JP2006032992A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法において、被処理基板の主面上に樹脂膜を形成する工程と、被処理基板の主面に、紫外光が照射されてOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する分子を含む雰囲気を接触させる工程と、被処理基板の主面に対して紫外光を照射する工程と、紫外光により分子からOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する工程と、生成されたOHラジカル及び/又はOラジカルと、樹脂膜とを反応させ、反応生成物を生成する工程と、紫外線の照射時、生成された反応生成物が流動しない温度に被処理基板を冷却する工程とを含む。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の実施形態に係わる半導体装置の製造方法、及び基板処理装置について図1,2を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。また、図2は、本発明の第1の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
本実施形態は、第1の実施形態と異なる基板処理装置を用いて、スリミング処理を行う。図8は、本発明の第2の実施形態に係わる基板処理装置の概略構成を示す図である。図8において、図3に示した装置と同一な部位には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
先ず、本実施形態のスリミング処理に用いる基板処理装置の構成を図12を参照して説明する。なお、図3と同一な部位には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。なお、ガス供給器220の構成は、図3に示した装置のガス導入器と同様である。
本実施形態では、第1〜第3の実施形態と同様に、レジストパターン形成後にエキシマランプを照射することでレジストパターンをスリミング処理する例を説明する。
Claims (25)
- 被処理基板の主面上に樹脂膜を形成する工程と、
前記被処理基板の主面に、紫外光が照射されてOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する分子を含む雰囲気を接触させる工程と、
前記被処理基板の主面に対して前記紫外光を照射する工程と、
前記紫外光により前記分子からOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する工程と、
生成されたOHラジカル及び/又はOラジカルと、前記樹脂膜とを反応させ、反応生成物を生成する工程と、
前記紫外線の照射時、生成された反応生成物が流動しない温度に被処理基板を冷却する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂膜は所定のパターンで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被処理基板主面から、前記反応生成物を除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 被処理基板の主面上に樹脂膜のパターンを形成する工程と、
前記被処理基板の主面が下方に向いた状態にする工程と、
前記被処理基板の主面に、紫外光が照射されてOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する分子を含む雰囲気を接触させる工程と、
前記被処理基板主面に対して前記紫外光を照射する工程と、
前記紫外光により前記分子からOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する工程と、
生成されたOHラジカル及び/又はOラジカルと、前記樹脂膜とを反応させ、反応生成物を生成する工程と、
前記反応生成物を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記紫外光の照射時、前記反応生成物を流動化させることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記紫外光の照射時、生成された反応生成物が流動しない温度に前記被処理基板を冷却することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記分子が、酸素及びオゾンの何れかから一つ以上選ばれたものであることを特徴とする請求項1又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応生成物の除去後、前記樹脂膜をマスクに前記被処理基板をエッチングすることを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応生成物の除去後、被処理基板の主面に対して紫外光または電子線を照射することを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応生成物の除去は、前記被処理基板主面に対して前記反応生成物を溶解する溶液を供給する工程と、前記溶液を被処理基板主面から除去する工程とを含むことを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溶液は、水又は過酸化水素水であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溶液の除去後、前記被処理基板主面を乾燥させる工程を更に含むことを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応生成物の除去は、前記反応生成物が気化する温度まで被処理基板を加熱して行うことを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被処理基板の加熱温度は、前記樹脂膜の熱分解温度未満であることを特徴とする請求項13記載の半導体装置の製造方法。
- 前記雰囲気の接触、前記OHラジカル及び/又はOラジカルの生成、前記反応生成物の生成、前記反応生成物の除去の一連の処理を複数回行うことを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記分子は蒸気状態の液体であり、前記雰囲気の接触により、前記樹脂膜の表面に前記液体を吸着させることを特徴とする請求項1又は4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂膜の表面の前記液体に対する接触角度を増加させる工程を更に含むことを特徴とする請求項16記載の半導体装置の製造方法。
- 前記液体が、水または過酸化水素であることを特徴とする請求項16記載の半導体装置の製造方法。
- 前記雰囲気の接触は、前記被処理基板の主面が下を向いた状態で行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、
前記基板の温度を制御する手段と、
前記基板保持手段に保持される基板主面に対向配置された、紫外光を照射する手段と、
前記チャンバーに接続され、前記基板主面と照射手段の間の空間に、前記紫外線の照射によりOHラジカル及び/又はOラジカルを生成する分子を含むガスを前記チャンバー内に供給するガス供給手段と、
前記チャンバー内を排気するガス排気手段と、
前記ガス供給手段から供給されるガスに含まれる前記分子の濃度を制御する濃度制御手段と
を具備してなることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段は、前記基板主面を下方に向けて保持することを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。
- 前記光照射手段を、前記基板に対して相対的に走査させる手段を更に具備することを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給手段は、前記分子を含む液体が蓄えられたバブラーを具備することを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。
- 前記基板主面に液体を供給して前記基板主面を洗浄する洗浄手段を具備した請求項20記載の基板処理装置。
- 前記基板主面に付着した液体を乾燥させる乾燥手段を具備した請求項24記載の基板処理装置。
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---|---|---|---|---|
JP2012134199A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 炭素含有薄膜のスリミング方法及び酸化装置 |
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