JP2006007619A - Laser machining method and device - Google Patents
Laser machining method and device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006007619A JP2006007619A JP2004188870A JP2004188870A JP2006007619A JP 2006007619 A JP2006007619 A JP 2006007619A JP 2004188870 A JP2004188870 A JP 2004188870A JP 2004188870 A JP2004188870 A JP 2004188870A JP 2006007619 A JP2006007619 A JP 2006007619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- condensing point
- workpiece
- point
- condensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
Abstract
Description
本発明はレーザ光の集光点での多光子吸収を用いてガラス板などを割断する或いはガラス板などにマーキングする加工方法及び加工装置に関する。 The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for cleaving or marking a glass plate or the like using multiphoton absorption at a condensing point of laser light.
これまで、半導体などの基板の内部にレーザ光の集光点を合わせ、集光点を割断予定ラインに沿って移動させ基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成して割断する加工方法が知られていた(例えば、特許文献1参照)。 Up to now, a processing method for aligning a laser beam condensing point inside a substrate such as a semiconductor and moving the condensing point along a planned cutting line to form a modified region by multiphoton absorption inside the substrate and cleaving it. (For example, see Patent Document 1).
しかしながら、この従来の割断加工方法では、硬くて脆い難加工性材料を歩留まり良く割断することが難しかった。 However, with this conventional cleaving method, it is difficult to cleave a hard and brittle difficult-to-work material with a high yield.
一方、多光子吸収という非線形現象を起こさせるためには、集光点でのパワー密度が高くなければならず、レーザ光はパルス幅(持続時間)がフェムト秒〜ピコ秒オーダの超短光パルスでなければならない。しかしながら、これまでの超短光パルスを発生するレーザは、チタンサファイア結晶を用いた再生増幅器をもつレーザであり、レーザ光波長が800nm帯で、繰返し周波数が1kHz程度であったため、シリコンなどでは吸収があり、表面が加工されるといった問題や加工速度が遅いといった問題があった。 On the other hand, in order to cause the nonlinear phenomenon of multiphoton absorption, the power density at the focal point must be high, and the laser light has an ultrashort optical pulse with a pulse width (duration) on the order of femtoseconds to picoseconds. Must. However, conventional lasers that generate ultrashort light pulses are lasers having a regenerative amplifier using a titanium sapphire crystal, the laser light wavelength is in the 800 nm band, and the repetition frequency is about 1 kHz. There is a problem that the surface is processed and the processing speed is slow.
加工対象物の内部にレーザでマーキングする方法としては、複数の透明層からなる液晶パネルの内部の吸収層にレーザ光を吸収させてマーキングする加工方法が知られていた(例えば、特許文献2参照)。 As a method of marking the inside of an object to be processed with a laser, there has been known a processing method in which an absorption layer inside a liquid crystal panel composed of a plurality of transparent layers is absorbed and marked (for example, see Patent Document 2). ).
しかしながら、この従来のマーキング加工方法では、レーザ光の吸収という線形現象を使用しているためレーザ光に透明な加工対象物の内部にマーキングすることができなかった。
上記のように、これまでのレーザ割断加工方法では、硬くて脆い難加工性材料を歩留まり良く割断することが難しかった。また、シリコンなどでは表面が加工されるといった問題や加工速度が遅いといった問題があった。 As described above, in the conventional laser cleaving method, it is difficult to cleave a hard and brittle difficult-to-work material with a high yield. In addition, silicon and the like have a problem that the surface is processed and a processing speed is slow.
これまでのレーザマーキング加工方法では、レーザ光に透明な加工対象物の内部にマーキングすることができなかった。 In the conventional laser marking processing method, it was not possible to mark the inside of the processing object transparent to the laser beam.
そこで、本発明が解決しようとする課題は、難加工性材料を歩留まり良く割断できるようにすること、表面が加工されないようにすること、及び加工速度を上げることである。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to make it possible to cleave difficult-to-work materials with a high yield, to prevent the surface from being processed, and to increase the processing speed.
また、本発明が解決しようとする別の課題は、透明な加工対象物の内部にマーキングすることを可能にすることである。 Another problem to be solved by the present invention is to enable marking inside a transparent workpiece.
課題を解決するためになされた請求項1に係る発明は、レーザ加工方法であって、A、B二つの背向する面をもつ平板状の加工対象物のA面からレーザ発生器からのレーザ光を集光入射させて該加工対象物の内部の厚み方向所定位置に集光点を設定する集光点設定ステップと、該集光点設定ステップで設定された該集光点を該A面に平行に移動させて集光点移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成ステップと、を有し、前記集光点設定ステップの前記厚み方向所定位置を前記A面と反対の前記B面に近い位置から該A面方向に順次設定して前記各ステップを繰り返し、前記加工対象物の内部の厚み方向に前記改質領域を形成して該加工対象物を割断することを特徴としている。
The invention according to
レーザ光の入射するA面と反対のB面に近い位置からA面に平行に改質領域を順次形成するので、形成された改質領域でレーザ光が吸収或いは散乱されることがなく、厚み方向に改質領域を有効に形成することができる。また、厚み方向に複数の改質領域が形成されるので、僅かのストレスを与えるだけで劈開しない難加工性材料を結晶方位に関係なく割断することができる。 Since the modified region is sequentially formed in parallel to the A surface from a position close to the B surface opposite to the A surface on which the laser beam is incident, the laser beam is not absorbed or scattered in the formed modified region, and the thickness is increased. The modified region can be effectively formed in the direction. In addition, since a plurality of modified regions are formed in the thickness direction, a difficult-to-work material that is not cleaved only by applying a slight stress can be cleaved regardless of the crystal orientation.
また、請求項2に係る発明は、レーザ加工方法であって、レーザ発生器からのレーザ光を加工対象物の内部に所定方向から集光入射させることで集光点に多光子吸収による改質領域を形成して該加工対象物を割断するレーザ加工方法において、該加工対象物がA、B二つの背向する面をもつ平板状をしており、該加工対象物のA面に該所定方向から該レーザ光を集光入射させて該加工対象物の内部に該集光点を設定し、該集光点を該レーザ光の入射面内で該加工対象物の該二つのA、B面間をジグザグ移動させてジグザグ状の改質領域を形成し該加工対象物を割断することを特徴としている。
The invention according to
A、B面間に改質領域がジグザグ状に形成されるので、僅かのストレスを与えるだけで難加工性材料を歩留まり良く割断することができる。 Since the modified region is formed in a zigzag shape between the A and B surfaces, the difficult-to-work material can be cleaved with a high yield by applying a slight stress.
また、請求項3に係る発明は、請求項2に記載するレーザ加工方法であって、前記ジグザグ移動はその移動の方向が前記所定の方向と一致する場合は前記B面からA面に向けて行われることを特徴としている。
The invention according to
ジグザグ移動がその移動の方向がレーザ光をA面に集光入射させる所定の方向と一致する場合は前記B面からA面に向けて行われるので、形成された改質領域でレーザ光が吸収或いは散乱されることがなく、効率良く改質領域をジグザグ状に形成することができる。 The zigzag movement is performed from the B surface toward the A surface when the direction of the movement coincides with a predetermined direction in which the laser light is focused and incident on the A surface, so that the laser light is absorbed by the formed modified region. Alternatively, the modified region can be efficiently formed in a zigzag shape without being scattered.
また、請求項4に係る発明は、請求項1ないし3に記載するレーザ加工方法であって、前記加工対象物がガラス、サファイア、水晶、シリコンのうちいずれかであることを特徴としている。
The invention according to
また、請求項5に係る発明は、請求項1ないし4に記載するレーザ加工方法であって、前記レーザ発生器は波長が1〜2μm、パルス幅が10fs〜20ps、繰り返し周波数が100kHz〜10MHz、のパルスレーザを発生することを特徴としている。
The invention according to claim 5 is the laser processing method according to
波長が1〜2μm、パルス幅が10fs〜20psのレーザ光は、例えば、上記ガラス、サファイア、水晶、シリコン等の加工対象物の集光点のみで確実に多光子吸収され、確実に内部クラックなどのない改質領域が形成される。さらに、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzであるので、集光点移動を高速化でき加工速度を高めることができる。 A laser beam having a wavelength of 1 to 2 μm and a pulse width of 10 fs to 20 ps is reliably multiphoton absorbed only at a condensing point of an object to be processed such as glass, sapphire, crystal, silicon, etc. A reformed region without any defects is formed. Furthermore, since the repetition frequency is 100 kHz to 10 MHz, it is possible to speed up the focal point movement and increase the processing speed.
課題を解決するためになされた請求項6に係る発明は、レーザ加工方法であって、少なくとも一つの平面をもち、ガラス、サファイア、水晶、シリコンのうちいずれかである加工対象物の該平面からレーザ発生器からのパルス幅が10fs〜20ps、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzのレーザ光を集光入射させて該加工対象物の内部の所定の位置に集光点を設定する集光点設定ステップと、該集光点設定ステップで設定された集光点を該平面に平行に移動させ集光点移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成ステップと、を有し、前記レーザ発生器は少なくともErまたはYbをドープしたファイバレーザ発振器とファイバ増幅を備えており、該加工対象物の内部にマーキングすることを特徴としている。
The invention according to
レーザ光の多光子吸収という非線形現象を使用しているためレーザ光に透明な加工対象物の内部にマーキングすることができる。 Since a non-linear phenomenon called multiphoton absorption of laser light is used, it is possible to mark the inside of a workpiece transparent to the laser light.
課題を解決するためになされた請求項7に係る発明は、レーザ発生器と、該レーザ発生器からのレーザ光をA、B二つの背向する面をもつ平板状の加工対象物のA面から集光入射させて該加工対象物の内部の厚み方向所定位置に集光点を設定する集光点設定手段と、該集光点設定手段で設定された集光点を該A面に平行に移動させる集光点移動手段と、を有し、該集光点移動手段による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記集光点設定手段で前記厚み方向所定位置を前記A面と反対の前記B面に近い位置から該A面方向に順次設定して前記改質領域を順次形成して該加工対象物を割断することを特徴としている。
The invention according to
また、請求項8に係る発明は、レーザ発生器と、該レーザ発生器からのレーザ光をA、B二つの背向する面をもつ平板状の加工対象物のA面に垂直(Z軸)方向から集光入射させて該加工対象物の内部の該Z軸方向所定位置に集光点を設定する集光点設定手段と、該集光点設定手段で設定された集光点を該Z軸と直交する方向に移動させる集光点移動手段と、を有し、該集光点移動手段による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成して該加工対象物を割断するレーザ加工装置であって、該集光点設定手段と該集光点移動手段で該集光点を該レーザ光の入射面内で該加工対象物の該二つのA、B面間をジグザグ移動させることを特徴としている。 In the invention according to claim 8, the laser generator and the laser beam from the laser generator are perpendicular to the A-plane (Z-axis) of a flat plate-like workpiece having two back surfaces A and B. A condensing point setting means for setting a condensing point at a predetermined position in the Z-axis direction inside the processing object by condensing incident from the direction, and the condensing point set by the condensing point setting means A condensing point moving means for moving in a direction perpendicular to the axis, and forming a modified region by multiphoton absorption of the laser light on a moving locus of the condensing point by the condensing point moving means, A laser processing apparatus for cleaving a workpiece, wherein the two focusing points A and B of the workpiece in the laser light incident surface are formed by the focal point setting means and the focal point moving means. It is characterized by zigzag movement between B surfaces.
また、請求項9に係る発明は、請求項8に記載するレーザ加工装置であって、前記ジグザグ移動はその移動の方向が前記Z軸方向と一致する場合は前記B面からA面に向けて行われることを特徴としている。
The invention according to
また、請求項10に係る発明は、請求項7ないし9に記載するレーザ加工装置であって、前記加工対象物がガラス、サファイア、水晶、シリコンのうちいずれかであることを特徴としている。
The invention according to
また、請求項11に係る発明は、請求項7ないし10に記載するレーザ加工装置であって、前記レーザ発生器はパルス幅が10fs〜20ps、繰り返し周波数が100kHz〜10MHz、のパルスレーザを発生することを特徴としている。
The invention according to
また、請求項12に係る発明は、請求項11に記載するレーザ加工装置であって、前記レーザ発生器は、前記パルスレーザを発振出力するファイバレーザ発振器と該ファイバレーザ発振器からの出力を増幅するファイバ増幅器とを有し、前記ファイバレーザ発振器及び前記ファイバ増幅器は、少なくともEr又はYbがドープされていることを特徴としている。
The invention according to
課題を解決するためになされた請求項13に係る発明は、レーザ加工装置であって、少なくともErまたはYbをドープしたファイバレーザ発振器とファイバ増幅器を備え、パルス幅が10fs〜20ps、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzのレーザ光を発生するレーザ発生器と、該レーザ発生器からの該レーザ光を、少なくとも一つの平面をもち、ガラス、サファイア、水晶、シリコンのうちいずれかである加工対象物の該平面から集光入射させて該加工対象物の内部の所定の位置に集光点を設定する集光点設定手段と、該集光点設定手段で設定された集光点を該平面に平行に移動させる集光点移動手段と、を有し、該集光点移動手段による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成して該加工対象物の内部にマーキングすることを特徴としている。
The invention according to
レーザ光の入射するA面と反対のB面に近い位置からA面に平行に改質領域を順次形成するので、形成された改質領域でレーザ光が吸収或いは散乱されることがなく厚み方向に改質領域を有効に形成することができる。また、厚み方向に複数の改質領域が形成されるので、僅かのストレスを与えるだけで難加工性材料を歩留まり良く割断することができる。 Since the modified regions are sequentially formed in parallel to the A surface from a position close to the B surface opposite to the A surface on which the laser light is incident, the thickness direction is such that the laser light is not absorbed or scattered in the formed modified region. Thus, the modified region can be formed effectively. In addition, since a plurality of modified regions are formed in the thickness direction, it is possible to cleave difficult-to-work materials with a high yield by applying a slight stress.
A、B面間に改質領域がジグザグ状に形成されるので、僅かのストレスを与えるだけで劈開しない難加工性材料を歩留まり良く割断することができる。 Since the modified region is formed in a zigzag shape between the A and B surfaces, a difficult-to-work material that is not cleaved only by applying a slight stress can be cleaved with a high yield.
波長が1〜2μm、パルス幅が10fs〜20psのレーザ光は、例えば、ガラス、サファイア、水晶、シリコン等の加工対象物の集光点のみで確実に多光子吸収され、確実に内部クラックなどのない改質領域が形成される。さらに、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzであるので、集光点移動を高速化でき加工速度を高めることができる。 Laser light having a wavelength of 1 to 2 μm and a pulse width of 10 fs to 20 ps is surely absorbed by multiple photons only at a condensing point of an object to be processed such as glass, sapphire, crystal, silicon, etc. No modified region is formed. Furthermore, since the repetition frequency is 100 kHz to 10 MHz, it is possible to speed up the focal point movement and increase the processing speed.
パルス幅が10fs〜20psのレーザ光は、上記加工対象物の集光点のみで多光子吸収されるのでレーザ光に透明な加工対象物の内部にマーキングすることができる。 Since the laser beam having a pulse width of 10 fs to 20 ps is absorbed by multiphotons only at the condensing point of the processing object, it can be marked inside the processing object transparent to the laser beam.
本発明を実施するための最良の形態を図面を参照して説明する。図1は本発明のレーザ加工装置の概略構成図であり、図2〜5は集光点設定を説明するための図1の要部拡大図、図6〜7は改質領域形成後の加工対象物の断面図、図8は改質領域形成後の加工対象物の斜視図である。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus according to the present invention, FIGS. 2 to 5 are enlarged views of essential parts of FIG. 1 for explaining focusing point setting, and FIGS. 6 to 7 are processes after forming a modified region. FIG. 8 is a perspective view of the object to be processed after forming the modified region.
レーザ加工装置は、レーザ光Lを発生するレーザ発生器1と、レーザ光Lを集光点pに集光する集光レンズ2と、集光レンズ2で集光されたレーザ光LがZ軸方向から入射される加工対象物3が載置される載置台7と、載置台7をX軸方向に移動させるためのX軸ステージ41と、載置台7をX軸方向に直交するY軸方向に移動させるためのY軸ステージ42と、載置台7をX軸及びY軸方向に直交するZ軸方向に移動させるためのZ軸ステージ43と、レーザ発生器1からの出力やパルス幅及び三つのステージ41、42、43の移動を制御する制御部5とを備える。
The laser processing apparatus includes a
加工対象物3はA、B二つの背向する面31、32をもつ平板状をしており、面31(A)からレーザ光Lが集光入射される。A、B二つの背向する面31、32は平行であることが好ましい。平行の場合は以下のように、集光点pの設定が容易に行える。
The
Z軸方向は加工対象物3の面32(B)と直交する方向なので、加工対象物3にレーザ光Lを集光入射させる集光レンズ2の焦点深度の方向となる。よって、Z軸ステージ43をZ軸方向に移動させることにより加工対象物3の内部にレーザ光Lの集光点pを設定することができる。したがって、本実施形態のレーザ加工装置では、Z軸移動ステージ43が集光点設定手段になる。
Since the Z-axis direction is a direction perpendicular to the surface 32 (B) of the
面31(A)と面32(B)が平行でない場合は、載置台7をX−Z面内で回転できるゴニオステージに代えて、面31がX軸及びY軸方向に平行になるように調節すればよい。なお、レーザ光Lの面31への入射面はX−Z面内にある。
When the surface 31 (A) and the surface 32 (B) are not parallel, the
集光点pのX(Y)軸方向の移動は、加工対象物3をX(Y)軸ステージ41(42)によってX(Y)軸方向に移動させることにより行われる。したがって、本実施形態では、X(Y)軸ステージ41(42)が集光点移動手段になる。
The converging point p is moved in the X (Y) axis direction by moving the
加工対象物3としては、ガラス、サファイア、水晶、或いはシリコンを用いることができる。
As the
レーザ発生器1としては、波長が1〜2μm、パルス幅が10fs〜20ps、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzのレーザ光を発生するErまたはYbをドープしたファイバレーザを用いることが好ましい。波長が1〜2μm、パルス幅が10fs〜20psのレーザ光は、上記ガラス、サファイア、水晶、シリコン等の加工対象物の集光点で確実に多光子吸収され、確実に内部クラックなどのない改質領域が形成される。さらに、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzであるので、集光点移動を高速化でき加工速度を高めることができる。
As the
次に本実施形態のレーザ加工装置による集光点設定及び集光点移動の様々な態様について説明する。 Next, various aspects of focusing point setting and focusing point movement by the laser processing apparatus of this embodiment will be described.
図2は、集光点pを面32(B)に近い位置から所定のピッチで面31(A)方向(矢印a方向)に6点等間隔に順次設定した様子を示している。この設定は、前述のように、Z軸ステージ43で加工対象物3をZ軸方向に所定のピッチ移動することで、達成される。図6は集光点pを所定のピッチで設定する度にその設定された集光点pを、例えばX軸方向に移動させることで形成される改質領域6を示している。この集光点pのX軸方向への移動は、前述のように、X軸ステージ41で加工対象物3をX軸方向に移動させることで達成される。改質領域6付近に応力を加えることで、加工対象物3を割断することができる。
FIG. 2 shows a state in which the condensing points p are sequentially set at equal intervals in the direction of the surface 31 (A) (arrow a direction) at a predetermined pitch from a position close to the surface 32 (B). This setting is achieved by moving the
図3は、集光点pを面32(B)に近い位置から所定のピッチで面31(A)方向(矢印a方向)に9点連続するように順次設定した様子を示している。図7は集光点pを所定のピッチで設定する度にその設定された集光点pを、例えばX軸方向に移動させることで形成される改質領域6を示している。改質領域が面32近くから面31近くまで連続して形成されているので僅かの応力で割断でき、割断の歩留まりも高い。
FIG. 3 shows a state in which the condensing points p are sequentially set so that nine points continue in the direction of the surface 31 (A) (the direction of the arrow a) at a predetermined pitch from a position close to the surface 32 (B). FIG. 7 shows the modified
図4は集光点pをレーザ光の入射面内(X−Y面内)でジグザグ移動させて形成した改質領域6を示している。このジグザグ移動は、その移動方向がレーザ光の入射方向であるZ軸方向と一致する場合は、集光点pが面32側から面31側に向け矢印a方向に行われる。集光点pの矢印a方向への移動は、加工対象物3をZ軸ステージ43でZ軸方向に移動することで行われる。また、ジグザグ移動の移動方向がZ軸方向と一致しない場合は、集光点pが面31側から面32側に向け矢印b方向に行われる。集光点pの矢印b方向への移動は、加工対象物3をZ軸ステージ43とX軸移動ステージ41でX及びZ方向に移動させることで行われる。
FIG. 4 shows a modified
本実施態様では集光点の移動が面31と面32の間でジグザグに行われ、改質領域が面32近くから面31近くまで連続して形成されているので僅かの応力で割断でき、割断の歩留まりも高い。
In this embodiment, the focal point is moved in a zigzag manner between the
次に本実施形態のレーザ加工装置によるマーキングについて説明する。 Next, marking by the laser processing apparatus of this embodiment will be described.
図5は加工対象物3の内部の所定の位置に集光点pを設定した様子を示している。この設定はZ軸ステージ43で加工対象物3をZ軸方向に移動させることで行われる。図8は集光点pを面31に平行、すなわちX−Y面内で移動させることで形成される”A”の字の改質領域6を示している。この集光点pのX−Y面内での移動は、X軸ステージ41とY軸ステージ42でX及びY方向に移動させることで行われる。
FIG. 5 shows a state where the condensing point p is set at a predetermined position inside the
図9に実施例1のレーザ加工装置の概略構成図を示す。本実施例のレーザ加工装置は、レーザ光Lを発生するレーザ発生器1と、レーザ光LをON−OFF制御するシャッター8と、レーザ光Lを透過するダイクロイックミラー9と、ダイクロイックミラー9を透過したレーザ光Lを集光する集光レンズ2と、集光レンズ2で集光されたレーザ光LがZ軸方向から入射される加工対象物3が載置される載置台7と、載置台7をX軸方向に移動させるためのX軸ステージ41と、載置台7をX軸方向に直交するY軸方向に移動させるためのY軸ステージ42と、載置台7をX軸及びY軸方向に直交するZ軸方向に移動させるためのZ軸ステージ43と、制御用パソコン5と、を備える。
FIG. 9 shows a schematic configuration diagram of the laser processing apparatus according to the first embodiment. The laser processing apparatus according to this embodiment includes a
レーザ加工装置は、さらに、載置台7に載置された加工対象物3を可視光線で照明して観察するための可視光線を発生する観察光源23と、観察光源23からの可視光線を90°曲げてダイクロイックミラー9に入射させるハーフミラー10と、集光レンズ2、ダイクロイックミラー9、及びハーフミラー10を介して加工対象物3を撮像するCCDカメラ22を備える。
The laser processing apparatus further includes an
レーザ加工装置はさらに、レーザ発生器1、シャッター8、ダイクロイックミラー9、集光レンズ2、ハーフミラー10、観察光源23、及びCCDカメラ22を配置する光学ベンチ24と、光学ベンチ24をZ軸方向に駆動する駆動部21と、を備える。
The laser processing apparatus further includes an
シャッター8、観察光源23、CCDカメラ22、及び駆動部21は制御用パソコン5に接続されており、シャッター8、観察光源23のON−OFF制御、CCDカメラ22の撮像データ処理、駆動部21の駆動制御が行われる。したがって、制御用パソコン5からの命令でレーザ光Lの集光点すなわち改質領域をCCDカメラ22で撮像して制御用パソコン5のモニター上で観察することができる。
The shutter 8, the observation
レーザ発生器1は、発振モジュール11と、発振モジュール11から発振されたレーザ光を伝播するファイバ13と、ファイバ13を伝播してきたレーザ光を増幅する増幅モジュール12と、発振モジュール11からのレーザ光の出力、パルス幅、繰返し周波数を制御するレーザコントローラ14と、を備える。レーザコントローラ14はパソコン5に接続されており、パソコン5からの命令で動作する。発振モジュール11は、Erドープのモードロックファイバレーザと、ファイバレーザから発振されたパルスレーザ光を受光して伸張されたパルスレーザ光を出力するファイバー伸張器と、伸張されたパルスレーザ光を受光してパルスを間引くパルス間引き器と、伸張されて間引かれたパルスレーザ光を受光して増幅されたパルスレーザ光を出力するErドープのファイバー前置増幅器と、を備える。増幅モジュール12は、発振モジュール11からのパルスレーザ光をファイバ13を通して受光してさらに増幅するErドープファイバ主増幅器と、増幅されたパルスレーザ光を受光して圧縮されたパルスレーザ光を出力する圧縮器と、を備える。増幅モジュール12は光学ベンチ24にレーザ光LがZ軸方向に出射されるように固定されている。増幅モジュール12からは波長が1.55μm、平均出力が250mW、パルス幅が400〜600fs、繰り返し周波数が10〜200kHzのレーザ光Lが出射される。
The
加工対象物3を厚さ60μmの水晶板にし、集光レンズ2を開口数0.5、倍率50倍の顕微鏡対物レンズにして加工を実施した。
Processing was carried out using a
先ず、シャッター5をONにして増幅モジュール12から平均出力10mWのレーザ光Lを発生させる。次に、CCDカメラ22で撮像した画像をパソコン5のモニターで観察しながら、集光点pが水晶板3の表面に位置するように駆動部21で光学ベンチ24をZ軸方向に微動させる。次に、集光点pが水晶板3の表面から50μmの深さに位置するように、水晶板3をZ軸ステージ43で34.6μm上昇させる。水晶板3の波長1.55μmの光に対する屈折率が1.445であるので、集光点pは水晶板3の表面から50μm(=34.6μm×1.445)の深さに位置する。次に、シャッター8をOFFにして、増幅モジュール12から平均出力250mW、パルス幅800fs、繰返し周波数200kHzのレーザ光Lを出射させる。次に、シャッター8をONしてレーザ光Lを集光点pに集光照射しながら水晶板3をX軸ステージ41でX軸方向に20mm/sの速度で移動させた。
First, the shutter 5 is turned on to generate laser light L with an average output of 10 mW from the
次に、集光点pを水晶板3の表面から40μmの深さに設定して、レーザ光Lを集光点pに集光照射しながら水晶板3をX軸ステージ41でX軸方向に20mm/sの速度で移動させた。
Next, the condensing point p is set to a depth of 40 μm from the surface of the
次に、集光点pを水晶板3の表面から30μmの深さに設定して、レーザ光Lを集光点pに集光照射しながら水晶板3をX軸ステージ41でX軸方向に20mm/sの速度で移動させた。
Next, the condensing point p is set to a depth of 30 μm from the surface of the
さらに、集光点pを水晶板3の表面から20μmの深さに設定して、レーザ光Lを集光点pに集光照射しながら水晶板3をX軸ステージ41でX軸方向に20mm/sの速度で移動させた。
Further, the condensing point p is set to a depth of 20 μm from the surface of the
集光点を水晶板の表面から50μmの深さから順次10μmピッチで表面側に向けて4点設定してレーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動した後、集光点の移動ライン周辺に適当な衝撃力を加えたところ移動ラインに沿って水晶板をきれいに割断することができた。割断後の断面を観察した結果、多光子吸収によって誘起された改質領域が集光点の移動軌跡上にきれいに発生していることを確認することができた。 Four condensing points are set from the surface of the quartz plate to the surface side at a pitch of 10 μm sequentially from the depth of 50 μm and moved in the X-axis direction while irradiating the condensing point with the laser beam. When an appropriate impact force was applied around the moving line, the quartz plate could be cut cleanly along the moving line. As a result of observing the section after cleaving, it was confirmed that the modified region induced by the multiphoton absorption was clearly generated on the moving locus of the condensing point.
本実施例は、実施例1の加工対象物である水晶板を厚さ250μmのサファイアにし、集光点をサファイアの表面から100μmの深さから順次10μmピッチで表面に向けて10点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動する以外は実施例1と同じである。すなわち、集光点に照射するレーザ光Lは、平均出力250mW、パルス幅800fs、繰返し周波数200kHzであり、サファイアのX軸方向移動速度は20mm/sである。 In this example, the quartz crystal plate which is the processing target of Example 1 is made sapphire with a thickness of 250 μm, and the condensing points are set from the surface of sapphire to the surface at a pitch of 10 μm sequentially from the depth of 100 μm. The same as Example 1, except that the laser beam is irradiated to the condensing point and moved in the X-axis direction. That is, the laser beam L irradiated to the condensing point has an average output of 250 mW, a pulse width of 800 fs, a repetition frequency of 200 kHz, and the moving speed of sapphire in the X-axis direction is 20 mm / s.
集光点をサファイアの表面から100μmの深さから順次10μmピッチで表面に向けて10点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動することを10回行った後、集光点の移動ライン周辺に適当な衝撃力を加えたところ移動ラインに沿ってサファイアをきれいに割断することができた。割断後の断面を観察した結果、多光子吸収によって誘起された改質領域が集光点の移動軌跡上にきれいに発生し、しかも改質領域が厚さ方向(Z軸方向)に連続していることを確認することができた。 After 10 focusing points are set from the surface of sapphire to the surface at a pitch of 10 μm sequentially from the surface of sapphire and moved 10 times while irradiating the focusing point with laser light When a suitable impact force was applied around the moving line of the condensing point, sapphire could be cleaved cleanly along the moving line. As a result of observing the cleaved cross section, the modified region induced by multiphoton absorption is clearly generated on the moving locus of the condensing point, and the modified region is continuous in the thickness direction (Z-axis direction). I was able to confirm that.
実施例2において、集光点をサファイアの表面から100μmの深さから順次20μmピッチで表面に向けて5点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動する以外は実施例2と同じである。 In Example 2, the condensing point is set from the depth of 100 μm from the surface of sapphire to 5 points sequentially toward the surface at a pitch of 20 μm, and the laser beam is irradiated in the condensing point except moving in the X-axis direction. The same as in the second embodiment.
集光点をサファイアの表面から100μmの深さから順次20μmピッチで表面に向けて5点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動することを5回行った後、集光点の移動ライン周辺に適当な衝撃力を加えたところ移動ラインに沿ってサファイアをきれいに割断することができた。割断後の断面を観察した結果、多光子吸収によって誘起された改質領域が集光点の移動軌跡上にきれいに発生し、改質領域が厚さ方向(Z軸方向)に10μmあけてとびとびに形成されていることを確認することができた。 After five focusing points are set from the surface of sapphire to the surface with a depth of 100 μm from the surface of sapphire toward the surface at a pitch of 20 μm, and moving in the X axis direction while irradiating the condensing point with laser light five times When a suitable impact force was applied around the moving line of the condensing point, sapphire could be cleaved cleanly along the moving line. As a result of observing the cleaved cross section, the modified region induced by multiphoton absorption is clearly generated on the moving locus of the condensing point, and the modified region is separated by 10 μm in the thickness direction (Z-axis direction). It was confirmed that it was formed.
本実施例は、実施例1の加工対象物である水晶板を厚さ50μmのシリコンウエハにし、集光点をシリコンウエハの表面から40μmの深さから順次10μmピッチで表面に向けて4点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動する以外は実施例1と同じである。 In this example, the quartz crystal plate, which is the object to be processed in Example 1, is a silicon wafer having a thickness of 50 μm, and the condensing points are sequentially set from the surface of the silicon wafer to the surface at a pitch of 10 μm from the depth of 40 μm. Thus, the second embodiment is the same as the first embodiment except that it moves in the X-axis direction while irradiating the condensing point with the laser beam.
集光点をシリコンウエハの表面から40μmの深さから順次10μmピッチで表面に向けて4点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動することを4回行った後、集光点の移動ライン周辺に適当な衝撃力を加えたところ移動ラインに沿ってシリコンウエハをきれいに割断することができた。割断後の断面を観察した結果、多光子吸収によって誘起された改質領域が集光点の移動軌跡上にきれいに発生していることを確認することができた。 Four focusing points were set from the surface of the silicon wafer to the surface at a pitch of 10 μm sequentially from the surface of the silicon wafer at a pitch of 10 μm, and moving in the X-axis direction was performed four times while irradiating the focusing point with laser light. Later, when an appropriate impact force was applied around the moving line of the condensing point, the silicon wafer could be cleaved cleanly along the moving line. As a result of observing the section after cleaving, it was confirmed that the modified region induced by the multiphoton absorption was clearly generated on the moving locus of the condensing point.
本実施例は、実施例1の加工対象物である厚さ60μmの水晶板を厚さ16μmの水晶板にし、集光点を水晶の表面から10μmの深さの位置に設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動する以外は実施例1と同じである。 In this embodiment, the 60 μm-thick quartz crystal plate, which is the object to be processed in the first embodiment, is changed to a 16 μm-thick quartz plate, the focusing point is set at a depth of 10 μm from the surface of the quartz, Is the same as that of Example 1 except that the light is moved in the X-axis direction while irradiating the condensing point.
レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動した後、集光点の移動ライン周辺に適当な衝撃力を加えたところ移動ラインに沿って水晶をきれいに割断することができた。割断後の断面を観察した結果、多光子吸収によって誘起された改質領域が集光点の移動軌跡上にきれいに発生していることを確認することができた。 After moving in the X-axis direction while irradiating the condensing point with laser light, an appropriate impact force was applied to the periphery of the moving line at the condensing point, and the crystal was successfully cut along the moving line. As a result of observing the cross section after cleaving, it was confirmed that the modified region induced by multiphoton absorption was clearly generated on the moving locus of the condensing point.
本実施例は、実施例1の加工対象物である水晶板を厚さ100μmの板ガラス(BK7)にし、集光点を板ガラスの表面から90μmの深さから順次10μmピッチで表面に向けて9点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動する以外は実施例1と同じである。 In this example, the crystal plate which is the processing target of Example 1 is a plate glass (BK7) having a thickness of 100 μm, and the condensing points are sequentially directed from the surface of the plate glass to the surface at a pitch of 10 μm from the depth of 90 μm. This is the same as in Example 1 except that the laser beam is set and moved in the X-axis direction while irradiating the condensing point.
集光点を板ガラスの表面から90μmの深さから順次10μmピッチで表面に向けて9点設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動することを9回行った後、集光点の移動ライン周辺に適当な衝撃力を加えたところ移動ラインに沿って板ガラスをきれいに割断することができた。割断後の断面を観察した結果、多光子吸収によって誘起された改質領域が集光点の移動軌跡上にきれいに発生していることを確認することができた。 After nine focusing points are set from the surface of the plate glass to the surface at a pitch of 10 μm sequentially from the depth of 90 μm, and 9 times moving in the X-axis direction while irradiating the focusing point with laser light When an appropriate impact force was applied around the moving line of the condensing point, the plate glass could be cut cleanly along the moving line. As a result of observing the section after cleaving, it was confirmed that the modified region induced by the multiphoton absorption was clearly generated on the moving locus of the condensing point.
本実施例は、実施例1の加工対象物である水晶板を厚さ5mmのプラズマディスプレイ用板ガラス(旭ガラス製PD200)にし、集光点を板ガラスの表面から8μmの深さの位置に設定して、レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動する以外は実施例1と同じである。 In this example, the crystal plate, which is the object to be processed in Example 1, is a plate glass for plasma display (PD200 manufactured by Asahi Glass) with a thickness of 5 mm, and the focal point is set at a position 8 μm deep from the surface of the plate glass. Thus, the second embodiment is the same as the first embodiment except that it moves in the X-axis direction while irradiating the condensing point with the laser beam.
レーザ光を集光点に照射しながらX軸方向に移動した後、集光点の移動ラインを観察光源23で照明してCCDカメラ22で観察したところ、多光子吸収による改質領域が未加工のガラス層を通してはっきりと確認できた。すなわち、板ガラス内部にマーキングすることができた。また、CCDカメラ22の撮像データをパソコン5で画像処理することで視認できるコントラストであることがわかった。
After moving in the X-axis direction while irradiating the condensing point with the laser beam, the moving line of the condensing point is illuminated with the observation
1・・・・・・・・レーザ発生器
3・・・・・・・・加工対象物
31・・・・・・・加工対象物のA面、加工対象物の一つの平面
32・・・・・・・加工対象物のB面
21、43・・・・集光点設定手段
41、42・・・・集光点移動手段
1...
Claims (13)
該集光点設定ステップで設定された該集光点を該A面に平行に移動させて集光点移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成ステップと、
を有し、前記集光点設定ステップの前記厚み方向所定位置を前記A面と反対の前記B面に近い位置から該A面方向に順次設定して前記各ステップを繰り返し、前記加工対象物の内部の厚み方向に前記改質領域を形成して該加工対象物を割断することを特徴とするレーザ加工方法。 A, B A laser beam from a laser generator is focused and incident from the A surface of a flat plate-like workpiece having two opposite surfaces, and a focusing point is set at a predetermined position in the thickness direction inside the workpiece. A focusing point setting step to be set;
A modified region forming step of forming a modified region by multi-photon absorption of the laser beam on the focal point movement locus by moving the focal point set in the focal point setting step in parallel with the A plane. When,
And sequentially setting the predetermined position in the thickness direction of the focusing point setting step from the position close to the B surface opposite to the A surface in the A surface direction, and repeating the steps. A laser processing method, wherein the modified region is formed in an internal thickness direction to cleave the processing object.
該加工対象物がA、B二つの背向する面をもつ平板状をしており、該加工対象物のA面に該所定方向から該レーザ光を集光入射させて該加工対象物の内部に該集光点を設定し、該集光点を該レーザ光の入射面内で該加工対象物の該二つのA、B面間をジグザグ移動させてジグザグ状の改質領域を形成し該加工対象物を割断することを特徴とするレーザ加工方法。 In the laser processing method of cleaving the processing object by forming a modified region by multiphoton absorption at the condensing point by condensing and entering the laser beam from the laser generator into the processing object from a predetermined direction,
The object to be processed has a flat plate shape having two facing surfaces A and B, and the laser beam is focused and incident on the A surface of the object to be processed from the predetermined direction. The focusing point is set on the laser beam, and the focusing point is zigzag moved between the two A and B surfaces of the workpiece within the laser light incident surface to form a zigzag modified region, A laser processing method comprising cutting a workpiece.
該集光点設定ステップで設定された集光点を該平面に平行に移動させ集光点移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成ステップと、
を有し、前記レーザ発生器は少なくともErまたはYbをドープしたファイバレーザ発振器とファイバ増幅器を備えており、該加工対象物の内部にマーキングすることを特徴とするレーザ加工方法。 A laser beam having at least one plane and having a pulse width of 10 fs to 20 ps from a laser generator and a repetition frequency of 100 kHz to 10 MHz is collected from the plane of the workpiece, which is one of glass, sapphire, crystal, and silicon. A condensing point setting step for setting the condensing point at a predetermined position inside the workpiece by making light incident; and
A modified region forming step of moving the focused point set in the focused point setting step in parallel with the plane to form a modified region by multiphoton absorption of the laser light on the focused point movement locus;
The laser generator comprises a fiber laser oscillator and a fiber amplifier doped with at least Er or Yb, and marking the inside of the workpiece.
該レーザ発生器からのレーザ光をA、B二つの背向する面をもつ平板状の加工対象物のA面から集光入射させて該加工対象物の内部の厚み方向所定位置に集光点を設定する集光点設定手段と、
該集光点設定手段で設定された集光点を該A面に平行に移動させる集光点移動手段と、
を有し、該集光点移動手段による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記集光点設定手段で前記厚み方向所定位置を前記A面と反対の前記B面に近い位置から該A面方向に順次設定して前記改質領域を順次形成して該加工対象物を割断することを特徴とするレーザ加工装置。 A laser generator;
The laser beam from the laser generator is focused and incident from a surface A of a flat plate-like workpiece having two back surfaces A and B, and focused at a predetermined position in the thickness direction inside the workpiece. Focusing point setting means for setting
A condensing point moving means for moving the condensing point set by the condensing point setting means in parallel with the A plane;
And a laser processing apparatus for forming a modified region by multiphoton absorption of the laser light on the movement locus of the condensing point by the condensing point moving means, wherein the condensing point setting means performs the thickness direction A laser processing apparatus, wherein a predetermined position is sequentially set in a direction of the A surface from a position close to the B surface opposite to the A surface, the modified regions are sequentially formed, and the processing object is cleaved.
該レーザ発生器からのレーザ光をA、B二つの背向する面をもつ平板状の加工対象物のA面に垂直(Z軸)方向から集光入射させて該加工対象物の内部の該Z軸方向所定位置に集光点を設定する集光点設定手段と、
該集光点設定手段で設定された集光点を該Z軸と直交する方向に移動させる集光点移動手段と、
を有し、該集光点移動手段による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成して該加工対象物を割断するレーザ加工装置であって、該集光点設定手段と該集光点移動手段で該集光点を該レーザ光の入射面内で該加工対象物の該二つのA、B面間をジグザグ移動させることを特徴とするレーザ加工装置。 A laser generator;
The laser light from the laser generator is focused and incident from the perpendicular (Z-axis) direction to the A surface of a flat plate-like workpiece having two back faces A and B, and the inside of the workpiece is A focusing point setting means for setting a focusing point at a predetermined position in the Z-axis direction;
A condensing point moving means for moving the condensing point set by the condensing point setting means in a direction perpendicular to the Z axis;
A laser processing apparatus that forms a modified region by multiphoton absorption of the laser light on the movement locus of the condensing point by the condensing point moving means, and cleaves the workpiece. A laser processing apparatus characterized in that the condensing point is zigzag moved between the two A and B surfaces of the object to be processed within the incident surface of the laser beam by the light point setting means and the condensing point moving means. .
該レーザ発生器からの該レーザ光を、少なくとも一つの平面をもち、ガラス、サファイア、水晶、シリコンのうちいずれかである加工対象物の該平面から集光入射させて該加工対象物の内部の所定の位置に集光点を設定する集光点設定手段と、
該集光点設定手段で設定された集光点を該平面に平行に移動させる集光点移動手段と、
を有し、該集光点移動手段による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成して該加工対象物の内部にマーキングすることを特徴とするレーザ加工装置。 A laser generator including a fiber laser oscillator and a fiber amplifier doped with at least Er or Yb, and generating a laser beam having a pulse width of 10 fs to 20 ps and a repetition frequency of 100 kHz to 10 MHz;
The laser beam from the laser generator has at least one plane and is focused and incident from the plane of the workpiece, which is one of glass, sapphire, crystal, and silicon, to be inside the workpiece. Condensing point setting means for setting the condensing point at a predetermined position;
Condensing point moving means for moving the condensing point set by the condensing point setting means parallel to the plane;
And forming a modified region by multiphoton absorption of the laser beam on the movement locus of the condensing point by the condensing point moving means and marking the inside of the workpiece apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004188870A JP2006007619A (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Laser machining method and device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004188870A JP2006007619A (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Laser machining method and device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006007619A true JP2006007619A (en) | 2006-01-12 |
Family
ID=35775385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004188870A Pending JP2006007619A (en) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | Laser machining method and device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006007619A (en) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007167875A (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | Method for inner scribing using laser beam |
WO2007119740A1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Toray Engineering Co., Ltd. | Scribing method, scribing apparatus, and scribed substrate scribed by the method or apparatus |
JP2007331983A (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Sony Corp | Scribing method for glass |
JP2008062263A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Imra America Inc | Transparent material processing with ultrashort pulse laser |
JP2009066625A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Omron Corp | Laser marking device |
JP2009525189A (en) * | 2006-02-03 | 2009-07-09 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | A cutting method using a laser having at least one ytterbium-based fiber, wherein at least the power of the laser source, the focused beam diameter and the Q value of the beam are controlled |
JP2010082645A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Aisin Seiki Co Ltd | Laser scribing method and laser scribing apparatus |
US7968432B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-06-28 | Denso Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method |
JP2012228702A (en) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Laser scribe method and laser processing apparatus |
JP2013031879A (en) * | 2012-09-04 | 2013-02-14 | Imra America Inc | Processing of transparent material by ultra-short pulse laser |
JP2013149847A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Aisin Seiki Co Ltd | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
US8530786B2 (en) | 2005-09-08 | 2013-09-10 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
KR101361777B1 (en) * | 2012-04-03 | 2014-02-13 | 주식회사 이오테크닉스 | Laser processing method |
JP2014165249A (en) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Fujikura Ltd | Method of manufacturing substrate with micropores |
WO2015010706A1 (en) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for separating a flat workpiece into multiple parts |
US9138913B2 (en) | 2005-09-08 | 2015-09-22 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
JP2016528048A (en) * | 2013-08-16 | 2016-09-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | Laser system and method for marking inside a thin layer and object produced thereby |
CN106891098A (en) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 北京工业大学 | A kind of laser method for fine finishing high of sapphire submicron order tangent plane |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002205180A (en) * | 2000-09-13 | 2002-07-23 | Hamamatsu Photonics Kk | Method for laser beam machining |
JP2004179302A (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for splitting semiconductor wafer |
WO2004052586A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Device and method for laser processing |
-
2004
- 2004-06-25 JP JP2004188870A patent/JP2006007619A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002205180A (en) * | 2000-09-13 | 2002-07-23 | Hamamatsu Photonics Kk | Method for laser beam machining |
JP2004179302A (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for splitting semiconductor wafer |
WO2004052586A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Device and method for laser processing |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9751154B2 (en) | 2005-09-08 | 2017-09-05 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
US9636773B2 (en) | 2005-09-08 | 2017-05-02 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
US9138913B2 (en) | 2005-09-08 | 2015-09-22 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
US8530786B2 (en) | 2005-09-08 | 2013-09-10 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
US7968432B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-06-28 | Denso Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method |
JP2007167875A (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | Method for inner scribing using laser beam |
JP2009525189A (en) * | 2006-02-03 | 2009-07-09 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | A cutting method using a laser having at least one ytterbium-based fiber, wherein at least the power of the laser source, the focused beam diameter and the Q value of the beam are controlled |
JPWO2007119740A1 (en) * | 2006-04-13 | 2009-08-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | Scribing method, scribing apparatus, and cleaved substrate cleaved using this method or apparatus |
WO2007119740A1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Toray Engineering Co., Ltd. | Scribing method, scribing apparatus, and scribed substrate scribed by the method or apparatus |
JP2007331983A (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Sony Corp | Scribing method for glass |
JP2008062263A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Imra America Inc | Transparent material processing with ultrashort pulse laser |
JP2009066625A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Omron Corp | Laser marking device |
JP2010082645A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Aisin Seiki Co Ltd | Laser scribing method and laser scribing apparatus |
JP2012228702A (en) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Laser scribe method and laser processing apparatus |
JP2013149847A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Aisin Seiki Co Ltd | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
KR101361777B1 (en) * | 2012-04-03 | 2014-02-13 | 주식회사 이오테크닉스 | Laser processing method |
JP2013031879A (en) * | 2012-09-04 | 2013-02-14 | Imra America Inc | Processing of transparent material by ultra-short pulse laser |
JP2014165249A (en) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Fujikura Ltd | Method of manufacturing substrate with micropores |
WO2015010862A3 (en) * | 2013-07-23 | 2015-04-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for separating a flat workpiece into a plurality of sections |
US20160158880A1 (en) * | 2013-07-23 | 2016-06-09 | 3D-Micromac Ag | Method and device for separating a flat workpiece into a plurality of sections |
JP2016525018A (en) * | 2013-07-23 | 2016-08-22 | 3デー−ミクロマク アクチェンゲゼルシャフト | Method and apparatus for dividing a flat workpiece into a plurality of parts |
CN105658373A (en) * | 2013-07-23 | 2016-06-08 | 3D-微马克股份公司 | Method and device for separating a flat workpiece into a plurality of sections |
WO2015010706A1 (en) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for separating a flat workpiece into multiple parts |
US10654133B2 (en) | 2013-07-23 | 2020-05-19 | 3D-Micromac Ag | Method and device for separating a flat workpiece into a plurality of sections |
JP2016528048A (en) * | 2013-08-16 | 2016-09-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | Laser system and method for marking inside a thin layer and object produced thereby |
CN106891098A (en) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 北京工业大学 | A kind of laser method for fine finishing high of sapphire submicron order tangent plane |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4835927B2 (en) | Method of splitting hard and brittle plate | |
JP5122611B2 (en) | Cutting method | |
JP2006007619A (en) | Laser machining method and device | |
JP4418282B2 (en) | Laser processing method | |
JP4490883B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
JP4322881B2 (en) | Laser processing method and laser processing apparatus | |
JP4752488B2 (en) | Laser internal scribing method | |
JP5089735B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP4584322B2 (en) | Laser processing method | |
JP4703983B2 (en) | Cutting method | |
JP2002192368A (en) | Laser beam machining device | |
JP4167094B2 (en) | Laser processing method | |
JP2010239157A (en) | Laser cutting method | |
JP2008036641A (en) | Laser beam machining apparatus and method | |
JP4607537B2 (en) | Laser processing method | |
JP2005047290A (en) | Laser machining device | |
JP2007185664A (en) | Laser beam inside-scribing method | |
KR101273462B1 (en) | Hybrid Laser Machining System using Vibrating Element | |
KR20100107932A (en) | Hybrid laser machining using ultrasonic vibration | |
JP2008173652A (en) | Deburring method | |
JP3935188B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP2007012733A (en) | Dividing method of substrate | |
KR20080093321A (en) | Laser beam machining system and method for cutting of substrate using the same | |
JP3873098B2 (en) | Laser processing method and apparatus | |
JP5613809B2 (en) | Laser cutting method and laser processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100601 |