JP2006032069A - Image display device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、対向配置された一対の基板と、基板間に配設されたスペーサとを備えた平面型の画像表示装置に関する。 The present invention relates to a flat-type image display device that includes a pair of substrates disposed opposite to each other and a spacer disposed between the substrates.
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス(以下、FEDと称する)の一種として、表面伝導型電子放出装置(以下、SEDと称する)の開発が進められている。 2. Description of the Related Art In recent years, various flat-type image display devices have attracted attention as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter referred to as CRTs). For example, a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED) is being developed as a kind of field emission device (hereinafter referred to as FED) that functions as a flat display device.
このSEDは、所定の間隔をおいて対向配置された第1基板および第2基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第1基板の内面には3色の蛍光体層が形成され、第2基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。各電子放出素子は、電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の電極等で構成されている。 The SED includes a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other at a predetermined interval, and these substrates form a vacuum envelope by bonding peripheral portions to each other through rectangular side walls. ing. Three color phosphor layers are formed on the inner surface of the first substrate, and on the inner surface of the second substrate, a large number of electron-emitting devices corresponding to each pixel are arranged as an electron source for exciting the phosphor. Each electron-emitting device includes an electron-emitting portion and a pair of electrodes that apply a voltage to the electron-emitting portion.
前記SEDにおいて、第1基板および第2基板間の空間、すなわち真空外囲器内は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。また、第1基板および第2基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、多数の板状あるいは柱状のスペーサが配置されている(例えば、特許文献1)。SEDにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数kV以上望ましくは5kV以上に設定することが必要となる。
上記構成のSEDにおいて、電子放出素子から放出され高い加速電圧を持った電子(一次電子)が第1基板内面の蛍光体層に衝突すると、第1基板から2次電子、反射電子を含む散乱電子が発生する。また、第1基板と第2基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、製造性などの観点から、1〜2mm程度と比較的小さく設定される。そのため、第1基板側で発生した散乱電子は基板間に配設されたスペーサに衝突し、スペーサが帯電する。SEDにおける加速電圧では、通常、スペーサは正に帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。 In the SED having the above-described configuration, when electrons (primary electrons) emitted from the electron-emitting device and having a high acceleration voltage collide with the phosphor layer on the inner surface of the first substrate, scattered electrons including secondary electrons and reflected electrons from the first substrate. Will occur. In addition, the gap between the first substrate and the second substrate is set to a relatively small value of about 1 to 2 mm from the viewpoint of resolution, characteristics of the support member, manufacturability, and the like. Therefore, the scattered electrons generated on the first substrate side collide with the spacer disposed between the substrates, and the spacer is charged. At the acceleration voltage in the SED, the spacer is normally positively charged. In this case, the electron beam emitted from the electron-emitting device is attracted to the spacer and deviates from the original trajectory. As a result, there is a problem that electron beam mislanding occurs in the phosphor layer and the color purity of the display image is deteriorated.
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子ビームの軌道ずれを抑制し、表示品位の向上した画像表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an image display apparatus that suppresses an orbit shift of an electron beam and has improved display quality.
前記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第1基板と、前記第1基板と隙間を置いて対向配置されているとともに、前記蛍光面に向けて電子ビームを放出し前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、それぞれ前記第1基板と第2基板との間に立設され、前記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、前記第1基板側から第2基板に向かって突出しているとともに前記第2基板と隙間をおいて対向し、前記電子放出源から放出された電子ビームの移動を補正する複数の突起と、を備えている。 In order to achieve the above object, an image display device according to an aspect of the present invention is provided with a first substrate on which a phosphor screen is formed, and opposed to the first substrate with a gap therebetween, and facing the phosphor screen. A second substrate provided with a plurality of electron emission sources for emitting an electron beam and exciting the phosphor screen, and the first substrate and the second substrate, respectively, standing between the first substrate and the second substrate. A plurality of spacers supporting an atmospheric pressure load acting on the first substrate, projecting from the first substrate side toward the second substrate, facing the second substrate with a gap, and emitted from the electron emission source A plurality of protrusions for correcting movement of the electron beam.
この発明によれば、スペーサと並べて複数の突起を設けることにより、スペーサの帯電に起因した電子ビームの軌道ずれを突起により補正することができ、表示品位の向上した画像表示装置を提供するができる。 According to the present invention, by providing a plurality of protrusions in parallel with the spacer, the orbit shift of the electron beam due to the charging of the spacer can be corrected by the protrusion, and an image display device with improved display quality can be provided. .
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型画像表示装置としてSEDに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1ないし図3に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第1基板10および第2基板12を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対向配置されている。第1基板10および第2基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁14を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器15を構成している。接合部材として機能する側壁14は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材20により、第1基板10の周縁部および第2基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
Hereinafter, embodiments in which the present invention is applied to an SED as a flat image display device will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 to 3, the SED includes a
第1基板10の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑に発光する蛍光体層R、G、B、および遮光層11を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン16上には、アルミニウム等からなるメタルバック17およびゲッタ膜19が順に形成されている。
A
第2基板12の内面には、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第2基板12の内面上には、電子放出素子18に電位を供給する多数本の配線21がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器15の外部に引出されている。
On the inner surface of the
図2ないし図4に示すように、SEDは、第1基板10および第2基板12の間に配設されたスペーサ構体22を備えている。スペーサ構体22は、矩形状の金属板からなる支持基板24と、支持基板の一方の表面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ30と、を有している。
As shown in FIGS. 2 to 4, the SED includes a
支持基板24は蛍光体スクリーン16とほぼ等しい大きさの矩形状に形成されている。支持基板24は第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板24には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔26が形成されている。電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
The
支持基板24は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ0.1〜0.25mmに形成され、電子ビーム通過孔26は、例えば、0.15〜0.25mm×0.15〜0.25mmの矩形状に形成されている。支持基板24の表面には、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁性物質を塗布、焼成した高抵抗膜32が形成されている。本実施形態によれば、支持基板24の第1および第2表面24a、24bおよび各電子ビーム通過孔26の内壁面は、Li系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約10μmの高抵抗膜32により被覆されている。支持基板24は、第1表面24aが、ゲッタ膜19、メタルバック17、蛍光体スクリーン16を介して、第1基板10の内面に面接触した状態で設けられている。
The
第1基板10および第2基板12の長手方向を第1方向X、長手方向と直交した幅方向を第2方向Yとした場合、支持基板24に設けられた電子ビーム通過孔26は、第1方向Xに沿って所定の第1ピッチP1で配列され、また、第2方向Yについては、第1ピッチP1よりも大きな第2ピッチP2で配列されている。第1基板10に形成された蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、B、および第2基板12上の電子放出素子18は、第1方向Xおよび第2方向Yについて、それぞれ電子ビーム通過孔26と同一のピッチで配列され、それぞれ電子ビーム通過孔と対向している。これにより、各電子放出素子18は、電子ビーム通過孔26を通して、対応する蛍光体層と対向している。
When the longitudinal direction of the
支持基板24の第2表面24b上にはスペーサ30が一体的に立設され、それぞれY方向に並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。複数のスペーサ30は、第2方向Yに所定のピッチで並んで設けられているとともに、第1方向に上記所定のピッチよりも大きなピッチで並んで設けられている。スペーサ30の延出端は、第2基板12の内面に当接している。スペーサ30の各々は、支持基板24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。支持基板24の表面と平行な方向に沿ったスペーサ30の断面は、ほぼ楕円形に形成されている。スペーサ30の各々は、絶縁物質としてガラスを主成分とするスペーサ形成材料により形成されている。
On the
支持基板24の第2表面24b上には複数の突起が一体的に立設され、それぞれ第1基板10側から第2基板12に向かって突出している。複数の突起は、第1方向Xに沿ってスペーサ30と並んで設けられた複数の第1突起34a、および複数の第2突起34b、並びに、第2方向Yに沿ってスペーサ30と並んで設けられた複数の第3突起34cを含んでいる。
A plurality of protrusions are integrally provided on the
第1突起34aは、第1方向Xにおいて、各スペーサ30の両側に並んで配置され、それぞれほぼ1画素分、つまり、第1ピッチP1分だけスペーサから離間して設けられている。第2突起34bは、第1方向Xにおいて、スペーサ30と反対側で第1突起34aと並んで配置されている。すなわち、スペーサ30側から第1突起34a、第2突起34bの順で並んで設けられている。第1および第2突起34a、34bは、第2基板12の内面と隙間をおいて対向している。第1および第2突起34a、34bの突出高さは、スペーサ30の隣に位置した第1突起34aの方が第2突起34bよりも高く形成されている。すなわち、スペーサ30から離れた突起ほど、低く形成されている。
The
第3突起34cは、第2方向Yにおいて、隣合うスペーサ30間で、かつ、隣合う電子ビーム通過孔26間に設けられている。また、第3突起34cは、第2方向Yにおいて、スペーサ30と等間隔離間して設けられている。第3突起34cは、第2基板12の内面と隙間をおいて対向している。
第1ないし第3突起34a、34b、34cの各々は、支持基板24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。第1ないし第3突起34a、34b、34cは、例えば、スペーサ30と同様に、絶縁物質としてガラスを主成分とするスペーサ形成材料により形成されている。
In the second direction Y, the
Each of the first to
上記のように構成されたスペーサ構体22は、支持基板24が第1基板10に面接触し、スペーサ30の延出端が第2基板12の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
The
SEDは、第1基板10のメタルバック17に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。画像を表示する場合、蛍光体スクリーン16およびメタルバック17に10kV程度のアノード電圧が印加され、電子放出素子18から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン16へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン16の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
The SED includes a voltage supply unit (not shown) that applies a voltage to the metal back 17 of the
上記構成のSEDにおいて、高い加速電圧を持った電子が蛍光体スクリーン16に衝突した際、第1基板10および蛍光体スクリーンから2次電子および反射電子が発生する。蛍光体スクリーン16で発生した2次電子および反射電子は、基板間に配設されたスペーサ30に衝突し、その結果、スペーサが帯電する。SEDにおける加速電圧では、一般にスペーサは正に帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられる。
In the SED having the above configuration, when electrons having a high acceleration voltage collide with the
一方、蛍光体スクリーン16で発生した2次電子および反射電子は、支持基板24から突出した第1、第2、第3突起34a、34b、34cにも衝突し、その結果、これらの突起も正に帯電する。そのため、スペーサ30近傍の電子放出素子18から放出された電子ビームは、図5に符号B1で示すように、一旦、スペーサ30側に引き付けられた後、図5に符号B2で示すように、第1突起34aに引き付けられ第1方向Xの軌道ずれが補正される。同時に、電子ビームは、図5に符号B3で示すように、第3突起34cに引き付けられ第2方向Yの軌道ずれが補正される。これにより、電子ビームは、電子放出素子18に対応する所定の電子ビーム通過孔26を通り目標の蛍光体層に到達する。
On the other hand, secondary electrons and reflected electrons generated in the
また、第1および第2突起34a、34bの近傍に位置した電子放出素子18から放出された電子ビームは、一旦、第1突起34a側に引き付けられた後、第2突起34bに引き付けられ第1方向Xの軌道ずれが補正される。これにより、電子ビームは、電子放出素子18に対応する所定の電子ビーム通過孔26を通り目標の蛍光体層に到達する。
The electron beam emitted from the electron-emitting
以上のように、スペーサ30の帯電に起因した電子ビームの軌道ずれを第1方向Xについては第1および第2突起34a、34bにより補正し、第2方向Yについては第3突起34cにより補正することができる。電子ビーム軌道の補正効果、つまり、電子ビームを引き付ける度合いは、突起の突出高さが高い程、大きくなる。従って、第1ないし第3突起34a、34b、34cの突出高さを調整して補正の度合い最適に設定することにより、電子ビームの軌道ずれを抑制し、目標の蛍光体層にランディングさせることができる。これにより、表示画像におけるに色純度の劣化を防止し、表示品位の向上したSEDが得られる。
As described above, the orbit shift of the electron beam caused by the charging of the
次に、この発明の第2の実施形態に係るSEDついて説明する。図6および図7に示すように、第2の実施形態によれば、スペーサ構体22は、第1基板10および第2基板12間に配設された矩形状の金属板からなる支持基板24と、支持基板の両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、を備えている。
Next explained is an SED according to the second embodiment of the invention. As shown in FIGS. 6 and 7, according to the second embodiment, the
支持基板24は、第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板24には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔26が形成されている。電子ビーム通過孔26は、第1方向Xに第1ピッチで並んでいるとともに、第1方向と直交する第2方向Yに第1ピッチよりも大きな第2ピッチで並んで設けられている。電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
The
支持基板24は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ0.1〜0.3mmに形成されている。支持基板24の両表面には、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁性物質を塗布、焼成した高抵抗膜32が形成されている。本実施形態によれば、支持基板24の第1および第2表面24a、24bおよび各電子ビーム通過孔26の内壁面は、Li系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約10μmの高抵抗膜32により被覆されている。
The
支持基板24の第1表面24a上には複数の第1スペーサ30aが一体的に立設され、それぞれ第2方向Yに並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。複数の第1スペーサ30aは、第2方向Yに所定のピッチで並んで設けられているとともに、第1方向に上記所定のピッチよりも大きなピッチで並んで設けられている。第1スペーサ30aの先端は、ゲッタ膜19、メタルバック17、および蛍光体スクリーン16の遮光層11を介して第1基板10の内面に当接している。
A plurality of
支持基板24の第2表面24b上には複数の第2スペーサ30bが一体的に立設され、それぞれY方向に並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。複数のスペーサ30は、第2方向Yに所定のピッチで並んで設けられているとともに、第1方向に上記所定のピッチよりも大きなピッチで並んで設けられている。第2スペーサ30bの先端は第2基板12の内面に当接している。
A plurality of
各第1および第2スペーサ30a、30bは互いに整列して位置し、支持基板24を両面から挟み込んだ状態で支持基板24と一体に形成されている。第1および第2スペーサ30a、30bの各々は、支持基板24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。第1および第2スペーサ30a、30bは、例えば、ほぼ楕円状の横断面形状を有している。
The first and
また、支持基板24の第2表面24b上には複数の突起が一体的に立設され、それぞれ第1基板10側から第2基板12に向かって突出している。複数の突起は、第1方向Xに沿って第2スペーサ30bと並んで設けられた複数の第1突起34a、および複数の第2突起34b、並びに、第2方向Yに沿って第2スペーサ30bと並んで設けられた複数の第3突起34cを含んでいる。
In addition, a plurality of protrusions are integrally provided on the
第1突起34aは、第1方向Xにおいて、各第2スペーサ30bの両側に並んで配置され、それぞれほぼ1画素分、つまり、第1ピッチP1分だけスペーサから離間して設けられている。第2突起34bは、第1方向Xにおいて、第2スペーサ30bと反対側で第1突起34aと並んで配置されている。すなわち、第2スペーサ30b側から第1突起34a、第2突起34bの順で並んで設けられている。第1および第2突起34a、34bは、第2基板12の内面と隙間をおいて対向している。第1および第2突起34a、34bの突出高さは、第2スペーサ30bの隣に位置した第1突起34aの方が第2突起34bよりも高く形成されている。すなわち、スペーサ30から離れた突起ほど、低く形成されている。
The
第3突起34cは、第2方向Yにおいて、隣合う第2スペーサ30b間で、かつ、隣合う電子ビーム通過孔26間に設けられている。また、第3突起34cは、第2方向Yにおいて、第2スペーサ30bと等間隔離間して設けられている。第3突起34cは、第2基板12の内面と隙間をおいて対向している。
第1ないし第3突起34a、34b、34cの各々は、支持基板24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。第1ないし第3突起34a、34b、34cは、例えば、第1および第2スペーサ30a、30bと同様に、絶縁物質としてガラスを主成分とするスペーサ形成材料により形成されている。
In the second direction Y, the
Each of the first to
上記のように構成されたスペーサ構体22は第1基板10および第2基板12間に配設されている。第1および第2スペーサ30a、30bは、第1基板10および第2基板12の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
The
第2の実施形態において、他の構成は前述した第1の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
以上のように構成された第2の実施形態によれば、前述した第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、第1および第2スペーサ30a、30bの帯電に起因した電子ビームの軌道ずれを第1方向Xについては第1および第2突起34a、34bにより補正し、第2方向Yについては第3突起34cにより補正することができる。電子ビーム軌道の補正効果、つまり、電子ビームを引き付ける度合いは、突起の突出高さが高い程、大きくなる。従って、第1ないし第3突起34a、34b、34cの突出高さを調整して補正の度合い最適に設定することにより、電子ビームの軌道ずれを抑制し、目標の蛍光体層にランディングさせることができる。これにより、表示画像におけるに色純度の劣化を防止し、表示品位の向上したSEDが得られる。
In the second embodiment, other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same reference numerals are given to the same portions, and detailed description thereof is omitted.
According to 2nd Embodiment comprised as mentioned above, the effect similar to 1st Embodiment mentioned above can be acquired. That is, the orbit shift of the electron beam due to the charging of the first and
なお、上述した第1および第2の実施形態において、第1方向Xに並んだ突起は、第1および第2突起のみに限らず、必要に応じて増加可能である。第2方向Yに並んだ突起も第3突起のみに限らず、必要に応じて増加可能である。更に、突起は、第1方向および第2方向の両方に並んで設ける構成としたが、第1方向および第2方向のいずれか1方向のみに並んで設ける構成としてもよく、この場合においても、突起により電子ビームの軌道ずれを補正することができる。特に、蛍光体層および電子ビーム通過孔の配列ピッチが小さい第1方向Xについては、突起による電子ビームの軌道補正が有効となる。上述した第1の実施形態では、スペーサ30および第1ないし第3突起34a、34b、34cを支持基板24上に立設する構成としたが、支持基板を省略し、スペーサおよび突起を第1基板10の内面に直接立設する構成としてもよい。
In the first and second embodiments described above, the number of protrusions arranged in the first direction X is not limited to the first and second protrusions, and can be increased as necessary. The number of protrusions arranged in the second direction Y is not limited to the third protrusion, and can be increased as necessary. Furthermore, although the projection is configured to be provided side by side in both the first direction and the second direction, it may be configured to be provided side by side only in one direction of the first direction and the second direction. The protrusion of the electron beam can be corrected by the protrusion. In particular, for the first direction X in which the arrangement pitch of the phosphor layers and the electron beam passage holes is small, the electron beam trajectory correction by the protrusion is effective. In the first embodiment described above, the
その他、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。 In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.
スペーサの形状、寸法、突起の形状、寸法、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。 The shape of the spacer, the size of the spacer, the shape and size of the protrusion, the size of other components, the material, and the like are not limited to the embodiment described above, and can be selected as appropriate. The present invention is not limited to one using a surface conduction electron-emitting device as an electron source, but can also be applied to an image display apparatus using another electron source such as a field emission type or a carbon nanotube.
10…第1基板、 12…第2基板、 14…側壁、 15…真空外囲器、
16…蛍光体スクリーン、 18…電子放出素子、 22…スペーサ構体、
24…支持基板、 26…電子ビーム通過孔、 30…スペーサ、
30a…第1スペーサ、 30b…第2スペーサ、 34a…第1突起、
34b…第2突起、 34c…第3突起
DESCRIPTION OF
16 ... phosphor screen, 18 ... electron-emitting device, 22 ... spacer structure,
24 ... Support substrate, 26 ... Electron beam passage hole, 30 ... Spacer,
30a ... 1st spacer, 30b ... 2nd spacer, 34a ... 1st protrusion,
34b ... 2nd protrusion, 34c ... 3rd protrusion
Claims (8)
前記第1基板と隙間を置いて対向配置されているとともに、前記蛍光面に向けて電子ビームを放出し前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、
それぞれ前記第1基板と第2基板との間に立設され、前記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、
前記第1基板側から第2基板に向かって突出しているとともに前記第2基板と隙間をおいて対向し、前記電子放出源から放出された電子ビームの移動を補正する複数の突起と、
を備えた画像表示装置。 A first substrate on which a phosphor screen is formed;
A second substrate disposed opposite to the first substrate and provided with a plurality of electron emission sources for emitting an electron beam toward the phosphor screen and exciting the phosphor screen;
A plurality of spacers that are respectively provided between the first substrate and the second substrate and support an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
A plurality of protrusions that protrude from the first substrate side toward the second substrate and face the second substrate with a gap, and correct the movement of the electron beam emitted from the electron emission source;
An image display device comprising:
前記スペーサおよび複数の突起は、それぞれ前記支持基板の第2表面上に立設され、前記スペーサは前記第2基板に当接した先端部を有している請求項1ないし5のいずれか1項に記載の画像表示装置。 A plate-like support having a first surface in contact with the first substrate, a second surface facing the second substrate with a gap therebetween, and a plurality of electron beam passage holes each facing the electron emission source Equipped with a substrate,
6. The device according to claim 1, wherein the spacer and the plurality of protrusions are each erected on a second surface of the support substrate, and the spacer has a tip portion in contact with the second substrate. The image display device described in 1.
前記スペーサは、それぞれ前記第1表面上に立設されているとともに前記第1基板に当接した延出端を有した複数の第1スペーサと、それぞれ前記第2表面上に立設されているとともに前記第2基板に当接した延出端を有した複数の第2スペーサと、を含み、
前記複数の突起は、前記支持基板の第2表面上に立設されている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の画像表示装置。 A support substrate having a first surface facing the first substrate and a second surface facing the second substrate and disposed between the first and second substrates;
The spacers are erected on the first surface and have a plurality of first spacers each having an extended end in contact with the first substrate, and are erected on the second surface. And a plurality of second spacers having extended ends in contact with the second substrate,
The image display device according to claim 1, wherein the plurality of protrusions are erected on a second surface of the support substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004207753A JP2006032069A (en) | 2004-07-14 | 2004-07-14 | Image display device |
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JP2004207753A JP2006032069A (en) | 2004-07-14 | 2004-07-14 | Image display device |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101833911B (en) * | 2009-03-09 | 2012-07-04 | 普诚科技股份有限公司 | Drive circuit for carbon nanotube display and method for adjusting output luminance of display |
KR101555881B1 (en) | 2014-05-12 | 2015-10-01 | 주식회사 엘아이에스 | Heat treatment apparatus using electron-beam |
-
2004
- 2004-07-14 JP JP2004207753A patent/JP2006032069A/en active Pending
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