrate processing apparatus can be selected to transfer directly to the other substrate processing apparatus without returning to the substrate storage container of the one substrate processing apparatus.
(付記2)基板を基板保持具に保持しつつ処理する処理室と、該処理室の下方に隣接する待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板保持具を昇降する昇降手段と、前記待機室内に配置され、前記基板を供給する基板収納容器と前記基板保持具との間で前記基板を搬送する基板移載機とを備える基板処理装置を、前記待機室が隣合い連接する様に、複数台連ねて配置し、それぞれの連接する前記待機室の側面に開口部を設ける基板処理システムであって、少なくともいずれかの前記基板移載機にて前記基板が前記開口部を通って前記待機室間を移載可能な様に構成されていることを特徴とする基板処理システム。 (Appendix 2) A processing chamber for processing a substrate while holding it on a substrate holder, a standby chamber adjacent to the lower side of the processing chamber, and a lift for raising and lowering the substrate holder between the processing chamber and the standby chamber And a substrate processing apparatus disposed in the standby chamber and provided with a substrate storage container for supplying the substrate and a substrate transfer device for transferring the substrate between the substrate holder and the standby chamber adjacent to each other. A substrate processing system in which a plurality of units are arranged so as to be connected, and an opening is provided on a side surface of each of the standby chambers connected to each other, wherein the substrate is transferred to the opening by at least one of the substrate transfer machines. A substrate processing system, wherein the substrate processing system is configured to be able to transfer between the waiting chambers.
(付記3)基板を基板保持具に保持しつつ処理する処理室と、該処理室の下方に隣接する待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板保持具を昇降する昇降手段と、前記待機室内に配置され、前記基板を供給する基板収納容器と前記基板保持具との間で前記基板を搬送する基板移載機とを備える基板処理装置を、前記待機室が隣合い連接する様に、複数台連ねて配置し、それぞれの連接する前記待機室の側面に開口部を設ける基板処理システムであって、前記複数台の内の一台の第1の基板処理装置の処理室にて処理後の前記基板を、前記開口部から隣の前記基板処理装置の待機室に直接移載することを特徴とする基板処理システム。 (Appendix 3) A processing chamber for processing a substrate while holding the substrate on a substrate holder, a standby chamber adjacent to the lower side of the processing chamber, and a lift for raising and lowering the substrate holder between the processing chamber and the standby chamber And a substrate processing apparatus disposed in the standby chamber and provided with a substrate storage container for supplying the substrate and a substrate transfer device for transferring the substrate between the substrate holder and the standby chamber adjacent to each other. A substrate processing system in which a plurality of units are arranged so as to be connected to each other, and an opening is provided on a side surface of each of the standby chambers connected to each other, and the processing of one first substrate processing apparatus among the plurality of units The substrate processing system, wherein the substrate after processing in the chamber is directly transferred from the opening to a standby chamber of the adjacent substrate processing apparatus.
(付記4)前記基板処理装置のいずれかに前記開口部を開閉する開閉手段を備えている付記2又は付記3の基板処理システム。
(Additional remark 4) The substrate processing system of
(付記5)基板を基板保持具に保持しつつ処理する処理室と、該処理室内を加熱する加熱手段と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記処理室の下方に隣接する待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板保持具を昇降する昇降手段と、前記待機室内に配置され、前記基板を供給する基板収納容器と前記基板保持具との間で前記基板を搬送する基板移載機とを備える基板処理装置に於いて、該基板処理装置を複数台並列に配置した際に、一方の前記基板処理装置に前記基板収納容器から前記基板を供給した後、前記一方の基板処理装置にて処理された前記基板を前記基板収納容器に戻すことなく、他方の前記基板処理装置に移載可能である基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記一方の基板処理装置に前記基板収納容器から前記基板を供給する工程と、前記基板移載機により前記基板収納容器から前記基板保持具に前記基板を移載する工程と、前記基板を保持した前記基板保持具を前記昇降手段により前記待機室から前記処理室に搬送する工程と、前記処理室内を前記加熱手段により加熱する工程と、前記処理室内に前記ガス供給手段により前記ガスを供給する工程と、前記処理室内を前記排気手段により排気する工程と、前記基板を保持した前記基板保持具を前記昇降手段により前記処理室から前記待機室に搬送する工程と、前記一方の基板処理装置にて処理された前記基板を前記基板収納容器に戻すことなく、他方の前記基板処理装置に移載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (Supplementary Note 5) A processing chamber for processing a substrate while holding the substrate on a substrate holder, a heating unit for heating the processing chamber, a gas supply unit for supplying a gas into the processing chamber, and an exhaust unit for exhausting the processing chamber And a standby chamber adjacent to the lower side of the processing chamber, lifting means for moving the substrate holder up and down between the processing chamber and the standby chamber, and a substrate storage that is disposed in the standby chamber and supplies the substrate In a substrate processing apparatus comprising a substrate transfer machine for transferring the substrate between a container and the substrate holder, when a plurality of the substrate processing apparatuses are arranged in parallel, one of the substrate processing apparatuses A substrate processing apparatus capable of transferring the substrate processed by the one substrate processing apparatus to the other substrate processing apparatus without returning the substrate to the substrate storage container after supplying the substrate from the substrate storage container Of semiconductor devices using A step of supplying the substrate from the substrate storage container to the one substrate processing apparatus; a step of transferring the substrate from the substrate storage container to the substrate holder by the substrate transfer machine; A step of transporting the substrate holder holding the substrate from the standby chamber to the processing chamber by the lifting means; a step of heating the processing chamber by the heating means; and the gas supply means in the processing chamber by the gas supply means. A step of supplying a gas; a step of exhausting the processing chamber by the exhaust means; a step of transporting the substrate holder holding the substrate from the processing chamber to the standby chamber by the lifting means; A step of transferring the substrate processed by the substrate processing apparatus to the other substrate processing apparatus without returning the substrate to the substrate storage container. Method.
20 筐体
21 カセット
24 ロードロック室
25 大気ゲート弁
26 カセット搬送機
27 カセット受け台
28 カセット棚
30 ボートチェンジャ
32 処理炉
34 ボートエレベータ
35 ボート
36 保持具置き台
37 基板移載機
39 ウェーハ
43 駆動機構部
54 磁気シール部
56 ベローズシール部材
59 エレベータ昇降機構部
66 ベローズ
71 炉口蓋
73 軸受部
86 第1ボート交換アーム
87 第2ボート交換アーム
97 ベローズ
98 ボート受載フランジ
102 外管
113 主制御部
125 連絡ゲートバルブ
DESCRIPTION OF
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004292313A JP2006108348A (en) | 2004-10-05 | 2004-10-05 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004292313A JP2006108348A (en) | 2004-10-05 | 2004-10-05 | Substrate processing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108348A true JP2006108348A (en) | 2006-04-20 |
Family
ID=36377719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004292313A Pending JP2006108348A (en) | 2004-10-05 | 2004-10-05 | Substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006108348A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100854410B1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-08-26 | (주)인터노바 | A Transportation System For Processing Semiconductor Material |
JP2009545141A (en) * | 2006-07-26 | 2009-12-17 | テック・セム アーゲー | Device for storing objects from the electronic component manufacturing field |
JP2015035460A (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 信越半導体株式会社 | Method of manufacturing epitaxial wafer |
JP2017069330A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | Method of manufacturing semiconductor device, gas supply method, substrate processing device, and substrate holding tool |
-
2004
- 2004-10-05 JP JP2004292313A patent/JP2006108348A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009545141A (en) * | 2006-07-26 | 2009-12-17 | テック・セム アーゲー | Device for storing objects from the electronic component manufacturing field |
KR100854410B1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-08-26 | (주)인터노바 | A Transportation System For Processing Semiconductor Material |
JP2015035460A (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 信越半導体株式会社 | Method of manufacturing epitaxial wafer |
JP2017069330A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | Method of manufacturing semiconductor device, gas supply method, substrate processing device, and substrate holding tool |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3947761B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate transfer machine, and substrate processing method | |
JP4916140B2 (en) | Vacuum processing system | |
JP2012004536A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
JP2003017543A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and conveying apparatus | |
JPH08213446A (en) | Processing equipment | |
JP2009010009A (en) | Substrate processing apparatus and fabrication process of semiconductor device | |
JP2003007800A (en) | Substrate treatment device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2003124284A (en) | Substrate treatment equipment and method for manufacturing semiconductor device | |
WO1998019335A1 (en) | Vertical type heat treatment apparatus | |
JP2006108348A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4259942B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2012169534A (en) | Substrate processing device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2006269810A (en) | Board processor | |
JP4383636B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
CN110047791B (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
JP6031304B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2006190812A (en) | Substrate processing device | |
JP2006059891A (en) | Substrate treatment device | |
JP2005347667A (en) | Semiconductor fabrication device | |
JP6906559B2 (en) | Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs | |
JP2005032994A (en) | Substrate processing device | |
JP2020107719A (en) | Vapor growth device | |
JP3176153B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JP2011222656A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP4456727B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071002 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091029 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100302 |