JP2006032666A

JP2006032666A - Light emitting diode

Info

Publication number: JP2006032666A
Application number: JP2004209667A
Authority: JP
Inventors: Taiichiro Konno; 泰一郎今野; Masahiro Arai; 優洋新井
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2004-07-16
Filing date: 2004-07-16
Publication date: 2006-02-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an LED having a structure using a metal oxide as a current dispersion layer on the surface of an epitaxial wafer, the structure in which damage is eliminated at the time of wire bonding without providing a cushion layer. <P>SOLUTION: In the light emitting diode where an emission layer part sandwiching an active layer 5 between a first conductivity type clad layer 4 and a second conductivity type clad layer 6, and a second conductivity type contact layer 7 are formed sequentially on a first conductivity type substrate 1, a current dispersion layer 8 composed of a metal oxide is formed thereon, a surface electrode 9 is further formed thereon for conduction and the thickness from the emission layer part to the current dispersion layer 8 is 0.9 μm or less, gold not subjected to alloying is added into the uppermost layer of the surface electrode 9 on the current dispersion layer 8 composed of a metal oxide. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）の構造に関するものである。 The present invention relates to the structure of a high-intensity light emitting diode (LED).

従来、発光ダイオードは、ＧａＰによる緑色、ＡｌＧａＡｓによる赤色がほとんどであった。しかし、最近、ＧａＮやＡｌＧａＩｎＰの結晶層を有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法で成長できるようになったことから、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度発光ダイオードが製作できるようになってきた。 Conventionally, most of the light emitting diodes are green by GaP and red by AlGaAs. Recently, however, crystal layers of GaN and AlGaInP can be grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), so that orange, yellow, green, and blue high-intensity light-emitting diodes can be manufactured. .

ＭＯＶＰＥ法で形成したエピタキシャルウェハは、これまでに無かった短波長の発光や、高輝度を示すＬＥＤの製作を可能とした。しかし、高輝度を得るために、電流分散層の膜厚を厚く成長させた場合、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造に掛かるコストが高くなるという問題があった。 Epitaxial wafers formed by the MOVPE method made it possible to produce LEDs that emit light with a short wavelength and high brightness, which had never existed before. However, when the current distribution layer is grown thick in order to obtain high luminance, there is a problem that the cost for manufacturing the epitaxial wafer for LED increases.

これらの問題を解決する方法としては、電流分散層としてできるだけ抵抗率の低い材料を用いる方法がある。例えば、発光層としてＡｌＧａＩｎＰが用いられるＬＥＤの場合には、電流分散層としてＧａＰやＡｌＧａＡｓが用いられる。しかし、これら抵抗率の低い材料を用いても、やはり電流分散を良くするためには、膜厚を８μｍ以上にまで厚くする必要がある。 As a method for solving these problems, there is a method using a material having a resistivity as low as possible for the current spreading layer. For example, in the case of an LED using AlGaInP as the light emitting layer, GaP or AlGaAs is used as the current spreading layer. However, even if these low resistivity materials are used, it is necessary to increase the film thickness to 8 μm or more in order to improve current dispersion.

膜厚をさらに薄くするために、電流分散層の抵抗率をさらに低くすることが考えられるが、移動度を大幅に変えることは困難であることから、キャリア濃度を高くすることが試みられている。しかし、現段階では、電流分散層を薄くできるほどキャリア濃度を高くすることはできない。 In order to further reduce the film thickness, it is conceivable to further reduce the resistivity of the current spreading layer. However, since it is difficult to significantly change the mobility, attempts have been made to increase the carrier concentration. . However, at this stage, the carrier concentration cannot be increased as the current spreading layer can be made thinner.

この問題の解決手段として、半導体からなる電流分散層の代わりに、金属酸化物からなる透明導電膜を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。金属酸化物からなる透明導電膜は、キャリア濃度が非常に高く、薄い膜厚で十分な電流分散を得ることができる。 As a means for solving this problem, a method of using a transparent conductive film made of a metal oxide instead of a current spreading layer made of a semiconductor has been proposed (see, for example, Patent Document 1). A transparent conductive film made of a metal oxide has a very high carrier concentration, and a sufficient current dispersion can be obtained with a thin film thickness.

この透明導電膜は、半導体エピタキシャル層の表面に形成され、その上にワイヤボンディング用の金属電極が形成される。この時、発光層部からパッド電極までの厚さが０．９μｍ以下と薄いと、ワイヤボンディング時のダメージにより、発光ダイオードが劣化したり壊れたりする問題がある。 This transparent conductive film is formed on the surface of the semiconductor epitaxial layer, and a metal electrode for wire bonding is formed thereon. At this time, if the thickness from the light emitting layer portion to the pad electrode is as thin as 0.9 μm or less, there is a problem that the light emitting diode deteriorates or breaks due to damage during wire bonding.

このため発光層部からパッド電極（表面電極）の間にワイヤボンディングダメージを緩和する、クッション層を配置する方法が提案されている。例えば、セミコンＪＡＰＡＮ２００２の信越化学工業株式会社の資料（非特許文献１）である。
特開平８−８３９２７号公報セミコンＪＡＰＡＮ２００２の信越化学工業株式会社の資料 For this reason, a method of arranging a cushion layer that alleviates wire bonding damage between the light emitting layer portion and the pad electrode (surface electrode) has been proposed. For example, it is a document (Non-Patent Document 1) of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. of SEMICON Japan 2002.
JP-A-8-83927 SEMICON Japan 2002 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. materials

上記のように、半導体エピタキシャル層の表面に電流分散層として透明導電膜を形成し、その上にワイヤボンディング用の金属電極を形成する場合、発光層部からパッド電極（表面電極）までの厚さが薄いと、ワイヤボンディング時のダメージにより、発光ダイオードが劣化したり壊れたりする問題がある。 As described above, when a transparent conductive film is formed as a current spreading layer on the surface of the semiconductor epitaxial layer and a metal electrode for wire bonding is formed thereon, the thickness from the light emitting layer portion to the pad electrode (surface electrode) If it is thin, there is a problem that the light emitting diode deteriorates or breaks due to damage during wire bonding.

しかしながら、この問題の解決のため、発光層部からパッド電極（表面電極）の間にワイヤボンディングダメージを緩和するクッション層を配置する方法では、クッション層を設ける分だけ、高コストになる。 However, in order to solve this problem, in the method of disposing a cushion layer that alleviates wire bonding damage between the light emitting layer portion and the pad electrode (surface electrode), the cost is increased by providing the cushion layer.

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、エピタキシャルウェハの表面に電流分散層として金属酸化物からなる透明導電膜を用いた構造のＬＥＤにおいて、クッション層を設けることなくワイヤボンディング時のダメージをなくした構造にすることにある。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and in an LED having a structure using a transparent conductive film made of a metal oxide as a current spreading layer on the surface of an epitaxial wafer, damage during wire bonding without providing a cushion layer. It is to make the structure without.

上記目的を達するために、本発明は、クッション層を設けることなく、つまり低コストでワイヤボンディングダメージの問題を解決する発光ダイオードの電極構造を提供するものであり、具体的には次のように構成したものである。 In order to achieve the above object, the present invention provides an electrode structure of a light emitting diode that solves the problem of wire bonding damage without providing a cushion layer, that is, at low cost. It is composed.

請求項１の発明に係る発光ダイオードは、第一導電型基板、その上に活性層を導電型が異なる第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層で挟んだ発光層部と、第二導電型コンタクト層を順次積層し、その上に金属酸化物からなる電流分散層、更にその上に通電のための表面電極（基板とは逆側に形成された電極）が形成され、発光層部から金属酸化物からなる電流分散層までの厚さが０．９μｍ以下の発光ダイオードにおいて、金属酸化物からなる電流分散層上の表面電極の最上層にアロイ処理を行わない金（Ａｕ）が含まれていることを特徴とする。 The light emitting diode according to the first aspect of the present invention includes a first conductivity type substrate, a light emitting layer portion sandwiched between a first conductivity type clad layer and a second conductivity type clad layer having different conductivity types on the first conductivity type substrate, A conductive contact layer is sequentially laminated, a current spreading layer made of a metal oxide is formed thereon, and a surface electrode (electrode formed on the side opposite to the substrate) is further formed thereon, and a light emitting layer portion In the light emitting diode with a thickness from 0.9 to 0.9 μm or less from the current distribution layer made of metal oxide, the uppermost layer of the surface electrode on the current distribution layer made of metal oxide contains gold (Au) that is not alloyed It is characterized by being.

ここに言う発光ダイオードの概念には、まだワイヤボンディングされていないもの、ワイヤボンディングされたもの、及びワイヤボンディング後に樹脂で被われたもの、のいずれもが含まれる。 The concept of the light emitting diode here includes any of those that have not been wire bonded yet, those that have been wire bonded, and those that have been covered with a resin after wire bonding.

請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダイオードにおいて、上記表面電極の最上層のアロイ処理を行わない金の膜厚が、５０nm以上であることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the light-emitting diode according to the first aspect, the thickness of the gold that is not subjected to the alloying process on the uppermost layer of the surface electrode is 50 nm or more.

請求項３の発明は、請求項１及び２記載の発光ダイオードにおいて、上記金属酸化物からなる電流分散層がＩＴＯから成り、膜厚が２００nm以上５００nm以下であることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the light emitting diode according to the first and second aspects, the current spreading layer made of the metal oxide is made of ITO and has a thickness of 200 nm to 500 nm.

請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光ダイオードにおいて、上記第二導電型コンタクト層がＡｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０≦Ｘ≦０．４３）からなることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the light emitting diode according to any one of the first to third aspects, the second conductivity type contact layer is made of Al _x Ga _1-x As (0 ≦ X ≦ 0.43). Features.

請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオードにおいて、上記第二導電型コンタクト層の膜厚が２nm以上２５nm以下であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the film thickness of the second conductivity type contact layer is 2 nm or more and 25 nm or less.

＜発明の要点＞
本発明は、表面電極の最上層に、アロイ処理を行わない金（ノンアロイ金）を設けるものであり、これにより、ＬＥＤを破壊することなくワイヤボンディングすることができる。すなわち、本発明のように表面電極の最上層にノンアロイ金が設けてあると、ワイヤボンディング装置の超音波のパワーを非常に低くしても、ワイヤボンディングができるようになる。その理由として、ワイヤボンダビリティが良くなるからである。ワイヤボンダビリティが良い訳は、より柔らかい電極の方が、ワイヤボンダビリティが良いためである。 <Key points of the invention>
In the present invention, gold (non-alloy gold) that is not subjected to alloying treatment is provided on the uppermost layer of the surface electrode, whereby wire bonding can be performed without destroying the LED. That is, when non-alloy gold is provided on the uppermost layer of the surface electrode as in the present invention, wire bonding can be performed even if the ultrasonic power of the wire bonding apparatus is very low. This is because wire bondability is improved. The reason why the wire bondability is good is that the softer electrode has better wire bondability.

本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。 According to the present invention, the following excellent effects can be obtained.

本発明の発光ダイオードによれば、金属酸化物からなる電流分散層上の表面電極の最上層にアロイ処理を行わない金（ノンアロイ金）が含まれていることから、発光層部から金属酸化物からなる電流分散層までの厚さが０．９μｍ以下という薄い構造の発光ダイオードでありながら、ワイヤボンディング時のダメージを発光ダイオードに与えずに、良好に表面電極上にワイヤボンディングすることができる。 According to the light emitting diode of the present invention, since the uppermost layer of the surface electrode on the current spreading layer made of a metal oxide contains gold (non-alloy gold) that is not subjected to alloying treatment, the metal oxide from the light emitting layer portion. Even though the light-emitting diode has a thin structure with a thickness of 0.9 μm or less up to the current spreading layer, it can be favorably wire-bonded on the surface electrode without damaging the light-emitting diode.

すなわち、本発明を用いることにより、ＩＴＯなどの金属酸化物からなる電流分散層を用いたＬＥＤにおいて、クッション層を設ける必要がなくなった。このため、クッション層の原料費を削減することができる。またクッション層を設ける必要がなくなった分だけ、成長時間が短くなることにより、生産量を多くすることできるようになった。これにより、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハ及びＬＥＤの製造に掛かるコストを低くすることができた。 That is, by using the present invention, it is no longer necessary to provide a cushion layer in an LED using a current dispersion layer made of a metal oxide such as ITO. For this reason, the raw material cost of a cushion layer can be reduced. Moreover, the production time can be increased by shortening the growth time by the amount that the cushion layer is not required. Thereby, the cost concerning manufacture of the epitaxial wafer for LED and LED was able to be made low.

以下、本発明の実施の形態を実施例を中心に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described focusing on examples.

なお、以下の説明においては、第一導電型としてｎ型、第二導電型としてｐ型を採用したが、もちろん、本発明はこれに限定されるわけではなく、第一導電型としてｐ型、第二導電型としてｎ型を採用した場合においても、同様な効果を得ることができる。 In the following description, the n-type is adopted as the first conductivity type and the p-type is adopted as the second conductivity type. Of course, the present invention is not limited to this, but the p-type as the first conductivity type, A similar effect can be obtained even when n-type is adopted as the second conductivity type.

［実施例］
図１のような構造の、発光波長６３０nm付近の赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製した。製作の過程は次の通りである。 [Example]
An epitaxial wafer for a red light emitting diode having a structure as shown in FIG. The production process is as follows.

第一導電型基板としてのｎ型ＧａＡｓからなるｎ型基板１上に、ＭＯＶＰＥ法で、ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層２（厚さ４００nm）、ｎ型ＤＢＲ層３、第一導電型クラッド層としてのｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｎ型クラッド層４（厚さ３５０nm）、アンドープ（Ａｌ_0.10Ｇａ_0.90）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる活性層５（厚さ５５０nm）、第二導電型クラッド層としてのｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｐ型クラッド層６（厚さ３００nm）、第二導電型コンタクト層としてのｐ型Ａｌ_0.1ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層７（厚さ２nm）を順次成長させ、発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製した。 On an n-type substrate 1 made of n-type GaAs as a first conductivity type substrate, an n-type buffer layer 2 (thickness 400 nm) made of n-type GaAs, an n-type DBR layer 3 and a first conductivity-type cladding are formed by MOVPE. N-type cladding layer 4 (thickness 350 nm) made of n-type (Al _0.7 Ga _0.3 ) _0.5 In _0.5 P as a layer, active layer 5 (thickness 550 nm) made of undoped (Al _0.10 Ga _0.90 ) _0.5 In _0.5 P, P-type cladding layer 6 (thickness 300 nm) made of p-type (Al _0.7 Ga _0.3 ) _0.5 In _0.5 P as the second conductivity type cladding layer, p-type made of p-type Al _0.1 GaAs as the second conductivity type contact layer The contact layer 7 (thickness 2 nm) was grown sequentially to produce an epitaxial wafer for a light emitting diode.

因みに上記ｎ型ＤＢＲ層３は、ｎ型ＡｌＩｎＰ（厚さ約５０nm）とｎ型ＧａＡｓ（厚さ約４０nm）から成る積層構造とし、そのペア数は１０ペアとした。 Incidentally, the n-type DBR layer 3 has a laminated structure composed of n-type AlInP (thickness: about 50 nm) and n-type GaAs (thickness: about 40 nm), and the number of pairs is 10 pairs.

前記発光ダイオード用エピタキシャルウェハをＭＯＶＰＥ装置から搬出した後、該ウェハの表面、つまりｐ型コンタクト層７側へ、金属酸化物の一種であるＩＴＯからなる電流分散層８を形成した。この電流分散層８は真空蒸着法で形成し、膜厚は３００nmとした。 After carrying out the light emitting diode epitaxial wafer from the MOVPE apparatus, a current spreading layer 8 made of ITO, which is a kind of metal oxide, was formed on the surface of the wafer, that is, on the p-type contact layer 7 side. This current dispersion layer 8 was formed by a vacuum deposition method, and the film thickness was 300 nm.

因みに、この時、同一バッチ内にセットしたガラス基板を取り出し、Ｈａｌｌ測定が可能なサイズに切断し、電流分散層の電気特性を評価した所、キャリア濃度１．２７×１０²¹／cm³、移動度２２．４cm²／Ｖｓ、抵抗率２．３１×１０^-4Ω・cmであった。 Incidentally, at this time, the glass substrate set in the same batch was taken out, cut into a size capable of Hall measurement, and the electric characteristics of the current dispersion layer were evaluated. As a result, the carrier concentration was 1.27 × 10 ²¹ / cm ³ . The degree was 22.4 cm ² / Vs and the resistivity was 2.31 × 10 ⁻⁴ Ω · cm.

その後、電流分散層８の表面に、表面電極９をリフトオフ法を用いてマトリクス状に蒸着で形成した。前記表面電極９は、ニッケル、金を、それぞれ２０nm、３００nmの順に蒸着した。更にエピタキシャルウェハ底面（基板側）には、全面に裏面電極１０を形成した。裏面電極１０は、金・ゲルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ６０nm、１０nm、３００nmの順に蒸着し、その後、電極の合金化であるアロイを、窒素ガス雰囲気中４００℃で５分行った。 Thereafter, the surface electrode 9 was formed on the surface of the current dispersion layer 8 by evaporation in a matrix using a lift-off method. The surface electrode 9 was formed by depositing nickel and gold in the order of 20 nm and 300 nm, respectively. Further, the back electrode 10 was formed on the entire bottom surface (substrate side) of the epitaxial wafer. The back electrode 10 was formed by depositing gold, germanium, nickel, and gold in the order of 60 nm, 10 nm, and 300 nm, respectively, and then alloying the electrodes was performed at 400 ° C. for 5 minutes in a nitrogen gas atmosphere.

その後、更に上記表面電極９と中心が略一致するように、ノンアロイ金１１を形成した。前記ノンアロイ金１１の形成方法は、上記した方法（リフトオフ法）と同じ方法で行った。この時、該ノンアロイ金１１の膜厚は、５０nm、１００nmの２種類を製作した。 Thereafter, non-alloy gold 11 was further formed so that the center of the surface electrode 9 substantially coincided with the center. The non-alloy gold 11 was formed by the same method as the above-described method (lift-off method). At this time, two types of film thicknesses of 50 nm and 100 nm were produced for the non-alloy gold 11.

次に、このエピタキシャルウェハをダイシング等でチップサイズ３００μｍ角のチップ形状に加工し、更にダイボンディングを行った。 Next, this epitaxial wafer was processed into a chip shape having a chip size of 300 μm square by dicing or the like, and then die bonding was performed.

次に、ワイヤボンディング装置の超音波のパワーを非常に低くして、ワイヤボンディングを行った。その結果、ノンアロイ金１１の膜厚が５０nm、１００nmの双方ともに、ワイヤボンディングができた。またこの発光ダイオードチップのＬＥＤ特性を評価した結果、発光出力は、それぞれ２．４８ｍＷ、２．４７ｍＷであり、且つ順方向電圧は双方ともに１．９４Ｖであり、初期特性に問題ないことが確認された。 Next, wire bonding was performed with the ultrasonic power of the wire bonding apparatus being very low. As a result, wire bonding was possible for both the non-alloy gold 11 having a film thickness of 50 nm and 100 nm. As a result of evaluating the LED characteristics of the light-emitting diode chip, it was confirmed that the light-emission output was 2.48 mW and 2.47 mW, respectively, and the forward voltage was 1.94 V for both, and there was no problem with the initial characteristics. It was.

更に前記ＬＥＤ素子（樹脂でモールドされていない）の信頼性を、試験条件：５５℃、５０ｍＡ通電で行い、評価した所、１６８時間通電後の発光出力（以降相対出力と書く）は約１０３％であった（出力評価時の電流値は２０Ａｍ）。このため信頼性にも問題ないことが確認された。 Further, the reliability of the LED element (not molded with resin) was evaluated under test conditions: 55 ° C. and 50 mA energization. As a result, the light emission output after 168 hours energization (hereinafter referred to as relative output) was about 103%. (The current value at the time of output evaluation was 20 Am). For this reason, it was confirmed that there was no problem in reliability.

以上のように、表面電極９の上にノンアロイ金１１を備えたことで、ワイヤボンディング装置の超音波のパワーを非常に低くしてもワイヤボンディングができるようになった。このためクッション層を設けなくても該発光ダイオードを、劣化若しくは破壊することなく製作できるようになった。このため従来よりも、低コスト化できた。 As described above, by providing the non-alloy gold 11 on the surface electrode 9, wire bonding can be performed even when the ultrasonic power of the wire bonding apparatus is very low. Therefore, the light emitting diode can be manufactured without deterioration or destruction without providing a cushion layer. For this reason, the cost could be reduced as compared with the prior art.

上記した本発明の実施例から分かるように、表面電極９の最上層にノンアロイ金１１を設けることにより、ＬＥＤを破壊することなくワイヤボンディングすることが可能になる。表面電極９の最上層にノンアロイ金１１が設けてあれば、ワイヤボンディング装置の超音波のパワーを非常に低くしてもワイヤボンディングができるようになるのは、ワイヤボンダビリティが良いからである。ワイヤボンダビリティが良い訳は、より柔らかい電極の方が、ワイヤボンダビリティが良いためである。 As can be seen from the embodiments of the present invention described above, by providing the non-alloy gold 11 on the uppermost layer of the surface electrode 9, it is possible to perform wire bonding without destroying the LED. If the non-alloy gold 11 is provided on the uppermost layer of the surface electrode 9, the wire bonding can be performed even if the ultrasonic power of the wire bonding apparatus is very low because the wire bondability is good. The reason why the wire bondability is good is that the softer electrode has better wire bondability.

［比較例］
図２に示した構造の発光波長６３０nm付近の赤色発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製した。エピタキシャル成長方法、エピタキシャル層構造、電流分散層等は、基本的に前記の実施例と同じとし、また、電極形成方法及び電極形状も基本的に前記の実施例と同じとした。更にプロセス加工及びワイヤボンディング工程も、前記の実施例と同じとした。 [Comparative example]
An epitaxial wafer for a red light emitting diode having an emission wavelength of about 630 nm having the structure shown in FIG. 2 was produced. The epitaxial growth method, the epitaxial layer structure, the current spreading layer, and the like are basically the same as those in the above embodiment, and the electrode forming method and the electrode shape are also basically the same as those in the above embodiment. Further, the process and wire bonding steps were the same as those in the above example.

但し、表面電極９は、リフトオフ法を用いてマトリクス状に蒸着で形成した。前記表面電極９は、ニッケル、金を、それぞれ２０nm、５００nmの順に蒸着した。エピタキシャルウェハ底面（基板側）は、全面に裏面電極１０を形成した。裏面電極１０は、金・ゲルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ６０nm、１０nm、３００nmの順に蒸着し、その後、電極の合金化であるアロイを、窒素ガス雰囲気中４００℃で５分行った。 However, the surface electrode 9 was formed by vapor deposition in a matrix using a lift-off method. The surface electrode 9 was formed by depositing nickel and gold in the order of 20 nm and 500 nm, respectively. The back electrode 10 was formed on the entire bottom surface (substrate side) of the epitaxial wafer. The back electrode 10 was formed by depositing gold, germanium, nickel, and gold in the order of 60 nm, 10 nm, and 300 nm, respectively, and then alloying the electrodes was performed at 400 ° C. for 5 minutes in a nitrogen gas atmosphere.

次に、ワイヤボンディング装置の超音波のパワーを非常に低くして、ワイヤボンディングを行った。その結果、全くワイヤボンディングができなかった。 Next, wire bonding was performed with the ultrasonic power of the wire bonding apparatus being very low. As a result, wire bonding was not possible at all.

このため徐々にワイヤボンディング装置の超音波のパワーを高くして、ワイヤボンディングを試みた。その結果ワイヤボンディングはできるようになったが、ＬＥＤ特性を評価した所、全く発光しなくなった。つまりＬＥＤが破壊されてしまった。 For this reason, wire bonding was attempted by gradually increasing the ultrasonic power of the wire bonding apparatus. As a result, wire bonding became possible, but when the LED characteristics were evaluated, no light was emitted. In other words, the LED has been destroyed.

［変形例１］
上記実施例では、表面電極９としてニッケルと金を蒸着し、その上にノンアロイ金１１を設けるという層構造にしたが、表面電極９の最上層にノンアロイ金１１が設けてあれば、その下の電極金属の層構造は、何でも良い。このため例えば、表面電極９としてニッケルと金を蒸着してアロイし、その後ニッケルやチタン等の電極を形成して、更にその上にノンアロイ金１１を設けても良く、同様の効果がある。 [Modification 1]
In the above embodiment, nickel and gold are vapor-deposited as the surface electrode 9 and the non-alloy gold 11 is provided thereon. However, if the non-alloy gold 11 is provided on the uppermost layer of the surface electrode 9, The layer structure of the electrode metal may be anything. For this reason, for example, nickel and gold may be vapor-deposited and alloyed as the surface electrode 9, and then an electrode such as nickel or titanium may be formed, and the non-alloy gold 11 may be further provided thereon.

［変形例２］
また、上記実施例では、表面電極９としてニッケルと金を用いたが、その他の材料を表面電極９としてもよく、同様に本発明の意図する効果を得ることができる。 [Modification 2]
Moreover, in the said Example, although nickel and gold | metal | money were used as the surface electrode 9, another material may be used as the surface electrode 9, and the effect intended by this invention can be acquired similarly.

本発明の実施例にかかるＬＥＤの断面図である。It is sectional drawing of LED concerning the Example of this invention. 本発明の比較例にかかるＬＥＤの断面図である。It is sectional drawing of LED concerning the comparative example of this invention.

Explanation of symbols

１ｎ型基板（第一導電型基板）
２ｎ型バッファ層
３ｎ型ＤＢＲ層
４ｎ型クラッド層（第一導電型クラッド層）
５活性層
６ｐ型クラッド層（第二導電型クラッド層）
７ｐ型コンタクト層（第二導電型コンタクト層）
８電流分散層
９表面電極
１０裏面電極
１１ノンアロイ金 1 n-type substrate (first conductivity type substrate)
2 n-type buffer layer 3 n-type DBR layer 4 n-type clad layer (first conductivity type clad layer)
5 active layer 6 p-type cladding layer (second conductivity type cladding layer)
7 p-type contact layer (second conductivity type contact layer)
8 Current distribution layer 9 Front electrode 10 Back electrode 11 Non-alloy gold

Claims

A first conductive type substrate, a light emitting layer portion sandwiched between a first conductive type clad layer and a second conductive type clad layer having different conductive types, and a second conductive type contact layer are sequentially laminated on the first conductive type substrate. In the light emitting diode having a thickness of 0.9 μm or less from the light emitting layer portion to the current dispersing layer made of the metal oxide, a current spreading layer made of the metal oxide is further formed thereon, and a surface electrode for energization is further formed thereon.
A light emitting diode characterized in that gold that is not alloyed is contained in an uppermost layer of a surface electrode on a current spreading layer made of a metal oxide.

The light emitting diode according to claim 1.
The light-emitting diode, wherein the gold film not subjected to the alloying process on the uppermost layer of the surface electrode has a thickness of 50 nm or more.

The light emitting diode according to claim 1 and 2,
A light-emitting diode, wherein the current dispersion layer made of the metal oxide is made of ITO and has a thickness of 200 nm to 500 nm.

The light emitting diode according to any one of claims 1 to 3,
2. The light emitting diode according to claim _{1, wherein} the second conductivity type contact layer is made of Al _x Ga _1-x As (0 ≦ X ≦ 0.43).

The light emitting diode according to any one of claims 1 to 4,
A light emitting diode, wherein the second conductivity type contact layer has a thickness of 2 nm to 25 nm.