JP2006068869A

JP2006068869A - Polishing pad

Info

Publication number: JP2006068869A
Application number: JP2004257516A
Authority: JP
Inventors: Hideo Suzuki; 英郎鈴木
Original assignee: Inoue MTP KK; Inoac Corp
Current assignee: Inoac Corp
Priority date: 2004-09-03
Filing date: 2004-09-03
Publication date: 2006-03-16

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing pad which is easy to handle, facilitates attaining height accuracy, and has improved polishing performance. <P>SOLUTION: The polishing pad 10 is formed of a pad substrate 11 which has its lower side functioning as a platen fixing portion 12. The platen fixing portion 12 is formed of a plurality of bumps 14 abutting on the platen 20 and clearances 15 formed between the bumps 14. Then the pad substrate 11 has an annular projection 16 arranged on a lower peripheral edge thereof, which encloses the platen fixing portion 12 and abuts on the platen 20, for preventing infiltration of slurry into the clearances 15. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウェハ等を化学機械研磨するために用いられる研磨パッドに関する。 The present invention relates to a polishing pad used for chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer or the like.

この種の研磨パッドには、例えば特許文献１に開示される研磨パッドがある。この研磨パッドは、プラテンに貼着される下地層と、この下地層の上面に張り合わされるパッド本体とからなる。下地層は弾性を有する合成樹脂の発泡体からなり、研磨パッドに作用する応力を緩和して半導体ウェハの被研磨面における面内均一性（平坦度）を向上させる。この研磨パッドでは、下地層よりも大径のパッド本体の下面に貼り付けられた両面テープと、下地層の下面に貼り付けられた両面テープとが下地層の周囲で下地層の外周部を封入するように互いに張り合わされている。これにより、下地層の外周部が密封されている。これは、研磨時においてスラリーが下地層の上面側又は下面側に侵入することを防止し、下地層の圧縮率等の物性が変化することを防止したり、また、下地層とパッド本体との間、下地層とプラテンとの間の剥がれを防止したりするためである。ところで、この研磨パッドは、下地層及びパッド本体と、２枚の両面テープとが積層されたものなので、部品点数が多く、プラテンへの貼付工数が多い。また、積層による厚さ誤差が出やすく、プラテンに貼り付けたときに研磨面の高さ精度が出にくい。さらに、パッド本体の外周部が下地層に支持されないので、パッド本体における研磨面の有効領域が狭くなる。 An example of this type of polishing pad is a polishing pad disclosed in Patent Document 1. This polishing pad is composed of a base layer adhered to the platen and a pad body attached to the upper surface of the base layer. The underlayer is made of a synthetic resin foam having elasticity and relieves stress acting on the polishing pad to improve in-plane uniformity (flatness) on the polished surface of the semiconductor wafer. In this polishing pad, the double-sided tape affixed to the lower surface of the pad body that is larger in diameter than the underlayer and the double-sided tape affixed to the lower surface of the underlayer enclose the outer periphery of the underlayer around the underlayer Are attached to each other. Thereby, the outer peripheral part of the base layer is sealed. This prevents the slurry from entering the upper surface side or the lower surface side of the underlayer during polishing, prevents changes in physical properties such as the compressibility of the underlayer, and also prevents the underlayer and the pad main body from changing. This is to prevent peeling between the underlayer and the platen. By the way, since this polishing pad is formed by laminating a base layer and a pad main body and two double-sided tapes, the number of parts is large and the number of man-hours applied to the platen is large. In addition, a thickness error due to stacking is likely to occur, and the height accuracy of the polished surface is difficult to obtain when it is attached to the platen. Furthermore, since the outer peripheral portion of the pad body is not supported by the underlayer, the effective area of the polishing surface in the pad body is narrowed.

一方、特許文献２に開示される研磨パッドは、上記のような問題を解消するものである。この研磨パッドは、ポリウレタン系発泡体からなるパッド本体における研磨面側と反対側に、前記下地層に代わる応力緩和領域が一体に形成されている。この応力緩和領域は、プラテン上面に当接する多数の応力調整部によって構成され、この応力調整部間には隙間（逃げ部）が形成されている。そして、パッド本体に作用する応力は、応力調整部の弾性変形によって緩和される。この研磨パッドは、１枚の両面テープのみでプラテンに貼り付けられるので、部品点数が少なく、プラテンへの貼付工数が少なくなる。また、プラテンに貼り付けたときに、研磨面の高さ精度が出やすい。
特開２００２−３６０９７号公報特開２００４−４２１８９号公報 On the other hand, the polishing pad disclosed in Patent Document 2 solves the above problems. In this polishing pad, a stress relaxation area instead of the base layer is integrally formed on the side opposite to the polishing surface side of the pad body made of polyurethane foam. This stress relaxation region is composed of a number of stress adjusting portions that abut on the upper surface of the platen, and gaps (relief portions) are formed between the stress adjusting portions. And the stress which acts on a pad main body is relieve | moderated by the elastic deformation of a stress adjustment part. Since this polishing pad is affixed to the platen with only one double-sided tape, the number of parts is small, and the number of steps for affixing to the platen is reduced. In addition, when attached to the platen, the height accuracy of the polished surface is easily obtained.
JP 2002-36097 A JP 2004-42189 A

しかしながら、上記特許文献２の研磨パッドでは、研磨時にスラリーが応力緩和領域の隙間内に侵入し、応力調整部の正常な動作を損なう可能性があった。このため、研磨パッドに作用する応力が十分に緩和されず、半導体ウェハの面内均一性が低下する可能性があった。さらに、応力調整部と両面テープとの接着力がスラリーによって弱められ、応力調節部が部分的に両面テープから剥がれるため、ウェハの面内均一性が低下する可能性があった。 However, in the polishing pad of Patent Document 2, the slurry may enter the gap in the stress relaxation region during polishing, and the normal operation of the stress adjusting unit may be impaired. For this reason, the stress acting on the polishing pad is not sufficiently relaxed, and the in-plane uniformity of the semiconductor wafer may be lowered. Furthermore, since the adhesive force between the stress adjusting part and the double-sided tape is weakened by the slurry and the stress adjusting part is partially peeled off from the double-sided tape, the in-plane uniformity of the wafer may be lowered.

本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、プラテンへの貼付工数が少ない上、高さ精度を出しやすく、しかも、研磨性能を向上することができる研磨パッドを提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. An object of the present invention is to provide a polishing pad that requires less man-hours for attaching to a platen, can easily obtain height accuracy, and can improve polishing performance.

上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、パッド基材の上面を研磨面とし、同パッド基材の下面側をプラテン固定部とし、同プラテン固定部を、プラテンに当接する複数の凸状部と、この複数の凸状部間の逃げ部とによって構成した研磨パッドにおいて、前記パッド基材の下面周縁に、前記プラテン固定部を囲んだ状態で前記プラテンに当接し、前記逃げ部内へのスラリーの侵入を防止する環状の突条部を設けたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the upper surface of the pad base material is a polishing surface, the lower surface side of the pad base material is a platen fixing portion, and the platen fixing portion is in contact with the platen. In the polishing pad constituted by a plurality of convex portions and a relief portion between the plurality of convex portions, the lower surface periphery of the pad base material is in contact with the platen in a state of surrounding the platen fixing portion, An annular protrusion that prevents the slurry from entering the escape portion is provided.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記突条部は０．３〜１．２ｍｍの幅に形成されていることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記凸状部は、碁盤割り状に形成されたものであることを特徴とする。 The invention described in claim 2 is characterized in that, in the invention described in claim 1, the protrusion is formed with a width of 0.3 to 1.2 mm.
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the convex portion is formed in a grid pattern.

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記パッド基材は、ポリウレタン系樹脂の発泡体からなることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the pad base material is made of a polyurethane resin foam.

本発明によれば、パッド基材の下面周縁に設けられた突条部により、プラテン固定部の逃げ部内へのスラリーの侵入が防止されるので、プラテン固定部における緩衝性能がスラリーによって損なわれず、緩衝性能の低下に起因する被研磨体の面内均一性の悪化が防止される。また、プラテン固定部がプラテンとの間の両面テープから剥がれにくいので、剥がれに起因する被研磨体の面内均一性の悪化が防止される。従って、単一部材からなり、プラテンへの貼付工数が少ない上、研磨面の高さ精度を出しやすい研磨パッドにおいて、半導体ウェハ等の被研磨体における被研磨面の面内均一性を向上することができる。 According to the present invention, the protrusions provided on the peripheral edge of the lower surface of the pad base material prevent the slurry from entering the escape portion of the platen fixing portion, so that the buffer performance in the platen fixing portion is not impaired by the slurry, Deterioration of in-plane uniformity of the object to be polished due to a decrease in buffer performance is prevented. In addition, since the platen fixing part is not easily peeled off from the double-sided tape between the platen and the in-plane uniformity of the object to be polished due to the peeling is prevented. Therefore, in a polishing pad that is composed of a single member, has a small number of man-hours for attaching to the platen, and is easy to obtain the height accuracy of the polishing surface, it improves the in-plane uniformity of the surface to be polished in the polishing object such as a semiconductor wafer Can do.

次に、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図３に従って説明する。
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）及び図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、研磨パッド１０は、ＲＩＭ（Reaction Injection Molding）成形されたポリウレタン系発泡体からなるパッド基材１１を備えている。パッド基材１１の上面は研磨面１１ａとなっており、下面側がプラテン固定部１２とされている。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 (a), (b), (c) and FIGS. 2 (a), (b), (c), the polishing pad 10 is a polyurethane foam molded by RIM (Reaction Injection Molding). The pad base material 11 which consists of is provided. The upper surface of the pad base material 11 is a polishing surface 11a, and the lower surface side is a platen fixing portion 12.

パッド基材１１の研磨面１１ａには、パッド基材１１の中心軸を中心とする同心状の複数の環状溝１３が形成されている。各環状溝１３は、研磨時に研磨パッド１０の研磨面１１ａ上に供給されるスラリーを保持するために設けられている。研磨パッド１０は、例えば直径５０８ｍｍ、厚さ２．５４ｍｍに形成され、環状溝１３は、例えば幅０．２ｍｍ、深さ０．６ｍｍ、ピッチ１．５ｍｍで形成されている。 A plurality of concentric annular grooves 13 centering on the central axis of the pad base material 11 are formed on the polishing surface 11 a of the pad base material 11. Each annular groove 13 is provided to hold slurry supplied onto the polishing surface 11a of the polishing pad 10 during polishing. The polishing pad 10 is formed with a diameter of 508 mm and a thickness of 2.54 mm, for example, and the annular groove 13 is formed with a width of 0.2 mm, a depth of 0.6 mm, and a pitch of 1.5 mm, for example.

前記プラテン固定部１２は、パッド基材１１の周縁部を除く全体に碁盤割り状に形成された複数の凸状部１４と、この複数の凸状部１４間の逃げ部としての逃げ溝１５とによって構成されている。各凸状部１４は、後述するプラテン２０の上面に当接可能となっている。そして、各凸状部１４は、研磨時に研磨面１１ａに対して加えられる荷重に対して弾性変形することで、パッド基材１１に作用する応力を緩和するようになっている。なお、各凸状部１４は、成形後のパッド基材１１の平坦な下面に、カッターで逃げ溝１５を直線状に切削することによって形成されている。 The platen fixing portion 12 includes a plurality of convex portions 14 formed in a grid pattern on the entire surface excluding the peripheral portion of the pad base material 11, and a relief groove 15 as a relief portion between the plurality of convex portions 14. It is constituted by. Each convex portion 14 can contact an upper surface of a platen 20 described later. And each convex-shaped part 14 relieves the stress which acts on the pad base material 11 by elastically deforming with respect to the load added with respect to the grinding | polishing surface 11a at the time of grinding | polishing. In addition, each convex-shaped part 14 is formed in the flat lower surface of the pad base material 11 after shaping | molding by cutting the relief groove 15 in a straight line with a cutter.

また、パッド基材１１の下面周縁には、前記プラテン固定部１２を囲んだ状態で各凸状部１４とともにプラテン２０の上面に当接する環状の突条部１６が設けられている。突条部１６は、０．３〜１．２ｍｍの範囲の等幅に形成されている。そして、この突条部１６は、研磨時において凸状部１４の周囲を囲む周壁となり、各逃げ溝１５へのスラリーの侵入を防止するようになっている。 Further, an annular ridge 16 is provided on the periphery of the lower surface of the pad base 11 so as to abut the upper surface of the platen 20 together with the convex portions 14 in a state of surrounding the platen fixing portion 12. The ridge 16 is formed with an equal width in the range of 0.3 to 1.2 mm. And this protrusion part 16 becomes a surrounding wall surrounding the circumference | surroundings of the convex-shaped part 14 at the time of grinding | polishing, and the penetration | invasion of the slurry to each escape groove 15 is prevented.

以上のように構成された研磨パッド１０は、図３に示すように、プラテン（研磨定盤）２０の上面に対し両面テープ２１によって貼り付けられる。すなわち、研磨パッド１０は、プラテン２０上面と、各凸状部１４及び突条部１６との間に介在する両面テープ２１を介してプラテン２０に貼着される。プラテン２０の上方には、研磨パッド１０の研磨面１１ａに対向するように加圧ヘッド２２が設置され、この加圧ヘッド２２の下面に半導体ウェハ２３が保持されている。そして、プラテン２０及び加圧ヘッド２２はそれぞれ回転駆動され、加圧ヘッド２２により研磨パッド１０の研磨面１１ａに対しウェハ２３が所定の圧力で押し付けられる。研磨パッド１０の研磨面１１ａ上には、スラリー供給装置２４からスラリーが供給される。なお、スラリーは、分散液中に砥粒が分散されたものである。そして、ウェハ２３の下面が、研磨パッド１０の研磨面１１ａと同下面の間に介在するスラリーの砥粒によって研磨される。 The polishing pad 10 configured as described above is attached to the upper surface of a platen (polishing surface plate) 20 with a double-sided tape 21 as shown in FIG. That is, the polishing pad 10 is attached to the platen 20 via the double-sided tape 21 interposed between the upper surface of the platen 20 and the convex portions 14 and the protrusions 16. A pressure head 22 is installed above the platen 20 so as to face the polishing surface 11 a of the polishing pad 10, and a semiconductor wafer 23 is held on the lower surface of the pressure head 22. The platen 20 and the pressure head 22 are driven to rotate, and the pressure head 22 presses the wafer 23 against the polishing surface 11a of the polishing pad 10 with a predetermined pressure. Slurry is supplied from the slurry supply device 24 onto the polishing surface 11 a of the polishing pad 10. The slurry is a slurry in which abrasive grains are dispersed in a dispersion. Then, the lower surface of the wafer 23 is polished by the abrasive grains of the slurry interposed between the polishing surface 11 a and the lower surface of the polishing pad 10.

この場合、本実施形態によれば、パッド基材１１の下面周縁に設けられた環状の突条部１６により、研磨時におけるプラテン固定部１２の逃げ溝１５へのスラリーの侵入が防止される。このため、プラテン固定部１２における緩衝性能がスラリーによって損なわれず、緩衝性能の低下に起因するウェハ２３の被研磨面における面内均一性の悪化が防止される。また、プラテン固定部１２がプラテン２０との間の両面テープ２１から剥がれず、剥がれに起因する面内均一性の悪化が防止される。従って、単一部材からなり、プラテン２０への貼付工数が少ない上、研磨面１１ａの高さ精度を出しやすい研磨パッド１０において、半導体ウェハ２３等の被研磨面における面内均一性を向上することができる。また、パッド基材１１の下面を直線状に切削することによって逃げ溝１５を形成し、碁盤割り状の凸状部１４を形成したので、プラテン固定部１２を加工を容易に行うことができる。さらに、パッド基材１１をポリウレタン系発泡体としたので、射出成形が容易である。これは、ポリウレタン系発泡体の原料が低粘度の液状であるため、射出成形時のプレス圧力が低く、樹脂溶融エネルギーが不要であることによる。また、他の樹脂に比較して、硬度調整、物性調整が容易で、スラリー保持のためのセルを容易に形成することができる。 In this case, according to the present embodiment, the annular protrusion 16 provided on the periphery of the lower surface of the pad base 11 prevents the slurry from entering the escape groove 15 of the platen fixing portion 12 during polishing. For this reason, the buffer performance in the platen fixing part 12 is not impaired by the slurry, and deterioration of in-plane uniformity on the polished surface of the wafer 23 due to the decrease in the buffer performance is prevented. Further, the platen fixing portion 12 is not peeled off from the double-sided tape 21 between the platen 20 and deterioration of in-plane uniformity due to peeling is prevented. Accordingly, it is possible to improve the in-plane uniformity of the surface to be polished such as the semiconductor wafer 23 in the polishing pad 10 which is made of a single member, has a small number of steps for attaching to the platen 20, and easily obtains the height accuracy of the polishing surface 11a. Can do. Moreover, since the relief groove 15 is formed by cutting the lower surface of the pad base material 11 in a straight line and the convex part 14 having a grid pattern is formed, the platen fixing part 12 can be easily processed. Furthermore, since the pad base material 11 is a polyurethane foam, injection molding is easy. This is because the raw material of the polyurethane-based foam is a low-viscosity liquid, so that the press pressure during injection molding is low and resin melting energy is unnecessary. Further, compared with other resins, hardness adjustment and physical property adjustment are easy, and a cell for holding the slurry can be easily formed.

次に、以上のように構成された研磨パッド１０を用いて半導体ウェハ２３の研磨を行った実施例について説明する。
試験条件
ａ．研磨機：ラップマスター社製片面ラッピング試験機ＬＭ−１５
ｂ．ドレス条件：ダイヤモンドドレッサーリング♯１００（自重４ｋｇ）
研磨パッド回転数４５ｒｐｍ
純水流量４０ｍｌ／ｍｉｎ
ドレス時間３０分
研磨条件：研磨パッド回転数４５ｒｐｍ
スラリー流量４０ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間２分間。 Next, an example in which the semiconductor wafer 23 is polished using the polishing pad 10 configured as described above will be described.
Test conditions a. Polishing machine: Single-sided lapping tester LM-15 manufactured by Lapmaster
b. Dress conditions: Diamond dresser ring # 100 (self weight 4kg)
Polishing pad rotation speed 45rpm
Pure water flow rate 40ml / min
Dressing time 30 minutes Polishing conditions: Polishing pad rotation speed 45rpm
Slurry flow rate 40ml / min
Polishing time 2 minutes.

ｃ．ウェハ２３：直径３ｉｎｃｈ
ｄ．ウェハ加圧荷重：１２０ｇ／ｃｍ²
ｅ．試験形態：この試験では上記のような加圧ヘッド２２を用いない。代わりに、プラテン２０に貼り付けた研磨パッド１０の研磨面１１ａ上における所定位置にリテーナリングを保持し、バッキングクロスを介してウェハ２３を保持させたウェイトをリテーナリング内に載置する。そして、このリテーナリングを外部から回転駆動することによってウェイトを回転させるとともに、プラテン２０の回転によってもウェイトを回転させる。なお、リテーナリングは、回転数４８ｒｐｍで回転駆動される。 c. Wafer 23: 3 inch diameter
d. Wafer pressure load: 120 g / cm ²
e. Test form: In this test, the pressure head 22 as described above is not used. Instead, the retainer ring is held at a predetermined position on the polishing surface 11a of the polishing pad 10 affixed to the platen 20, and the weight holding the wafer 23 is placed in the retainer ring via the backing cloth. The weight is rotated by rotating the retainer ring from the outside, and the weight is also rotated by the rotation of the platen 20. The retainer ring is rotationally driven at a rotation speed of 48 rpm.

ｆ．研磨パッド仕様：
直径：３８１ｍｍ
厚さ：２．５４ｍｍ
環状溝１３ピッチ：１．５ｍｍ
溝幅：０．２ｍｍ
溝深さ：０．６ｍｍ
逃げ溝１５ピッチ：３．０ｍｍ
幅：１．０ｍｍ
深さ：１．２７ｍｍ
突条部１６幅：０，０．２，０．３，０．５，１．０，１．２，１．３，１０．０ｍｍ
材質・製法：ポリウレタン系樹脂をＲＩＭ成形した発泡体
ｇ．評価項目：１．プラテン固定部１２の逃げ溝１５内へのスラリーの侵入の有無
２．ウェハ２３の被研磨面における面内均一性（％）※
※ （ウェハ膜厚最大値−ウェハ膜厚最小値）／（２×ウェハ膜厚平均値）×１００
ｈ．試験結果 f. Polishing pad specifications:
Diameter: 381mm
Thickness: 2.54mm
Annular groove 13 Pitch: 1.5mm
Groove width: 0.2 mm
Groove depth: 0.6mm
Escape groove 15 pitch: 3.0 mm
Width: 1.0mm
Depth: 1.27mm
Ridge 16 width: 0, 0.2, 0.3, 0.5, 1.0, 1.2, 1.3, 10.0 mm
Material and production method: Foam obtained by RIM molding of polyurethane resin g. Evaluation items: Presence or absence of entry of slurry into the relief groove 15 of the platen fixing part 12
2. In-plane uniformity (%) on the polished surface of the wafer 23 *
* (Maximum wafer thickness-Minimum wafer thickness) / (2 x Average wafer thickness) x 100
h. Test results

上記表１の試験結果から、次のような結論が得られる。

From the test results in Table 1 above, the following conclusions can be obtained.

突条部１６の幅が、０．３〜１．２ｍｍの範囲内であれば、プラテン固定部１２の逃げ溝１５内へのスラリーの侵入を防止することができ、かつ、面内均一性がウェハ２３に対する要求値である約６％以下となる。これに対し、突条部１６の幅が１．３ｍｍ以上であると、逃げ溝１５内へのスラリーの侵入を防止できるものの、面内均一性が悪化する傾向がある。これは、突条部１６の幅が大きいほど、研磨パッド１０の外周部におけるプラテン固定部１２の応力緩衝作用が悪化するためであると考えられる。一方、幅が０．３ｍｍ未満の場合には、逃げ溝１５内へのスラリーの侵入を防止できない。 If the width of the protruding portion 16 is in the range of 0.3 to 1.2 mm, the slurry can be prevented from entering the escape groove 15 of the platen fixing portion 12, and the in-plane uniformity can be achieved. The required value for the wafer 23 is about 6% or less. On the other hand, when the width of the protruding portion 16 is 1.3 mm or more, the in-plane uniformity tends to deteriorate although the slurry can be prevented from entering the escape groove 15. This is considered to be because the stress buffering action of the platen fixing portion 12 at the outer peripheral portion of the polishing pad 10 is worsened as the width of the protruding portion 16 is larger. On the other hand, when the width is less than 0.3 mm, the slurry cannot be prevented from entering the escape groove 15.

（変形例）
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することもできる。
・パッド基材１１を、ポリウレア樹脂、ナイロン樹脂、シクロペンタジエン樹脂、エポキシ樹脂等の合成樹脂を用いてＲＩＭ成形する。 (Modification)
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
The pad base material 11 is RIM-molded using a synthetic resin such as polyurea resin, nylon resin, cyclopentadiene resin, or epoxy resin.

・プラテン固定部１２を、パッド基材１１の中心軸を中心とする同心状の複数の環状凸状部と、この環状凸状部間の環状溝とから構成する。
・パッド基材１１の研磨面１１ａに、環状溝１３に代えて、碁盤格子状の溝、放射状の溝、螺旋状の溝等を設けた構成とする。 The platen fixing part 12 is composed of a plurality of concentric annular convex parts centering on the central axis of the pad base material 11 and an annular groove between the annular convex parts.
The polishing surface 11a of the pad base material 11 has a configuration in which a grid lattice-like groove, a radial groove, a spiral groove, and the like are provided in place of the annular groove 13.

・パッド基材１１の下面をカッターにより３方向から直線状に逃げ溝を切削することにより、三角形の凸状部１４を形成する。
・図４（ａ），（ｂ）に示すように、突条部１６の下面に、プラテン固定部１２を囲む環状の溝３０を設けた構成とする。この場合、突条部１６の下面を通過してプラテン固定部１２側に侵入しようとするスラリーが溝３０に溜まり、プラテン固定部１２側への侵入が抑制される。この場合には、プラテン固定部１２側へのスラリーの侵入がより効果的に抑制される。 -Triangular convex-shaped part 14 is formed by cutting the relief groove from the lower surface of the pad base material 11 linearly from three directions with a cutter.
As shown in FIGS. 4A and 4B, an annular groove 30 surrounding the platen fixing portion 12 is provided on the lower surface of the ridge portion 16. In this case, the slurry that passes through the lower surface of the protruding portion 16 and tries to enter the platen fixing portion 12 side accumulates in the groove 30, and the intrusion to the platen fixing portion 12 side is suppressed. In this case, the entry of the slurry to the platen fixing portion 12 side is more effectively suppressed.

・図５（ａ），（ｂ）に示すように、突条部１６の下面に、プラテン固定部１２を囲む環状の溝３１を複数設けた構成とする。この場合には、プラテン固定部１２側へのスラリーの侵入がより効果的に抑制される。 As shown in FIGS. 5A and 5B, a plurality of annular grooves 31 surrounding the platen fixing portion 12 are provided on the lower surface of the ridge portion 16. In this case, the entry of the slurry to the platen fixing portion 12 side is more effectively suppressed.

以下、前記各実施形態から把握される技術的思想を記載する。
（１）請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の研磨パッドにおいて、前記突条部の下面には、同プラテン固定部を囲むように形成され、突条部の下面を通過しての逃げ部内へのスラリーの侵入を抑制する環状の溝（３０，３１）を設けたことを特徴とする研磨パッド。 Hereinafter, the technical idea grasped from each of the embodiments will be described.
(1) In the polishing pad according to any one of claims 1 to 4, the lower surface of the protruding portion is formed so as to surround the platen fixing portion, and passes through the lower surface of the protruding portion. A polishing pad provided with an annular groove (30, 31) that suppresses entry of slurry into the escape portion.

（２）請求項１又は請求項２に記載の研磨パッドにおいて、前記逃げ部は、前記パッド基材の下面を直線状に切削することによって形成されていることを特徴とする研磨パッド。このような構成によれば、プラテン固定部の加工を容易に行うことができる。 (2) The polishing pad according to claim 1 or 2, wherein the relief portion is formed by cutting the lower surface of the pad base material in a straight line. According to such a configuration, the platen fixing portion can be easily processed.

（３）請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の研磨パッドにおいて、前記パッド基材は、合成樹脂の発泡体からなることを特徴とする研磨パッド。 (3) The polishing pad according to any one of claims 1 to 3, wherein the pad base material is made of a synthetic resin foam.

（ａ）は一実施形態の研磨パッドを示す平面図、（ｂ）は同じく側面図、（ｃ）は同じく底面図。(A) is a top view which shows the polishing pad of one Embodiment, (b) is a side view similarly, (c) is a bottom view similarly. （ａ）は研磨パッドの研磨面を示す拡大図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）はプラテン固定部及び突条部を示す研磨パッドの底面図。(A) is an enlarged view which shows the polishing surface of a polishing pad, (b) is a longitudinal cross-sectional view, (c) is a bottom view of the polishing pad which shows a platen fixing | fixed part and a protrusion part. 研磨パッドを装着した研磨機を示す斜視図。The perspective view which shows the polisher equipped with the polishing pad. （ａ）は研磨パッドの縦断面図、（ｂ）は同じく底面図。(A) is a longitudinal cross-sectional view of a polishing pad, (b) is a bottom view. （ａ）は研磨パッドの縦断面図、（ｂ）は同じく底面図。(A) is a longitudinal cross-sectional view of a polishing pad, (b) is a bottom view.

Explanation of symbols

１０…研磨パッド、１１…パッド機材、１１ａ…研磨面、１２…プラテン固定部、１４…凸状部、１５…逃げ部としての逃げ溝、１６…突条部、２０…プラテン、３０…溝、３１…溝。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Polishing pad, 11 ... Pad equipment, 11a ... Polishing surface, 12 ... Platen fixing part, 14 ... Convex part, 15 ... Escape groove as relief part, 16 ... Projection part, 20 ... Platen, 30 ... Groove, 31 ... groove.

Claims

The upper surface of the pad base material is used as a polishing surface, the lower surface side of the pad base material is used as a platen fixing portion, the platen fixing portion includes a plurality of convex portions that contact the platen, and a relief portion between the plurality of convex portions. In the polishing pad constituted by
A polishing pad, characterized in that an annular ridge portion is provided on the peripheral edge of the lower surface of the pad base material so as to contact the platen in a state of surrounding the platen fixing portion and prevent entry of slurry into the escape portion. .

The polishing pad according to claim 1, wherein the protrusion is formed to have a width of 0.3 to 1.2 mm.

The polishing pad according to claim 1, wherein the convex portion is formed in a grid pattern.

The said pad base material consists of a foam of a polyurethane-type resin, The polishing pad as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.