JP2006049549A

JP2006049549A - 半導体レーザ保護回路、フレキシブルプリント配線板、光ピックアップ装置およびピックアップ調整方法

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Publication number: JP2006049549A
Application number: JP2004227905A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Obara; 聡小原
Original assignee: Denso Ten Ltd
Current assignee: Denso Ten Ltd
Priority date: 2004-08-04
Filing date: 2004-08-04
Publication date: 2006-02-16

Abstract

【課題】半導体レーザの静電気破壊を確実に防止することができ、工数削減および機器組み込み後の動作不良を防止することができる半導体レーザ保護回路、フレキシブルプリント配線板、光ピックアップ装置およびピックアップ調整方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０と、この半導体レーザ１０に並列に接続されるコンデンサ１５と、これら半導体レーザ１０およびコンデンサ１５に並列に接続される抵抗体１１とを備え、この並列に接続される抵抗体１１によって、半導体レーザ１０の静電気破壊を確実に防止するとともに、工数削減を図る。
【選択図】図１

Description

本発明は、たとえば光ピックアップ装置を製造する際に好適に用いられる半導体レーザ保護回路、フレキシブルプリント配線板、光ピックアップ装置およびピックアップ調整方法に関する。

本発明において、「パターン」とは、フレキシブルプリント配線板上に形成された導電性の図形および非導電性の図形と同義である。

コンパクトディスク（略称ＣＤ：Compact Disk）およびデジタルバーサタイルディスク（略称ＤＶＤ：Digital Versatile Disk）などの記録媒体に対する情報の記録、再生、消去を行う光ピックアップ装置が実用に供されている。この光ピックアップ装置には、光源としての半導体レーザが搭載されている。

図５は、従来の半導体レーザ保護回路を示し、図５（ａ）は、半導体レーザＬＤとショートパターンＳとの接続関係を示す回路図、図５（ｂ）は、ショートパターンＳを拡大して示す平面図、図５（ｃ）は、ショートパターン付近の要部断面図である。光ピックアップ装置の製造工程では、半導体レーザの静電気破壊を防止するため、半導体レーザの両端子間を通常ショートした状態で取り扱う必要がある。そのため従来の半導体レーザ保護回路では、図５に示すように、半導体レーザＬＤに電流を供給するプリント配線板の一部にショートパターンＳが設けられている。該ショートパターンＳにはんだ１を盛ることで、前記両端子間をショートしていた。ピックアップの調整工程において、半導体レーザＬＤに通電する必要がある場合には、前記はんだ１をショートパターンＳから除去していた。

図６は、従来技術に係るショートパターン２の平面図である。プリント配線板３において、複数のショートパターン２を並列に設ける技術も開示されている（たとえば特許文献１参照）。図７は、別の従来技術に係るショートパターン４の平面図である。図８は、別の従来技術に係るショートパターン４の要部を拡大して示す平面図である。ショートパターン４を細線で予め導通しておき、前記細線部を必要なときにパンチなどで打ち抜いて導通を解除する技術も開示されている（たとえば特許文献２参照）。

実願平７−２１３号特開平８−２８７４９８号公報

従来の半導体レーザ保護回路においては、光ピックアップ装置の製造工程で複数回の調整工程を実施する必要があり、その調整の都度はんだ１の除去、およびはんだ１の盛り付けを行う必要がある。したがって工数がかかるだけでなく、ショートパターンＳの劣化に起因して導通が不完全になる。これによって半導体レーザＬＤの静電気破壊を誘発していた。光ピックアップ装置の組立後、該装置を機器に組み込む際には、盛り付けたはんだ１を除去しなければならないが、前記はんだ１が除去されないまま機器に組み込まれるおそれがある。この場合には、機器の動作不良を起こす場合がある。

特許文献１の技術では、ショートパターンの信頼性を高めるという効果はあるものの、はんだ付けとはんだ除去とを繰り返すという工数は依然として残っている。さらに機器に光ピックアップ装置を組み込み後の動作不良であって、はんだ除去不完全に起因する動作不良についても何ら解決されていない。

特許文献２の技術では、前記細線を一度打ち抜いてしまえば、その後使用不能になってしまう。それ故、複数回の調整工程を実施する場合、および調整工程後に光ピックアップ装置を別工程に移動させる過程では、はんだ付けによる導通と併用せざるを得ない。したがってこの特許文献２の技術でも、工数がかかるうえ、はんだ除去不完全に起因する機器の動作不良が生じ得る。

本発明の目的は、半導体レーザの静電気破壊を確実に防止することができ、工数削減および機器組み込み後の動作不良を防止することができる半導体レーザ保護回路、フレキシブルプリント配線板、光ピックアップ装置およびピックアップ調整方法を提供することである。

本発明は、半導体レーザの保護回路であって、
前記半導体レーザと、
該半導体レーザと並列に接続される抵抗体とを有することを特徴とする半導体レーザ保護回路である。

本発明に従えば、前記半導体レーザ保護回路は、半導体レーザと抵抗体とを有する。前記抵抗体は、前記半導体レーザと並列に接続されている。このように抵抗体が半導体レーザと並列に接続されているので、従来技術のように、はんだの盛り付けおよび除去を繰り返す必要がなくなる。つまり半導体レーザ保護回路を含む装置の製造工程において、半導体レーザの静電気破壊を防止すべくショートパターンにはんだを盛り付け、その後の工程において前記はんだを都度除去する手間を省略することができる。

また本発明は、前記抵抗体はチップ抵抗器であることを特徴とする。
本発明に従えば、チップ抵抗器によって抵抗体を実現することができ、一般的に用いる抵抗器を含む半導体レーザ保護回路に比べて半導体レーザ保護回路の製造コストの低減を図ることが可能となる。

また本発明は、前記チップ抵抗器は、該チップ抵抗器を含む半導体レーザ保護回路から除去手段によって除去可能に構成されることを特徴とする。

本発明に従えば、チップ抵抗器を半導体レーザ保護回路から除去手段によって除去することができる。この半導体レーザ保護回路の組み込み前段階では、前記チップ抵抗器を該半導体レーザ保護回路から除去することなく、該半導体レーザ保護回路を組み込むべき機器を調整する。このとき半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。その後チップ抵抗器を簡単かつ確実に除去し得る。

また本発明は、請求項１の半導体レーザ保護回路を構成するフレキシブルプリント配線板であって、
前記抵抗体は、該フレキシブルプリント配線板のパターン上に施される導電性材料から成ることを特徴とするフレキシブルプリント配線板である。

本発明に従えば、フレキシブルプリント基板は半導体レーザ保護回路を構成する。前記半導体レーザ保護回路に含まれる抵抗体は、パターン上に施される導電性材料から成るので、チップ抵抗器を含む半導体レーザ保護回路に比べて半導体レーザ保護回路の製造コストの低減を図ることができる。

また本発明は、前記導電性材料は、導電性塗料または導電性シール材であることを特徴とする。

本発明に従えば、導電性材料を導電性塗料または導電性シール材によって実現することができる。

また本発明は、請求項４または５のフレキシブルプリント配線板を含む光ピックアップ装置であって、
前記抵抗体は、ピックアップ調整終了後に前記フレキシブルプリント配線板から除去可能に構成されることを特徴とする光ピックアップ装置である。

本発明に従えば、光ピックアップ装置はフレキシブルプリント配線板を含む。ピックアップ調整時には、前記フレキシブルプリント配線板のパターン上に抵抗体が施されており、これによって半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。このピックアップ調整終了後には、前記抵抗体を前記フレキシブルプリント配線板から除去する。

また本発明は、前記導電性塗料から成る前記抵抗体は、ピックアップ調整終了後に、払拭によって前記フレキシブルプリント配線板から除去可能に構成されることを特徴とする。

本発明に従えば、ピックアップ調整時には、前記フレキシブルプリント配線板のパターン上に抵抗体が施されており、これによって半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。このピックアップ調整終了後には、前記導電性塗料から成る前記抵抗体を、前記フレキシブルプリント配線板から払拭によって除去する。

また本発明は、前記導電性シール材から成る前記抵抗体は、ピックアップ調整終了後に、剥離によって前記フレキシブルプリント配線板から除去可能に構成されることを特徴とする。

本発明に従えば、ピックアップ調整時には、前記フレキシブルプリント配線板のパターン上に抵抗体が施されており、これによって半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。このピックアップ調整終了後には、前記導電性シール材から成る前記抵抗体を、前記フレキシブルプリント配線板から剥離によって除去する。

また本発明は、前記半導体レーザと並列に接続され、かつ前記抵抗体と直列に接続されるショートパターンをさらに有することを特徴とする。

本発明に従えば、ショートパターンは、前記半導体レーザと並列に接続され、かつ前記抵抗体と直列に接続されている。したがって半導体レーザ保護回路に対する抵抗体の接続状態を、ショートパターンに依存して決定することができる。

また本発明は、前記ショートパターンを離断することで、前記抵抗体は、該抵抗体を含む半導体レーザ保護回路から切断可能に構成されることを特徴とする。

本発明に従えば、前記ショートパターンが特に抵抗体に直列に接続されているので、該ショートパターンを離断することによって、前記抵抗体を半導体レーザ保護回路から切断することができる。

また本発明は、前記半導体レーザおよび抵抗体と並列に接続されるショートパターンをさらに有することを特徴とする。

本発明に従えば、前記半導体レーザおよび前記抵抗体と並列に接続されるショートパターンを設けたので、この半導体レーザ保護回路の搬送時などには、前記ショートパターンをショートすることによって、前記半導体レーザを静電気破壊から保護することができる。

また本発明は、請求項６〜８のいずれか１つの光ピックアップ装置をピックアップ調整するための方法であって、
ピックアップ調整するとき、前記半導体レーザに電流を供給する端子に、ピックアップ調整時以外において該半導体レーザに供給すべき電流より、大きな電流を供給することを特徴とするピックアップ調整方法である。

本発明に従えば、ピックアップ調整するとき、前記半導体レーザに電流を供給する端子に、このピックアップ調整時以外において該半導体レーザに供給すべき電流より、大きな電流を供給する。つまり光ピックアップ装置が実際に機器に組み込まれたときと同じ状態で半導体レーザを発光させてピックアップ調整することができる。

本発明によれば、抵抗体が半導体レーザと並列に接続されているので、従来技術のように、はんだの盛り付けおよび除去を繰り返す必要がなくなる。つまり半導体レーザ保護回路を含む機器、装置の製造工程において、半導体レーザの静電気破壊を防止すべくショートパターンにはんだを盛り付け、その後の工程において前記はんだを都度除去する手間を省略することができる。前記抵抗体によって、半導体レーザの静電気破壊を確実に防止することができるとともに、工数削減を図ることが可能となる。

逆に言えば、前記半導体レーザの動作には影響を与えない程度の高抵抗に前記抵抗体の抵抗値が設定されることで、前記機器、装置の調整時または組み込み時においても前記抵抗体を除去する必要が無くなる。したがって組立工数を削減することができるとともに、半導体レーザの静電気破壊を確実に防止することができる。しかも組み込み時のはんだ除去不十分に起因する機器、装置の動作不良も防止し得る。

また本発明によれば、チップ抵抗器によって抵抗体を実現することができ、一般的に用いる抵抗器を含む半導体レーザ保護回路に比べて半導体レーザ保護回路の製造コストの低減を図ることが可能となる。

また本発明によれば、半導体レーザ保護回路の組み込み前段階では、チップ抵抗器を該半導体レーザ保護回路から除去することなく、該半導体レーザ保護回路を組み込むべき機器を調整する。このとき半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。その後チップ抵抗器を簡単かつ確実に除去し得る。これによって半導体レーザ保護回路の組み込み後、チップ抵抗器に余計な電流が流れないようにすることができる。したがって機器の省電力化に貢献することができる。

また本発明によれば、半導体レーザ保護回路に含まれる抵抗体は、パターン上に施される導電性材料から成るので、チップ抵抗器を含む半導体レーザ保護回路に比べて半導体レーザ保護回路の製造コストの低減を図ることができる。したがってフレキシブルプリント配線板の製造コストを従来のものより一層低減することができる。

また本発明によれば、導電性材料を導電性塗料または導電性シール材によって実現することができる。

また本発明によれば、ピックアップ調整時には、前記フレキシブルプリント配線板のパターン上に抵抗体が施されており、これによって半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。このピックアップ調整終了後には、前記抵抗体を前記フレキシブルプリント配線板から除去する。したがって半導体レーザの所望の出力を得ることができるうえ、ピックアップ調整終了後、前記抵抗体に余計に電流が流れないようにすることができる。それ故、光ピックアップ装置を組み込むべき機器、装置の省電力化に貢献することができる。

また本発明によれば、ピックアップ調整時には、フレキシブルプリント配線板のパターン上に抵抗体が施されており、これによって半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。このピックアップ調整終了後には、導電性塗料から成る前記抵抗体を、前記フレキシブルプリント配線板から払拭によって除去する。抵抗体を特に払拭によって除去し得るので、抵抗体の除去を一層簡単化しその分、工数削減を図ることができる。

また本発明によれば、ピックアップ調整時には、フレキシブルプリント配線板のパターン上に抵抗体が施されており、これによって半導体レーザの静電気破壊を防止することができる。このピックアップ調整終了後には、導電性シール材から成る前記抵抗体を、前記フレキシブルプリント配線板から剥離によって除去する。抵抗体を特に剥離によって除去し得るので、抵抗体の除去を一層簡単化しその分、工数削減を図ることができる。

また本発明によれば、ショートパターンは、前記半導体レーザと並列に接続され、かつ前記抵抗体と直列に接続されているので、半導体レーザ保護回路に対する抵抗体の接続状態を、ショートパターンに依存して決定することができる。

また本発明によれば、ショートパターンを離断することによって、前記抵抗体を半導体レーザ保護回路から切断することができる。したがって光ピックアップ装置の調整、組立の自動化を図ることができる。それ故、組立工数の削減を一層図ることができる。

また本発明によれば、前記半導体レーザおよび前記抵抗体と並列に接続されるショートパターンを設けたので、この半導体レーザ保護回路の搬送時などには、前記ショートパターンをショートすることによって、半導体レーザ保護回路に抵抗体のみが設けられる場合よりも、より確実に前記半導体レーザを静電気破壊から保護することができる。

また本発明によれば、ピックアップ調整するとき、前記半導体レーザに電流を供給する端子に、このピックアップ調整時以外において該半導体レーザに供給すべき電流より、大きな電流を供給する。つまり光ピックアップ装置が実際に機器に組み込まれたときと同じ状態で半導体レーザを発光させてピックアップ調整することができる。したがってピックアップ調整を正確に行うことが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ保護回路を示し、図１（ａ）は、半導体レーザ１０と並列に接続される抵抗体１１等を表す回路図、図１（ｂ）は、抵抗体としてのチップ抵抗器１２を拡大して示す図、図１（ｃ）は、導電性塗料から成る抵抗体１３を拡大して示す図、図１（ｄ）は、導電性シール材から成る抵抗体１４を拡大して示す図である。本第１の実施形態に係る半導体レーザ保護回路は、光ピックアップ装置に適用される。以下の説明は、ピックアップ調整方法の説明をも含む。

第１の実施形態に係る半導体レーザ保護回路（第１回路と称す）を構成するフレキシブルプリント配線板の少なくとも一部は、光ピックアップ装置の図示外のベースフレームなどに設けられる。図１（ａ）に示すように、第１回路は、半導体レーザ１０と、この半導体レーザ１０に並列に接続されるコンデンサ１５と、これら半導体レーザ１０およびコンデンサ１５に並列に接続される抵抗体１１とを有する。前記コンデンサ１５を半導体レーザ１０に並列に接続することで、周波数領域が制限されてサージ防止およびノイズ防止を図り得る。

図１（ｂ）に示すように、抵抗体であるチップ抵抗器１２は、第１回路のパターン１６上にはんだ付けされて固着される。前記チップ抵抗器１２を「チップ抵抗１２」という場合もある。チップ抵抗１２の抵抗値は、半導体レーザ１０の動作には影響を与えない程度の高抵抗に設定されている。第１の実施形態においては、抵抗体としてチップ抵抗１２が適用されるが、抵抗体は必ずしもこのチップ抵抗１２に限定されるものではない。たとえば図１（ｃ）に示すように、導電性塗料から成る抵抗体１３を適用してもよい。前記導電性塗料は、フレキシブルプリント配線板ＦＰＣのパターン１６上に施されて、抵抗体を成す。この導電性塗料から成る抵抗体１３は、ピックアップ調整終了後に、払拭によって前記フレキシブルプリント配線板ＦＰＣから除去可能に構成されている。このパターン１６上に施された導電性塗料は、導電性塗膜と同義である。図１（ｄ）に示すように、導電性シール材から成る抵抗体１４を適用してもよい。前記導電性シール材は、フレキシブルプリント配線板ＦＰＣのパターン１６上に貼着されて、抵抗体１４を成す。この導電性シール材から成る抵抗体１４は、ピックアップ調整終了後に、剥離によって前記フレキシブルプリント配線板ＦＰＣから除去可能に構成されている。これら導電性塗料および導電性シール材が導電性材料に相当する。

以上説明した第１の実施形態に係る半導体レーザ保護回路によれば、抵抗体１１が半導体レーザ１０と並列に接続されているので、従来技術のように、はんだの盛り付けおよび除去を繰り返す必要がなくなる。つまり光ピックアップ装置の製造工程において、半導体レーザ１０の静電気破壊を防止すべくショートパターンにはんだを盛り付け、その後の工程において前記はんだを都度除去する手間を省略することができる。前記抵抗体１１によって、半導体レーザ１０の静電気破壊を確実に防止することができるとともに、工数削減を図ることが可能となる。

抵抗体としてのチップ抵抗１２の抵抗値は、半導体レーザ１０の動作には影響を与えない程度の高抵抗に設定されているので、光ピックアップ装置のピックアップ調整時または組み込み時においても、前記チップ抵抗１２を除去する必要がなくなる。したがって組立工数を削減することができるとともに、半導体レーザ１０の静電気破壊を確実に防止することができる。しかも組み込み時のはんだ除去不十分に起因する機器、ピックアップ装置の動作不良も防止し得る。抵抗体としてチップ抵抗１２が適用されているので、一般的に用いる抵抗器を含む半導体レーザ保護回路に比べて、半導体レーザ保護回路の製造コストの低減を図ることが可能となる。しかも注入電流に対する半導体レーザ１０の光出力特性、いわゆるＬ−Ｉ特性（Ｌ−Ｉ：Light output-Injection current）を安定化することが可能となる。

前記ピックアップ調整するとき、半導体レーザ１０に電流を供給する端子に、ピックアップ調整時以外においてこの半導体レーザ１０に供給すべき電流より、大きな電流を供給するようになっている。このピックアップ調整方法によれば、光ピックアップ装置が実際に機器に組み込まれたときと同じ状態で半導体レーザ１０を発光させてピックアップ調整することができる。したがってピックアップ調整を正確に行うことが可能となる。

図１（ｃ）に示すように、導電性塗料から成る抵抗体１３が適用された場合には、チップ抵抗１２を適用するよりも半導体レーザ保護回路の製作費を低減することができる。しかも導電性塗料をパターン１６上に塗布するだけで導通状態にすることができるので、はんだ付けによって導通を図る抵抗体に比べて、工数の削減を図ることができる。導電性塗料から成る抵抗体１３は、ピックアップ調整終了後に、払拭によって前記フレキシブルプリント配線板ＦＰＣから除去可能に構成されているので、抵抗体１３の除去を従来技術のものより簡単化しその分、工数削減を図ることができる。

図１（ｄ）に示すように、導電性シール材から成る抵抗体１４が適用された場合にも、チップ抵抗１２を適用するよりも半導体レーザ保護回路の製作費を低減することができる。しかも導電性シール材をパターン１６上に貼着するだけで導通状態にすることができるので、はんだ付けによって導通を図る抵抗体に比べて、工数の削減を図ることができる。導電性シール材から成る抵抗体１４は、ピックアップ調整終了後に、剥離によってフレキシブルプリント配線板ＦＰＣから除去可能に構成されているので、抵抗体１４の除去を従来技術のものより簡単化しその分、工数削減を図ることができる。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ保護回路を示し、図２（ａ）は、半導体レーザ１０と並列に接続され、かつ抵抗体１１と直列に接続されるショートパターン１７等を表す回路図、図２（ｂ）は、ショートパターン１７にはんだ１８が盛り付けられた状態を拡大して示す図、図２（ｃ）は、ショートパターン１７にパンチ下穴１９が形成されたものを拡大して示す図である。ただし第１の実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図２（ａ）に示すように、第２の実施形態に係る半導体レーザ保護回路（第２回路と称す）は、半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に並列に接続されるコンデンサ１５と、これら半導体レーザ１０およびコンデンサ１５に並列に接続される抵抗体１１と、半導体レーザ１０およびコンデンサ１５に並列に接続され、かつ前記抵抗体１１と直列に接続されるショートパターン１７とを有する。第２の実施形態においては、抵抗体としてチップ抵抗１２が適用される。ただし抵抗体として、導電性塗料から成る抵抗体１３または導電性シール材から成る抵抗体１４を適用し得る。

前記ショートパターン１７上には、図２（ｂ）に示すように、はんだ１８が盛り付けられている。このショートパターン１７は、半導体レーザ１０と並列に接続されるうえ、特に抵抗体１１と直列に接続されているので、第２回路に対する抵抗体１１の接続状態を、前記ショートパターン１７に依存して決定することができる。つまりショートパターン１７上にはんだ１８が盛り付けられている状態では、前記抵抗体１１およびショートパターン１７を介して電流を逃がすことができる。ショートパターン１７を離断することによって、前記抵抗体１１を第２回路から切断することができる。したがって光ピックアップ装置の調整、組立の自動化を図ることができる。それ故、組立工数の削減を一層図ることができる。前記ショートパターン１７は、図２（ｃ）に示すように、除去手段であるパンチを用いてパンチ下穴１９に沿って容易に離断することができる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。

図３は、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ保護回路を示し、図３（ａ）は、半導体レーザ１０および抵抗体１１と並列に接続されるショートパターン２０等を表す回路図、図３（ｂ）は、ショートパターン２０にはんだ２１が盛り付けられた状態を拡大して示す図、図３（ｃ）は、ショートパターン２０にパンチ下穴２２が形成されたものを拡大して示す図である。第２の実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

第３の実施形態に係る半導体レーザ保護回路（第３回路と称す）は、半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に並列に接続されるコンデンサ１５と、これら半導体レーザ１０およびコンデンサ１５に並列に接続される抵抗体１１と、ショートパターン２０とを有する。前記ショートパターン２０は、半導体レーザ１０、コンデンサ１５および抵抗体１１に並列に接続されている。前記ショートパターン２０上には、図３（ｂ）に示すように、はんだ２１が盛り付けられている。第３回路によれば、特に半導体レーザ１０および前記抵抗体１１と並列に接続されるショートパターン２０を設けたので、この第３回路の搬送時などには、前記ショートパターン２０をショートすることによって、第３回路に抵抗体のみが設けられる場合よりも、より確実に前記半導体レーザ１０を静電気破壊から保護することができる。前記ショートパターン２０は、図３（ｃ）に示すように、除去手段であるパンチを用いてパンチ下穴２２に沿って容易に離断することができる。その他第１および第２の実施形態と同様の効果を奏する。

図４は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ保護回路に係り、図４（ａ）は、抵抗体自体をパンチで切除した状態を拡大して示す図、図４（ｂ）は、抵抗体１２に直列に接続されるショートパターン２３をパンチで切除した状態を拡大して示す図、図４（ｃ）は、抵抗体１２に並列に接続されるショートパターン２４をパンチで切除した状態を拡大して示す図である。

図４（ａ）に示すように、チップ抵抗、導電性塗料から成る抵抗体および導電性シール材から成る抵抗体の少なくともいずれか一つは、半導体レーザ保護回路２５から除去手段であるパンチによって除去可能に構成されている。半導体レーザ保護回路２５のうち抵抗体が設けられていた領域に、パンチ穴２６が形成されている。ただし除去手段はパンチのみによって限定されるものではない。図４（ｂ）に示すように、抵抗体１２に直列に接続されるショートパターン２３を、除去手段であるパンチによって除去可能に構成してもよい。このショートパターン２３には、前記パンチで切除したパンチ穴２７が形成されている。図４（ｃ）に示すように、抵抗体１２に並列に接続されるショートパターン２４を、除去手段であるパンチによって除去可能に構成してもよい。このショートパターン２４には、前記パンチで切除したパンチ穴２８が形成されている。ただし除去手段はパンチのみによって限定されるものではない。

以上説明した図４に示す実施形態によれば、半導体レーザ保護回路の組み込み前段階では、除去手段によって除去対象を除去することなく、光ピックアップ装置を調整する。このとき半導体レーザ１０の静電気破壊を防止することができる。その後除去対象物を除去手段によって簡単かつ確実に除去し得る。これによって半導体レーザ保護回路の組み込み後、抵抗体１１に余計な電流が流れないようにすることができる。したがって機器の省電力化に貢献することができる。

本発明の実施の他の形態として、チップ抵抗器以外の抵抗器を適用することも可能である。各実施形態において、コンデンサを省略した回路構造にする場合もある。本実施形態の半導体レーザ保護回路に、発明特定事項である抵抗体等による効果を逸脱しない範囲において、その他の電子部品を付加することも可能である。

本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ保護回路を示し、図１（ａ）は、半導体レーザ１０と並列に接続される抵抗体１１等を表す回路図、図１（ｂ）は、抵抗体としてのチップ抵抗器１２を拡大して示す図、図１（ｃ）は、導電性塗料から成る抵抗体１３を拡大して示す図、図１（ｄ）は、導電性シール材から成る抵抗体１４を拡大して示す図である。本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ保護回路を示し、図２（ａ）は、半導体レーザ１０と並列に接続され、かつ抵抗体１１と直列に接続されるショートパターン１７等を表す回路図、図２（ｂ）は、ショートパターン１７にはんだ１８が盛り付けられた状態を拡大して示す図、図２（ｃ）は、ショートパターン１７にパンチ下穴１９が形成されたものを拡大して示す図である。本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ保護回路を示し、図３（ａ）は、半導体レーザ１０および抵抗体１１と並列に接続されるショートパターン２０等を表す回路図、図３（ｂ）は、ショートパターン２０にはんだ２１が盛り付けられた状態を拡大して示す図、図３（ｃ）は、ショートパターン２０にパンチ下穴２２が形成されたものを拡大して示す図である。本発明の実施形態に係る半導体レーザ保護回路に係り、図４（ａ）は、抵抗体自体をパンチで切除した状態を拡大して示す図、図４（ｂ）は、抵抗体１２に直列に接続されるショートパターン２３をパンチで切除した状態を拡大して示す図、図４（ｃ）は、抵抗体１２に並列に接続されるショートパターン２４をパンチで切除した状態を拡大して示す図である。従来の半導体レーザ保護回路を示し、図５（ａ）は、半導体レーザＬＤとショートパターンＳとの接続関係を示す回路図、図５（ｂ）は、ショートパターンＳを拡大して示す平面図、図５（ｃ）は、ショートパターン付近の要部断面図である。従来技術に係るショートパターン２の平面図である。別の従来技術に係るショートパターン４の平面図である。別の従来技術に係るショートパターン４の要部を拡大して示す平面図である。

符号の説明

１０半導体レーザ
１１，１３，１４抵抗体
１２チップ抵抗
１７ショートパターン
ＦＰＣフレキシブルプリント配線板

Claims

半導体レーザの保護回路であって、
前記半導体レーザと、
該半導体レーザと並列に接続される抵抗体とを有することを特徴とする半導体レーザ保護回路。
前記抵抗体はチップ抵抗器であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ保護回路。
前記チップ抵抗器は、該チップ抵抗器を含む半導体レーザ保護回路から除去手段によって除去可能に構成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ保護回路。
請求項１の半導体レーザ保護回路を構成するフレキシブルプリント配線板であって、
前記抵抗体は、該フレキシブルプリント配線板のパターン上に施される導電性材料から成ることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
前記導電性材料は、導電性塗料または導電性シール材であることを特徴とする請求項４に記載のフレキシブルプリント配線板。
請求項４または５のフレキシブルプリント配線板を含む光ピックアップ装置であって、
前記抵抗体は、ピックアップ調整終了後に前記フレキシブルプリント配線板から除去可能に構成されることを特徴とする光ピックアップ装置。
前記導電性塗料から成る前記抵抗体は、ピックアップ調整終了後に、払拭によって前記フレキシブルプリント配線板から除去可能に構成されることを特徴とする請求項６に記載の光ピックアップ装置。
前記導電性シール材から成る前記抵抗体は、ピックアップ調整終了後に、剥離によって前記フレキシブルプリント配線板から除去可能に構成されることを特徴とする請求項６に記載の光ピックアップ装置。
前記半導体レーザと並列に接続され、かつ前記抵抗体と直列に接続されるショートパターンをさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ保護回路。
前記ショートパターンを離断することで、前記抵抗体は、該抵抗体を含む半導体レーザ保護回路から切断可能に構成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ保護回路。
前記半導体レーザおよび抵抗体と並列に接続されるショートパターンをさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ保護回路。
請求項６〜８のいずれか１つの光ピックアップ装置をピックアップ調整するための方法であって、
ピックアップ調整するとき、前記半導体レーザに電流を供給する端子に、ピックアップ調整時以外において該半導体レーザに供給すべき電流より、大きな電流を供給することを特徴とするピックアップ調整方法。