JP2006072393A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a light shield layer at an outer circumferential part of an image display region on a TFT substrate. <P>SOLUTION: An active matrix liquid crystal display device as an embodiment of the present invention has, on the TFT substrate, the 1st light shield layer at the outer circumferential part of the image display region and a 2nd light shield layer provided in the image display region, the 1st light shield layer and the 2nd light shield layer being formed of the same layer. The light shield layers are formed on the TFT substrate, so the light shield layer at the outer circumferential part of the image display region increases in width and the precision of assembly into a module may be low, thereby facilitating mounting. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、アクティブ・マトリックス型液晶表示装置に関する。   The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device.

従来、アクティブ・マトリックス型液晶表示装置の画素スイッチ素子を構成するＴＦＴは、図８に示すように画素電極１９とデータ線１７が同層でＴＦＴを形成していたため、データ線が最上層になり、データ線間に遮光層を形成し画像表示領域外周部に見切りを形成することができなかった。よって、図９に示すように対向基板２２上のカラーフィルター（以下、ＣＦと称す）２３外周部に遮光層２７で見切りを形成していた。   Conventionally, as shown in FIG. 8, in the TFT constituting the pixel switch element of the active matrix liquid crystal display device, since the pixel electrode 19 and the data line 17 are formed in the same layer, the data line is the uppermost layer. Further, it was impossible to form a light shielding layer between the data lines and form a parting on the outer periphery of the image display area. Therefore, as shown in FIG. 9, a parting line is formed by the light shielding layer 27 on the outer peripheral portion of the color filter (hereinafter referred to as CF) 23 on the counter substrate 22.

ＴＦＴ基板２６と対向基板２２を貼り合わせる方法として、紫外線照射によりシール剤２２を硬化させているが、この際、画像表示領域２５に形成しているＴＦＴ素子を保護するために対向基板側から紫外線光を照射する。対向基板上の遮光層２７は紫外線光を通さないため、シール剤２４を確実に硬化させるためには、対向基板上のＣＦ外周部遮光層２７から対向基板端までシール用の透明絶縁領域を設けなければならない。前記透明絶縁領域により、画像表示領域外周部の見切りとなる遮光領域面積を拡大することができないため、モジュールに組み込む際の合わせ精度が要求され、実装の簡略化，低コスト化の妨げとなる問題点を有する。また、ＴＦＴ基板側の画像表示領域２５の拡大が図れず、画素数の増加や画像表示領域がバックライトの光を透過する割合である開口率を向上することができないといった微細化の妨げとなる問題点をも有する。   As a method of bonding the TFT substrate 26 and the counter substrate 22, the sealing agent 22 is cured by ultraviolet irradiation. At this time, in order to protect the TFT elements formed in the image display region 25, the UV light is applied from the counter substrate side. Irradiate light. Since the light shielding layer 27 on the counter substrate does not transmit ultraviolet light, a transparent insulating region for sealing is provided from the CF outer periphery light shielding layer 27 on the counter substrate to the end of the counter substrate in order to cure the sealing agent 24 with certainty. There must be. The transparent insulating area cannot increase the area of the light-shielding area that becomes a parting of the outer periphery of the image display area, so that alignment accuracy is required when incorporating the module into the module, which hinders simplification of mounting and cost reduction. Has a point. Further, the image display area 25 on the TFT substrate side cannot be enlarged, which hinders miniaturization such as an increase in the number of pixels and an increase in the aperture ratio, which is the ratio of the image display area that transmits light from the backlight. Also has problems.

本発明のアアクティブ・マトリックス型液晶表示装置は、一対の基板間に液晶を有し、前記一対の基板の一方の基板に複数のゲート線と、複数のデータ線と、前記ゲート線と前記データ線の交差に対応して設けられたトランジスタと、及び前記トランジスタに対応して設けられた画素電極とを有する画像表示領域を具備したアクティブ・マトリックス型表示装置において、前記一方の基板の前記画像表示領域が設けられた面側には、前記画像表示領域外周部に設けられた第１遮光層と、画像表示領域中に設けられた第２遮光層とを有し、前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、同層で形成されていることを特徴とする。
前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、前記データ線上に形成された絶縁膜上に設けられていることを特徴とする。
さらに、前記第２遮光層は、前記画像表示領域中のデータ線及びゲート線上に設けられていることを特徴とする。 The active matrix liquid crystal display device of the present invention includes a liquid crystal between a pair of substrates, and a plurality of gate lines, a plurality of data lines, the gate lines, and the data on one of the pair of substrates. In the active matrix display device having an image display region having a transistor provided corresponding to the intersection of lines and a pixel electrode provided corresponding to the transistor, the image display on the one substrate On the surface side where the region is provided, there is a first light shielding layer provided on the outer periphery of the image display region, and a second light shielding layer provided in the image display region, and the first light shielding layer and the The second light shielding layer is formed of the same layer.
The first light shielding layer and the second light shielding layer are provided on an insulating film formed on the data line.
Further, the second light shielding layer is provided on the data line and the gate line in the image display region.

〔実施例１〕
本発明のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成図を、図１に示す。本発明のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のＴＦＴ基板側画素領域外周部に遮光層１を形成することにより、画像表示領域を明確化している。前記アクティブ・マトリックス型液晶表示装置は、データ線駆動用ドライバとゲート線駆動用ドライバを画素と同一基板上に内蔵している。データ線は、サンプルホルダーに取り込んだビデオ信号を画素に順次送信している。またゲート線には、走査信号を印加している。走査信号によりＯＮしたＴＦＴ２は、データ線に取り込まれたビデオ信号を液晶セル３に書き込む。液晶はここではダイナミックメモリーとして使われる。一般に液晶の時定数は１００ｍｓ前後であるから、これより短い周期でリフレッシュすれば十分信号を保持することができる。また、必要に応じて保持容量を液晶容量と並列に付加すると保持特性はさらに向上する。保持容量の構成の仕方としては、透明導電膜を画素電極の下に設ける方法，前段のゲート線に画素電極を重ねる方法，専用の容量線をゲート線または信号線と平行に配置して作り込む方法等がある。 [Example 1]
A configuration diagram of a TFT substrate of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention is shown in FIG. The image display region is clarified by forming the light shielding layer 1 on the outer periphery of the TFT substrate side pixel region of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention. The active matrix type liquid crystal display device incorporates a data line driving driver and a gate line driving driver on the same substrate as the pixels. The data line sequentially transmits the video signal captured in the sample holder to the pixels. A scanning signal is applied to the gate line. The TFT 2 turned on by the scanning signal writes the video signal taken in the data line into the liquid crystal cell 3. The liquid crystal is used here as dynamic memory. In general, the time constant of the liquid crystal is around 100 ms, so that a sufficient signal can be held by refreshing at a shorter cycle. Further, if a holding capacitor is added in parallel with the liquid crystal capacitor as required, the holding characteristics are further improved. As a storage capacitor configuration method, a transparent conductive film is provided under the pixel electrode, a pixel electrode is overlaid on the previous gate line, and a dedicated capacitor line is arranged in parallel with the gate line or signal line. There are methods.

次に、本発明のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の工程プロセスについて詳細に説明する。図２、図３は、本発明のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の工程断面図を表している。
透明絶縁性基板９上にチャネル導電膜１０を５００〜１５００オングストローム成膜する。チャネル導電膜としては、駆動用ドライバを内蔵するため、ＣＭＯＳ構造が形成可能でＴＦＴのＯＮ／０ＦＦ比が高い多結晶シリコンを使用する。多結晶シリコン成膜方法としては、モノシラン（以下、ＳｉＨ4と称す）を５５０℃〜６５０℃の温度で熱分解して堆積する減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。また、更にＴＦＴのＯＮ電流を向上させるために、前駆膜としてプラズマＣＶＤ装置や減圧ＣＶＤ装置により非晶質シリコンを堆積した後、５５０〜６５０℃で４時間以上の熱アニールを施すことにより、シリコン結晶を１μｍ以上に大粒径化することができる。結晶を大粒径化するには、熱アニールの他にエキシマ・レーザやアルゴン・レーザなどのレーザアニール等がある。次に、前記多結晶シリコン膜をフォトリソグラフィ法により島状にパターニングした後、ゲート絶縁膜１１を形成する。ゲート絶縁膜には透明絶縁性基板として石英基板を使用した場合、ＭＯＳ工程を流用した高温ドライ酸化により緻密で信頼性の高い酸化膜を形成できる。また、窒化膜やＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＣＶＤ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｆｉｌｍ）等を用いても良い。次にゲート線１２を形成する。ゲート線材料としては、多結晶シリコンを使用する。しかし、多結晶シリコンはシート抵抗が２０Ω以上と高いため、横方向の画素数が増大するとゲート走査線遅延を生じ易くなる。そこで、更に低抵抗なモリブデンシリサイド（以下、ＭｏＳｉXと称す）やタングステンシリサイド（以下、ＷＳｉXと称す）などの金属化合物やクロム（以下、Ｃｒと称す）やモリブデン（以下、Ｍｏと称す），タングステン（以下、Ｗと称す）などの金属配線を使用する場合もある。次に、ゲート線をマスクとして、イオン打ち込みにより、自己整合的にソース領域１３，ドレイン領域１４を形成する。
次に、基板全面に第１の層間絶縁膜を形成する。第１の層間絶縁膜は、常圧ＣＶＤ法や、テトラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳと称す）ガスを用いてＳｉＯ2膜を成膜する。前記ＳｉＯ2膜の他にプラズマＣＶＤ法を用いて窒化膜を成膜しても良い。次に、データ線と多結晶シリコンで形成したチャネル導電層１０を導通させるためにソース領域１３上に開孔部を開け、データ線１７を形成する。データ線の材料としては、アルミニュウム（以下、Ａｌと称す）やＣｒ，Ｍｏ，Ｗなどのメタル配線を行う。データ線と同層に画素電極１９を形成してもかまわないが、データ線が最上層にくるため、データ線間上に画像表示領域見切り用の遮光層１を形成できない。また、画素が高精細化してくると、パターンルール上、データ線と画素電極間のライン・アンド・スペースが厳しくなり、容量カップリングが大きくなる。これにより、リーク電流が大きくなり、コントラスト不足による表示品質劣化の原因となる。そこで、本発明ではデータ線を画素電極より下層に埋め込んだ。これにより、画素電極とデータ線のスペースを考慮する必要がなく、画素電極領域を広げることが可能となり、光を透過させることができる開口部面積を稼ぐことができる。データ線をフォトリソグラフィ法によりパターニングした後、基板全面に第２層間絶縁膜を成膜する。第２層間絶縁膜の成膜方法としては、データ線材料として使用する金属薄膜の溶融温度以下の温度で処理しなければならない。そこで、データ線にＡｌを使用する場合、４５０℃以下の低温で絶縁膜を形成する必要がある。そこで、プラズマＴＥＯＳ装置やプラズマ・オゾンＴＥＯＳ装置，常圧オゾンＴＥＯＳ装置などで低温に絶縁膜を形成する。前記第２層間絶縁膜上に金属あるいは金属化合物をスパッタ法等により堆積し、フォトリソグラフィ法によりパターニングして遮光層１を形成する。前記遮光層は、画像表示領域外周部の見切りだけでなく、図３（ｃ）のように画像表示領域中のデータ線やゲート線上を遮光することも可能である。前記遮光層としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の金属薄膜や、ＭｏＳｉX，ＷＳｉX等の金属化合物薄膜の他に、黒色系の有機薄膜を用いても良い。次に、ドレイン領域１４上にウエット・エッチングあるいはドライ・エッチングにより開孔し、画素電極１９でをスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングする。画素電極としては、透明導電膜であるインジュム・スズ酸化物（以下、ＩＴＯと称す）等を用いる。遮光層と画素電極の工程は逆でも問題ない。以上の工程により、ＴＦＴを形成する。
次に、画像表示領域外周部の構成を実施例に基づいて説明する。最初に、データ線のサンプルホルダーと画素間に形成する遮光層について２種類の構造を試みた。第１の構造の平面図及び断面図を図４に示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ´線の断面を表している。透明絶縁性基板上９に第１層間絶縁膜１６が堆積し、前記絶縁膜上にデータ配線１７が通り、第２層間絶縁膜１８上に遮光膜が堆積される。前記遮光膜は金属あるいは金属化合物により形成するため、第２の層間絶縁膜に欠陥がある場合、データ線同士が遮光膜を介してショートし、縦方向の線欠陥を生じる可能性がある。データ線は、Ａｌ等の金属により配線するので、それ自体、遮光層の役目を果たす。そこで、第２の構造として図５に示すように隣あうデータ線間のみに遮光膜１をフォトリソグラフィ法により島状に形成した。これにより、絶縁膜不良によるデータ線同士がショートするのを大幅に防ぐことが可能となり、表示不良を抑制できる。 Next, the process of the TFT substrate of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention will be described in detail. 2 and 3 are process sectional views of the TFT substrate of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention.
A channel conductive film 10 is formed on the transparent insulating substrate 9 by 500 to 1500 angstroms. As the channel conductive film, since a driver for driving is built in, a polycrystalline silicon that can form a CMOS structure and has a high ON / 0FF ratio of TFT is used. As a polycrystalline silicon film forming method, there is a low pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) method in which monosilane (hereinafter referred to as SiH 4 ) is thermally decomposed and deposited at a temperature of 550 ° C. to 650 ° C. Further, in order to further improve the ON current of the TFT, after depositing amorphous silicon as a precursor film by a plasma CVD apparatus or a low pressure CVD apparatus, thermal annealing is performed at 550 to 650 ° C. for 4 hours or more to thereby form silicon. The crystal size can be increased to 1 μm or more. In order to increase the crystal grain size, there are laser annealing such as excimer laser and argon laser in addition to thermal annealing. Next, after the polycrystalline silicon film is patterned into an island shape by photolithography, a gate insulating film 11 is formed. When a quartz substrate is used as the transparent insulating substrate for the gate insulating film, a dense and highly reliable oxide film can be formed by high-temperature dry oxidation using a MOS process. A nitride film, HTO (High Temperature CVD Silicon Dioxide Film), or the like may be used. Next, the gate line 12 is formed. Polycrystalline silicon is used as the gate line material. However, since polycrystalline silicon has a high sheet resistance of 20Ω or more, gate scanning line delay is likely to occur when the number of pixels in the lateral direction increases. Therefore, metal compounds such as molybdenum silicide (hereinafter referred to as MoSi x ) and tungsten silicide (hereinafter referred to as WSi x ), chromium (hereinafter referred to as Cr), molybdenum (hereinafter referred to as Mo), lower resistance molybdenum silicide (hereinafter referred to as WSi x ), In some cases, metal wiring such as tungsten (hereinafter referred to as W) is used. Next, the source region 13 and the drain region 14 are formed in a self-aligned manner by ion implantation using the gate line as a mask.
Next, a first interlayer insulating film is formed on the entire surface of the substrate. As the first interlayer insulating film, a SiO 2 film is formed using an atmospheric pressure CVD method or a tetraethoxysilane (hereinafter referred to as TEOS) gas. In addition to the SiO 2 film, a nitride film may be formed using a plasma CVD method. Next, in order to make the data line and the channel conductive layer 10 formed of polycrystalline silicon conductive, an opening is formed on the source region 13 to form the data line 17. As a data line material, metal wiring such as aluminum (hereinafter referred to as Al), Cr, Mo, W, or the like is performed. The pixel electrode 19 may be formed in the same layer as the data line. However, since the data line is in the uppermost layer, the light shielding layer 1 for cutting off the image display area cannot be formed between the data lines. In addition, when the pixel becomes higher in definition, the line and space between the data line and the pixel electrode becomes stricter due to the pattern rule, and the capacity coupling increases. As a result, the leakage current increases, causing display quality deterioration due to insufficient contrast. Therefore, in the present invention, the data line is embedded below the pixel electrode. Accordingly, it is not necessary to consider the space between the pixel electrode and the data line, the pixel electrode region can be expanded, and an opening area through which light can be transmitted can be obtained. After patterning the data lines by photolithography, a second interlayer insulating film is formed on the entire surface of the substrate. As a method for forming the second interlayer insulating film, the processing must be performed at a temperature lower than the melting temperature of the metal thin film used as the data line material. Therefore, when Al is used for the data line, it is necessary to form the insulating film at a low temperature of 450 ° C. or lower. Therefore, an insulating film is formed at a low temperature using a plasma TEOS apparatus, a plasma / ozone TEOS apparatus, an atmospheric pressure ozone TEOS apparatus, or the like. A light shielding layer 1 is formed by depositing a metal or a metal compound on the second interlayer insulating film by sputtering or the like and patterning by photolithography. The light shielding layer can not only cut off the outer periphery of the image display area, but can also shield the data lines and gate lines in the image display area as shown in FIG. As the light-shielding layer, Al, Cr, Mo, or a metal thin film such as W, MoSi X, in addition to the metal compound thin film such as WSi X, may include an organic thin film of black color. Next, a hole is formed on the drain region 14 by wet etching or dry etching, and the pixel electrode 19 is formed by sputtering and patterned by photolithography. As the pixel electrode, indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) which is a transparent conductive film is used. There is no problem even if the process of the light shielding layer and the pixel electrode is reversed. Through the above process, a TFT is formed.
Next, the configuration of the outer periphery of the image display area will be described based on examples. First, two types of structures were tried for the light shielding layer formed between the data line sample holder and the pixel. A plan view and a cross-sectional view of the first structure are shown in FIG. FIG. 4B shows a cross section taken along the line AA ′ of FIG. A first interlayer insulating film 16 is deposited on the transparent insulating substrate 9, a data wiring 17 passes through the insulating film, and a light shielding film is deposited on the second interlayer insulating film 18. Since the light-shielding film is formed of a metal or a metal compound, if the second interlayer insulating film has a defect, the data lines may be short-circuited through the light-shielding film to cause a vertical line defect. Since the data line is wired with a metal such as Al, it itself serves as a light shielding layer. Therefore, as shown in FIG. 5, as the second structure, the light shielding film 1 is formed in an island shape only by using the photolithography method between adjacent data lines. As a result, it is possible to greatly prevent the data lines from being short-circuited due to a defective insulating film, and to suppress display defects.

次に、ゲート線駆動用ドライバと画素間に形成する遮光層についても本実施例では、２種類の構造を試みた。第１の構造の平面図及び断面図を図６に示す。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＣ−Ｃ´線の断面図を表している。透明絶縁性基板９上にゲート線１２を形成し、前記ゲート線上に第１層間絶縁膜１６と第２層間絶縁膜１８を成膜し、最上層に遮光膜１を形成した構造をしている。また、ゲート線は最下層に埋め込まれているため、第１層間絶縁膜上にデータ線で使用する金属薄膜を遮光膜１の代わりに形成しても良い（図示なし）。この構造は、前記図４で示したデータ線の構造と同様に層間絶縁膜に欠陥が生じた場合、ゲート配線同士でショートし、横方向の線欠陥になる可能性がある。そこで第２の構造として図７に示すように隣あうゲート線間にフォトリソグラフィ法により島状にパターニングして遮光層１を形成した。この際、ゲート線が多結晶シリコンなどの透過性の材料を用いた場合は、図７（ｂ）に示すように第１層間絶縁膜１６上に、ゲート線膜上１２を覆うようにデータ線１７で使用した金属材料を島状に堆積する。これにより、見切り領域を遮光することが可能となり、第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜不良による表示不良を抑制できる。
〔発明の効果〕 Next, regarding the light shielding layer formed between the gate line driver and the pixel, two types of structures were tried in this embodiment. A plan view and a cross-sectional view of the first structure are shown in FIG. FIG. 6B shows a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. The gate line 12 is formed on the transparent insulating substrate 9, the first interlayer insulating film 16 and the second interlayer insulating film 18 are formed on the gate line, and the light shielding film 1 is formed on the uppermost layer. . Further, since the gate line is buried in the lowermost layer, a metal thin film used for the data line may be formed on the first interlayer insulating film instead of the light shielding film 1 (not shown). Similar to the data line structure shown in FIG. 4, in this structure, when a defect occurs in the interlayer insulating film, there is a possibility that the gate wirings are short-circuited to form a lateral line defect. Therefore, as a second structure, as shown in FIG. 7, the light shielding layer 1 is formed by patterning into an island shape by photolithography between adjacent gate lines. At this time, when the gate line is made of a transparent material such as polycrystalline silicon, the data line is formed on the first interlayer insulating film 16 and on the gate line film 12 as shown in FIG. The metal material used in 17 is deposited in an island shape. As a result, the parting region can be shielded from light, and display defects due to defects in the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film can be suppressed.
〔The invention's effect〕

画像表示領域外周部の見切りをＴＦＴ基板上に作り込むことにより、以下の効果が得られた。 The following effects were obtained by making a parting of the outer periphery of the image display area on the TFT substrate.

図１２に示すように、対向基板上の遮光層２７を形成せずに、ＴＦＴ基板２６上の遮光層１上部にシール領域を形成できるため、ＴＦＴ基板に形成した画像表示領域２５を広げることが可能となり、アクティブ・マトリックス型液晶表示装置の外形サイズを拡大させることなく、画素数の増加や開口率の向上を図れる。
図１０に示すように、従来のシール領域に遮光領域を広げることができるため見切り幅が広くなる。 As shown in FIG. 12, since the seal region can be formed on the light shielding layer 1 on the TFT substrate 26 without forming the light shielding layer 27 on the counter substrate, the image display region 25 formed on the TFT substrate can be widened. This makes it possible to increase the number of pixels and improve the aperture ratio without enlarging the outer size of the active matrix type liquid crystal display device.
As shown in FIG. 10, since the light shielding region can be widened in the conventional seal region, the parting width is widened.

これにより、本発明の液晶表示装置をテレビやビデオムービー，プロジェクター等のモジュールに組み込む際の合わせ精度に余裕ができるため、実装面での簡略化，低コスト化が図れる。   As a result, the liquid crystal display device of the present invention can be provided with sufficient alignment accuracy when it is incorporated into a module such as a television, a video movie, or a projector.

本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の平面構成図。1 is a plan configuration diagram of an active matrix liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の画素ＴＦＴのデータ線形成までの工程断面図。FIG. 5 is a process cross-sectional view of the active TFT type liquid crystal display device showing the embodiment of the present invention until formation of the data line of the pixel TFT. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の画素ＴＦＴの前記図２以降の工程断面図。FIG. 3 is a process cross-sectional view of the pixel TFT of the active matrix liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention after FIG. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のサンプルホルダーと画像表示領域間の構成図。（ａ）は平面図。（ｂ）はＡ−Ａ´線上の断面図。The block diagram between the sample holder and image display area of the active matrix type liquid crystal display device which shows the Example of this invention. (A) is a top view. (B) is sectional drawing on the AA 'line. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のサンプルホルダーと画像表示領域間の構成図。（ａ）は平面図。（ｂ）はＢ−Ｂ´線上の断面図。The block diagram between the sample holder and image display area of the active matrix type liquid crystal display device which shows the Example of this invention. (A) is a top view. (B) is sectional drawing on the BB 'line. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のゲート線駆動用ドライバと画像表示領域間の構成図。（ａ）は平面図。（ｂ）はＣ−Ｃ´線上の断面図。1 is a configuration diagram between a gate line driver and an image display area of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. (A) is a top view. (B) is sectional drawing on CC 'line. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置のゲート線駆動用ドライバと画像表示領域間の構成図。（ａ）は平面図。（ｂ）はＤ−Ｄ´線上の断面図。1 is a configuration diagram between a gate line driver and an image display area of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. (A) is a top view. (B) is sectional drawing on the DD 'line. 従来のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の画素ＴＦＴの断面図。Sectional drawing of the pixel TFT of the conventional active matrix type liquid crystal display device. 従来のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の断面図。Sectional drawing of the conventional active matrix type liquid crystal display device. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の断面図。1 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device showing an embodiment of the present invention. 本発明の実施例を示すアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の断面図。1 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device showing an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 遮光層
２ ＴＦＴ素子
３ 液晶セル
４ データ線駆動用クロック信号入力端子
５ データ線駆動用スタート信号入力端子
６ ビデオ信号入力端子
７ ゲート線駆動用クロック信号入力端子
８ ゲート線駆動用スタート信号入力端子
９ 透明絶縁性基板
１０ チャネル導電層
１１ ゲート絶縁膜
１２ ゲート線
１３ ソース領域
１４ ドレイン領域
１５ イオン不純物
１６ 第１層間絶縁膜
１７ データ線
１８ 第２層間絶縁膜
１９ 画素電極
２０ 液晶
２１ 偏向板
２２ 対向基板
２３ カラーフィルター
２４ シール剤
２５ 画像表示領域（画素）
２６ ＴＦＴ基板
２７ 対向基板側画像表示領域（カラーフィルター）外周遮光層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light shielding layer 2 TFT element 3 Liquid crystal cell 4 Data line drive clock signal input terminal 5 Data line drive start signal input terminal 6 Video signal input terminal 7 Gate line drive clock signal input terminal 8 Gate line drive start signal input terminal 9 transparent insulating substrate 10 channel conductive layer 11 gate insulating film 12 gate line 13 source region 14 drain region 15 ion impurity 16 first interlayer insulating film 17 data line 18 second interlayer insulating film 19 pixel electrode 20 liquid crystal 21 deflecting plate 22 opposite Substrate 23 Color filter 24 Sealant 25 Image display area (pixel)
26 TFT substrate 27 Opposite substrate side image display area (color filter) outer periphery light shielding layer

Claims (3)

一対の基板間に液晶を有し、前記一対の基板の一方の基板に複数のゲート線と、複数のデータ線と、前記ゲート線と前記データ線の交差に対応して設けられたトランジスタと、及び前記トランジスタに対応して設けられた画素電極とを有する画像表示領域を具備したアクティブ・マトリックス型液晶表示装置において、
前記一方の基板の前記画像表示領域が設けられた面側には、前記画像表示領域外周部に設けられた第１遮光層と、画像表示領域中に設けられた第２遮光層とを有し、
前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、同層で形成されていることを特徴とするアクティブ・マトリックス型液晶表示装置。 A liquid crystal between a pair of substrates, a plurality of gate lines on one substrate of the pair of substrates, a plurality of data lines, and a transistor provided corresponding to the intersection of the gate lines and the data lines; And an active matrix type liquid crystal display device comprising an image display region having a pixel electrode provided corresponding to the transistor,
The surface of the one substrate on which the image display area is provided has a first light shielding layer provided on the outer periphery of the image display area and a second light shielding layer provided in the image display area. ,
The active matrix type liquid crystal display device, wherein the first light shielding layer and the second light shielding layer are formed in the same layer. 前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、前記データ線上に形成された絶縁膜上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置。 2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first light shielding layer and the second light shielding layer are provided on an insulating film formed on the data line. 前記第２遮光層は、前記画像表示領域中のデータ線及びゲート線上に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブ・マトリックス型液晶表示装置。 3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second light shielding layer is provided on a data line and a gate line in the image display area.
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