JP2006038774A - Apparatus for evaluating near-field light - Google Patents

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Ippei Suzuki
一平 鈴木
Hiroshi Fuji
寛 藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for evaluating near-field light, capable of accurately discriminating the near-field light from other light (especially interference light) in the vicinity of a near-field light generating element. <P>SOLUTION: The apparatus for evaluating the near-field light is equipped with a scatterer 10 for scattering light; a photodetector 14 which detects the light being scattered by the scatterer 10; a position-changing mechanism 12 which changes the position of the scatterer 10 vertically, in relation to the near-field light 60; and a control section 15 calculating the difference between a first photo detection data which are obtained, by detecting the scattered light in the case the scatterer is arranged on the surface of the near-field light 60; and a second photodetection data which are obtained by detecting the scattered light in the case the scattering means is heightened by a distance Z from a position of the scattering means where above first photodetection data are obtained. According to the apparatus for evaluating the near-field, the distance Z makes the near-field light attenuated, but the other lights are not attenuated, and light can accurately discriminate the near-field light from the other light (especially interference light). <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、近接場光を発生させるための近接場光発生素子について評価する近接場光評価装置に関し、より詳細には、近接場光発生素子により発生する近接場光の分布(例えば、面内分布)を評価する近接場光評価装置に関するものである。   The present invention relates to a near-field light evaluation apparatus that evaluates a near-field light generating element for generating near-field light, and more particularly, a distribution (for example, in-plane) of near-field light generated by a near-field light generating element. The present invention relates to a near-field light evaluation apparatus for evaluating distribution.

近年、一般的な光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡とは異なる原理に基づく近接場顕微鏡が開発され、その応用が期待されている。この近接場顕微鏡とは、いわゆる近接場光を検出するものである。この近接場光について、以下、簡単に説明する。   In recent years, a near-field microscope based on a principle different from a general optical microscope or electron microscope has been developed, and its application is expected. This near-field microscope detects so-called near-field light. This near-field light will be briefly described below.

光の波長よりもずっと小さい直径の粒子に光を当てた場合、その粒子の周辺で、局在した電磁場が発生する。これを近接場光と呼んでいる。   When light is applied to a particle with a diameter much smaller than the wavelength of the light, a localized electromagnetic field is generated around the particle. This is called near-field light.

散乱光も近接場光も、入射光が球に当たったときに、球内部に誘起される電気双極子が源となって発生する電磁場である。ただし、散乱光は遠方にまで伝わるのに対し、近接場光のエネルギーは球面状に沿うようにして集中し、球から離れた位置では観測することはできない。しかも、近接場光が分布しているのは、粒子からその粒子の直径程度の距離だけであるといわれている。したがって、遠方に光検出器を設置しても、粒子にへばりついた近接場光の存在を知ることはできない。   Both scattered light and near-field light are electromagnetic fields generated by electric dipoles induced inside the sphere when incident light hits the sphere. However, while the scattered light travels far away, the energy of the near-field light concentrates along the spherical shape and cannot be observed at a position away from the sphere. Moreover, it is said that the near-field light is distributed only from the particle at a distance that is about the diameter of the particle. Therefore, even if a photodetector is installed at a distant location, it is impossible to know the presence of near-field light that has clung to particles.

そこで、この近接場光を検出するために、近接場光を発している粒子のそばに、別の粒子を置き近接場光を散乱させることにより、近接場光を検出することができる。すなわち、散乱された近接場光は、遠方にまで伝搬することが可能なので、その一部が光検出器で観測される。ここで、散乱手段としての粒子を、近接場光を発する粒子のまわりで走査させ、散乱された近接場光を観測することにより、近接場光を発する粒子の形状を知ることができる。つまり、散乱手段としての粒子はプローブ(probe)としての役割を果たしており、この原理を利用すれば、近接場光を利用した顕微鏡「近接場光学顕微鏡(SNOM;Scanning Near-field Optical Microscopy, NSOM;Near-field Scanning Optical Microscopy, NOM;Near-field Optical Microscopyなどとも称する)」を作製することができる。   Therefore, in order to detect the near-field light, the near-field light can be detected by placing another particle near the particle emitting the near-field light and scattering the near-field light. That is, since the scattered near-field light can propagate far away, a part of it is observed by the photodetector. Here, the shape of the particles emitting near-field light can be known by scanning the particles as the scattering means around the particles emitting near-field light and observing the scattered near-field light. In other words, the particles as the scattering means play a role as a probe, and if this principle is used, a microscope using a near-field light, “near-field optical microscope (SNOM; Scanning Near-field Optical Microscopy, NSOM; Near-field Scanning Optical Microscopy, NOM; also referred to as Near-field Optical Microscopy) ”.

例えば、特許文献1には、試料の微細構造により生じたエバネッセント光(近接場光)の場に先端の鋭いプローブを挿入し、エバネッセント光とプローブ間の相互作用により生じた散乱光を検出することで試料の微細構造を計測することができる走査型光学顕微鏡装置について開示されている。   For example, in Patent Document 1, a probe having a sharp tip is inserted in the field of evanescent light (near-field light) generated by the fine structure of the sample, and scattered light generated by the interaction between the evanescent light and the probe is detected. Discloses a scanning optical microscope apparatus capable of measuring the fine structure of a sample.

ここで、SNOMには、近接場光を発生させる近接場光発生素子が使用される。この近接場光発生素子は、例えば、微細な構造体(開口など)に光を入射して、構造体周辺に近接場光が発生させる構成である。しかし、このような近接場光発生素子において、入射光の全てが近接場光となるわけではなく、ほとんどは反射光・透過光・熱になり、近接場光となるのは入射光の一部のみである。   Here, a near-field light generating element that generates near-field light is used for SNOM. This near-field light generating element has a configuration in which, for example, light enters a fine structure (such as an opening) and near-field light is generated around the structure. However, in such a near-field light generating element, not all of the incident light becomes near-field light, but most of the incident light becomes reflected light, transmitted light, and heat, and the near-field light is part of the incident light. Only.

このため、近接場光発生素子の近傍には、近接場光だけでなく、入射光の反射光や透過光等からなる余分な光、いわゆる“光のノイズ”が存在する。かかる光のノイズを除去するために、例えば、特許文献2には、プローブと、光源を含む光照射手段と、光採取手段と、算出手段とを有し、光の照射によって発生する近接場光の場から試料またはプローブを隔離または近接場光の場の浅い位置に配置して、光採取手段によってノイズを検出し、前記光の照射によって発生する近接場光の場に試料またはプローブを深く挿入して、光採取手段によって光強度を検出して、算出手段によって、前記光強度からノイズを差し引いた測定結果を算出する近接場顕微鏡が開示されている。かかる近接場顕微鏡によれば、測定結果からノイズの影響を除去することができると報告されている。
特開平6−137847号公報(平成6年(1994)年5月20日公開) 特開2002−148172号公報(平成14年(2002)年5月22日公開)
Therefore, in the vicinity of the near-field light generating element, there is not only near-field light but also extra light composed of reflected light or transmitted light of incident light, so-called “light noise”. In order to remove such light noise, for example, Patent Document 2 includes a probe, a light irradiation means including a light source, a light sampling means, and a calculation means, and near-field light generated by light irradiation. The sample or probe is isolated from the field or placed at a shallow position in the near-field light field, noise is detected by the light sampling means, and the sample or probe is inserted deeply into the near-field light field generated by the light irradiation. Then, a near-field microscope is disclosed in which the light intensity is detected by the light sampling means, and the measurement result is calculated by subtracting noise from the light intensity by the calculation means. According to such a near-field microscope, it is reported that the influence of noise can be removed from the measurement result.
JP-A-6-137847 (published on May 20, 1994) JP 2002-148172 A (published on May 22, 2002)

上記特許文献2に開示の近接場顕微鏡は、反射光からなるバックグラウンドを主とする“ノイズ”については除去することができる。しかし、近接場光発生素子の近傍に存在する“ノイズ”は、反射光からなるバックグラウンドノイズだけではない。入射光の反射光や透過光等によって発生する干渉光等のノイズも存在する。   The near-field microscope disclosed in Patent Document 2 can remove “noise” mainly including a background composed of reflected light. However, the “noise” present in the vicinity of the near-field light generating element is not only the background noise composed of reflected light. There is also noise such as interference light generated by reflected light or transmitted light of incident light.

しかしながら、これまで、近接場顕微鏡等に用いられる近接場光発生素子において、干渉光等のノイズの問題点については全く考慮されてこなかった。例えば、上記特許文献2に開示の近接場顕微鏡では、反射光によるバックグラウンドノイズは除去できるが、近接場光近傍にプローブを挿入したときに発生するノイズの空間分布を除去することはできない。   However, until now, no consideration has been given to noise problems such as interference light in a near-field light generating element used in a near-field microscope or the like. For example, the near-field microscope disclosed in Patent Document 2 can remove background noise due to reflected light, but cannot remove the spatial distribution of noise that occurs when a probe is inserted in the vicinity of near-field light.

上述のノイズの空間分布とは、サンプル表面に定在する干渉縞によるものである。プローブが径10nm程度の球のみであれば、この干渉縞はさほど問題とならないが、実際にはプローブは長さ数100nm程度の多角錐のため、広範囲の領域で干渉縞を反射・散乱し、その結果干渉光によるノイズが発生してしまう。特に、干渉光による干渉縞には空間分布があるため、走査するとノイズが変化し、近接場光と干渉光との見分けがつきにくい。   The noise spatial distribution described above is due to interference fringes standing on the sample surface. If the probe is only a sphere having a diameter of about 10 nm, the interference fringes are not so much a problem. However, since the probe is actually a polygonal pyramid having a length of about several hundred nm, the interference fringes are reflected and scattered in a wide area. As a result, noise due to interference light occurs. In particular, since interference fringes due to interference light have a spatial distribution, noise changes when scanning, and it is difficult to distinguish between near-field light and interference light.

本発明者は、上述したような、近接場光発生素子の近傍では干渉光の影響が大きく、近接場光とそれ以外の光(特に干渉光によるノイズ)との区別がつきにくいという、これまで全く考慮されてこなかった新規な課題を独自に見出した。   As described above, the inventor has a large influence of interference light in the vicinity of the near-field light generating element, and it has been difficult to distinguish between near-field light and other light (particularly noise due to interference light). I found a new problem that had not been considered at all.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、近接場光発生素子の近傍において、近接場光とその他の光(特に干渉光)とを正確に区別し得る、近接場光評価装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to accurately distinguish near-field light and other light (especially interference light) in the vicinity of the near-field light generating element. The object is to provide a near-field light evaluation apparatus.

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、近接場光の特徴である「発生源から離れると指数関数的に急激に強度が弱くなる」という性質を利用して、近接場光の発生源からの距離を変化させて散乱光を2回測定し、その差を算出することによって、干渉光等のノイズと近接場光とを分離できることを見出し、本願発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has made use of the property that the intensity of the near-field light “expands exponentially when it is separated from the source”, and the proximity Finding that noise such as interference light and near-field light can be separated by measuring the scattered light twice by changing the distance from the source of the field light and calculating the difference between them to complete the present invention It came.

すなわち、本発明に係る近接場光評価装置は、上記課題を解決するために、近接場光発生素子により発生した近接場光を評価するための近接場光評価装置において、光を散乱させる散乱手段と、上記散乱手段によって散乱された光を検出する光検出手段と、上記散乱手段の位置を、上記近接場光に対して鉛直方向に距離Z移動させる位置変更手段と、上記位置変更手段が散乱手段の位置を距離Z移動させる前後において散乱光を測定し、これら移動前後における2つの光検出データの差を算出する算出手段と、を備え、上記距離Zは、近接場光は減衰するが、それ以外の光は減衰しない距離であることを特徴としている。   That is, the near-field light evaluation apparatus according to the present invention is a scattering means for scattering light in a near-field light evaluation apparatus for evaluating near-field light generated by a near-field light generating element in order to solve the above-described problem. A light detecting means for detecting the light scattered by the scattering means, a position changing means for moving the position of the scattering means by a distance Z in the vertical direction with respect to the near-field light, and the position changing means Measuring means for measuring scattered light before and after moving the position of the means by a distance Z, and calculating a difference between the two light detection data before and after the movement, wherein the distance Z attenuates near-field light, Other light is a distance that does not attenuate.

上記の構成によれば、近接場光の発生源(近接場光発生素子)からの距離を変えて、散乱光の測定を2回行うことができる。近接場光はその発生源から離れるについて、急激に減する一方、その他の光のノイズはほとんど減衰しないため、得られた2つの光検出データの差分を求めることにより、干渉光より変化(減衰)の大きい近接場光が強調されることになる。   According to the above configuration, the scattered light can be measured twice by changing the distance from the near-field light generation source (near-field light generating element). The near-field light decreases rapidly as it moves away from its source, while the noise of other light is hardly attenuated. Therefore, the difference (attenuation) from the interference light is obtained by obtaining the difference between the two obtained light detection data. A large near-field light is emphasized.

このため、本発明に係る近接場光評価装置によれば、近接場光発生素子の近傍において、近接場光とその他の光(特に干渉光)とを正確に区別することができる。これにより、例えば、近接場光発生素子から離れると、近接場光はどの程度減衰するのか等の情報や近接場光の分布の測定等の評価を行うことができる。   Therefore, the near-field light evaluation apparatus according to the present invention can accurately distinguish near-field light and other light (particularly interference light) in the vicinity of the near-field light generating element. Thereby, for example, information such as how much near-field light is attenuated when it is separated from the near-field light generating element, evaluation of measurement of the distribution of near-field light, and the like can be performed.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、さらに、上記算出手段は、上記散乱手段を、上記近接場光発生素子における近接場光が発生している表面又はその極近傍に配置した際に散乱される光を検出した第1の光検出データと、上記散乱手段を、上記第1の光検出データを取得する際における散乱手段の位置から距離Z移動させて配置した際に散乱される光を検出した第2の光検出データと、の差を算出するものことが好ましい。   Moreover, in the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the calculation means further includes the scattering means when arranged on the surface of the near-field light generating element where the near-field light is generated or in the very vicinity thereof. First light detection data that detects scattered light, and light that is scattered when the scattering means is arranged by moving the distance Z from the position of the scattering means when acquiring the first light detection data. It is preferable to calculate a difference from the second photodetection data in which is detected.

上記の構成によれば、近接場光が発生している表面又はその極近傍において、まず第1の光検出データを得る。次いで、その近接場光の発生源から距離Z離れた位置において第2の光検出データを得る。そして、これら第1の光検出データと第2の光検出データとの差分を求めることにより、正確かつ簡便に近接場光とその他の光(特に干渉光)とを区別することができる。なお、ここでいう「近接場光が発生している表面又はその極近傍」とは、近接場光発生素子における近接場光が発生している表面において、近接場光を発生させる発生源およびその付近の領域をいう。例えば、近接場光が微小開口部に光を集光することよって発生する場合は、近接場光発生素子における近接場光が発生している表面において、該微小開口部およびその近傍の領域をいう。   According to the above configuration, first photodetection data is first obtained on the surface where near-field light is generated or in the very vicinity thereof. Next, second light detection data is obtained at a position away from the near-field light source by a distance Z. And by calculating | requiring the difference of these 1st optical detection data and 2nd optical detection data, a near field light and other lights (especially interference light) can be distinguished correctly and easily. As used herein, the “surface on which near-field light is generated or the vicinity thereof” refers to a generation source that generates near-field light on the surface of the near-field light generating element that generates near-field light, and its source A nearby area. For example, when the near-field light is generated by condensing the light on the minute opening, the minute opening and the area in the vicinity thereof on the surface where the near-field light is generated in the near-field light generating element. .

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記近接場光素子における近接場光が発生している表面に対して水平方向に、上記散乱手段を走査させる走査手段を備え、上記算出手段は、上記位置変更手段が散乱手段の位置を距離Z移動させる前後で、上記散乱手段を走査させた際に散乱される光を検出し、2つの光検出データの差を算出するものであることが好ましい。   In the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the near-field light evaluation apparatus includes scanning means for scanning the scattering means in a horizontal direction with respect to the surface of the near-field light element where the near-field light is generated. The position changing means detects the light scattered when the scattering means is scanned before and after moving the position of the scattering means by the distance Z, and calculates the difference between the two light detection data. preferable.

上記の構成によれば、走査手段を備えているため、近接場光発生素子の近傍に発生している近接場光を、1次元的または2次元的に走査して評価することができる。このため、近接場光の面内分布を測定することができる。なお、上記走査手段は、少なくとも1軸(例えば、x軸)走査を可能とする1軸走査手段であればよいが、さらには、2軸(x軸、y軸)走査を可能とする2軸走査手段であることがより好適である。   According to the above configuration, since the scanning unit is provided, the near-field light generated in the vicinity of the near-field light generating element can be evaluated by scanning one-dimensionally or two-dimensionally. For this reason, the in-plane distribution of near-field light can be measured. The scanning unit may be a single-axis scanning unit that enables at least one-axis (for example, x-axis) scanning, but further, two-axis scanning that enables two-axis (x-axis, y-axis) scanning. More preferably, it is scanning means.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記走査手段は、上記第2の光検出データを取得する際の走査ラインとして、上記第1の光検出データを取得する際の走査ラインと同じ走査ラインであって、上記近接場光発生素子に対して鉛直方向に距離Z移動させた位置にて走査させるものであることが好ましい。   Moreover, in the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the scanning unit is the same as the scanning line for acquiring the first light detection data as the scanning line for acquiring the second light detection data. It is preferable that scanning is performed at a position that is a distance Z moved in the vertical direction with respect to the near-field light generating element.

上記の構成によれば、第1走査では表面またはその極近傍を走査し、第2走査では第1操作より一定量オフセットをかけて走査するという、走査型プローブ顕微鏡における、いわゆる“2パス方式”にて走査することができる。このため、確実に近接場光の面内分布を測定することができる。   According to the above configuration, a so-called “two-pass method” in a scanning probe microscope in which the surface is scanned in the first scan or the vicinity thereof, and the second scan is performed with a certain amount of offset from the first operation. Can be scanned. For this reason, the in-plane distribution of near-field light can be reliably measured.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、さらに、上記散乱手段を振動させるための加振手段と、発振手段と、微少信号測定手段と、を備える近接場光評価装置であって、上記加振手段は、上記発振手段に同期した信号にて散乱手段を振動させるものであり、上記微少信号測定手段は、上記光検出手段が検出した信号のうち、上記発振手段に同期した信号のみを選択的に検出するとともに、該選択的に検出した信号のみを上記算出手段に対して出力するものであることが好ましい。   In the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the near-field light evaluation apparatus further includes a vibration means for vibrating the scattering means, an oscillation means, and a minute signal measurement means, The exciting means vibrates the scattering means with a signal synchronized with the oscillating means, and the minute signal measuring means only detects a signal synchronized with the oscillating means among signals detected by the light detecting means. It is preferable to selectively detect and output only the selectively detected signal to the calculating means.

上記の構成によれば、走査プローブ顕微鏡における、いわゆる“タッピングモード”にて走査を行うことができる。さらに、散乱手段のタッピング周期と、微少信号測定装置(ロックインアンプ)が検出する信号とを同期させているため、定常のノイズ(蛍光灯の光等)や透過光の影響を確実に除くことができる。   According to the above configuration, scanning can be performed in a so-called “tapping mode” in the scanning probe microscope. In addition, since the tapping period of the scattering means and the signal detected by the minute signal measuring device (lock-in amplifier) are synchronized, the effects of stationary noise (fluorescent light, etc.) and transmitted light are surely removed. Can do.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する光源が発する入射光の波長より小さいことが好ましい。   In the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, it is preferable that the distance Z is smaller than the wavelength of incident light emitted from a light source included in the near-field light generating element.

近接場光の存在する領域は、近接場光の発生源から、光源が発する光の波長以下の距離であると考えられているためである。   This is because the region where the near-field light exists is considered to be a distance equal to or shorter than the wavelength of the light emitted from the light source from the generation source of the near-field light.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する光源が発する入射光の波長の1/2より小さいことが好ましい。   In the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the distance Z is preferably smaller than ½ of the wavelength of incident light emitted from the light source included in the near-field light generating element.

本発明において、近接場光と最も区別したいノイズは干渉光である。かかる干渉光は、近接場光発生素子の微小開口部の近傍に定在しており、光源波長オーダーで変化するものである。具体的には、光源波長の半波長ごとに明暗の繰り返しの干渉縞が発生する。   In the present invention, the noise most desired to be distinguished from near-field light is interference light. Such interference light is present in the vicinity of the minute aperture of the near-field light generating element, and changes in the order of the light source wavelength. Specifically, repeated light and dark interference fringes are generated for each half wavelength of the light source wavelength.

したがって、干渉縞の明暗の繰り返し間隔である、光源波長の1/2波長以下に距離Zを設定することにより、散乱手段は、鉛直方向の移動によって、干渉縞の明暗の境目を越えることがない。このため、干渉縞の明暗の境目の変化と近接場光の減衰変化とを混同することがない。したがって、上記構成のように、距離Zを設定することにより、近接場光と干渉光とを正確に区別することができる。   Therefore, by setting the distance Z to be equal to or less than ½ wavelength of the light source wavelength, which is the light / dark repetition interval of the interference fringes, the scattering means does not cross the border between the light and darkness of the interference fringes due to movement in the vertical direction. . For this reason, there is no confusion between the change in the border between the bright and dark interference fringes and the attenuation change in the near-field light. Therefore, by setting the distance Z as in the above configuration, the near-field light and the interference light can be accurately distinguished.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する微小開口部の形状が円形である場合、該円形の径より小さいことが好ましい。   In the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the distance Z is preferably smaller than the diameter of the circular opening when the near-field light generating element has a circular shape.

近接場光発生素子において近接場光が分布する領域は、近接場光発生素子が有する円形の微小開口部から、該微小開口部の径程度の領域に限られると考えられている。このため、上記構成のように、距離Zを該微小開口部の径より小さくなるように設定することにより、近接場光は減衰するが、それ以外の光ノイズ(干渉光等)は減衰しない距離に好適に設定することができる。   It is considered that the region where the near-field light is distributed in the near-field light generating element is limited to a region about the diameter of the minute opening from the circular minute opening included in the near-field light generating element. Therefore, by setting the distance Z to be smaller than the diameter of the minute opening as in the above configuration, the near-field light is attenuated, but other optical noise (interference light, etc.) is not attenuated. Can be suitably set.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する微小開口部の形状が円形以外の形状である場合、該開口部の最も狭い部分の距離より小さいことが好ましい。   Further, in the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the distance Z is smaller than the distance of the narrowest portion of the opening when the shape of the minute opening included in the near-field light generating element is a shape other than a circle. Small is preferable.

また、上記微小開口部の形状が円形以外の形状である場合、近接場光発生素子において近接場光が分布する領域は、近接場光発生素子が有する微小開口部から、該微小開口部の最も狭い部分の距離程度の領域に限られるとする説がある。このため、上記構成のように、距離Zを設定することにより、近接場光は減衰するが、それ以外の光ノイズ(干渉光等)は減衰しない距離に好適に設定することができる。   Further, when the shape of the minute opening is a shape other than a circle, the region where the near-field light is distributed in the near-field light generating element is from the minute opening of the near-field light generating element to the most of the minute opening. There is a theory that the area is limited to a distance of a narrow portion. For this reason, as in the above configuration, by setting the distance Z, near-field light is attenuated, but other optical noise (interference light or the like) can be suitably set to a distance that is not attenuated.

また、本発明に係る近接場光評価装置では、上記距離Zは、1nm以上100nm以下であることが好ましい。   In the near-field light evaluation apparatus according to the present invention, the distance Z is preferably 1 nm or more and 100 nm or less.

上記の構成のように、距離Zを設定することにより、確実かつ簡便に、近接場光は減衰するが、それ以外の光ノイズ(干渉光等)は減衰しない距離に好適に設定することができる。   By setting the distance Z as in the above configuration, near-field light is attenuated reliably and simply, but other optical noise (interference light or the like) can be suitably set to a distance that does not attenuate. .

なお、上記算出手段は、コンピュータによって実現してもよく、この場合には、コンピュータを上記各手段として動作させることにより上記算出手段をコンピュータにて実現させる算出手段の算出制御プログラム、およびそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も、本発明の範疇に入る。   The calculation means may be realized by a computer. In this case, the calculation control program of the calculation means for causing the calculation means to be realized by the computer by operating the computer as each of the means, and recording the program. Such computer-readable recording media also fall within the scope of the present invention.

本発明に係る近接場光評価装置によれば、近接場光発生素子の近傍において、近接場光とその他の光(特に干渉光)とを正確に区別することができるという効果を奏する。このため、近接場光発生素子から離れると、近接場光はどの程度減衰するのか等の情報や近接場光の分布の測定等の評価を行うことができる。   According to the near-field light evaluation apparatus of the present invention, there is an effect that near-field light and other light (especially interference light) can be accurately distinguished in the vicinity of the near-field light generating element. For this reason, when it leaves | separates from a near-field light generating element, information, such as how much near-field light attenuate | damps, measurement of distribution of near-field light, etc. can be performed.

〔実施の形態1〕
本発明の一実施形態について図1〜図3に基づいて説明すると以下の通りである。図1は、本発明に係る一実施形態の近接場光評価装置の構成を模式的に示す図である。同図に示すように、本実施形態に係る近接場光評価装置100は、散乱体10、走査機構11、変更機構12、プローブ13、光検出器14、制御部15、モニタ16を備えている。また、近接場光評価装置100は、評価対象として、近接場光発生素子50が発生させる近接場光60を評価するものである。なお、本明細書でいう文言「近接場光(近接場)の評価」とは、近接場光とそれ以外の光(近接場光発生素子の光源からの入射光、透過光、反射光、干渉光等の近接場光発生素子の近傍に存在する光)とを区別し、近接場光の分布を測定することを意味する。また、文言「近接場」はその名の通り近接の(電磁)場のことであり、文言「近接場光」はその近接場に存在する光(電磁波)である。このため、本明細書において、文言「近接場」と「近接場光」との明確な意味の違いはなく、同義の文言とし、本明細書では、主に文言「近接場光」を用いることとする。
[Embodiment 1]
One embodiment of the present invention is described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a near-field light evaluation apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the near-field light evaluation apparatus 100 according to the present embodiment includes a scatterer 10, a scanning mechanism 11, a changing mechanism 12, a probe 13, a photodetector 14, a control unit 15, and a monitor 16. . The near-field light evaluation apparatus 100 evaluates the near-field light 60 generated by the near-field light generating element 50 as an evaluation target. The term “evaluation of near-field light (near-field)” in this specification means near-field light and other light (incident light, transmitted light, reflected light, interference from the light source of the near-field light generating element). And light near the near-field light generating element such as light) and the distribution of near-field light is measured. The word “near field” is a near (electromagnetic) field as the name implies, and the word “near field light” is light (electromagnetic wave) existing in the near field. For this reason, in this specification, there is no clear difference in meaning between the terms “near field” and “near field light”, and the terms are synonymous. In this specification, the term “near field light” is mainly used. And

図2は、近接場光発生素子50の構造を模式的に示す図である。図1と図2を用いて、近接場光発生素子50の構造について説明を行う。図1、2に示すように、近接場光発生素子50は、近接場光を発生させる近接場光発生装置として機能するものであり、光源51、集光レンズ53、微小開口部54が設けられた基板55を備えている。光源51は、レーザ光52を照射する光照射手段である。近接場光発生素子には、通常、効率よく近接場光を発生させるために、良く集光できるレーザ光を用いるのが一般的である。なお、偏光方向によって近接場光の発生の仕方が変化する。集光レンズ53は、微小開口部54に対して、レーザ光52を集光させるための光集光手段として機能するものである。
基板55は、Al、Au、Ag、Pt等の金属膜により覆われている。この金属膜の膜厚は、10〜100nm程度である。金属薄膜を使用すると、基板表面付近に表面プラズモンポラトリンが生じ、近接場光の増強が期待できる。微小開口部54周辺に周期構造を設けることで、更なる増強を行う場合もある。また、基板55には、微小開口部54が設けられているが、近接場光を生じさせるだけなら、透過率や屈折率変化のある微細形状であれば特に限定されるものではない。例えば、開口部を設けなくとも、小さなガラス玉に光をあてると玉周辺に近接場光が生じる。
FIG. 2 is a diagram schematically showing the structure of the near-field light generating element 50. The structure of the near-field light generating element 50 will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 1 and 2, the near-field light generating element 50 functions as a near-field light generating device that generates near-field light, and is provided with a light source 51, a condensing lens 53, and a minute opening 54. A substrate 55 is provided. The light source 51 is a light irradiation unit that irradiates a laser beam 52. In general, a laser beam that can be condensed well is generally used for the near-field light generating element in order to efficiently generate near-field light. Note that the manner in which near-field light is generated varies depending on the polarization direction. The condensing lens 53 functions as light condensing means for condensing the laser light 52 with respect to the minute opening 54.
The substrate 55 is covered with a metal film such as Al, Au, Ag, Pt. The thickness of this metal film is about 10 to 100 nm. When a metal thin film is used, surface plasmon polarin is generated near the substrate surface, and enhancement of near-field light can be expected. Further enhancement may be performed by providing a periodic structure around the minute opening 54. Further, although the minute opening 54 is provided in the substrate 55, the substrate 55 is not particularly limited as long as it only generates near-field light as long as it has a minute shape with transmittance and refractive index change. For example, even if an opening is not provided, near-field light is generated around the ball when light is applied to a small glass ball.

微小開口部54は、本実施の形態では円形であるが、この形状に限られるものではなく、多角形や円形および多角形の組み合わせ形状等の特殊形状であってもかまわない。近接場光発生素子50から出力される近接場光は、微小開口部54と同程度の大きさであり、また、形状も微小開口部54の形状によって異なってくることが知られている。近接場光発生装置100は、主に回折限界を越えた光スポットを得るために用いられるため、微小開口部54の直径は、レーザ光52の波長以下であることが一般的である。例えば、光源51が照射するレーザ光が赤色光であれば、その波長である約600nm、光源51が照射するレーザ光が青色光であれば、その波長である約400nmよりも小さくなるように、微小開口部54の径は設定される。したがって、例えば、微小開口部54の径は数nm〜数100nm程度であることが好ましい。また、この微小開口部54が、近接場光の発生源といえる。   The minute opening 54 is circular in the present embodiment, but is not limited to this shape, and may be a special shape such as a polygon or a combination of a circle and a polygon. It is known that the near-field light output from the near-field light generating element 50 has the same size as the minute opening 54 and the shape varies depending on the shape of the minute opening 54. Since the near-field light generating apparatus 100 is mainly used to obtain a light spot that exceeds the diffraction limit, the diameter of the minute opening 54 is generally equal to or less than the wavelength of the laser light 52. For example, if the laser light emitted from the light source 51 is red light, the wavelength is about 600 nm, and if the laser light emitted from the light source 51 is blue light, the wavelength is smaller than about 400 nm. The diameter of the minute opening 54 is set. Therefore, for example, the diameter of the minute opening 54 is preferably about several nm to several hundred nm. The minute opening 54 can be said to be a source of near-field light.

レーザ光52が、集光レンズ53によって微小開口部54に集光されることにより、微小開口部54近傍において、近接場光60が形成されることになる。微小開口部54からは、近接場光のみが出力されるのが理想であるが、実際には透過光と近接場光との組み合わせた光が出力される。また、透過光は微小開口部54周辺の多数の箇所で散乱・回折し、それらが重なり合って干渉する。この干渉光によって生じる干渉縞は微小開口部54周辺に定在し、ノイズとなる。   When the laser beam 52 is condensed on the minute opening 54 by the condenser lens 53, near-field light 60 is formed in the vicinity of the minute opening 54. Although it is ideal that only the near-field light is output from the minute opening 54, actually, a combination of transmitted light and near-field light is output. Further, the transmitted light is scattered and diffracted at a number of locations around the microscopic aperture 54, and they overlap and interfere. Interference fringes generated by the interference light are present around the microscopic aperture 54 and become noise.

なお、本発明に係る近接場光評価装置100の評価対象となる近接場光は、どのような近接場光発生素子によって発生する近接場光でもよく、特に限定されるものではないことを念のため付言しておく。   Note that the near-field light to be evaluated by the near-field light evaluation apparatus 100 according to the present invention may be near-field light generated by any near-field light generating element, and is not particularly limited. I will add a note.

次に、近接場光評価装置100の構成について、詳細に説明する。図1に示す散乱体10は、光を散乱させる散乱手段として機能するものである。近接場光は、微小開口部54近傍に定在するため、そのままでは光検出器14にて検出されない。そこで、この散乱体10を用いて、近接場光60を散乱させ、近接場光を伝搬光へと変換させる必要がある。なお、ここでいう「光」とは、近接場光および近接場光発生素子50の光源51からの入射光、透過光、反射光、干渉光等の近接場光発生素子50の近傍に存在する全ての光を含む。   Next, the configuration of the near-field light evaluation apparatus 100 will be described in detail. The scatterer 10 shown in FIG. 1 functions as a scattering unit that scatters light. Since the near-field light is present in the vicinity of the minute opening 54, it is not detected by the photodetector 14 as it is. Therefore, it is necessary to scatter the near-field light 60 using this scatterer 10 and convert the near-field light into propagating light. Here, the “light” is present in the vicinity of the near-field light generating element 50 such as incident light, transmitted light, reflected light, and interference light from the light source 51 of the near-field light and the near-field light generating element 50. Includes all light.

走査機構11は、散乱体10を、近接場光60の近傍(近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面)を走査させるための走査手段として機能するものである。すなわち、走査機構11は、散乱体10を、近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面に対して水平方向に、近接場光60の近傍を走査させるものである。なお、走査機構11は、散乱体10を近接場光発生素子50の表面に沿って1次元的に走査させる1軸走査機構であってもよいが、好適には、2次元的に走査させる2軸走査機構であることが好ましい。本実施の形態では、走査機構11は、1軸走査機構である。   The scanning mechanism 11 functions as a scanning unit for causing the scatterer 10 to scan the vicinity of the near-field light 60 (the surface where the near-field light 60 in the near-field light generating element 50 is generated). That is, the scanning mechanism 11 scans the vicinity of the near-field light 60 in the horizontal direction with respect to the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated. The scanning mechanism 11 may be a uniaxial scanning mechanism that causes the scatterer 10 to scan one-dimensionally along the surface of the near-field light generating element 50, but preferably two-dimensionally scanning 2. An axial scanning mechanism is preferred. In the present embodiment, the scanning mechanism 11 is a uniaxial scanning mechanism.

変更機構12は、近接場光60に対して鉛直方向に、つまり近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面に対して鉛直方向に(近接場光60の発生源から離れる方向に)、距離Z散乱体10の位置を移動させる位置変更手段として機能するものである。変更機構12は、本発明の趣旨からして、少なくとも、近接場光60が発生している近接場光発生素子50の表面と散乱体10との距離(高さ方向の位置)を、距離Z変更させ得るものであればよく、例えば、散乱体10と近接場光60との距離を距離Z以上に変更できるものであってもよい。   The changing mechanism 12 is perpendicular to the near-field light 60, that is, perpendicular to the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated (away from the source of the near-field light 60). In the direction), it functions as a position changing means for moving the position of the distance Z scatterer 10. For the purpose of the present invention, the changing mechanism 12 determines at least the distance (position in the height direction) between the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated and the scatterer 10 as the distance Z. For example, the distance between the scatterer 10 and the near-field light 60 may be changed to a distance Z or more.

プローブ13は、散乱体10と走査機構11および変更機構12とを連結するための部材であり、走査機構11および変更機構12の動作を散乱体10に伝達するためのものである。   The probe 13 is a member for connecting the scatterer 10, the scanning mechanism 11, and the changing mechanism 12, and is for transmitting the operations of the scanning mechanism 11 and the changing mechanism 12 to the scatterer 10.

光検出器14は、散乱体10によって散乱された散乱光17を検出する光検出手段として機能するものである。   The photodetector 14 functions as a light detection unit that detects the scattered light 17 scattered by the scatterer 10.

制御部15は、変更機構12における散乱体10の高さ位置を変更する機能を制御するものである。また、制御部15は、変更機構12が散乱体10の高さ方向の位置を変更する前後において、散乱体10が走査された場合に散乱される光を光検出部14が検出して得られた2つの光検出データの差分を求める算出手段としても機能するものである。   The control unit 15 controls the function of changing the height position of the scatterer 10 in the changing mechanism 12. The control unit 15 is obtained by the light detection unit 14 detecting light scattered when the scatterer 10 is scanned before and after the change mechanism 12 changes the position of the scatterer 10 in the height direction. It also functions as a calculation means for obtaining the difference between the two light detection data.

2つの光検出データの差分を算出する方法としては、例えば、光検出器14にて検出した散乱光の強度を電気信号化して、その差を算出することで行うことができる。また、これ以外にも、2つの散乱光の強度の差を求めるための従来公知の計算手法やデータ変換手法等を好適に用いることができ、特に限定されるものではない。   As a method for calculating the difference between the two pieces of light detection data, for example, the intensity of the scattered light detected by the photodetector 14 is converted into an electrical signal, and the difference is calculated. In addition to this, a conventionally known calculation method or data conversion method for determining the difference in intensity between the two scattered lights can be suitably used, and is not particularly limited.

モニタ16は、制御部15の情報、例えば、算出手段によって算出した2つの光検出データの差や、変更機構12が散乱体10をどの高さ位置に配置しているか等の情報を可視化する装置であり、従来公知のCRTや液晶ディスプレイ等を好適に用いることができる。   The monitor 16 is a device that visualizes information of the control unit 15, for example, information such as a difference between two pieces of light detection data calculated by a calculation unit, and a height position at which the changing mechanism 12 has the scatterer 10 disposed. A conventionally known CRT, liquid crystal display or the like can be suitably used.

次に、近接場光発生素子50において発生した近接場光60を近接場光評価装置100によって評価を行う場合の詳細な動作説明を行う。   Next, a detailed operation when the near-field light 60 generated in the near-field light generating element 50 is evaluated by the near-field light evaluation apparatus 100 will be described.

まず、近接場光発生素子50において近接場光60が発生している表面(近接場光の発生源の近傍)を、散乱体10が第1回目の走査を行う(1パス目)。この場合、近接場光発生素子50の表面に接するように、いわゆるコンタクトモードで走査する。なお、近接場光を散乱させることができれば、近接場光発生素子50の表面をコンタクトモードで走査しなくても、表面の極近傍(数nm〜数10nm程度の距離)を走査してもよい。また、かかる走査は1次元的なもの(例えば、x軸方向のみ)であってもよいし、2次元的なもの(x軸方向およびy軸方向)であってもよいが、本実施形態では、1次元的な走査として説明する。なお、本明細書において、x軸、y軸方向とは、近接場光発生素子50における近接場光60が発生している平面に対して水平方向のことをいい、z軸方向とは、近接場光発生素子50における近接場光60が発生している平面に対して垂直な方向をいう。   First, the scatterer 10 performs a first scan on the surface (near the near-field light generation source) where the near-field light 60 is generated in the near-field light generating element 50 (first pass). In this case, scanning is performed in a so-called contact mode so as to contact the surface of the near-field light generating element 50. If the near-field light can be scattered, the surface of the near-field light generating element 50 may be scanned in the vicinity of the surface (distance of several nm to several tens of nm) without scanning in the contact mode. . Further, such scanning may be one-dimensional (for example, only in the x-axis direction) or two-dimensional (in the x-axis direction and the y-axis direction). This will be described as one-dimensional scanning. In the present specification, the x-axis and y-axis directions refer to the horizontal direction with respect to the plane where the near-field light 60 is generated in the near-field light generating element 50, and the z-axis direction refers to the proximity The direction perpendicular to the plane in which the near-field light 60 is generated in the field light generating element 50 is said.

そして、この1パス目の走査にて散乱された光を光検出器14にて検出する。この1パス目において、散乱体10を近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面又はその極近傍に配置して走査した際に散乱される光を、光検出部14にて検出した検出データを第1の光検出データと称する。   Then, the light scattered by the first pass scanning is detected by the photodetector 14. In this first pass, the light scattered when the scatterer 10 is placed on the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated or in the vicinity thereof is scanned to the light detection unit 14. The detection data detected in this way is referred to as first photodetection data.

次いで、変更機構12によって、散乱体10を、第1の光検出データを取得する際における散乱体10の高さ位置から距離Z引き上げて(移動して)配置する。つまり、1パス目に近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面を走査した場合は、近接場光発生素子50の表面から距離Z高さを変更して(オフセットして)、散乱体10を配置することになる。続いて、この高さ位置のまま、散乱体10を1パス目と同様に走査させる(2パス目)。   Next, the scatterer 10 is arranged with the distance Z raised (moved) from the height position of the scatterer 10 when the first light detection data is acquired by the changing mechanism 12. That is, when the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated is scanned in the first pass, the distance Z height is changed (offset) from the surface of the near-field light generating element 50. ), The scatterer 10 is arranged. Subsequently, the scatterer 10 is scanned in the same manner as in the first pass (second pass) while maintaining this height position.

つまり、走査機構11は、上記第2の光検出データを取得する際の散乱体10の走査ライン(いわゆる2パス目)として、近接場光発生素子50の表面に水平な走査方向として、上記第1の光検出データを取得する際の走査ライン(いわゆる1パス目)と同じ走査ラインで走査させ、かつ、近接場光発生素子50の平面からの高さ位置は近接場光発生素子に対して鉛直方向に距離Z引き上げた(移動させた)位置にて走査させる。この方式は、1パス目に走査した表面形状データに所定のオフセットを加えて、近接場光発生素子50との距離を変化させた状態で、2パス目の走査を行う手段であると換言できる。なお、2パス目では、散乱体10は表面に接触しない。   That is, the scanning mechanism 11 uses the scanning direction horizontal to the surface of the near-field light generating element 50 as the scanning line (so-called second pass) of the scatterer 10 when acquiring the second light detection data. Scanning is performed with the same scanning line as the scanning line (so-called first pass) for acquiring one photodetection data, and the height position of the near-field light generating element 50 from the plane is relative to the near-field light generating element. Scanning is performed at a position where the distance Z is raised (moved) in the vertical direction. In other words, this method is a means for scanning the second pass while adding a predetermined offset to the surface shape data scanned in the first pass and changing the distance from the near-field light generating element 50. . In the second pass, the scatterer 10 does not contact the surface.

そして、この2パス目の走査にて散乱された光を光検出器14にて検出する。この2パス目において、散乱体10によって散乱される光を、光検出部14にて検出した検出データを第2の光検出データと称する。   Then, the light scattered by the second pass scanning is detected by the photodetector 14. In the second pass, detection data obtained by detecting light scattered by the scatterer 10 by the light detection unit 14 is referred to as second light detection data.

これら2つの光検出データは、上述した算出手段として機能する制御部15に送られ、その差分が求められる。すなわち、算出手段として機能する制御部15は、散乱体10を近接場光60の表面(又はその極近傍)に配置して走査した際に散乱される光を検出した第1の光検出データと、散乱体10を上記第1の光検出データを取得する際における散乱体10の高さ位置から距離Z引き上げて配置して走査した際に散乱される光を検出した第2の光検出データと、の差を算出する。   These two pieces of light detection data are sent to the control unit 15 functioning as the calculation means described above, and the difference between them is obtained. That is, the control unit 15 that functions as a calculation unit includes first light detection data that detects light scattered when the scatterer 10 is placed on the surface of the near-field light 60 (or in the vicinity thereof) and scanned. , Second light detection data for detecting light scattered when the scatterer 10 is scanned with the distance Z raised from the height position of the scatterer 10 when the first light detection data is acquired and scanned. , The difference is calculated.

ここで、上記距離Zは、近接場光は減衰するが、それ以外の光は減衰しない距離に設定されている。これは、近接場光は、発生源から離れるにつれ、指数関数的に急激に減衰する一方、その他の光(干渉光)等は近接場光のように急激に減衰することはないという性質を利用している。これは、干渉光は、近接場光発生素子50の光源51の波長オーダーで変化するためである。   Here, the distance Z is set to a distance at which near-field light is attenuated but other light is not attenuated. This utilizes the property that near-field light attenuates exponentially as it moves away from the source, while other light (interference light) does not attenuate as rapidly as near-field light. is doing. This is because the interference light changes in the wavelength order of the light source 51 of the near-field light generating element 50.

このため、本実施の形態に係る近接場光評価装置100によれば、近接場光発生素子50の近傍に存在する、余分な光ノイズ(干渉光等)と近接場光とを明確に区別することができ、近接場光の分布状態を正確に測定・評価することができる。   For this reason, according to the near-field light evaluation apparatus 100 according to the present embodiment, extraneous optical noise (such as interference light) existing near the near-field light generating element 50 and the near-field light are clearly distinguished. It is possible to accurately measure and evaluate the distribution state of near-field light.

本実施の形態において、近接場光評価装置100が、ノイズと近接場光とを区別し、近接場光を評価する機構について、具体的な例を挙げて説明する。図3には、散乱体10を1軸で走査させた場合に検出される散乱光強度の分布を示す。まず、図3(a)に、Z=0の場合、つまり近接場光発生素子50の表面を走査した場合の散乱光強度の分布を示す。この図は、第1の光検出データを示すものである。図中、一番大きな山の部分が近接場光を示し、それ以外の小さい山の部分は干渉光等のノイズである。   In the present embodiment, a mechanism in which the near-field light evaluation apparatus 100 distinguishes between noise and near-field light and evaluates the near-field light will be described with a specific example. FIG. 3 shows the distribution of scattered light intensity detected when the scatterer 10 is uniaxially scanned. First, FIG. 3A shows the distribution of scattered light intensity when Z = 0, that is, when the surface of the near-field light generating element 50 is scanned. This figure shows the first photodetection data. In the figure, the largest peak portion indicates near-field light, and the other small peak portion is noise such as interference light.

また、図3(b)に、Z=25nmの場合、つまり近接場光発生素子50の表面から25nmの高さ位置を走査した場合の散乱光強度の分布を示す。この図は、第2の光検出データを示すものである。図3(a)(b)に示すように、干渉光等のノイズ部分は、散乱体10が走査する位置を変更してもほとんど変化しないが、近接場光を示す山の部分のみが大きく減衰していることがわかる。   FIG. 3B shows the distribution of scattered light intensity when Z = 25 nm, that is, when a height position of 25 nm is scanned from the surface of the near-field light generating element 50. This figure shows the second photodetection data. As shown in FIGS. 3A and 3B, the noise part such as interference light hardly changes even if the scanning position of the scatterer 10 is changed, but only the mountain part showing the near-field light is greatly attenuated. You can see that

図3(c)に、図3(a)と(b)に示す散乱光強度の分布の差分を取った図を示す。この図3(c)に示すように、第1の光検出データと第2の光検出データとの差を算出することにより、近接場光のみが強調されることがわかる。なお、図中、近接場光を示す山の幅は、微小開口部54の開口径と略一致する。   FIG. 3C is a diagram showing the difference between the scattered light intensity distributions shown in FIGS. 3A and 3B. As shown in FIG. 3C, it is understood that only the near-field light is emphasized by calculating the difference between the first light detection data and the second light detection data. In the figure, the width of the peak indicating the near-field light is substantially the same as the opening diameter of the minute opening 54.

このように、近接場光の発生源からの距離を変えて、2回散乱光の測定を行い、得られた2つの散乱光の分布状態の差分を算出することにより、干渉光等のノイズに比べて、より変化の大きい近接場光を強調して評価することができる。したがって、本実施の形態に係る近接場光評価装置100によれば、近接場光発生素子50の近傍に存在する、余分な光ノイズ(干渉光等)と近接場光とを明確に区別することができ、近接場光の分布状態を正確に測定・評価することができる。   In this way, by measuring the scattered light twice by changing the distance from the source of the near-field light and calculating the difference between the obtained two scattered light distribution states, noise such as interference light can be reduced. In comparison, it is possible to emphasize and evaluate near-field light having a larger change. Therefore, according to the near-field light evaluation apparatus 100 according to the present embodiment, it is possible to clearly distinguish excess optical noise (such as interference light) and near-field light existing in the vicinity of the near-field light generating element 50. It is possible to accurately measure and evaluate the near-field light distribution state.

また、上記距離Zは、光源51が発するレーザ光52の波長より小さいことが好ましく、さらには、光源51が発するレーザ光52の波長の1/2波長より小さいことが好ましい。これは、干渉光は、近接場光発生素子の微小開口部54の近傍に定在しており、光源波長オーダーで変化するものである。具体的には、光源51から発するレーザ光52の波長の半波長ごとに明暗の繰り返しの干渉縞が発生する。このため、干渉縞の明暗の繰り返し間隔である、光源波長の1/2波長以下に距離Zを設定することによって、散乱体10の鉛直方向(近接場光発生素子50の表面に対しての高さ方向)の移動によって、干渉縞の明暗の境目を越えることがない。このため、干渉縞の明暗の境目の変化と近接場光の減衰変化とを混同することがない。したがって、距離Zを光源51が発するレーザ光52の波長の1/2波長より小さく設定することにより、近接場光と干渉光とを正確に区別することができる。   The distance Z is preferably smaller than the wavelength of the laser beam 52 emitted from the light source 51, and more preferably less than ½ wavelength of the wavelength of the laser beam 52 emitted from the light source 51. This is because the interference light is present in the vicinity of the minute opening 54 of the near-field light generating element and changes in the order of the light source wavelength. More specifically, bright and dark interference fringes are generated for each half wavelength of the laser light 52 emitted from the light source 51. For this reason, by setting the distance Z to be equal to or less than ½ wavelength of the light source wavelength, which is the light / dark repetition interval of the interference fringes, the vertical direction of the scatterer 10 (high relative to the surface of the near-field light generating element 50). The movement of the vertical direction does not cross the border between the bright and dark interference fringes. For this reason, there is no confusion between the change in the border between the bright and dark interference fringes and the attenuation change in the near-field light. Therefore, the near field light and the interference light can be accurately distinguished by setting the distance Z to be smaller than ½ wavelength of the wavelength of the laser light 52 emitted from the light source 51.

さらに付け加えると、実際に1/2波長Zを移動し差分をとった場合、干渉縞が最も強調されることになる。したがって、干渉縞の明暗の境界を越えないため干渉縞の影響を取り除くことが出来るのではなく、1/2波長以下にすることで、影響を少なくすることができるということである(つまり、1/2波長以上の場合、1波長で完全に差分が0となり影響を除去することができ、3/2波長で再度差分がMaxとなる。ただし、これは理想的な環境下においての話である。)。   In addition, when the ½ wavelength Z is actually moved and the difference is taken, the interference fringes are most emphasized. Therefore, the influence of the interference fringes cannot be removed because it does not exceed the bright / dark boundary of the interference fringes, but the influence can be reduced by setting it to ½ wavelength or less (that is, 1 / 2 wavelength or more, the difference is completely 0 at 1 wavelength and the influence can be removed, and the difference is Max again at 3/2 wavelength, but this is a story in an ideal environment. .)

また、上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する微小開口部の形状が円形である場合、該円形の径より小さいことが好ましい。これは、近接場光発生素子50において近接場光60が分布する領域は、近接場光発生素子50が有する円形の微小開口部54から、微小開口部54の直径程度の領域に限られるとする説があるためである。このため、上記構成のように、距離Zを微小開口部54の直径より小さくなるように設定することにより、近接場光は減衰するが、それ以外の光ノイズ(干渉光等)は減衰しない距離に好適に設定することができる。   The distance Z is preferably smaller than the diameter of the circular opening when the near-field light generating element has a circular shape. This is because the region where the near-field light 60 is distributed in the near-field light generating element 50 is limited to a region about the diameter of the minute opening 54 from the circular minute opening 54 included in the near-field light generating element 50. This is because there is a theory. Therefore, by setting the distance Z to be smaller than the diameter of the minute opening 54 as in the above configuration, the near-field light is attenuated, but other optical noise (interference light or the like) is not attenuated. Can be suitably set.

また、上記距離Zは、近接場光発生素子50が有する微小開口部54の形状が円形以外の形状である場合、微小開口部54の最も狭い部分の距離より小さいことが好ましい。これは、微小開口部54の形状が円形以外の特殊形状(例えば、三角形や長方形等の多角形、または円形と多角形との組み合わせ形状等)である場合、近接場光発生素子50において近接場光60が分布する領域は、近接場光発生素子50が有する微小開口部54から、この特殊形状の微小開口部54の最も狭い(小さい)部分の径程度の領域に限られると考えられているためである。このため、上記構成のように、距離Zを設定することにより、近接場光は減衰するが、それ以外の光ノイズ(干渉光等)は減衰しない距離に好適に設定することができる。   The distance Z is preferably smaller than the distance of the narrowest portion of the minute opening 54 when the shape of the minute opening 54 of the near-field light generating element 50 is a shape other than a circle. This is because when the shape of the minute opening 54 is a special shape other than a circle (for example, a polygon such as a triangle or a rectangle, or a combination of a circle and a polygon), the near-field light generating element 50 has a near-field. The region in which the light 60 is distributed is considered to be limited to a region having a diameter of the narrowest (smallest) portion of the minute opening 54 of the special shape from the minute opening 54 of the near-field light generating element 50. Because. For this reason, as in the above configuration, by setting the distance Z, near-field light is attenuated, but other optical noise (interference light or the like) can be suitably set to a distance that is not attenuated.

より具体的には、上記距離Zは、1nm以上100nm以下の距離に設定することが好ましい。上記距離に設定することにより、確実かつ簡便に、近接場光は減衰するが、それ以外の光ノイズ(干渉光等)は減衰しない距離に好適に設定することができるためである。   More specifically, the distance Z is preferably set to a distance of 1 nm to 100 nm. This is because, by setting the distance, the near-field light is attenuated reliably and easily, but other optical noise (interference light or the like) can be suitably set to a distance that is not attenuated.

上記距離Zの上限は、近接場光が検出可能な範囲ということであるため、100nmであることが好ましい。近接場光発生素子50は、主に回折限界を超えるスポットを作製することも目的として用いられるため、スポット径が100nmを越えるものはあまり意味が無いと考えられるためである。つまり、好ましい微小開口部54の開口径が100nm以下となるので、好ましい近接場光の検出可能な距離も100nm以下となる。距離Zをこの距離以上離しても、干渉光によるノイズが増えるだけで意味は無いため、100nmを上限とするのが妥当である。   The upper limit of the distance Z is a range in which near-field light can be detected, and is preferably 100 nm. This is because the near-field light generating element 50 is mainly used for the purpose of producing a spot exceeding the diffraction limit, so that a spot having a spot diameter exceeding 100 nm is considered to be meaningless. That is, since the preferable opening diameter of the minute opening 54 is 100 nm or less, the preferable detectable distance of near-field light is also 100 nm or less. Even if the distance Z is more than this distance, the noise due to the interference light only increases and is meaningless. Therefore, it is appropriate to set the upper limit to 100 nm.

上記距離Zの下限は、小さいほどよい。これは、距離Zの範囲内でも干渉光は若干の変化を有しており、干渉光の変化の影響を小さくするためである。ただし、距離Zの下限は、近接場光の強度変化が安定して測定可能な距離でなくてはならない。   The lower limit of the distance Z is better as it is smaller. This is because the interference light has a slight change even within the range of the distance Z, and the influence of the change of the interference light is reduced. However, the lower limit of the distance Z must be a distance at which the intensity change of the near-field light can be stably measured.

この安定して測定可能な距離は、変更機構12の分解能、装置本体の剛性、除振・防音等の装置設置環境などにより決定される。変更機構12の分解能は、ピエゾアクチュエータ(AFMで用いられる一般的なアクチュエーター)を用いることで、Åオーダーを達成可能である。しかし、装置全体としてÅオーダーを再現性良く安定して制御するためには、高性能な除振台や防音装置、剛性の高い装置骨格が必要となる。これらの特別な装置を使用せず達成できる分解能は1nm以上である。以上のことから、距離Zの下限は1nmとするのが妥当である。   The distance that can be stably measured is determined by the resolution of the changing mechanism 12, the rigidity of the apparatus body, the apparatus installation environment such as vibration isolation and soundproofing, and the like. The resolution of the change mechanism 12 can be achieved by using a piezo actuator (a general actuator used in AFM). However, in order to stably control the wrinkle order with high reproducibility as a whole device, a high-performance vibration isolation table, a soundproof device, and a highly rigid device skeleton are required. The resolution that can be achieved without using these special devices is 1 nm or more. From the above, it is appropriate that the lower limit of the distance Z is 1 nm.

〔実施の形態2〕
本発明の他の一実施形態について図4〜図6に基づいて説明すると以下の通りである。なお、本実施の形態において、上記実施形態1における構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態では、上記実施形態1との相違点について説明するものとする。
[Embodiment 2]
Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, components having the same functions as the components in the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. In the present embodiment, differences from the first embodiment will be described.

図4は、本発明に係る他の一実施形態の近接場光評価装置の構成を模式的に示す図である。同図に示すように、近接場光評価装置200は、散乱体10、走査機構11、変更機構12、プローブ13、光検出器14、制御部15、モニタ16、加振機構21、ロックインアンプ22、発振器(発振手段)23を備えている。なお、近接場光評価装置200は、実施形態1と同様に、評価対象として、近接場光発生素子50が発生させる近接場光60を評価するものであるが、かかる近接場光発生素子50は上記実施形態1と同様の構成であるため、ここではその説明を省略する。   FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration of a near-field light evaluation apparatus according to another embodiment of the present invention. As shown in the figure, the near-field light evaluation apparatus 200 includes a scatterer 10, a scanning mechanism 11, a change mechanism 12, a probe 13, a photodetector 14, a control unit 15, a monitor 16, a vibration mechanism 21, and a lock-in amplifier. 22 and an oscillator (oscillating means) 23 are provided. As in the first embodiment, the near-field light evaluating apparatus 200 evaluates the near-field light 60 generated by the near-field light generating element 50 as an evaluation target. Since it is the same structure as the said Embodiment 1, the description is abbreviate | omitted here.

本実施の形態では、走査機構11は、2軸走査が可能な走査手段として機能するものである。プローブ13は、散乱体10と、加振機構21および走査機構11ならびに変更機構12とを連結するための部材であり、加振機構21および走査機構11ならびに変更機構12の動作を散乱体10に伝達するためのものである。   In the present embodiment, the scanning mechanism 11 functions as scanning means capable of biaxial scanning. The probe 13 is a member for connecting the scatterer 10 to the excitation mechanism 21, the scanning mechanism 11, and the change mechanism 12. It is for transmission.

ロックインアンプ22は、光検出器14、制御部15、および発振器23と接続されている。ロックインアンプ22は、雑音に埋もれた微少な繰り返し信号(交流)を検出するための微少信号検出手段として機能するものであり、通常、発振手段として機能する発振器23とセットで使用され、発振器23に同期した信号のみを検出するものである。すなわち、ロックインアンプ22は、光検出器14にて検出された信号のうち、発振器23に同期した信号のみを選択的に検出し、算出手段として機能する制御部15に対して、該選択的に検出した信号を出力するものである。このため、ロックインアンプ22を用いることにより、例えば、蛍光灯の光のような定常ノイズの影響を除くことができる。   The lock-in amplifier 22 is connected to the photodetector 14, the control unit 15, and the oscillator 23. The lock-in amplifier 22 functions as a minute signal detection means for detecting a minute repetitive signal (alternating current) buried in noise, and is normally used in combination with an oscillator 23 that functions as an oscillating means. Only the signal synchronized with is detected. That is, the lock-in amplifier 22 selectively detects only the signal synchronized with the oscillator 23 among the signals detected by the photodetector 14, and selectively selects the control unit 15 functioning as calculation means. The detected signal is output. For this reason, by using the lock-in amplifier 22, for example, the influence of stationary noise such as light from a fluorescent lamp can be eliminated.

また、加振機構21は、発振器23と接続されており、発振器23の信号に同期させて、プローブ13を介して散乱体10を振動させる加振手段として機能するものである。加振機構21は、散乱体10を振動させながら近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面を走査させるためのものである。すなわち、加振機構21は、散乱体10を近接場光発生素子50の表面に対して、いわゆるタッピングモードにて走査させるための手段といえる。ここで、タッピングモードについて簡単に説明する。   The vibration mechanism 21 is connected to an oscillator 23 and functions as a vibration unit that vibrates the scatterer 10 via the probe 13 in synchronization with a signal from the oscillator 23. The vibration mechanism 21 is for scanning the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated while vibrating the scatterer 10. That is, the vibration mechanism 21 can be said to be a means for causing the scatterer 10 to scan the surface of the near-field light generating element 50 in a so-called tapping mode. Here, the tapping mode will be briefly described.

タッピングモードとは、走査プローブ顕微鏡(例えば、原子間力顕微鏡(AFM)等)において行われる走査モードの1種である。コンタクトモード(接触モード)では、原子サイズに至る分解能が得られる場合があるが、試料表面に探針が接触しつつ走査されるため、試料表面や探針に損傷が生じる場合がある。一方、ノンコンタクトモード(NC−mode、非接触モード)では、試料や探針の損傷の問題は原理的にないが、周波数変調方式のNC−modeによる特定試料の観察を除き、一般的に分解能が劣る。この折衷案として、振動するプローブを試料上方から接近させ、軽く試料に接触して、試料のAFM像を得る方法として開発された走査モードがタッピングモードである(例えば、(1)「ナノテクノロジーのための走査プローブ顕微鏡」、(2002年)、日本表面科学会編、丸善、(2)Characterization and optimization of scan speed for tapping-mode atomic force microscopy; Rev. Sci. Instrum., Vol.73, No.8, pp.2928-2936 (2002); T. Sulchek, G.G. Yaralioglu, C.F. Quate and S.C. Minne; American Institute of Physics 等参照)。   The tapping mode is one type of scanning mode performed in a scanning probe microscope (for example, an atomic force microscope (AFM)). In the contact mode (contact mode), resolution up to the atomic size may be obtained. However, since the probe is scanned while contacting the sample surface, the sample surface or the probe may be damaged. On the other hand, in the non-contact mode (NC-mode, non-contact mode), there is no problem of damage to the sample and the probe in principle, but resolution is generally excluded except for observation of a specific sample by the frequency modulation type NC-mode. Is inferior. As a compromise, a scanning mode developed as a method for obtaining an AFM image of a sample by bringing a vibrating probe closer from above the sample and touching the sample lightly is a tapping mode (for example, (1) “Nanotechnology's Scanning Probe Microscope "(2002), edited by Japan Surface Science Society, Maruzen, (2) Characterization and optimization of scan speed for tapping-mode atomic force microscopy; Rev. Sci. Instrum., Vol.73, No. 8, pp. 2928-2936 (2002); T. Sulchek, GG Yaralioglu, CF Quate and SC Minne; American Institute of Physics etc.).

このタッピングモードによる走査を行うことにより、上述した試料や散乱体10の損傷を防止できるという効果以外にも、ロックインアンプ22と組み合わせることにより、優れた効果を奏することができる。以下、加振機構21によるタッピングモードとロックインアンプ22との組み合わせた場合について説明する。   By performing scanning in this tapping mode, in addition to the effect of preventing damage to the sample and the scatterer 10 described above, an excellent effect can be obtained by combining with the lock-in amplifier 22. Hereinafter, a combination of the tapping mode by the vibration mechanism 21 and the lock-in amplifier 22 will be described.

加振機構21と発振器23とロックインアンプ22とを接続させ、加振機構21によるタッピングモードの周期と、ロックインアンプ22が検出する信号の周期とを同期させると、定常のノイズ(蛍光灯の光等)や光源51からの透過光の影響を少なくすることができる。具体的には、光源51からの透過光は、散乱体10に当たり光検出器14で検出されるが、タッピングモードによって散乱体10を振幅させる移動距離では、定常のノイズや透過光の強度はほとんど変化しない(z軸方向において強度が一様である)。つまり、定常のノイズや透過光は加振機構21による変調を受けない。このため、ロックインアンプ22を通すことにより、この定常のノイズや透過光の影響のほとんどが除去できる。   When the vibration mechanism 21, the oscillator 23, and the lock-in amplifier 22 are connected and the period of the tapping mode by the vibration mechanism 21 and the period of the signal detected by the lock-in amplifier 22 are synchronized, steady noise (fluorescent lamp) ) And the transmitted light from the light source 51 can be reduced. Specifically, the transmitted light from the light source 51 hits the scatterer 10 and is detected by the light detector 14. However, at a moving distance that causes the scatterer 10 to amplitude by the tapping mode, the intensity of steady noise and transmitted light is almost the same. Does not change (intensity is uniform in the z-axis direction). That is, steady noise and transmitted light are not modulated by the vibration mechanism 21. For this reason, by passing through the lock-in amplifier 22, most of the effects of this steady noise and transmitted light can be removed.

ただし、上述したように、透過光は、微小開口部54周辺の様々な箇所で回折・散乱し、その結果、微小開口部54周辺には干渉光が多く定在することになる。干渉光は光源51の波長オーダーで変化するため、これらはロックインアンプ22で完全に取りきれず、ノイズ源となってしまう。   However, as described above, the transmitted light is diffracted and scattered at various locations around the microscopic aperture 54, and as a result, a large amount of interference light is present around the microscopic aperture 54. Since the interference light changes in the wavelength order of the light source 51, these cannot be completely removed by the lock-in amplifier 22 and become noise sources.

一般的にタッピングモードでは、サンプル表面の吸着層(水分層など)の影響を小さくするため、50nm以上の移動距離においてプローブ13を加振させる。移動距離が小さいと、表面形状の測定を正確に行うことができない。本実施の形態においても、50nm以上の移動距離においてプローブ13および散乱体10を加振させている。しかし、50nmの高さ変化において、透過光はほとんど変化しないが、干渉光は若干変化してしまうことから、タッピングモードを用いても干渉光の影響が残ってしまうことになる(近接場光は大きく変化する)。   In general, in the tapping mode, the probe 13 is vibrated at a moving distance of 50 nm or more in order to reduce the influence of an adsorption layer (such as a moisture layer) on the sample surface. If the moving distance is small, the surface shape cannot be measured accurately. Also in the present embodiment, the probe 13 and the scatterer 10 are vibrated at a moving distance of 50 nm or more. However, when the height changes by 50 nm, the transmitted light hardly changes, but the interference light changes slightly. Therefore, even if the tapping mode is used, the influence of the interference light remains (near-field light is Change a lot).

そこで、干渉光と近接場光とを明確に区別するために、タッピングモードにて高さを変えて2回走査を行う。これは、走査プローブ顕微鏡における、いわゆる“2パス方式”で走査するということである(Beeco/Digital Instruments社、SPMカタログ等参照)。すなわち、本実施の形態では、タッピングモード方式での走査とロックインアンプを組み合わせる(つまり、ロックインアンプ22にて選択的に検出する信号の周期と、タッピングモードの周期と同期させる)とともに、さらに2パス方式も組み合わせて、近接場光とそれ以外の光ノイズ(干渉光等)を分離する。   Therefore, in order to clearly distinguish between interference light and near-field light, scanning is performed twice while changing the height in the tapping mode. This means that scanning is performed by a so-called “two-pass method” in a scanning probe microscope (see Beeco / Digital Instruments, SPM catalog, etc.). That is, in the present embodiment, the scanning in the tapping mode method and the lock-in amplifier are combined (that is, the signal period selectively detected by the lock-in amplifier 22 is synchronized with the tapping mode period), and A two-pass method is also combined to separate near-field light and other optical noise (such as interference light).

以下に、近接場光発生素子50において発生した近接場光60を近接場光評価装置200によって評価を行う場合の詳細な動作説明を行う。   In the following, a detailed description of the operation when the near-field light 60 generated in the near-field light generating element 50 is evaluated by the near-field light evaluation apparatus 200 will be described.

まず、近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面を、散乱体10が第1回目の走査を行う(1パス目)。この第1回目の走査では、走査機構11、加振機構21および発振器23によって、散乱体10は、上述したタッピングモードにて、近接場光発生素子50の表面に接するように走査する。   First, the scatterer 10 performs the first scanning on the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated (first pass). In the first scanning, the scatterer 10 is scanned by the scanning mechanism 11, the vibration mechanism 21, and the oscillator 23 so as to be in contact with the surface of the near-field light generating element 50 in the above-described tapping mode.

そして、この1パス目の走査にて散乱された光を光検出器14にて検出する。光検出器14は、ロックインアンプ22と接続されている。このため、この1パス目において、散乱体10を近接場光60の表面に配置して走査させた際に散乱される光を光検出部14にて検出した検出データのうち、上述したように、発振器23に同期した信号のみが検出され、第1の光検出データとして算出手段として機能する制御部15に出力される。   Then, the light scattered by the first pass scanning is detected by the photodetector 14. The photodetector 14 is connected to the lock-in amplifier 22. For this reason, in the first pass, as described above, among the detection data in which the light detector 14 detects the light scattered when the scatterer 10 is placed on the surface of the near-field light 60 and scanned. Only the signal synchronized with the oscillator 23 is detected and output as first photodetection data to the control unit 15 functioning as calculation means.

次に、変更機構12によって、散乱体10を、第1の光検出データを取得する際における散乱体10の高さ位置から距離Z引き上げて配置する。つまり、1パス目に近接場光発生素子50における近接場光60が発生している表面を走査した場合は、近接場光発生素子50の表面から距離Z高さを変更して、散乱体10を配置することになる。続いて、この高さ位置のまま、散乱体10を1パス目と同様にタッピングモードにて走査させる(2パス目)。   Next, the scatterer 10 is arranged by raising the distance Z from the height position of the scatterer 10 when the first photodetection data is acquired by the changing mechanism 12. That is, when the surface of the near-field light generating element 50 where the near-field light 60 is generated is scanned in the first pass, the distance Z height is changed from the surface of the near-field light generating element 50, and the scatterer 10 Will be placed. Subsequently, the scatterer 10 is scanned in the tapping mode in the same manner as in the first pass (second pass) while maintaining this height position.

そして、この2パス目の走査にて散乱された光を光検出器14にて検出する。この2パス目において、散乱体10を走査させた際に散乱される光を光検出部14にて検出した検出データのうち、上述したように、発振器23に同期した信号のみが検出され、第2の光検出データとして算出手段として機能する制御部15に出力される。   Then, the light scattered by the second pass scanning is detected by the photodetector 14. In the second pass, as described above, only the signal synchronized with the oscillator 23 is detected from the detection data in which the light detector 14 detects the light scattered when the scatterer 10 is scanned. 2 is output to the control unit 15 functioning as calculation means.

最後に、算出手段として機能する制御部15において、これら2つの光検出データの差分が求められる。すなわち、制御部15は、いわゆるタッピングモードにて散乱体10を近接場光60の表面配置して走査した際に散乱される光を検出した第1の光検出データと、タッピングモードにて散乱体10を上記第1の光検出データを取得する際における散乱体10の高さ位置から距離Z引き上げて配置して走査した際に散乱される光を検出した第2の光検出データと、の差を算出する。ここで、上記距離Zは、近接場光は減衰するが、それ以外の光は減衰しない距離に設定されている。   Finally, a difference between these two pieces of photodetection data is obtained by the control unit 15 functioning as calculation means. That is, the control unit 15 detects the light that is scattered when the scatterer 10 is scanned on the surface of the near-field light 60 in the so-called tapping mode, and the scatterer in the tapping mode. 10 is the difference between the second photodetection data and the second photodetection data detected when the light is scattered when scanning is performed by raising the distance Z from the height position of the scatterer 10 when acquiring the first photodetection data. Is calculated. Here, the distance Z is set to a distance at which near-field light is attenuated but other light is not attenuated.

したがって、本実施の形態に係る近接場光評価装置200によれば、近接場光発生素子50の近傍に存在する、余分な光ノイズ(干渉光等)と近接場光とを簡便かつ明確に区別することができ、近接場光の分布状態を正確に測定・評価することができる。   Therefore, according to the near-field light evaluation apparatus 200 according to the present embodiment, extraneous light noise (such as interference light) and near-field light existing in the vicinity of the near-field light generating element 50 can be easily and clearly distinguished. It is possible to accurately measure and evaluate the distribution state of near-field light.

上記の走査は1次元(例えばx軸方向)で行っていたが、2次元的に行うことも可能である。この場合、一軸(例えばx軸)にて1パス目と2パス目の走査を行い、次に別の一軸(例えばy軸)を移動させ、この場所にて再度x軸で上記一連の動作を行う。これらの動作を繰り返すことで、2次元の像を得ることが出来る。1パス目の走査を2次元で行った後、2パス目の走査を行う方法も可能であるが、熱ドリフトなどによる走査位置ズレの影響を低減させるためには、1パス目と2パス目の走査を可能な限り続けて行うほうが好ましい。
本実施の形態において、近接場光評価装置100が、ノイズと近接場光とを区別し、近接場光を評価する機構について、具体的な例を挙げて説明する。図5は、散乱体10を2軸で走査させた場合に検出される散乱光強度の分布を示す図である。図5(a)は、散乱体10が近接場光発生素子50の表面(Z=0)をタッピングモードで走査した場合の散乱光強度の分布を視覚化した図である。図5(b)は、散乱体10が近接場光発生素子50の表面から25nmの高さの位置(Z=25)をタッピングモードで走査した場合の散乱光強度の分布を視覚化した図である。なお、図5(b)では、散乱体10の先端は、近接場光発生素子50の表面には接触(タッピングモードにて)していない。図5(c)は、図5(a)と図5(b)との差分を算出し、視覚化した図である。
Although the above scanning is performed in one dimension (for example, in the x-axis direction), it can be performed in two dimensions. In this case, the first pass and the second pass are scanned on one axis (for example, the x-axis), and then another axis (for example, the y-axis) is moved. Do. By repeating these operations, a two-dimensional image can be obtained. A method of performing the second pass scan after performing the first pass scan in two dimensions is also possible, but in order to reduce the influence of the scan position shift due to thermal drift or the like, the first pass and the second pass are possible. It is preferable to perform the above scanning continuously as much as possible.
In the present embodiment, a mechanism in which the near-field light evaluation apparatus 100 distinguishes between noise and near-field light and evaluates the near-field light will be described with a specific example. FIG. 5 is a diagram showing a distribution of scattered light intensity detected when the scatterer 10 is scanned in two axes. FIG. 5A is a diagram visualizing the distribution of scattered light intensity when the scatterer 10 scans the surface (Z = 0) of the near-field light generating element 50 in the tapping mode. FIG. 5B is a diagram visualizing the distribution of scattered light intensity when the scatterer 10 scans a position (Z = 25) at a height of 25 nm from the surface of the near-field light generating element 50 in the tapping mode. is there. In FIG. 5B, the tip of the scatterer 10 is not in contact with the surface of the near-field light generating element 50 (in the tapping mode). FIG. 5C is a diagram in which the difference between FIG. 5A and FIG. 5B is calculated and visualized.

図6は、図5の可視化したデータを模式化してより理解しやすくした図である。図6(a)は図5(a)を、図6(b)は図5(b)を、図6(c)は図5(c)を模式化した図である。   FIG. 6 is a diagram that makes the visualized data of FIG. 5 schematic to make it easier to understand. 6A is a schematic diagram of FIG. 5A, FIG. 6B is a schematic diagram of FIG. 5B, and FIG. 6C is a schematic diagram of FIG. 5C.

ここで、図5(a)、図6(a)は、第1の光検出データを示し、図5(b)図6(b)は第2の光検出データを示すものである。これら図5、図6に示すように、近接場光評価装置200は、第1の光検出データと第2の光検出データとの差分を算出することによって、図5(c)、図6(c)に示すように、近接場光成分が際立って見えるという結果を得ることができる。したがって、近接場光評価装置200によれば、明確かつ簡便に近接場光を評価することができる。   Here, FIGS. 5A and 6A show the first photodetection data, and FIGS. 5B and 6B show the second photodetection data. As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the near-field light evaluation apparatus 200 calculates the difference between the first light detection data and the second light detection data, thereby obtaining the results shown in FIGS. As shown in c), it is possible to obtain a result that the near-field light component looks conspicuous. Therefore, according to the near-field light evaluation apparatus 200, near-field light can be clearly and easily evaluated.

また、本実施の形態では、タッピングモードとロックインアンプとを組み合わせて、2パス方式にて走査して、2つの光検出データを取得している。このため、上述の実施形態1に比べて、定常ノイズや光源からの透過光の影響を除去若しくは低減させることができるため、より実用的な実施形態ということができる。   In the present embodiment, the tapping mode and the lock-in amplifier are combined and scanned by a two-pass method to acquire two pieces of light detection data. For this reason, compared with the above-mentioned Embodiment 1, since the influence of the stationary noise and the transmitted light from a light source can be removed or reduced, it can be said that it is a more practical embodiment.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれることはいうまでもない。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Needless to say, these are also included in the technical scope of the present invention.

最後に、制御部15の各ブロック、特に算出手段として機能するブロックまたは変更機構を制御するブロックは、ハードウェアロジックによって構成してもよいし、次のようにCPUを用いてソフトウェアによって実現してもよい。   Finally, each block of the control unit 15, in particular, a block that functions as a calculation unit or a block that controls a change mechanism may be configured by hardware logic, or realized by software using a CPU as follows. Also good.

すなわち、制御部15は、各機能を実現する制御プログラムの命令を実行するCPU(central processing unit)、上記プログラムを格納したROM(read only memory)、上記プログラムを展開するRAM(random access memory)、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置(記録媒体)などを備えている。そして、本発明の目的は、上述した機能を実現するソフトウェアである制御部15の制御プログラムのプログラムコード(実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム)をコンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体を、上記制御部15に供給し、そのコンピュータ(またはCPUやMPU)が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成可能である。   That is, the control unit 15 includes a CPU (central processing unit) that executes instructions of a control program that realizes each function, a ROM (read only memory) that stores the program, a RAM (random access memory) that expands the program, A storage device (recording medium) such as a memory for storing the program and various data is provided. An object of the present invention is to provide a recording medium in which a program code (execution format program, intermediate code program, source program) of a control program of the control unit 15 which is software that realizes the functions described above is recorded so as to be readable by a computer. This can also be achieved by supplying the control unit 15 and reading and executing the program code recorded on the recording medium by the computer (or CPU or MPU).

上記記録媒体としては、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フロッピー(登録商標)ディスク/ハードディスク等の磁気ディスクやCD−ROM/MO/MD/DVD/CD−R等の光ディスクを含むディスク系、ICカード(メモリカードを含む)/光カード等のカード系、あるいはマスクROM/EPROM/EEPROM/フラッシュROM等の半導体メモリ系などを用いることができる。   Examples of the recording medium include tapes such as magnetic tapes and cassette tapes, magnetic disks such as floppy (registered trademark) disks / hard disks, and disks including optical disks such as CD-ROM / MO / MD / DVD / CD-R. Card system such as IC card, IC card (including memory card) / optical card, or semiconductor memory system such as mask ROM / EPROM / EEPROM / flash ROM.

また、制御部15を通信ネットワークと接続可能に構成し、上記プログラムコードを、通信ネットワークを介して供給してもよい。この通信ネットワークとしては、特に限定されず、例えば、インターネット、イントラネット、エキストラネット、LAN、ISDN、VAN、CATV通信網、仮想専用網(virtual private network)、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等が利用可能である。また、通信ネットワークを構成する伝送媒体としては、特に限定されず、例えば、IEEE1394、USB、電力線搬送、ケーブルTV回線、電話線、ADSL回線等の有線でも、IrDAやリモコンのような赤外線、Bluetooth(登録商標)、802.11無線、HDR、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお、本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。   The control unit 15 may be configured to be connectable to a communication network, and the program code may be supplied via the communication network. The communication network is not particularly limited. For example, the Internet, intranet, extranet, LAN, ISDN, VAN, CATV communication network, virtual private network, telephone line network, mobile communication network, satellite communication. A net or the like is available. Also, the transmission medium constituting the communication network is not particularly limited. For example, even in the case of wired such as IEEE 1394, USB, power line carrier, cable TV line, telephone line, ADSL line, etc., infrared rays such as IrDA and remote control, Bluetooth ( (Registered trademark), 802.11 wireless, HDR, mobile phone network, satellite line, terrestrial digital network, and the like can also be used. The present invention can also be realized in the form of a computer data signal embedded in a carrier wave in which the program code is embodied by electronic transmission.

本発明によれば、近接場光をより正確に評価することができるため、より精密な近接場光学顕微鏡を製作でき、表面形状観察だけでなく、発光、ラマン散乱、偏光などの分光情報を通して、産業上非常に有用なナノ物性評価を行うことができる。さらに、光加工や光情報記録・再生といった分野にも近接場光学の原理を適用できるようになり、例えば、近接場光は距離に非常に敏感であるので、近接場光の強度を測定することで、ハードディスクドライブ等に用いられるスライダーヘッドの浮上量センサー(ギャップセンサー)等に利用可能である。   According to the present invention, near-field light can be more accurately evaluated, so a more precise near-field optical microscope can be manufactured, and not only surface shape observation but also through spectral information such as light emission, Raman scattering, and polarization, Nano-physical property evaluation that is very useful in industry can be performed. Furthermore, the principle of near-field optics can be applied to fields such as optical processing and optical information recording / reproduction. For example, near-field light is very sensitive to distance, so the intensity of near-field light can be measured. Thus, it can be used for a flying height sensor (gap sensor) of a slider head used in a hard disk drive or the like.

本発明に係る一実施形態の近接場光評価装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the near-field light evaluation apparatus of one Embodiment which concerns on this invention. 近接場光発生素子の構造を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of a near-field light generating element. 散乱体10を1軸で走査させた場合に検出される散乱光強度の分布を示す図であり、(a)は、散乱体が近接場光発生素子の表面(Z=0)を走査した場合の散乱光強度の分布を示す。この図は、第1の光検出データを示す図であり、(b)は、散乱体が近接場光発生素子の表面から25nmの高さの位置(Z=25)を走査した場合の散乱光強度の分布を示す図であり、(c)は、(a)と(b)に示す散乱光強度の分布の差分を取った図である。It is a figure which shows distribution of the scattered light intensity detected when the scatterer 10 is scanned by 1 axis | shaft, (a) is a case where the scatterer scans the surface (Z = 0) of a near-field light generating element. The distribution of scattered light intensity is shown. This figure shows the first light detection data, and (b) shows the scattered light when the scatterer scans a position (Z = 25) at a height of 25 nm from the surface of the near-field light generating element. It is a figure which shows distribution of intensity | strength, (c) is the figure which took the difference of distribution of scattered light intensity shown to (a) and (b). 本発明に係る他の一実施形態の近接場光評価装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the near-field light evaluation apparatus of other one Embodiment which concerns on this invention. 散乱体を2軸で走査させた場合に検出される散乱光強度の分布を示す図であり、(a)は、散乱体が近接場光発生素子の表面(Z=0)をタッピングモードで走査した場合の散乱光強度の分布を視覚化した図であり、(b)は、散乱体が近接場光発生素子の表面から25nmの高さの位置(Z=25)をタッピングモードで走査した場合の散乱光強度の分布を視覚化した図であり、(c)は、(a)と(b)との差分を算出し、視覚化した図である。It is a figure which shows distribution of the scattered light intensity detected when a scatterer is scanned by 2 axis | shafts, (a) scans the surface (Z = 0) of a near-field light generating element in a tapping mode. FIG. 8B is a diagram visualizing the distribution of scattered light intensity in the case where the scatterer scans the position (Z = 25) at a height of 25 nm from the surface of the near-field light generating element in the tapping mode. (C) is the figure which computed and calculated the difference of (a) and (b). 図5の可視化したデータを模式化してより理解しやすくした図であり、(a)は図5(a)を、(b)は図5(b)を、(c)は図5(c)を模式化した図である。FIG. 6 is a diagram that makes the visualized data of FIG. 5 schematic and easier to understand. FIG. 5A shows FIG. 5A, FIG. 5B shows FIG. 5B, and FIG. 5C shows FIG. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 散乱体
11 走査機構(走査手段)
12 変更機構(位置変更手段)
14 光検出器(光検出手段)
15 制御部(算出手段)
21 加振機構(加振手段)
22 ロックインアンプ(微少信号検出手段)
23 発振器(発振手段)
50 近接場光発生素子
51 光源
54 微小開口部
60 近接場光
100、200 近接場光評価装置
10 Scattering body 11 Scanning mechanism (scanning means)
12 Change mechanism (position change means)
14 Photodetector (light detection means)
15 Control unit (calculation means)
21 Excitation mechanism (excitation means)
22 Lock-in amplifier (micro signal detection means)
23 Oscillator (oscillation means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 Near field light generation element 51 Light source 54 Micro opening 60 Near field light 100,200 Near field light evaluation apparatus

Claims (10)

近接場光発生素子により発生した近接場光を評価するための近接場光評価装置において、
光を散乱させる散乱手段と、
上記散乱手段によって散乱された光を検出する光検出手段と、
上記散乱手段の位置を、上記近接場光に対して鉛直方向に距離Z移動させる位置変更手段と、
上記位置変更手段が散乱手段の位置を距離Z移動させる前後において散乱光を測定し、これら移動前後における2つの光検出データの差を算出する算出手段と、を備え、
上記距離Zは、近接場光は減衰するが、それ以外の光は減衰しない距離であることを特徴とする近接場光評価装置。
In the near-field light evaluation apparatus for evaluating the near-field light generated by the near-field light generating element,
A scattering means for scattering light;
A light detection means for detecting light scattered by the scattering means;
Position changing means for moving the position of the scattering means by a distance Z in the vertical direction with respect to the near-field light;
The position changing means measures the scattered light before and after moving the position of the scattering means by the distance Z, and includes a calculating means for calculating the difference between the two light detection data before and after the movement,
The near-field light evaluation apparatus, wherein the distance Z is a distance at which near-field light is attenuated but other light is not attenuated.
上記算出手段は、
上記散乱手段を、上記近接場光発生素子における近接場光が発生している表面又はその極近傍に配置した際に散乱される光を検出した第1の光検出データと、
上記散乱手段を、上記第1の光検出データを取得する際における散乱手段の位置から距離Z移動させて配置した際に散乱される光を検出した第2の光検出データと、の差を算出するものであることを特徴とする請求項1に記載の近接場光評価装置。
The calculation means is
First light detection data for detecting light scattered when the scattering means is arranged on the surface of the near-field light generating element where the near-field light is generated or in the vicinity thereof;
The difference between the scattering means and the second light detection data for detecting the scattered light when the first light detection data is acquired and moved by a distance Z from the position of the scattering means is calculated. The near-field light evaluation apparatus according to claim 1, wherein:
さらに、上記近接場光素子における近接場光が発生している表面に対して水平方向に、上記散乱手段を走査させる走査手段を備え、
上記算出手段は、上記位置変更手段が散乱手段の位置を距離Z移動させる前後で、上記散乱手段を走査させた際に散乱される光を検出し、2つの光検出データの差を算出するものであることを特徴とする請求項1または2に記載の近接場光評価装置。
And a scanning means for scanning the scattering means in a horizontal direction with respect to the surface where the near-field light in the near-field light element is generated,
The calculating means detects the light scattered when the scattering means is scanned before and after the position changing means moves the position of the scattering means by the distance Z, and calculates the difference between the two light detection data. The near-field light evaluation apparatus according to claim 1 or 2, wherein
上記走査手段は、上記第2の光検出データを取得する際の走査ラインとして、上記第1の光検出データを取得する際の走査ラインと同じ走査ラインであって、上記近接場光発生素子に対して鉛直方向に距離Z移動させた位置にて走査させるものであることを特徴とする請求項3に記載の近接場光評価装置。   The scanning means is the same scanning line as the scanning line for acquiring the first photodetection data as the scanning line for acquiring the second photodetection data, and 4. The near-field light evaluation apparatus according to claim 3, wherein scanning is performed at a position moved by a distance Z in the vertical direction. さらに、上記散乱手段を振動させるための加振手段と、発振手段と、微少信号測定手段と、を備える近接場光評価装置であって、
上記加振手段は、上記発振手段に同期した信号にて散乱手段を振動させるものであり、
上記微少信号測定手段は、上記光検出手段が検出した信号のうち、上記発振手段に同期した信号のみを選択的に検出するとともに、該選択的に検出した信号のみを上記算出手段に対して出力するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の近接場光評価装置。
Furthermore, a near-field light evaluation apparatus comprising a vibration means for vibrating the scattering means, an oscillation means, and a minute signal measurement means,
The excitation means vibrates the scattering means with a signal synchronized with the oscillation means,
The minute signal measuring means selectively detects only the signal synchronized with the oscillating means among the signals detected by the light detecting means, and outputs only the selectively detected signal to the calculating means. The near-field light evaluation apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する光源が発する入射光の波長より小さいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の近接場光評価装置。   6. The near-field light evaluation apparatus according to claim 1, wherein the distance Z is smaller than a wavelength of incident light emitted from a light source included in the near-field light generating element. 上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する光源が発する入射光の波長の1/2より小さいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の近接場光評価装置。   6. The near-field light evaluation apparatus according to claim 1, wherein the distance Z is smaller than ½ of the wavelength of incident light emitted from a light source included in the near-field light generating element. 上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する微小開口部の形状が円形である場合、該円形の径より小さいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の近接場光評価装置。   The near field according to any one of claims 1 to 5, wherein the distance Z is smaller than a diameter of the circular opening when the near-field light generating element has a circular shape. Light evaluation device. 上記距離Zは、上記近接場光発生素子が有する微小開口部の形状が円形以外の形状である場合、該開口部の最も狭い部分の距離より小さいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の近接場光評価装置。   The distance Z is smaller than the distance of the narrowest portion of the opening when the shape of the minute opening of the near-field light generating element is a shape other than a circle. The near-field light evaluation apparatus according to claim 1. 上記距離Zは、1nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の近接場光評価装置。
The near field light evaluation apparatus according to claim 1, wherein the distance Z is not less than 1 nm and not more than 100 nm.
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