JP2006032529A - Conveyance equipment and method thereof - Google Patents

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Yasuhiro Nakai
泰弘 中井
Masanori Tsuda
正徳 津田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To deliver smoothly an object to be conveyed between mechanisms even if the mechanism is subject to thermal deformation. <P>SOLUTION: This conveyance equipment is used for conveying an object to be delivered between a plurality of mechanisms by the movement of traverse, rise/fall or rotation in a high temperature environment. It comprises position detectors 8c and 8d for detecting the position of a delivering mechanism or the position of a delivered mechanism; and a displacement detector 100 for detecting the position displacement with respect to the prescribed range of the delivering mechanism or the delivered mechanism based on detection results of the position detectors 8c and 8d. In the case that the position of the delivering mechanism or the position of the delivered mechanism is displaced in comparison with the prescribed range, the position of the delivered mechanism is moved relatively to the position of the delivering mechanism according to the detection result of the displacement detector 100. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、搬送装置及び方法に関するものである。   The present invention relates to a transport apparatus and method.

搬送装置は搬送対象物を所定位置に搬送するためのものであるが、このような搬送装置の中には、気密容器内(雰囲気ガス中あるいは真空中)や高温環境下において搬送対象物を搬送するものがある(特許文献1参照)。
また、搬送装置の中には、搬送対象物を搬送する複数の機構部を備えるものがあり、このような搬送装置においては、複数の機構部間において搬送対象物を受け渡しながら搬送対象物を搬送している。このような複数の機構部を有する搬送装置においては、例えば、いずれかの機構部にサーボモータを設置し、搬送対象物が機構部間の受け渡しにおいて、サーボモータによって機構部を所定の位置に位置決めする動作を行い移動することによって搬送対象物の受け渡しを行っている。
特開平2003−332404号公報
The transport device is for transporting a transport object to a predetermined position. In such a transport device, the transport object is transported in an airtight container (in atmospheric gas or vacuum) or in a high temperature environment. (See Patent Document 1).
In addition, some transport apparatuses include a plurality of mechanism units that transport a transport target object. In such a transport apparatus, the transport target object is transported while delivering the transport target object between the plurality of mechanism units. is doing. In such a transport device having a plurality of mechanism units, for example, a servo motor is installed in one of the mechanism units, and the mechanism unit is positioned at a predetermined position by the servo motor when the object to be transported is transferred between the mechanism units. The transfer object is delivered by moving and performing the operation.
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-332404

しかしながら、高温環境下でかつ気密容器内で複数の機構部を用いて搬送対象物を搬送する搬送装置においては、熱膨張によって機構部を構成する部材自体が変形する場合がある。このような場合には、結果的に搬送対象物がずれることとなり、サーボモータで対応することが困難となる。このため、搬送対象物がずれた状態で複数の機構部間において受け渡される場合が生じる。
このように、搬送対象物がずれた状態で複数の機構部間において受け渡された場合には、搬送対象物が機構部から落下したり、搬送対象物が機構部を構成する部材と衝突することによって搬送対象物や機構部の部材が破損すると言った搬送装置を停止せざるを得ない問題が生じる。
However, in a transport apparatus that transports an object to be transported in a hermetic container using a plurality of mechanism units in a high-temperature environment, the members constituting the mechanism units themselves may be deformed by thermal expansion. In such a case, the object to be transported is displaced as a result, making it difficult to cope with the servo motor. For this reason, the case where it is delivered between several mechanism parts in the state which the conveyance target object shifted | deviated arises.
As described above, when the transfer object is transferred between the plurality of mechanism units in a shifted state, the transfer object falls from the mechanism unit or the transfer object collides with a member constituting the mechanism unit. As a result, there arises a problem that the conveying device that the conveyance object or the member of the mechanism portion is damaged must be stopped.

本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、機構部が熱変形した場合であっても機構部間における搬送対象物の受け渡しを円滑に行うことを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to smoothly transfer an object to be conveyed between mechanism units even when the mechanism units are thermally deformed.

上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、高温環境下で搬送対象物を横行、昇降あるいは回転することによって搬送し、複数の機構部間において上記搬送対象物の受け渡しを行う搬送装置であって、受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置を検出する位置検出部と、上記位置検出部の検出結果に基づいて上記受け渡す側の機構部あるいは上記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出するズレ検出部とを有し、上記受け渡す側の機構部の位置あるいは上記受け渡される側の機構部の位置が上記所定範囲に対してずれている場合に、上記ズレ検出部の検出結果に応じて上記受け渡される側の機構部を上記受け渡す側の機構部に対して相対移動させることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is configured to convey the object to be conveyed by traversing, moving up and down or rotating in a high temperature environment, and delivering the object to be conveyed between a plurality of mechanism units. A position detection unit that detects a position of the mechanism unit on the delivery side or a position of the mechanism unit on the delivery side, and the mechanism unit on the delivery side based on the detection result of the position detection unit or the above A displacement detecting unit that detects a displacement of a mechanism unit on the delivery side with respect to a predetermined range, and the position of the mechanism unit on the delivery side or the position of the mechanism unit on the delivery side is relative to the predetermined range. The mechanism unit on the delivery side is moved relative to the mechanism unit on the delivery side according to the detection result of the deviation detection unit.

請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明において、上記位置検出部が、上記受け渡す側の機構部の位置あるいは上記受け渡される側の機構部を撮像する撮像装置及び画像処理装置であることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the position detection unit is an imaging apparatus and an image processing device that capture an image of the position of the delivery-side mechanism unit or the delivery-side mechanism unit. It is characterized by being.

請求項3に係る発明は、請求項1または2に係る発明において、上記機構部が気密容器内に配設されていることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is characterized in that, in the invention according to claim 1 or 2, the mechanism portion is arranged in an airtight container.

請求項4に係る発明は、高温環境で搬送対象物を横行、昇降あるいは回転することによって搬送し、複数の機構部間において上記搬送対象物の受け渡しを行う搬送方法であって、受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置を検出し、該検出結果に基づいて上記受け渡す側の機構部あるいは上記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出し、上記受け渡す側の機構部の位置あるいは上記受け渡される側の機構部の位置が上記所定範囲に対してずれている場合に、上記位置ズレの検出結果に応じて上記受け渡される側の機構部を上記受け渡す側の機構部に対して相対移動させることを特徴とする。   The invention according to claim 4 is a transport method for transporting the transport object in a high temperature environment by traversing, moving up and down or rotating, and delivering the transport object between a plurality of mechanism units, Detecting the position of the mechanism part or the position of the mechanism part on the delivery side, detecting a positional shift of the delivery side mechanism part or the delivery side mechanism part with respect to a predetermined range based on the detection result; When the position of the mechanism part on the delivery side or the position of the mechanism part on the delivery side is deviated from the predetermined range, the mechanism part on the delivery side according to the detection result of the positional deviation. Is moved relative to the mechanism on the delivery side.

請求項5に係る発明は、請求項4に係る発明において、上記受け渡す側の機構部あるいは上記受け渡される側の機構部を撮像することによって、上記受け渡す側の機構部の位置あるいは上記受け渡される側の機構部の位置を検出し、上記受け渡す側の機構部あるいは上記受け渡される側の機構部の撮像データを画像処理することによって、上記受け渡す側の機構部あるいは上記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出することを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to the fourth aspect, the position of the delivery-side mechanism section or the receiving position is obtained by imaging the delivery-side mechanism section or the delivery-side mechanism section. The position of the mechanism unit on the delivery side is detected, and image processing data of the mechanism unit on the delivery side or the mechanism unit on the delivery side is subjected to image processing, whereby the mechanism unit on the delivery side or the delivery unit is delivered. It is characterized in that a positional shift of a side mechanism portion with respect to a predetermined range is detected.

請求項6に係る発明は、請求項4または5に係る発明において、上記受け渡す側の機構部のエッジ位置あるいは上記受け渡される側の機構部のエッジ位置に基づいて上記受け渡す側の機構部あるいは上記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出することを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4 or 5, wherein the delivery-side mechanism portion is based on an edge position of the delivery-side mechanism portion or an edge position of the delivery-side mechanism portion. Alternatively, it is characterized in that a positional deviation with respect to a predetermined range of the mechanism part on the delivery side is detected.

本発明の搬送装置及び方法によれば、受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置が検出され、さらに位置ズレが検出される。そして、受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置がずれている場合に、位置ズレの検出結果に応じて受け渡される側の機構部が上記受け渡す側の機構部に対して相対移動される。このため、熱膨張によって機構部の部材が変形した場合であっても、受け渡す側の機構部と受け渡される側の機構部との位置関係を搬送対象物の受け渡しに最適な状態に修正動作させることができる。したがって、本発明の搬送装置及び方法によれば、機構部が熱変形した場合であっても機構部間における搬送対象物の受け渡しを円滑に行うことが可能となる。   According to the transport apparatus and method of the present invention, the position of the mechanism unit on the delivery side or the position of the mechanism unit on the delivery side is detected, and further, a positional deviation is detected. Then, when the position of the mechanism part on the delivery side or the position of the mechanism part on the delivery side is shifted, the mechanism part on the delivery side according to the detection result of the displacement is the mechanism part on the delivery side. Is moved relative to. For this reason, even when the member of the mechanism section is deformed by thermal expansion, the positional relationship between the mechanism section on the delivery side and the mechanism section on the delivery side is corrected to an optimum state for delivery of the conveyance object. Can be made. Therefore, according to the transporting apparatus and method of the present invention, it is possible to smoothly transfer the transport object between the mechanical parts even when the mechanical parts are thermally deformed.

また、本発明の搬送装置及び方法によれば、位置検出部として撮像装置を用いる場合には、受け渡す側の機構部あるいは受け渡される側の機構部を撮像することによって、受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置が検出され、この検出結果を画像処理することによって受け渡す側の機構部あるいは受け渡される側の機構部の位置ズレが検出される。したがって、本発明の搬送装置及び方法によれば、容易に受け渡す側の機構部あるいは受け渡される側の機構部の位置ズレを検出することができる。   Further, according to the transport device and method of the present invention, when an imaging device is used as the position detection unit, the delivery side mechanism is obtained by imaging the delivery side mechanism unit or the delivery side mechanism unit. The position of the mechanism part or the position of the mechanism part on the delivery side is detected, and the position shift of the mechanism part on the delivery side or the mechanism part on the delivery side is detected by image processing the detection result. Therefore, according to the conveying apparatus and method of the present invention, it is possible to easily detect the positional deviation of the mechanism unit on the delivery side or the mechanism unit on the delivery side.

また、本発明の搬送方法によれば、受け渡す側の機構部あるいは受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレが、受け渡す側の機構部のエッジ位置あるいは受け渡される側の機構部のエッジ位置に基づいて検出される。したがって、本発明の搬送方法によれば、容易に受け渡す側の機構部あるいは受け渡される側の機構部の位置ズレを検出することができる。   Further, according to the transport method of the present invention, the positional deviation of the delivery-side mechanism unit or the delivery-side mechanism unit with respect to the predetermined range is the edge position of the delivery-side mechanism unit or the delivery-side mechanism unit. Is detected based on the edge position. Therefore, according to the transport method of the present invention, it is possible to easily detect the positional deviation of the mechanism unit on the delivery side or the mechanism unit on the delivery side.

以下、図面を参照して、本発明に係る搬送装置及び方法の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。   Hereinafter, an embodiment of a transfer apparatus and method according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.

本実施形態の搬送装置は、析出板製造装置である半導体基板製造装置に用いられている。図1は、半導体基板製造装置を平面視した場合における概略構成図である。また、図2は、半導体製造装置を正面視した場合における概略構成図である。また、図3は、半導体基板製造装置を側面視した場合における概略構成図である。
なお、半導体基板製造装置1において、本実施形態の搬送装置は、基板搬出入機構60及び析出機構10を備えて構成されている。これら基板搬出入機構60及び析出機構10によって析出用基板14(搬送対象物)が横行、昇降あるいは回転されることによって搬送され、基板搬出入機構60と析出機構10との間で受け渡される。そして、半導体基板製造装置1は、本実施形態の搬送装置を用いて析出用基板14を搬出しながら、シート状の析出板2を製造するものである。以下、このような半導体基板製造装置1の詳細構成について説明する。
The transport apparatus of this embodiment is used in a semiconductor substrate manufacturing apparatus that is a deposition plate manufacturing apparatus. FIG. 1 is a schematic configuration diagram when a semiconductor substrate manufacturing apparatus is viewed in plan. FIG. 2 is a schematic configuration diagram when the semiconductor manufacturing apparatus is viewed from the front. FIG. 3 is a schematic configuration diagram when the semiconductor substrate manufacturing apparatus is viewed from the side.
In the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1, the transfer apparatus according to the present embodiment includes the substrate carry-in / out mechanism 60 and the deposition mechanism 10. The substrate 14 (conveyance target) is transported by the substrate carry-in / out mechanism 60 and the deposition mechanism 10 by traversing, raising / lowering or rotating, and is transferred between the substrate carry-in / out mechanism 60 and the deposition mechanism 10. And the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1 manufactures the sheet-like precipitation board 2, carrying out the deposition board | substrate 14 using the conveying apparatus of this embodiment. Hereinafter, the detailed configuration of the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1 will be described.

図1に示すように、半導体基板製造装置1は、搬送経路が交差しないように溶湯15上で析出用基板14を往復移動させることによって、図2に示すように、Siを主成分とするシート状の析出板2を製造するものである。なお、半導体基板製造装置1は、析出板製造装置の一種である。また、析出板製造装置は、半導体材料や金属材料等の溶解対象物101を加熱溶解して溶湯15とし、この溶解対象物101をシート状の析出板2となるように製造する装置である。また、溶解対象物101としては、Si等の半導体材料の他、鉄やチタン等の金属材料を用いることができる。   As shown in FIG. 1, the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1 reciprocates the deposition substrate 14 on the molten metal 15 so that the conveyance paths do not cross, thereby making a sheet mainly composed of Si as shown in FIG. 2. The shaped precipitation plate 2 is manufactured. The semiconductor substrate manufacturing apparatus 1 is a kind of deposition plate manufacturing apparatus. Further, the precipitation plate manufacturing apparatus is an apparatus that heats and melts the melting target object 101 such as a semiconductor material or a metal material to form the molten metal 15 and manufactures the melting target object 101 so as to be the sheet-shaped deposition plate 2. Further, as the melting object 101, a metal material such as iron or titanium can be used in addition to a semiconductor material such as Si.

半導体製造装置1は、外部環境から内部を密閉状態に隔離可能な二重壁構造の真空容器4を備えている。そして、真空容器4は、密閉状態の処理室3を形成している。処理室3は、析出機構収容空間3aと、基板移動空間3bと溶湯収容空間3cとを上下方向に備えている。析出機構収容空間3aは、最上部に位置されており、後述の析出機構10(機構部)を収容するように形成されている。基板起動空間3bは、析出機構収容空間3aと溶湯収容空間3cとの間に位置されており、図1の上下方向に2セット設けられた後述の基板搬出入機構60(機構部)の中間機構部60bを収容するように形成されている。溶湯収容空間3cは、最下部に位置されており、後述のルツボ装置75を収容するように形成されている。   The semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a vacuum vessel 4 having a double wall structure that can isolate the inside from an external environment in a sealed state. The vacuum vessel 4 forms a sealed processing chamber 3. The processing chamber 3 includes a deposition mechanism accommodation space 3a, a substrate movement space 3b, and a molten metal accommodation space 3c in the vertical direction. The deposition mechanism accommodation space 3a is located at the uppermost part and is formed so as to accommodate a deposition mechanism 10 (mechanism part) described later. The substrate activation space 3b is located between the deposition mechanism accommodation space 3a and the molten metal accommodation space 3c, and is an intermediate mechanism of a later-described substrate carry-in / out mechanism 60 (mechanism part) provided in two sets in the vertical direction in FIG. It is formed so as to accommodate the portion 60b. The molten metal accommodation space 3c is located at the lowermost part and is formed to accommodate a crucible device 75 described later.

上記真空容器4には、Arガスの不活性ガスを供給する不図示のガス供給装置及び処理室3の空気を排気する不図示の真空排気装置が接続されている。これらの装置は、処理室3を所定の圧力に減圧しながら不活性ガスを供給することによって、外部環境とは異なる例えば不活性ガスで充満された処理環境を処理室3内に形成する。   A gas supply device (not shown) that supplies an inert gas of Ar gas and a vacuum exhaust device (not shown) that exhausts the air in the processing chamber 3 are connected to the vacuum container 4. These apparatuses form a processing environment filled with, for example, an inert gas in the processing chamber 3 different from the external environment by supplying the inert gas while reducing the processing chamber 3 to a predetermined pressure.

また、図1に示すように、真空容器4に対して搬送方向の上流側(図中左側)には、基板搬出入機構60の搬入機構部60aが配置されている。一方、真空容器4に対して搬送方向の下流側(図中右側)には、基板搬出入機構60の搬出機構部60cが配置されている。これらの搬入機構部60a、搬出機構部60c及び中間機構部60bとは、略直線状に水平配置されている。搬入機構部60aは、縦断面が矩形状の隔壁62a,62b,62cと、覗き窓67と、図2に示す搬送ローラ59とを備えて構成されている。なお、覗き窓67は隔壁62aによって囲われた空間内をオペレータが監視するためのものであり、複数配置されている。また、搬送ローラ59は、隔壁62aによって囲われた空間内に配置されており、析出用基板14を載置しながら搬送方向に移動させるものである。   Further, as shown in FIG. 1, a carry-in mechanism portion 60 a of the substrate carry-in / out mechanism 60 is arranged on the upstream side (left side in the drawing) in the transport direction with respect to the vacuum container 4. On the other hand, an unloading mechanism 60c of the substrate unloading / unloading mechanism 60 is disposed on the downstream side (right side in the drawing) in the transport direction with respect to the vacuum container 4. The carry-in mechanism unit 60a, the carry-out mechanism unit 60c, and the intermediate mechanism unit 60b are horizontally arranged substantially linearly. The carry-in mechanism section 60a includes partition walls 62a, 62b, and 62c having a rectangular longitudinal section, a viewing window 67, and a transport roller 59 shown in FIG. Note that a plurality of viewing windows 67 are provided for the operator to monitor the inside of the space surrounded by the partition wall 62a. Moreover, the conveyance roller 59 is arrange | positioned in the space enclosed by the partition 62a, and moves to the conveyance direction, mounting the depositing board | substrate 14. FIG.

隔壁62a,62b,62cに囲われた空間は、各々圧力調整室61a,予熱室61b,待機室61cとして構成されている。これらの圧力調整室61a,予熱室61b,待機室61cは、搬送方向の上流側からこの順に配置されている。圧力調整室61aは、本実施形態において6枚の析出用基板14直列状に収納可能なサイズに設定されている。また、圧力調整室61aは、その一端が、大気圧である装置がいぶに連通されていると共に、その他端が、予熱室61bに連通されている。   The spaces surrounded by the partition walls 62a, 62b, and 62c are configured as a pressure adjustment chamber 61a, a preheating chamber 61b, and a standby chamber 61c, respectively. These pressure adjustment chamber 61a, preheating chamber 61b, and standby chamber 61c are arranged in this order from the upstream side in the transport direction. The pressure adjusting chamber 61a is set to a size that can be accommodated in series in the six deposition substrates 14 in this embodiment. Further, the pressure adjusting chamber 61a has one end communicated with an apparatus having atmospheric pressure, and the other end communicated with the preheating chamber 61b.

圧力調整室61aの一端及び他端には、第1遮蔽板63及び第2遮蔽板64が各々設けられている。これらの各遮蔽板63,64は、不図示のシリンダ装置によって昇降可能にされていると共に、不図示の制御装置で昇降動作が制御されている。具体的には、第1遮蔽板63は、析出用基板14を圧力調整室61aに搬入するときに上昇され、搬入後に圧力調整室61aの一端を気密状態に密閉するように下降される。一方、第2遮蔽板64は、圧力調整室61aから予熱室61bに析出用基板14を搬送するときに、第2遮蔽板64の他端を開放するように上昇される。また、圧力調整室61aには、電磁バルブ65を介して排気系66が接続されている。排気系66は、圧力調整室61aを真空状態にまで減圧可能になっている。電磁バルブ65は、圧力調整室61aへの析出用基板14の搬入時において閉栓され、析出用基板14の搬入後に、圧力調整室61aを減圧するように開栓される。   A first shielding plate 63 and a second shielding plate 64 are provided at one end and the other end of the pressure adjusting chamber 61a, respectively. Each of these shielding plates 63 and 64 can be raised and lowered by a cylinder device (not shown), and the raising and lowering operation is controlled by a control device (not shown). Specifically, the first shielding plate 63 is raised when the deposition substrate 14 is carried into the pressure adjustment chamber 61a, and is lowered so as to seal one end of the pressure adjustment chamber 61a in an airtight state after carrying in. On the other hand, the second shielding plate 64 is raised so as to open the other end of the second shielding plate 64 when the deposition substrate 14 is transported from the pressure adjustment chamber 61a to the preheating chamber 61b. An exhaust system 66 is connected to the pressure adjustment chamber 61a through an electromagnetic valve 65. The exhaust system 66 can depressurize the pressure adjustment chamber 61a to a vacuum state. The electromagnetic valve 65 is closed when the deposition substrate 14 is carried into the pressure adjustment chamber 61a, and is opened so that the pressure regulation chamber 61a is decompressed after the deposition substrate 14 is loaded.

上記の圧力調整室61aに第2遮蔽板64を介して連通された予熱室61bは、圧力調整室61aと同様に、6枚分の析出用基板14を直列状に収容可能なサイズに設定されている。予熱室61bは、真空容器4と同様に、二重壁構造の隔壁62bに囲まれている。また、予熱室61bは、その一端が、上述の第2遮蔽板64によって開閉可能にされている一方、他端が、第1仕切り部材68によって区画されている。第1仕切り部材68は、図2に示すように搬送ローラ59で搬送される析出用基板14を通過させる程度の隙間を形成するように配置されている。   The preheating chamber 61b communicated with the pressure adjusting chamber 61a through the second shielding plate 64 is set to a size that can accommodate the six deposition substrates 14 in series, similarly to the pressure adjusting chamber 61a. ing. Similar to the vacuum vessel 4, the preheating chamber 61 b is surrounded by a partition wall 62 b having a double wall structure. One end of the preheating chamber 61 b can be opened and closed by the above-described second shielding plate 64, and the other end is partitioned by a first partition member 68. As shown in FIG. 2, the first partition member 68 is disposed so as to form a gap that allows the deposition substrate 14 transported by the transport roller 59 to pass therethrough.

上記の予熱室61bには、第1予熱ヒータ82が設けられている。第1予熱ヒータ82は、搬送方向の上流側端部に位置する析出用基板14に対向するように配置されている。そして、第1予熱ヒータ82は、析出用基板14が対向されたときに、この析出用基板14を加熱して所定温度に昇温させることによって、溶湯15と析出用基板14との温度差が一定となるようにしている。なお、第1予熱ヒータ82は、電熱線を通電によって発熱させて加熱する方式であっても良いし、電磁誘導を利用して加熱する方式であっても良い。また、図1に示すように、予熱室61bには、予熱時に析出用基板14から放散した不純物ガスを吸引するように、排気系66が接続されている。排気系66の吸引口は、不純物ガスを効率的に吸引するように、第1予熱ヒータ82に近接されている。   A first preheating heater 82 is provided in the preheating chamber 61b. The first preheating heater 82 is disposed so as to face the deposition substrate 14 located at the upstream end in the transport direction. Then, when the deposition substrate 14 is opposed to the first preheating heater 82, the deposition substrate 14 is heated to raise the temperature to a predetermined temperature, whereby the temperature difference between the molten metal 15 and the deposition substrate 14 is increased. It is set to be constant. The first preheating heater 82 may be a system that heats a heating wire by generating heat by energization, or may be a system that heats using a magnetic induction. Further, as shown in FIG. 1, an exhaust system 66 is connected to the preheating chamber 61b so as to suck in impurity gas diffused from the deposition substrate 14 during preheating. The suction port of the exhaust system 66 is close to the first preheater heater 82 so as to efficiently suck the impurity gas.

上記の予熱室61bは、第1仕切り部材68を介して待機室61cに連通されている。待機室61cは、真空容器4と同様に、二重壁構造の隔壁62cに囲まれている。また、待機室61cの一端及び他端は、第1仕切り部材68及び第2仕切り部材69によって各々区画されている。第2仕切り部材69は、析出用基板14と後述の基板送り機構70とを通過させるように形成及び配置されている。また、待機室61cには、上述の第1予熱ヒータ82と同様の第2予熱ヒータ83が設けられている。   The preheating chamber 61 b communicates with the standby chamber 61 c through the first partition member 68. The standby chamber 61 c is surrounded by a partition wall 62 c having a double wall structure, as in the vacuum vessel 4. Further, one end and the other end of the standby chamber 61c are partitioned by a first partition member 68 and a second partition member 69, respectively. The second partition member 69 is formed and arranged so as to pass the deposition substrate 14 and a substrate feed mechanism 70 described later. The standby chamber 61c is provided with a second preheating heater 83 similar to the first preheating heater 82 described above.

上記の第2予熱ヒータ83は、待機状態の析出用基板14に対向するように配置されている。そして、第2予熱ヒータ83は、析出用基板14が対向されたときに、第1予熱ヒータ82で予熱された析出用基板14を加熱して昇温させることによって、溶湯15と析出用基板14との温度差がさらに縮小された状態で一定となるようにしている。なお、第2予熱ヒータ83は、析出用基板14の予熱温度を微調整する用途に使用されても良い。さらに、待機室61cには、予熱時に析出用基板14から放散した不純物ガスを吸引するように、排気系66が接続されている。排気系66の吸引口は、不純物ガスを効率的に吸引するように、第2予熱ヒータ83に近接されている。   The second preheating heater 83 is arranged so as to face the deposition substrate 14 in the standby state. The second preheating heater 83 heats and raises the temperature of the deposition substrate 14 preheated by the first preheating heater 82 when the deposition substrate 14 is opposed to the deposition substrate 14. And the temperature difference between the two is made constant in a further reduced state. The second preheating heater 83 may be used for fine adjustment of the preheating temperature of the deposition substrate 14. Further, an exhaust system 66 is connected to the standby chamber 61c so as to suck in impurity gas diffused from the deposition substrate 14 during preheating. The suction port of the exhaust system 66 is close to the second preheater 83 so as to suck the impurity gas efficiently.

上記の待機室61cは、第2仕切り部材69を介して処理室3に連通されている。処理室3は、基板搬出入機構60の中間機構部60bを収容している。中間機構部60bは、図2に示すように、析出用基板14を移動自在に載置する第1搬送台84及び第2搬送台85を備えている。第1搬送台84は、搬送ローラ59の端部に近接するように、一端部が待機室61cに進出されている。第1搬送台84と第2搬送台85とは、処理室3の上流側(図中左側)と下流側(図中右側)とに所定間隔を隔てて直列配置されている。これらの搬送台84,85の隙間は、基板搬出入機構60と析出機構10との間に析出用基板14を受け渡しする着脱位置Aとして設定されている。   The standby chamber 61 c communicates with the processing chamber 3 through the second partition member 69. The processing chamber 3 accommodates the intermediate mechanism portion 60 b of the substrate carry-in / out mechanism 60. As shown in FIG. 2, the intermediate mechanism portion 60 b includes a first transport table 84 and a second transport table 85 on which the deposition substrate 14 is movably mounted. One end of the first transfer table 84 is advanced into the standby chamber 61 c so as to be close to the end of the transfer roller 59. The first transfer table 84 and the second transfer table 85 are arranged in series at a predetermined interval on the upstream side (left side in the drawing) and the downstream side (right side in the drawing) of the processing chamber 3. The gaps between the transfer tables 84 and 85 are set as an attachment / detachment position A for delivering the deposition substrate 14 between the substrate carry-in / out mechanism 60 and the deposition mechanism 10.

上記の第1搬送台84の側方には、図1に示すように、基板送り機構70が配設されている。基板送り機構70は、複数の爪部材71と、これらの爪部材71を自由端側で片持ちする爪支持部材72と、爪支持部材72の基端部を回動可能に支持する爪旋回機構73と、爪旋回機構73と共に爪支持部材72及び爪部材71を搬送方向に進退移動させる爪進退機構74とを備えている。上記の各爪部材71は、析出用基板14の両側面を挟み込むように配設間隔が設定されていると共に、隣接する析出用基板14,14間の隙間を所定幅に拡大させるように所定の厚みに設定されている。また、爪旋回機構73は、クラッチ付きモータ等からなっており、正逆方向に回動することによって、爪部材71が析出用基板14の上方及び側方に位置決め可能に旋回させるようになっている。爪進退機構74は、エアーシリンダ等からなっており、1回当たりの移動距離が析出用基板14の長さに設定されている。   As shown in FIG. 1, a substrate feed mechanism 70 is disposed on the side of the first transfer table 84. The substrate feed mechanism 70 includes a plurality of claw members 71, a claw support member 72 that cantilles these claw members 71 on the free end side, and a claw turning mechanism that rotatably supports a base end portion of the claw support member 72. 73 and a claw turning mechanism 73 and a claw advance / retreat mechanism 74 that moves the claw support member 72 and the claw member 71 forward and backward in the transport direction. Each of the claw members 71 has an arrangement interval so as to sandwich both side surfaces of the deposition substrate 14 and has a predetermined width so that the gap between the adjacent deposition substrates 14 and 14 is expanded to a predetermined width. The thickness is set. Further, the claw turning mechanism 73 is composed of a motor with a clutch or the like, and the claw member 71 is turned so as to be positioned above and to the side of the deposition substrate 14 by turning in the forward and reverse directions. Yes. The claw advance / retreat mechanism 74 is composed of an air cylinder or the like, and the moving distance per time is set to the length of the deposition substrate 14.

そして、このように構成された基板送り機構70は、析出用基板14を爪部材71で所定間隔をおいて把持する動作と、爪部材71を搬送方向に移動させる動作と、析出用基板14から爪部材71を開放する動作と、爪部材を搬送方向とは略方向に移動させる動作とを繰り返すことによって、予熱室61bから待機室61cに搬入された析出用基板14を第2予熱ヒータ83による予熱位置と着脱位置Aとに順次送り込むようになっていると共に、着脱位置Aから搬出機構60cに送り出すよになっている。   The substrate feeding mechanism 70 configured as described above includes an operation of gripping the deposition substrate 14 with a claw member 71 at a predetermined interval, an operation of moving the claw member 71 in the transport direction, and a deposition substrate 14. By repeating the operation of opening the claw member 71 and the operation of moving the claw member in a direction substantially in the transport direction, the deposition substrate 14 carried into the standby chamber 61c from the preheating chamber 61b is moved by the second preheating heater 83. The feed is sequentially sent to the preheating position and the attachment / detachment position A, and is sent from the attachment / detachment position A to the carry-out mechanism 60c.

上記の各機構部60a〜60cからなる基板搬出入機構60は、ルツボ装置75を中心として左右対称に並列配置されている。これによって、基板搬出入機構60の経路中に存在する着脱位置Aは、ルツボ装置75内の溶湯15の上方から離れた場所に位置した状態になっている。ルツボ装置75は、図2に示すように、溶湯15を収容するルツボ76と、ルツボ76の側面壁の周囲に配置された誘導加熱コイル77と、これらのルツボ76及び誘導加熱コイル77と、これらのルツボ76及び誘導加熱コイル77を支持するルツボ支持台78とを有している。誘導加熱コイル77には、不図示の電力ケーブルを介して高周波電源が接続されている。これによって、誘導加熱コイル77は、高周波電源から高周波数の交流電力が供給されることによって、ルツボ76の周囲に交番磁場を生成させ、ルツボ76の主に表面側を誘導加熱するようになっている。   The substrate carry-in / out mechanism 60 composed of each of the mechanism portions 60a to 60c is arranged in parallel symmetrically about the crucible device 75. As a result, the attachment / detachment position A existing in the path of the substrate carry-in / out mechanism 60 is in a state of being located away from the upper side of the molten metal 15 in the crucible device 75. As shown in FIG. 2, the crucible device 75 includes a crucible 76 that accommodates the molten metal 15, an induction heating coil 77 disposed around the side wall of the crucible 76, the crucible 76 and the induction heating coil 77, The crucible 76 and the crucible support 78 for supporting the induction heating coil 77 are provided. A high frequency power source is connected to the induction heating coil 77 via a power cable (not shown). Thereby, the induction heating coil 77 generates an alternating magnetic field around the crucible 76 when high-frequency AC power is supplied from the high-frequency power source, and induction heating is mainly performed on the surface side of the crucible 76. Yes.

上記のルツボ76は、図1に示すように、平面視円形状に形成されている。なお、ルツボ76は、析出用基板14の進行方向が長尺となるように平面視長方形状や楕円形状に形成されていても良い。この場合には溶湯15の収容量を最小限に抑制しながら、ルツボ76の側面壁が析出用基板14の浸漬時の障害物になることを回避することができる。また、ルツボ76は、側面側と底面側との2方向から大きな熱量が伝達されるように、底面壁が十分に大きな厚みに設定されている。一方、ルツボ76の側面壁は、電磁誘導の浸透深さ未満の厚みに設定されており、溶湯15を対流させることによってゴミ等の落下物が核となって溶湯15の表面中央が凝固する現象を防止している。   The crucible 76 is formed in a circular shape in plan view as shown in FIG. The crucible 76 may be formed in a rectangular shape or an elliptical shape in plan view so that the traveling direction of the deposition substrate 14 is long. In this case, it is possible to prevent the side wall of the crucible 76 from becoming an obstacle during the immersion of the deposition substrate 14 while suppressing the amount of the molten metal 15 accommodated to a minimum. The crucible 76 has a bottom wall with a sufficiently large thickness so that a large amount of heat is transmitted from the two directions of the side surface and the bottom surface. On the other hand, the side wall of the crucible 76 is set to a thickness that is less than the penetration depth of electromagnetic induction, and when the molten metal 15 is convected, the fall center such as dust becomes a nucleus and the surface center of the molten metal 15 solidifies. Is preventing.

上記のルツボ装置75の斜め上方には、溶解対象物101を供給する供給機構90が設けられている。供給機構90は、真空容器4における搬送方向の下流側の側面にもうけられている。供給機構90は、一端が処理室3内に開口された収容隔壁91と、収容隔壁91内を処理室3側の送給室93と大気側の準備室94とに気密状に分離可能な遮蔽機構92と、準備室94を大気側に開閉可能な蓋部材95と、溶解対象物101を準備室94からルツボ76の上方に搬送する原料搬送機構96とを有している。   A supply mechanism 90 that supplies the object to be melted 101 is provided obliquely above the crucible device 75. The supply mechanism 90 is provided on the side surface of the vacuum container 4 on the downstream side in the transport direction. The supply mechanism 90 includes a storage partition wall 91 having one end opened in the processing chamber 3, and a shield capable of airtightly separating the storage partition wall 91 into a supply chamber 93 on the processing chamber 3 side and a preparation chamber 94 on the atmosphere side. A mechanism 92, a lid member 95 that can open and close the preparation chamber 94 to the atmosphere side, and a raw material conveyance mechanism 96 that conveys the object to be melted 101 from the preparation chamber 94 to above the crucible 76.

また、供給機構90の側方には、真空容器4の第1覗き窓部4aが配置されている。第1覗き窓部4aには、CCDカメラ等の第1撮像装置8aが設けられている。第1撮像装置8aは、ルツボ76と共に溶湯15の湯面高さを検出可能にしている。また、真空容器4における搬送方向の下流側の側壁面には、第2覗き窓部4bが配置されている。第2覗き窓部4bには、CCDカメラ等の第2撮像装置8bが設けられている。第2撮像装置8bは、第1撮像装置8aでは撮像できない逆方向から見た領域を撮像するように設定されている。   In addition, a first viewing window portion 4 a of the vacuum vessel 4 is disposed on the side of the supply mechanism 90. The first viewing window 4a is provided with a first imaging device 8a such as a CCD camera. The first imaging device 8a can detect the molten metal surface height of the molten metal 15 together with the crucible 76. A second viewing window portion 4b is disposed on the side wall surface of the vacuum container 4 on the downstream side in the transport direction. The second viewing window 4b is provided with a second imaging device 8b such as a CCD camera. The second imaging device 8b is set to capture an area viewed from the reverse direction that cannot be captured by the first imaging device 8a.

また、真空容器4における搬送方向と直交する方向の一方(図中下側)には、第3覗き窓4cが配置されている。第3覗き窓4cには、CCDカメラ等の第3撮像装置8c(撮像装置)が設けられている。また、図2に示すように、真空容器4における第2搬送台85の上方には、第4覗き窓4dが配置されている。第4覗き窓4dには、CCDカメラ等の第4撮像装置8d(撮像装置)が設けられている。これらの第3撮像装置8c及び第4撮像装置8dは、第1搬送台84(受け渡す側の機構)の位置を検出可能にしている。   A third viewing window 4c is arranged on one side (lower side in the figure) of the vacuum container 4 in the direction orthogonal to the transport direction. The third viewing window 4c is provided with a third imaging device 8c (imaging device) such as a CCD camera. As shown in FIG. 2, a fourth viewing window 4 d is disposed above the second transfer table 85 in the vacuum container 4. The fourth viewing window 4d is provided with a fourth imaging device 8d (imaging device) such as a CCD camera. The third image pickup device 8c and the fourth image pickup device 8d can detect the position of the first transport base 84 (the mechanism on the delivery side).

図4は、半導体基板製造装置1が備える信号処理系の一部を表したブロック図である。この図に示すように、第3撮像装置8c及び第4撮像装置8dは、制御装置100(ズレ検出部)と接続されている。制御装置100は、演算部や記憶部を備えており、第3撮像装置8c及び第4撮像装置8dから入力される第2搬送台85の撮像データを画像処理することによって、第2搬送台85の非熱変形時における存在範囲(所定範囲)に対する位置ズレを検出可能にしている。また、制御装置100は、位置ズレを検出した場合に、検出した位置ズレに基づいて制御信号を生成し、この制御信号を出力する。なお、制御信号は、析出用基板14の円滑な受け渡しができるように、検出された位置ズレが補正されるように、後述の析出機構10(受け渡す側の機構)を移動するための信号である。アンプ200は、制御信号を増幅して出力するものである。アンプ200と、析出機構10とは接続されている。具体的には、後述の析出機構10の一部である水平駆動装置23、垂直駆動装置35及び旋回駆動装置40の各々とアンプ200が接続されている。   FIG. 4 is a block diagram showing a part of a signal processing system included in the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1. As shown in this figure, the third imaging device 8c and the fourth imaging device 8d are connected to the control device 100 (deviation detection unit). The control device 100 includes a calculation unit and a storage unit, and performs image processing on the imaging data of the second conveyance table 85 input from the third imaging device 8c and the fourth imaging device 8d, thereby performing the second conveyance table 85. The positional deviation with respect to the existence range (predetermined range) at the time of non-thermal deformation can be detected. In addition, when detecting a positional deviation, the control device 100 generates a control signal based on the detected positional deviation and outputs this control signal. The control signal is a signal for moving a deposition mechanism 10 (delivery side mechanism) described later so that the detected positional deviation is corrected so that the deposition substrate 14 can be smoothly delivered. is there. The amplifier 200 amplifies and outputs the control signal. The amplifier 200 and the deposition mechanism 10 are connected. Specifically, the amplifier 200 is connected to each of a horizontal driving device 23, a vertical driving device 35, and a turning driving device 40 which are a part of the deposition mechanism 10 described later.

また、制御装置100は、半導体基板製造装置1の各機構を個別あるいは連動させながら制御する各種の機能を備えている。具体的には、第1撮像装置8aからの撮像信号の明暗に基づいて溶湯15の湯面高さを検出する機能や、検出された湯面高さが所定の基準高さとなるように、供給機構90における溶解対象物101の供給タイミングや供給量を制御する機能等を有している。   Further, the control device 100 has various functions for controlling each mechanism of the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1 individually or in conjunction with each other. Specifically, the function of detecting the molten metal level of the molten metal 15 based on the brightness of the imaging signal from the first imaging device 8a and the supply so that the detected molten metal level becomes a predetermined reference height. The mechanism 90 has a function of controlling the supply timing and supply amount of the dissolution object 101.

また、ルツボ装置75の上方には、図2に示すように、析出機構10が設けられている。析出機構10は、後述の基板把持機構51(受け渡される側の機構)を着脱位置Aとルツボ装置75の溶湯15との間で搬出入方向(搬送方向)に対して直交する方向に移動させることによって、基板把持機構51に装着された析出用基板14を溶湯14に浸漬させて引き上げるように構成されている。具体的には、析出機構10は、着脱位置Aでは析出用基板14の他方面(基板面14aに対して逆面)を下側から着脱可能に基板把持機構51を介して保持し、溶湯15への浸漬位置では析出用基板14の他方面を上側に位置させるように、析出用基板14を旋回半径方向に対して傾斜した姿勢で保持する先端部を旋回軸を中心として旋回させることによって、基板把持機構51と共に析出用基板14を交差方向に移動させる構成にされている。なお、旋回半径方向とは、図3の旋回軸49を中心として旋回する旋回部材50の長手方向のことである。   Further, as shown in FIG. 2, a deposition mechanism 10 is provided above the crucible device 75. The deposition mechanism 10 moves a later-described substrate gripping mechanism 51 (delivery side mechanism) between the attachment / detachment position A and the molten metal 15 of the crucible device 75 in a direction perpendicular to the loading / unloading direction (conveying direction). Thus, the deposition substrate 14 mounted on the substrate gripping mechanism 51 is soaked in the molten metal 14 and pulled up. Specifically, in the attachment / detachment position A, the deposition mechanism 10 holds the other surface (the surface opposite to the substrate surface 14a) of the deposition substrate 14 through the substrate gripping mechanism 51 so as to be attachable / detachable from the lower side. By swiveling the tip end portion holding the deposition substrate 14 in a posture inclined with respect to the swivel radial direction so that the other surface of the deposition substrate 14 is positioned on the upper side at the immersion position, The deposition substrate 14 is moved in the intersecting direction together with the substrate gripping mechanism 51. The turning radius direction is the longitudinal direction of the turning member 50 that turns around the turning shaft 49 of FIG.

図3は、半導体基板製造装置を側面視した場合における概略構成図である。上記の析出機構10は、水平移動機構13と、水平移動機構13によって水平移動可能にされた垂直移動機構11と、垂直移動機構11によって昇降可能にされた旋回機構12と、基板把持機構51とを有している。水平移動機構13は、待機室61cを取り囲む隔壁62cの上面に設けられている。水平移動機構13は、図3に示すように、搬送方向に対して直交された水平搬送部16と、この水平搬送部16を駆動する水平駆動部17とを有している。水平搬送部16は、水平方向に配置されており、一端側が真空容器4側に配置され、他端側が真空容器4内の処理室3に配置されている。   FIG. 3 is a schematic configuration diagram when the semiconductor substrate manufacturing apparatus is viewed from the side. The deposition mechanism 10 includes a horizontal movement mechanism 13, a vertical movement mechanism 11 that can be moved horizontally by the horizontal movement mechanism 13, a turning mechanism 12 that can be moved up and down by the vertical movement mechanism 11, a substrate gripping mechanism 51, and the like. have. The horizontal movement mechanism 13 is provided on the upper surface of the partition wall 62c surrounding the standby chamber 61c. As shown in FIG. 3, the horizontal movement mechanism 13 includes a horizontal conveyance unit 16 that is orthogonal to the conveyance direction, and a horizontal drive unit 17 that drives the horizontal conveyance unit 16. The horizontal transfer unit 16 is arranged in the horizontal direction, one end side is arranged on the vacuum vessel 4 side, and the other end side is arranged in the processing chamber 3 in the vacuum vessel 4.

上記の水平搬送部16は、図2に示すように、周面全体にネジ溝が形成されたネジ軸部材18と、ネジ軸部材18に螺合されたブロック部材19と、ブロック部材19の下面を進退移動自在に支持するレール部材20と、ブロック部材19の上面に設けられ、垂直移動機構11に連結された連結部材21とを有している。さらに、水平搬送部16は、図3に示すように、ネジ軸部材18の一端に連結され、真空容器4外に延設された連結軸部材24を有している。連結軸部材24の一端部には、水平駆動部17が連結されている。水平駆動部17は、任意の回転速度で正逆回転可能であると共に所定の保持力で停止可能なサーボモータ等の水平駆動装置23を有している。水平駆動装置23は、連結軸部材24を介してネジ軸部材18を正逆回転させることによって垂直移動機構11を水平方向の任意の位置に移動可能にしている。   As shown in FIG. 2, the horizontal conveying unit 16 includes a screw shaft member 18 having a screw groove formed on the entire peripheral surface, a block member 19 screwed into the screw shaft member 18, and a lower surface of the block member 19. And a connecting member 21 provided on the upper surface of the block member 19 and connected to the vertical moving mechanism 11. Furthermore, the horizontal conveyance part 16 has the connection shaft member 24 connected with the end of the screw shaft member 18, and extended outside the vacuum vessel 4, as shown in FIG. A horizontal drive unit 17 is coupled to one end of the coupling shaft member 24. The horizontal drive unit 17 includes a horizontal drive device 23 such as a servo motor that can be rotated forward and backward at an arbitrary rotation speed and can be stopped with a predetermined holding force. The horizontal drive device 23 makes the vertical movement mechanism 11 movable to an arbitrary position in the horizontal direction by rotating the screw shaft member 18 forward and backward via the connecting shaft member 24.

上記の水平移動機構13で水平移動される垂直移動機構11は、図2に示すように、垂直方向に配置された垂直搬送部30と、垂直搬送部30の上端部に設けられた垂直駆動部31とを有している。垂直搬送部30は、周面全体にネジ溝が形成された不図示のネジ軸部材と、ネジ軸部材に螺合され、全面(図中右面)に旋回機構12が連結されたブロック部材33と、ブロック部材33の裏面(図中左面)を昇降自在に支持するレール部材34とを有している。   As shown in FIG. 2, the vertical movement mechanism 11 horizontally moved by the horizontal movement mechanism 13 includes a vertical conveyance unit 30 arranged in the vertical direction and a vertical drive unit provided at the upper end of the vertical conveyance unit 30. 31. The vertical conveyance unit 30 includes a screw shaft member (not shown) in which a screw groove is formed on the entire circumferential surface, and a block member 33 screwed into the screw shaft member and connected to the turning mechanism 12 on the entire surface (right side in the drawing). The rail member 34 supports the back surface (left surface in the figure) of the block member 33 so as to be movable up and down.

上記の垂直搬送部30の上端部には、垂直駆動部31が連結されている。垂直駆動部31は、任意の回転速度で正逆回転可能であると共に所定の保持力で停止可能なサーボモータ等の垂直駆動装置35は、ネジ軸部材の上端部に連結されており、ネジ軸部材を正逆回転させることによって、ブロック部材33等を介して旋回機構12を垂直方向の認知の高さ位置に移動可能にしていている。   A vertical drive unit 31 is connected to the upper end of the vertical transport unit 30. The vertical drive unit 31 can rotate forward and backward at an arbitrary rotation speed and can be stopped with a predetermined holding force. A vertical drive unit 35 such as a servo motor is connected to the upper end portion of the screw shaft member, and the screw shaft By rotating the member forward and backward, the turning mechanism 12 can be moved to a recognized height position in the vertical direction via the block member 33 and the like.

また、冷却装置36は、垂直駆動装置35を処理室3の処理環境から隔離するように収納し、窒素ガスの不活性ガスや空気等の冷却ガスが封入された収納容器25と、収納容器25の壁面に接合することによって収納容器25の壁面に沿って冷却水等の冷却媒体を流動させる不図示の冷却配管とを有している。そして、冷却装置36は、冷却ガスが冷却配管を流通する冷却水等の冷却媒体で熱交換されることによって、収納容器25内における収容環境を所定の温度以下に維持するようになっている。なお、冷却装置36は、真空容器3外から収納容器25内に冷却ガスを給排出して循環させるように構成されていても良い。   Further, the cooling device 36 stores the vertical drive device 35 so as to be isolated from the processing environment of the processing chamber 3, a storage container 25 in which a cooling gas such as an inert gas of nitrogen gas or air is sealed, and the storage container 25. And a cooling pipe (not shown) for flowing a cooling medium such as cooling water along the wall surface of the storage container 25. And the cooling device 36 maintains the accommodation environment in the storage container 25 below predetermined temperature by heat-exchanging cooling gas with cooling media, such as the cooling water which distribute | circulates cooling piping. The cooling device 36 may be configured to supply and discharge cooling gas from outside the vacuum container 3 into the storage container 25 and circulate it.

上記の垂直移動機構11は、旋回機構12を昇降可能に支持している。旋回機構12は、ブロック部材33に一端面を連結された連結支持体38と、連結支持体38の上面に連結された旋回駆動部39と、先回駆動部39によって旋回駆動される浸漬機構部37とを有している。旋回駆動部39は、任意の回転速度で回転可能であると共に所定の保持力で停止可能なサーボモータ等の旋回駆動装置40と、旋回駆動装置40を冷却する冷却装置41とを有している。   The vertical movement mechanism 11 supports the turning mechanism 12 so as to be movable up and down. The turning mechanism 12 includes a connecting support body 38 having one end face connected to the block member 33, a turning drive part 39 connected to the upper surface of the connection support body 38, and an immersion mechanism part that is turned by the previous drive part 39. 37. The turning drive unit 39 includes a turning drive device 40 such as a servo motor that can be rotated at an arbitrary rotation speed and can be stopped with a predetermined holding force, and a cooling device 41 that cools the turning drive device 40. .

上記の冷却装置41は、垂直駆動部31と同様に、収納容器25等を有した上述の冷却装置36と同一の部材によって同一の冷却機能を発揮するように構成されている。この冷却装置41内の旋回駆動装置40は、旋回駆動軸40aが水平配置されると共に、旋回駆動軸40aの先端部がブロック部材33に対向するように配置されている。駆動用スプロケット42aの下方には、中間スプロケット42bと旋回用スプロケット42bとがこの順に配置されている。そして、駆動用スプロケット42aは、第1チェーン43aを介して中間スプロケット42bに連結され、中間スプロケット42bは、第2チェーン43bを介して旋回用スプロケット42cに連結されている。   Similar to the vertical drive unit 31, the cooling device 41 is configured to exhibit the same cooling function by the same member as the cooling device 36 having the storage container 25 and the like. The swivel drive device 40 in the cooling device 41 is disposed such that the swivel drive shaft 40 a is horizontally disposed and the tip of the swivel drive shaft 40 a faces the block member 33. Below the drive sprocket 42a, an intermediate sprocket 42b and a turning sprocket 42b are arranged in this order. The drive sprocket 42a is connected to the intermediate sprocket 42b via the first chain 43a, and the intermediate sprocket 42b is connected to the turning sprocket 42c via the second chain 43b.

上記の旋回用スプロケット42cは、回転軸部材44に設けられている。回転軸部材44は、第1支持部材45によって水平方向に回転自在に支持されている。第1支持部材45は、図3にも示すように、連結支持体38から垂下されていると共に、中間スプロケット42bやチェーン43a,43bを溶湯15の輻射熱から保護するように設けられている。   The turning sprocket 42 c is provided on the rotating shaft member 44. The rotary shaft member 44 is supported by the first support member 45 so as to be rotatable in the horizontal direction. As shown also in FIG. 3, the first support member 45 is suspended from the connection support 38 and is provided so as to protect the intermediate sprocket 42 b and the chains 43 a and 43 b from the radiant heat of the molten metal 15.

上記の第1支持部材45に支持された回転軸部材44の一端部は、ロータリーエンコーダ46に連結されている。ロータリーエンコーダ46は、回転軸部材44の回転角度を検出することによって、浸漬機構部37の旋回角度を検出可能にしている。また、ロータリーエンコーダ46の周囲には、カバー部材47が設けられている。カバー部材47は、溶湯15からの輻射熱を遮る熱遮蔽板としての機能と、溶湯15等から飛散して浮遊する塵埃がロータリーエンコーダ46に付着することを防止する防塵カバーとして機能を備えている。 One end of the rotary shaft member 44 supported by the first support member 45 is connected to a rotary encoder 46. The rotary encoder 46 can detect the turning angle of the immersion mechanism unit 37 by detecting the rotation angle of the rotating shaft member 44. A cover member 47 is provided around the rotary encoder 46. The cover member 47 has a function as a heat shielding plate that blocks radiant heat from the molten metal 15 and a function as a dust-proof cover that prevents dust floating from the molten metal 15 and the like from adhering to the rotary encoder 46.

一方、回転軸部材44の他端部は、浸漬機構部37に連結されている。浸漬機構部37は、図5に示すように、連結支持体38の下面から垂下された第2支持部材48,48と、第2支持部材48,48によって水平方向に回転自在に支持された旋回軸49と、旋回軸49に設けられた一対の旋回部材50,50とを有している。回転軸部材44と第2支持部材48,48とは、カーボンで形成された軸受機構97を介して回転自在に連結されている。軸受機構97は、各第2支持部材48の下端部に嵌入されたハウジング98と、回転軸部材44に外挿された円筒部材99とを有している。円筒部材99は、ハウジング98内に摺動自在に内挿されている。そして、軸受機構97は、円筒部材99の外周面をハウジング98の内壁面に摺動させることによって、回転軸部材44を円滑に回転させるようになっている。   On the other hand, the other end portion of the rotating shaft member 44 is connected to the immersion mechanism portion 37. As shown in FIG. 5, the immersion mechanism unit 37 includes second support members 48 and 48 suspended from the lower surface of the connection support 38, and a swivel that is rotatably supported in the horizontal direction by the second support members 48 and 48. The shaft 49 has a pair of turning members 50, 50 provided on the turning shaft 49. The rotary shaft member 44 and the second support members 48 and 48 are rotatably connected via a bearing mechanism 97 made of carbon. The bearing mechanism 97 includes a housing 98 that is fitted into the lower end portion of each second support member 48 and a cylindrical member 99 that is extrapolated to the rotary shaft member 44. The cylindrical member 99 is slidably inserted in the housing 98. The bearing mechanism 97 smoothly rotates the rotating shaft member 44 by sliding the outer peripheral surface of the cylindrical member 99 against the inner wall surface of the housing 98.

上記の軸受機構97を介して旋回される旋回部材50,50の先端部には、後述の基板把持機構51が設けられている。基板把持機構51は、旋回半径方向に対して傾斜した姿勢で析出用基板14を保持することによって、着脱位置Aにおいては水平状態の析出用基板14を下側から着脱可能に保持し、析出位置Bにおいては析出用基板14を保持した面を上側に位置させるようになっている。なお、各旋回部材50は、機械的強度に優れたステンレス鋼等の金属材料で形成されていても良いし、耐熱性優れたカーボンによって形成されていても良い。   A substrate gripping mechanism 51, which will be described later, is provided at the tip of the swiveling members 50 and 50 that are swung via the bearing mechanism 97. The substrate gripping mechanism 51 holds the deposition substrate 14 in a posture inclined with respect to the turning radius direction, thereby detachably holding the deposition substrate 14 in a horizontal state from the lower side at the attachment / detachment position A. In B, the surface holding the deposition substrate 14 is positioned on the upper side. Each turning member 50 may be formed of a metal material such as stainless steel having excellent mechanical strength, or may be formed of carbon having excellent heat resistance.

上記のように、各機構11〜13を備えた析出機構10は、図1に示すように、水平移動機構13による水平移動と、垂直移動機構11による垂直移動と、旋回機構12による旋回移動とを組合わせることによって、基板把持機構51を着脱位置Aと析出位置Bとに位置決め可能にしていると共に、析出用基板14を所定の浸漬軌跡で溶湯15に浸漬させるようになっている。なお、浸漬軌跡は、析出用基板14を旋回方向(矢印方向)の上流側から斜め方向に下降させて溶湯15から引き上げることによって、浸漬された部分に溶湯15の凝固成長した析出物である析出板2を生成させるように設定されている。   As described above, the deposition mechanism 10 including the mechanisms 11 to 13 includes a horizontal movement by the horizontal movement mechanism 13, a vertical movement by the vertical movement mechanism 11, and a turning movement by the turning mechanism 12, as shown in FIG. In combination, the substrate gripping mechanism 51 can be positioned at the attachment / detachment position A and the deposition position B, and the deposition substrate 14 is immersed in the molten metal 15 along a predetermined immersion locus. The immersion trajectory is a precipitate which is a solidified and grown precipitate of the molten metal 15 in the immersed part by lowering the deposition substrate 14 obliquely from the upstream side in the swirling direction (arrow direction) and pulling it up from the molten metal 15. It is set to generate the plate 2.

上記の析出用基板14は、図6(a),(b)及び図7に示すように、カーボンによって平面視矩形状に形成されている。なお、析出用基板14は、円形状や楕円形状、三角形状、台形状、五角形以上の多角形状に形成されていても良い。析出用基板14は、析出板2が析出される基板面14a(下面)と、析出用基板14の上面(反析出面)に形成された逆台形状の把持部14bと、搬送方向の両側面に形成された突起部14cとを有している。上記の突起部14cは、析出用基板14,14同士が当接したときの突起部14c,14c間のブレを減少させるように、各側面の両端部に左右一対に配置されている。   As shown in FIGS. 6A, 6B, and 7, the deposition substrate 14 is formed of carbon in a rectangular shape in plan view. Note that the deposition substrate 14 may be formed in a circular shape, an elliptical shape, a triangular shape, a trapezoidal shape, or a polygonal shape that is a pentagon or more. The deposition substrate 14 includes a substrate surface 14a (lower surface) on which the deposition plate 2 is deposited, an inverted trapezoidal gripping portion 14b formed on the upper surface (anti-deposition surface) of the deposition substrate 14, and both side surfaces in the transport direction. And a protruding portion 14c formed on the surface. The protrusions 14c are arranged in a pair on the left and right ends of each side so as to reduce blurring between the protrusions 14c and 14c when the deposition substrates 14 and 14 come into contact with each other.

また、突起部14c,14cは、溶湯15に浸漬されないように、基板面14aから離れた把持部14bの側面に配置されている。また、各突起部14cの搬送方向の長さは、析出用基板14の側面に析出した側方析出物5の突出長よりも大きな値に設定されている。そして、これらの突起部14c,14cは、隣接する析出用基板14,14間に隙間を生じさせることによって、析出用基板14のコーナー部の破損を防止し、図1の基板送り機構70による析出用基板14の分離作業を容易化し、さらには析出用基板14の側面に析出した側方析出物5同士の当接を防止するようになっている。   Further, the protrusions 14c and 14c are arranged on the side surface of the gripping part 14b away from the substrate surface 14a so as not to be immersed in the molten metal 15. Further, the length of each protrusion 14 c in the transport direction is set to a value larger than the protruding length of the lateral precipitate 5 deposited on the side surface of the deposition substrate 14. These protrusions 14c and 14c prevent a corner portion of the deposition substrate 14 from being damaged by creating a gap between the adjacent deposition substrates 14 and 14, and the deposition by the substrate feed mechanism 70 in FIG. The separation work of the deposition substrate 14 is facilitated, and contact between the lateral precipitates 5 deposited on the side surfaces of the deposition substrate 14 is prevented.

また、上記の突起部14c,14cが側面に形成された把持部14bは、後述の基板把持機構51の係合部52a,52a間に搬送方向の移動で着脱されるように、搬送方向に対して平行に形成されている。また、把持部14bは、中心部から両端部手前までの領域における幅が係合部52a,52aに当接する程度の幅に設定されている。そして、把持部14bの両端部手前から両端部にいたる領域においては、両端部手前から両端部にかけて幅を徐々に減少させるように設定されている。これによって、析出用基板14を搬送する際に、搬送方向に対して幅方向に多少のブレは誤差があった場合でも、把持部14bを係合部52a,52a間に確実に挿入させることが可能になっている。   In addition, the gripping portion 14b having the projections 14c and 14c formed on the side surfaces thereof is attached to and detached from an engagement portion 52a and 52a of a substrate gripping mechanism 51 described later by movement in the transport direction. Are formed in parallel. In addition, the gripping portion 14b is set to have such a width that the width in the region from the center portion to the front of both end portions is in contact with the engaging portions 52a and 52a. And in the area | region from both ends of the holding | grip part 14b to both ends, it sets so that a width | variety may be decreased gradually from both ends front to both ends. As a result, when the deposition substrate 14 is transported, the grip portion 14b can be reliably inserted between the engaging portions 52a and 52a even if there is some error in the width direction relative to the transport direction. It is possible.

なお、析出用基板14の突起部14cは、搬送方向の少なくとも一方の側面に形成されていれば良い。また、析出用基板14は、基板面14aの両端部が上面の両端部の内側に位置するように基板面14aから上面側にかけて傾斜されていて良い。   In addition, the protrusion 14c of the deposition substrate 14 may be formed on at least one side surface in the transport direction. The deposition substrate 14 may be inclined from the substrate surface 14a to the upper surface side so that both end portions of the substrate surface 14a are located inside both end portions of the upper surface.

上記の析出用基板14は、図3の浸漬機構37に設けられた基板把持機構51によって着脱可能に保持される。基板把持機構51は、図7に示すように、チャック部52,52を左右対称に一体的に備えている。各チャック部52,52は、把持部14bに係合するように下面に形成された係合部52aと、ゴミ等の落下物を受け止めるように形成された環状溝部52bに周囲を囲まれた懸吊部52cとを有している。上記の係合部52aは、析出用基板14の把持部14bを挿入するように左右対称に配置されている。これによって、基板把持機構51は、析出用基板14が搬送方向(搬出入方向)に移動されたときに、この析出用基板14の把持部14bを係合部52a,52a間に挿入することによって析出用基板14を上下方向に保持可能になっている。   The deposition substrate 14 is detachably held by a substrate gripping mechanism 51 provided in the immersion mechanism 37 of FIG. As shown in FIG. 7, the substrate gripping mechanism 51 is integrally provided with chuck portions 52 and 52 symmetrically. Each chuck portion 52, 52 is surrounded by an engagement portion 52a formed on the lower surface so as to engage with the gripping portion 14b and an annular groove portion 52b formed so as to receive a fallen object such as dust. And a hanging portion 52c. The engaging portions 52a are arranged symmetrically so as to insert the holding portions 14b of the deposition substrate 14. Thus, the substrate gripping mechanism 51 inserts the gripping portion 14b of the deposition substrate 14 between the engaging portions 52a and 52a when the deposition substrate 14 is moved in the transport direction (carrying in / out direction). The deposition substrate 14 can be held in the vertical direction.

一方、懸吊部52cの上面には、2つの突設部52d,52dが対向配置されている。両突設部52d,52dの中央部には、ピン挿通穴52e,52eが形成されている。これらの突設部52d,52d間には、上述の浸漬機構部37の旋回部材50,50が嵌合されるようになっている。そして、ピン挿通穴52e,52eには、カーボン製のピン部材53が抜脱可能に挿通されるようになっており、ピン部材53は、各旋回部材50,50をチャック部52,52に連結させるようになっている。   On the other hand, two projecting portions 52d and 52d are arranged to face each other on the upper surface of the suspension portion 52c. Pin insertion holes 52e and 52e are formed at the center of both protruding portions 52d and 52d. Between the projecting portions 52d and 52d, the turning members 50 and 50 of the above-described immersion mechanism portion 37 are fitted. A carbon pin member 53 is detachably inserted into the pin insertion holes 52e and 52e, and the pin member 53 connects the swiveling members 50 and 50 to the chuck portions 52 and 52, respectively. It is supposed to let you.

上記のピン部材53は、溶湯15からの輻射熱の直射を回避するように、チャック部52の析出側の投影面積よりも短くなるように形成されている。また、ピン部材53の表面には、硬化層54が形成されており、ピン部材53は、硬化層54によって表面の機械的強度が高められることによって、チャック部52のピン挿通穴52eに対して着脱する際の磨耗が低減されている。一方、チャック部52においては、ピン部材53に接触するピン挿通穴52eと、析出用基板14に接触する係合部52a及び下面と硬化層54が形成されている。そして、チャック部52は、硬化層54で接触面の機械的強度が高められることによって、ピン部材53の着脱時及び析出用基板14の把持時における磨耗が低減されている。   The pin member 53 is formed to be shorter than the projected area on the deposition side of the chuck portion 52 so as to avoid direct radiation of radiant heat from the molten metal 15. In addition, a hardened layer 54 is formed on the surface of the pin member 53, and the pin member 53 has a mechanical strength of the surface that is increased by the hardened layer 54, so that the pin member 53 has a pin insertion hole 52 e in the chuck portion 52. Wear when attaching and detaching is reduced. On the other hand, in the chuck portion 52, a pin insertion hole 52e that contacts the pin member 53, an engaging portion 52a that contacts the deposition substrate 14, a lower surface, and a hardened layer 54 are formed. Further, the mechanical strength of the contact surface of the chuck portion 52 is increased by the hardened layer 54, so that wear when the pin member 53 is attached and detached and when the deposition substrate 14 is gripped is reduced.

なお、硬化層54の形成方法としては、プラズマCVDやイオンプレーティング等の表面処理方法でSiC膜をコーティングする硬化処理を挙げることができる。また、硬化層54は、基板把持機構51の全表面に形成されていても良く、この場合には、基板保持機構51の全体の機械的強度を高めることができるため、基板把持機構51をオペレータが運搬する際に衝撃を与えても破損し難いものとすることができる。   In addition, as a formation method of the hardened layer 54, the hardening process which coats a SiC film with surface treatment methods, such as plasma CVD and ion plating, can be mentioned. Further, the hardened layer 54 may be formed on the entire surface of the substrate gripping mechanism 51. In this case, the overall mechanical strength of the substrate holding mechanism 51 can be increased. Can be difficult to be damaged even if an impact is applied during transportation.

次に、このように構成された、半導体基板製造装置1の動作について説明する。   Next, the operation of the semiconductor substrate manufacturing apparatus 1 configured as described above will be described.

(準備・保全工程)
準備・保全工程は、析出板2の生産開始前及び生産開始後において、半導体製造装置1を生産に適した状態にする場合に実施される。すなわち、図2に示すように、ルツボ装置75の検査や坩堝76の交換、真空容器4内の各機構の検査が行われる。また、ルツボ装置75の検査中に、供給機構71の収容箱72に収容された溶解対象物101の残存量が確認され、適正な量となるように補充される。各機器の検査や交換等が完了すると、真空容器4が密閉される。そして、不図示の真空排気装置が作動されて空気が排気された後、Arガスの不活性ガスが供給されることによって、外部環境とは異なる処理環境が処理室3に形成される。
(Preparation and maintenance process)
The preparation / maintenance process is performed when the semiconductor manufacturing apparatus 1 is in a state suitable for production before and after the production of the deposition plate 2 is started. That is, as shown in FIG. 2, the crucible device 75 is inspected, the crucible 76 is replaced, and the mechanisms in the vacuum vessel 4 are inspected. Further, during the inspection of the crucible device 75, the remaining amount of the object to be melted 101 stored in the storage box 72 of the supply mechanism 71 is confirmed and replenished so as to be an appropriate amount. When the inspection or replacement of each device is completed, the vacuum vessel 4 is sealed. Then, after an evacuation apparatus (not shown) is operated and air is exhausted, an inert gas of Ar gas is supplied, so that a processing environment different from the external environment is formed in the processing chamber 3.

この後、誘導加熱コイル77に高周波数の交流電力が供給され、高周波磁界がルツボ76の周囲に生成される。この結果、ルツボ76の側面壁の表面側に強度の磁界が印加されることによって、側面壁の主に表面側が誘導加熱によって加熱され、この表面側の熱量が内側方向に向かって伝導していくことになる。そして、ルツボ76の側面側と底面側との2方向から大きな熱量が伝達され、この熱量で溶解対象物101が均等に加熱される結果、早期に全体が溶解して溶湯15となる。また、溶湯15になった後は、この溶湯15の側面及び下面が大きな熱量で加熱され続けられるため、溶湯15全体が均一な温度に維持される。   Thereafter, high frequency AC power is supplied to the induction heating coil 77, and a high frequency magnetic field is generated around the crucible 76. As a result, when a strong magnetic field is applied to the surface side of the side wall of the crucible 76, the surface side of the side wall is mainly heated by induction heating, and the amount of heat on the surface side is conducted inward. It will be. Then, a large amount of heat is transmitted from the two directions of the side surface and the bottom surface of the crucible 76, and as a result, the object to be melted 101 is evenly heated by this amount of heat. Further, after the molten metal 15 is reached, the side surface and the lower surface of the molten metal 15 are continuously heated with a large amount of heat, so that the entire molten metal 15 is maintained at a uniform temperature.

また、溶湯15が形成されると、溶湯15から高温の輻射熱が放出される。この際、輻射熱の一部は、析出機構10に向かって進行することになるが、析出機構10の旋回駆動部39に進行する輻射熱は、連結支持体38が熱遮蔽板としての機能を発揮することによって旋回駆動部39を直射することがない。また、析出機構10の第1チェーン43a等の駆動力伝達機構に進行する輻射熱は、第1支持部材45が熱遮蔽板としての機能を発揮することによって駆動直伝達機構を直射することがない。さらに、析出機構10のロータリーエンコーダ46に進行する輻射熱は、カバー部材47が熱遮蔽板として機能することによってロータリーエンコーダ46を直射することがない。これによって、析出機構10の内部機器は、輻射熱が直射されることよる熱劣化が防止されることになる。   Further, when the molten metal 15 is formed, high-temperature radiant heat is released from the molten metal 15. At this time, part of the radiant heat travels toward the deposition mechanism 10, but the radiant heat that travels to the turning drive unit 39 of the deposition mechanism 10 exhibits the function of the connection support 38 as a heat shielding plate. Therefore, the turning drive unit 39 is not directly irradiated. In addition, the radiant heat that travels to the driving force transmission mechanism such as the first chain 43a of the deposition mechanism 10 does not directly radiate the driving direct transmission mechanism because the first support member 45 functions as a heat shielding plate. Further, the radiant heat that travels to the rotary encoder 46 of the deposition mechanism 10 does not directly radiate the rotary encoder 46 because the cover member 47 functions as a heat shielding plate. As a result, the internal equipment of the deposition mechanism 10 is prevented from being thermally deteriorated due to direct radiation heat.

さらに、垂直駆動部31及び旋回駆動部39は、垂直駆動装置35及び旋回駆動装置40を冷却装置36,41の収納容器25,25内に収容することによって、処理室3の高温環境下での運転を回避している。したがって、これらの駆動部31,39は、熱に起因した故障の発生が十分に防止されている。なお、冷却装置36,41は、冷却ガスが冷却配管を流通する冷却水等の冷却媒体で熱交換することによって収納容器25内における収容環境を所定の温度以下に維持している。したがって、溶解対象物を加熱溶解しているときに、冷却ガスが収納容器25等の破損により漏洩しても、冷却水が溶湯15に接触して重大な故障を引き起こすことがない。   Further, the vertical drive unit 31 and the swivel drive unit 39 accommodate the vertical drive device 35 and the swivel drive device 40 in the storage containers 25 and 25 of the cooling devices 36 and 41, respectively. Driving is avoided. Therefore, the drive units 31 and 39 are sufficiently prevented from being damaged due to heat. The cooling devices 36 and 41 maintain the storage environment in the storage container 25 at a predetermined temperature or less by exchanging heat with a cooling medium such as cooling water through which the cooling gas flows through the cooling pipe. Therefore, even when the cooling gas leaks due to breakage of the storage container 25 or the like when the object to be melted is heated and melted, the cooling water does not contact the molten metal 15 to cause a serious failure.

(基板搬送工程)
上記のようにして所望の処理環境下で溶湯15が形成されることによって、生産の準備が完了すると、図1に示すように、ルツボ装置75を中心として上下対称に配置された基板搬出入機構60,60において析出用基板14の搬送動作が実施される。なお、以降の説明においては、説明の便宜上、一方の基板搬出入機構60における搬送動作を説明する。
(Substrate transport process)
When the preparation of production is completed by forming the molten metal 15 under the desired processing environment as described above, the substrate carry-in / out mechanism arranged vertically symmetrically about the crucible device 75 as shown in FIG. In 60 and 60, the transfer operation of the deposition substrate 14 is performed. In the following description, for the sake of convenience of explanation, the transport operation in one substrate carry-in / out mechanism 60 will be described.

具体的には、まず、基板搬出入機構60の上流側に配置された不図示の基板セット位置において6枚等の複数の析出用基板14が基板面14aを上向にして直列状態にセットされる。この後、電磁バルブ65の開栓によって圧力調整室61aの排気動作が停止されると共に、第1遮蔽板63が上昇されることによって圧力調整室61aの一端が開口される。そして、不図示の搬送ローラ等の搬送装置によって析出用基板14が直列状態で圧力調整室61aに搬入される。   Specifically, first, at a substrate setting position (not shown) arranged upstream of the substrate carry-in / out mechanism 60, a plurality of deposition substrates 14 such as six are set in series with the substrate surface 14a facing upward. The Thereafter, the exhaust operation of the pressure adjusting chamber 61a is stopped by opening the electromagnetic valve 65, and one end of the pressure adjusting chamber 61a is opened by raising the first shielding plate 63. Then, the deposition substrate 14 is carried into the pressure adjusting chamber 61a in a serial state by a conveyance device such as a conveyance roller (not shown).

上記の析出用基板14のセット時や搬入時において、隣接する析出用基板14,14が接触や衝突することによって各析出用基板14に衝撃が加わることがある。この際、析出用基板14の搬送方向の前後の側面に一対の突起部14c,14cが形成されているため、セット時や搬送時における接触や衝突は、析出用基板14のコーナー部に衝撃が加わることによるコーナー部の欠け等の破損を防止することができる。この結果、析出用基板14の基板面14aが元の形状を維持するため、所定形状の析出板を確実に得ることができる。   When the above deposition substrates 14 are set or carried in, impact may be applied to each deposition substrate 14 due to contact or collision between adjacent deposition substrates 14, 14. At this time, since the pair of protrusions 14c and 14c are formed on the front and rear side surfaces of the deposition substrate 14 in the transport direction, contact and collision at the time of setting and transport will impact the corner portion of the deposition substrate 14. It is possible to prevent breakage such as chipping of the corner portion due to the addition. As a result, since the substrate surface 14a of the deposition substrate 14 maintains its original shape, a deposition plate having a predetermined shape can be obtained with certainty.

圧力調整室61aに全数の析出用基板14が搬入されると、第1遮蔽板63が下降され、圧力調整室61aの両端が閉口された状態にされる。この後、電磁バルブ65が開栓され、排気系66によって圧力調整室61aが真空状態にされる。これによって、析出用基板14に付着していた塵埃が除去される。そして、第2遮蔽板64の上昇によって圧力調整室61aの他端が開口され、これによって圧力量性質61aと予熱室61bとが連通される。   When all the deposition substrates 14 are loaded into the pressure regulation chamber 61a, the first shielding plate 63 is lowered, and both ends of the pressure regulation chamber 61a are closed. Thereafter, the electromagnetic valve 65 is opened, and the pressure adjusting chamber 61a is evacuated by the exhaust system 66. Thereby, dust adhering to the deposition substrate 14 is removed. Then, the other end of the pressure adjusting chamber 61a is opened by the rising of the second shielding plate 64, whereby the pressure quantity property 61a and the preheating chamber 61b are communicated.

この後、圧力調整室61aの析出用基板14が圧力調整室61aに搬送され、全数が圧力調整室61aに搬入されると、第2遮蔽板64の下降によって圧力調整室61aと予熱室61bとが隔離される。なお、圧力調整室61aにおいては、上述の基板セット位置からの析出用基板14の搬入動作が実施される。   Thereafter, when the deposition substrate 14 in the pressure adjusting chamber 61a is transferred to the pressure adjusting chamber 61a and all the substrates are transferred into the pressure adjusting chamber 61a, the pressure adjusting chamber 61a and the preheating chamber 61b are moved by the lowering of the second shielding plate 64. Is isolated. In the pressure adjusting chamber 61a, the operation of loading the deposition substrate 14 from the above-described substrate setting position is performed.

予熱室61bにおいては、搬送方向の先頭(最上流側)に位置する析出用基板14が第1予熱ヒータ82に対向されている。これによって、予熱ヒータ82に予熱用電力が供給されると、この予熱ヒータ82によって先頭の析出用基板14が所定の予熱温度に加熱される。また、析出用基板14を加熱したときに、析出用基板14から塵埃が飛散したり、析出用基板14内のガスが放出される場合があり、これらの塵埃やガスが処理室3内に流入すると、処理室3の処理環境の汚染物質として作用する。しかしながら、これらの塵埃やガスは、大部分が排気系66に吸引されて装置外部に排出されると共に、残留分の処理室3への流動が第1仕切り部材68や待機室61cの第2仕切り部材69で遮られる。これによって、処理室3の処理環境が析出用基板14の塵埃やガスで汚染されることは殆どない。   In the preheating chamber 61 b, the deposition substrate 14 positioned at the head (uppermost stream side) in the transport direction is opposed to the first preheating heater 82. Thus, when preheating power is supplied to the preheating heater 82, the leading deposition substrate 14 is heated to a predetermined preheating temperature by the preheating heater 82. Further, when the deposition substrate 14 is heated, dust may be scattered from the deposition substrate 14 or the gas in the deposition substrate 14 may be released, and these dust and gas flow into the processing chamber 3. Then, it acts as a contaminant in the processing environment of the processing chamber 3. However, most of these dusts and gases are sucked into the exhaust system 66 and discharged to the outside of the apparatus, and the remaining portion flows into the processing chamber 3 while flowing into the first partition member 68 and the second partition of the standby chamber 61c. It is blocked by the member 69. As a result, the processing environment of the processing chamber 3 is hardly contaminated with dust or gas on the deposition substrate 14.

この後、基板送り機構70が作動され、予熱された先頭の析出用基板14が爪部材71,71に狭持されながら、ほぼ析出用基板14の長さ寸法分の距離を搬送されることによって待機室61cに搬入される。待機室61cに搬送された析出用基板14は、第2予熱ヒータ83によってさらに予熱される。そして、所望の予熱温度となるように微調整されたり、温度低下が防止される。この後、基板送り機構70による搬送動作が繰り返して実施されることによって、待機室61cにおける析出用基板14が順次着脱位置Aに搬送されながら、予熱室61bにおける先頭の析出用基板14が順次待機室61cに搬送される。   Thereafter, the substrate feeding mechanism 70 is operated, and the preheated leading deposition substrate 14 is held by the claw members 71 and 71 while being conveyed by a distance corresponding to the length of the deposition substrate 14. It is carried into the waiting room 61c. The deposition substrate 14 transferred to the standby chamber 61 c is further preheated by the second preheater 83. Then, fine adjustment is performed to achieve a desired preheating temperature, or a temperature drop is prevented. Thereafter, the transport operation by the substrate feeding mechanism 70 is repeatedly performed, so that the deposition substrate 14 in the standby chamber 61c is sequentially transported to the attachment / detachment position A while the leading deposition substrate 14 in the preheating chamber 61b is sequentially standby. It is conveyed to the chamber 61c.

上記のようにして析出用基板14が基板送り機構70によって搬送されている間、着脱位置Aにおいては、図3に示すように、基板把持機構51が係合部52a,52aを上側に位置した姿勢で待機している。したがって、析出用基板14が着脱位置Aに搬送されると、図7に示すように、析出用基板14の把持部14bが基板把持機構51の係合部52a,52a間の幅よりも狭小化されているため、把持部14bが係合部52a,52a間に確実に挿入される。   While the deposition substrate 14 is being transported by the substrate feeding mechanism 70 as described above, at the attachment / detachment position A, as shown in FIG. 3, the substrate gripping mechanism 51 has the engaging portions 52a and 52a positioned on the upper side. Waiting in posture. Therefore, when the deposition substrate 14 is transported to the attachment / detachment position A, the holding portion 14b of the deposition substrate 14 becomes narrower than the width between the engagement portions 52a and 52a of the substrate holding mechanism 51, as shown in FIG. Therefore, the grip portion 14b is reliably inserted between the engagement portions 52a and 52a.

ここで、図2に示すように、着脱位置Aへの析出用基板14の搬送時に、制御装置100は、第1搬送台84の位置を検出し、この検出結果に基づいて第1搬送台84の位置ズレを検出し、さらに検出した位置ズレに応じて析出機構10を駆動することによって、基板把持機構51を第1搬送台84に対して移動する。   Here, as shown in FIG. 2, when the deposition substrate 14 is transported to the attachment / detachment position A, the control device 100 detects the position of the first transport base 84, and based on the detection result, the first transport base 84. , And the deposition mechanism 10 is driven in accordance with the detected position shift, thereby moving the substrate gripping mechanism 51 relative to the first transport table 84.

具体的には、制御装置100は、図8(a)に示すように、第3撮像装置8cから取得した撮像データ(図示実線)から、基板把持機構51と第1搬送台84とを比較(画像処理)することによって、第1搬送台84の基板把持機構51に対する相対的な高さ方向の位置ズレを検出する。なお、ここでは、図8(a)に示すように、取得した撮像データにおける第1搬送台84の長さ方向の上側エッジ位置Aと基板保持機構51の上側エッジ位置A’とを比較することによって高さ方向の位置ズレを検出する。また、制御装置100は、図8(b)に示すように、第4撮像装置8dから取得した撮像データ(図示実線)から、基板把持機構51と第1搬送台84とを比較(画像処理)することによって、第1搬送台84の基板把持機構51に対する相対的な角度のズレと横方向のズレを検出する。なお、ここでは、図8(b)に示すように、取得した撮像データにおける第1搬送台84の幅方向の上側エッジCと基板把持機構51の上側エッジC’とを比較することによって角度のズレを検出している。また、第1搬送台84の側面エッジBと基板把持機構51の側面エッジB’とを比較することによって横方向のズレを検出している。続いて、制御装置100は、このようにして検出した位置ズレに基づいて制御信号を生成し、当該制御信号を析出機構10に入力することによって、析出機構10を駆動する。この結果、析出機構10の基板把持機構51が析出用基板14を円滑に受け渡しができる位置に移動される。なお、制御装置100は、第1搬送台84の位置ズレが検出されない、もしくは、位置ズレが許容範囲内である場合には、既に基板把持機構51が析出用基板14を円滑に受け渡しができる位置に存在していると判断し、基板保持機構51を第1搬送台84に対して移動することはない。   Specifically, as shown in FIG. 8A, the control device 100 compares the substrate gripping mechanism 51 and the first transport base 84 from the imaging data (shown solid line) acquired from the third imaging device 8 c ( By performing image processing, a positional shift in the height direction relative to the substrate gripping mechanism 51 of the first transport table 84 is detected. Here, as shown in FIG. 8A, the upper edge position A in the length direction of the first transport base 84 in the acquired imaging data is compared with the upper edge position A ′ of the substrate holding mechanism 51. The position shift in the height direction is detected by. Further, as shown in FIG. 8B, the control device 100 compares the substrate gripping mechanism 51 and the first transport table 84 (image processing) based on the imaging data (illustrated solid line) acquired from the fourth imaging device 8d. As a result, a relative angular shift and a lateral shift of the first transport table 84 with respect to the substrate gripping mechanism 51 are detected. Here, as shown in FIG. 8B, the angle of the angle is obtained by comparing the upper edge C in the width direction of the first transport table 84 and the upper edge C ′ of the substrate gripping mechanism 51 in the acquired imaging data. Misalignment is detected. Further, the lateral shift is detected by comparing the side edge B of the first transfer table 84 with the side edge B ′ of the substrate gripping mechanism 51. Subsequently, the control device 100 drives the deposition mechanism 10 by generating a control signal based on the positional deviation detected in this way and inputting the control signal to the deposition mechanism 10. As a result, the substrate gripping mechanism 51 of the deposition mechanism 10 is moved to a position where the deposition substrate 14 can be delivered smoothly. Note that the control device 100 does not detect the positional deviation of the first transfer table 84 or if the positional deviation is within the allowable range, the position where the substrate gripping mechanism 51 can smoothly transfer the deposition substrate 14 already. Therefore, the substrate holding mechanism 51 is not moved with respect to the first transport table 84.

このような基板搬送工程(搬送方法)によれば、熱膨張によって機構部の部材が熱変形した場合であっても、基板保持機構51と第1搬送台84との位置関係を析出用基板14の受け渡しに最適な状態にすることができる。したがって、第1搬送台84が熱変形した場合であっても基板保持機構51と第1搬送台84との間における析出用基板14の受け渡しを円滑に行うことが可能となる。   According to such a substrate transfer process (transfer method), even when the member of the mechanism portion is thermally deformed due to thermal expansion, the positional relationship between the substrate holding mechanism 51 and the first transfer table 84 is determined as the deposition substrate 14. It can be in an optimal state for delivery. Accordingly, even when the first transfer table 84 is thermally deformed, the deposition substrate 14 can be smoothly transferred between the substrate holding mechanism 51 and the first transfer table 84.

また、このような基板搬送工程によれば、第3撮像装置8c及び第4撮像装置8dによって撮像された第1搬送台84の撮像データを制御装置100において画像処理することによって、第1搬送台84の基板把持機構51に対する相対的な位置ズレが検出される。このため、高温雰囲気に新たなセンサ等を設置することなく、第1搬送台84の位置ズレを検出することができるため、容易に第1搬送台84の位置ズレを検出することができる。   Moreover, according to such a board | substrate conveyance process, by image-processing in the control apparatus 100 the imaging data of the 1st conveyance stand 84 imaged by the 3rd imaging device 8c and the 4th imaging device 8d, a 1st conveyance stand 84 is detected as a relative displacement with respect to the substrate gripping mechanism 51. For this reason, since the position shift of the 1st conveyance stand 84 can be detected, without installing a new sensor etc. in a high temperature atmosphere, the position shift of the 1st conveyance stand 84 can be detected easily.

また、このような基板搬送工程によれば、第1搬送台84の位置ズレがエッジ位置A〜Cに基づいて検出される。したがって、制御装置100において比較する撮像データ量を最小限にすることができる。このため、容易に第1搬送台84の位置ズレを検出することができる。   Moreover, according to such a board | substrate conveyance process, the position shift of the 1st conveyance stand 84 is detected based on edge position AC. Therefore, the amount of image data to be compared in the control device 100 can be minimized. For this reason, the position shift of the 1st conveyance stand 84 can be detected easily.

その後、後述の析出工程が完了した析出用基板14が基板把持機構51から搬送方向に押し出され、第2搬送台85に受け渡される。そして、押し出された前回の析出用基板14は、第2搬送台85を介して真空容器4から分離される。   Thereafter, the deposition substrate 14 for which the deposition process to be described later has been completed is pushed out in the transport direction from the substrate gripping mechanism 51 and transferred to the second transport table 85. Then, the previous deposition substrate 14 that has been pushed out is separated from the vacuum vessel 4 via the second transfer table 85.

なお、析出用基板14の着脱時において、溶湯15に浸漬される析出用基板14の基板面14aが上側に位置されることによって、析出用基板14が水平状態の姿勢で搬送及び着脱される。これによって、析出用基板14が安定した状態で着脱される。また、図1に示すように、着脱Aが溶湯15の上方から外れた場所に存在するため、例えば着脱時に塵埃や欠けが発生して落下したり、着脱失敗で析出用基板14が落下した場合でも、これらの塵埃が溶湯に入りにくいものとなっている。   When the deposition substrate 14 is attached or detached, the deposition substrate 14 is transported and attached in a horizontal posture by positioning the substrate surface 14a of the deposition substrate 14 immersed in the molten metal 15 on the upper side. Thereby, the deposition substrate 14 is attached and detached in a stable state. Further, as shown in FIG. 1, since the attachment / detachment A exists at a place off the molten metal 15, for example, when the attachment / detachment occurs and drops due to dust or chipping, or when the deposition substrate 14 falls due to attachment / detachment failure However, it is difficult for these dusts to enter the molten metal.

また、析出後の析出用基板14を基板把持機構51から抜脱したり、この析出用基板14を装置外に搬出する場合においては、図6に示すように、隣接する析出用基板14間において突起部14c,14c同士が当接する。したがって、浸漬時に析出用基板14の側面に側方析出物5が生じていた場合でも、この側方析出物5,5同士が当接することはない。この結果、抜脱時や搬出時に振動や衝撃による外力が析出用基板14,14間に発生しても、この外力が突起物14cに直接的に作用することがない。これによって、側方析出物5が外力により剥離することによって、この側方析出物5と共に、析出板が析出用基板14から剥がれ落ちるという事態を防止することが可能になっている。   Further, when the deposition substrate 14 after deposition is removed from the substrate gripping mechanism 51, or when the deposition substrate 14 is carried out of the apparatus, as shown in FIG. The parts 14c and 14c come into contact with each other. Therefore, even when the lateral precipitate 5 is generated on the side surface of the deposition substrate 14 during the immersion, the lateral precipitates 5 and 5 do not come into contact with each other. As a result, even if an external force due to vibration or impact is generated between the deposition substrates 14 and 14 during removal or removal, the external force does not directly act on the protrusion 14c. As a result, it is possible to prevent the side precipitate 5 from being peeled off from the deposition substrate 14 together with the side precipitate 5 by peeling off the side precipitate 5 by an external force.

(析出工程)
両基板搬出入機構60,60において、上記のようにして基板把持機構51への析出用基板14の装着が完了すると、図3に示すように、一方の基板搬出入機構60における着脱位置Aの基板把持機構51が向きを一定にした状態で搬送方向に対して直交方向に移動され、基板把持機構51に保持された析出用基板14が溶湯15に浸漬される。
(Precipitation process)
When the attachment of the deposition substrate 14 to the substrate gripping mechanism 51 is completed in both the substrate carry-in / out mechanisms 60, 60 as described above, the attachment / detachment position A of one of the substrate carry-in / out mechanisms 60 as shown in FIG. The substrate holding mechanism 51 is moved in a direction orthogonal to the transport direction in a state where the direction is constant, and the deposition substrate 14 held by the substrate holding mechanism 51 is immersed in the molten metal 15.

具体的には、基板把持機構51が水平移動機構13によって析出位置Bに向かって水平移動されながら垂直移動機構11によって上昇される。そして、基板把持機構51が溶湯15の上方に位置したときに、旋回機構12が作動されることによって、旋回部材50の旋回中心を半径とした浸漬軌跡で基板把持機構51及び析出用基板14が旋回される。なお、浸漬軌跡は、各機構11,12,13の動作の組合わせにより任意のカーブを描くことができる。   Specifically, the substrate gripping mechanism 51 is raised by the vertical movement mechanism 11 while being horizontally moved toward the deposition position B by the horizontal movement mechanism 13. Then, when the substrate gripping mechanism 51 is positioned above the molten metal 15, the turning mechanism 12 is operated, so that the substrate gripping mechanism 51 and the deposition substrate 14 are moved along an immersion locus with the turning center of the turning member 50 as a radius. It is turned. The immersion trajectory can draw an arbitrary curve by a combination of the operations of the mechanisms 11, 12, and 13.

上記のようにして溶湯15への析出用基板14の浸漬が行われると、図5に示すように、溶湯15の上方に浸漬機構部37が位置するため、旋回部材50,50を回転自在に支持する軸受機構97が溶湯15からの輻射熱によって高温に加熱される。   When the deposition substrate 14 is immersed in the molten metal 15 as described above, since the immersion mechanism portion 37 is positioned above the molten metal 15 as shown in FIG. 5, the swiveling members 50 and 50 can be rotated freely. The supporting bearing mechanism 97 is heated to a high temperature by the radiant heat from the molten metal 15.

なお、図3に示すように、旋回時においては、基板把持機構51が係合部52a,52aの向きを搬送方向に一致させた状態で旋回する。したがって、析出用基板14の突起物14cが係合部52a,52a内で搬送方向に移動しないため、析出用基板14が基板把持機構51から脱落することがない。そして、このようにして基板把持機構51に保持された析出用基板14が図示二点鎖線のように基板把持機構51の下側に位置した状態となりながら析出位置Bで溶湯15に浸漬され、析出用基板14の基板面14aに溶湯15の溶解対象物101が析出される。そして、一定時間の経過後に、析出用基板14が溶湯15から引き上げられることによって、析出用基板14の基板面14aに所定厚みの析出板2が形成される。   As shown in FIG. 3, at the time of turning, the substrate gripping mechanism 51 turns in a state where the directions of the engaging portions 52a and 52a are aligned with the transport direction. Therefore, the protrusion 14c of the deposition substrate 14 does not move in the transport direction within the engaging portions 52a and 52a, so that the deposition substrate 14 does not fall off the substrate gripping mechanism 51. Then, the deposition substrate 14 thus held by the substrate gripping mechanism 51 is immersed in the molten metal 15 at the deposition position B while being positioned below the substrate gripping mechanism 51 as shown by a two-dot chain line in the figure. The melting object 101 of the molten metal 15 is deposited on the substrate surface 14 a of the working substrate 14. Then, after a predetermined time has elapsed, the deposition substrate 14 is pulled up from the molten metal 15, whereby the deposition plate 2 having a predetermined thickness is formed on the substrate surface 14 a of the deposition substrate 14.

上記旋回部材50の旋回動作は、基板把持機構51が旋回前の位置に復帰するまで継続される。この際、旋回角度は、図2のロータリーエンコーダ46によって検出されているため、基板把持機構51の位置決めが高精度に行われる。この後、旋回機構12が停止されると共に、垂直移動機構11及び水平移動機構13が作動されることによって、基板把持機構51が着脱位置Aに復帰される。この後、上述の基板搬送工程において、次回の析出用基板14が基板送り機構70によって着脱位置Aに搬送されると、この次回の析出用基板14によって今回の析出用基板14が送り出される。   The turning operation of the turning member 50 is continued until the substrate gripping mechanism 51 returns to the position before the turning. At this time, since the turning angle is detected by the rotary encoder 46 of FIG. 2, the substrate gripping mechanism 51 is positioned with high accuracy. Thereafter, the turning mechanism 12 is stopped, and the vertical movement mechanism 11 and the horizontal movement mechanism 13 are operated, whereby the substrate gripping mechanism 51 is returned to the attachment / detachment position A. Thereafter, when the next deposition substrate 14 is conveyed to the attachment / detachment position A by the substrate feeding mechanism 70 in the above-described substrate conveyance step, the next deposition substrate 14 is fed out by the next deposition substrate 14.

また、上記のようにして一方の基板搬出入機構60で析出工程が完了し、次回の析出用基板14が基板把持機構51に装着されるまでの間、他方の基板搬出入機構60における析出動作が同様に実施される。これによって、両基板搬出入機構60,60で搬送された析出用基板14が交互に使用されながら、1台のルツボ装置75で析出板2が順次製造される。   In addition, the deposition operation in the other substrate loading / unloading mechanism 60 is performed until the deposition process is completed in one substrate loading / unloading mechanism 60 as described above and the next deposition substrate 14 is mounted on the substrate gripping mechanism 51. Is similarly implemented. As a result, the deposition plates 2 are sequentially manufactured by one crucible device 75 while the deposition substrates 14 transported by the both substrate carry-in / out mechanisms 60 and 60 are alternately used.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る搬送装置及び搬送方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   As mentioned above, although preferred embodiment of the conveying apparatus and the conveying method which concern on this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

例えば、上記実施形態においては、析出機構10の基板把持機構51を移動することによって、第1搬送台84の位置ズレに対応した。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、第1搬送台84を上下左右回転移動する移動機構を設置し、この移動機構を用いて第1搬送台84自身を移動することによって、第1搬送台84の位置ズレに対応しても良い。   For example, in the above-described embodiment, the displacement of the first transfer table 84 is accommodated by moving the substrate gripping mechanism 51 of the deposition mechanism 10. However, the present invention is not limited to this, and by installing a moving mechanism for rotating the first transport table 84 up and down, left and right, and moving the first transport table 84 itself using this moving mechanism, You may respond | correspond to the position shift of the 1st conveyance stand 84. FIG.

また、上記実施形態においては、析出機構10と第1搬送台84との間における析出用基板14の受け渡しを対象として説明した。しかしながら、本発明は、析出機構10と第1搬送台84との間における析出用基板14の受け渡しのみを対象とするものではなく、例えば、第2搬送台85と基板把持機構51との間における析出用基板14の受け渡しを対象としても良い。この場合には、第2搬送台85の熱変形による位置ズレを検出する撮像装置を設置し、第2搬送台85の位置ズレに応じて第2搬送台85あるいは基板把持機構51を移動することによって、第2搬送台85と基板把持機構51との間における析出用基板14の受け渡しを円滑に行うことが可能となる。なお、このような場合には、本発明の受け渡す側の機構が基板把持機構51とされ、本発明の受け渡される側の機構が第2搬送台85とされる。   Moreover, in the said embodiment, it demonstrated targeting the delivery of the deposition substrate 14 between the deposition mechanism 10 and the 1st conveyance stand 84. FIG. However, the present invention is not intended only for the transfer of the deposition substrate 14 between the deposition mechanism 10 and the first transport table 84, for example, between the second transport table 85 and the substrate gripping mechanism 51. The delivery of the deposition substrate 14 may be targeted. In this case, an image pickup device that detects a positional deviation due to thermal deformation of the second conveyance table 85 is installed, and the second conveyance table 85 or the substrate gripping mechanism 51 is moved according to the positional deviation of the second conveyance table 85. Thus, it is possible to smoothly transfer the deposition substrate 14 between the second transfer table 85 and the substrate gripping mechanism 51. In such a case, the mechanism on the delivery side of the present invention is the substrate gripping mechanism 51, and the mechanism on the delivery side of the present invention is the second transport table 85.

また、本実施形態においては、撮像装置(第3撮像装置8c及び第4撮像装置8d)によって第1搬送台84を撮像することによって得られた撮像データを画像処理することによって、第1搬送台84の位置ズレを検出した。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、所定の基準位置(例えば、基板把持機構51の第2搬送台側85側の側面と第2搬送台の基板把持機構51側の側面)に光ファイバ等を介して接続された発光素子と受光素子を設置し、これらの発光素子及び受光素子を用いて基板把持機構51と第1搬送台84との位置ズレを検出することもできる。   Further, in the present embodiment, the first transfer table is obtained by performing image processing on the imaging data obtained by imaging the first transfer table 84 by the image pickup devices (the third image pickup device 8c and the fourth image pickup device 8d). 84 misalignment was detected. However, the present invention is not limited to this, and a predetermined reference position (for example, the side surface on the second transport table side 85 side of the substrate gripping mechanism 51 and the side surface of the second transport table on the substrate gripping mechanism 51 side). It is also possible to install a light emitting element and a light receiving element connected to each other via an optical fiber or the like, and to detect a positional deviation between the substrate gripping mechanism 51 and the first transport table 84 using the light emitting element and the light receiving element.

また、上記実施形態においては、搬送装置を半導体基板製造装置に備えられるものとして説明した。しかしながら、本発明の搬送装置及び方法は、半導体基板製造装置のみに適用されるものではなく、高温環境下でかつ気密容器内で複数の機構部間によって搬送対象物を搬送する全ての搬送装置に適用することができる。   Moreover, in the said embodiment, the conveying apparatus was demonstrated as what is provided in a semiconductor substrate manufacturing apparatus. However, the transport apparatus and method of the present invention are not applied only to the semiconductor substrate manufacturing apparatus, but are applied to all transport apparatuses that transport a transport target object between a plurality of mechanisms in a hermetic container in a high temperature environment. Can be applied.

また、本実施形態においては、浸漬機構部37をカーボンによって形成しているが、これに限定されるものではなく、セラミックスで形成されていても良い。   Moreover, in this embodiment, although the immersion mechanism part 37 is formed with carbon, it is not limited to this, You may be formed with ceramics.

また、本実施形態の軸受機構97は、円筒部材99とハウジング98とで旋回自在に支持する構成としたが、これに限定されるものではなく、セラミックス製の軸受を用いることもできる。   Further, the bearing mechanism 97 of the present embodiment is configured to be pivotally supported by the cylindrical member 99 and the housing 98, but is not limited to this, and a ceramic bearing can also be used.

本発明の一実施形態である搬送装置を備える半導体基板製造装置を平面視した場合における概略構成図である。It is a schematic block diagram in the case of planar view of a semiconductor substrate manufacturing apparatus provided with the conveying apparatus which is one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態である搬送装置を備える半導体基板製造装置を正面視した場合における概略構成図である。It is a schematic block diagram in the case where a semiconductor substrate manufacturing apparatus provided with a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention is viewed from the front. 本発明の一実施形態である搬送装置を備える半導体基板製造装置を側面視した場合における概略構成図である。It is a schematic block diagram at the time of carrying out the side view of the semiconductor substrate manufacturing apparatus provided with the conveying apparatus which is one Embodiment of this invention. 半導体基板製造装置の信号処理系の一部を示したブロック図である。It is the block diagram which showed a part of signal processing system of the semiconductor substrate manufacturing apparatus. 軸受機構の概略構成を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed schematic structure of the bearing mechanism. 析出後の析出用基板の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of the board | substrate for precipitation after precipitation. 析出用基板を保持した基板把持機構の斜視図である。It is a perspective view of the board | substrate holding | grip mechanism holding the board | substrate for precipitation. 第1搬送台の位置ズレを検出する方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the method to detect the position shift of a 1st conveyance stand.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体基板製造装置 2 析出板 3 処理室 3a 析出機構収容空間 3b 基板移動空間 3c 溶湯収容空間 4 真空容器 8c 第3撮像装置(撮像装置) 8d 第4撮像装置(撮像装置) 10 析出機構(機構部) 11 垂直移動機構 12 旋回機構 13 水平移動機構 14 析出用基板(搬送対象物) 15 溶湯 16 水平搬送部 17 水平駆動部 23 水平駆動装置 35 垂直駆動装置 40 旋回駆動装置 51 基板把持機構 60 基板搬出入機構(機構部) 84 第1搬送台 85 第2搬送台 100 制御装置(ズレ検出部)

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate manufacturing apparatus 2 Deposition plate 3 Processing chamber 3a Deposition mechanism accommodation space 3b Substrate movement space 3c Molten metal accommodation space 4 Vacuum container 8c 3rd imaging device (imaging device) 8d 4th imaging device (imaging device) 10 Deposition mechanism (mechanism) 11) Vertical movement mechanism 12 Swivel mechanism 13 Horizontal movement mechanism 14 Deposition substrate (conveyance target) 15 Molten metal 16 Horizontal conveyance unit 17 Horizontal drive unit 23 Horizontal drive unit 35 Vertical drive unit 40 Pivot drive unit 51 Substrate gripping mechanism 60 Substrate Loading / unloading mechanism (mechanism part) 84 1st conveyance stand 85 2nd conveyance stand 100 Control apparatus (deviation detection part)

Claims (6)

高温環境下で搬送対象物を横行、昇降あるいは回転することによって搬送し、複数の機構部間において前記搬送対象物の受け渡しを行う搬送装置であって、
受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置を検出する位置検出部と、前記位置検出部の検出結果に基づいて前記受け渡す側の機構部あるいは前記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出するズレ検出部とを有し、
前記受け渡す側の機構部の位置あるいは前記受け渡される側の機構部の位置が前記所定範囲に対してずれている場合に、前記ズレ検出部の検出結果に応じて前記受け渡される側の機構部を前記受け渡す側の機構部に対して相対移動させる
ことを特徴とする搬送装置。
A conveying device that conveys the object to be conveyed in a high temperature environment by traversing, moving up and down or rotating, and delivering the object to be conveyed between a plurality of mechanism parts,
A position detection unit for detecting a position of the mechanism unit on the delivery side or a position of the mechanism unit on the delivery side, and the mechanism unit on the delivery side or the delivery side based on the detection result of the position detection unit A displacement detection unit that detects a displacement of the mechanism unit with respect to a predetermined range;
When the position of the mechanism part on the delivery side or the position of the mechanism part on the delivery side is deviated from the predetermined range, the mechanism on the delivery side according to the detection result of the deviation detection part A conveying device characterized in that a part is moved relative to the mechanism part on the delivery side.
前記位置検出部は、前記受け渡す側の機構部の位置あるいは前記受け渡される側の機構部を撮像する撮像装置及び画像処理装置であることを特徴とする請求項1記載の搬送装置。 The transport apparatus according to claim 1, wherein the position detection unit is an imaging device and an image processing device that capture an image of a position of the delivery-side mechanism unit or the delivery-side mechanism unit. 前記機構部が気密容器内に配設されていることを特徴とする請求項1または2記載の搬送装置。 The transport apparatus according to claim 1, wherein the mechanism is disposed in an airtight container. 高温環境で搬送対象物を横行、昇降あるいは回転することによって搬送し、複数の機構部間において前記搬送対象物の受け渡しを行う搬送方法であって、
受け渡す側の機構部の位置あるいは受け渡される側の機構部の位置を検出し、
該検出結果に基づいて前記受け渡す側の機構部あるいは前記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出し、
前記受け渡す側の機構部の位置あるいは前記受け渡される側の機構部の位置が前記所定範囲に対してずれている場合に、前記位置ズレの検出結果に応じて前記受け渡される側の機構部を前記受け渡す側の機構部に対して相対移動させる
ことを特徴とする搬送方法。
A transport method for transporting a transport object in a high temperature environment by traversing, moving up and down or rotating, and delivering the transport object between a plurality of mechanism parts,
Detect the position of the mechanism part on the delivery side or the position of the mechanism part on the delivery side,
Based on the detection result, a positional shift of the delivery side mechanism part or the delivery side mechanism part with respect to a predetermined range is detected,
When the position of the mechanism part on the delivery side or the position of the mechanism part on the delivery side is deviated from the predetermined range, the mechanism part on the delivery side according to the detection result of the positional deviation. Is moved relative to the mechanism on the delivery side.
前記受け渡す側の機構部あるいは前記受け渡される側の機構部を撮像することによって、前記受け渡す側の機構部の位置あるいは前記受け渡される側の機構部の位置を検出し、
前記受け渡す側の機構部あるいは前記受け渡される側の機構部の撮像データを画像処理することによって、前記受け渡す側の機構部あるいは前記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出する
ことを特徴とする請求項4記載の搬送方法。
Detecting the position of the mechanism part on the delivery side or the position of the mechanism part on the delivery side by imaging the mechanism part on the delivery side or the mechanism part on the delivery side;
Image processing is performed on imaging data of the delivery-side mechanism unit or the delivery-side mechanism unit, thereby detecting a positional shift of the delivery-side mechanism unit or the delivery-side mechanism unit with respect to a predetermined range. The transport method according to claim 4, wherein:
前記受け渡す側の機構部のエッジ位置あるいは前記受け渡される側の機構部のエッジ位置に基づいて前記受け渡す側の機構部あるいは前記受け渡される側の機構部の所定範囲に対する位置ズレを検出することを特徴とする請求項4または5記載の搬送方法。



Based on an edge position of the delivery-side mechanism section or an edge position of the delivery-side mechanism section, a positional shift of the delivery-side mechanism section or the delivery-side mechanism section with respect to a predetermined range is detected. The conveyance method according to claim 4 or 5, characterized by the above-mentioned.



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