JP2005507554A - バラスト回路 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、ブリッジ型の整流回路の対角分枝(ブランチ)にあるコイルであって、電気的ランプ接続部と直列に配された当該コイルと、これら電気的ランプ接続部と並列に配されたキャパシタとを有する共振イグニッションを持つ放電ランプのためのバラスト装置であって、前記整流回路は、アーク放電が前記ランプに継続して起こるような前記ランプの通常動作フェーズで比較的小さい又は中ぐらいの振幅の比較的低い周波数の方形波供給電圧をランプに供給するバラスト装置に関する。
【背景技術】
【0002】
本発明は特に、コイル及びキャパシタを電気的に共振させることにより放電ランプをイグニッションさせることに関する。イグニッションを生じさせるこのやり方は、共振イグニッションと呼ばれ、例えば、ヨーロッパ特許出願EP0408121から知られている。共振イグニッション自体の利点は、別個のイグニッション回路なしで済ませることができるということにある。
【0003】
ヨーロッパ特許出願EP0408121において説明されているバラスト装置において、整流回路は、時間変動スイッチング周波数でイグニッションフェーズにおいて整流され、この時間変動スイッチング周波数の周波数は、ある時点で前記コイル及びキャパシタの共振周波数を通り、これにより放電ランプのイグニッションを生じるためにキャパシタ間の高いイグニッション電圧を生じさせる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、共振イグニッションの可能性を更に増大させ、特にUHP(超高圧ultra-high pressure)ランプ及びHID(高密度放電high intensity discharge)ランプに適用させ、同時に部品の更なる小型化の要求を満たすことである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の目的は、前記コイルの自己誘導係数及び前記キャパシタのキャパシタンスの値と時間変動スイッチング周波数とが、周波数変動の間のある時点で前記時間変動スイッチング周波数の奇数次の高調波周波数が前記コイル及び前記キャパシタの共振周波数に少なくとも近づくように、互いに関連して決定されることを特徴とする、冒頭に述べられた放電ランプのバラスト装置によって達成される。
【0006】
本発明者は、整流回路に順に付与する供給回路の通常受け入れ可能な電圧レベルにおいて、スイッチング周波数の奇数次高調波周波数で前記コイル及び前記キャパシタが少なくともほぼ共振するスイッチング周波数で、UHPランプのイグニッションのための安定したイグニッション電圧を生成することが可能であり、共振周波数とスイッチング周波数同士が互いに等しい従来技術とは違って、所望の共振周波数がスイッチング周波数の高次(奇数次)でもよいので、前記コイルがより小さい自己誘導係数及び前記キャパシタがより小さいキャパシタンスで充分であることを実際的に見いだしたのである。
【0007】
本発明のこれら及び他の態様並びに利点は、これ以降説明される実施例を参照して明らかに説明されるだろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
図1によると放電ランプのバラスト装置は、AC電圧メイン部1に接続されたAC/DC変換回路2を有し、この変換回路は出力キャパシタとしてキャパシタC1を有する。
【0009】
「チョッパ」とも呼ばれる制御された/スイッチングされたDC/DCコンバータ3は変換回路1に接続され、このチョッパはスイッチングされるスイッチングトランジスタT0、ダイオードD1、コイルL1及び出力キャパシタC2を有する。制御回路4の制御の下、このチョッパは既知のやり方で、アーク放電がランプ内で継続して起こる、すなわちランプが「オン」である通常動作フェーズにおいて、とりわけランプ電流を安定させるのに用いられる。
【0010】
制御回路6により制御されるスイッチングトランジスタT1−T4を有する整流回路5は、チョッパ3に接続されている。ブリッジ型の整流回路5の対角分枝(ブランチ)P1−P2に、ランプLの電気的ランプ接続部に直列に接続されたコイルとこれら接続部に並列に接続されたランプキャパシタC3とがある。
【0011】
ランプLは、例えばHIDランプ又はUHPランプである。アーク放電がランプに永続的に起こり、ランプが「オン」である通常動作フェーズにおいて、制御回路6は比較的低い周波数スイッチング電圧をスイッチングトランジスタT1−T4へ供給し、これらをT1、T4とT2、T3との対で交互にスイッチオンさせて導通して、この結果として、比較的小さいか又は比較的中間の振幅の方形波供給電圧がランプへ供給される。
【0012】
前記通常動作フェーズに先行する共振イグニッションフェーズでは、制御回路6は比較的高い周波数スイッチング電圧をスイッチングトランジスタT1−T4へ供給し、このスイッチング周波数はランプLにイグニッション電圧を生成するために(少なくとも近似的に)電気的にコイルL2及びキャパシタC3を共振させるために時間に関して変化する。
【0013】
本発明者は、図2に示される結果となる実験を実施し、コイルL及びキャパシタC3を共振させる新しいやり方を導き出した。
【0014】
前記実験では、ランプ電圧VLがスイッチング周波数fbの関数として負荷のない回路で測定された。この周波数でブリッジ型の整流回路5は制御回路6により整流され、これ以降この周波数はブリッジ周波数fbと呼ばれる。
【0015】
図2は、L2=150mH及びC3=250pF、すなわち固有共振周波数f0=1/2πルートLCの約820kHzの場合でのブリッジ周波数fbの関数としてランプ電圧VLを示す。H3、H5及びH7により示される電圧ピークは、ブリッジ周波数fbで起こり、この周波数でL2−C3はそれぞれ3次、5次、7次のハーモニック周波数のブリッジ周波数で共振し始める。L2−C3がブリッジ周波数fbの3次ハーモニックで共振する、すなわちコイルL2の自己誘導係数及びキャパシタC3のキャパシタンスの値が付与されてブリッジ周波数fbがL2−C3の固有共振周波数の1/3となるように選択されたならば起こるピークH3は、ランプLに対して充分な高いイグニッション電圧を送ることができ、ランプのタイプに依存して必要以上に高いイグニッション電圧さえ送ることができ、可能性として、UHP及びHIDランプの更なる開発の結果としてこれらランプのイグニッション電圧に要求される値が低くできる確かな場合にピークH5及びH7もできることがわかった。
【0016】
これらの結果は、概略的に図3に示されるような放電ランプ動作を導く。
【0017】
図3Aでは、負荷のない回路での電圧振幅Vが垂直方向にプロットされ、時間tが水平方向にプロットされる。図3Bでは、周波数fが垂直方向にプロットされ、時間tが水平方向にプロットされる(これらの図は正確な縮尺ではなく、説明のため概略的表現としてのみ利用される)。
【0018】
ランプが継続して「オン」である通常動作フェーズが時間t3から始まる。このフェーズでは、例えば90Hzの周波数を持つ比較的低い周波数の方形波供給電圧が、比較的低い振幅でランプに供給される。
【0019】
話題となるフェーズ、すなわちイグニッションフェーズは最初からt2まで続き、t1が重要な中間時点である。このフェーズでは、整流回路5は、中間時点t1まで時間的に変動するブリッジ周波数fbで動作し、fbは例えば210kHzから160kHzまで変動し、L2及びC2に用いられる値はそれぞれ250μH、330pFであり、約554kHzのL2−C3共振周波数f0を導き、時間内のどのときでもブリッジ周波数fbは、当該ブリッジ周波数fbの三次高調波周波数が共振周波数fと等しくなる値(おおよそ554/3=185kHz)に到達し、ランプを点灯することができる電圧ピーク(H3、図2)がキャパシタC3間で形成される。この接続において、ブリッジ周波数の三次高調波周波数が共振周波数f0に近づくが、まだこの共振周波数から少し離れている(例えば1kHz又はそれ以上)場合になるやいなや、充分に高いイグニッション電圧がランプキャパシタ間にすでに形成されてもよいことに留意されたい。
【0020】
共振周波数f0とブリッジ周波数fbとの比が3:1のおかげで、コイルL2の自己誘導係数とキャパシタC3のキャパシタンスとが、通常比1:1での場合の値よりかなり低い値にすることができるが、これにもかかわらず、共振イグニションが極端に高くないブリッジ周波数で生じることができることが利点である。
【0021】
図3Aは、t1時点まで増大するランプ間の電圧を示し、ブリッジ周波数fbが共振周波数f0の1/3に近づくか、見方によってはfbの三次高調波がf0に近づくときにイグニッション電圧が発生する。この時点は、ランプ接続部P3、P2間で切換えられ、P3とP2との間の電圧のあるレベルで動作し、この場合、少なくとも大体この値でこの電圧を安定化させる電圧レベル検出回路によって検出され、動作に入った後で、前記検出回路7は検出信号を制御回路6へ供給し、この結果として制御回路に接続されているか又は接続回路内にある電圧制御発振器VCOであって、ブリッジ周波数fbを引き出す当該電圧制御発振器VCOを、制御回路6は、t2の時点までに共振周波数f0の1/3に少なくとも近い周波数である到達周波数で保持する。
【0022】
図で説明するために、t1からt2までの時間の長さは信頼できるイグニッションを生じさせるために例えば500msであり、始めからt1までは厳密でなくてもよいが例えば100msであることが示されている。
【0023】
三次高調波に関して今まで説明してきたことは、ピークH5及びH7それぞれが(図2)充分に高いイグニッション電圧を供給できるならば、必要な変更を加えて五次及び七次高調波に適用可能であり、図示のためにのみ与えられた上述の値は限定的な意味に解釈されるべきではなく、時間0−t1、t1−t2の値も図示のためだけの目的であり、必要であれば実験的に決められる。
【0024】
ランプが(t3後)「オン」である通常動作フェーズと共振イグニッションのイグニッションフェーズ(0−t2、図3A)との間にウォームアップ及び/又は引継ぎフェーズを導入することは重要であり、このウォームアップ及び/又は引継ぎフェーズでは、ランプ電極はグロー放電によってウォームアップされる。
【0025】
イグニッションの後、ランプはほとんど短絡回路を構成し(抵抗がおおよそ1オーム)、ランプ間の負荷のない電圧が三次高調波近くで発生されランプが短絡回路になるならば、整流回路5に接続されたチョッパ又は制御段3は、実際には1アンペアより低い比較的低いピーク電流を供給する。しかしながら、ランプの電極をウォームアップするために、より高いピーク値が要求され実際には例えば約2アンペアであり、制御段3の出力キャパシタC2間の充分に高い電圧が要求される。
【0026】
負荷のない回路でのランプ電圧VLのブリッジ周波数fbに対する図2のグラフ、本発明者により実施された実験からの結果のグラフは、約160ボルトの出力キャパシタC2間の電圧でランプ電圧が常に点線により示されるレベル、この特別な場合320ボルトを超えている。
【0027】
更なる実験が図4に示されたグラフに導かれ、ランプ電流I1がブリッジ周波数fbに対してプロットされる。このグラフは、所望の電流レベルを達成するためにブリッジ周波数が低減されなければならないことを示している。
【0028】
時間の関数としてランプ間の電圧V1は、ブリッジ周波数、例えば100kHzの1周期の間で図5に示され、示された発振OsはL2−C3の共振周波数と等しい周波数を持つ。このように、共振回路L2−C3は、100kHzの信号により励起され、制御段3の出力キャパシタC2間のピーク電圧の値の2倍を持つ発振OSはキャパシタC3間で生じ、結果として出力キャパシタC2でのより低い電圧で充分である。
【0029】
図3Bに示されるように、t2時点では、時点t1で達した約f0の1/3(例えば283kHz)の周波数のブリッジ周波数が、このフェーズでランプに供給される電流を最適にするために、例えば128kHzまで1ステップで低減され、例えば、ランプの非対称性があまりにも大きな非対称電流を導くかもしれないことが考慮されてもよい。時点t2‘では、ブリッジ周波数は、時点t3での通常動作フェーズへの移行を促進するより大きな(対称)電流を許容するために、例えば84kHzまで1ステップで更に低減できるだろう。t2−t3期間は、例えば1秒である。
【0030】
時間t2−t3の期間に周波数ステップの数及び大きさの選択が必要な電流に対して最適化でき、上述のような純粋に例示的なデータは周波数ステップの数及び大きさに関して限定的な意味合いがあると解釈すべきではない。
【0031】
図3Aについては、t3まで、負荷のない回路、すなわちランプがイグニッションされていない状態での電圧が示されていて、ブレークダウンの後電圧はもっと低くなる。実際、ランプはt1からt3の間で消えることがある。この場合、上述のように約300V(図3及び図5)を超える最小電圧が常に利用可能であり、ランプは再び「オン」になるだろう。ランプがt3の後でオンであり続けないならば、これは既知のやり方で判断できるが、上述の全工程(図3B)が間隔をおいて繰り返される。
【0032】
前記イグニッション及び引継ぎ/ウォームアップフェーズでのブリッジ周波数fbのバリエーションに関する上記説明は、当業者が決まった又は種々のやり方で、適当なスイッチング電圧が整流回路5へ供給される態様で、例えばマイクロコントロールユニット(マイクロコントローラ)又はマイクロプロセッシングユニット(マイクロプロセッサ)の形式で、VCOを具備する制御回路6を対応してプログラムすることを許容すべきである。当業者は、指示信号を持つ電圧検出回路7を選択することもできるべきであり、このことは非常に一般的なタイプであってもよい。
【0033】
要約すると、本発明による手段は、互いに並列に配された小さい大きさのキャパシタ及び当該ランプ接続部と直列に配された小さい大きさのコイルを有し、ランプがブリッジ周波数の奇数高調波周波数近くで信頼性のあるイグニッションができ、電圧及び最適な電流が引き継ぎ/ウォームアップフェーズで充分に高いという利点をバラスト装置に与える。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】図1は、本発明の理解のためには必ずしも詳細は必要ないので簡略化されたUHPランプの通例のバラスト装置の概略図を示す。
【図2】図2は、図1の整流回路のスイッチング周波数の関数としてランプ電圧を示す。
【図3】図3は、電圧振幅とスイッチング周波数とが概略的に示された、そのうちのバラスト装置の種々の動作フェーズの概略図である。
【図4】図4は、スイッチング周波数の関数として引継ぎ/ウォームアップフェーズでのランプ電流を示す。
【図5】図5は、時間の関数として引継ぎフェーズでのランプ電圧を示す。
Claims (6)
- ブリッジ型の整流回路の対角分枝にあるコイルであって、電気的ランプ接続部と直列に配された当該コイルと、これら電気的ランプ接続部と並列に配されたキャパシタとを有する共振イグニッションをもつ放電ランプのためのバラスト装置であって、前記整流回路は、ランプにアーク放電が継続して起こるような前記ランプの通常動作フェーズで比較的小さい振幅の比較的低い周波数の方形波供給電圧を前記ランプに供給し、前記整流回路は、前記通常動作フェーズに先行するイグニッションフェーズで、時間で変動するスイッチング周波数でスイッチング電圧により比較的高い周波数で整流されるバラスト装置において、前記コイルの自己誘導係数及び前記キャパシタのキャパシタンスの値と時間変動スイッチング周波数とが、周波数変動の間のある時点で前記時間変動スイッチング周波数の奇数次の高調波周波数が前記コイル及び前記キャパシタの共振周波数に少なくとも近づくように、互いに関連して決定されることを特徴とするバラスト装置。
- 前記奇数次高調波周波数が三次高調波であることを特徴とする、請求項1に記載のバラスト装置。
- 電圧検出回路が、イグニッション電圧の予め決められた値を検出し、前記スイッチング周波数の変動を維持し更に一定に保持するための指示信号を供給するために前記ランプの前記電気的ランプ接続部に結合されることを特徴とする、請求項1又は2に記載のバラスト装置。
- 前記電圧検出回路が、前記予め決められた値に少なくとも近い値で前記イグニッション電圧を安定させることにも役立つことを特徴とする、請求項3に記載のバラスト装置。
- 比較的高い周波数で前記整流は、前記電圧検出回路が動作した後で予め決められたイグニッション時間の間継続することを特徴とする、請求項2又は3に記載のバラスト装置。
- 前記イグニッション時間の後であって、前記通常動作フェーズに先行する引継ぎ/ウォームアップ時間の間、前記スイッチング周波数が、前記引継ぎ/ウォームアップフェーズで前記ランプに供給される電流を毎回最適にするために、1つ又は複数の時間的にシーケンシャルなステップで低減されることを特徴とする、請求項5に記載のバラスト装置。
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