JP2005347949A - Differential amplification circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a differential amplification circuit constituting a CMFB loop with phase compensation applied so that an in-phase output potential can be stably set to a desired set potential, and capable of spreading a bandwidth. <P>SOLUTION: The differential amplification circuit converts from voltage to current by an input transconductor 1, again converts the signal current from current to voltage by an output transconductor 2 constituting equivalent resistance on an output part for setting a voltage gain with a ratio of input and output transconductance values. Phase compensation capacitances C<SB>1</SB>and C<SB>2</SB>of an in-phase feedback circuit 3 for determining an in-phase output potential are connected between the source terminal of a diode-connected MOS transistor forming the output transconductor 2 and the output terminal of the in-phase feedback circuit 3 instead of a differential output terminal. Thus, the phase compensation of an in-phase feedback loop is realized without the phase compensation capacitances C<SB>1</SB>and C<SB>2</SB>serving as differential output loads, and without decreasing a band of the differential amplification circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は差動増幅回路に関し、特にトランスコンダクタによるオープンループ方式の差動増幅回路に関する。   The present invention relates to a differential amplifier circuit, and more particularly to an open-loop differential amplifier circuit using a transconductor.

従来、アナログ信号処理を行う回路の各所で増幅回路が使われている。特に耐外来ノイズの観点から差動増幅回路が利用される。増幅回路に要求される特性の主なものは、バンド幅、歪み特性、ノイズ特性などであるが、可変ゲインアンプ(VGA)として使われる場合は、ゲイン可変幅も要求特性となる。   Conventionally, an amplifier circuit is used in various parts of a circuit that performs analog signal processing. In particular, a differential amplifier circuit is used from the viewpoint of external noise resistance. The main characteristics required for the amplifier circuit are a bandwidth, a distortion characteristic, a noise characteristic, and the like. When used as a variable gain amplifier (VGA), a gain variable width is also a required characteristic.

増幅回路の構成としては、オペアンプを使用してオペアンプ入出力のフィードバック量によってゲイン設定を行う、いわゆるクローズドループ構成と、トランスコンダクタを使用して、入力側で電圧−電流変換し、さらに出力側で電流-電圧変換を行い、入出力での変換比によってゲイン設定を行う、いわゆるオープンループ構成の大きく2つに分類される。   As a configuration of the amplifier circuit, a so-called closed loop configuration in which an operational amplifier is used to set a gain according to the feedback amount of the operational amplifier input and output, and a transconductor is used to perform voltage-current conversion on the input side, and further on the output side. There are roughly two types of so-called open loop configurations in which current-voltage conversion is performed and gain setting is performed according to input / output conversion ratios.

オペアンプによるクローズドループ方式は、一般に、抵抗素子などの外部受動素子の比でゲイン(利得)が決まり、また、受動素子の線形性で可変ゲインアンプの線形性が決まるため、ゲイン設定精度が高く、また、歪み特性も良好である。しかしながらフィードバック構成で使われるため、増幅回路自体にループ安定性を施す必要があり、位相補償によってオペアンプのユニティゲイン周波数が低減し、これに連動してバンド幅が決まるため、一般的には広帯域化に向かない。また、回路規模も大きくなりがちである。さらに、設定ゲインを連続的に可変させるためには、例えば外部抵抗値を連続可変させることが必要だが、一般的にはこれが難しいなど、可変ゲインアンプとしての利用には適さない。   The closed loop method using an operational amplifier generally has a high gain setting accuracy because the gain (gain) is determined by the ratio of external passive elements such as resistance elements, and the linearity of the variable gain amplifier is determined by the linearity of the passive elements. Also, the distortion characteristics are good. However, because it is used in a feedback configuration, it is necessary to provide loop stability to the amplifier circuit itself, and the unity gain frequency of the operational amplifier is reduced by phase compensation, and the bandwidth is determined in conjunction with this. Not suitable for. Also, the circuit scale tends to be large. Further, in order to continuously change the set gain, for example, it is necessary to continuously change the external resistance value. However, in general, this is difficult, and this is not suitable for use as a variable gain amplifier.

一方、トランスコンダクタによるオープンループ方式は、トランスコンダクタ自体の線形性が増幅回路の線形性に大きく影響するが、差動回路自体にフィードバックループが無いため広帯域化を実現しやすい。また、トランスコンダクタンス値はバイアス電流によって容易に連続可変できるので、自動利得調整アンプを構成するときの可変ゲインアンプとしては最適である。   On the other hand, in the open loop method using a transconductor, the linearity of the transconductor itself greatly affects the linearity of the amplifier circuit. However, since there is no feedback loop in the differential circuit itself, it is easy to realize a wide band. In addition, since the transconductance value can be easily continuously varied by a bias current, it is optimal as a variable gain amplifier when configuring an automatic gain adjustment amplifier.

以上の理由から、トランスコンダクタによるオープンループ方式の増幅回路が、特に広帯域アプリケーションに向けて利用されてきた(例えば、特許文献1参照。)。   For the above reasons, an open-loop amplifier circuit using a transconductor has been used particularly for wideband applications (see, for example, Patent Document 1).

図8は、従来の増幅回路の一例の概略構成図を示している。図示のように、入力トランスコンダクタ101、出力トランスコンダクタ102、各トランスコンダクタの電流源Is0,Is0、同相フィードバック回路(以下、「CMFB回路」と称する。)103、位相補償容量Cc0、入力トランスコンダクタ101及び出力トランスコンダクタ102をバイアスする電流源Isp0,Isn0より構成されている。 FIG. 8 shows a schematic configuration diagram of an example of a conventional amplifier circuit. As shown, an input transconductor 101, an output transconductor 102, current sources Is 10 and Is 20 of each transconductor, an in-phase feedback circuit (hereinafter referred to as “CMFB circuit”) 103, a phase compensation capacitor Cc0, It comprises current sources Isp0 and Isn0 for biasing the input transconductor 101 and the output transconductor 102.

まず、入力トランスコンダクタ101は、MOSトランジスタからなる差動対トランジスタより構成され、各ゲート端子に差動対入力信号Vip0,Vin0が入力されるとともに、差動対トランジスタの共通ソース端子側とグラウンド間に電流源Is0が設けられる。そして、入力信号Vip0が入力されるトランジスタのドレイン端子は、出力トランスコンダクタ102を構成する差動対トランジスタの一方のトランジスタのドレイン端子側に接続されるとともに、入力信号Vin0が入力されるトランジスタのドレイン端子は、上記差動対トランジスタの他方のトランジスタのドレイン端子側に接続される。 First, the input transconductor 101 is composed of a differential pair transistor composed of MOS transistors, and differential pair input signals Vip0 and Vin0 are inputted to the respective gate terminals, and between the common source terminal side of the differential pair transistor and the ground. Is provided with a current source Is 10 . The drain terminal of the transistor to which the input signal Vip0 is input is connected to the drain terminal side of one of the differential pair transistors that constitute the output transconductor 102, and the drain of the transistor to which the input signal Vin0 is input. The terminal is connected to the drain terminal side of the other transistor of the differential pair transistor.

この出力トランスコンダクタ102の差動対トランジスタは、それぞれドレイン端子側が負荷電流源Isn0,Isp0に接続されている。電流源Isn0,Isp0はそれぞれ電圧Vccが供給される電源に接続されている。また、差動対トランジスタの各トランジスタは、それぞれのドレイン端子とゲート端子が接続されているとともに、差動対トランジスタの共通ソース端子側とグラウンド間に電流源Is0が設けられる。 The differential pair transistors of the output transconductor 102 are respectively connected to the load current sources Isn0 and Isp0 on the drain terminal side. The current sources Isn0 and Isp0 are each connected to a power source to which the voltage Vcc is supplied. Each transistor of the differential pair transistor has a drain terminal and a gate terminal connected to each other, and a current source Is 20 is provided between the common source terminal side of the differential pair transistor and the ground.

さらに、出力トランスコンダクタ102を構成する差動対トランジスタの各ドレイン端子は、CMFB回路103の入力端子に接続される。また、後述する位相補償用の容量素子C0及びC0の一端が、出力トランスコンダクタ102の差動対トランジスタの各ドレイン端子に接続されるともに、容量素子C0及びC0の他端が、CMFB103の出力端子に接続されている。 Furthermore, each drain terminal of the differential pair transistor constituting the output transconductor 102 is connected to an input terminal of the CMFB circuit 103. In addition, one end of capacitive elements C 10 and C 20 for phase compensation, which will be described later, is connected to each drain terminal of the differential pair transistor of the output transconductor 102, and the capacitive elements C 10 and C 20 are connected to each other. The other end is connected to the output terminal of the CMFB 103.

CMFB103は、出力トランスコンダクタ102より入力される出力電圧Von及びVopの同相電位と基準電位(図8には図示せず)との差に応じた制御信号を、その出力端子から電流源Isn0,Isp0に入力して入出力トランスコンダクタ101,102にバイアスされる電流値を制御する。   The CMFB 103 sends a control signal corresponding to the difference between the common-mode potential of the output voltages Von and Vop input from the output transconductor 102 and a reference potential (not shown in FIG. 8) from its output terminal to the current sources Isn0 and Isp0. To control the current value biased to the input / output transconductors 101 and 102.

次に、図8に示される従来例の増幅回路の動作を説明する。始めに、差動入力信号Vip0及びVin0が入力トランスコンダクタ101を構成する差動対トランジスタの各ゲート端子間に印加される。ここに、トランスコンダクタの具体的実現法には様々な例があるが、その本質は、差動入力電圧に比例した差動出力電流が得られることである。図8では差動出力電流はドレイン電流として得られ、出力トランスコンダクタ102で再び電流−電圧変換される。   Next, the operation of the conventional amplifier circuit shown in FIG. 8 will be described. First, the differential input signals Vip0 and Vin0 are applied between the gate terminals of the differential pair transistors constituting the input transconductor 101. Here, there are various examples of specific implementation methods of the transconductor, but the essence is that a differential output current proportional to the differential input voltage can be obtained. In FIG. 8, the differential output current is obtained as a drain current, and is subjected to current-voltage conversion again by the output transconductor 102.

出力トランスコンダクタ102は、入力トランスコンダクタ101と同一構成であり、図8に示すように、差動対トランジスタがそれぞれダイオード接続されることで、その差動入出力が短絡接続され、等価抵抗〔1/gm2〕(gm2;出力トランスコンダクタンス〕を実現している。これによって、入力トランスコンダクタ101で生じたドレイン電流変化分は、出力トランスコンダクタ102のドレイン電流変化分となり、その結果、出力差動対トランジスタのゲート端子間に差動出力電圧を発生させる。したがって、電圧ゲインAvは、入力トランスコンダクタンスをgm1として、Av=gm1/gm2と表される。   The output transconductor 102 has the same configuration as the input transconductor 101. As shown in FIG. 8, the differential pair transistors are diode-connected, so that the differential input / output is short-circuited, and the equivalent resistance [1 / Gm2] (gm2; output transconductance), so that the drain current change generated in the input transconductor 101 becomes the drain current change in the output transconductor 102, and as a result, the output differential pair Therefore, a differential output voltage is generated between the gate terminals of the transistors, so that the voltage gain Av is expressed as Av = gm1 / gm2 where the input transconductance is gm1.

ここで、図8の例の増幅回路の同相出力はこのままでは高インピーダンスであるので、CMFB103によって、所望の同相出力電位に設定する必要がある。CMFB103の機能は同相出力電位をモニターし、基準電位との差をネガティブフィードバック(負帰還)し、同相出力電位を基準電位に設定することであるが、図8に示すように入出力トランスコンダクタ101,102をバイアスする定電流源Isn0,Isp0にフィードバックする方法が最も簡便である。   Here, since the common-mode output of the amplifier circuit in the example of FIG. 8 is high impedance as it is, it is necessary to set the desired common-mode output potential by the CMFB 103. The function of the CMFB 103 is to monitor the common-mode output potential, negatively feed back the difference from the reference potential, and set the common-mode output potential to the reference potential. As shown in FIG. , 102 is fed back to the constant current sources Isn0 and Isp0 that bias the current 102.

図9は、図8に示す従来の増幅回路の具体的な回路構成例を示したものである。図9において、図8と照らし合わせると、nチャンネルMOSトランジスタN101〜N104が入力トランスコンダクタ101を構成し、nチャンネルMOSトランジスタN107〜N110が出力トランスコンダクタ102を構成する。また、nチャンネルMOSトランジスタN105,N106,N111,N112、pチャンネルMOSトランジスタP101〜P104は、それぞれ定電流源Is0,Is0,Isn0,Isp0を構成し、pチャンネルMOSトランジスタP105〜P108、nチャンネルMOSトランジスタN113〜N115はCMFB回路103を構成している。 FIG. 9 shows a specific circuit configuration example of the conventional amplifier circuit shown in FIG. 9, in comparison with FIG. 8, n-channel MOS transistors N101 to N104 constitute the input transconductor 101, and n-channel MOS transistors N107 to N110 constitute the output transconductor 102. Further, n-channel MOS transistors N105, N106, N111, N112, p-channel MOS transistor P101~P104 each constitute a constant current source Is 1 0, Is 2 0, Isn0, Isp0, p -channel MOS transistor P105~P108, The n channel MOS transistors N113 to N115 constitute the CMFB circuit 103.

入力トランスコンダクタ101を構成する差動対のnチャンネルMOSトランジスタN101及びN102の各ソース端子が、電流源Is0を構成する各nチャンネルMOSトランジスタN105及びN106を介してグラウンドに接続される。また、トランジスタN101のドレイン端子が、電流源Isn0を構成するpチャンネルMOSトランジスタP101のドレイン端子に接続されるとともに、トランジスタN102のドレイン端子が、同じく電流源Isp0を構成するpチャンネルMOSトランジスタP102のドレイン端子に接続される。 Input the source terminal of the n-channel MOS transistors N101 and N102 of the differential pair constituting the transconductor 101 is connected to ground via a respective n-channel MOS transistors N105 and N106 constitute a current source Is 1 0. The drain terminal of the transistor N101 is connected to the drain terminal of the p-channel MOS transistor P101 constituting the current source Isn0, and the drain terminal of the transistor N102 is also the drain of the p-channel MOS transistor P102 also constituting the current source Isp0. Connected to the terminal.

さらにトランジスタN101及びN102のソース端子間には、トランスコンダクタンス値を調整するためのNチャンネルMOSトランジスタN103及びN104が接続されている。そしてトランジスタN101及びN102のゲート端子に、それぞれ差動対入力信号Vin0,Vip0が入力される。   Further, N-channel MOS transistors N103 and N104 for adjusting the transconductance value are connected between the source terminals of the transistors N101 and N102. The differential pair input signals Vin0 and Vip0 are input to the gate terminals of the transistors N101 and N102, respectively.

また、出力トランスコンダクタ102を構成する差動対のnチャンネルMOSトランジスタN107及びN108の各ソース端子が、電流源Is0を構成する各nチャンネルMOSトランジスタN111及びN112を介してグラウンドに接続される。また、トランジスタN107のドレイン端子が、電流源Isn0を構成するpチャンネルMOSトランジスタP103のドレイン端子に接続されるとともに、トランジスタN108のドレイン端子が、同じく電流源Isp0を構成するpチャンネルMOSトランジスタP104のドレイン端子に接続される。トランジスタN107とN108のドレイン端子とゲート端子が、それぞれダイオード接続されている。さらにトランジスタN107及びN108のソース端子間には、トランスコンダクタンス値を調整するためのnチャンネルMOSトランジスタN109及びN110が接続されている。 Further, the source terminal of the n-channel MOS transistors N107 and N108 of the differential pair constituting the output transconductor 102 is connected to ground via a respective n-channel MOS transistors N111 and N112 constitute a current source Is 2 0 . The drain terminal of the transistor N107 is connected to the drain terminal of the p-channel MOS transistor P103 constituting the current source Isn0, and the drain terminal of the transistor N108 is the drain of the p-channel MOS transistor P104 also constituting the current source Isp0. Connected to the terminal. The drain terminals and gate terminals of the transistors N107 and N108 are diode-connected, respectively. Further, n-channel MOS transistors N109 and N110 for adjusting the transconductance value are connected between the source terminals of the transistors N107 and N108.

そして、出力トランスコンダクタ102の出力ノード、すなわちトランジスタN107及びN108の各ドレイン端子よりそれぞれ出力信号Von0,Vop0が取り出される。   The output signals Von0 and Vop0 are taken out from the output node of the output transconductor 102, that is, the drain terminals of the transistors N107 and N108, respectively.

トランジスタN105,N106,N111,N112の各ゲート端子にはそれぞれ電圧Vbc0が印加されている。 A voltage Vbc0 is applied to each gate terminal of the transistors N105, N106, N111, and N112.

また、入力及び出力トランスコンダクタ101,102のバイアス用電流源Isn0を構成するトランジスタP101とP103が直列接続されるとともに、同じく電流源Isp0を構成するトランジスタP102とP104が直列接続される。そして、トランジスタP101とP102のソース端子が共通接続されて、電圧Vccを供給する電源と結合している。   Transistors P101 and P103 constituting the bias current source Isn0 of the input and output transconductors 101 and 102 are connected in series, and transistors P102 and P104 also constituting the current source Isp0 are connected in series. The source terminals of the transistors P101 and P102 are connected in common and coupled to a power supply that supplies the voltage Vcc.

また、トランジスタN107のドレイン端子と同相出力電圧を得る抵抗素子R0の一端が接続され、トランジスタN108のドレイン端子と同じく抵抗素子R0の一端が接続され、抵抗素子R0及びR0の他端を接続する。そして、抵抗素子R0とR0の接続中点をCMFB回路103の入力ノードであるnチャンネルMOSトランジスタN113のゲート端子に接続する。 One end of the resistance element R 1 0 to obtain the drain terminal and the common mode output voltage of the transistor N107 is connected, one end of the same resistive element R 2 0 and the drain terminal of the transistor N108 is connected, the resistance element R 1 0 and R 2 Connect the other end of 0. Then, the midpoint of connection between the resistance elements R 1 0 and R 2 0 is connected to the gate terminal of the n-channel MOS transistor N113 which is an input node of the CMFB circuit 103.

CMFB回路103において、トランジスタN113と差動対をなすnチャンネルMOSトランジスタN114のソース端子とトランジスタN113のソース端子を共通接続し、電圧Vbn0が印加されるnチャンネルMOSトランジスタN115を介してグラウンドに接続される。   In the CMFB circuit 103, the source terminal of the n-channel MOS transistor N114 forming a differential pair with the transistor N113 and the source terminal of the transistor N113 are connected in common and connected to the ground via the n-channel MOS transistor N115 to which the voltage Vbn0 is applied. The

差動対トランジスタN113及びN114のドレインノードは、pチャンネルMOSトランジスタP105,P106,P107,P108から構成されるカレントミラー回路と接続されている。すなわち、トランジスタN113のドレイン端子は、トランジスタP107のドレイン端子と共通接続され、このトランジスタP107と直列に接続されたトランジスタP105を介して電源に接続される。同様に、トランジスタN114のドレイン端子は、トランジスタP108のドレイン端子と共通接続され、このトランジスタP108と直列に接続されたトランジスタP106を介して電源に接続される。トランジスタP107のドレイン端子とトランジスタP105及びP106のゲート端子が接続されている。   The drain nodes of the differential pair transistors N113 and N114 are connected to a current mirror circuit composed of p-channel MOS transistors P105, P106, P107, and P108. That is, the drain terminal of the transistor N113 is commonly connected to the drain terminal of the transistor P107, and is connected to the power supply via the transistor P105 connected in series with the transistor P107. Similarly, the drain terminal of the transistor N114 is commonly connected to the drain terminal of the transistor P108, and is connected to the power supply via the transistor P106 connected in series with the transistor P108. The drain terminal of the transistor P107 and the gate terminals of the transistors P105 and P106 are connected.

トランジスタP103及びP104、トランジスタP107とP108の各ゲート端子には電圧Vbp0が印加される。また、トランジスタN114のゲート端子には電圧源が接続され、同相出力電圧と比較される基準電位VCM0が印加される。 A voltage Vbp0 is applied to the gate terminals of the transistors P103 and P104 and the transistors P107 and P108. A voltage source is connected to the gate terminal of the transistor N114, the reference potential V CM 0 which is compared with the common mode output voltage.

上記差動対トランジスタの出力ノード、すなわちトランジスタN114のドレイン端子は、トランジスタP101,P102のゲート端子に接続される。   The output node of the differential pair transistor, that is, the drain terminal of the transistor N114 is connected to the gate terminals of the transistors P101 and P102.

そして、CMFB回路103の位相補償回路として、トランジスタN114のドレイン端子と容量素子C0及びC0の一端がそれぞれ接続されるとともに、容量素子C0の他端が出力トランスコンダクタ102のトランジスタN107のドレイン端子に、容量素子C0の他端が出力トランスコンダクタ102のトランジスタN108のドレイン端子に接続される。 As the phase compensation circuit of the CMFB circuit 103, the drain terminal of the transistor N114 and one end of each of the capacitive elements C 10 and C 2 0 are connected, and the other end of the capacitive element C 10 is the transistor of the output transconductor 102. The other end of the capacitive element C 20 is connected to the drain terminal of the transistor N108 of the output transconductor 102 to the drain terminal of N107.

図9において、CMFB回路103は、まず、差動増幅回路の同相出力電位を検出する。これは抵抗R0とR0の中点電位によって得られ、基準電位VCM0との比較は差動対トランジスタN113,N114で行われる。比較結果は入出力トランスコンダクタの電流源であるP101とP102のゲート端子にフィードバックされる。 In FIG. 9, the CMFB circuit 103 first detects the common-mode output potential of the differential amplifier circuit. This is obtained by the midpoint potential of the resistors R 1 0 and R 2 0, and the comparison with the reference potential V CM 0 is performed by the differential pair transistors N113 and N114. The comparison result is fed back to the gate terminals of P101 and P102 which are current sources of the input / output transconductor.

入力及び出力トランスコンダクタの構成は勿論のこと、CMFB回路103の実現法に関しても複数の方法があり、例えば、抵抗素子R0,R0で同相電位を得る代わりに、トランジスタN113に相当する同相電位検出トランジスタを並列化し、正相・逆相出力端子をそれぞれ独立に同相電位検出トランジスタN113のゲート端子に接続してもよい。いずれにせよ基準同相電位VCM0と同相出力電位を差動増幅回路で比較することが本質である。 There are a plurality of methods for realizing the CMFB circuit 103 as well as the configuration of the input and output transconductors. For example, instead of obtaining the common-mode potential with the resistance elements R 1 0 and R 2 0, this corresponds to the transistor N113. The common-mode potential detection transistors may be arranged in parallel, and the positive-phase and negative-phase output terminals may be independently connected to the gate terminal of the common-mode potential detection transistor N113. It is essential to compare with the differential amplifier circuit a reference phase voltage V CM 0 and the common mode output potential anyway.

さらに、この比較結果によって、すなわち同相出力電位が所望の基準電位に対し高いか低いかによって、出力ノードにフィードバック同相電流が流されるのであるが、これは通常、トランスコンダクタにバイアス電流を流している負荷トランジスタによって行われる。したがって、図9の例ではpチャンネル側電流源にフィードバックを掛けているが、nチャンネル側、すなわち、トランジスタN105,N106,N111,N112にフィードバックすることも可能である。   Further, according to this comparison result, that is, depending on whether the common-mode output potential is higher or lower than the desired reference potential, a feedback common-mode current is caused to flow to the output node, which normally causes a bias current to flow to the transconductor. This is done by a load transistor. Therefore, although feedback is applied to the p-channel side current source in the example of FIG. 9, it is also possible to feed back to the n-channel side, that is, the transistors N105, N106, N111, and N112.

ここで、CMFBループの位相補償について説明する。図10は、CMFBループについての小信号等価回路を示す。図10において、Rは出力トランスコンダクタ102の同相出力抵抗、Coは出力トランスコンダクタ102の負荷容量の同相成分及び寄生容量である。また、gは出力トランスコンダクタ102の出力電圧の同相成分を検出するトランジスタN113のトランスコンダクタンス、gはトランジスタN107とN108の電流源負荷を形成するトランジスタP101とP102のトランスコンダクタンスであり、Rfは出力トランスコンダクタ102の出力電圧の同相成分を検出する差動回路の出力抵抗、CfはトランジスタP101とP102のゲート端子の入力容量及びCMFB回路103の出力ノードに付随する寄生容量である。 Here, the phase compensation of the CMFB loop will be described. FIG. 10 shows a small signal equivalent circuit for the CMFB loop. In FIG. 10, R 0 is the common-mode output resistance of the output transconductor 102, and Co is the common-mode component of the load capacitance of the output transconductor 102 and the parasitic capacitance. Further, g s is the transconductance of the output transconductance of the transistor N113 for detecting the phase component of the output voltage of the transconductor 102, g f transistors P101 to form a current source load of the transistor N107 and N108 and P102, R f output output resistance of the differential circuit for detecting the phase component of the output voltage of the transconductor 102, the C f is a parasitic capacitance associated with the output node of the input capacitor and the CMFB circuit 103 of the gate terminal of the transistor P101 and P102.

同相出力電圧VはトランジスタN113、すなわちトランスコンダクタンスgで電流変換されCMFB回路103の出力ノードの負荷R,Cを駆動し、出力トランスコンダクタ102のバイアス電流源であるトランジスタP101,P102、すなわちトランスコンダクタンスgが同相出力ノードのR,Cを駆動し同相出力電圧Vにネガティブフィードバックがかかる。 The common-mode output voltage V O is converted into current by the transistor N113, that is, transconductance g s , drives the loads R f and C f at the output node of the CMFB circuit 103, and transistors P101 and P102, which are bias current sources of the output transconductor 102, That is, the transconductance g f drives R o and C o of the common-mode output node, and negative feedback is applied to the common-mode output voltage V o .

図9及び図10から理解されるとおり、CMFBループは高インピーダンスノードを2つ持つ2極(2pole)特性であるため、ループ安定性を保つためにミラー(Miller)補償による分極(pole-sprit)が一般的に行われている。これは特に先行例を示すまでもないが、例えば古くはPaul R。 Gray and Robert G。Meyer、 ”Analysis and Design of Analog Integrated Circuits、” John Wiley & Sons、 1977 に詳しく記述されている。
特開2002−314374号公報
As can be understood from FIGS. 9 and 10, since the CMFB loop has a two-pole characteristic with two high impedance nodes, a pole-sprit by Miller compensation is required to maintain loop stability. Is generally done. This is not necessarily a precedent, but for example, Paul R in the old days. Gray and Robert G. Meyer, “Analysis and Design of Analog Integrated Circuits,” John Wiley & Sons, 1977.
JP 2002-314374 A

図11は、図10のCMFBループにミラー補償を施した小信号等価回路を示すものである。しかしながら、図9を見ると分かるように、CMFBループの位相補償に不可欠なミラー補償容量Cc0は、同時に、差動増幅回路の出力ノードに接続された差動負荷容量となっている。このため、CMFBループの位相補償によって、差動増幅回路としての帯域が制限される結果となっている。   FIG. 11 shows a small signal equivalent circuit in which the CMFB loop of FIG. 10 is subjected to mirror compensation. However, as can be seen from FIG. 9, the mirror compensation capacitor Cc0 indispensable for the phase compensation of the CMFB loop is simultaneously a differential load capacitor connected to the output node of the differential amplifier circuit. For this reason, the bandwidth of the differential amplifier circuit is limited by the phase compensation of the CMFB loop.

同様に、特許文献1に記載のものについても、差動増幅回路の出力ノードに接続された位相補償用の容量素子が差動負荷容量となっている。また、特許文献1に記載のものは、差動対トランジスタのソース端子が直に接地されており、同相出力電位が高くなる。   Similarly, in the case of the device described in Patent Document 1, the capacitive element for phase compensation connected to the output node of the differential amplifier circuit is a differential load capacitance. In the device described in Patent Document 1, the source terminal of the differential pair transistor is directly grounded, and the common-mode output potential is high.

以上のことから、差動増幅回路の信号帯域を制限することなく、安定に、同相出力電位を所望の設定電位に設定することができるCMFB位相補償が望まれていた。   From the above, there has been a demand for CMFB phase compensation that can stably set the common-mode output potential to a desired set potential without limiting the signal band of the differential amplifier circuit.

斯かる点に鑑み、本発明は、同相出力電位を安定に所望の設定電位に設定することができるように位相補償を施したCMFBループを構成し、帯域幅を広げることができる差動増幅回路を提供することを目的とする。   In view of such a point, the present invention provides a differential amplifier circuit that can form a CMFB loop subjected to phase compensation so that the in-phase output potential can be stably set to a desired set potential, and can widen the bandwidth. The purpose is to provide.

上記課題を解決し、目的を達成するため、本発明の第1の手段は、第1の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第1トランジスタと、第2の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第2トランジスタから構成されたトランスコンダクタと、第1及び第2トランジスタの出力端子から得られた出力信号の同相成分と基準信号の比較結果に応じた制御信号を出力する同相フィードバック回路と、この同相フィードバック回路の制御信号に応じた電流を、トランスコンダクタンスの第1及び第2トランジスタに供給する電流源と、同相フィードバック回路の出力端子と第1トランジスタのソース端子間に接続されている第1容量素子と、同相フィードバック回路の出力端子と第2トランジスタのソース端子間に接続されている第2容量素子とを有することを特徴とする。   In order to solve the above problems and achieve the object, the first means of the present invention includes a first transistor in which a first output terminal, a gate terminal and a drain terminal are connected to each other, a second output terminal and a gate terminal. And a control signal corresponding to the comparison result of the reference signal and the in-phase component of the output signal obtained from the output terminals of the first and second transistors and the transconductor composed of the second transistor whose drain terminals are connected to each other The common-mode feedback circuit, a current source that supplies a current according to the control signal of the common-mode feedback circuit to the first and second transistors of the transconductance, and an output terminal of the common-mode feedback circuit and a source terminal of the first transistor. Between the connected first capacitive element, the output terminal of the common-mode feedback circuit, and the source terminal of the second transistor And having a second capacitance element that has been continued.

また、本発明の第2の手段は、第1の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第1トランジスタと、第2の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第2トランジスタから構成されたトランスコンダクタと、第1及び第2トランジスタの出力端子から得られた出力信号の同相成分と基準信号の比較結果に応じた制御信号を出力する同相フィードバック回路と、この同相フィードバック回路の制御信号に応じた電流を、トランスコンダクタンスの第1及び第2トランジスタに供給する電流源と、同相フィードバック回路の出力端子と、第1及び第2出力端子にそれぞれ接続された出力信号の同相成分を取り出す第1及び第2の抵抗素子の中点と接続されている容量素子とを有することを特徴とする。   The second means of the present invention is a first transistor in which the first output terminal, the gate terminal and the drain terminal are connected to each other, and the second output terminal, the gate terminal and the drain terminal are connected to each other. A common mode feedback circuit for outputting a control signal corresponding to a comparison result of a reference signal and a common signal of an output signal obtained from the output terminals of the first and second transistors, a transconductor composed of transistors, and the common mode feedback circuit; Common-mode components of the output signal connected to the current source for supplying the current corresponding to the control signal to the first and second transistors of the transconductance, the output terminal of the common-mode feedback circuit, and the first and second output terminals, respectively. And a capacitive element connected to the middle point of the first and second resistance elements.

斯かる本発明の第1及び第2の手段によれば、位相補償用に設けた容量素子の一端が、同相フィードバック回路の出力端子と接続され、他端がトランスコンダクタのソース端子側、あるいは出力信号の同相成分を取り出す各抵抗素子の中点と接続されているので、上記容量素子が直接の負荷容量とはならず、差動増幅回路の信号帯域を大きく制限することなく、安定な同相フィードバックループを実現し、同相出力電位を所望の電位に設定することができる。   According to the first and second means of the present invention, one end of the capacitive element provided for phase compensation is connected to the output terminal of the common-mode feedback circuit, and the other end is connected to the source terminal side of the transconductor or the output. Since it is connected to the middle point of each resistive element that extracts the common-mode component of the signal, the capacitive element does not become a direct load capacitance, and stable common-mode feedback without greatly limiting the signal bandwidth of the differential amplifier circuit A loop can be realized and the common-mode output potential can be set to a desired potential.

本発明によれば、差動増幅回路の信号帯域を制限することなく、安定に、同相出力電位を所望の設定電位に設定することが出来るCMFB位相補償方式を可能とし、結果として、消費電力や歪みなど他の一切の性能を犠牲にすることなく、差動増幅回路の帯域幅を広げることができるという効果がある。   According to the present invention, a CMFB phase compensation method capable of stably setting the common-mode output potential to a desired set potential without limiting the signal band of the differential amplifier circuit is enabled. There is an effect that the bandwidth of the differential amplifier circuit can be increased without sacrificing any other performance such as distortion.

以下、図1〜図3を参照して、本発明の一実施の形態の例について説明する。   Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は、本発明の一実施の形態の例の概略構成を示す図であり、本例の概念を示すものである。図1に示される例は、入力トランスコンダクタ1、出力トランスコンダクタ2、各トランスコンダクタの電流源Is,Is、同相フィードバック回路(以下、「CMFB回路」と称する。)3、位相補償容量Cc1、入力トランスコンダクタ1及び出力トランスコンダクタ2をバイアスする電流源Isp,Isnより構成する。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of an embodiment of the present invention, and shows a concept of this example. The example shown in FIG. 1 includes an input transconductor 1, an output transconductor 2, current sources Is 1 and Is 2 of each transconductor, an in-phase feedback circuit (hereinafter referred to as a “CMFB circuit”) 3, and a phase compensation capacitor Cc1. The input transconductor 1 and the output transconductor 2 are constituted by current sources Isp and Isn for biasing.

まず、入力トランスコンダクタ1を、MOSトランジスタからなる差動対トランジスタより構成し、各ゲート端子に差動対入力信号Vip,Vinを入力し、差動対トランジスタのソース端子側とグラウンド間に電流源Isを設ける。そして、入力信号Vipが入力されるトランジスタの出力端子は、出力トランスコンダクタ2を構成する差動対トランジスタの一方のトランジスタのドレイン端子側に接続するとともに、入力信号Vinが入力されるトランジスタの出力端子は、上記差動対トランジスタの他方のトランジスタのドレイン端子側に接続する。 First, the input transconductor 1 is composed of a differential pair transistor composed of MOS transistors, the differential pair input signals Vip and Vin are inputted to the respective gate terminals, and a current source is connected between the source terminal side of the differential pair transistor and the ground. Is 1 is provided. The output terminal of the transistor to which the input signal Vip is input is connected to the drain terminal side of one of the differential pair transistors constituting the output transconductor 2, and the output terminal of the transistor to which the input signal Vin is input. Is connected to the drain terminal side of the other transistor of the differential pair transistor.

この出力トランスコンダクタ2の差動対トランジスタは、それぞれドレイン端子側を負荷電流源Isn,Ispに接続する。電流源Isn,Ispはそれぞれ電圧Vccが供給される電源に接続されている。また、差動対トランジスタの各トランジスタのドレイン端子とゲート端子を接続するとともに、差動対トランジスタのソース端子側とグラウンド間に電流源Isを設ける。 The differential pair transistors of the output transconductor 2 have drain terminal sides connected to load current sources Isn and Isp, respectively. The current sources Isn and Isp are each connected to a power source to which a voltage Vcc is supplied. Further, while connecting the drain terminal and the gate terminal of each transistor of the differential pair transistors, providing the current source Is 2 between the source terminal side and the ground of the differential pair transistors.

さらに、出力トランスコンダクタ2を構成する差動対トランジスタの各ドレイン端子を、CMFB回路3の入力端子へ接続する。また、位相補償用の容量素子C及びCを、CMFB回路3の出力端子と差動対トランジスタのソース間にそれぞれ接続する。 Further, each drain terminal of the differential pair transistor constituting the output transconductor 2 is connected to an input terminal of the CMFB circuit 3. Further, phase compensation capacitive elements C 1 and C 2 are connected between the output terminal of the CMFB circuit 3 and the source of the differential pair transistor, respectively.

CMFB回路3は、出力トランスコンダクタ2より入力される出力電圧Von及びVopの同相電位と基準電位(図1には図示せず)との差に応じた制御信号を、その出力端子から電流源Isn,Ispに入力して入出力トランスコンダクタ1,2にバイアスする電流値を制御する。   The CMFB circuit 3 sends a control signal corresponding to the difference between the common-mode potential of the output voltages Von and Vop input from the output transconductor 2 and a reference potential (not shown in FIG. 1) from its output terminal to the current source Isn. , Isp to control the current value biased to the input / output transconductors 1 and 2.

次に、図1に示される本実施の形態の差動増幅回路の動作を説明する。始めに、差動入力信号Vip及びVinが、入力トランスコンダクタ1を構成する差動対トランジスタの各ゲート端子間に印加される。ここに、トランスコンダクタの具体的実現法には様々な例があるが、その本質は、差動入力電圧に比例した差動出力電流が得られることである。図1では差動出力電流はドレイン電流として得られ、出力トランスコンダクタ2で再び電流−電圧変換される。   Next, the operation of the differential amplifier circuit of the present embodiment shown in FIG. 1 will be described. First, the differential input signals Vip and Vin are applied between the gate terminals of the differential pair transistors constituting the input transconductor 1. Here, there are various examples of specific implementation methods of the transconductor, but the essence is that a differential output current proportional to the differential input voltage can be obtained. In FIG. 1, the differential output current is obtained as a drain current, and is subjected to current-voltage conversion again by the output transconductor 2.

出力トランスコンダクタ2は、入力トランスコンダクタ1と同一構成であり、図1に示すように、差動対トランジスタがそれぞれダイオード接続されることで、その差動入出力が短絡接続され、等価抵抗〔1/gm2〕(gm2;出力トランスコンダクタンス〕を実現している。これによって、入力トランスコンダクタ1で生じたドレイン電流変化分は、出力トランスコンダクタ2のドレイン電流変化分となり、その結果、出力差動対トランジスタのゲート端子間に差動出力電圧を発生させる。したがって、電圧ゲインAvは、入力トランスコンダクタンスをgm1として、Av=gm1/gm2と表される。   The output transconductor 2 has the same configuration as the input transconductor 1 and, as shown in FIG. 1, the differential pair transistors are diode-connected, so that the differential input / output is short-circuited, and the equivalent resistance [1 / Gm2] (gm2; output transconductance), so that the drain current change generated in the input transconductor 1 becomes the drain current change in the output transconductor 2, and as a result, the output differential pair Therefore, a differential output voltage is generated between the gate terminals of the transistors, so that the voltage gain Av is expressed as Av = gm1 / gm2 where the input transconductance is gm1.

ここで、図1の例の差動増幅回路の同相出力はこのままでは高インピーダンスであるので、CMFB回路3によって、所望の同相出力電位に設定する必要がある。CMFB回路3の機能は同相出力電位をモニターし、設定電位との差をネガティブフィードバック(負帰還)し、同相出力電位を設定電位に設定することであるが、図1に示すように入出力トランスコンダクタ1,2をバイアスする定電流源Isn,Ispに制御用の信号をフィードバックする。   Here, since the common-mode output of the differential amplifier circuit in the example of FIG. 1 is high impedance as it is, it is necessary to set the desired common-mode output potential by the CMFB circuit 3. The function of the CMFB circuit 3 is to monitor the common-mode output potential, perform negative feedback (negative feedback) on the difference from the set potential, and set the common-mode output potential to the set potential. As shown in FIG. A control signal is fed back to the constant current sources Isn and Isp for biasing the conductors 1 and 2.

図2は、図1に示す差動増幅回路の具体的な回路構成例を示したものである。図2において、図1と照らし合わせると、nチャンネルMOSトランジスタN1〜N4が入力トランスコンダクタ1を構成し、nチャンネルMOSトランジスタN7〜N10が出力トランスコンダクタ2を構成する。また、nチャンネルMOSトランジスタN5,N6,N11,N12、pチャンネルMOSトランジスタP1〜P4は、それぞれ定電流源Is,Is,Isn,Ispを構成し、pチャンネルMOSトランジスタP5〜P8、nチャンネルMOSトランジスタN13〜N15はCMFB回路3を構成している。 FIG. 2 shows a specific circuit configuration example of the differential amplifier circuit shown in FIG. In FIG. 2, n-channel MOS transistors N1 to N4 constitute the input transconductor 1 and n-channel MOS transistors N7 to N10 constitute the output transconductor 2 in comparison with FIG. The n-channel MOS transistors N5, N6, N11, N12, and the p-channel MOS transistors P1 to P4 constitute constant current sources Is 1 , Is 2 , Isn, and Isp, respectively, and p-channel MOS transistors P5 to P8, n-channel The MOS transistors N13 to N15 constitute the CMFB circuit 3.

入力トランスコンダクタ1を構成する差動対のnチャンネルMOSトランジスタN1及びN2の各ソース端子を、電流源Isを構成する各nチャンネルMOSトランジスタN5及びN6を介してグラウンドに接続する。また、トランジスタN1のドレイン端子を、電流源Isnを構成するpチャンネルMOSトランジスタP1のドレイン端子に接続するとともに、トランジスタN2のドレイン端子を、同じく電流源Ispを構成するpチャンネルMOSトランジスタP2のドレイン端子に接続する。 Each source terminal of the n-channel MOS transistors N1 and N2 of the differential pair constituting the input transconductor 1, connected to ground via a respective n-channel MOS transistors N5 and N6 constituting a current source Is 1. The drain terminal of the transistor N1 is connected to the drain terminal of the p-channel MOS transistor P1 constituting the current source Isn, and the drain terminal of the transistor N2 is connected to the drain terminal of the p-channel MOS transistor P2 also constituting the current source Isp. Connect to.

さらにトランジスタN1及びN2のソース端子間には、トランスコンダクタンス値を調整するためのNチャンネルMOSトランジスタN3及びN4を接続する。トランジスタN3とN4は、3極管領域で動作するので、以下、これらを3極管領域トランジスタという。トランジスタN3のゲート端子をトランジスタN1のゲート端子に接続することで、差動入力電圧の一方の入力電圧Vipを入力する。また、トランジスタN4のゲート端子をトランジスタN2のゲート端子に接続することで、差動入力電圧の他方の入力電圧Vinを入力する。3極管領域トランジスタN3とN4を用いることで、トランスコンダクタの線形性が向上し、大振幅入力時に並列に接続されている3極管領域トランジスタの一方のゲート電圧が上がることで、そのオン抵抗が下がり、トランスコンダクタンスの低下を相殺することができる。   Further, N-channel MOS transistors N3 and N4 for adjusting the transconductance value are connected between the source terminals of the transistors N1 and N2. Since the transistors N3 and N4 operate in the triode region, these are hereinafter referred to as a triode region transistor. One input voltage Vip of the differential input voltage is inputted by connecting the gate terminal of the transistor N3 to the gate terminal of the transistor N1. Further, the other input voltage Vin of the differential input voltage is input by connecting the gate terminal of the transistor N4 to the gate terminal of the transistor N2. By using the triode region transistors N3 and N4, the linearity of the transconductor is improved, and when the gate voltage of one of the triode region transistors connected in parallel at the time of large amplitude input is increased, the on-resistance is increased. Decreases, and the decrease in transconductance can be offset.

また、出力トランスコンダクタ2を構成する差動対のnチャンネルMOSトランジスタN7及びN8の各ソース端子を、電流源Isを構成する各nチャンネルMOSトランジスタN11及びN12を介してグラウンドに接続する。また、トランジスタN7のドレイン端子を、電流源Isnを構成するpチャンネルMOSトランジスタP3のドレイン端子に接続するとともに、トランジスタN8のドレイン端子を、同じく電流源Ispを構成するpチャンネルMOSトランジスタP4のドレイン端子に接続する。トランジスタN7とN8のドレイン端子とゲート端子を、それぞれダイオード接続する。 Moreover, to connect the respective source terminals of n-channel MOS transistors N7 and N8 of the differential pair constituting the output transconductor 2, to ground via a respective n-channel MOS transistors N11 and N12 constitute a current source Is 2. The drain terminal of the transistor N7 is connected to the drain terminal of the p-channel MOS transistor P3 constituting the current source Isn, and the drain terminal of the transistor N8 is connected to the drain terminal of the p-channel MOS transistor P4 also constituting the current source Isp. Connect to. The drain terminals and gate terminals of the transistors N7 and N8 are diode-connected, respectively.

さらにトランジスタN7及びN8のソース端子間には、入力トランスコンダクタ1と同様に、トランスコンダクタンス値を調整するためのnチャンネルMOSトランジスタN9及びN10の3極管領域トランジスタを接続している。   Further, similarly to the input transconductor 1, the triode region transistors of n-channel MOS transistors N9 and N10 for adjusting the transconductance value are connected between the source terminals of the transistors N7 and N8.

そして、出力トランスコンダクタ2の出力ノード、すなわちトランジスタN7及びN8の各ドレイン端子よりそれぞれ出力信号Von,Vonを取り出す。   Then, output signals Von and Von are respectively taken out from the output node of the output transconductor 2, that is, the drain terminals of the transistors N7 and N8.

トランジスタN5,N6,N11,N12の各ゲート端子にはそれぞれ電圧Vbcが印加されている。   A voltage Vbc is applied to each gate terminal of the transistors N5, N6, N11, and N12.

また、入力及び出力トランスコンダクタ1,2のバイアス用電流源Isnを構成するトランジスタP1とP3を直列接続するとともに、同じく電流源Ispを構成するトランジスタP2とP4を直列接続する。そして、トランジスタP1とP2のソース端子を共通接続して、電圧Vccを供給する電源と結合する。   The transistors P1 and P3 constituting the bias current source Isn of the input and output transconductors 1 and 2 are connected in series, and the transistors P2 and P4 also constituting the current source Isp are connected in series. The source terminals of the transistors P1 and P2 are connected in common and coupled to a power source that supplies the voltage Vcc.

また、トランジスタN7のドレイン端子と同相出力電圧を得る抵抗素子Rの一端を接続し、トランジスタN8のドレイン端子と同じく抵抗素子Rの一端を接続して、抵抗素子R及びRの他端を接続する。そして、抵抗素子RとRの接続中点をCMFB回路3の入力ノードであるnチャンネルMOSトランジスタN13のゲート端子に接続する。 Also, connect one end of the resistance element R 1 to obtain the drain terminal and the common mode output voltage of the transistor N7, and connect the same end of the resistance element R 2 and the drain terminal of the transistor N8, other resistive elements R 1 and R 2 Connect the ends. Then, the midpoint of connection between the resistance elements R 1 and R 2 is connected to the gate terminal of the n-channel MOS transistor N 13 that is the input node of the CMFB circuit 3.

CMFB回路3においては、トランジスタN13と差動対をなすnチャンネルMOSトランジスタN14のソース端子及びトランジスタN13のソース端子を共通接続し、電圧Vbnが印加されるnチャンネルMOSトランジスタN15を介してグラウンドに接続する。   In the CMFB circuit 3, the source terminal of the n-channel MOS transistor N14 that forms a differential pair with the transistor N13 and the source terminal of the transistor N13 are connected in common and connected to the ground via the n-channel MOS transistor N15 to which the voltage Vbn is applied. To do.

差動対トランジスタN13及びN14のドレインノードを、pチャンネルMOSトランジスタP5,P6,P7,P8から構成されるカレントミラー回路と接続する。すなわち、トランジスタN13のドレイン端子を、トランジスタP7のドレイン端子と共通接続し、このトランジスタP7と直列に接続されたトランジスタP5を介して電圧Vccが供給される電源に接続する。同様に、トランジスタN14のドレイン端子を、トランジスタP8のドレイン端子と共通接続し、このトランジスタP8と直列に接続されたトランジスタP6を介して電源Vccが供給される電源に接続する。さらにトランジスタP7のドレイン端子とトランジスタP5及びP6のゲート端子を接続する。   The drain nodes of the differential pair transistors N13 and N14 are connected to a current mirror circuit composed of p-channel MOS transistors P5, P6, P7 and P8. That is, the drain terminal of the transistor N13 is commonly connected to the drain terminal of the transistor P7, and is connected to a power source to which the voltage Vcc is supplied via the transistor P5 connected in series with the transistor P7. Similarly, the drain terminal of the transistor N14 is commonly connected to the drain terminal of the transistor P8, and is connected to a power source to which the power source Vcc is supplied via the transistor P6 connected in series with the transistor P8. Further, the drain terminal of the transistor P7 and the gate terminals of the transistors P5 and P6 are connected.

トランジスタP3及びP4、トランジスタP7とP8の各ゲート端子には電圧Vbpが印加される。また、トランジスタN14のゲート端子には電圧源が接続され、同相出力電圧と比較される基準電位VCMが印加される。 A voltage Vbp is applied to the gate terminals of the transistors P3 and P4 and the transistors P7 and P8. A voltage source is connected to the gate terminal of the transistor N14, the reference potential V CM to be compared with the common mode output voltage.

上記差動対トランジスタの出力ノード、すなわちトランジスタN14のドレイン端子を、入力及び出力トランスコンダクタ1,2のバイアス電流源のトランジスタP1及びP2のゲート端子に接続する。   The output node of the differential pair transistor, that is, the drain terminal of the transistor N14 is connected to the gate terminals of the transistors P1 and P2 of the bias current source of the input and output transconductors 1 and 2.

そして、CMFBループの位相補償回路として、容量素子CをCMFB回路3の出力ノードであるトランジスタN14のドレイン端子と、出力トランスコンダクタ2のトランジスタN7のソース端子間に接続する。同様に、容量素子CをトランジスタN14のドレイン端子と、トランジスタN8のソース端子間に接続する。 As a CMFB loop phase compensation circuit, the capacitive element C 1 is connected between the drain terminal of the transistor N 14 that is the output node of the CMFB circuit 3 and the source terminal of the transistor N 7 of the output transconductor 2. Similarly, to connect the capacitor C 2 and the drain terminal of the transistor N14, between the source terminal of the transistor N8.

上述した図2において、CMFB回路3は、まず、差動増幅回路の同相出力電位を検出する。これは抵抗素子RとRの中点電位によって得られ、基準電位VCMとの比較は差動対トランジスタN13,N14で行われる。そして、比較結果に応じて、すなわち同相出力電位が所望の基準電位に対し高いか低いかによって出力ノードにフィードバック同相電流が流される。なお、これはトランスコンダクタンスにバイアス電流を流している負荷トランジスタによって行われる。 In FIG. 2 described above, the CMFB circuit 3 first detects the common-mode output potential of the differential amplifier circuit. This is obtained by the midpoint potential of the resistive element R 1 and R 2, compared with the reference potential V CM is carried out in the differential pair transistors N13, N14. Then, according to the comparison result, that is, depending on whether the common-mode output potential is higher or lower than the desired reference potential, a feedback common-mode current is passed through the output node. Note that this is done by a load transistor that passes a bias current through the transconductance.

図2の例と、従来の実施例との違いは、ミラー補償容量の一端がCMFB回路3の出力ノードと接続され、他端が出力トランスコンダクタ2のソース端子と接続されることで、差動増幅回路の出力ノードには位相補償容量が接続されていない点である。このためミラー補償容量が直接の差動負荷容量とはならず、増幅回路の帯域を大きく制限することなく、安定なCMFBループを実現し、同相出力電位を所望の電位に設定することが可能となる。   The difference between the example of FIG. 2 and the conventional example is that one end of the Miller compensation capacitor is connected to the output node of the CMFB circuit 3 and the other end is connected to the source terminal of the output transconductor 2. The phase compensation capacitor is not connected to the output node of the amplifier circuit. For this reason, the mirror compensation capacitance does not become a direct differential load capacitance, and a stable CMFB loop can be realized and the common-mode output potential can be set to a desired potential without greatly limiting the bandwidth of the amplifier circuit. Become.

なお、上述のように、通常はトランスコンダクタにバイアス電流を流している負荷トランジスタに対して行われる。したがって、図2の例では、pチャンネル側電流源のトランジスタP1,P2にフィードバックを掛けているが、nチャンネル側、すなわち、トランジスタN5,N6,N11,N12にフィードバックするようにしてもよい。   As described above, this is usually performed for a load transistor in which a bias current is passed through the transconductor. Therefore, in the example of FIG. 2, feedback is applied to the transistors P1 and P2 of the p-channel side current source, but feedback may be made to the n-channel side, that is, the transistors N5, N6, N11, and N12.

また、図2の具体的な回路例においては、入力トランスコンダクタ1及び出力トランスコンダクタ2のバイアス電流はそれぞれ、トランジスタN5、N6及びN11、N12で決まり、独立に可変していない。そこで、それぞれのゲート端子を独立バイアスし、その結果、入力トランスコンダクタ1及び出力トランスコンダクタ2のバイアス電流を独立可変とすることで、増幅率を可変する、すなわち可変ゲインアンプ(VGA)として利用することも勿論可能である。この場合も当然、本発明を適用することができる。   In the specific circuit example of FIG. 2, the bias currents of the input transconductor 1 and the output transconductor 2 are determined by the transistors N5, N6 and N11, N12, respectively, and are not varied independently. Therefore, the respective gate terminals are independently biased, and as a result, the bias currents of the input transconductor 1 and the output transconductor 2 are independently variable, so that the amplification factor can be varied, that is, used as a variable gain amplifier (VGA). Of course it is also possible. Of course, the present invention can also be applied to this case.

また、三極管領域で動作するトランジスタN3,N4,N9,N10は、各トランスコンダクタの線形性を向上させる目的で設置されているが、応用例に応じて、固定抵抗への置き換えや、また、これらを削除し入力差動対のソース端子同士を短絡接続するといった構成とすることもできる。   The transistors N3, N4, N9, and N10 that operate in the triode region are installed for the purpose of improving the linearity of each transconductor. And the source terminals of the input differential pair can be short-circuited to each other.

次に、図2に示した本発明の一実施の形態の変形例について説明する。図3は、本発明の一実施の形態の変形例を示す回路図である。本例の入力及び出力トランスコンダクタ1,2の構成は勿論のこと、CMFB回路の実現法に関しても複数の方法が考えられる。例えば、図2に示されているように、抵抗素子R,Rで同相電位を得る代わりに、トランジスタN13に相当する同相電位検出トランジスタを並列化し、正相・逆相出力端子をそれぞれ独立に同相電位検出トランジスタのゲート端子に接続してもよい。いずれにせよ基準同相電位VCMと同相出力電位を差動増幅回路で比較することができればよい。 Next, a modification of the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a modification of the embodiment of the present invention. In addition to the configuration of the input and output transconductors 1 and 2 in this example, a plurality of methods are conceivable regarding the method of realizing the CMFB circuit. For example, as shown in FIG. 2, instead of obtaining the common-mode potential by the resistance elements R 1 and R 2 , the common-mode potential detection transistors corresponding to the transistor N13 are paralleled, and the positive-phase and reverse-phase output terminals are independent from each other. May be connected to the gate terminal of the common-mode potential detection transistor. The reference phase voltage V CM and the common mode output potential anyway only has to be compared in a differential amplifier circuit.

具体的には、図3において、図2のCMFB回路3の同相電位検出トランジスタN13の代わりに、トランジスタN13n及びN13pを並列化した構成のCMFB回路13を設ける。そして、出力トランスコンダクタ2のトランジスタN8のドレイン端子をトランジスタN13pのゲート端子に接続し、トランジスタN7のドレイン端子をトランジスタN13nのゲート端子に接続する。   Specifically, in FIG. 3, a CMFB circuit 13 having a configuration in which transistors N13n and N13p are arranged in parallel is provided instead of the common-mode potential detection transistor N13 of the CMFB circuit 3 of FIG. The drain terminal of the transistor N8 of the output transconductor 2 is connected to the gate terminal of the transistor N13p, and the drain terminal of the transistor N7 is connected to the gate terminal of the transistor N13n.

上述のようにした場合、負荷抵抗がない分、差動増幅回路のゲインが下がらないという利点がある。   In the case described above, there is an advantage that the gain of the differential amplifier circuit does not decrease because there is no load resistance.

さらに、本発明の他の実施の形態の例について、図4及び図5を参照して説明する。図4は、本発明の他の実施の形態の概念を表す概略構成図である。図5は、本発明の他の実施の形態の回路構成を示す図である。   Furthermore, an example of another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing the concept of another embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of another embodiment of the present invention.

上述の図2及び図3の例では、差動信号について、線形化のための三極管動作トランジスタN9,N10と並列に位相補償容量が見えることになり、これが差動増幅回路としての帯域を制限する。この本発明の他の実施の形態の例は、この問題を排除し更に帯域を延ばすものである。   In the example of FIGS. 2 and 3 described above, a phase compensation capacitor can be seen in parallel with the triode operation transistors N9 and N10 for linearization of the differential signal, which limits the band as the differential amplifier circuit. . This example of another embodiment of the present invention eliminates this problem and further extends the bandwidth.

従来例及び図2及び図3の例との違いは、図4に示すように、ミラー補償容量Cc2の一端がCMFB回路3の出力ノードと接続され、その他端が差動増幅回路の同相出力電位を取り出すための抵抗中点と接続されることで、差動増幅回路の出力ノード、あるいは、線形化回路(ここではトランジスタN9,N10)には位相補償容量が接続されていない点である。   The difference between the conventional example and the examples of FIGS. 2 and 3 is that, as shown in FIG. 4, one end of the mirror compensation capacitor Cc2 is connected to the output node of the CMFB circuit 3, and the other end is the common-mode output potential of the differential amplifier circuit. The phase compensation capacitor is not connected to the output node of the differential amplifier circuit or the linearization circuit (here, transistors N9 and N10).

具体的には、図5に示されるように、容量素子Cの一端をCMFB回路3の出力ノードと接続するとともに、その他端を差動増幅回路の同相出力電位を取り出すための抵抗素子RとRの接続中点に接続する。同様に、容量素子Cの一端をCMFB回路3の出力ノードと接続するとともに、その他端を差動増幅回路の同相出力電位を取り出すための抵抗素子RとRの接続中点に接続する。 Specifically, as shown in FIG. 5, with connecting one end of the capacitor C 3 and the output node of the CMFB circuit 3, the resistance element R 1 for taking out the common-mode output potential of the differential amplifier circuit and other end And R 2 are connected to the midpoint of connection. Similarly, one end of the capacitive element C 4 is connected to the output node of the CMFB circuit 3, and the other end is connected to the connection middle point of the resistance elements R 1 and R 2 for extracting the common-mode output potential of the differential amplifier circuit. .

このためミラー補償容量が直接、差動負荷容量とならず、また、一切の差動信号成分がCMFBループの位相補償容量に加わらない。このため増幅回路の帯域を大きく制限することなく、安定なCMFBループを実現し、同相出力電位を所望の電位に設定することが可能となる。その他は、図1〜図3を用いて説明した実施の形態の例と同様の作用効果を奏する。   For this reason, the mirror compensation capacitance does not directly become a differential load capacitance, and no differential signal component is added to the phase compensation capacitance of the CMFB loop. Therefore, it is possible to realize a stable CMFB loop and set the common-mode output potential to a desired potential without greatly limiting the bandwidth of the amplifier circuit. The other effects are the same as those of the embodiment described with reference to FIGS.

図6に、従来及び本発明の各実施の形態におけるCMFBループのオープンループゲイン及び位相特性を示すとともに、図7に、従来及び本発明の各実施の形態における差動増幅回路のゲイン特性を示す。図6及び図7において、A1は図1に示す一実施の形態の例の特性曲線、A2は図4による他の実施の形態の例の特性曲線、Bは従来例の特性曲線を表している。   FIG. 6 shows the open loop gain and phase characteristics of the CMFB loop in the conventional and each embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows the gain characteristics of the differential amplifier circuit in the conventional and each embodiment of the present invention. . 6 and 7, A1 represents the characteristic curve of the example of the embodiment shown in FIG. 1, A2 represents the characteristic curve of the example of the other embodiment according to FIG. 4, and B represents the characteristic curve of the conventional example. .

図6において、ゲインが0dBとなる周波数での位相を見たときに、上述の実施の形態ではいずれも、−100度のラインより上側なので位相余裕は80度以上もあり,十分安定(一般に、約60度以上であれば安定していると考えられる)ことが読み取れる。すなわち、上述の実施の形態において、位相補償の方式を従来方式と変えたことによって、本来の位相補償目的に悪影響を及ぼすということがなく、十分な位相余裕が確保されており、安定なCMFBループが構成できている。なお、他の実施の形態の例によるゲイン・位相特性曲線が低域側にシフトしているが、これはどの程度高域まで(不要な)同相成分を抑圧できるかを示しているだけで、差動増幅回路としての帯域ではなく、CMFBループの帯域がわずかに下がっているだけであり、問題ない。   In FIG. 6, when looking at the phase at a frequency where the gain is 0 dB, in the above-described embodiments, the phase margin is 80 degrees or more because it is above the -100 degree line, and is sufficiently stable (in general, It can be read that it is considered to be stable at about 60 degrees or more. That is, in the above-described embodiment, the phase compensation method is changed from the conventional method, so that the original phase compensation purpose is not adversely affected and a sufficient phase margin is secured and a stable CMFB loop is obtained. Is configured. Note that the gain / phase characteristic curve according to the example of the other embodiment is shifted to the low frequency side, but this indicates only how much the (unnecessary) in-phase component can be suppressed up to, This is not a problem because the bandwidth of the CMFB loop is slightly lowered, not the bandwidth of the differential amplifier circuit.

また、図7において、従来例のバンド幅が230MHz、一実施の形態の例(図1〜図3参照)のバンド幅が445MHz、そして他の実施の形態の例(図4、図5参照)のバンド幅が775MHzとなっている。したがって、差動増幅回路の帯域が、従来例より一実施の形態の例が、さらにそれより他の実施の形態の例が大きく伸びており、本発明の目的である広帯域化が確かに達成できている、ということがいえる。   In FIG. 7, the bandwidth of the conventional example is 230 MHz, the bandwidth of the example of one embodiment (see FIGS. 1 to 3) is 445 MHz, and the example of another embodiment (see FIGS. 4 and 5). The bandwidth is 775 MHz. Accordingly, the bandwidth of the differential amplifier circuit is greatly increased in the example of one embodiment from the conventional example and further in the example of the other embodiment, and it is possible to surely achieve the wide band which is the object of the present invention. It can be said that.

以上からわかるとおり、上述した本発明の差動増幅回路によれば、CMFBループの安定性を保ちつつ、増幅回路としての帯域を大きく伸ばすことが可能となる。   As can be seen from the above, according to the above-described differential amplifier circuit of the present invention, the bandwidth of the amplifier circuit can be greatly extended while maintaining the stability of the CMFB loop.

斯かる本発明によれば、差動増幅回路の信号帯域を制限することなく、安定に、同相出力電位を所望の設定電位に設定することが出来るCMFB位相補償方式を可能とし、結果として、消費電力や歪みなど他の一切の性能を犠牲にすることなく、差動増幅回路の帯域幅を広げることができる。   According to the present invention, a CMFB phase compensation method capable of stably setting the common-mode output potential to a desired setting potential without limiting the signal band of the differential amplifier circuit is enabled, and as a result, consumption The bandwidth of the differential amplifier circuit can be increased without sacrificing any other performance such as power and distortion.

なお、上述した実施の形態の例の各トランジスタのnチャンネルとpチャンネルを入れ替えても同様の機能を持つ回路を構成することができ、同様の作用効果を得ることができる。   Note that even if the n-channel and the p-channel of each transistor in the example of the above-described embodiment are interchanged, a circuit having the same function can be configured, and the same operation effect can be obtained.

また、本発明は上述した実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を取り得ることは勿論である。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various other configurations can be taken without departing from the gist of the present invention.

本発明の一実施の形態の例の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the example of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the example of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the modification of one embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態の例の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the example of other embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the example of other embodiment of this invention. 従来及び本発明の各実施の形態におけるCMFBループのオープンループゲイン、位相特性を示す線図である。It is a diagram which shows the open loop gain and phase characteristic of the CMFB loop in the conventional and each embodiment of the present invention. 従来及び本発明の各実施の形態における差動増幅回路のゲイン特性を示す線図である。It is a diagram which shows the gain characteristic of the differential amplifier circuit in each prior art and each embodiment of this invention. 従来の増幅回路の一例の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of an example of the conventional amplifier circuit. 従来の増幅回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional amplifier circuit. CMFBループ小信号等価回路図である。It is a CMFB loop small signal equivalent circuit diagram. ミラー補償を施した小信号等価回路図である。It is a small signal equivalent circuit diagram which performed mirror compensation.

符号の説明Explanation of symbols

1…入力トランスコンダクタ、2…出力トランスコンダクタ、3…同相フィードバック回路、C,C,C,C…(位相補償用)容量素子、Isp,Isn…電流源 1 ... Input transconductor, 2 ... output transconductors, 3 ... phase feedback circuit, C 1, C 2, C 3, C 4 ... ( phase compensation) capacitive element, Isp, Isn ... current source

Claims (8)

第1の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第1トランジスタと、第2の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第2トランジスタから構成されたトランスコンダクタと、
前記第1及び第2トランジスタの出力端子から得られた出力信号の同相成分と基準信号の比較結果に応じた制御信号を出力する同相フィードバック回路と、
前記同相フィードバック回路の制御信号に応じた電流を、前記トランスコンダクタンスの前記第1及び第2トランジスタに供給する電流源と、
前記同相フィードバック回路の出力端子と前記第1トランジスタのソース端子間に接続されている第1容量素子と、
前記同相フィードバック回路の出力端子と前記第2トランジスタのソース端子間に接続されている第2容量素子と
を有することを特徴とする差動増幅回路。
A transconductor including a first transistor in which a first output terminal, a gate terminal, and a drain terminal are connected to each other; a second transistor in which a second output terminal, a gate terminal, and a drain terminal are connected to each other;
An in-phase feedback circuit that outputs a control signal according to a comparison result between the in-phase component of the output signal obtained from the output terminals of the first and second transistors and a reference signal;
A current source for supplying a current corresponding to the control signal of the common-mode feedback circuit to the first and second transistors of the transconductance;
A first capacitor connected between an output terminal of the common-mode feedback circuit and a source terminal of the first transistor;
A differential amplifier circuit comprising: a second capacitor connected between an output terminal of the common-mode feedback circuit and a source terminal of the second transistor.
前記電流源が前記トランスコンダクタのドレイン側に設けられ、
前記第1及び第2の容量素子の一端と前記同相フィードバック回路の制御信号が出力される出力端子は、前記トランスコンダクタのドレイン側に設けられた前記電流源を構成するトランジスタのゲート端子に接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の差動増幅回路。
The current source is provided on the drain side of the transconductor;
One end of the first and second capacitive elements and an output terminal from which a control signal of the common-mode feedback circuit is output are connected to a gate terminal of a transistor constituting the current source provided on the drain side of the transconductor. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein:
前記電流源が前記トランスコンダクタのソース側に設けられ、
前記第1及び第2容量素子の一端と前記同相フィードバック回路の制御信号が出力される出力端子は、前記トランスコンダクタのソース側に設けられた前記電流源を構成するトランジスタのゲート端子に接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の差動増幅回路。
The current source is provided on the source side of the transconductor;
One end of the first and second capacitive elements and an output terminal from which a control signal of the common-mode feedback circuit is output are connected to a gate terminal of a transistor constituting the current source provided on the source side of the transconductor. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein:
前記トランスコンダクタの第1出力端子及び第2出力端子にそれぞれ接続された抵抗素子の中点に得られる同相出力電圧を、前記同相フィードバック回路を構成する差動対トランジスタの一方に入力し、前記差動対トランジスタの他方に所望の基準電圧を入力し、前記差動対トランジスタの出力を前記制御信号として前記トランスコンダクタの電流源に入力する
ことを特徴とする請求項1記載の差動増幅回路。
The common-mode output voltage obtained at the middle point of the resistive element connected to each of the first output terminal and the second output terminal of the transconductor is input to one of the differential pair transistors constituting the common-mode feedback circuit, and the difference The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein a desired reference voltage is input to the other of the dynamic pair transistors, and an output of the differential pair transistor is input to the current source of the transconductor as the control signal.
前記差動対トランジスタの一方の入力部を並列接続された2つのトランジスタで構成し、
前記第1及び第2の出力端子をそれぞれ、前記差動対トランジスタの一方の入力部の並列トランジスタのそれぞれのゲート端子に接続し、前記差動対トランジスタの他方の入力を所望の基準電圧源に接続し、前記差動対トランジスタの出力を前記トランスコンダクタの電流源を構成するトランジスタのゲート端子に接続した
ことを特徴とする請求項4記載の差動増幅回路。
One input part of the differential pair transistor is composed of two transistors connected in parallel,
Each of the first and second output terminals is connected to a gate terminal of a parallel transistor of one input section of the differential pair transistor, and the other input of the differential pair transistor is used as a desired reference voltage source. 5. The differential amplifier circuit according to claim 4, wherein the differential amplifier circuit is connected, and an output of the differential pair transistor is connected to a gate terminal of a transistor constituting a current source of the transconductor.
第1の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第1トランジスタと、第2の出力端子とゲート端子とドレイン端子が互いに接続される第2トランジスタから構成されたトランスコンダクタと、
前記第1及び第2トランジスタの出力端子から得られた出力信号の同相成分と基準信号の比較結果に応じた制御信号を出力する同相フィードバック回路と、
前記同相フィードバック回路の制御信号に応じた電流を、前記トランスコンダクタンスの前記第1及び第2トランジスタに供給する電流源と、
前記同相フィードバック回路の出力端子と、前記第1及び第2出力端子にそれぞれ接続された前記出力信号の同相成分を取り出す第1及び第2の抵抗素子の中点と接続されている容量素子と
を有することを特徴とする差動増幅回路。
A transconductor including a first transistor in which a first output terminal, a gate terminal, and a drain terminal are connected to each other; a second transistor in which a second output terminal, a gate terminal, and a drain terminal are connected to each other;
An in-phase feedback circuit that outputs a control signal according to a comparison result between the in-phase component of the output signal obtained from the output terminals of the first and second transistors and a reference signal;
A current source for supplying a current corresponding to the control signal of the common-mode feedback circuit to the first and second transistors of the transconductance;
An output terminal of the common-mode feedback circuit; and a capacitive element connected to a midpoint of the first and second resistance elements that extract the common-mode component of the output signal connected to the first and second output terminals, respectively. A differential amplifier circuit comprising:
前記電流源が前記トランスコンダクタのドレイン側に設けられ、
前記容量素子の一端と前記同相フィードバック回路の制御信号が出力される出力端子は、前記トランスコンダクタのドレイン側に設けられた前記電流源を構成するトランジスタのゲート端子に接続されている
ことを特徴とする請求項6記載の差動増幅回路。
The current source is provided on the drain side of the transconductor;
One end of the capacitive element and an output terminal from which a control signal of the common-mode feedback circuit is output are connected to a gate terminal of a transistor constituting the current source provided on the drain side of the transconductor. The differential amplifier circuit according to claim 6.
前記電流源が前記トランスコンダクタのソース側に設けられ、
前記容量素子の一端と前記同相フィードバック回路の制御信号が出力される出力端子は、前記トランスコンダクタのソース側に設けられた前記電流源を構成するトランジスタのゲート端子に接続されている
ことを特徴とする請求項6記載の差動増幅回路。
The current source is provided on the source side of the transconductor;
One end of the capacitive element and an output terminal from which a control signal of the common-mode feedback circuit is output are connected to a gate terminal of a transistor constituting the current source provided on the source side of the transconductor. The differential amplifier circuit according to claim 6.
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