JP2006064407A - Relay lifetime predicting system for semiconductor testing device, program therefor, and storage medium with program stored - Google Patents

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一浩 高岡
Yasuhide Nakase
泰英 中瀬
Masaru Sugimoto
勝 杉本
Teruhiko Funakura
輝彦 船倉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To predict the lifetime of a relay, taking into consideration whether to make a current flow in the relay at each operation of the relay. <P>SOLUTION: This system for predicting the lifetime of the relay used in a semiconductor testing device for testing a semiconductor device, based on a test program, has a counting means for separately counting the frequency x of operating the relay under no flow of current, and the frequency y of operating the relay under flowing of current in one test, based on the test program, and a prediction means for calculating b=x+zy, using as a load factor z as the ratio of a load on the relay in the operation under no flow of the current to a load on the relay in the operation under flowing of the current, and for predicting as the relay lifetime the time until a sum of the b in the test reaches a limiting value L. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、テストプログラムに基づいて半導体装置の試験を行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステム及びそのプログラム並びにそのプログラムを記憶した記憶媒体に関するものである。   The present invention relates to a system for predicting the life of a relay used in a semiconductor test apparatus that tests a semiconductor device based on a test program, a program thereof, and a storage medium storing the program.

半導体装置の試験を行うために、テストプログラムに基づいて半導体装置の試験を行う半導体試験装置が用いられる。この半導体試験装置に使用されているリレーは、半導体試験装置に使用されている他の部品に比べて寿命が短い。そこで、リレーの寿命を予測する必要があり、そのためのシステムが種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平５−１１２７７号公報 In order to test a semiconductor device, a semiconductor test device that tests the semiconductor device based on a test program is used. The relay used in this semiconductor test apparatus has a short life compared to other components used in the semiconductor test apparatus. Therefore, it is necessary to predict the life of the relay, and various systems have been proposed for that purpose (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-5-11277

半導体装置の１回の試験において、電流を流さずにリレーを動作させる場合と電流を流しながらリレーを動作させる場合が混在しており、それぞれリレーへの負荷が異なる。しかし、従来のリレー寿命予測システムは、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮するものではなかった。   In a single test of a semiconductor device, there are a mixture of a case where the relay is operated without passing a current and a case where the relay is operated while a current is flowing, and the load on the relay is different. However, the conventional relay life prediction system does not consider whether or not a current is supplied to the relay for each operation of the relay.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測することができる半導体試験装置のリレー寿命予測システム及びそのプログラム並びにそのプログラムを記憶した記憶媒体を得るものである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor capable of predicting the life of a relay in consideration of whether or not a current is supplied to the relay for each operation of the relay. A relay life prediction system for a test apparatus, a program thereof, and a storage medium storing the program are obtained.

本発明に係る半導体試験装置のリレー寿命予測システムは、テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステムにおいて、テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントするカウント手段と、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する予測手段とを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。   A relay life prediction system for a semiconductor test apparatus according to the present invention is a system for predicting the life of a relay used in a semiconductor test apparatus that tests a semiconductor device based on a test program. The count means for separately counting the number of times the relay is operated without passing current and the number of times y the relay is operated while flowing current, and the current flowing when the current is operated without flowing current B = x + zy is calculated by using the load ratio to the relay as a load coefficient z, and a prediction means for predicting the time until the cumulative total of b in each test reaches the limit value L as the relay life is provided. Other features of the present invention will become apparent below.

本発明により、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測することができる。   According to the present invention, it is possible to predict the life of a relay in consideration of whether a current is supplied to the relay for each operation of the relay.

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムを備えた半導体試験装置を示すブロック図である。半導体試験装置１１は、半導体装置であるＤＵＴ１２を試験するものである。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor test apparatus equipped with a relay life prediction system according to Embodiment 1 of the present invention. The semiconductor test apparatus 11 tests the DUT 12 that is a semiconductor device.

半導体装置１２はリレー１３を有し、このリレー１３はリレー制御部１４により制御される。また、半導体装置１２の電源１５からリレー１３を介してＤＵＴ１２に電流が供給される。そして、ＣＰＵ１６は、テストプログラム１７に基づいてリレー制御部１４及び電源１５を制御して、ＤＵＴ１２を試験する。   The semiconductor device 12 includes a relay 13 that is controlled by a relay control unit 14. Further, a current is supplied from the power supply 15 of the semiconductor device 12 to the DUT 12 via the relay 13. Then, the CPU 16 controls the relay control unit 14 and the power supply 15 based on the test program 17 to test the DUT 12.

ただし、ＤＵＴ１２の１回の試験において、電流を流さずにリレー１３を動作させる場合と電流を流しながらリレー１３を動作させる場合が混在しており、それぞれリレー１３への負荷が異なる。そこで、リレー１３の動作ごとにリレー１３へ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測するために、以下の構成を有するリレー寿命予測システム２１が設けられている。   However, in a single test of the DUT 12, there are cases where the relay 13 is operated without flowing current and the relay 13 is operated while flowing current, and the load on the relay 13 is different. Therefore, a relay life prediction system 21 having the following configuration is provided in order to predict the life of the relay in consideration of whether a current is supplied to the relay 13 for each operation of the relay 13.

リレー寿命予測システム２１は、カウント手段２２と、データベース２３と、交換情報取得手段２４と、予測手段２５と、表示デバイス２６を有する。   The relay life prediction system 21 includes a count unit 22, a database 23, an exchange information acquisition unit 24, a prediction unit 25, and a display device 26.

次に、本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムの動作について説明する。   Next, the operation of the relay life prediction system according to Embodiment 1 of the present invention will be described.

図２は、カウント手段２２によるリレー動作回数取得のフローチャートである。半導体試験装置１１においてテストプログラムがスタートされると、まずは、動作回数ｘ，ｙを初期化（ｘ，ｙ＝０）する（ステップＳ１）。   FIG. 2 is a flowchart for obtaining the number of relay operations by the counting means 22. When the test program is started in the semiconductor test apparatus 11, first, the operation times x and y are initialized (x, y = 0) (step S1).

次に、テストプログラム実行中にリレー１３が動作しているか否かを調べる（ステップＳ２）。そして、リレー１３が動作している場合は、電流を流しながらの動作（ホットスイッチ）か否かを調べる（ステップＳ３）。電流を流さない動作ならｘをカウントアップし（ステップＳ４）、電流を流しながらの動作ならｙをカウントアップする（ステップＳ５）。   Next, it is checked whether the relay 13 is operating during execution of the test program (step S2). Then, when the relay 13 is operating, it is checked whether or not it is an operation (hot switch) while passing a current (step S3). If the operation does not flow current, x is counted up (step S4), and if the current is flowing, y is counted up (step S5).

次に、テストが終了したか否かを調べる（ステップＳ６）。テストが終了していない場合はステップＳ２に戻る。即ち、テストが終了するまでステップＳ２〜Ｓ５の動作を繰り返す。   Next, it is checked whether or not the test is completed (step S6). If the test has not ended, the process returns to step S2. That is, the operations in steps S2 to S5 are repeated until the test is completed.

テストが終了した場合は収集した動作回数ｘ，ｙをデータベース２３に計上し（ステップＳ７）、一連の動作を終了する。テストが実行されるたびに、カウント手段２２は、以上のステップを毎回実行し、逐次、データベース２３に情報を蓄える。   When the test is completed, the collected operation times x and y are recorded in the database 23 (step S7), and the series of operations is completed. Each time the test is executed, the counting means 22 executes the above steps every time and sequentially stores information in the database 23.

図３は、交換情報取得手段２４による交換したリレー情報取得のフローチャートである。半導体試験装置１１のメンテナンスが実行される（ステップＳ１１）と、リレーが交換されたか否かを調べる（ステップＳ１２）。リレーが交換された場合は、そのリレーについて必要な情報をデータベース２３へ計上する（ステップＳ１３）。データベース２３へ計上するデータとしては、基板識別情報、ピン識別情報、リレー型名、リレーロット情報、故障モード（ＯＰＥＮ，ＳＨＯＲＴなど）がある。   FIG. 3 is a flowchart for obtaining the exchanged relay information by the exchange information obtaining unit 24. When maintenance of the semiconductor test apparatus 11 is executed (step S11), it is checked whether or not the relay has been replaced (step S12). When the relay is exchanged, information necessary for the relay is counted in the database 23 (step S13). Data to be recorded in the database 23 includes board identification information, pin identification information, relay type name, relay lot information, failure mode (OPEN, SHORT, etc.).

図４は、予測手段２５によるリレー寿命予想のフローチャートである。まず、データベース２３に格納されているリレー寿命予想に必要な情報を読み込み、内部変数の初期値として代入する（ステップＳ２１）。読み込む情報としては、判定用累計ａ、補正用の内部変数である予測寿命補正値ｃ、電流を流さずにリレーを動作させた回数（無負荷リレー動作回数）ｘ、電流を流しながらリレーを動作させた回数（ホットスイッチリレー動作回数）ｙ、前回のテストのタイムスタンプｔ１、前回のテストから現在までにリレーが交換されたか否かを表すリレー交換情報、リレーを交換すべきか否かを表すフラグがある。 FIG. 4 is a flowchart of relay life prediction by the prediction means 25. First, information necessary for relay life prediction stored in the database 23 is read and substituted as an initial value of an internal variable (step S21). Information to be read includes cumulative judgment a, predicted life correction value c that is an internal variable for correction, the number of times the relay was operated without flowing current (number of times of no-load relay operation) x, and the relay operated while flowing current Y (number of hot switch relay operations), time stamp t 1 of the previous test, relay exchange information indicating whether the relay has been exchanged since the previous test, and whether the relay should be exchanged There is a flag.

次に、データベース２３には格納されていない他の内部変数について初期化を行う（ステップＳ２２）。初期化を行う内部変数としては、負荷係数ｚ、リミット値Ｌ、今回のテストのタイムスタンプｔ２がある。 Next, other internal variables not stored in the database 23 are initialized (step S22). The internal variable is initialized, load factor z, the limit value L, there is a time stamp t 2 of this test.

そして、前回のテストから現在までにリレーが交換されたか否かを確認する（ステップＳ２３）。リレーが交換された場合は、判定用累計ａを初期化（ａ＝０）する（ステップＳ２４）。そして、フラグのＯＮ／ＯＦＦを確認し（ステップＳ２５）、フラグがＯＮであれば予測寿命補正値ｃを＋補正し（ステップＳ２６）、フラグをＯＦＦにする（ステップＳ２７）。一方、フラグがＯＦＦであれば予測寿命補正値ｃを−補正する（ステップＳ２８）。   Then, it is confirmed whether or not the relay has been replaced from the previous test to the present (step S23). When the relay is exchanged, the determination cumulative a is initialized (a = 0) (step S24). Then, the flag ON / OFF is confirmed (step S25). If the flag is ON, the predicted life correction value c is corrected by + (step S26), and the flag is turned OFF (step S27). On the other hand, if the flag is OFF, the predicted life correction value c is corrected by-(step S28).

次に、データベース２３から読み込んだリレー動作回数ｘ，ｙと、予め設定した負荷係数ｚとから、寿命判定に使用する値ｂをｂ＝ｘ＋ｚｙにより算出する（ステップＳ２９）。   Next, a value b used for life determination is calculated from b = x + zy from the number of relay operations x and y read from the database 23 and a preset load coefficient z (step S29).

次に、前回のテストまでのｂの累計である判定用累計ａと今回のテストのｂを足し合わせ、この和とリレー規格により定めたリミット値Ｌとを比較する（ステップＳ３０）。そして、和がリミット値を超えている場合は、リレーが寿命に達したと判断してフラッグをＯＮにし（ステップＳ３１）、リミット値を超えていない場合は、次式によりリレーの予測寿命を計算する（ステップＳ３２）
予測寿命＝ｔ２＋（ｔ２−ｔ１）（Ｌ−（ａ＋ｂ））／ｂ＋ｃ （数式１） Next, the determination total a which is the total b up to the previous test and the current test b are added, and the sum is compared with the limit value L defined by the relay standard (step S30). If the sum exceeds the limit value, it is determined that the relay has reached the end of its life and the flag is turned on (step S31). If the limit value is not exceeded, the predicted life of the relay is calculated using the following equation. (Step S32)
Predicted life = t 2 + (t 2 −t 1 ) (L− (a + b)) / b + c (Formula 1)

次に、フラグのＯＮ／ＯＦＦを確認する（ステップＳ３３）。フラグがＯＦＦの場合は、タイムスタンプと判定用累計ａを更新（ｔ１＝ｔ２、ａ＝ａ＋ｂ）し（ステップＳ３４）、予測寿命を表示デバイス２６に表示する。フラグがＯＮの場合は、リレーの交換を促す案内表示を表示デバイス２６に表示する。 Next, ON / OFF of the flag is confirmed (step S33). When the flag is OFF, the time stamp and the cumulative total for determination a are updated (t 1 = t 2 , a = a + b) (step S34), and the predicted life is displayed on the display device 26. When the flag is ON, a guidance display that prompts replacement of the relay is displayed on the display device 26.

次に、更新された情報をデータベース２３へ計上する（ステップＳ３７）。計上する情報としては、判定用累計ａ、予測寿命補正値ｃ、前回タイムスタンプｔ１がある。その後、処理を終了する。なお、このリレー寿命予想の開始タイミングは任意に設定できる。   Next, the updated information is counted in the database 23 (step S37). The information to be counted includes a cumulative total for determination a, a predicted life correction value c, and a previous time stamp t1. Thereafter, the process ends. The start timing of this relay life prediction can be arbitrarily set.

以上説明したように、本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムにおいて、カウント手段２２は、テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレー１３を動作させた回数ｘと電流を流しながらリレー１３を動作させた回数ｙを別々にカウントする。また、交換情報取得手段２４は、メンテナンスにおいて交換したリレー１３の情報を取得する。そして、予測手段２５は、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレー１３への負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する。これにより、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測することができる。   As described above, in the relay life prediction system according to the first embodiment of the present invention, the counting means 22 determines the number of times x that the relay 13 is operated without passing current for one test from the test program. The number of times y the relay 13 is operated while current is flowing is counted separately. Moreover, the exchange information acquisition means 24 acquires the information of the relay 13 exchanged in the maintenance. Then, the predicting means 25 calculates b = x + zy by using the load ratio z as the load ratio to the relay 13 when operating with current flowing compared to when operating without current flowing, and b in each test. The time until the cumulative total reaches the limit value L is predicted as the relay life. Accordingly, it is possible to predict the life of the relay in consideration of whether or not a current is supplied to the relay for each operation of the relay.

また、予測手段２５は、交換したリレー１３の情報に基づいてリレー寿命を補正する。これにより、リレーの交換も考慮してリレーの寿命を予測することができる。   Further, the prediction unit 25 corrects the relay life based on the information of the replaced relay 13. Thereby, the life of the relay can be predicted in consideration of the replacement of the relay.

なお、リレー寿命予測システム２１を半導体試験装置１１の内部に設けた場合について説明したが、これに限らず、リレー寿命予測システム２１を外部装置に設け、外部装置の制御部によりリレー寿命予測システムを制御する場合でも同様の効果を奏する。   In addition, although the case where the relay life prediction system 21 is provided in the semiconductor test apparatus 11 has been described, the present invention is not limited thereto, and the relay life prediction system 21 is provided in the external device, and the relay life prediction system is set by the control unit of the external device. Even in the case of control, the same effect is produced.

実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るリレー寿命予測システムは、リレー動作回数の取得のフローが実施の形態１と異なる。その他の構成は実施の形態１と同様である。 Embodiment 2. FIG.
The relay life prediction system according to the second exemplary embodiment of the present invention differs from the first exemplary embodiment in the flow of acquiring the number of relay operations. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

図５は、本発明の実施の形態２に係るリレー寿命予測システムによるリレー動作回数取得のフローチャートである。半導体装置又はエミュレートができる環境において、事前に以下のステップＳ４１〜Ｓ４８の動作を実行する。   FIG. 5 is a flowchart for acquiring the number of relay operations by the relay life prediction system according to Embodiment 2 of the present invention. In a semiconductor device or an environment where emulation is possible, the following operations in steps S41 to S48 are executed in advance.

エミュレートがスタートすると、まずは、テストプログラム名称を記憶する（ステップＳ４１）。そして、動作回数ｘ，ｙを初期化（ｘ，ｙ＝０）する（ステップＳ４２）。   When emulation starts, first, a test program name is stored (step S41). Then, the operation times x and y are initialized (x, y = 0) (step S42).

次に、テストプログラム実行中にリレー１３が動作しているか否かを調べる（ステップＳ４３）。そして、リレー１３が動作している場合は、電流を流しながらの動作（ホットスイッチ）か否かを調べる（ステップＳ４４）。電流を流さない動作ならｘをカウントアップし（ステップＳ４５）、電流を流しながらの動作ならｙをカウントアップする（ステップＳ４６）。   Next, it is checked whether or not the relay 13 is operating during execution of the test program (step S43). If the relay 13 is operating, it is checked whether or not the relay 13 is operating (hot switch) while a current is flowing (step S44). If the operation does not flow current, x is counted up (step S45), and if the current is flowing, y is counted up (step S46).

次に、テストが終了か否かを調べる（ステップＳ４７）。テストが終了していない場合はステップＳ２に戻る。即ち、テストが終了するまでステップＳ４３〜Ｓ４６の動作を繰り返す。   Next, it is checked whether or not the test is finished (step S47). If the test has not ended, the process returns to step S2. That is, the operations in steps S43 to S46 are repeated until the test is completed.

テストが終了した場合は収集した動作回数ｘ，ｙをデータベース２３に計上し（ステップＳ４８）、エミュレートを終了する。   When the test is completed, the collected operation times x and y are recorded in the database 23 (step S48), and the emulation is terminated.

次に、半導体装置においてテストプログラムがスタートすると、テストプログラム名称、同時測定個数、デバイスのマスク情報を記憶する（ステップＳ５１）。そして、テスト終了時に、このテストプログラム名称等をデータベース２３に計上する。さらに、このデータベース２３に計上した情報を用いて、実施の形態１と同様にしてリレー動作回数を算出する。これにより、実施の形態１と同様の効果を奏する。   Next, when the test program is started in the semiconductor device, the test program name, the number of simultaneous measurements, and device mask information are stored (step S51). At the end of the test, the test program name and the like are recorded in the database 23. Further, the number of relay operations is calculated in the same manner as in the first embodiment using the information recorded in the database 23. As a result, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムを備えた半導体試験装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the semiconductor test apparatus provided with the relay lifetime prediction system which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムによるリレー動作回数取得のフローチャートである。It is a flowchart of the relay operation | movement frequency acquisition by the relay lifetime prediction system which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムによる交換したリレー情報取得のフローチャートである。It is a flowchart of the exchange relay information acquisition by the relay lifetime prediction system which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムによるリレー寿命予想のフローチャートである。It is a flowchart of the relay lifetime prediction by the relay lifetime prediction system which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２に係るリレー寿命予測システムによるリレー動作回数取得のフローチャートである。It is a flowchart of the relay operation frequency acquisition by the relay lifetime prediction system concerning Embodiment 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１１ 半導体試験装置
１２ ＤＵＴ（半導体装置）
１３ リレー
１４ リレー制御部
１５ 電源
１７ テストプログラム
２１ リレー寿命予測システム
２２ カウント手段
２３ データベース
２４ 交換情報取得手段
２５ 予測手段
２６ 表示デバイス 11 Semiconductor Test Equipment 12 DUT (Semiconductor Device)
13 Relay 14 Relay Control Unit 15 Power Supply 17 Test Program 21 Relay Life Prediction System 22 Counting Unit 23 Database 24 Exchange Information Acquisition Unit 25 Prediction Unit 26 Display Device

Claims (5)

テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステムにおいて、
前記テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントするカウント手段と、
電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する予測手段とを有することを特徴とする半導体試験装置のリレー寿命予測システム。 In a system for predicting the life of a relay used in a semiconductor test apparatus that tests a semiconductor apparatus based on a test program,
From the test program, for one test, a counting means for separately counting the number of times the relay was operated without passing current and the number of times the relay was operated while flowing current;
B = x + zy is calculated by setting the load ratio to the relay when the operation is performed while the current is applied to the relay when the operation is performed without the current flow, and the total of b in each test reaches the limit value L. And a predicting means for predicting the time until the relay life as a relay life. メンテナンスにおいて交換したリレーの情報を取得する交換情報取得手段を更に有し、
前記予測手段は、前記交換したリレーの情報に基づいてリレー寿命を補正することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体試験装置のリレー寿命予測システム。 It further has exchange information acquisition means for acquiring information of relays exchanged in maintenance,
3. The relay life prediction system for a semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the prediction unit corrects a relay life based on information on the replaced relay. テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するプログラムにおいて、
カウント手段を用いて、前記テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントさせ、
予測手段を用いて、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算させ、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測させることを特徴とする半導体試験装置のリレー寿命予測プログラム。 In a program for predicting the life of a relay used in a semiconductor test apparatus that tests a semiconductor apparatus based on a test program,
Using the counting means, from the test program, for each test, the number of times x that the relay was operated without passing current and the number of times y that the relay was operated while flowing current were counted separately,
Using the predicting means, b = x + zy is calculated by using the load factor z as the ratio of the load to the relay when operated while current is supplied to when operated without current, and the total of b in each test Is a relay life prediction program for semiconductor test equipment, characterized in that the time until the limit value L is reached is predicted as the relay life. 交換情報取得手段を用いて、メンテナンスにおいて交換したリレーの情報を取得させ、
前記予測手段を用いて、前記交換したリレーの情報に基づいてリレー寿命を補正させることを特徴とする請求項１に記載の半導体試験装置のリレー寿命予測プログラム。 Use the exchange information acquisition means to get information on relays exchanged during maintenance,
2. The relay life prediction program for a semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the prediction means is used to correct the relay life based on the information of the replaced relay. コンピュータにより読み取り可能な情報記憶媒体であって、請求項３又は４のプログラムを記憶したことを特徴とする情報記憶媒体 。



An information storage medium readable by a computer, wherein the program according to claim 3 or 4 is stored.



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