JP2006030613A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 開口率が高く、且つ電界を印加したときの配向の安定性を向上させた、高コントラストで広視野角を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に負の誘電異方性を有する液晶２１が封入され、ＴＦＴ基板２側に、画素電極１１と、画素電極１１の周囲に形成されたＣＳ電極１３とを備える。画素電極１１は、ＩＴＯ膜から構成される透明電極であり、四隅から画素中心部に向かって形成され、且つ互いに交差しない複数のスリット１７を有する。液晶２１は、画素のほぼ中心に配向の中心を一致させた単一の配向状態に配列する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に垂直配向型のアクティブマトリクス液晶表示素子に関する。

従来のＴＦＴ液晶パネルは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とＣＦ（Color Filter）基板とで液晶層を挟んで構成される。ＴＦＴパネル液晶パネルに封入され液晶材料としては、ＴＮ（ねじれネマティック）ディスプレイで通常用いられる正の誘電異方性を示す材料の他、負の誘電異方性を示す材料も使用される。負の誘電異方性を有する液晶が、無電界でそのダイレクタ（分子長軸方向）が基板と垂直に並ぶ垂直配向型のＴＦＴ液晶表示素子も提案されている。

垂直配向型のＴＦＴ液晶表示素子は、図６−（ａ）に平面で、図６−（ｂ）に断面で示すように、対向して配置された一対のガラス基板により負の誘電異方性を示す液晶を封入する液晶セルが構成される。
一対のガラス基板の一方には、個々の画素毎に配置される画素電極が形成され、他方のガラス基板には、複数の画素電極と対向する共通（対向）電極が形成されている。各画素電極と共通電極の対向部分とその間の液晶、さらにそれらを挟んで配置された一対の偏光板により、１画素分の表示素子が形成される。画素電極と共通電極との間に電圧が印加されない無電界状態のとき、液晶分子の長軸がガラス基板と垂直に並ぶように、それぞれの基板には、垂直配向膜が画素電極と、共通電極とを覆うように形成されている。
また、他方のガラス基板には、画素電極から絶縁されて且つ一部が画素電極の縁部と対向して画素容量に並列に接続された補償容量を形成するように、補償容量（ＣＳ）配線が形成される。ＣＳ配線は、共通電極と同電位に維持される。両基板を挟持するように一対の偏光板が配置されている。必要に応じて、適宜位相板などが配置される。

画素電極と共通電極との間の電圧が０の場合、共通電極と画素電極とＣＳ配線とは同電位であるため、画素電極と共通電極との間にも、画素電極とＣＳ配線との間にも電界が形成されず、その負の誘電異方性と配向膜の作用により、図７に模式的に示すように液晶分子は基板に対して垂直に配向したままである。
これに対し、画素電極と共通電極との間に電圧が印加されると、画素電極と共通電極との間に形成される縦電界に加え、画素電極とＣＳ配線との間に横電界が形成される。そのため、図８に模式的に示すように、液晶分子の長軸は、印加される電圧の大きさに応じて、画素中心部に向かって傾き、画素中心近傍の渦の中心に向かって配列する。

従来の液晶表示装置は、上記したとおり、画素電極とＣＳ配線との間の横電界により液晶の配列に渦の中心が発生する。渦の中心の位置は画素の設計要素（大きさ、形状等）や、横電界のばらつき等により固定されず、画素毎にばらつく。このばらつきが表示時のざらつきやむらの原因となるという問題があった。

特に、画素サイズが大きい場合、画素周辺部の横電界が画素中心部の液晶に与える影響が小さくなり、渦の中心がさらに固定され難くなる。

また、垂直配向型の液晶表示装置において、広視野角で高いコントラストを得るために、画素を複数のドメイン（液晶分子が連続配向している領域）に分割することが提案されている。例えば、特許文献１には、共通電極に「×」字状に形成した開口（スリット）により画素の表示領域を複数の領域に分割して複数のドメインを形成した液晶表示装置が開示されている。
特許第２５６５６３９号明細書

特許文献１に開示された液晶表示装置では、画素電極と共通電極との間に電圧を印加した場合には、画素領域の画素電極と共通電極が対向する部分では縦電界が発生し、画素電極の周辺部には斜め電界が発生する。共通電極のスリットが形成されている部分に関しては、両ガラス基板間に縦方向の電界が発生せず、スリット周縁部に斜め方向の電界が発生する。このため、画素電極の周辺部の斜め電界と、前記スリット周囲に発生する斜め方向の電界により画素の中心に向かう配列が形成される。一方、共通電極が開口された画素中心では電界が発生しないので、画素中心部の液晶分子は垂直配向を維持しようとし、また画素の中心方向へ傾く周囲の液晶分子の影響を受けて垂直に配向する。すなわち、この液晶表示装置では、液晶分子は各画素ごとに、画素の周囲から十字のスリットの中心（画素の中心）で垂直に配向した液晶分子に向かって傾くように配向し、各画素のスリットにより区分された各領域ごとに分割された複数のドメインを形成している。

しかし、上記の液晶表示装置は、スリットを画素ごとに交差するように形成し、且つ画素電極の周辺に対向電極を対向させる領域を設けているため、電界により制御することができないスリットの面積が多く、また画素の面積を大きくとることができず、開口率が低いという問題があり、また安定性に問題がある。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、開口率が高く、且つ電界を印加したときの配向の安定性を向上させた垂直配向型の液晶表示素子を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る液晶表示素子は、
第１の電極が設けられた一方の基板と、
前記第１の電極と予め定めた間隔を隔てて互いに対向配置され、前記第１の電極と対向する領域によりそれぞれの画素領域を形成する少なくとも一つの第２の電極が設けられた他方の基板と、
前記第１、第２の電極の互いに対向する内面それぞれに形成された垂直配向膜と、
前記基板間に封入され、負の誘電異方性を有する液晶層と、
を備え、
前記第１、第２の電極のうちの少なくとも一方の電極に、その画素領域の周辺から中央に向かって延出し、且つ前記画素領域の中央で互いに繋がらない幅の狭い複数の開口部を前記画素領域ごとに形成した
ことを特徴とする。

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る液晶表示素子は、
第１の電極が設けられた一方の基板と、
前記第１の電極と予め定めた間隔を隔てて互いに対向配置され、前記第１の電極と対向する領域によりそれぞれの画素領域を形成する少なくとも一つの第２の電極が設けられた他方の基板と、
前記第１、第２の電極の互いに対向する内面それぞれに形成された垂直配向膜と、
前記基板間に封入され、負の誘電異方性を有する液晶層と、
を備え、
前記第１、第２の電極のうちの少なくとも一方の電極に、その画素領域の周辺から中央に向かって延出し、且つ前記画素領域の中央で互いに繋がることなく前記画素領域ごとに形成され、前記第１、第２の電極間に印加された電界により、前記液晶層の液晶分子を、その分子長軸を前記画素の中央から周辺に向かって放射状に配列させ、前記画素領域ごとに実質的に一つの配列状態を形成するための複数のスリットを形成した
ことを特徴とする。

スリットは、各画素領域の隅から対角線に沿って直線または屈曲して延出され、画素領域の中央部で繋がらないように第１、第２の電極の一方に形成された複数の切り欠き部からなることが望ましい。

スリットは、各画素領域の縁から中央に向かって、直線または屈曲した対角線に沿って延出され、画素領域の中央部で繋がらないように第１、第２の電極の一方に形成された複数の切り欠き部からなることが望ましい。

他方の基板の第２の電極が形成される面には記第２の電極の周辺に配置され、第２の電極よりも低い電位に設定された補助電極がさらに設けられてもよい。

補助電極は、第２の電極の周辺部分と重畳して形成され、第２の電極との間に補償容量を形成するための補償容量電極からなることが望ましい。
この場合、補助電極は、第１の電極の電位と等しい電位に設定されることが望ましい。

他方の基板の第２の電極が形成される面には、第２の電極のスリットに対応する位置に、第２の電極よりも低い電位に設定された第２の補助電極がさらに設けられてもよい。

他方の基板の第２の電極が形成される面には、第２の電極のスリットに対応する位置に、第２の電極よりも低い電位に設定された第２の補助電極がさらに設けられ、補助電極と接続されてもよい。

本発明によれば、電界を印加するための電極に形成する開口部の面積を小さくすることができるので開口率が向上し、また液晶層に電界を印加したときに、画素ごとに実質的に単一の配向状態を形成することができるので、配向状態が安定した液晶表示装置を提供することができる。

本発明の実施形態にかかる液晶表示装置について、以下図面を参照して説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る垂直配向型液晶表示装置の画素構造を示す概略図である。図１−（ａ）は、液晶表示素子の平面図であり、図１−（ｂ）は、液晶表示素子のＡ−Ａ’に沿った断面図である。
液晶表示装置を構成する液晶表示素子１は、対向して配置された一対のガラス基板２，３を備え、両基板２，３の間に負の誘電異方性を示す液晶２１が封入されて構成されている。
一方のガラス基板２（以下ＴＦＴ基板）の内面上には、画素電極１１、ドレイン配線１２、補償容量（ＣＳ）電極１３、ゲート配線１４、ゲート絶縁膜１５、パット絶縁膜１６、垂直配向膜２０が形成されている。また、他方のガラス基板（以下ＣＦ基板）３の内面には、共通電極１８、カラーフィルタ（ＣＦ）１９、垂直配向膜２０が形成されている。

画素電極１１は、酸化インジウムを主成分とするＩＴＯ膜等から構成されたほぼ四角形の透明電極から形成される。画素電極１１には、四隅から電極中心部に向かって延出するスリット１７が形成されている。画素電極１１は、対向電極１８と対向する領域により、画素領域を画定する。

ドレイン配線１２は、各画素列毎に、列方向に伸びるように形成されたアルミニウム配線等から構成される。ドレイン配線１２は、同一画素列のＴＦＴ素子のドレイン電極に接続され、列ドライバからの画像信号をオンしたＴＦＴ素子を介して画素電極１１に供給する。

ＣＳ電極１３は、アルミニウム等から構成される。ＣＳ電極１３は、画素電極１１の周囲に、画素電極１１の周縁部とゲート絶縁膜１５を介してその一部が重なるように形成され、共通電極１８と同電位に維持される。ＣＳ電極１３は、画素電極１１との間で、各画素電極１１と共通電極と液晶２１とで形成される画素容量に並列に接続された補償容量（ＣＳ）を形成する。

ゲート配線１４は、各画素行毎に行方向に伸びるように形成されたアルミニウム配線等から構成される。ゲート配線１４は、ゲート絶縁膜１５により他の電極と絶縁されている。ゲート配線１４は、対応する画素行のＴＦＴ素子のゲート電極に接続され、ＴＦＴ素子にゲート信号（パルス）を供給し、ＴＦＴ素子のオン／オフを制御する。

ゲート絶縁膜１５は、ガラス基板のゲート配線１４及びＣＳ電極１３を被って形成された絶縁膜であり、例えばシリコン窒化膜から構成される。なお、ゲート絶縁膜１５は、ＴＦＴ素子の図示せぬゲート電極（対応する画素行）とゲート電極に対向する半導体層（チャネル層）及びソース／ドレイン領域とを電気的に分離する。なお、各ＴＦＴ素子のソース領域は、対応する画素電極に接続され、ドレイン領域は対応するドレイン配線に接続される。

パット絶縁膜１６は、ドレイン配線１２を被い、画素電極１１と、隣接する画素の画素電極との間に形成された絶縁膜であり、例えばシリコン窒化膜から構成される。

垂直配向膜２０は、有機垂直配向剤の塗布、及び焼成により形成され、或いはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成された、ヘキサメチルジシロキサンの重合膜等から構成される。垂直配向膜２０は、画素電極１１と共通電極１８をそれぞれ覆うように形成され、その間に液晶２１が封入される。垂直配向膜２０は、その構造により、表面近傍の液晶分子を垂直に配向させる。

一方、ＣＦ基板３に形成された共通電極１８は、複数の画素電極１１に共通して対向するように形成された電極である。共通電極１８は、ＩＴＯ膜等の透明導電物から形成される。

カラーフィルタ１９は、アクリル系樹脂からなるカラーレジスト溶液を塗布、パターン露光、現像して形成された、色の三要素に対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各フィルタである。カラーフィルタ１９は、画素電極１１と対向するように形成される。

液晶２１は、負の誘電異方性を有し、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に封入される。液晶２１の液晶分子は、無電界時には、垂直配向膜２０により、両基板と垂直になるように配向している。

液晶表示素子のＴＦＴ基板２の外面上に、下側位相差板２２及び下側偏光板２３が配置され、ＣＦ基板３の外面上には、上側位相差板２４及び上側偏光板２５がそれぞれ配置される。上側偏光板２５と下側偏光板２３は、その吸収軸等の光学軸が直交（クロスニコル）するように配置される。上側位相差板２４及び下側位相差板２２は、液晶表示装置のコントラスト、及び透過光の分光分布を平坦化するために、下側偏光板２３と上側偏光板２５間を透過する光の光路長差を最適化するように、それぞれの位相差が設定されている。

次に、上記構成の液晶表示素子１の製造方法について、説明する。
一方のガラス基板２上に、アルミニウム膜を形成し、これをパターニングすることによりＴＦＴ素子のゲート電極とゲート配線１４とＣＳ電極１３（ＣＳ電極１３を相互に接続する配線を含む）を形成する。次いで、ＣＶＤによりゲート絶縁膜１５を形成する。続いて、ゲート絶縁膜１５上に、ＴＦＴのチャネル層（半導体層）、ソース領域、ドレイン領域などを形成する。
続いて、ゲート絶縁膜１５上に、スパッタによりＩＴＯ膜を形成する。形成されたＩＴＯ膜の画素領域を構成する部分を残して、ＩＴＯ膜をエッチングしてパターニングすることにより、画素領域の周辺部から画素中心部に延出する幅の狭いスリット１７が形成された画素電極１１が得られる。ここで、スリット１７の先端部は、略方形の頂点をなすように配置される。

画素電極１１の周縁から離間してゲート絶縁膜１５上にドレイン配線１２を形成し、ＴＦＴ素子のドレイン電極に接続する。画素電極１１の周囲の非画素領域に形成されたドレイン配線１２を覆うように、ゲート絶縁膜１５上にパット絶縁膜１６を形成する。
続いて、全面にＣＶＤ、スピンコート等により、垂直配向膜２０を形成する。

ＣＦ基板３上の各画素電極１１と対向する位置に、カラーフィルタ１９を形成する。また、隣接するカラーフィルタ１９間や、ＴＦＴ素子と対向する部分にブラックマスクを形成する。カラーフィルタ１９及びブラックマスクが形成されたＣＦ基板３に、スパッタによりＩＴＯ膜を形成して、各画素に連続する共通電極１８を得る。
続いて、全面にＣＶＤ、スピンコート等により、垂直配向膜２０を形成する。

続いて、このようにして形成されたＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とをスペーサを介して対向して配置して、周囲をシール材によりシールして液晶セルを形成する。続いて、この液晶セルに液晶２１を注入し、注入口を封止する。
さらに、ＴＦＴ基板２の外面に、下側位相差板２２、下側偏光板２３を順次積層する。また、ＣＦ基板３の外面上に、上側位相差板２４、上側偏光板２５を順次積層して液晶表示素子１が得られる。

このようにして形成された液晶表示素子１においては、画素電極１１にスリット１７が形成されている。各スリット１７の周縁部には、その形状により斜め電界が発生する。スリット先端部が画素中心から等距離に形成されており、対向するスリット先端部の斜め電界は、その傾きが互いに逆向きである。そのため、スリット先端部から画素中心に向かって連続する液晶分子は、その中心に向かって倒れるように配列し、周囲から倒れ込むように配向する周囲の液晶分子の分子間力の影響を周囲から均等に受けた液晶分子がほぼ垂直に配向し、その液晶分子はスリット先端部からほぼ等距離にある。そして、スリット先端部より外側に位置する画素の周辺部の液晶分子は上記スリット側縁と画素周縁の斜め電界により画素電極１１の中心方向に向かって基板面と水平になるように配向し、上記スリット先端部より中心側に位置する液晶分子と連続した渦巻状の配向となり、画素ごとに液晶分子の配列が連続して変化する実質的に単一の配向状態（モノドメイン）が得られる。すなわち、画素電極のスリット先端部が画素中心の近傍まで延出し、且つ繋がっていないので、画素中心部の液晶の配向を安定化させ、また、配向の中心位置を画素の中心にほぼ一致させることができる。

次に、上記のような構造を有する画素内の液晶の挙動について説明する。
画素電極１１と共通電極１８との間に電圧が印加されていない状態では、画素電極１１、ＣＳ電極１３、共通電極１８は同電位であるため、図２に示すように、液晶２１の分子長軸はＴＦＴ基板２及びＣＦ基板３（垂直配向膜２０の内面）に対して垂直に配向したままである。

これに対し、画素電極１１と共通電極１８及びＣＳ電極１３との間に電圧が印加されると、画素電極１１と共通電極１８とが対向する領域には縦電界が発生し、さらに、画素電極１１の周縁部とＣＳ電極１３との間で斜め電界が発生する。図３に示すように、画素周辺部の液晶分子は、画素電極１１とＣＳ電極１３との間に形成される斜め電界により、画素中心に向かって倒れるように配向する。図示するように、各スリット１７の先端から等距離にある画素中心を配向の中心にして上記スリット先端部より中心側に位置する液晶分子が、画素中心に向かって倒れ込むように配向し、それより外側に位置する画素の周辺部の液晶分子は上記スリット側縁と画素周縁の斜め電界により画素電極１１の中心方向に向かって基板面と水平になるように配向し、上記スリット先端部より中心側に位置する液晶分子と連続した渦巻状の配向状態となり、画素ごとに液晶分子の配列が連続して変化する実質的にモノドメインとなる。

以上説明したように、画素電極１１に四隅から画素中心に向かうスリット１７を形成し、画素毎に、液晶分子が画素周辺部から画素中心に向かって渦巻状に配列されたモノドメインを形成したため、広視野角で、高いコントラストを得ることができる。さらに、略方形に配置した各スリットの先端の中心に渦の中心が固定されるので、画素毎での渦の中心位置のばらつきを軽減できる。したがって、表示上のざらつきやむらを解消することができる。

本発明は、上記の実施形態に限定されず、その応用及び変形等は任意である。

上記の実施形態では、画素電極１１に、スリット１７を形成すると説明した。しかし、スリットは、共通電極１８に形成されてもよい。また、画素電極１１及び共通電極１８に、それぞれスリットを形成することもできる。

上記の実施形態では、スリット１７は、画素電極１１の対角線上を四隅から画素中心部に向かって形成され、各スリットの先端は正方形に配置されると説明した。しかし、スリット先端が配置される形状は、正方形に限定されず、スリット先端部の斜め電界により傾き方向が規定された液晶分子の分子間力が相互に液晶し得る範囲であればどのような形状でもよく、例えば矩形等であってもよい。また、スリットは対角線上に形成されなくともよく、画素電極の周辺部を同一形状に区分する配置であればよい。例えば図４に示すスリット配置が適用可能である。

上記の実施形態では、スリット１７は、画素１０の隅から対角線に沿う直線状に形成される。しかし、スリット１７は、屈曲して形成されてもよい。

上記の実施形態において、電圧がＯＮされた場合のＣＳ電極１３の電位は、画素電極１１の電位よりも低い予め定められた電位に設定されることが望ましい。例えば共通電極の電位と同電位に設定可能である。画素電極１１の周囲に形成されたＣＳ電極の斜め電界により、画素周辺部の液晶の画素中心に向かう配列を向上させることができる。

上記の実施形態では、スリット１７の下層には、他の電極は設けられていなかった。しかし、スリットから画素中心に向かうさらなる電界を形成するために、図５に示すように、スリット１７に対応するようにＴＦＴ基板２上に補助電極を配置してもよい。また、この補助電極はＣＳ電極であってもよく、この場合、画素電極１１の周囲に形成されたＣＳ電極１３と一体に形成されることが望ましい。

上記の実施形態では、垂直配向膜は、ヘキサメチルジシロキサンの重合膜等から構成されると説明した。しかし、垂直配向膜は、その構造により液晶を垂直に配向させる任意の配向膜を使用することができる。また、垂直配膜を使用することなく、ガラス基板を直接、硫酸や硝酸などで処理して、垂直配向機能を付与することもできる。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構造を示す図である。（ａ）は平面図である。（ｂ）は断面図である。 図１の液晶表示装置の電圧ＯＦＦ時の動作を示す図である。（ａ）は平面図である。（ｂ）は断面図である。 図１の液晶表示装置の電圧ＯＮ時の動作を示す図である。（ａ）は平面図である。（ｂ）は断面図である。 画素電極に形成されたスリットの例を示す模式図である。 本発明の変形例に係る液晶表示装置の構造を示す図である。 従来の液晶表示装置の構造を示す図である。（ａ）は平面図である。（ｂ）は断面図である。 従来の液晶表示装置の電圧ＯＦＦ時の動作を示す図である。（ａ）は平面図である。（ｂ）は断面図である。 従来の液晶表示装置の電圧ＯＮ時の動作を示す図である。（ａ）は平面図である。（ｂ）は断面図である。

符号の説明

１ 液晶表示素子、１１ 画素電極、１２ ドレイン配線、１３ ＣＳ電極、１４ ゲート配線、１５ ゲート絶縁膜、１６ パット絶縁膜、１８ 共通電極、１９ カラーフィルタ、２０ 垂直配向膜、２１ 液晶、２２ 下側位相差板、２３ 下側偏光板、２４ 上側位相差板、２５ 上側偏光板

Claims (9)

1. 第１の電極が設けられた一方の基板と、
   前記第１の電極と予め定めた間隔を隔てて互いに対向配置され、前記第１の電極と対向する領域によりそれぞれの画素領域を形成する少なくとも一つの第２の電極が設けられた他方の基板と、
   前記第１、第２の電極の互いに対向する内面それぞれに形成された垂直配向膜と、
   前記基板間に封入され、負の誘電異方性を有する液晶層と、
   を備え、
   前記第１、第２の電極のうちの少なくとも一方の電極に、その画素領域の周辺から中央に向かって延出し、且つ前記画素領域の中央で互いに繋がらない幅の狭い複数の開口部を前記画素領域ごとに形成したことを特徴とする液晶表示素子。
2. 第１の電極が設けられた一方の基板と、
   前記第１の電極と予め定めた間隔を隔てて互いに対向配置され、前記第１の電極と対向する領域によりそれぞれの画素領域を形成する少なくとも一つの第２の電極が設けられた他方の基板と、
   前記第１、第２の電極の互いに対向する内面それぞれに形成された垂直配向膜と、
   前記基板間に封入され、負の誘電異方性を有する液晶層と、
   を備え、
   前記第１、第２の電極のうちの少なくとも一方の電極に、その画素領域の周辺から中央に向かって延出し、且つ前記画素領域の中央で互いに繋がることなく前記画素領域ごとに形成され、前記第１、第２の電極間に印加された電界により、前記液晶層の液晶分子を、その分子長軸を前記画素の中央から周辺に向かって放射状に配列させ、前記画素領域ごとに実質的に一つの配列状態を形成するための複数のスリットを形成したことを特徴とする液晶表示素子。
3. 前記スリットは、前記各画素領域の隅から対角線に沿って直線または屈曲して延出され、前記画素領域の中央部で繋がらないように前記第１、第２の電極の一方に形成された複数の切り欠き部からなることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
4. 前記スリットは、前記各画素領域の縁から中央に向かって、直線または屈曲した対角線に沿って延出され、前記画素領域の中央部で繋がらないように前記第１、第２の電極の一方に形成された複数の切り欠き部からなることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
5. 前記他方の基板の前記第２の電極が形成される面には、前記第２の電極の周辺に配置され、前記第２の電極よりも低い電位に設定された補助電極がさらに設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
6. 前記補助電極は、前記第２の電極の周辺部分と重畳して形成され、前記第２の電極との間に補償容量を形成するための補償容量電極からなることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示素子。
7. 前記補助電極は、前記第１の電極の電位と等しい電位に設定されることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示素子。
8. 前記他方の基板の前記第２の電極が形成される面には、前記第２の電極のスリットに対応する位置に、前記第２の電極よりも低い電位に設定された第２の補助電極がさらに設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示素子。
9. 前記他方の基板の前記第２の電極が形成される面には、前記第２の電極のスリットに対応する位置に、前記第２の電極よりも低い電位に設定された第２の補助電極がさらに設けられ、前記補助電極と接続されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示素子。

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