JP2005352511A - 半導体回路及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体回路は、基板上に、第1のトランジスタと、容量素子と、第1のトランジスタのゲートに対する電圧の供給を制御する手段と、容量素子の第1の電極に対する電圧の供給を制御する手段と、第2のトランジスタとを有する。また、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子上に設けられた保護膜を有する。保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン膜である。
【選択図】 図14
Description
発光素子を用いた表示装置の開発が活発化している。発光素子は、自らが発光するために視認性が高く、液晶表示装置(LCD)等において必要なバックライトを必要としないために薄型化に適しているとともに、視野角にほとんど制限が無い。
TFTのゲート・ソース間電圧等)について説明が必要な際には、ソース、ドレイン等と
表記する。
そのしきい値を超え、ソース、ドレイン間に電流が流れる状態をいい、TFTがOFFしているとは、TFTのゲート・ソース間電圧がそのしきい値を下回り、ソース、ドレイン間に電流が流れていない状態をいう。
流と表記)が決定する。この電流はEL素子306に供給されて発光する。
ソース信号線501に接続され、第2の電極は、容量手段509の第1の電極に接続されている。容量手段509の第2の電極は、容量手段510の第1の電極に接続され、容量手段510の第2の電極は、電流供給線512に接続されている。TFT506のゲート電極は、容量手段509の第2の電極および容量手段510の第1の電極に接続され、第1の電極は、電流供給線512に接続され、第2の電極は、TFT507の第1の電極およびTFT508の第1の電極に接続されている。TFT507のゲート電極は、第2のゲート信号線503に接続され、第2の電極は、容量手段509の第2の電極および容量手段510の第1の電極に接続されている。TFT508のゲート電極は、第3のゲート信号線504に接続され、第2の電極は、EL素子511の第1の電極に接続されている。EL素子511の第2の電極には、電源513によって一定電位が与えられ、電流供給線512とは互いに電位差を有する。
ている。また、図5に示した画素の一例では、4つのTFTを用いて構成され、その極性は全てPチャネル型である。よって、ゲート電極にLレベルが入力されてONし、Hレベルが入力されてOFFするものとする。
。続いて第2、第3のゲート信号線がLレベルとなり、TFT507、508がONする。ここで、図6(A)に示すように、容量手段509、510が充電され、容量手段510が保持する電圧が、TFT506のしきい値(Vth)を上回ったところで、TFT506がONする(区間II)。
2)のような関係が成立する。
FT506がPチャネル型であるので、VDD>VDataとする。)となる。このときの、T
FT506のゲート電極の電位をVPとし、このノードにおける電荷をQとすると、容量
手段509、510とを含めた電荷保存則により、式(3)、(4)のような関係が成立する。
以上の動作によって、映像信号の画素への書き込み動作が完了する(図6(E))。
圧と、C2の両電極間の電圧もまたばらつくことになる。本発明においては、容量手段を
用いてしきい値を保存した後に、映像信号を入力する過程においては、容量手段において電荷の移動がない。よって、容量手段の両電極間の電圧が変化しない。そのため、映像信号にしきい値をそのまま上乗せすることによって補正を行うことが出来るため、ドレイン電流が容量値のばらつきによる影響を受けないようにすることが出来る。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
電流供給線と、第1乃至第4のトランジスタと、容量手段とを少なくとも有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極および、前記容量手段の第1の電極と電気的に接続され、第1の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第2のトランジスタの第2の電極および、前記第3のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極には、第1の信号が入力され、
前記第3のトランジスタのゲート電極には、第2の信号が入力され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極には、第3の信号が入力され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続された構成を有することを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第5のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第3のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第5のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され
、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第5のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極および、前記容量手段の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第3のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第5のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極および、前記容量手段の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第5のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲート電極は、前記第5のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極もしくは、前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極もしくは、前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され
、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第3のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第3のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第6のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第3のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタ
の第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第6のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第3のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第6のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されているこ
とを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第5のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第7のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第6のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲート電極は、前記第5のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極もしくは、前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第7のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第1の電極および、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第6のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極もしくは、前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第5のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第7のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲート電極は、前記第5のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極もしくは、前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第7のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第5のトランジスタの第2の電極および、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極もしくは、前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第5のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第7のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され
、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極と、前記第6のトランジスタの第1の電極と、前記容量手段の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極および第2の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタは、前記第1のトランジスタの第2の電極と前記第6のトランジスタの第1の電極との間、前記第3のトランジスタの第1の電極と第6のトランジスタの第2の電極との間、もしくは、前記第3のトランジスタの第1の電極と前記第6のトランジスタのゲート電極との間のいずれかに設けられ、そのゲート電極は、前記第5のゲート信号線と電気的に接続されていることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置であって、
前記画素は、
ソース信号線と、第1乃至第4のゲート信号線と、電流供給線と、第1乃至第7のトランジスタと、容量手段と、発光素子とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第1のゲート信号線と電気的に接続され、第1の電極は、前記ソース信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極と、前記第6のトランジスタの第1の電極と、前記容量手段の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第3のトランジスタの第1の電極と、前記第5のトランジスタのゲート電極と、前記第6のトランジスタのゲート電極および第2の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極および、前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3のゲート信号線と電気的に接続され、第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタは、前記第1のトランジスタの第2の電極と前記第6のトランジスタの第1の電極との間、前記第3のトランジスタの第1の電極と第6のトランジスタの第2の電極との間、もしくは、前記第3のトランジスタの第1の電極と前記第6のトランジスタのゲート電極との間のいずれかに設けられ、そのゲート電極は、前記第4のゲート信号線と電気的に接続されていることを特徴としている。
前記第2のトランジスタと、前記第3のトランジスタとは同一極性であっても良い。
前記第5のトランジスタのゲート長をL1、チャネル幅をW1とし、前記第6のトランジスタのゲート長をL2、チャネル幅をW2としたとき、
(W1/L1)>(W2/L2)
が成立するものを含んでいる。
前記第5のトランジスタのゲート長をL1、チャネル幅をW1とし、前記第6のトランジスタのゲート長をL2、チャネル幅をW2としたとき、
(W1/L1)<(W2/L2)
が成立するものを含んでいる。
前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と互いに電位差を有する電源線もしくは、当該画素を制御する前記ゲート信号線を除くいずれか1本のゲート信号線と電気的に接続されていても良い。
前記第7のトランジスタの第2の電極は、前記電流供給線と互いに電位差を有する電源線もしくは、当該画素を制御する前記ゲート信号線を除くいずれか1本のゲート信号線と電気的に接続されていても良い。
前記発光素子の第2の電極は、前記電流供給線と互いに電位差を有する電源線と電気的に接続されていても良い。
前記画素は、保持容量手段を有し、
前記保持容量手段の第1の電極は、前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極には一定電位が与えられ、前期ソース信号線より入力される映像信号を保持することを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置の駆動方法であって、
前記画素は、ソース信号線と、電流供給線と、発光素子に所望の電流を供給するトランジスタと、発光素子と、容量手段とを少なくとも有し、
前記容量手段に電荷を蓄積する第1のステップと、
前記容量手段の両電極間の電圧を、前記トランジスタのしきい値電圧に等しい電圧に収束する第2のステップと、
前記ソース信号線より映像信号を入力する第3のステップと、
前記映像信号の電位に、前記しきい値電圧を加えて、前記トランジスタのゲート電極に印加し、前記トランジスタを介して、電流を前記発光素子に供給し、発光する第4のステップとを有し、
少なくとも前記第3のステップにおいて、前記容量手段の両電極間の電圧が一定であり、
少なくとも前記第1および第2のステップにおいて、前記第1のトランジスタは非導通状態となることを特徴としている。
発光素子が備えられた画素を有する発光装置の駆動方法であって、
前記画素は、
電流供給線と、第1乃至第3のトランジスタと、容量手段とを少なくとも有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極および、前記容量手段の第1の電極と電気的に接続され、第1の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、第2の電極は、前記第2のトランジスタの第2の電極および、前記第3のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極より、第1の信号が入力され、
前記第3のトランジスタのゲート電極より、第2の信号が入力され、
前記容量手段の第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、かつ前記容量手段の第2の電極より、映像信号が入力され、
前記第4のトランジスタのゲート電極より、第3の信号が入力され、第2の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第1乃至第3の信号を入力して前記第2乃至第4のトランジスタを導通することによって、前記容量手段に電荷を蓄積する第1のステップと、
前記第3のトランジスタを非導通とし、かつ前記第1、第3の信号を入力して前記第2、第4のトランジスタを導通することによって、前記容量手段に保持される電圧を、前記第1のトランジスタのしきい値電圧と等しい値に収束する第2のステップと、
前記第2乃至第4のトランジスタを非導通とし、前記容量手段の第2の電極より、前記映像信号が入力される第3のステップと、
前記第2、第4のトランジスタを非導通とし、かつ前記第2の信号を入力して前記第3のトランジスタを導通することによって、前記第1、第3のトランジスタのソース・ドレイン間を電流が流れる第4のステップとを有し、
少なくとも第3のステップにおいて、前記容量手段の両電極間の電圧が一定であることを特徴としている。
ト電極は、第3のTFT108の第1の電極、および第1の容量手段111の第2の電極に接続され、第1の電極は、第3のTFT108の第2の電極、および第4のTFT109の第1の電極に接続され、第2の電極は、電流供給線113に接続されている。第2の容量手段115は、第1のTFT106の第2の電極と、電流供給線113との間に配置され、ソース信号線101より入力される映像信号の電位を保持する。第2の容量手段115に関しては、特に設けなくとも動作は可能である。EL素子112の第2の電極には、電源線114によって一定電位が与えられ、電流供給線113とは互いに電位差を有する。
で示すような電流が生じ、容量手段111が充電される。容量手段111が保持する電圧が、TFT110のしきい値(Vth)を上回ったところで、TFT110がONする。
間II)。これにより、電流供給線113−EL素子112間の電流パスが閉じるため、電
流が停止する。一方、図2に示すように、容量手段111に貯まっていた電荷が再び移動を始める。容量手段111の両電極間の電圧はすなわち、TFT110のゲート・ソース間電圧であるから、この電圧がVthに等しくなったところでTFT110はOFFし、電荷の移動も終了する(図2(B))。
電位VData(ここでは、TFT110がPチャネル型であるので、VDD>VDataとする。)となる。ここで、容量手段111においては、先程のVthがそのまま保持されているので、TFT110のゲート電極の電位は、ソース信号線101から入力される映像信号電位VDataに、さらにしきい値Vthを加えた電位となる。よってTFT110がONする(図
2(D))。
VI)。TFT110は既にONしているので、電流供給線113からEL素子112に電流が流れることによってEL素子112が発光する(図2(F))。このとき、EL素子112に流れる電流値は、TFT110のゲート・ソース間電圧に従ったものであり、このときのTFT110のゲート・ソース間電圧は、(VDD−(VData+Vth))である。ここで仮に、TFT110のしきい値Vthが各画素間でばらついたとしても、そのばらつきに応じた電圧が、各画素の容量手段111に保持される。よって、EL素子112の輝度は、しきい値のばらつきに影響されることがない。
で表される。よって、容量値C1、C2にばらつきが生じた場合、TFTのゲート・ソース間電圧がばらつくことになる。
にしきい値電圧を上乗せした電位がそのままTFTのゲート電極に印加されるため、よりTFTのゲート・ソース間電圧をばらつきにくくすることが出来る。
P)が入力される。これらの信号のタイミングに従って、順次サンプリングパルスが出力
される。
P2)に従って駆動される。
、画素に映像信号が書き込まれて発光する。
−SP)が入力される。これらの信号のタイミングに従って、順次サンプリングパルスが
出力される。
e)が入力され、第1のラッチ回路1002に保持されていたデジタル映像信号は、一斉
に第2のラッチ回路1003に転送される。その後、第2のラッチ回路1003に保持されたデジタル映像信号は、1行分が同時に、D/A変換回路1004へと入力される。
入力されている間、シフトレジスタ1001においては再びサンプリングパルスが出力される。以後、この動作を繰り返し、1フレーム分の映像信号の処理を行う。
て、階調を表現する。図24(A)の例では、4ビットであるので、サステイン(発光)期間の長さは、1:2:4:8となっている。
み)期間が重複し、異なるゲート信号線が同時に選択されることのないように設けるもの
としている。
書き込み)期間にあたる。
TFT106)は、EL素子の劣化によって輝度がばらつくのを抑えるため、飽和領域で
動作させるのが望ましい。このとき、飽和領域における電流が、TFT106のソース・ドレイン間電圧が変化してもほぼ一定となるようにするため、ゲート長Lを大きくしている。
のゲート長Lが大きい場合、ゲート容量等によってこの動作に時間を要する。そこで本実施例においては、このような場合における高速動作を実現する構成について説明する。
量手段1811が充電される。容量手段1811が保持する電圧が、TFT1810、1817のしきい値(Vth)を上回ったところで、TFT1810、1817がONする(図
19(A))。
区間IV)。ソース信号線1801には、映像信号が出力されて、その電位はVDDから映像信号の電位VData(ここでは、TFT110がPチャネル型であるので、VDD>VDataと
する。)となる。ここで、容量手段1811においては、先程のVthがそのまま保持され
ているので、TFT1810、1817のゲート電極の電位は、ソース信号線1801から入力される映像信号電位VDataに、さらにしきい値Vthを加えた電位となる。よってTFT1810、1817がONする(図19(D))。
区間VI)。TFT1810は既にONしているので、電流供給線1813からEL素子1812に電流が流れることによってEL素子1812が発光する(図19(F))。このとき
、EL素子1812に流れる電流値は、TFT1810のゲート・ソース間電圧に従ったものであり、このときのTFT1810のゲート・ソース間電圧は、(VDD−(VData+Vth))である。ここで仮に、TFT1810のしきい値Vthが各画素間でばらついたとしても、そのばらつきに応じた電圧が、各画素の容量手段1811に保持される。よって、EL素子1812の輝度は、しきい値のばらつきに影響されることがない。
すようなしきい値電圧の保存は、Lが小さくWが大きいTFT2210を用いているため、より大きな電流によって動作を完了出来る。すなわち迅速な動作が出来る。かつ、発光時にはTFT2210、2216をマルチゲート型TFTとして用いており、TFT2216はゲート長Lを大きくしてあるため、TFT2210、2216のソース・ドレイン間電圧が少々変動しても、一定のドレイン電流を流すことが出来る。
B)に示すような例が挙げられる。また、このTFT2209は、デジタル映像信号を用
いて時間階調方式による表示を行う際、消去用TFTとして用いることも出来る。
前記絶縁膜の単層構造又は前記絶縁膜を2層以上積層させた構造であっても良い。
、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成膜される窒化酸化珪素膜5001aを10〜200nm(好ましくは50〜100nm)の厚さに形成する。本実施例では、窒化酸化珪素膜5001aを50nmの厚さに形成した。次いで下地膜5001の2層目として、プラズマCVD法を用いて、SiH4及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜5001bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに形成する。本実施例では、酸化窒化珪素膜5001bを100nmの厚さに形成した。
、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等)を用いて結晶化させる。そして、得
られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして半導体層5002〜5005を形成する。なお前記半導体膜としては、非晶質半導体膜、微結晶半導体膜、結晶質半導体膜、又は非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜などを用いても良い。
500℃、1時間)を行った後、熱結晶化(550℃、4時間)を行って結晶質珪素膜を形
成した。その後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって半導体層5002〜5005を形成した。
レーザ光が得られる。基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。なお非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波〜第4高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Nd:YVO4レーザー(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3高調波(355nm)を適用する。
子により高調波に変換する。さらに、共振器の中にYVO4結晶と非線形光学素子を入れ
て、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは0.1〜10MW/cm2)が必要である。そして、10〜2000cm/s程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射
する。
100〜700mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とすると良い。またYAGレーザを用いる場合には、その第2高調波を用いてパルス発振周波数1〜300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300〜1000mJ/cm2(代表的には350〜500mJ/cm2)とすると良い。そして幅100〜1000μm(好ましくは幅400μm)で線状に集光したレーザ光を基板全面に渡って照射し、このときの線状ビームの重ね合わせ率(オーバーラップ率)を50〜98%として行っても良い。
ール炉を用いた熱アニール等)を行って、該非晶質珪素膜中に前記金属元素を拡散させ、
前記非晶質珪素膜は加熱処理後にエッチングを行って除去する。その結果、前記結晶質珪素膜中の金属元素の含有量を低減または除去することができる。
〜400℃とし、高周波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成しても良い。上記の工程により作製される酸化珪素膜は、その後400〜500℃の熱アニールによって、ゲート絶縁膜5006として良好な特性を得ることができる。
電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、W膜中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。従って、本実施例では、高純度のW(純度99.9999%)のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜20μΩcmを実現することができた。
は化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜やAgPdCu合金で形成してもよい。
導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25:25:10(sccm)とし、1.0Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを
行った。基板側(試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質
的に負の自己バイアス電圧を印加した。そしてこの第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして第1の導電層5007の端部をテーパー形状とした。
してプラズマを生成して15秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加した。
第2のエッチング条件では第1の導電層5007及び第2の導電層5008とも同程度にエッチングを行った。なお、ゲート絶縁膜5006上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
それぞれのガス流量比を24:12:24(sccm)とし、1.3Paの圧力でコイル側の電力に700WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して25秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも10WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質
的に負の自己バイアス電圧を印加した。こうして、W膜を選択的にエッチングして、第2の形状の導電層5015〜5019を形成した。このとき、第1の導電層5015a〜5018aは、ほとんどエッチングされない。
第1の不純物領域5020〜5023には1×1018〜1×1020atoms/cm3の濃度範囲
でN型を付与する不純物元素が添加された。
速電圧を60〜120keVとして行う。本実施例では、ドーズ量を3.0×1015atoms/cm2とし、加速電圧を65keVとして行った。第2のドーピング処理は第2の導電層501
5b〜5018bを不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層5015a〜5018aのテーパー部の下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングを行う。
N−領域、Lov領域)5026には1×1018〜5×1019atoms/cm3の濃度範囲でN型を付与する不純物元素を添加された。また第2の不純物領域(N+領域)5025、5028には1×1019〜5×1021atoms/cm3の濃度範囲でN型を付与する不純物元素を添加された。また、第1、第2のドーピング処理を行った後、半導体層5002〜5005において、不純物元素が全く添加されない領域又は微量の不純物元素が添加された領域が形成された。本実施例では、不純物元素が全く添加されない領域又は微量の不純物元素が添加された領域をチャネル領域5027、5030とよぶ。また前記第1のドーピング処理により形成された第1の不純物領域(N--領域)5020〜5023のうち、第2のドーピング処理においてレジスト5024で覆われていた領域が存在するが、本実施例では、引き続き第1の不純物領域(N--領域、LDD領域)5029とよぶ。
第5の不純物領域(P−領域)5033、5035のいずれの領域においても、第3のドーピング処理によって、P型を付与する不純物元素の濃度が1×1019〜5×1021atoms/cm3となるようにドーピング処理される。こうして、第4の不純物領域(P+領域)503
2、5034及び第5の不純物領域(P−領域)5033、5035は、Pチャネル型TFTのソース領域
よびドレイン領域として問題なく機能する。
しくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃で行えばよく、本実施例では4
10℃、1時間の熱処理で活性化処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
膜)を形成した後に熱処理することにより、活性化処理と同時に、半導体層の水素化も行
うことができる。水素化の工程では、第1の層間絶縁膜5036に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドが終端される。
水素化)や、3〜100%の水素を含む雰囲気中において、300〜450℃で1〜12
時間の加熱処理を行う手段でも良い。
って塗布された窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜等を用いることができる。また、第2の層間絶縁膜5037として、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ポリイミド、
ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)、アクリル等の膜を用いることができる。また、アクリル膜と窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜の積層構造を用いても良い。
する高濃度不純物領域5028とを有している。また画素部において、Pチャネル型の駆動用TFTは、ゲート電極の一部を構成する第1の導電層5018aと重なる低濃度不純物領域5035(Lov領域)、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域5034とを有している。
窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜等を用いることができる。また、有機絶縁膜としては、アクリル樹脂膜等を用いることができる。
、第3の層間絶縁膜5046としてもアクリルを用いる組み合わせがある。また、第2の層間絶縁膜5037として、アクリルとプラズマCVD法によって形成した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜の積層膜を用い、第3の層間絶縁膜5046としてプラズマCVD法によって形成した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜を用いる組み合わせがある。また、第2の層間絶縁膜5037として、プラズマCVD法によって形成した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜を用い、第3の層間絶縁膜5046としてアクリルを用いる組み合わせがある。
108〜1×1010Ωm)となるように、カーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すればよ
い。
材料を示すものとする。
を設けた積層構造としている。Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1とい
った蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
緑)、B(青)の各色に対応したEL層5047を作り分ける構成とすることができる。
。
ム等)や透光性のシーリング材でパッケージング(封入)することが好ましい。その際、シ
ーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料(例えば酸化バリウム)を配置したりするとEL素子の信頼性が向上する。
シブルプリントサーキット:FPC)を取り付けて製品として完成する。
が異なる。この駆動用TFTにおいては、実施例9に示したように、レジストによるマスクを用いて、ゲート電極の外側に低濃度不純物領域(Loff領域)を形成すれば良い。
しくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃で行えばよく、本実施例では4
10℃、1時間の熱処理で活性化処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜)を形成した後で熱処理を行うことが好ましい。
膜)を形成した後に熱処理することにより、活性化処理と同時に、半導体層の水素化も行
うことができる。水素化の工程では、第1の層間絶縁膜5101に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドが終端される。
水素化)や、3〜100%の水素を含む雰囲気中において、300〜450℃で1〜12
時間の加熱処理を行う手段でも良い。
って塗布された窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜等を用いることができる。また、第2の層間絶縁膜5102として、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)、アクリル等の膜を用いることができる。また、アクリル膜と窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜の積層構造を用いても良い。
物領域(P+領域))に達するコンタクトホールを形成する。
、配線5107によって画素部の駆動用TFTのゲート電極と電気的に接続される。
きる。また、有機絶縁膜としては、アクリル樹脂膜等を用いることができる。
ネシウムと銀との合金膜)を用いても良い。画素電極5111がEL素子の陰極に相当す
る。陰極材料としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を自由に用いることができる。
した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜を用いる組み合わせがある。また、第3の層間絶縁膜5110として、アクリルを用い、土手5112としてもアクリルを用いる組み合わせがある。また、第3の層間絶縁膜5110として、アクリルとプラズマCVD法によって形成した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜の積層膜を用い、土手5112としてプラズマCVD法によって形成した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜を用いる組み合わせがある。また、第3の層間絶縁膜5110として、プラズマCVD法によって形成した窒化珪素膜あるいは窒化酸化珪素膜を用い、土手5112としてアクリルを用いる組み合わせがある。
材料を示すものとする。
Alq3)膜を設け、その上に、正孔注入層として20nm厚の銅フタロシアニン(CuPc)膜を設けた積層構造としている。Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1と
いった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
緑)、B(青)の各色に対応したEL層5113を作り分ける構成とすることができる。
ム等)等のシーリング材でパッケージング(封入)することが好ましい。その際、シーリン
グ材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料(例えば酸化バリウム)を配置したりするとEL素子の信頼性が向上する。
シブルプリントサーキット:FPC)を取り付けて製品として完成する。
1及び第2のゲート信号線駆動回路4004a、4004bとを囲むようにして、シール材4009が設けられている。また画素部4002と、ソース信号線駆動回路4003と、第1及び第2のゲート信号線駆動回路4004a、4004bとの上にシーリング材4008が設けられている。よって画素部4002と、ソース信号線駆動回路4003と、第1及び第2のゲート信号線駆動回路4004a、4004bとは、基板4001とシール材4009とシーリング材4008とによって、充填材4210で密封されている。
Tを図示する)4201及び画素部4002に含まれるTFT4202を図示した。
くは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜)からなる陰極420
5が形成される。また、陰極4205と有機発光層4204の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、有機発光層4204を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極4205を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式(クラスターツール方式)の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。そして陰極4205は所定の電圧が与えられている。
ックス材、プラスチック材(プラスチックフィルムも含む)を用いることができる。プラスチック材としては、FRP(Fiberglass‐Reinforced‐Plastics)板、PVF(ポリビニル
フルオライド)フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂
フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施例では充填材として窒素を用
いた。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.)
Phys.Lett.,75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura,
T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys.,
38 (12B) (1999) L1502.)
される電流を足し合わせることにより、出力される電流値を線形的に変化させることが出来る。
い帰線期間内に、電流源回路9001において、しきい値補正動作が行われ、続いてラッチ回路に保持されているデータが転送され、電流源回路9001においてV−I変換を行い、画素へ電流を出力する。サンプリング動作は、図28に示した構成と同様、線順次で行われる。
問題が考えられるが、本実施例で示した構成によると、図32(B)〜(C)における、しきい値電圧の取得において、TFT3209がONすることによって、駆動用TFT3208のソース領域の電位は、電源線3216の電位に固定される。よって前述のように、駆動用TFT3208のゲート・ソース間電圧が小さくなることがないため、経時的な輝度低下を抑えることが出来る。
体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特に
、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図17に示す。
VD等)読込部3405、操作キー3406、スピーカー部3407等を含む。表示部A
3403は主として画像情報を表示し、表示部B3404は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部A、B3403、3404に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
Claims (8)
- 基板上に、第1のトランジスタと、容量素子と、前記第1のトランジスタのゲートに対する電圧の供給を制御する手段と、前記容量素子の第1の電極に対する電圧の供給を制御する手段と、第2のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第2の電極に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、発光素子の第1の電極又は第2の電極の一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、一定の電位に保たれており、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ及び前記容量素子上に設けられた保護膜を有し、
前記保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする半導体回路。 - 基板上に、第1のトランジスタと、容量素子と、前記第1のトランジスタのゲートに対する電圧の供給を制御する手段と、配線と、前記容量素子の第1の電極と前記配線との導通を制御する手段と、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に対する電圧の供給を制御する手段とを有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第2の電極に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、発光素子の第1の電極又は第2の電極の一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタと前記容量素子上に設けられた保護膜を有し、
前記保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする半導体回路。 - 第1のトランジスタと、容量素子と、前記第1のトランジスタのゲートに対する電圧の供給を制御する手段と、配線と、前記容量素子の第1の電極と前記配線との導通を制御する手段と、第2のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第2の電極に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、発光素子の第1の電極又は第2の電極の一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、一定の電位に保たれており、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ及び前記容量素子上に設けられた保護膜を有し、
前記保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする半導体回路。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、前記第1のトランジスタは、非晶質半導体を有する薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体回路。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、前記第1のトランジスタは、結晶質半導体を有する薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体回路。
- 請求項1又は請求項3において、前記第2のトランジスタは、非晶質半導体を有する薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体回路。
- 請求項1又は請求項3において、前記第2のトランジスタは、結晶質半導体を有する薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体回路。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の前記半導体回路を用いた電子機器。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
WO1998048403A1 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-29 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and method |
JP2003099000A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流駆動型表示パネルの駆動方法、駆動回路及び表示装置 |
-
2005
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998048403A1 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-29 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and method |
JP2003099000A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流駆動型表示パネルの駆動方法、駆動回路及び表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013068940A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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