JP2006013211A - Temperature control unit and exposure device - Google Patents

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JP2006013211A JP2004189646A JP2004189646A JP2006013211A JP 2006013211 A JP2006013211 A JP 2006013211A JP 2004189646 A JP2004189646 A JP 2004189646A JP 2004189646 A JP2004189646 A JP 2004189646A JP 2006013211 A JP2006013211 A JP 2006013211A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation panel capable of controlling the radiation of radiation as heat movement between bodies in a vacuum environment. <P>SOLUTION: The temperature control unit which controls the temperature of a body is equipped with the radiation panel which is arranged opposite to the body and whose angle can be changed, a measurement part which measures surface temperature of the body, a measurement part which measures surface temperature of the radiation plate, and an angle control unit which changes the angle of the radiation plate. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は輻射伝熱を利用した温調装置および、半導体製造工程において用いられる露光装置で、レチクルパターンをシリコンウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関するものである。特にEUV光(Extreme Ultraviolet;極紫外光)である13〜14nm程度の波長の露光光を光源として使用する真空内露光装置であるEUV露光装置に関するものである。   The present invention relates to a temperature control apparatus using radiant heat transfer and an exposure apparatus used in a semiconductor manufacturing process, which relates to a projection exposure apparatus that projects and transfers a reticle pattern onto a silicon wafer. In particular, the present invention relates to an EUV exposure apparatus that is an in-vacuum exposure apparatus that uses exposure light having a wavelength of about 13 to 14 nm, which is EUV light (Extreme Ultraviolet) as a light source.

現在の半導体集積回路の製造技術では、レチクル上に形成された非常に微細なパターンを、レジストを塗布したウエハ上に可視光あるいは紫外光により縮小投影して転写する方法が広く採用されている。しかし現状の可視光あるいは紫外光を用いた露光では転写するパターンサイズが回折限界に近付いているため、さらに微細なパターンの転写は原理的に困難になりつつある。そこでパターンサイズの微細化に伴い紫外光よりさらに短波長の波長13〜14nmの極端紫外光(以下、EUV光という)を用いた縮小投影露光が提案されている。   In the current semiconductor integrated circuit manufacturing technology, a method is widely employed in which a very fine pattern formed on a reticle is projected onto a wafer coated with a resist by reduction projection with visible light or ultraviolet light. However, in the current exposure using visible light or ultraviolet light, since the pattern size to be transferred is approaching the diffraction limit, it is becoming difficult in principle to transfer a finer pattern. Accordingly, reduction projection exposure using extreme ultraviolet light (hereinafter referred to as EUV light) having a wavelength of 13 to 14 nm, which is shorter than ultraviolet light, has been proposed as the pattern size becomes finer.

一方、短波長化に伴い露光環境も変化する必要がある。EUV光は波長が短いため、従来のKrFエキシマレーザ(波長248nm)やArFエキシマレーザ(波長193nm)を用いるリソグラフィのように空気中または窒素の雰囲気中で露光を行うと、露光光が酸素分子や窒素分子に吸収されてしまう。そのためEUV露光は真空中で行う必要がある。   On the other hand, it is necessary to change the exposure environment as the wavelength becomes shorter. Since EUV light has a short wavelength, when exposure is performed in air or in an atmosphere of nitrogen as in lithography using a conventional KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or ArF excimer laser (wavelength 193 nm), the exposure light becomes oxygen molecules or It is absorbed by nitrogen molecules. Therefore, it is necessary to perform EUV exposure in a vacuum.

また、露光装置内にはレチクルステージやウエハステージ等のリニアモーターや、位置計測用CCD等のセンサなどの熱源となる各種機器が配置されており、これらの機器が発する熱に起因する熱膨張や熱変形で、光学系とセンサとの相対関係が変動される。   In addition, various devices serving as heat sources such as a linear motor such as a reticle stage and a wafer stage and a sensor such as a CCD for position measurement are arranged in the exposure apparatus, and thermal expansion caused by the heat generated by these devices By thermal deformation, the relative relationship between the optical system and the sensor is changed.

従来の露光装置における温度制御方法としては、チャンバ内に温度制御された空気(気体)を対象物に吹き付ける伝達による方法が多く採用されており、熱源機器に温度制御された冷媒などによる液冷などの、伝導による温度制御も行われている。
特開2004−068626号公報
As a temperature control method in a conventional exposure apparatus, a method by which air (gas) whose temperature is controlled in a chamber is blown to an object is often employed, and liquid cooling with a temperature-controlled refrigerant or the like is applied to a heat source device. The temperature is also controlled by conduction.
JP 2004-068626 A

しかしながら露光環境が真空環境になるに伴い、気体による伝達による温度制御が不可能となり、真空環境下の伝熱方法は輻射と伝導となる。さらに介在物のない物体間の熱の移動は輻射のみとなる。   However, as the exposure environment becomes a vacuum environment, temperature control by gas transfer becomes impossible, and the heat transfer method in the vacuum environment becomes radiation and conduction. Furthermore, the only heat transfer between objects without inclusions is radiation.

真空チャンバ内において発生した熱エネルギーは輻射によりチャンバ内を移動するが、チャンバが密閉系であるため、吸収されるまで反射を繰り返す。そのため、輻射熱を断熱するには従来の輻射パネルなどを用いて輻射熱を遮断するしか方法がなかった。しかし露光装置においては熱源も多く、装置が複雑なため全てを遮断するのが難しく、チャンバ外への熱の放出も困難である。   The thermal energy generated in the vacuum chamber moves in the chamber by radiation, but since the chamber is a closed system, reflection is repeated until it is absorbed. Therefore, the only way to insulate the radiant heat is to cut off the radiant heat using a conventional radiant panel or the like. However, in the exposure apparatus, there are many heat sources, and since the apparatus is complicated, it is difficult to shut off all of them, and it is difficult to release heat to the outside of the chamber.

さらにレチクルなど、スキャン駆動時に熱源が移動するケースもあるため、放射された輻射熱方向は一様ではない。   Furthermore, since there are cases where the heat source moves during scanning, such as a reticle, the radiated heat direction is not uniform.

本発明は、真空環境下での物体間の熱移動である輻射伝熱方向を制御できる輻射パネルを提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the radiation panel which can control the radiation heat-transfer direction which is the heat transfer between the objects in a vacuum environment.

請求項1に記載の発明は、輻射板が勾配制御可能な輻射パネルであって、発熱体の表面温度を計測できる計測機構と輻射板の表面温度を測定する計測機構とを有することを特徴とする。   The invention according to claim 1 is a radiation panel in which the radiation plate is gradient-controllable, and has a measurement mechanism that can measure the surface temperature of the heating element and a measurement mechanism that measures the surface temperature of the radiation plate. To do.

この請求項1に記載の輻射パネルによれば、発熱体の表面温度を測定することにより、輻射板との温度差より放射熱量を計算できる。また温度分布より、放射される熱源の方向を特定できると共に、輻射板の角度を制御することによって、輻射熱の反射方向を制御することができる。また、輻射熱の反射方向先にチャンバ外へ冷却部などの排熱機構を設けることにより、効果的に熱を外部へ排出することができる。   According to the radiant panel of the first aspect, the amount of radiant heat can be calculated from the temperature difference with the radiant plate by measuring the surface temperature of the heating element. Further, the direction of the radiated heat source can be specified from the temperature distribution, and the reflection direction of the radiant heat can be controlled by controlling the angle of the radiation plate. Further, by providing a heat exhaust mechanism such as a cooling unit outside the chamber in the direction of reflection of radiant heat, heat can be effectively discharged to the outside.

請求項2に記載の輻射パネルは、請求項1に記載の輻射パネルにおいて、微細な輻射板を複数個並べて配置することを特徴とする。   The radiation panel according to claim 2 is the radiation panel according to claim 1, wherein a plurality of fine radiation plates are arranged side by side.

これによれば、複数個の輻射板を制御することによって、より精度良く輻射熱の反射方向を制御することができる。   According to this, the reflection direction of radiant heat can be controlled more accurately by controlling a plurality of radiation plates.

請求項3に記載の発明は請求項1又は2に記載の輻射パネルにおいて、各輻射板の表面温度を制御可能な温調機構を有することを特徴とする輻射パネルである。   The invention according to claim 3 is the radiation panel according to claim 1 or 2, further comprising a temperature control mechanism capable of controlling the surface temperature of each radiation plate.

これによれば、請求項1に記載の発熱体表面温度の計測を行うことによって、発熱体方向と放熱量を特定し、輻射板の温度を熱源よりも低く設定することにより、温度差が生じ、輻射熱が輻射パネルに効率よく伝わる。   According to this, by measuring the heating element surface temperature according to claim 1, the direction of the heating element and the amount of heat radiation are specified, and the temperature difference is generated by setting the temperature of the radiation plate lower than the heat source. Radiant heat is efficiently transmitted to the radiation panel.

請求項4に記載の発明は、レチクルを照明手段によって、レチクル上のパターン像を投影反射光学系を介して、感光剤を塗布した基板(ウエハ)に転写する露光装置であって、請求項3に記載の輻射熱反射用の輻射パネルを有することを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for transferring a pattern image on a reticle to a substrate (wafer) coated with a photosensitive agent through a projection reflection optical system by means of an illuminating unit. It has the radiation panel for radiant heat reflection as described in above.

これによれば、請求項1に記載の発熱体表面温度測定部によって熱源の位置を特定でき、輻射板の角度を制御することにより、所定の方向へ輻射熱を反射させることができる。また、請求項2に記載の分割輻射板を使用することによって、より精度良く反射させることができる。   According to this, the position of the heat source can be specified by the heating element surface temperature measuring unit according to claim 1, and the radiation heat can be reflected in a predetermined direction by controlling the angle of the radiation plate. Further, by using the divided radiation plate according to claim 2, it is possible to reflect with higher accuracy.

請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の露光装置において、輻射パネルをレチクルやウエハやミラーなどの光学素子上の露光光を遮らない領域に対向して配置されていることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the fourth aspect, the radiation panel is arranged so as to face a region that does not block exposure light on an optical element such as a reticle, wafer, or mirror. And

これによれば、請求項1に記載の放射熱の計測を行うことによって、ミラー等の熱分布を把握でき、それにあわせて請求項2に記載の分割輻射板の角度制御と温度制御を行うことによってミラー上の温度ムラを軽減し、温調を行うことができる。   According to this, by measuring the radiant heat according to claim 1, the heat distribution of the mirror or the like can be grasped, and the angle control and the temperature control of the divided radiation plate according to claim 2 are performed accordingly. Therefore, the temperature unevenness on the mirror can be reduced and the temperature can be adjusted.

請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の露光装置において、輻射パネルが露光時に移動する熱源であるレチクル等に対向配置されることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the radiation panel is disposed opposite to a reticle or the like that is a heat source that moves during exposure.

これによれば、レチクルのように移動する熱源に対しても、輻射パネルの角度をアクティブに勾配制御させることにより、輻射熱を所定の方向へ反射させることができる。   According to this, even with respect to a heat source that moves like a reticle, radiant heat can be reflected in a predetermined direction by actively controlling the gradient of the angle of the radiant panel.

請求項7に記載の発明は、請求項4に記載の露光装置において、露光熱による発熱量、または発熱体の位置をあらかじめ予測し、これに基づいて、輻射パネルの制御を行うことを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the fourth aspect, the amount of heat generated by the exposure heat or the position of the heating element is predicted in advance, and based on this, the radiation panel is controlled. To do.

これによれば、発熱量や発熱体の位置、発熱体の移動工程をあらかじめ予測し、それに基づいて、輻射パネルの制御を行えば容易に輻射熱反射を制御できる。   According to this, it is possible to easily control the radiant heat reflection by predicting in advance the amount of heat generation, the position of the heating element, and the moving process of the heating element, and controlling the radiation panel based on the prediction.

本発明による輻射パネルによれば、輻射熱の反射方向を制御することができ、効率よく温調・排熱を行うことができる。また、本発明に係る真空内露光装置によれば、真空内の伝熱手段である輻射熱の移動方向を積極的に制御することができ、温調・排熱を効率よく行うことができる。   According to the radiant panel according to the present invention, the reflection direction of radiant heat can be controlled, and temperature control and exhaust heat can be performed efficiently. Further, according to the in-vacuum exposure apparatus according to the present invention, the moving direction of the radiant heat that is the heat transfer means in the vacuum can be positively controlled, and the temperature adjustment and the exhaust heat can be efficiently performed.

以下に本発明の実施例を説明する。   Examples of the present invention will be described below.

図1〜2に、本実施例および輻射パネルの構成を示す。   The structure of a present Example and a radiation panel is shown to FIGS.

図1において、励起レーザー1は、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化、噴霧ガス化させたポイントに向けて照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させ、YAG固体レーザー等を用いる。光源発光部2は、内部は真空に維持された構造を持つ。   In FIG. 1, an excitation laser 1 irradiates a light source material, which is a light emitting point of a light source, toward a gasified, liquefied, and atomized gas point, and emits light by exciting the light source material atoms with plasma, thereby producing a YAG solid. Use a laser or the like. The light source light emitting unit 2 has a structure in which a vacuum is maintained inside.

2Aで示す光源Aは、実際の露光光源の発光ポイントを示す。2Aaで示す光源ミラーAaは、2Aで示す光源Aからの全球面光を発光方向に揃え集光反射する為に、2Aで示す光源A中心に半球面状のミラーとして配置される。Xe(液化、噴霧、ガス)2Abは、発光元素として液化Xeあるいは液化Xe噴霧あるいはXeガスを2Aで示す光源Aのポイントにノズル2Aeにより突出させる。真空チャンバ3は露光装置全体を格納し、真空ポンプ4により真空状態を維持することを可能にする。   A light source A indicated by 2A indicates a light emission point of an actual exposure light source. The light source mirror Aa indicated by 2Aa is arranged as a hemispherical mirror at the center of the light source A indicated by 2A in order to collect and reflect all spherical light from the light source A indicated by 2A in the light emitting direction. Xe (liquefaction, spray, gas) 2Ab causes liquefied Xe or liquefied Xe spray or Xe gas as a light emitting element to protrude from the point of light source A indicated by 2A by nozzle 2Ae. The vacuum chamber 3 stores the entire exposure apparatus and allows the vacuum pump 4 to maintain a vacuum state.

露光光導入部5は、5A〜5Dで示すミラーA〜Dにより構成され、光源発光部2からの露光光を導入成形し、露光光を均質化かつ整形する。レチクルステージ6上の可動部には、露光パターンの反射原版である原版6Aが搭載されている。縮小投影ミラー光学系7は、原版6Aから反射した露光パターンを縮小投影し、7A〜7Eで示すミラーA〜Eに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比で縮小投影される。   The exposure light introducing unit 5 is constituted by mirrors A to D shown by 5A to 5D, introduces and molds the exposure light from the light source light emitting unit 2, and homogenizes and shapes the exposure light. An original plate 6A, which is a reflection original plate of an exposure pattern, is mounted on the movable part on the reticle stage 6. The reduction projection mirror optical system 7 reduces and projects the exposure pattern reflected from the original 6A, sequentially projects and reflects it on the mirrors A to E indicated by 7A to 7E, and is finally reduced and projected at a specified reduction ratio.

ウエハステージ8は、原版5Aにより反射されたパターンを露光するSi基板であるウエハ8Aを所定の露光位置に位置決めする為に、XYZ、XY軸回りのチルト、Z軸回りの回転方向の6軸駆動可能に位置決め制御される。レチクルステージ支持体9は、レチクルステージ5を装置設置床に対して支持する。投影系本体10は、縮小投影ミラー光学系7を装置設置床に対して支持する。ウエハステージ支持体11は、ウエハステージ8を装置設置床に対して支持する。以上のレチクルステージ支持体9と投影系本体10とウエハステージ支持体11により分離独立して支持された、レチクルステージ5と、縮小投影ミラー光学系7間、及び縮小投影ミラー光学系7とウエハステージ8間は、相対位置を位置計測し所定の相対位置に連続して維持制御する手段(不図示)が設けられている。また、レチクルステージ支持体9と投影系本体10とウエハステージ支持体11には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント(不図示)が設けられている。   The wafer stage 8 is a six-axis drive in the XYZ, tilt around the XY axes, and rotation around the Z axis in order to position the wafer 8A, which is an Si substrate that exposes the pattern reflected by the original 5A, at a predetermined exposure position. Positioning control is possible. The reticle stage support 9 supports the reticle stage 5 with respect to the apparatus installation floor. The projection system main body 10 supports the reduction projection mirror optical system 7 with respect to the apparatus installation floor. The wafer stage support 11 supports the wafer stage 8 against the apparatus installation floor. Between the reticle stage 5 and the reduction projection mirror optical system 7, and between the reduction projection mirror optical system 7 and the wafer stage, which are separately and independently supported by the reticle stage support 9, projection system main body 10 and wafer stage support 11 described above. Between 8, there is provided means (not shown) for measuring the relative position and maintaining and controlling the relative position continuously. The reticle stage support 9, the projection system main body 10, and the wafer stage support 11 are provided with mounts (not shown) that insulate vibrations from the apparatus installation floor.

レチクルストッカー12は装置外部から一旦装置内部に原版であるレチクル6Aを保管し、保管容器に密閉状態で異なるパターン及び異なる露光条件に合わせたレチクルが保管されている。レチクルチェンジャー13はレチクルストッカー12から使用するレチクルを選択して搬送する。レチクルアライメントユニット14はXYZ及びZ軸周りに回転可能な回転ハンドから成り、レチクルチェンジャー13から原版6Aを受け取り、レチクルステージ6端部に設けられたレチクルアライメントスコープ15部分に180度回転搬送し、縮小投影ミラー光学系7基準に設けられたアライメントマーク15Aに対して原版6A上をXYZ軸回転方向に微動してアライメントする。アライメントを終了した原版6Aはレチクルステージ6上にチャッキングされる。   The reticle stocker 12 temporarily stores a reticle 6A, which is an original plate, from the outside of the apparatus, and stores a reticle in a sealed state in accordance with different patterns and different exposure conditions. The reticle changer 13 selects and transports a reticle to be used from the reticle stocker 12. The reticle alignment unit 14 is composed of a rotating hand that can rotate around the XYZ and Z axes, receives the original 6A from the reticle changer 13, and rotates it 180 degrees to the reticle alignment scope 15 provided at the end of the reticle stage 6 for reduction. Alignment is performed by finely moving the original plate 6A in the XYZ axis rotation direction with respect to the alignment mark 15A provided on the basis of the projection mirror optical system 7. The original 6A after alignment is chucked on the reticle stage 6.

ウエハストッカー16は装置外部から一旦装置内部にウエハ8Aを保管し、保管容器に複数枚のウエハが保管されている。ウエハ搬送ロボット17は、ウエハストッカー16から露光処理するウエハ8Aを選定し、ウエハメカプリアライメント温調機18に運ぶ。ウエハメカプリアライメント温調機18では、ウエハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置内部温調温度に合わせ込む。ウエハ送り込みハンド19は、ウエハメカプリアライメント温調機18にてアライメントと温調されたウエハ8Aをウエハステージ8に送り込む。   The wafer stocker 16 temporarily stores the wafer 8A inside the apparatus from the outside of the apparatus, and a plurality of wafers are stored in a storage container. The wafer transfer robot 17 selects the wafer 8A to be exposed from the wafer stocker 16, and carries it to the wafer mechanical pre-alignment temperature controller 18. The wafer mechanical pre-alignment temperature controller 18 adjusts the wafer feed in the rotational direction and simultaneously adjusts the wafer temperature to the exposure apparatus internal temperature adjustment temperature. The wafer feeding hand 19 feeds the wafer 8 </ b> A aligned and temperature-controlled by the wafer mechanical pre-alignment temperature controller 18 to the wafer stage 8.

ゲートバルブ20及び21は、装置外部からレチクル及びウエハを搬入するゲート開閉機構である。ゲートバルブ22も、装置内部でウエハストッカー16及びウエハメカプリアライメント温調機18空間と露光空間を隔壁で分離し、ウエハ8Aを搬送搬出するときのみ開閉する。   The gate valves 20 and 21 are gate opening / closing mechanisms that carry in a reticle and wafer from the outside of the apparatus. The gate valve 22 is also opened and closed only when the wafer stocker 16 and the wafer mechanical pre-alignment temperature controller 18 space and the exposure space are separated by a partition in the apparatus, and the wafer 8A is transferred and carried out.

このように、隔壁で分離することによりウエハ8Aの装置外部との搬送搬出の際に、一旦大気開放される容積を最小限にして、速やかに真空平衡状態にすることを可能にしている。   As described above, the separation by the partition wall makes it possible to minimize the volume once released to the atmosphere when the wafer 8A is transferred to and from the outside of the apparatus, and to quickly achieve a vacuum equilibrium state.

輻射パネル23は、ここでは熱源であるリニアモーターに対向配置されている。入射される輻射熱を冷却部24へ反射するように輻射板の角度が調整される。冷却部24は熱源からの輻射熱をここへ集中させる。輻射率は低いものが望ましく、入射した輻射熱をほぼ吸収する。吸収した熱は25の冷媒配管によって、冷媒を介してチャンバ外へ熱交換される。冷媒配管25は、真空チャンバ内外をつないでおり、中に冷媒を流している。   Here, the radiation panel 23 is disposed opposite to a linear motor which is a heat source. The angle of the radiation plate is adjusted so that incident radiant heat is reflected to the cooling unit 24. The cooling unit 24 concentrates radiant heat from the heat source here. A thing with a low emissivity is desirable, and substantially absorbs incident radiant heat. The absorbed heat is heat-exchanged out of the chamber through the refrigerant by 25 refrigerant pipes. The refrigerant pipe 25 connects the inside and outside of the vacuum chamber and allows the refrigerant to flow therethrough.

図2には、輻射パネルの構成例が示されている。   FIG. 2 shows a configuration example of the radiation panel.

輻射パネル27は発熱体26に対向配置されている。温度計測部28は放射温度計で、発熱体26の表面温度を計測することができる。角度・温調制御部29は、温度計測部28で計測したデータをもとに、輻射熱の反射方向が冷却部29へ向かうように輻射板30の角度制御がなされる。   The radiation panel 27 is disposed to face the heating element 26. The temperature measuring unit 28 is a radiation thermometer and can measure the surface temperature of the heating element 26. Based on the data measured by the temperature measurement unit 28, the angle / temperature adjustment control unit 29 controls the angle of the radiation plate 30 so that the reflection direction of the radiant heat is directed toward the cooling unit 29.

以上の上記実施例によると、発熱体の表面温度・発熱量に応じて、輻射板表面温度を制御し、移動熱量を決定する。その後、輻射板の勾配制御を行うことによって、輻射熱の反射方向を決定することができる。また、輻射板の勾配制御下可能なことから、レチクルのように発熱体が移動する場合においても、輻射板勾配を同期制御することにより輻射熱の反射方向を一定に制御することができる。   According to the above embodiment, the radiation plate surface temperature is controlled in accordance with the surface temperature / heat generation amount of the heating element, and the amount of heat transferred is determined. Thereafter, the reflection direction of the radiant heat can be determined by controlling the gradient of the radiation plate. In addition, since the radiation plate gradient can be controlled, even when the heating element moves like a reticle, the reflection direction of the radiant heat can be controlled to be constant by synchronously controlling the radiation plate gradient.

以上の上記実施例では、露光光源においてEUVを用いた反射投影式露光装置について例示したが、本発明がこれに限定されるものではなく、例えば、X線露光装置や電子ビーム露光装置においても適応可能であり、従来のエキシマレーザ等を用いたレンズ投影式露光装置でも適応は可能である。   In the above embodiment, the reflection projection type exposure apparatus using EUV as the exposure light source has been exemplified. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to, for example, an X-ray exposure apparatus and an electron beam exposure apparatus. It can be applied to a conventional lens projection exposure apparatus using an excimer laser or the like.

実施例に示す露光装置全体図。FIG. 1 is an overall view of an exposure apparatus shown in an embodiment. 図1の温調装置の構成を示す概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which shows the structure of the temperature control apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 励起レーザー
2 光源発光部
2A 光源A
2Aa 光源ミラーAa
2Ab Xe(液化、噴霧、ガス)
2Ae ノズル
3 真空チャンバ
4 真空ポンプ
5 露光光導入部
5A ミラーA
5B ミラーB
5C ミラーC
5D ミラーD
5E ミラー鏡筒
5F ミラー支持体
6 レチクルステージ
6A 原版
7 縮小投影ミラー光学系
7A ミラーA
7B ミラーB
7C ミラーC
7D ミラーD
7E ミラーE
8 ウエハステージ
8A ウエハ
9 レチクルステージ支持体
10 露光装置本体
11 ウエハステージ支持体
12 レチクルストッカー
13 レチクルチェンジャー
14 レチクルアライメントユニット
15 レチクルアライメントスコープ
16 ウエハストッカー
17 ウエハ搬送ロボット
18 ウエハメカプリアライメント温調機
19 ウエハ送り込みハンド
20 ゲートバルブ
21 ゲートバルブ
22 ゲートバルブ
23 輻射パネル
24 冷却部
25 冷媒配管
26 発熱体
27 輻射パネル
28 温度計測部
29 輻射板
30 角度・温調制御部
31 冷却部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Excitation laser 2 Light source light emission part 2A Light source A
2Aa Light source mirror Aa
2Ab Xe (liquefaction, spray, gas)
2Ae Nozzle 3 Vacuum chamber 4 Vacuum pump 5 Exposure light introduction part 5A Mirror A
5B Mirror B
5C Mirror C
5D Mirror D
5E Mirror barrel 5F Mirror support 6 Reticle stage 6A Master 7 Reduction projection mirror optical system 7A Mirror A
7B Mirror B
7C Mirror C
7D Mirror D
7E Mirror E
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 Wafer stage 8A Wafer 9 Reticle stage support body 10 Exposure apparatus main body 11 Wafer stage support body 12 Reticle stocker 13 Reticle changer 14 Reticle alignment unit 15 Reticle alignment scope 16 Wafer stocker 17 Wafer transfer robot 18 Wafer mechanism pre-alignment temperature controller 19 Wafer Feeding hand 20 Gate valve 21 Gate valve 22 Gate valve 23 Radiation panel 24 Cooling unit 25 Refrigerant piping 26 Heating element 27 Radiation panel 28 Temperature measurement unit 29 Radiation plate 30 Angle / temperature control unit 31 Cooling unit

Claims (7)

物体の温度を調整する温調装置であって、前記物体に対向して配置され、輻射板の角度を変更可能な輻射パネルと、前記物体の表面温度を測定する計測部と、前記輻射板の表面温度を測定する計測部と、前記輻射板の角度を変更する角度制御部とを備えることを特徴とする温調装置。   A temperature adjustment device that adjusts the temperature of an object, the radiation panel being arranged opposite to the object and capable of changing the angle of the radiation plate, a measuring unit that measures the surface temperature of the object, and a radiation plate A temperature control device comprising: a measurement unit that measures a surface temperature; and an angle control unit that changes an angle of the radiation plate. 前記輻射パネルは、複数個の輻射板によって構成され、個々の角度制御が可能であることを特徴とする請求項1に記載の温調装置。   The temperature control device according to claim 1, wherein the radiation panel is configured by a plurality of radiation plates, and individual angle control is possible. 前記輻射パネルは温度調節可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の温調装置。   The temperature control device according to claim 1, wherein the temperature of the radiation panel is adjustable. レチクルのパターンを投影反射光学系を介して、感光基板上に転写する露光装置であって、請求項1〜3いずれか記載の温度制御用の輻射パネルを備えることを特徴とする露光装置。   An exposure apparatus for transferring a reticle pattern onto a photosensitive substrate via a projection reflection optical system, comprising the radiation panel for temperature control according to claim 1. 前記輻射パネルが、露光光を遮らない領域に配置されることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 4, wherein the radiation panel is disposed in a region that does not block exposure light. 前記輻射パネルが、移動する物体に対向して配置されることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 4, wherein the radiation panel is disposed to face a moving object. 露光中にレチクル又は感光基板に与えられる熱量あるいは物体の発熱量をあらかじめ予測し、予測結果に基づいて、前記輻射板の角度を変更する角度変更手段と、前記複写板の温度を制御する温度制御手段を備えることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。   An angle changing means for predicting in advance the amount of heat given to the reticle or photosensitive substrate during exposure or the amount of heat generated by the object, and changing the angle of the radiation plate based on the prediction result, and temperature control for controlling the temperature of the copying plate 5. An exposure apparatus according to claim 4, further comprising means.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311621A (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Canon Inc Vacuum device, exposure device and device manufacturing method
CN103177997A (en) * 2011-12-22 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 Reaction device for processing wafers, electrostatic chuck (ESC) and wafer temperature control method
CN103177996A (en) * 2011-12-22 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 Reaction device for processing wafers, electrostatic chuck (ESC) and wafer temperature control method
WO2016168008A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Hybrid thermal electrostatic clamp
US9685303B2 (en) 2015-05-08 2017-06-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus for heating and processing a substrate

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311621A (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Canon Inc Vacuum device, exposure device and device manufacturing method
JP4533344B2 (en) * 2006-05-19 2010-09-01 キヤノン株式会社 Vacuum apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN103177997A (en) * 2011-12-22 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 Reaction device for processing wafers, electrostatic chuck (ESC) and wafer temperature control method
CN103177996A (en) * 2011-12-22 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 Reaction device for processing wafers, electrostatic chuck (ESC) and wafer temperature control method
WO2016168008A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Hybrid thermal electrostatic clamp
US9633886B2 (en) 2015-04-16 2017-04-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Hybrid thermal electrostatic clamp
US9685303B2 (en) 2015-05-08 2017-06-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus for heating and processing a substrate

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