JP2005528001A - 増幅器パワー検出回路 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- a)出力信号を供給するためにRF励振信号を受け取って増幅するように構成されるトランジスタネットワークと、
b)RF励振信号を受け取り、出力信号に比例する倍率変更された出力信号を供給するように構成される検知トランジスタであって、検知トランジスタはトランジスタネットワークに比例し、出力信号は倍率変更された出力信号の係数A倍である検知トランジスタと、
c)整流された信号を供給するために、倍率変更された出力信号を受け取って整流するように構成される整流器と、
d)出力信号に関連する出力パワーに比例する直流電圧を供給するために、整流された信号をろ波するように構成される出力フィルタとを含む回路。 - 整流器は、倍率変更された出力信号を半波整流するために、フィルタと直列に第1のダイオードを含む請求項1に記載の回路。
- 第1のダイオードと直列のコンデンサをさらに含み、第1の抵抗は第1のダイオードのアノードと、アースに結合される第2のダイオードのアノードとの間に結合され、第2のダイオードのアノードは、第1および第2のダイオードに対してバイアス電流を供給するために第2の抵抗を介して電圧源に結合される請求項2に記載の回路。
- 第2のダイオードと並列の複数のダイオードをさらに含む請求項3に記載の回路。
- 第3の抵抗は第2の抵抗と電圧源との間で直列であり、少なくとも2つの直列のダイオードは、電圧源の変動の影響を最小にするために、アースと、第2と第3の抵抗との間の点との間に設置される請求項3に記載の回路。
- 少なくとも2つの並列のダイオードが、第2のダイオードのアノードと第2の抵抗との間に直列に設置される請求項5に記載の回路。
- トランジスタネットワークおよび検知トランジスタは、N個の並列なトランジスタのアレーから、並列なトランジスタのN−1個のコレクタが出力信号を供給する増幅器出力を形成するために結合され、並列なトランジスタの1つが倍率変更された出力信号を供給する検知トランジスタを形成するように形成される請求項1に記載の回路。
- RF励振信号はN個の並列なトランジスタの各々に等しく印加される請求項7に記載の回路。
- バイアスはバイアスネットワークからN個の並列なトランジスタの各々に等しく供給される請求項8に記載の回路。
- RF励振信号は、N個の並列なトランジスタの各々のベースに結合された独立したコンデンサを介して等しく印加され、バイアスは独立したベース抵抗を介してN個の並列なトランジスタの各々のベースに等しく印加される請求項7に記載の回路。
- 複数のN個のトランジスタの各々に印加されるバイアスを発生するためのバイアスネットワークをさらに含む請求項10に記載の回路。
- a)変調された信号を生成するための変調回路と、
b)増幅器回路であって、
i)変調された信号を所望のパワーレベルでの伝送のための出力信号に増幅する、および、
ii)出力信号に関連する実際の出力パワーを示すパワー検知信号を発生するための増幅器回路と、
c)パワー検知信号に応じて変調された信号を増幅するための増幅器回路を制御するための制御システムであって、増幅器回路は、
i)出力信号を供給するためにRF励振信号を受け取って増幅するように構成されるトランジスタネットワークと、
ii)RF励振信号を受け取り、出力信号に比例する倍率変更された出力信号を供給するように構成される検知トランジスタであって、検知トランジスタはトランジスタネットワークに比例し、出力信号は倍率変更された出力信号の係数A倍である検知トランジスタと、
iii)整流された信号を供給するために、倍率変更された出力信号を受け取って整流するように構成される整流器と、
iv)出力信号と関連する出力パワーに比例する直流電圧を供給するために、整流された信号をろ波するように構成される出力フィルタとを含む増幅器回路を含む制御システムとを含む移動端末。 - 整流器は、倍率変更された出力信号を半波整流するために、出力フィルタと直列に第1のダイオードを含む請求項12に記載の移動端末。
- 第1のダイオードと直列のコンデンサをさらに含み、第1の抵抗は第1のダイオードのアノードと、アースに結合される第2のダイオードのアノードとの間に結合され、第2のダイオードのアノードは、第1および第2のダイオードに対してバイアス電流を供給するために第2の抵抗を介して電圧源に結合される請求項13に記載の移動端末。
- 第2のダイオードと並列の複数のダイオードをさらに含む請求項14に記載の移動端末。
- 第3の抵抗は第2の抵抗と電圧源との間で直列であり、少なくとも2つの直列のダイオードは、電圧源の変動の影響を最小にするために、アースと、第2と第3の抵抗との間の点との間に設置される請求項14に記載の移動端末。
- 少なくとも2つの並列のダイオードが、第2のダイオードのアノードと第2の抵抗との間に直列に設置される請求項16に記載の移動端末。
- トランジスタネットワークおよび検知トランジスタは、N個の並列なトランジスタのアレーから、並列なトランジスタのN−1個のコレクタが出力信号を供給する増幅器出力を形成するために結合され、並列なトランジスタの1つが倍率変更された出力信号を供給する検知トランジスタを形成するように形成される請求項12に記載の移動端末。
- RF励振信号はN個の並列なトランジスタの各々に等しく印加される請求項18に記載の移動端末。
- バイアスはバイアスネットワークからN個の並列なトランジスタの各々に等しく供給される請求項19に記載の移動端末。
- RF励振信号は、N個の並列なトランジスタの各々のベースに結合された独立したコンデンサを介して等しく印加され、バイアスは独立したベース抵抗を介してN個の並列なトランジスタの各々のベースに等しく印加される請求項18に記載の移動端末。
- N個の並列なトランジスタの各々に印加されるバイアスを発生するためのバイアスネットワークをさらに含む請求項21に記載の移動端末。
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