JP2006013074A - Apparatus and method for mounting semiconductor - Google Patents
Apparatus and method for mounting semiconductor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006013074A JP2006013074A JP2004186901A JP2004186901A JP2006013074A JP 2006013074 A JP2006013074 A JP 2006013074A JP 2004186901 A JP2004186901 A JP 2004186901A JP 2004186901 A JP2004186901 A JP 2004186901A JP 2006013074 A JP2006013074 A JP 2006013074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- metal ball
- semiconductor
- mounting
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75702—Means for aligning in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
本発明は、金属ボールバンプを介して半導体チップを基板電極に実装する技術に関連するものである。 The present invention relates to a technique for mounting a semiconductor chip on a substrate electrode via a metal ball bump.
近年、各種電子機器の小型化に伴い、半導体のベアチップを実装基板上に実装する技術として、半導体チップの電極パッド上に微小な金属ボールバンプを形成し、金属ボールバンプを介して半導体チップと基板電極とを電気的に接合する技術(いわゆる、フリップチップ実装)が利用されている。 In recent years, with the miniaturization of various electronic devices, as a technology for mounting a semiconductor bare chip on a mounting substrate, a minute metal ball bump is formed on an electrode pad of the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the substrate are interposed via the metal ball bump. A technique (so-called flip chip mounting) for electrically joining electrodes is used.
フリップチップ実装は、プロセスが複雑であることや、接合面の直接観察が不可能であることのため、特許文献1に示されるように、フリップチップ実装前の半導体チップに対し、試験用基板とプローブにより、半導体チップの電気特性評価を行う技術が提案されていた。
Since flip-chip mounting has a complicated process and it is impossible to directly observe the joint surface, as shown in
また、特許文献2に示されるように、フリップチップ実装後の半導体チップと実装基板に対し、電気特性評価を行う技術が提案されている。
しかしながら、上記特許文献1の技術では、実装前の半導体チップの電気特性を保証することしかできない。また上記特許文献2の技術では、実装後の半導体チップの最終的な電気特性を保証するのみであり、電気特性が不良であった場合には半導体チップを交換する必要があるため、多額のロスが発生することとなる。
However, the technique disclosed in
また、これらの実装技術はオープンループ制御であるために、半導体実装環境や電極パッドの表面状態の影響により、接合が完了しているにも関わらず半導体チップに接合エネルギーを加えてしまったり、接合が不十分な状態で半導体実装工程が終了してしまったりすることがある。その結果、電極パッドの剥離や接合不良が発生してしまう。 In addition, because these mounting technologies are open-loop control, bonding energy may be applied to the semiconductor chip due to the influence of the semiconductor mounting environment and the surface condition of the electrode pads, even though the bonding is completed. In some cases, the semiconductor mounting process may end in an insufficient state. As a result, peeling of the electrode pad and poor bonding occur.
それゆえに本発明は、上記問題を解決し、より高い信頼性で半導体チップを実装基板に実装する技術を提供することを目的としている。 Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems and provide a technique for mounting a semiconductor chip on a mounting substrate with higher reliability.
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。なお、括弧内の参照符号は、本発明の理解を助けるために図面との対応関係を示したものであって、本発明の範囲を何ら限定するものではない。 In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration. The reference numerals in parentheses indicate the correspondence with the drawings in order to help understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention.
本発明の半導体実装装置は、半導体チップ(2)を保持する半導体チップ保持部(111)と、実装基板(31)を保持する実装基板保持部(121)と、半導体チップに形成された金属ボールバンプ(4)が実装基板の電極パッド(32)に当接した状態で半導体チップを実装基板に押圧して接合処理を行う加圧機構(112)と、接合処理中に前記金属ボールバンプの電気特性値を測定可能な測定部(13)とにより、半導体チップの実装を行うものである。 The semiconductor mounting apparatus of the present invention includes a semiconductor chip holding part (111) for holding a semiconductor chip (2), a mounting board holding part (121) for holding a mounting board (31), and a metal ball formed on the semiconductor chip. A pressurizing mechanism (112) for performing a bonding process by pressing the semiconductor chip against the mounting board in a state where the bump (4) is in contact with the electrode pad (32) of the mounting board, and an electric power of the metal ball bump during the bonding process. The semiconductor chip is mounted by the measurement unit (13) capable of measuring the characteristic value.
また、本発明の半導体チップは、半導体チップ本来の機能を達成するための回路とは別個に、半導体チップを実装基板に実装する際の金属ボールバンプの電気抵抗値を測定するための抵抗値測定用微小回路(21)を備えたものである。 In addition, the semiconductor chip of the present invention is a resistance value measurement for measuring the electrical resistance value of the metal ball bump when the semiconductor chip is mounted on the mounting substrate, separately from the circuit for achieving the original function of the semiconductor chip. The microcircuit (21) is provided.
また、本発明の半導体実装方法は、上記半導体チップに設けられた抵抗値測定用微小回路に少なくとも3つの金属ボールバンプ(4a、4b、4c)を形成する工程と、少なくとも1つの前記金属ボールバンプの電気抵抗値を測定しながら前記半導体チップを実装基板に押圧する工程(S15、S16)と、測定された前記金属ボールバンプの電気抵抗値に応じて前記押圧工程に係るパラメータをリアルタイムで制御する工程(S17)とにより、半導体チップの実装を行うものである。 Further, the semiconductor mounting method of the present invention includes a step of forming at least three metal ball bumps (4a, 4b, 4c) on a resistance measurement microcircuit provided on the semiconductor chip, and at least one of the metal ball bumps. The process of pressing the semiconductor chip against the mounting substrate while measuring the electrical resistance value (S15, S16), and controlling the parameters related to the pressing process in real time according to the measured electrical resistance value of the metal ball bump The semiconductor chip is mounted by the step (S17).
以上のように、本発明によれば、実装中の接合部の電気特性(金属ボールバンプと実装基板の電極パッドとの接合状態に関連した電気特性であって、例えば金属ボールバンプの電気抵抗値)をリアルタイムで測定することが可能となる。また、取得された電気特性値に基づいて接合状態を制御することにより、金属ボールバンプと実装基板の電極パッドとの安定した接合を得ることができる。 As described above, according to the present invention, the electrical characteristics of the joint during mounting (the electrical characteristics related to the joint state between the metal ball bump and the electrode pad of the mounting board, for example, the electrical resistance value of the metal ball bump ) Can be measured in real time. Further, by controlling the bonding state based on the acquired electrical characteristic value, it is possible to obtain a stable bonding between the metal ball bump and the electrode pad of the mounting substrate.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明の実施の形態1に係る半導体実装装置1の構成を示す図である。半導体実装装置1は、半導体チップ2を保持・実装するヘッド部11と、半導体チップ2を実装する実装基板31が載置されるステージ部12と、実装時の半導体チップ2と実装基板31間の接合部の電気特性を測定する電気特性測定部13と、半導体実装装置1の動作を司る制御部14とを備える。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a
ヘッド部11は、半導体チップ2を保持する実装ツール111と、半導体チップ2を加圧する加圧機構112と、半導体チップ2を所定の実装位置に移動する移動機構113とで構成される。
The
ステージ部12は、半導体チップ2が載置されこの半導体チップ2を吸引吸着するステージ121と、ステージ121を水平面内で移動する移動機構122とで構成される。
The
電気特性測定部13は、電気特性を測定するための測定器131と、実装基板31の電極パッド32に直接接触させるためのプローブ132とで構成される。
The electrical
制御部14は、演算処理を行う回路および各種駆動回路を有し、ヘッド部11、ステージ部12、および電気特性測定部13を制御する。図1では、制御部14の構成要素として、電気特性測定部13からの測定値を処理する処理部141、加圧機構112の力制御を行う加圧制御部142、および後述する閾値Rth等の判定用データを保持するメモリ143のみを図示している。
The
半導体チップ2上には金属ボールバンプ4が形成され、この金属ボールバンプ4と実装基板31の電極パッド32とを接合することによって、半導体チップ2が実装基板31に実装される。
図2、図3に半導体チップ2の一部および実装基板31の一部を利用した測定回路の一例とその等価回路を示す。半導体チップ2には、半導体チップ2本来の機能を達成するための回路とは別個に、半導体チップ2を実装基板31に実装する際の金属ボールバンプ4の電気抵抗値を測定するための抵抗値測定用微小回路21が特別に設けられている。従来、評価用の半導体チップにはこのような抵抗値測定用微小回路21が設けられる例はあったが、本発明は、抵抗値測定用微小回路21を評価用ではなく生産用の半導体チップ2に設けることを特徴としている。なお、抵抗値測定用微小回路21は半導体チップ2の本来の機能を達成するための回路とは別個に設けられる回路であるため、半導体チップ2の本来の機能を達成するという意味においては本来不要な回路である。しかしながら、本発明によれば後述のように半導体チップの実装処理の信頼性が増し、その結果として歩留まりが向上するため、抵抗値測定用微小回路21を生産用の半導体チップ2に組み込む意義がある。
2 and 3 show an example of a measurement circuit using a part of the
本実施の形態では、抵抗値測定用微小回路21に少なくとも3個の金属ボールバンプ4a、4b、4cが形成され、これらの金属ボールバンプ4a、4b、4cを利用して、加圧工程中に4端子測定法により金属ボールバンプ4aの電気抵抗値の変化がモニタされる。4端子測定法によれば、金属ボールバンプ4aの電気抵抗値を数ミリΩオーダーで測定可能である。具体的には、直流電源131bによって金属ボールバンプ4aと金属ボールバンプ4b間に約1〜5[A]の直流電流を流し、その際に電圧計131aによって金属ボールバンプ4bと金属ボールバンプ4c間の電圧を測定することにより、金属ボールバンプ4bの電気抵抗値を測定することが可能である。
In the present embodiment, at least three
次に、図4のフローチャートを参照して半導体実装装置1の動作を説明する。
Next, the operation of the
ステップS11において、半導体チップ2が実装ツール111に吸着保持され、実装基板31がステージ121上に載置され吸着保持される。ステップS12において、移動機構113、122によって半導体チップ2と実装基板31が実装所定位置に移動され、位置合わせが行われる。ステップS13において、プローブ132が実装基板31の電極パッド32に接触し、測定器131によって実装基板31の配線33の電気特性値を測定する。ここで電気特性値とは、インピーダンス値や静電容量等の物理量を表す。制御部14は、この測定結果に基づいて、基板電極ショート等の異常の有無を判定する。
In step S11, the
ステップS13の測定の結果、異常が検出された場合には、後述のステップS20へ進む。 If an abnormality is detected as a result of the measurement in step S13, the process proceeds to step S20 described later.
ステップS13の測定の結果、電極パッド32および配線33に異常が存在しないことが確認されると、ステップS14において、加圧制御部142は、加圧機構112を制御して半導体チップ2を実装基板31に向かって下降させて半導体チップ2上の金属ボールバンプ4を実装基板31に当接させ、さらに加圧機構112によって半導体チップ2が実装基板31に向けて押圧される。
As a result of the measurement in step S13, when it is confirmed that there is no abnormality in the
半導体チップ2に対する押圧が継続的に行われている間(すなわち押圧工程の間)、ステップS16において、電気特性測定部13により半導体チップ2内の抵抗値測定用微小回路21を利用して金属ボールバンプ4aの電気抵抗値が測定される。この測定結果に基づいて、ステップS17において処理部141により接合完了かどうかの判断がなされる。具体的には、処理部141は、電気特性測定部13によって測定された電気抵抗値とメモリ143に記憶されている閾値Rthとを比較し、測定結果が閾値Rthを下回ったときに接合が完了したと判断する。この閾値Rthについて以下に説明する。
While the pressing to the
図5は、金属ボールバンプ4(ここではスタッドバンプ)を介して半導体チップ2を実装基板31に一定圧力で押圧し続けた場合の金属ボールバンプ4の電気抵抗値の遷移を示している。この図から、金属ボールバンプ4が電極パッド32に接触する時間T1以降しばらくの間は、金属ボールバンプ4の電気抵抗値は徐々に低下していき、その後ほぼ一定値となる。その後、余分なエネルギーにより金属ボールバンプ4の電気抵抗値は上昇し、場合によってはオープンとなる。なお、正常な接合時には金属ボールバンプ4の電気抵抗値が一定値(図5のRth)以下であることが確認されている。すなわち、金属ボールバンプ4の電気抵抗値を計測することにより、非破壊にて接合強度を判定することが可能である。
FIG. 5 shows the transition of the electric resistance value of the
ところで、半導体チップと実装基板の接合強度は、一般に、治具を用いて半導体チップに接合面に平行な力を加えたことによって半導体チップが実装基板から外れる際の力の大きさ(いわゆるシェア強度)にて評価されるが、シェア強度がせん断力に対する強度であるのに対し、金属ボールバンプ4の電気抵抗値は縦歪み方向に対する強度を正確に反映していると考えられる。したがって金属ボールバンプ4の電気抵抗値はシェア強度よりも適切な接合強度の評価値として用いることができる。
By the way, the bonding strength between the semiconductor chip and the mounting substrate is generally the magnitude of the force when the semiconductor chip is detached from the mounting substrate by applying a force parallel to the bonding surface to the semiconductor chip using a jig (so-called shear strength). The shear strength is the strength against the shearing force, whereas the electric resistance value of the
なおステップS17において接合が未完了と判断された場合、ステップS20において処理部141は異常が有るかどうかを判断する。例えば押圧処理を開始してからある一定時間が経過したにも関わらず金属ボールバンプ4の電気抵抗値が閾値Rthを下回らない場合に、電極パッド32の剥離または半導体チップ2のクラック等の異常が有ると判断し、ステップS21へ進む。ステップS21において、処理部141は異常の発生をログに記録するなどの適宜の異常処理を行った後、異常通知信号を加圧制御部142に送信し、この信号を受けた加圧制御部142はステップS18において、加圧機構112による半導体チップ2の押圧を停止する。
When it is determined in step S17 that the joining has not been completed, in step S20, the
ステップS20において異常無しと判断された場合は、押圧処理および電気抵抗値測定処理が続行される。 If it is determined in step S20 that there is no abnormality, the pressing process and the electrical resistance value measuring process are continued.
ステップS17において接合が完了したと判断すると、処理部141は接合完了通知信号を加圧制御部142に送信し、この信号を受けた加圧制御部142はステップS18において、加圧機構112による半導体チップ2の押圧を停止する。その後、ステップS19において、実装ツール111が上昇し、半導体チップ2付きの実装基板31がアンロードされ、半導体チップの実装処理が完了する。
When it is determined in step S17 that the joining is completed, the
以上に説明したように、本実施の形態の半導体実装装置1では、半導体チップ2を実装基板31に接合する押圧工程の最中に、半導体チップ2に設けられた抵抗値測定用微小回路21に接して形成された金属ボールバンプ4(特に金属ボールバンプ4a)の電気特性値を測定し、この測定結果に基づいて接合が完了したか否かが確認される。これにより、接合が不十分であるにも関わらず接合動作が終了してしまうことが防止され、安定した接合強度が得られる。また、接合が十分であるにも関わらず過剰に接合動作が行われることも防止されるため、電極パッドの損傷も抑制することができる。
As described above, in the
なお、本実施の形態では、金属ボールバンプ4の電気特性値に応じて押圧工程の完了タイミングを制御するとしたが、本発明はこれに限らない。すなわち、押圧工程の完了タイミングのみならず、押圧工程に係る任意のパラメータを金属ボールバンプ4の電気抵抗値に応じてリアルタイムに制御することができる。制御対象パラメータの一例として、押圧工程における加圧力が挙げられる。金属ボールバンプ4の電気抵抗値に応じた加圧力の制御例を図6に示す。図6は、金属ボールバンプ4の電気抵抗値が大きい間は加圧力も大きくし、金属ボールバンプ4の電気抵抗値の低下に応じて加圧力を下げる例を示したものである。この場合、図6のような電気抵抗値と加圧力との関係を示すデータを判定用データとして予めメモリ143に記憶しておき、この判定用データに基づいて処理部141は加圧制御部142に加圧力に応じた制御信号を送信すればよい。もちろん、図6の制御例は単なる一例に過ぎず、実際の実装条件に応じた適切な制御を採用すべきである。
In the present embodiment, the completion timing of the pressing process is controlled in accordance with the electrical characteristic value of the
ところで近年では半導体チップを実装基板に実装する際の押圧工程において金属ボールバンプに超音波振動を与える例が増えている。この場合、上記制御対象パラメータの他の例として超音波パワーを金属ボールバンプの電気抵抗値に応じてリアルタイムに制御することも考えられる。この場合の半導体実装装置1の構成例を図7に示す。図7の構成が図1と異なる点は、半導体実装装置1が、超音波振動発生器114およびこの超音波振動発生器114を制御する超音波制御部144を備える点である。超音波振動発生器114によって金属ボールバンプ4に超音波振動が与えられるが、金属ボールバンプ4の接合状態は、超音波振動を与える時間や超音波パワーに依存する。図7の構成によれば、超音波振動を与える時間や超音波パワーを金属ボールバンプ4の電気抵抗値に応じてリアルタイムに制御することができる。金属ボールバンプ4の電気抵抗値に応じた超音波パワーの制御例を図8に示す。図8は、金属ボールバンプ4の電気抵抗値が大きい間は超音波パワーも大きくし、金属ボールバンプ4の電気抵抗値の低下に応じて超音波パワーを下げる例を示したものである。もちろん、図8の制御例は単なる一例に過ぎず、実際の実装条件に応じた適切な制御を採用すべきである。
By the way, in recent years, an example in which ultrasonic vibration is applied to metal ball bumps in a pressing process when a semiconductor chip is mounted on a mounting substrate is increasing. In this case, as another example of the parameter to be controlled, it is conceivable to control the ultrasonic power in real time according to the electric resistance value of the metal ball bump. A configuration example of the
なお、図7の半導体実装装置1に図1の加圧制御部142を加えることにより、加圧力および超音波パワーの双方を金属ボールバンプ4の電気抵抗値に応じて同時かつ個別に制御することも可能である。
7 is added to the
また、本実施の形態では、押圧工程の終了タイミング、加圧力および超音波パワーの少なくともいずれか一つを金属ボールバンプ4の電気抵抗値のみに応じて制御する例を説明したが、金属ボールバンプ4の電気抵抗値だけでなく他の条件も考慮して押圧工程の終了タイミング等を制御するようにしてもよい。例えば、金属ボールバンプ4の電気抵抗値が閾値Rthより小さく、かつ加圧機構112による半導体チップ2の押し込み量(下降量)が所定値を超えた場合に接合を完了するように制御してもよい。
In the present embodiment, an example in which at least one of the end timing of the pressing step, the applied pressure, and the ultrasonic power is controlled according to only the electric resistance value of the
また、図2では半導体チップ2に抵抗値測定用微小回路21を一つだけ設けた例を示しているが、1つの半導体チップ2に複数の抵抗値測定用微小回路21を設けても構わない。特に、半導体チップ2が実装基板31に対して正確に平行に実装されない可能性がある場合には、半導体チップ2のある隅に形成された金属ボールバンプの接合状態が良好であっても別の隅に形成された金属ボールバンプの接合状態が良好であるとは限らない。そこで、例えば図9のように半導体チップ2の4隅に抵抗値測定用微小回路21a〜21dを設けておき、各抵抗値測定用微小回路に形成した金属ボールバンプの電気抵抗値を押圧工程においてモニタし、これらの全ての金属ボールバンプの電気抵抗値が閾値Rthを超えた時点で接合を完了するようにすれば、半導体チップ2に形成された全ての金属ボールバンプの接合状態が良好であることが保証されるので、好ましい。もちろん、1つの半導体チップ2に5つ以上の抵抗値測定用微小回路を設けてもよい。
2 shows an example in which only one
本発明の半導体実装装置、半導体実装方法は、半導体チップと実装基板との接続状態を示す電気と癖位置を取得し、接合を制御することにより、半導体チップと実装基板との安定した接合を得ることが可能となり、半導体チップを金属ボールバンプを介して基板に実装する技術に適用できる。 A semiconductor mounting apparatus and a semiconductor mounting method according to the present invention obtains a stable bonding between a semiconductor chip and a mounting substrate by acquiring the electrical and saddle positions indicating the connection state between the semiconductor chip and the mounting substrate and controlling the bonding. Therefore, the present invention can be applied to a technique for mounting a semiconductor chip on a substrate via metal ball bumps.
1 半導体実装装置
11 ヘッド部
111 実装ツール
112 加圧機構
113 移動機構
114 超音波振動発生器
12 ステージ部
121 ステージ
122 移動機構
13 電気特性測定部
131 測定器
131a 電圧計
131b 直流電源
132 プローブ
14 制御部
141 処理部
142 加圧制御部
143 メモリ
144 超音波制御部
2 半導体チップ
21、21a、21b、21c、21d 抵抗値測定用微小回路
31 実装基板
32 電極パッド
4、4a、4b、4c 金属ボールバンプ
DESCRIPTION OF
Claims (11)
半導体チップを保持する半導体チップ保持部と、
実装基板を保持する実装基板保持部と、
半導体チップに形成された金属ボールバンプが実装基板の電極パッドに当接した状態で半導体チップを実装基板に押圧して接合処理を行う加圧機構と、
接合処理中に前記金属ボールバンプの電気特性値を測定可能な測定部とを備えることを特徴とする半導体実装装置。 A semiconductor mounting apparatus for joining a semiconductor chip and a mounting substrate via metal ball bumps formed on the semiconductor chip,
A semiconductor chip holding unit for holding the semiconductor chip;
A mounting board holding unit for holding the mounting board;
A pressurizing mechanism for performing a bonding process by pressing the semiconductor chip against the mounting substrate in a state where the metal ball bump formed on the semiconductor chip is in contact with the electrode pad of the mounting substrate;
A semiconductor mounting apparatus comprising: a measurement unit capable of measuring an electrical characteristic value of the metal ball bump during the bonding process.
前記半導体チップに設けられた抵抗値測定用微小回路に少なくとも3つの金属ボールバンプを形成する工程と、
少なくとも1つの前記金属ボールバンプの電気抵抗値を測定しながら前記半導体チップを実装基板に押圧する工程と、
測定された前記金属ボールバンプの電気抵抗値に応じて前記押圧工程に係るパラメータをリアルタイムで制御する工程とを含む、半導体実装方法。 A semiconductor mounting method using the semiconductor chip according to claim 6,
Forming at least three metal ball bumps on a resistance measurement microcircuit provided on the semiconductor chip;
Pressing the semiconductor chip against the mounting substrate while measuring the electrical resistance value of at least one of the metal ball bumps;
And a step of controlling a parameter related to the pressing step in real time according to the measured electric resistance value of the metal ball bump.
前記押圧工程に係るパラメータが、前記超音波工程における超音波パワーであることを特徴とする、請求項8に記載の半導体実装方法。 The semiconductor mounting method further includes a step of applying ultrasonic vibration to the metal ball bump in parallel with the pressing step,
The semiconductor mounting method according to claim 8, wherein the parameter related to the pressing step is an ultrasonic power in the ultrasonic step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004186901A JP4471746B2 (en) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | Semiconductor mounting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004186901A JP4471746B2 (en) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | Semiconductor mounting method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006013074A true JP2006013074A (en) | 2006-01-12 |
JP4471746B2 JP4471746B2 (en) | 2010-06-02 |
Family
ID=35779952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004186901A Expired - Lifetime JP4471746B2 (en) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | Semiconductor mounting method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4471746B2 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186325A (en) * | 2004-12-02 | 2006-07-13 | Seiko Instruments Inc | Ultrasonic vibration bonding device |
JP2008135544A (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Nippon Avionics Co Ltd | Method and device for evaluating joining property/connectability of metallic surface |
JP2008251828A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Optrex Corp | Connection method of integrated circuit to substrate |
US8156804B2 (en) | 2006-10-18 | 2012-04-17 | Denso Corporation | Capacitive semiconductor sensor |
WO2022176341A1 (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Device, device manufacturing apparatus, and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-06-24 JP JP2004186901A patent/JP4471746B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186325A (en) * | 2004-12-02 | 2006-07-13 | Seiko Instruments Inc | Ultrasonic vibration bonding device |
US8156804B2 (en) | 2006-10-18 | 2012-04-17 | Denso Corporation | Capacitive semiconductor sensor |
JP2008135544A (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Nippon Avionics Co Ltd | Method and device for evaluating joining property/connectability of metallic surface |
JP2008251828A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Optrex Corp | Connection method of integrated circuit to substrate |
WO2022176341A1 (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Device, device manufacturing apparatus, and device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4471746B2 (en) | 2010-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5310841B2 (en) | Bonding quality inspection apparatus and bonding quality inspection method | |
US9457421B2 (en) | Wire-bonding apparatus and method of wire bonding | |
CN109844914B (en) | Wire bonding method and wire bonding device | |
JP2007132948A (en) | Probe card, semiconductor testing system, and probe contact method | |
JP2003007778A (en) | Semiconductor device and method and device for mounting the same | |
KR20170066756A (en) | Socket pin and Semiconductor package test system | |
US20020061668A1 (en) | Probe card and method of fabricating same | |
JP2005257568A (en) | Electrical test method of printed wiring board for mounting electronic component, electrical inspection device, and computer-readable recording medium | |
JPH06331678A (en) | Method and equipment for checking lead connection of electronic part | |
JP4471746B2 (en) | Semiconductor mounting method | |
US20090058447A1 (en) | Fault analyzer | |
JP2009270835A (en) | Inspection method and device for semiconductor component | |
TWI416112B (en) | Substrate inspection method and substrate inspection device | |
JP4382718B2 (en) | Inspection method, inspection system, and control device for package having solder balls | |
JP3599003B2 (en) | Bonding damage measurement method | |
JP3573113B2 (en) | Bonding damage measuring device and measuring method | |
JP2003066097A (en) | Testing device for semiconductor device | |
TWI847614B (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and inspection method | |
WO2022249262A1 (en) | Wire bonding system, inspection device, wire bonding method, and program | |
JP2004342676A (en) | Method and device for inspecting semiconductor wafer | |
JP3573112B2 (en) | Bonding damage measurement board | |
JP2006023229A (en) | Probe card quality evaluation method, its apparatus, and probe inspection method | |
JP2003084040A (en) | Manufacturing method for semiconductor inspecting device and semiconductor inspecting device | |
JP2005241426A (en) | Electronic component inspection device | |
JP4924480B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20080922 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090303 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100302 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |