JP2006090926A - Probe unit, and producing method and inspecting method of probe unit - Google Patents

Probe unit, and producing method and inspecting method of probe unit Download PDF

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JP2006090926A JP2004278898A JP2004278898A JP2006090926A JP 2006090926 A JP2006090926 A JP 2006090926A JP 2004278898 A JP2004278898 A JP 2004278898A JP 2004278898 A JP2004278898 A JP 2004278898A JP 2006090926 A JP2006090926 A JP 2006090926A
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Atsuo Hattori
敦夫 服部
Yasuaki Takano
泰明 高野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe unit adjusting the position of conducting wires to electrodes using contact marks, even if the inspecting pads are not prepared in the specimen for each electrode, and also to provide an inspecting method and and a producing method of the probe unit. <P>SOLUTION: The probe unit, which inspects the specimen equipped with electrodes and a padding for orientation positioned to the electrodes, is equipped with a substrate, conducting wires having a contact section formed on the substrate to contact with the electrode, and a mark generating section which is formed on the substrate and, by contacting with the padding for orientation in an area narrower than the contact section at the state where the contact section contacts with the electrodes, generates contact marks on the padding for orientation. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はプローブユニット、プローブユニットの製造方法及び検査方法に関し、特にプローブユニットと検体との位置合わせに関する。   The present invention relates to a probe unit, a probe unit manufacturing method, and an inspection method, and more particularly, to alignment between a probe unit and a specimen.

従来、電子デバイスを検査するためのプローブユニットが知られている。特許文献1には、電子デバイスの電極に接触する導線がリソグラフィにより形成され基板の端部から突出していないプローブユニットが開示されている。このプローブユニットを用いて検体としての電子デバイスを検査する場合は、検体の電極とプローブユニットの導線とを顕微鏡等で観察しながら位置合わせすることは困難である。なぜならば、基板の電子デバイス側の面に設けられた導線を基板の検体側から観察しようとすると、検体が載置されるテーブルが邪魔になり、また、その導線を検体と反対側から観察しようとすると基板が邪魔になるからである。このような場合、プローブユニットの導線を検体の電極に大きな接触圧で接触させ、プローブユニットの導線により形成される接触痕跡の位置を検査することによってプローブユニットと検体との位置合わせをすることが考えられる。   Conventionally, a probe unit for inspecting an electronic device is known. Patent Document 1 discloses a probe unit in which a conductive wire that contacts an electrode of an electronic device is formed by lithography and does not protrude from an end portion of a substrate. When inspecting an electronic device as a specimen using this probe unit, it is difficult to align the specimen electrode and the lead wire of the probe unit while observing with a microscope or the like. This is because, if the conductor provided on the surface of the substrate on the electronic device side is observed from the specimen side of the substrate, the table on which the specimen is placed becomes an obstacle, and the conductor is observed from the opposite side of the specimen. This is because the substrate gets in the way. In such a case, the probe unit and the specimen can be aligned by contacting the lead of the probe unit with the electrode of the specimen with a large contact pressure and examining the position of the contact trace formed by the lead of the probe unit. Conceivable.

しかし、電極に形成される接触痕跡は、検体の電極における配線不良の原因となる。したがって、接触痕跡による配線不良が生じないように、プローブユニットの導線に接触する検査用パッドが電極とは別に検体に必要になる。このような検査用パッドは電極毎に必要になるため、基板の大型化により検体の製造コストが増大する。   However, the contact trace formed on the electrode causes a wiring failure in the electrode of the specimen. Therefore, a test pad that contacts the conducting wire of the probe unit is required for the specimen separately from the electrodes so that wiring failure due to contact traces does not occur. Since such a test pad is required for each electrode, the manufacturing cost of the specimen increases as the substrate size increases.

韓国公開特許公報2003−0023662号Korean Published Patent Publication No. 2003-0023662

本発明は、上述の問題に鑑みて創作されたものであって、検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、接触痕跡を用いて電極に対する導線の位置を調整することができるプローブユニット、検査方法及びプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been created in view of the above-described problem, and even if a test pad is not provided for each electrode, the position of the conductor with respect to the electrode can be adjusted using the contact trace. It is an object of the present invention to provide a probe unit, an inspection method and a probe unit manufacturing method.

(1) 上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットは、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、基板と、前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板上に形成され、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、を備える。 (1) A probe unit according to the present invention for achieving the above object is a probe unit for inspecting a specimen including an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode, the substrate, A conductive wire having a contact portion formed on a substrate and in contact with the electrode; and the position confirmation pad formed on the substrate and having a smaller area than the contact portion in a state where the contact portion is in contact with the electrode. And a trace forming part that forms a contact trace on the position confirmation pad by contact.

導線の接触部は相対的に広い面積で電極と接触し、痕跡形成部は相対的に狭い面積で位置確認用パッドに接触するため、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する単位面積当たりの圧力よりも、導線の接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を低くすることができる。したがって、本発明によると、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。   The contact portion of the conductive wire is in contact with the electrode in a relatively large area, and the trace formation portion is in contact with the position confirmation pad in a relatively small area, so that the trace formation portion is in contact with the position confirmation pad. The pressure per unit area where the contact portion of the conductive wire contacts the electrode can be made lower than the pressure. Therefore, according to the present invention, even if the trace forming portion is brought into contact with the position confirmation pad in a state where the contact portion of the conducting wire is in contact with the electrode, the contact is made on the position confirmation pad without forming a contact trace on the electrode. Traces can be formed. Therefore, according to the present invention, the presence / absence and position of the contact trace on the test pad was inspected even if the test pad that is in contact with the lead wire of the probe unit and not wired at the time of mounting is not provided for each specimen. The position of the lead wire of the probe unit relative to the electrode of the specimen can be adjusted according to the result. As a result, according to the present invention, since the specimen can be examined by bringing the lead wire of the probe unit into contact with the wiring electrode, the manufacturing cost of the specimen can be reduced by downsizing.

(2) 前記痕跡形成部は、前記接触部より硬くてもよい。
痕跡形成部が硬いほど位置確認用パッドに接触痕跡が形成されやすい。
(3) 上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットは、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、基板と、前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板上に形成され、前記接触部より硬く、前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、を備える。
(2) The trace formation part may be harder than the contact part.
The harder the trace formation portion, the easier it is for contact traces to be formed on the position confirmation pad.
(3) A probe unit according to the present invention for achieving the above object is a probe unit for inspecting a specimen including an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode, the substrate; A conductor formed on the substrate and having a contact portion that contacts the electrode, and formed on the substrate, harder than the contact portion, and forms a contact trace on the position confirmation pad by contacting the position confirmation pad. And a trace forming part.

本発明によると、導線の接触部より痕跡形成部が硬いため、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。   According to the present invention, since the trace formation part is harder than the contact part of the conductive wire, even if the trace formation part is in contact with the position confirmation pad while the contact part of the conductive wire is in contact with the electrode, a contact trace is formed on the electrode. Without this, contact marks can be formed on the position confirmation pad. Therefore, according to the present invention, the presence / absence and position of the contact trace on the test pad was inspected even if the test pad that is in contact with the lead wire of the probe unit and not wired at the time of mounting is not provided for each specimen. The position of the lead wire of the probe unit relative to the electrode of the specimen can be adjusted according to the result. As a result, according to the present invention, since the specimen can be examined by bringing the lead wire of the probe unit into contact with the wiring electrode, the manufacturing cost of the specimen can be reduced by downsizing.

(4) 前記痕跡形成部は、前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触してもよい。
痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する面積が狭いほど、位置確認用パッドに接触痕跡が形成されやすい。
(4) The trace formation part may contact the position confirmation pad with an area smaller than the contact part.
As the area where the trace forming portion contacts the position confirmation pad is smaller, the contact trace is more likely to be formed on the position confirmation pad.

(5) 前記痕跡形成部は、前記接触部より先鋭であってもよい。
接触部より先鋭な痕跡形成部は、接触部より狭い面積で位置確認用パッドに接触する。
(6) 前記痕跡形成部は、前記接触部より粗い面であってもよい。
接触部より粗い面である痕跡形成部は、接触部より狭い面積で位置確認用パッドに接触する。
(5) The trace formation part may be sharper than the contact part.
The trace forming part sharper than the contact part comes into contact with the position confirmation pad in a smaller area than the contact part.
(6) The trace forming part may be a surface rougher than the contact part.
The trace forming portion, which is a rougher surface than the contact portion, contacts the position confirmation pad with a smaller area than the contact portion.

(7) 前記接触部は、前記導線の前記基板の外側に突出した部位に形成されていてもよい。
導線の基板の外側に突出した部位に形成された接触部を検体の電極に接触させることにより、導線の基板の外側に突出した部位が撓むため、接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を抑制しつつ接触部と電極とを確実に接触させることができる。
(7) The said contact part may be formed in the site | part protruded outside the said board | substrate of the said conducting wire.
By contacting the contact portion formed on the portion of the lead wire that protrudes outside the substrate with the electrode of the specimen, the portion of the lead wire that protrudes outside the substrate bends, so the contact portion per unit area that contacts the electrode A contact part and an electrode can be made to contact reliably, suppressing a pressure.

(8) 前記基板は可撓性であってもよい。前記接触部が基板の真上に位置してもよい。
接触部が基板の真上に位置していても、可撓性の基板を用いることにより、接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を抑制しつつ接触部と電極とを確実に接触させることができる。
(9) 上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットの製造方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、前記電極に接触する接触部を有する導線をリソグラフィにより形成する導線形成段階と、前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、を含む。
(8) The substrate may be flexible. The contact portion may be located immediately above the substrate.
Even if the contact portion is located directly above the substrate, by using a flexible substrate, the contact portion reliably contacts the electrode while suppressing the pressure per unit area where the contact portion contacts the electrode. be able to.
(9) A probe unit manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a method for manufacturing a probe unit for inspecting a specimen including an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode. Forming a conductive wire having a contact portion in contact with the electrode by lithography, and forming a contact trace on the position confirmation pad by contacting the position confirmation pad with a smaller area than the contact portion. Forming a trace forming portion on the substrate by lithography.

導線をリソグラフィにより形成することにより導線の接触部の位置を微細に制御することができる。痕跡形成部をリソグラフィにより形成することにより、接触部に対する痕跡形成部の位置を微細に制御することができる。   By forming the conducting wire by lithography, the position of the contact portion of the conducting wire can be finely controlled. By forming the trace forming part by lithography, the position of the trace forming part with respect to the contact part can be finely controlled.

(10) 前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より先鋭にしてもよい。
痕跡形成部を先鋭にすることにより、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する面積を小さくすることができる。
(10) In the step of forming the trace forming part, the trace forming part may be sharper than the contact part.
By sharpening the trace forming portion, the area where the trace forming portion contacts the position confirmation pad can be reduced.

(11) 前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より粗い面に形成してもよい。
痕跡形成部を粗面化することにより、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する面積を小さくすることができる。
(11) In the step of forming the trace forming portion, the trace forming portion may be formed on a rougher surface than the contact portion.
By roughening the trace forming portion, the area where the trace forming portion contacts the position confirmation pad can be reduced.

(12) 上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットの製造方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、前記電極に接触する接触部を有する導線を基板上にリソグラフィにより形成する導線形成段階と、前記接触部より硬く、前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、を含む。 (12) A probe unit manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a probe unit manufacturing method for inspecting a specimen including an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode. Forming a lead having a contact portion in contact with the electrode by lithography on a substrate, and forming a contact trace on the position check pad by contacting the position check pad, which is harder than the contact portion and contacting the position check pad. Forming a trace forming portion to be formed on the substrate by lithography.

導線をリソグラフィにより形成することにより導線の接触部の位置を微細に制御することができる。痕跡形成部をリソグラフィにより形成することにより、接触部に対する痕跡形成部の位置を微細に制御することができる。   By forming the conducting wire by lithography, the position of the contact portion of the conducting wire can be finely controlled. By forming the trace forming part by lithography, the position of the trace forming part with respect to the contact part can be finely controlled.

(13) 上記目的を達成するための検査方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの痕跡形成部を前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、を含む。 (13) A test method for achieving the above object is a test method for a specimen comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode, wherein the contact portion of the lead wire of the probe unit is used as the electrode. Inspecting the contact trace formed on the position confirmation pad by contacting the trace formation portion of the probe unit with the position confirmation pad in a smaller area than the contact portion, and the inspection result of the contact trace And adjusting the position of the probe unit relative to the specimen, and testing the continuity of the specimen in a state where the contact portion is in contact with the electrode and the trace forming portion is in contact with the position confirmation pad. And including.

本発明によると、相対的に広い面積で導線の接触部を電極に接触させ、相対的に狭い面積で位置確認用パッドに痕跡形成部を接触させるため、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する単位面積当たりの圧力よりも、導線の接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を低くすることができる。したがって、本発明によると、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。   According to the present invention, the contact portion of the conductive wire is brought into contact with the electrode over a relatively large area, and the trace formation portion is brought into contact with the position confirmation pad over a relatively small area. The pressure per unit area where the contact portion of the conducting wire contacts the electrode can be made lower than the pressure per unit area. Therefore, according to the present invention, even if the trace forming portion is brought into contact with the position confirmation pad in a state where the contact portion of the conducting wire is in contact with the electrode, the contact is made on the position confirmation pad without forming a contact trace on the electrode. Traces can be formed. Therefore, according to the present invention, the presence / absence and position of the contact trace on the test pad was inspected even if the test pad that is in contact with the lead wire of the probe unit and not wired at the time of mounting is not provided for each sample. The position of the lead wire of the probe unit relative to the electrode of the specimen can be adjusted according to the result. As a result, according to the present invention, since the specimen can be examined by bringing the lead wire of the probe unit into contact with the wiring electrode, the manufacturing cost of the specimen can be reduced by downsizing.

(14) 上記目的を達成するための検査方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの前記接触部より硬い痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、を含む。 (14) A test method for achieving the above object is a test method for a specimen comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode, wherein the contact portion of the lead wire of the probe unit is used as the electrode. Inspecting the contact trace formed on the position confirmation pad by contacting the position confirmation pad with a trace formation portion harder than the contact portion of the probe unit, and according to the inspection result of the contact trace Adjusting the position of the probe unit relative to the sample, and testing the continuity of the sample in a state where the contact portion is in contact with the electrode and the trace forming portion is in contact with the position confirmation pad, including.

本発明によると、導線の接触部より硬い痕跡形成部を検体の位置確認用パッドに接触させるため、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。
また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
According to the present invention, since the trace formation portion harder than the contact portion of the conductive wire is brought into contact with the specimen position confirmation pad, the trace formation portion is brought into contact with the position confirmation pad while the contact portion of the conductive wire is in contact with the electrode. However, the contact trace can be formed on the position confirmation pad without forming the contact trace on the electrode. Therefore, according to the present invention, the presence / absence and position of the contact trace on the test pad was inspected even if the test pad that is in contact with the lead wire of the probe unit and not wired at the time of mounting is not provided for each specimen. The position of the lead wire of the probe unit relative to the electrode of the specimen can be adjusted according to the result. As a result, according to the present invention, since the specimen can be examined by bringing the lead wire of the probe unit into contact with the wiring electrode, the manufacturing cost of the specimen can be reduced by downsizing.
In the present specification, “... formed on” means “... formed directly on” and “... on the intermediate” unless there is a technical obstruction factor. It is meant to include both “formed through”.
In addition, the order of each operation of the method described in the claims is not limited to the order of description unless there is a technical impediment, and may be executed in any order, and may be executed simultaneously. Also good.

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
(第一実施例)
図1は、本発明の第一実施例によるプローブユニットを示す図である。
図1に示すように、第一実施例によるプローブユニット1は、樹脂フィルムなどからなる可撓性の基板10と、基板10上に所定の間隔で配列されている複数の導線14からなる導線群12と、導線群12の両側に位置するように基板10上に導線14とともに配列されている位置合わせ用導線16とを備える。導線14と位置合わせ用導線16とは同じ材料で構成してもよいし、位置合わせ用導線16を導線14よりも硬い材料で構成してもよい。位置合わせ用導線16を導線14よりも硬くすることにより、検体の位置確認用パッドに接触痕跡が形成され易くなる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each of the embodiments, the component having the same reference sign corresponds to the component of the other embodiment having the reference sign.
(First Example)
FIG. 1 is a diagram showing a probe unit according to a first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the probe unit 1 according to the first embodiment includes a flexible substrate 10 made of a resin film or the like, and a conductor group consisting of a plurality of conductors 14 arranged on the substrate 10 at a predetermined interval. 12 and alignment conductors 16 arranged on the substrate 10 together with the conductors 14 so as to be positioned on both sides of the conductor group 12. The conducting wire 14 and the alignment conducting wire 16 may be made of the same material, or the positioning conducting wire 16 may be made of a material harder than the conducting wire 14. By making the alignment conducting wire 16 harder than the conducting wire 14, a contact trace is easily formed on the specimen position confirmation pad.

各導線14の先端部18は、請求項に記載の接触部に相当する。
位置合わせ用導線16の先端部20は、請求項に記載の痕跡形成部に相当し、導線14の先端部18に比べて先鋭である。先端部20は、例えば60°で交わる2つ側面と頂面とで形成される。位置合わせ用導線16の先端部20が導線14の先端部18より先鋭であるため、検体の検査時、位置合わせ用導線16の先端部20は検体の位置確認用パッドと導線14の先端部18よりも狭い面積で接触する。導線14及び位置合わせ用導線16の先端部18、20はともに基板10の真上に位置している。
The front end portion 18 of each conductive wire 14 corresponds to the contact portion described in the claims.
The leading end portion 20 of the alignment conducting wire 16 corresponds to the trace forming portion described in the claims, and is sharper than the leading end portion 18 of the conducting wire 14. The tip portion 20 is formed of two side surfaces and a top surface that intersect at 60 °, for example. Since the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 is sharper than the distal end portion 18 of the conducting wire 14, the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 serves as the specimen position confirmation pad and the distal end portion 18 of the conducting wire 14 during examination of the specimen. Contact in a smaller area. The leading end portions 18 and 20 of the conducting wire 14 and the positioning conducting wire 16 are both located immediately above the substrate 10.

図2及び図3(A)、(B)は、本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す図である。尚、図3では、弾性体、プローブベース及びフレキシブルプリント配線板の図示を省略し、図3(B)ではさらに基板10の図示を省略している。後述する図5から図8も図3と同様にこれらの部材の図示を省略する。
図2に示すように、プローブユニット1を検体8の導通検査に使用する際、基板10とプローブベース92の間に弾性体90が狭持される状態でプローブユニット1はプローブベース92に固定される。以下、プローブユニット1、弾性体90及びプローブベース92で構成される検査装置のモジュールをプローブヘッド9という。プローブユニット1の各導線14には、導通検査装置本体(図示せず)と接続されているフレキシブルプリント配線板7を接続する。プローブヘッド9は、導通検査時にプローブユニット1が検体8に対して所定の角度で接触する姿勢で、導通検査装置本体(図示せず)に取り付けられる。検体8はテーブル120に載置される。導通検査装置本体は、テーブル120又はプローブヘッド9をテーブル120の盤面122と平行な方向に移動させることにより、検体8の電極80の位置とプローブユニット1の先端部18の位置とを調整する。導通検査装置本体は、テーブル120又はプローブヘッド9をテーブル120の盤面122と垂直な方向に移動させることにより、検体8の電極80にプローブユニット1の先端部18を接触させる。
2 and 3A and 3B are views showing an inspection method using the probe unit according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 3, the elastic body, the probe base, and the flexible printed wiring board are not shown, and in FIG. 3B, the substrate 10 is further omitted. In FIGS. 5 to 8 described later, these members are not shown in the same manner as FIG.
As shown in FIG. 2, when the probe unit 1 is used for the continuity test of the specimen 8, the probe unit 1 is fixed to the probe base 92 with the elastic body 90 sandwiched between the substrate 10 and the probe base 92. The Hereinafter, the module of the inspection apparatus including the probe unit 1, the elastic body 90, and the probe base 92 is referred to as a probe head 9. A flexible printed wiring board 7 connected to a continuity testing device main body (not shown) is connected to each conducting wire 14 of the probe unit 1. The probe head 9 is attached to a continuity test apparatus main body (not shown) in such a posture that the probe unit 1 contacts the specimen 8 at a predetermined angle during the continuity test. The specimen 8 is placed on the table 120. The continuity testing apparatus main body adjusts the position of the electrode 80 of the specimen 8 and the position of the distal end portion 18 of the probe unit 1 by moving the table 120 or the probe head 9 in a direction parallel to the board surface 122 of the table 120. The continuity testing apparatus main body brings the tip 18 of the probe unit 1 into contact with the electrode 80 of the specimen 8 by moving the table 120 or the probe head 9 in a direction perpendicular to the surface 122 of the table 120.

図2及び図3(A)、(B)に示すように、本実施例で検査される検体8は、基板84上に所定の間隔で線状の電極80が配列されている液晶パネル、LSIチップ等の電子デバイスである。検体8は、基板84上の複数の電極80の両側にそれぞれ位置確認用パッド82を備える。位置確認用パッド82は、電極80と同時にリソグラフィで形成する方法等により、電極80に対して位置決めされている。尚、位置確認用パッド82に接触痕跡を形成しやすくするため、位置確認用パッド82を電極80よりも軟らかい材質にしてもよい。   As shown in FIG. 2 and FIGS. 3A and 3B, the specimen 8 to be examined in this embodiment is a liquid crystal panel or LSI in which linear electrodes 80 are arranged on a substrate 84 at predetermined intervals. An electronic device such as a chip. The specimen 8 includes position confirmation pads 82 on both sides of the plurality of electrodes 80 on the substrate 84. The position confirmation pad 82 is positioned with respect to the electrode 80 by a method of forming the electrode 80 by lithography at the same time. Note that the position confirmation pad 82 may be made of a softer material than the electrode 80 in order to easily form a contact trace on the position confirmation pad 82.

検体8の検査は、一次接触段階と、位置合わせ段階と、二次接触段階と、信号入力段階とを含む。
一次接触段階では、テーブル120又はプローブヘッド9を移動させることによりプローブユニット1を検体8に接触させる。位置合わせ用導線16の先端部20が検体8の位置確認用パッド82に接触すると、図3(C)に示すように、位置確認用パッド82には接触痕跡86が形成される。
The examination of the specimen 8 includes a primary contact stage, an alignment stage, a secondary contact stage, and a signal input stage.
In the primary contact stage, the probe unit 1 is brought into contact with the specimen 8 by moving the table 120 or the probe head 9. When the distal end portion 20 of the alignment lead wire 16 contacts the position confirmation pad 82 of the specimen 8, a contact trace 86 is formed on the position confirmation pad 82, as shown in FIG.

位置合わせ段階では、位置確認用パッド82の表面を観察し、接触痕跡86の位置を計測する。次に接触痕跡86の位置に応じて、テーブル120又はプローブヘッド9を移動させることにより検体8の電極80の位置と導線14の先端部18の位置とを一致させる。   In the alignment step, the surface of the position confirmation pad 82 is observed, and the position of the contact trace 86 is measured. Next, according to the position of the contact trace 86, the table 120 or the probe head 9 is moved so that the position of the electrode 80 of the specimen 8 and the position of the tip 18 of the conducting wire 14 are matched.

二次接触段階では、テーブル120又はプローブヘッド9を移動させることにより電極80と導線14の先端部18とを接触させる。
信号入力段階では、フレキシブルプリント配線板7を介して検査信号をプローブユニット1に入力し、検体8の導通検査を行う。具体的には例えば、検査信号に応じて発光する液晶パネルの画素のパターンを検査する。
In the secondary contact stage, the electrode 120 and the tip 18 of the conducting wire 14 are brought into contact with each other by moving the table 120 or the probe head 9.
In the signal input stage, a test signal is input to the probe unit 1 via the flexible printed wiring board 7 and the continuity test of the specimen 8 is performed. Specifically, for example, the pixel pattern of the liquid crystal panel that emits light in accordance with the inspection signal is inspected.

ところで、導線によって形成される接触痕跡を検査することでプローブユニットと検体とを位置合わせする場合、導線の接触部によって形成される接触痕跡によって電極に配線不良が生じないようにするため、図4(A)に示すように、電極毎の検査用パッド104が検体100に必要である。検査用パッド104は、検体100の電極102の導通検査を目的として導線の接触部と接触し検査信号が入力される検査用のパッドである。検体100には、検査用パッド104が電極102とは別に設けられているため、プローブユニットと検体100との位置合わせを目的として検査用パッド104に接触痕跡106を形成することができる。また検査用パッド104は検査時のみに必要なものであるため、検査終了後、検体100の検査用パッド104近傍の部位100aは不要であり、分離されて除去される。以上説明したように、プローブユニットによる検査信号の入力のために検査用パッド104を検体100に形成する必要があるため、検体100が大型化され、検体100の製造コストが増大する。さらに検体100の検査終了後、検査用パッド100の近傍の不要な部位100aを除去する必要があることにより、検体100の製造コストが増大する。   By the way, when the probe unit and the specimen are aligned by inspecting the contact trace formed by the conducting wire, in order to prevent the wiring defect from occurring in the electrode due to the contact trace formed by the contact portion of the conducting wire, FIG. As shown to (A), the test | inspection pad 104 for every electrode is required for the test substance 100. FIG. The test pad 104 is a test pad that comes into contact with a contact portion of a conductive wire and inputs a test signal for the purpose of testing the continuity of the electrode 102 of the specimen 100. Since the test pad 104 is provided on the sample 100 separately from the electrode 102, the contact trace 106 can be formed on the test pad 104 for the purpose of positioning the probe unit and the sample 100. Further, since the test pad 104 is necessary only at the time of the test, the part 100a in the vicinity of the test pad 104 of the specimen 100 is unnecessary after the test is finished, and is separated and removed. As described above, since it is necessary to form the test pad 104 on the sample 100 in order to input the test signal by the probe unit, the sample 100 is increased in size and the manufacturing cost of the sample 100 increases. Furthermore, after the examination of the specimen 100 is completed, it is necessary to remove the unnecessary portion 100a in the vicinity of the examination pad 100, thereby increasing the manufacturing cost of the specimen 100.

これに対し本実施例によれば、位置合わせ用導線16の先端部20を導線14の先端部18に比べて先鋭に形成することにより、位置合わせ用導線16の先端部20と検体8の位置確認用パッド82とを導線14の先端部18が電極80に接触する面積より狭い面積で接触させる。この結果、位置合わせ用導線16の先端部20と位置確認用パッドとの接触圧よりも、導線14の先端部18と電極との接触圧が小さくなる。このため、導線14の先端部18が電極80に接触した状態で位置合わせ用導線16の先端部20を検体8の位置確認用パッド82に接触させても、電極80に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッド82に接触痕跡86を形成することができる。したがって本実施例によると、図4(B)に示すように、検体8に導通検査のための検査用パッドを電極毎に設ける必要がなく、小数の位置決め用パッド82を検体8に設ければよいだけなので、検体8を小型化できる。また本実施例によると、検査終了後に検体8の一部を除去する必要がない。したがって本実施例によると、検体8の製造コストを低減できる。   On the other hand, according to the present embodiment, the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 is formed sharper than the distal end portion 18 of the conducting wire 14, so that the position of the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 and the specimen 8 is increased. The confirmation pad 82 is brought into contact with an area narrower than the area where the tip 18 of the lead wire 14 contacts the electrode 80. As a result, the contact pressure between the tip 18 of the lead wire 14 and the electrode is smaller than the contact pressure between the tip 20 of the positioning lead 16 and the position confirmation pad. For this reason, even if the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 is brought into contact with the position confirmation pad 82 of the specimen 8 while the distal end portion 18 of the conducting wire 14 is in contact with the electrode 80, a contact trace is formed on the electrode 80. The contact trace 86 can be formed on the position confirmation pad 82. Therefore, according to the present embodiment, as shown in FIG. 4B, it is not necessary to provide a test pad for continuity testing for each electrode in the sample 8, and if a small number of positioning pads 82 are provided in the sample 8. Since it is only good, the specimen 8 can be miniaturized. Further, according to this embodiment, it is not necessary to remove a part of the specimen 8 after completion of the examination. Therefore, according to the present embodiment, the manufacturing cost of the specimen 8 can be reduced.

また本実施例によると、位置確認用パッド82に接触痕跡86を形成するときに検体8の電極80に接触痕跡を形成しないことにより、電極80の接触痕跡による配線不良を防止することができ、検体8の品質を向上させることができる。
尚、図5(A)に示すように、導線14の先端部18及び位置合わせ用導線16の先端部20とを基板10から突出させてもよい。導線14の先端部18及び位置合わせ用導線16の先端部20が基板10から突出している場合、導線14と位置合わせ用導線16とは互いに独立に撓むことができる。したがってこの場合、導線14の先端部18と電極80との接触圧と、位置合わせ用導線16の先端部20と位置確認用パッド82との接触圧との差を大きくすることができる。
Further, according to the present embodiment, when the contact trace 86 is formed on the position confirmation pad 82, the contact defect is not formed on the electrode 80 of the specimen 8, thereby preventing the wiring defect due to the contact trace of the electrode 80, The quality of the specimen 8 can be improved.
As shown in FIG. 5A, the tip end portion 18 of the conducting wire 14 and the tip end portion 20 of the positioning conducting wire 16 may be protruded from the substrate 10. When the leading end portion 18 of the conducting wire 14 and the leading end portion 20 of the alignment conducting wire 16 protrude from the substrate 10, the conducting wire 14 and the alignment conducting wire 16 can be bent independently of each other. Therefore, in this case, the difference between the contact pressure between the distal end portion 18 of the conducting wire 14 and the electrode 80 and the contact pressure between the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 and the position confirmation pad 82 can be increased.

また検体8は、上述した液晶パネルに限らず、どんなものであってもよい。例えば図6(A)、(B)に示すように、電極80がブロック状であってもよい。
また図7(A)、(B)に示すように、位置合わせ導線16及び検体8の位置確認用パッド82はそれぞれ1つだけでもよい。
また図8(A)、(B)に示すように、位置合わせ導線16が基板10上で導線群12の配列方向の中央付近に設けられていてもよい。
Further, the specimen 8 is not limited to the liquid crystal panel described above, and any sample may be used. For example, as shown in FIGS. 6A and 6B, the electrode 80 may have a block shape.
Further, as shown in FIGS. 7A and 7B, only one alignment lead 16 and one position confirmation pad 82 for the specimen 8 may be provided.
Further, as shown in FIGS. 8A and 8B, the alignment conductor 16 may be provided on the substrate 10 in the vicinity of the center in the arrangement direction of the conductor group 12.

図9及び図10は、本発明の第一実施例によるプローブユニット1を製造する方法を示す図である。
はじめに図9(A1)、(B1)に示すように、基板10上に導体膜下地層30をスパッタ、蒸着などにより成長させる。基板10には例えば部分安定化ジルコニアからなる厚さ1.2mmの基板を用いる。導体膜下地層30は例えば、厚さ200ÅのTi層と厚さ1500ÅのNi層とからなる複層で構成する。Ni層の代わりに、NiW層、NiFe層、NiMo層などを用いてもよい。
9 and 10 are views showing a method of manufacturing the probe unit 1 according to the first embodiment of the present invention.
First, as shown in FIGS. 9A1 and 9B1, a conductor film underlayer 30 is grown on the substrate 10 by sputtering, vapor deposition, or the like. As the substrate 10, for example, a substrate made of partially stabilized zirconia and having a thickness of 1.2 mm is used. The conductor film underlayer 30 is composed of, for example, a multilayer composed of a Ti layer having a thickness of 200 mm and a Ni layer having a thickness of 1500 mm. Instead of the Ni layer, a NiW layer, a NiFe layer, a NiMo layer, or the like may be used.

次に図9(A2)、(B2)に示すように、導線群12を形成する部位に第一開口部34を有し位置合わせ用導線16を形成する部位に第二開口部36を有するレジスト膜32を形成する。具体的には導体膜下地層30上にレジストを塗布し、導線群12及び位置合わせ用導線16のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、第一開口部34及び第二開口部36を有するレジスト膜32を形成する。   Next, as shown in FIGS. 9A2 and 9B2, a resist having a first opening 34 at a portion where the conductor group 12 is formed and a second opening 36 at a portion where the alignment conductor 16 is formed. A film 32 is formed. Specifically, a resist is applied on the conductor film underlayer 30, exposed using a mask corresponding to the pattern of the conductor group 12 and the alignment conductor 16, and then developed, and the first opening 34 and the second opening A resist film 32 having 36 is formed.

次に図9(A3)、(B3)に示すように、第一開口部34及び第二開口部36内にめっきによって導体膜38を成長させる。導体膜38は例えば厚さ20μmのNi膜で構成する。
次に図10(A1)、(B1)に示すように、レジスト膜32を除去する。
次に図10(A2)、(B2)に示すように、露出している導体膜下地層30をミリングによって除去する。
Next, as shown in FIGS. 9A3 and 9B3, a conductor film 38 is grown in the first opening 34 and the second opening 36 by plating. The conductor film 38 is made of, for example, a Ni film having a thickness of 20 μm.
Next, as shown in FIGS. 10A1 and 10B1, the resist film 32 is removed.
Next, as shown in FIGS. 10A2 and 10B2, the exposed conductor film underlayer 30 is removed by milling.

次に図10(A3)、(B3)に示すように、基板10をダイシングによって切断し不要な部位を除去すると、プローブユニット1が得られる。プローブユニット1の導線群12及び位置合わせ用導線16は導体膜下地層30及び導体膜38からなる。
本実施例によると、導線群12及び位置合わせ用導線16を構成する導体膜38をリソグラフィによって形成することにより、導線14の接触部としての先端部18の位置を微細に制御することができ、位置合わせ用導線16の痕跡形成部としての先端部20の位置を導線14の先端部18に対して微細に制御することができる。
Next, as shown in FIGS. 10A3 and 10B3, when the substrate 10 is cut by dicing and unnecessary portions are removed, the probe unit 1 is obtained. The conducting wire group 12 and the positioning conducting wire 16 of the probe unit 1 include a conductor film underlayer 30 and a conductor film 38.
According to the present embodiment, by forming the conductor film 38 constituting the conductor group 12 and the alignment conductor 16 by lithography, the position of the tip 18 as a contact portion of the conductor 14 can be finely controlled. The position of the distal end portion 20 as the trace forming portion of the alignment conducting wire 16 can be finely controlled with respect to the distal end portion 18 of the conducting wire 14.

尚、基板10を研磨で薄くする工程を追加してもよい。例えば基板10を約0.2mmにしてもよい。基板10を薄くすると、基板10の可撓性を増すことができるため、導線14の先端部18と検体の電極とを低い接触圧で確実に接触させることができる。特に、検体の電極表面に凹凸がある場合でも導線14の先端部18と電極とを確実に接触させることができる。   Note that a step of thinning the substrate 10 by polishing may be added. For example, the substrate 10 may be about 0.2 mm. When the substrate 10 is thinned, the flexibility of the substrate 10 can be increased, so that the tip 18 of the conducting wire 14 and the electrode of the specimen can be reliably brought into contact with each other with a low contact pressure. In particular, even when the electrode surface of the specimen is uneven, the tip 18 of the conducting wire 14 and the electrode can be reliably brought into contact with each other.

また、導線群12及び位置合わせ用導線16を別工程で形成してもよい。その場合、導線群12を構成する膜の成長時間と位置合わせ導線16を構成する膜の成長時間とを個別に調整したり、成膜後に膜を研磨したりすることにより、導線14の先端部18の高さと位置合わせ用導線16の先端部20の高さとを調整する。   Moreover, you may form the conducting wire group 12 and the conducting wire 16 for position alignment at another process. In that case, by adjusting the growth time of the film forming the conductive wire group 12 and the growth time of the film forming the alignment conductive wire 16 individually, or by polishing the film after film formation, the tip end portion of the conductive wire 14 The height of 18 and the height of the tip 20 of the alignment conductor 16 are adjusted.

(第二実施例)
図11は、本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す図である。
図11に示すように、第二実施例によるプローブユニット2では、基板10の一側の部位11が他の部位に比べて薄く形成されている。導線群12及び位置合わせ用導線16はともに基部側が基板10上に直に形成され、先端部18、20側が基板10の薄い部位11の表面から離れ、先端部18、20が基板10の薄い部位11の真上に位置している。このため、導線14と位置合わせ用導線16とは、基板10に接触するまで互いに独立に撓むことができる。したがって第二実施例によると、導線14の先端部18と電極との接触圧と、位置合わせ用導線16の先端部20と位置確認用パッド82との接触圧との差を、第一実施例に比べて大きくすることができる。
(Second embodiment)
FIG. 11 shows a probe unit according to the second embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 11, in the probe unit 2 according to the second embodiment, a part 11 on one side of the substrate 10 is formed thinner than other parts. The conductor group 12 and the alignment conductor 16 are both formed directly on the substrate 10 on the base side, the distal end portions 18 and 20 are separated from the surface of the thin portion 11 of the substrate 10, and the distal end portions 18 and 20 are thin portions of the substrate 10. 11 is located directly above. For this reason, the conducting wire 14 and the alignment conducting wire 16 can bend independently of each other until they contact the substrate 10. Therefore, according to the second embodiment, the difference between the contact pressure between the distal end portion 18 of the conducting wire 14 and the electrode and the contact pressure between the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 and the position confirmation pad 82 is calculated as follows. Can be larger than

図12から図14は、本発明の第二実施例によるプローブユニット2の製造する方法を示す図である。
はじめに図12(A1)、(B1)に示すように、基板10に樋状の凹部40を形成した後、基板10上に犠牲膜下地層42を成長させる。具体的には例えばガラスセラミックからなる基板10に深さ150μmの凹部40を形成した後、Cu層などの犠牲膜下地層42をスパッタによって厚さ3000Åに成長させる。Cu層を成長させる前に密着層を成膜してもよい。密着層には例えば厚さ300ÅのCr層、Ti層などを用いる。
12 to 14 are views showing a method of manufacturing the probe unit 2 according to the second embodiment of the present invention.
First, as shown in FIGS. 12A1 and 12B1, after forming a bowl-shaped recess 40 in the substrate 10, a sacrificial film base layer 42 is grown on the substrate 10. Specifically, for example, after forming a recess 40 having a depth of 150 μm on the substrate 10 made of glass ceramic, a sacrificial film underlayer 42 such as a Cu layer is grown to a thickness of 3000 mm by sputtering. An adhesion layer may be formed before the Cu layer is grown. For the adhesion layer, for example, a Cr layer or a Ti layer having a thickness of 300 mm is used.

次に図12(A2)、(B2)に示すように、犠牲膜下地層42上に犠牲膜44を凹部40が犠牲膜44で充填されるように形成する。犠牲膜44には例えばCuを用いる。めっきにより犠牲膜44を形成してもよいし、ペーストを塗布することにより犠牲膜44を形成してもよい。
次に図12(A3)、(B3)に示すように、基板10が露出するまで犠牲膜44を研磨し、基板10、犠牲膜下地層42及び犠牲膜44で構成される平坦な研磨面46を形成する。
Next, as shown in FIGS. 12A2 and 12B2, a sacrificial film 44 is formed on the sacrificial film base layer 42 so that the recesses 40 are filled with the sacrificial film 44. For example, Cu is used for the sacrificial film 44. The sacrificial film 44 may be formed by plating, or the sacrificial film 44 may be formed by applying a paste.
Next, as shown in FIGS. 12A3 and 12B3, the sacrificial film 44 is polished until the substrate 10 is exposed, and a flat polished surface 46 constituted by the substrate 10, the sacrificial film underlayer 42, and the sacrificial film 44 is obtained. Form.

次に図13(A1)、(B1)に示すように、研磨面46上に導体膜下地層30を成長させる。具体的には図9(A1)、(B1)に示す工程に準じる。
次に図9(A2)、(B2)から図10(A2)、(B2)に示す工程に準じて、導体膜38を形成した後、露出した導体膜下地層30を除去する。
次に図13(A2)、(B2)に示すように、犠牲膜44を除去する。
Next, as shown in FIGS. 13A1 and 13B1, a conductor film underlayer 30 is grown on the polished surface 46. Next, as shown in FIG. Specifically, it conforms to the steps shown in FIGS. 9A1 and 9B1.
Next, after the conductor film 38 is formed according to the steps shown in FIGS. 9A2 and 9B2 to 10A2 and 10B2, the exposed conductor film underlayer 30 is removed.
Next, as shown in FIGS. 13A2 and 13B2, the sacrificial film 44 is removed.

次に図13(A3)、(B3)に示すように、犠牲膜下地層42を除去する。犠牲膜下地層42がCrからなる場合、硝酸第二セリウムアンモニウムで除去する。
次に図14(A)、(B)に示すように、基板10をダイシングによって切断し不要な部位を除去すると、プローブユニット2が得られる。
Next, as shown in FIGS. 13A3 and 13B3, the sacrificial film base layer 42 is removed. When the sacrificial film underlayer 42 is made of Cr, it is removed with ceric ammonium nitrate.
Next, as shown in FIGS. 14A and 14B, when the substrate 10 is cut by dicing and unnecessary portions are removed, the probe unit 2 is obtained.

(第三実施例)
図15は、本発明によるプローブユニットの第三実施例を示す図である。
図15に示すように、第三実施例によるプローブユニット3では、位置合わせ用導線16の先端部20が導線群12の先端位置よりも基板10から突出している。このため第三実施例によると、導線14の先端部18と電極との接触圧と、位置合わせ用導線16の先端部20と位置確認用パッド82との接触圧との差を、第二実施例に比べて大きくすることができる。
(Third embodiment)
FIG. 15 is a view showing a third embodiment of the probe unit according to the present invention.
As shown in FIG. 15, in the probe unit 3 according to the third embodiment, the distal end portion 20 of the alignment conducting wire 16 protrudes from the substrate 10 more than the distal end position of the conducting wire group 12. Therefore, according to the third embodiment, the difference between the contact pressure between the tip 18 of the lead wire 14 and the electrode and the contact pressure between the tip 20 of the positioning lead 16 and the position confirmation pad 82 is determined according to the second embodiment. It can be larger than the example.

(第四実施例)
図16は、本発明の第四実施例によるプローブユニットを示す図である。
図16に示すように、第四実施例によるプローブユニット4では、基板10は外側ほど薄くなるように形成された外縁部13を有する。導線群12の先端及び位置合わせ用導線16の先端が基板10の外側に突出している。
(Fourth embodiment)
FIG. 16 shows a probe unit according to the fourth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 16, in the probe unit 4 according to the fourth embodiment, the substrate 10 has an outer edge portion 13 formed so as to be thinner toward the outer side. The leading end of the conducting wire group 12 and the leading end of the positioning conducting wire 16 protrude outside the substrate 10.

導線14の突出部位と位置合わせ用導線16の突出部位とは実質的に同一の形状である。各導線14の先端近傍に第一バンプ22が形成されている。第一バンプ22は請求項に記載の接触部に相当する。第一バンプ22は、断面が台形であって、導線14の長手方向軸線と垂直な方向に突出した四角錐台形状である。
位置合わせ用導線16の先端近傍に第二バンプ24が形成されている。第二バンプ24は請求項に記載の痕跡形成部に相当する。第二バンプ24は、断面が三角形であって、位置合わせ用導線16の長手方向軸線と垂直な方向に突出している。第二バンプ24が第一バンプ22よりも先鋭であるため、第二バンプ24は第一バンプ22よりも狭い面積で検体の位置確認用パッドに接触する。尚、第一バンプ22の導線14からの高さと第二バンプ24の位置合わせ用導線16からの高さにばらつきがあっても、導線14及び位置合わせ用導線16が撓むことで、第一バンプ22を検体の電極に接触させ、第二バンプ24を検体の位置確認パッドに接触させることができる。
The protruding portion of the conducting wire 14 and the protruding portion of the alignment conducting wire 16 have substantially the same shape. A first bump 22 is formed in the vicinity of the tip of each conductive wire 14. The first bump 22 corresponds to the contact portion described in the claims. The first bump 22 is trapezoidal in cross section and has a quadrangular pyramid shape protruding in a direction perpendicular to the longitudinal axis of the conducting wire 14.
A second bump 24 is formed in the vicinity of the tip of the alignment conductor 16. The second bump 24 corresponds to a trace forming portion described in the claims. The second bump 24 has a triangular cross section and protrudes in a direction perpendicular to the longitudinal axis of the alignment conductor 16. Since the second bump 24 is sharper than the first bump 22, the second bump 24 comes into contact with the specimen position confirmation pad in a smaller area than the first bump 22. Even if the height of the first bump 22 from the conductive wire 14 and the height of the second bump 24 from the alignment conductive wire 16 are varied, the first conductive wire 14 and the alignment conductive wire 16 bend, so that the first The bump 22 can be brought into contact with the electrode of the specimen, and the second bump 24 can be brought into contact with the position confirmation pad of the specimen.

また、導線群12及び位置合わせ用導線16を基板10の外側に突出させないように基板10上に直に形成し、導線14の第一バンプ22と位置合わせ用導線16の第二バンプ24とを基板10の真上に配置してもよい。また、基板10上に位置合わせ用導線16を形成せず、第二バンプ24を基板10上に直に形成してもよい。
図17(A)、(B)は、本発明の第四実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す図である。図17(A)、(B)に示すように、第一バンプ22が導線14上に形成され第二バンプ24が位置合わせ用導線16上に形成されているプローブユニット4を用いることにより、プローブユニット4と検体8とをプローブユニット4の基板10と検体8の基板84とが平行な状態で接触させることができる。第二バンプ24が第一バンプ22よりも先鋭であるため、電極80に接触痕跡を形成せずに位置確認用パッド82に接触痕跡86(図17(C)参照)を形成することができる。
Further, the conductor group 12 and the alignment conductor 16 are formed directly on the substrate 10 so as not to protrude outside the substrate 10, and the first bump 22 of the conductor 14 and the second bump 24 of the alignment conductor 16 are formed. You may arrange | position right above the board | substrate 10. FIG. Alternatively, the second bump 24 may be formed directly on the substrate 10 without forming the alignment conductor 16 on the substrate 10.
17A and 17B are views showing an inspection method using the probe unit according to the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 17A and 17B, by using a probe unit 4 in which a first bump 22 is formed on a conducting wire 14 and a second bump 24 is formed on an alignment conducting wire 16, a probe is used. The unit 4 and the sample 8 can be brought into contact with the substrate 10 of the probe unit 4 and the substrate 84 of the sample 8 in parallel. Since the second bump 24 is sharper than the first bump 22, the contact trace 86 (see FIG. 17C) can be formed on the position confirmation pad 82 without forming the contact trace on the electrode 80.

図18及び図19は、本発明の第四実施例によるプローブユニット4を製造する方法を示す図である。
はじめに図12(A1)、(B1)から図13(A1)、(B1)に示す工程に準じて、犠牲膜下地層42、犠牲膜44及び基板10で構成される研磨面46上に導体膜下地層30を形成する。その後、図9(A2)、(B2)から図10(A1)、(B1)に示す工程に準じて、導体膜下地層30上に第一導体膜38を形成する。
18 and 19 are views showing a method of manufacturing the probe unit 4 according to the fourth embodiment of the present invention.
First, in accordance with the steps shown in FIGS. 12A1 and 12B1 to FIGS. 13A1 and 13B1, a conductive film is formed on the polishing surface 46 constituted by the sacrificial film base layer 42, the sacrificial film 44, and the substrate 10. An underlayer 30 is formed. Thereafter, the first conductor film 38 is formed on the conductor film underlayer 30 in accordance with the steps shown in FIGS. 9A2 and 9B2 to FIGS. 10A1 and 10B1.

次に図18(A1)、(B1)に示すように、導線14の第一バンプ22を形成する部位に第一開口部50を有し位置合わせ用導線16の第二バンプ24を形成する部位に第二開口部52を有するレジスト膜48を導体膜下地層30及び第一導体膜38上に形成した後、第一開口部50及び第二開口部52内に第二導体膜54をめっきで成長させる。
具体的には導体膜下地層30及び第一導体膜38上にレジストを塗布し、第一バンプ22および第二バンプ24のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、第一開口部50及び第二開口部52を有するレジスト膜48を形成する。第二導体膜54にはNiや、NiFeなどを用いる。
Next, as shown in FIGS. 18A1 and 18B1, a portion where the first bump 50 of the conducting wire 14 is formed and the first bump 50 is formed in the portion of the conducting wire 14 where the second bump 24 of the alignment conducting wire 16 is formed. After forming the resist film 48 having the second opening 52 on the conductor film underlayer 30 and the first conductor film 38, the second conductor film 54 is plated in the first opening 50 and the second opening 52 by plating. Grow.
Specifically, a resist is applied on the conductor film underlayer 30 and the first conductor film 38, exposed using a mask corresponding to the pattern of the first bumps 22 and the second bumps 24, developed, and then the first openings. A resist film 48 having 50 and a second opening 52 is formed. Ni, NiFe, or the like is used for the second conductor film 54.

尚本工程は、第一導体膜38を形成するためのリソグラフィで形成されたレジスト膜32を除去してから行ってもよいし、除去せずに行ってもよい。
次に図18(A2)、(B2)に示すように、第二導体膜54の表面近傍部位が露出するまでレジスト膜48を除去する。具体的には例えばO2ガスを用いた反応性イオンエッチングによってレジスト膜48を除去する。
This step may be performed after removing the resist film 32 formed by lithography for forming the first conductor film 38, or may be performed without removing it.
Next, as shown in FIGS. 18A2 and 18B2, the resist film 48 is removed until the vicinity of the surface of the second conductor film 54 is exposed. Specifically, for example, the resist film 48 is removed by reactive ion etching using O 2 gas.

次に図18(A3)、(B3)に示すように、第二導体膜54の露出部位を一部除去することにより第二導体膜54を先鋭化する。具体的にはArイオンを用いたイオンミリングで第二導体膜54を先鋭化する。
次に図19(A1)、(B1)に示すように、レジスト膜48をアセトンやNMP(N−メチル−2−ピロリドン)を用いて除去した後、露出した導体膜下地層30を除去する。さらに、基板10の凹部40の反対側から犠牲膜44中に至るまでダイサーで切削し切れ込み56を入れることで、基板10を必要な部位10aと不要な部位10bとに分割する。
Next, as shown in FIGS. 18A3 and 18B3, the second conductor film 54 is sharpened by removing a part of the exposed portion of the second conductor film 54. Specifically, the second conductor film 54 is sharpened by ion milling using Ar ions.
Next, as shown in FIGS. 19A1 and 19B1, the resist film 48 is removed using acetone or NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), and then the exposed conductor film underlayer 30 is removed. Further, the substrate 10 is divided into a necessary portion 10a and an unnecessary portion 10b by cutting with a dicer from the opposite side of the concave portion 40 of the substrate 10 into the sacrificial film 44 and making a cut 56.

次に図19(A2)、(B2)に示すように、犠牲膜44をエッチング液などで除去することにより、基板10の不要な部位10bを分離し除去する。
次に図19(A3)、(B3)に示すように、犠牲膜下地層42を除去すると、プローブユニット4が得られる。犠牲膜下地層42がCrからなる場合、硝酸第二セリウムアンモニウムで除去する。本実施例では、導線14の第一バンプ22と位置合わせ用導線16の第二バンプ24とはともに第二導体膜54から構成される。
Next, as shown in FIGS. 19A2 and 19B2, by removing the sacrificial film 44 with an etching solution or the like, the unnecessary portion 10b of the substrate 10 is separated and removed.
Next, as shown in FIGS. 19A3 and 19B3, when the sacrificial film base layer 42 is removed, the probe unit 4 is obtained. When the sacrificial film underlayer 42 is made of Cr, it is removed with ceric ammonium nitrate. In the present embodiment, the first bump 22 of the conductive wire 14 and the second bump 24 of the alignment conductive wire 16 are both constituted by the second conductor film 54.

本実施例によると、導線群12を構成する第一導体膜38をリソグラフィで形成し、接触部としての第一バンプ22を構成する第二導体膜54をリソグラフィで形成することにより、導線群12及び第一バンプ22の位置を微細に制御することができる。また位置合わせ用導線16を構成する第一導体膜38をリソグラフィで形成し、痕跡形成部としての第二バンプ24を構成する第二導体膜54をリソグラフィで形成することにより、導線群12に対する位置合わせ用導線16の位置を微細に制御することができ、第一バンプ22に対する第二バンプ24の位置を微細に制御することができる。   According to the present embodiment, the first conductor film 38 constituting the conductor group 12 is formed by lithography, and the second conductor film 54 constituting the first bump 22 as the contact portion is formed by lithography. In addition, the position of the first bump 22 can be finely controlled. Further, the first conductor film 38 constituting the alignment conducting wire 16 is formed by lithography, and the second conductor film 54 constituting the second bump 24 as the trace forming portion is formed by lithography, whereby the position with respect to the conductor group 12 is determined. The position of the matching conductor 16 can be finely controlled, and the position of the second bump 24 relative to the first bump 22 can be finely controlled.

図20は、本発明の第四実施例によるプローブユニット4とフレキシブルプリント配線板との接続方法を説明するための図である。
図20に示すように、フレキシブルプリント配線板7はその高い柔軟性により折り曲げ可能であって、ポリイミドからなる絶縁基板70上にCu配線72が形成され、特定部位がフォトソルダーレジストなどの絶縁膜74で覆われ、さらに補強基板76が設けられている。また、Cu配線72の電極78表面はAuめっき層71で覆われている。プローブユニット4にフレキシブルプリント配線板7を接続するには、プローブユニット4の導線12の第一バンプ22と反対側の一端上に設けられた電極58と、フレキシブルプリント配線板7のCu配線72の電極78とを異方性導電フィルム73によって接続する。位置合わせ用導線16は、検体とプローブユニット4との位置合わせを目的として形成され検体の導通検査には使用されないため、フレキシブルプリント配線板7のCu配線72と接続しなくともよい。
FIG. 20 is a view for explaining a method of connecting the probe unit 4 and the flexible printed wiring board according to the fourth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 20, the flexible printed wiring board 7 can be bent due to its high flexibility, Cu wiring 72 is formed on an insulating substrate 70 made of polyimide, and a specific portion is an insulating film 74 such as a photo solder resist. Further, a reinforcing substrate 76 is provided. The surface of the electrode 78 of the Cu wiring 72 is covered with an Au plating layer 71. In order to connect the flexible printed wiring board 7 to the probe unit 4, the electrode 58 provided on one end opposite to the first bump 22 of the conducting wire 12 of the probe unit 4 and the Cu wiring 72 of the flexible printed wiring board 7 are connected. The electrode 78 is connected by an anisotropic conductive film 73. The alignment conducting wire 16 is formed for the purpose of alignment between the specimen and the probe unit 4 and is not used for the continuity test of the specimen, and therefore does not have to be connected to the Cu wiring 72 of the flexible printed wiring board 7.

(第五及び第六実施例)
図21は、本発明の第五実施例によるプローブユニットを示す図である。図22は、本発明の第六実施例によるプローブユニットを示す図である。
第五実施例によるプローブユニット5では、位置合わせ用導線16の第二バンプ24は導線14の第一バンプ22よりも硬い。図21(A)では第二バンプ24に相当する部位にハッチングを付している。第一バンプ22、第二バンプ24は、図21に示すように同一の形状であってもよいし、第二バンプ24を第一バンプ22より先鋭にしてもよい。つまり、第二バンプ24が第一バンプ22と等しい面積で検体の位置確認用パッドと接触するようにしてもよいし、又は第二バンプ24が第一バンプ22よりも狭い面積で位置確認用パッドと接触するようにしてもよい。
(Fifth and sixth examples)
FIG. 21 shows a probe unit according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 22 shows a probe unit according to the sixth embodiment of the present invention.
In the probe unit 5 according to the fifth embodiment, the second bump 24 of the alignment conductor 16 is harder than the first bump 22 of the conductor 14. In FIG. 21A, the portion corresponding to the second bump 24 is hatched. The first bump 22 and the second bump 24 may have the same shape as shown in FIG. 21, or the second bump 24 may be sharper than the first bump 22. That is, the second bump 24 may be in contact with the specimen position confirmation pad in the same area as the first bump 22, or the second bump 24 may be in a smaller area than the first bump 22 in the position confirmation pad. You may make it contact.

第六実施例によるプローブユニット6では、位置合わせ用導線16の硬い第二バンプ24の先端面28が導線14の第一バンプ22の先端面26よりも粗い面であるため、第二バンプ24は第一バンプ22よりも狭い面積で検体の位置確認パッドと接触する。このため本実施例によると、検体の電極に接触痕跡を形成することなく検体の位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。   In the probe unit 6 according to the sixth embodiment, since the tip surface 28 of the hard second bump 24 of the alignment conductor 16 is rougher than the tip surface 26 of the first bump 22 of the conductor 14, the second bump 24 is It contacts the specimen position confirmation pad in an area smaller than the first bump 22. For this reason, according to the present embodiment, it is possible to form the contact trace on the specimen position confirmation pad without forming the contact trace on the specimen electrode.

図23(A)、(B)は、本発明による第五実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す図である。図23(A)、(B)に示すように、本実施例によると、第一バンプ22を検体8の電極80に接触させた状態で、第一バンプ22よりも硬い第二バンプ24と検体8の位置確認用パッド82とを接触させることにより、検体8の電極80に接触痕跡を形成させずに位置確認用パッド82に接触痕跡86(図23(C)参照)を形成することができる。また、第二バンプ24を第一バンプ22よりも狭い面積で検体8の位置確認用パッド82に接触させれば、第二バンプ24と位置確認用パッド82との接触圧をさらに大きくすることができるため、位置確認用パッド82に接触痕跡を形成し易い。   FIGS. 23A and 23B are diagrams showing an inspection method using the probe unit according to the fifth embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 23A and 23B, according to the present embodiment, the second bump 24 and the specimen harder than the first bump 22 in a state where the first bump 22 is in contact with the electrode 80 of the specimen 8. The contact trace 86 (see FIG. 23C) can be formed on the position confirmation pad 82 without forming a contact trace on the electrode 80 of the specimen 8 by contacting the position confirmation pad 82. . Further, if the second bump 24 is brought into contact with the position confirmation pad 82 of the specimen 8 in a smaller area than the first bump 22, the contact pressure between the second bump 24 and the position confirmation pad 82 can be further increased. Therefore, it is easy to form a contact trace on the position confirmation pad 82.

図24は、本発明の第五及び第六実施例によるプローブユニット5、6を製造する方法を示す図である。
第五実施例によるプローブユニット5の製造方法では、はじめに図12(A1)、(B1)から図13(A1)、(B1)に示す工程に準じて、犠牲膜下地層42、犠牲膜44及び基板10で構成される研磨面46上に導体膜下地層30を形成する。その後、図9(A2)、(B2)から図10(A1)、(B1)に示す工程に準じて、導体膜下地層30上に第一導体膜38を形成する。
FIG. 24 is a diagram showing a method of manufacturing the probe units 5 and 6 according to the fifth and sixth embodiments of the present invention.
In the method of manufacturing the probe unit 5 according to the fifth embodiment, first, the sacrificial film base layer 42, the sacrificial film 44, and the sacrificial film 44 are formed according to the steps shown in FIGS. 12A1 and 12B1 to 13A1 and B1. A conductor film underlayer 30 is formed on the polishing surface 46 constituted by the substrate 10. Thereafter, the first conductor film 38 is formed on the conductor film underlayer 30 in accordance with the steps shown in FIGS. 9A2 and 9B2 to FIGS. 10A1 and 10B1.

次に図24(A1)、(B1)に示すように、導線14の第一バンプ22を形成する部位に開口部50を有するレジスト膜60を導体膜下地層30及び第一導体膜38上に形成した後、開口部50内に第二導体膜54をめっきで成長させる。具体的には、導体膜下地層30及び第一導体膜38上にレジストを塗布し、第一バンプ22のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、開口部50を有するレジスト膜60を形成する。第二導体膜54にはNiや、NiFeなどを用いる。   Next, as shown in FIGS. 24A1 and 24B1, a resist film 60 having an opening 50 at a portion where the first bump 22 of the conductive wire 14 is formed is formed on the conductor film underlayer 30 and the first conductor film 38. After the formation, the second conductor film 54 is grown in the opening 50 by plating. Specifically, a resist is applied onto the conductor film underlayer 30 and the first conductor film 38, exposed using a mask corresponding to the pattern of the first bump 22, developed, and then a resist film 60 having an opening 50. Form. Ni, NiFe, or the like is used for the second conductor film 54.

尚本工程は、第一導体膜38を形成するためのリソグラフィで形成されたレジスト膜32を除去してから行ってもよいし、除去せずに行ってもよい。
次に図24(A2)、(B2)に示すように、レジスト膜60を除去した後、位置合わせ用導線16の第二バンプ24を形成する部位に開口部52を有するレジスト膜62を導体膜下地層30、第一導体膜38及び第二導体膜54上に形成し、開口部52内に高硬度膜64をめっきで成長させる。具体的には、導体膜下地層30、第一導体膜38及び第二導体膜54上にレジストを塗布し、第二バンプ24のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、開口部52を有するレジスト膜62を形成する。高硬度膜64は、第二導体膜54よりも硬い膜であり、例えばRhからなる。Rhの代わりに、NiW、NiFe、NiB、NiMn、NiPなどを用いてもよい。
This step may be performed after removing the resist film 32 formed by lithography for forming the first conductor film 38, or may be performed without removing it.
Next, as shown in FIGS. 24 (A2) and (B2), after removing the resist film 60, a resist film 62 having an opening 52 at a portion where the second bump 24 of the alignment conductor 16 is formed is formed as a conductor film. A high hardness film 64 is formed on the underlayer 30, the first conductor film 38, and the second conductor film 54, and is grown in the opening 52 by plating. Specifically, a resist is applied on the conductor film underlayer 30, the first conductor film 38, and the second conductor film 54, exposed using a mask corresponding to the pattern of the second bump 24, developed, and then opened. A resist film 62 having 52 is formed. The high hardness film 64 is a film harder than the second conductor film 54, and is made of, for example, Rh. Instead of Rh, NiW, NiFe, NiB, NiMn, NiP, etc. may be used.

次に図18(A2)、(B2)から図19(A3)、(B3)に示す工程に準じて、第二導体膜54及び高硬度膜64を先鋭化し、基板10を必要な部位と不要な部位とに分割してから犠牲膜44及び犠牲膜下地層42を除去すると、プローブユニット5が得られる。本実施例によれば、第一バンプ22が第二導体膜54で構成され、第二バンプ24が高硬度膜64で構成される。   Next, the second conductor film 54 and the high-hardness film 64 are sharpened according to the steps shown in FIGS. 18A2 and B2 to FIGS. 19A3 and B3, and the substrate 10 is not necessary and unnecessary. When the sacrificial film 44 and the sacrificial film base layer 42 are removed after dividing into two parts, the probe unit 5 is obtained. According to the present embodiment, the first bump 22 is composed of the second conductor film 54, and the second bump 24 is composed of the high hardness film 64.

第六実施例によるプローブユニット6の製造方法では、図24(A2)、(B2)に示す工程を行った後、図24(A3)、(B3)に示すように高硬度膜64を塩化第二鉄でエッチングし、その表面を粗面化する。それ以降の工程は第五実施例によるプローブユニット5の製造方法と同様である。
第五及び第六実施例によると、導線群12を構成する第一導体膜38をリソグラフィで形成し、第一バンプ22を構成する第二導体膜54をリソグラフィで形成することにより、導線群12及び第一バンプ22の位置を微細に制御することができる。また位置合わせ用導線16を構成する第一導体膜38をリソグラフィで形成し、第二バンプ22を構成する高硬度膜64をリソグラフィで形成することにより、導線群12に対する位置合わせ用導線16の位置を微細に制御することができ、第一バンプ22に対する第二バンプ24の位置を微細に制御することができる。
In the method of manufacturing the probe unit 6 according to the sixth embodiment, after performing the steps shown in FIGS. 24A2 and 24B2, the high-hardness film 64 is chlorinated as shown in FIGS. 24A3 and 24B3. Etch with ferrous iron to roughen the surface. The subsequent steps are the same as in the method for manufacturing the probe unit 5 according to the fifth embodiment.
According to the fifth and sixth embodiments, the first conductor film 38 constituting the conductor group 12 is formed by lithography, and the second conductor film 54 constituting the first bump 22 is formed by lithography. In addition, the position of the first bump 22 can be finely controlled. Further, the first conductor film 38 constituting the alignment conductor 16 is formed by lithography, and the high hardness film 64 constituting the second bump 22 is formed by lithography, so that the position of the alignment conductor 16 with respect to the conductor group 12 is increased. Can be finely controlled, and the position of the second bump 24 relative to the first bump 22 can be finely controlled.

さらに第五及び第六実施例によると、位置合わせ用導線16の第二バンプ24を構成する高硬度膜64を先鋭化することにより、第二バンプ24と検体の位置確認用パッドとの接触面積を小さくすることができる。
また第六実施例によると、位置合わせ用導線16の第二バンプ24を構成する高硬度膜64の表面を粗面化することにより、第二バンプ24と検体の位置確認用パッドとの接触面積を小さくすることができる。
Further, according to the fifth and sixth embodiments, the high hardness film 64 constituting the second bump 24 of the alignment conductor 16 is sharpened, whereby the contact area between the second bump 24 and the specimen position confirmation pad. Can be reduced.
Further, according to the sixth embodiment, the surface area of the high hardness film 64 constituting the second bump 24 of the alignment conductor 16 is roughened so that the contact area between the second bump 24 and the specimen position confirmation pad is increased. Can be reduced.

(A)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図である。(A) is a top view which shows the probe unit by 1st Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A). 本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention. (A)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A), (C) is 1st implementation. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A)は比較例による検査方法で検査される検体を示す平面図であり、(B)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で検査される検体を示す平面図である。(A) is a top view which shows the sample test | inspected with the test | inspection method by a comparative example, (B) is a top view which shows the sample test | inspected with the test | inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention. is there. (A)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A), (C) is 1st implementation. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A), (C) is 1st implementation. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A), (C) is 1st implementation. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A)は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 1st Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A), (C) is 1st implementation. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A1)から(A3)は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)から(B3)はその断面図である。(A1) to (A3) are plan views showing a method of manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention, and (B1) to (B3) are sectional views thereof. (A1)から(A3)は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)から(B3)はその断面図である。(A1) to (A3) are plan views showing a method of manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention, and (B1) to (B3) are sectional views thereof. (A)は本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図である。(A) is a top view which shows the probe unit by the 2nd Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A). (A1)から(A3)は本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)から(B3)はその断面図である。(A1) to (A3) are plan views showing a method of manufacturing a probe unit according to the second embodiment of the present invention, and (B1) to (B3) are sectional views thereof. (A1)から(A3)は本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)から(B3)はその断面図である。(A1) to (A3) are plan views showing a method of manufacturing a probe unit according to the second embodiment of the present invention, and (B1) to (B3) are sectional views thereof. (A)は本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)はその断面図である。(A) is a top view which shows the manufacturing method of the probe unit by the 2nd Example of this invention, (B) is the sectional drawing. (A)は本発明の第三実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図である。(A) is a top view which shows the probe unit by the 3rd Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A). (A)は本発明の第四実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図である。(A) is a top view which shows the probe unit by 4th Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A). (A)は本発明の第四実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第四実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 4th Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A), (C) is 4th Example. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A1)から(A3)は本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)から(B3)はその断面図である。(A1) to (A3) are plan views showing a method of manufacturing a probe unit according to the fourth embodiment of the present invention, and (B1) to (B3) are sectional views thereof. (A1)から(A3)は本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)から(B3)はその断面図である。(A1) to (A3) are plan views showing a method of manufacturing a probe unit according to the fourth embodiment of the present invention, and (B1) to (B3) are sectional views thereof. (A)は本発明の第四実施例によるプローブユニットとフレキシブルプリント配線板との接続方法を説明するための平面図であり、(B)はその断面図である。(A) is a top view for demonstrating the connection method of the probe unit and flexible printed wiring board by 4th Example of this invention, (B) is the sectional drawing. (A)は本発明の第五実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図である。(A) is a top view which shows the probe unit by 5th Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A). (A)は本発明の第六実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図である。(A) is a top view which shows the probe unit by the 6th Example of this invention, (B) is the sectional view on the aa line of (A). (A)は本発明の第五実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、(B)は(A)のa−a線断面図であり、(C)は第五実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。(A) is a top view which shows the inspection method using the probe unit by 5th Example of this invention, (B) is a sectional view on the aa line of (A), (C) is 5th implementation. It is a schematic diagram which shows the contact trace formed with the test | inspection method using the probe unit by an example. (A1)及び(A2)は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B1)及び(B2)はその断面図である。(A3)は本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B3)はその断面図である。(A1) and (A2) are plan views showing a method of manufacturing a probe unit according to a fifth embodiment of the present invention, and (B1) and (B2) are sectional views thereof. (A3) is a top view which shows the manufacturing method of the probe unit by the 6th Example of this invention, (B3) is the sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

1〜6 プローブユニット、8 検体、10 基板、14 導線、18 先端部(接触部)、20 先端部(痕跡形成部)、22 第一バンプ(接触部)、24 第二バンプ(痕跡形成部)、80 電極、82 位置確認用パッド、86 接触痕跡   1-6 Probe unit, 8 specimens, 10 substrate, 14 conductor, 18 tip (contact part), 20 tip (trace forming part), 22 first bump (contact part), 24 second bump (trace forming part) , 80 electrode, 82 position confirmation pad, 86 contact trace

Claims (14)

電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、
基板と、
前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、
前記基板上に形成され、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
A probe unit for inspecting a specimen comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode,
A substrate,
A conductor having a contact portion formed on the substrate and in contact with the electrode;
Forming traces formed on the substrate and forming contact traces on the position confirmation pads by contacting the position confirmation pads with a smaller area than the contact parts in a state where the contact parts are in contact with the electrodes. And
A probe unit comprising:
前記痕跡形成部は、前記接触部より硬いことを特徴とする請求項1に記載のプローブユニット。   The probe unit according to claim 1, wherein the trace forming part is harder than the contact part. 電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、
基板と、
前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、
前記基板上に形成され、前記接触部より硬く、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
A probe unit for inspecting a specimen comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode,
A substrate,
A conductor having a contact portion formed on the substrate and in contact with the electrode;
A trace forming portion formed on the substrate, harder than the contact portion, and forming a contact trace on the position check pad by contacting the position check pad in a state where the contact portion is in contact with the electrode. When,
A probe unit comprising:
前記痕跡形成部は、前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することを特徴とする請求項3に記載のプローブユニット。   The probe unit according to claim 3, wherein the trace forming portion contacts the position confirmation pad with a smaller area than the contact portion. 前記痕跡形成部は、前記接触部より先鋭であることを特徴とする請求項1、2又は4に記載のプローブユニット。   The probe unit according to claim 1, wherein the trace forming portion is sharper than the contact portion. 前記痕跡形成部は、前記接触部より粗い面であることを特徴とする請求項1、2又は4に記載のプローブユニット。   The probe unit according to claim 1, wherein the trace forming portion is a surface rougher than the contact portion. 前記接触部は、前記導線の前記基板の外側に突出した部位に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のプローブユニット。   The probe unit according to any one of claims 1 to 6, wherein the contact portion is formed at a portion of the conducting wire that protrudes outside the substrate. 前記基板は可撓性であって、
前記接触部は前記基板の真上に位置することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のプローブユニット。
The substrate is flexible;
The probe unit according to claim 1, wherein the contact portion is located immediately above the substrate.
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、
前記電極に接触する接触部を有する導線を基板上にリソグラフィにより形成する導線形成段階と、
前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
A method of manufacturing a probe unit for inspecting a specimen comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode,
A lead forming step of forming a lead having a contact portion in contact with the electrode by lithography on a substrate;
A trace formation part forming step of forming a trace formation part on the substrate by lithography on the position confirmation pad by contacting the position confirmation pad with a smaller area than the contact part; and
A method for manufacturing a probe unit comprising:
前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より先鋭にすることを特徴とする請求項9に記載のプローブユニットの製造方法。   10. The method of manufacturing a probe unit according to claim 9, wherein, in the step of forming the trace formation portion, the trace formation portion is sharpened from the contact portion. 前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より粗い面に形成することを特徴とする請求項9に記載のプローブユニットの製造方法。   10. The method of manufacturing a probe unit according to claim 9, wherein the trace forming part is formed on a surface rougher than the contact part in the trace forming part forming step. 電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、
前記電極に接触する接触部を有する導線を基板上にリソグラフィにより形成する導線形成段階と、
前記接触部より硬く、前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
A method of manufacturing a probe unit for inspecting a specimen comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode,
A lead forming step of forming a lead having a contact portion in contact with the electrode by lithography on a substrate;
A trace formation part forming step of forming a trace formation part on the substrate by lithography, which is harder than the contact part and forms a contact trace on the position confirmation pad by contacting the position confirmation pad;
A method for manufacturing a probe unit comprising:
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、
プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの痕跡形成部を前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、
前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、
前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、
を含むことを特徴とする検査方法。
A specimen inspection method comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode,
Contact traces formed on the position confirmation pad by contacting a contact portion of the lead wire of the probe unit with the electrode and bringing a trace formation portion of the probe unit into contact with the position confirmation pad in a smaller area than the contact portion. The stage of inspection;
Adjusting the position of the probe unit relative to the specimen according to the test result of the contact trace;
Testing the continuity of the specimen in a state where the contact portion is in contact with the electrode and the trace forming portion is in contact with the position confirmation pad;
The inspection method characterized by including.
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、
プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの前記接触部より硬い痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、
前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、
前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、
を含むことを特徴とする検査方法。



A specimen inspection method comprising an electrode and a position confirmation pad positioned with respect to the electrode,
The contact trace formed on the position confirmation pad is inspected by bringing the contact portion of the lead wire of the probe unit into contact with the electrode and bringing the trace formation portion harder than the contact portion of the probe unit into contact with the position confirmation pad. Stages,
Adjusting the position of the probe unit relative to the specimen according to the test result of the contact trace;
Testing the continuity of the specimen in a state where the contact portion is in contact with the electrode and the trace forming portion is in contact with the position confirmation pad;
The inspection method characterized by including.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008034562A (en) * 2006-07-27 2008-02-14 Yamaha Corp Method for forming bump for electric connection
JP2019505791A (en) * 2016-01-15 2019-02-28 カスケード マイクロテック インコーポレイテッドCascade Microtech,Incorporated Probe with fiducial mark, probe system including the probe, and related method

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