JP2005340293A - Wiring board and its manufacturing process, semiconductor device and its manufacturing process, electronic device and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance reliability of a wiring board, or the like. <P>SOLUTION: The wiring board comprising a flexible board 10 having an area 12 for mounting a chip component, and a first electric joint 26 formed on the inside of the chip component mounting area 12 is further provided with first wiring 24 extended with the width of the first electric joint 26, a second electric joint 32 formed on the inside of the chip component mounting area 12, second wiring 30 extended with the width of the second electric joint 32, a first through hole 28 penetrating the flexible board 10 and connected electrically with the first wiring 24, a second through hole 34 penetrating the flexible board 10 and connected electrically with the second wiring 30, and third wiring 36 formed on the side opposite to the chip component mounting area 12 of the flexible board 10 and connecting the first wiring 24 electrically with the second wiring 30 through the first and second through holes 28 and 34. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器に関する。   The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof, a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an electronic device, and an electronic apparatus.

COF(Chip On Film)の形態が適用される半導体装置では、フレキシブル基板の半導体チップが搭載される面に配線が形成されており、半導体チップを搭載した後に、半導体チップとフレキシブル基板との間に樹脂(アンダーフィル材)を注入する。この場合、半導体チップとフレキシブル基板との間に気泡が生じないように、樹脂を注入することができれば、信頼性の向上を図ることができる。   In a semiconductor device to which the form of COF (Chip On Film) is applied, a wiring is formed on the surface of the flexible substrate on which the semiconductor chip is mounted, and after the semiconductor chip is mounted, between the semiconductor chip and the flexible substrate. Inject resin (underfill material). In this case, if the resin can be injected so that bubbles do not occur between the semiconductor chip and the flexible substrate, the reliability can be improved.

本発明の目的は、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器に関し、信頼性の向上を図ることにある。
特開2003−197673号公報
An object of the present invention is to improve reliability of a wiring board and a manufacturing method thereof, a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an electronic device, and an electronic apparatus.
JP 2003-197673 A

(1)本発明に係る配線基板は、
チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板と、
前記チップ部品搭載領域の内側に形成された第1の電気的接続部を有し、かつ、前記第1の電気的接続部の幅をもって延出された第1の配線と、
前記チップ部品搭載領域の内側に形成された第2の電気的接続部を有し、かつ、前記第2の電気的接続部の幅をもって延出された第2の配線と、
前記フレキシブル基板を貫通して前記第1の配線に電気的に接続された第1のスルーホールと、
前記フレキシブル基板を貫通して前記第2の配線に電気的に接続された第2のスルーホールと、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載領域とは反対の面に形成され、かつ、前記第1及び第2のスルーホールを介して前記第1及び第2の配線を電気的に接続する第3の配線と、
を含む。本発明によれば、チップ部品とフレキシブル基板との間を避けて、第1及び第2の配線を電気的に接続するための第3の配線が形成されている。これによって、チップ部品とフレキシブル基板との間に注入する樹脂の流れを良くし、樹脂封止による気泡又は未充填部分の発生を防止することができる。また、第3の配線は、フレキシブル基板のチップ部品搭載領域とは反対の面に形成するので、他の配線に制約されることなく、自由な引き廻しが可能になる。そのため、配線同士のショートなどの電気的不良の発生を防止することができる。したがって、配線基板の信頼性の向上を図ることができる。
(2)この配線基板において、
前記第1及び第2のスルーホールの少なくともいずれか一方は、前記チップ部品搭載領域の内側に形成されていてもよい。
(3)この配線基板において、
前記第1のスルーホールは、前記第1の電気的接続部を避けて形成され、
前記第2のスルーホールは、前記第2の電気的接続部を避けて形成されていてもよい。これによれば、チップ部品をボンディングしたときに、第1及び第2の電気的接続部に加えられるボンディング加重を、他の電気的接続部に加えられるボンディング加重とほぼ同一にすることができ、ボンディング加重の均一化を図ることができる。
(4)この配線基板において、
前記第1及び第2のスルーホールの少なくともいずれか一方は、前記チップ部品搭載領域の外側に形成されていてもよい。
(5)この配線基板において、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域を避けて形成されていてもよい。これによれば、フレキシブル基板のチップ部品搭載領域を平坦に支持することができるので、チップ部品が傾いて搭載されるなどのボンディング不良の発生を少なくすることができる。
(6)この配線基板において、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域にオーバーラップして形成されていてもよい。これによれば、チップ部品に対する遮光性を向上させることができる。
(7)この配線基板において、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域の外形を含む大きさの外形を有してもよい。こうすることで、チップ部品の面に垂直に入射する光をほぼ完全に遮断することができるので、より効果的に、チップ部品に対する遮光性の向上を図ることができる。
(8)この配線基板において、
前記チップ部品搭載領域の外形は、長方形をなし、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域の長辺に平行な方向に延出されていてもよい。
(9)この配線基板において、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載領域とは反対の面に設けられた絶縁層をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第3の配線を覆っていてもよい。
(10)本発明に係る半導体装置は、
上記配線基板と、
前記チップ部品としての、複数のバンプを有する半導体チップと、
を含み、
前記半導体チップは、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングされ、
前記第1の電気的接続部は、前記複数のバンプのうち第1のバンプの一部にオーバーラップしてなり、かつ、前記第1のバンプに入り込んでなり、
前記第2の電気的接続部は、前記複数のバンプのうち第2のバンプの一部にオーバーラップしてなり、かつ、入り込んでなる。
(11)本発明に係る電子デバイスは、
上記半導体装置と、
前記半導体装置が電気的に接続された電気光学パネルと、
を含む。
(12)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
(13)本発明に係る配線基板の製造方法は、
チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板に、第1の配線を、前記チップ部品搭載領域の内側に第1の電気的接続部を有するように、かつ、前記第1の電気的接続部の幅をもって延出するように形成すること、
第2の配線を、前記チップ部品搭載領域の内側に形成された第2の電気的接続を有するように、かつ、前記第2の電気的接続部の幅をもって延出するように形成すること、
前記フレキシブル基板に形成した貫通穴に導電材料を設けることによって、前記第1の配線に電気的に接続するための第1のスルーホールを形成すること、
前記フレキシブル基板に形成した貫通穴に導電材料を設けることによって、前記第2の配線に電気的に接続するための第2のスルーホールを形成すること、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載とは反対の面に、前記第1及び第2のスルーホールを介して前記第1及び第2の配線を電気的に接続するための第3の配線を形成すること、
を含む。本発明によれば、チップ部品とフレキシブル基板との間を避けて、第1及び第2の配線を電気的に接続するための第3の配線を形成する。これによって、チップ部品とフレキシブル基板との間に注入する樹脂の流れを良くし、樹脂封止による気泡又は未充填部分の発生を防止することができる。また、第3の配線は、フレキシブル基板のチップ部品搭載領域とは反対の面に形成するので、他の配線に制約されることなく、自由な引き廻しが可能になる。そのため、配線同士のショートなどの電気的不良の発生を防止することができる。したがって、配線基板の製造方法の信頼性の向上を図ることができる。
(14)本発明に係る半導体装置の製造方法は、
上記方法によって配線基板を製造し、複数のバンプを含む半導体チップを、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングすることを含み、
前記フェースダウンボンディング工程で、
前記第1の電気的接続部を、前記複数のバンプのうち第1のバンプの一部にオーバーラップさせ、かつ、前記第1のバンプに入り込ませ、
前記第2の電気的接続部を、前記複数のバンプのうち第2のバンプの一部にオーバーラップさせ、かつ、前記第2のバンプに入り込ませる。
(15)この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップをフェースダウンボンディングした後に、前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間に樹脂を注入することをさらに含んでもよい。
(1) A wiring board according to the present invention comprises:
A flexible substrate having a chip component mounting area on which chip components are mounted;
A first wiring having a first electrical connection formed inside the chip component mounting area and extending with a width of the first electrical connection;
A second wiring having a second electrical connection formed inside the chip component mounting region and extending with a width of the second electrical connection;
A first through hole penetrating the flexible substrate and electrically connected to the first wiring;
A second through hole penetrating the flexible substrate and electrically connected to the second wiring;
Third wiring formed on the surface of the flexible substrate opposite to the chip component mounting area and electrically connecting the first and second wirings via the first and second through holes. When,
including. According to the present invention, the third wiring for electrically connecting the first and second wirings is formed avoiding between the chip component and the flexible substrate. Thereby, the flow of the resin injected between the chip component and the flexible substrate can be improved, and the generation of bubbles or unfilled portions due to resin sealing can be prevented. In addition, since the third wiring is formed on the surface opposite to the chip component mounting area of the flexible substrate, it can be freely routed without being restricted by other wiring. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of electrical defects such as a short circuit between the wirings. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved.
(2) In this wiring board,
At least one of the first and second through holes may be formed inside the chip component mounting region.
(3) In this wiring board,
The first through hole is formed avoiding the first electrical connection portion,
The second through hole may be formed so as to avoid the second electrical connection portion. According to this, when the chip component is bonded, the bonding weight applied to the first and second electrical connection portions can be made substantially the same as the bonding weight applied to the other electrical connection portions, The bonding weight can be made uniform.
(4) In this wiring board,
At least one of the first and second through holes may be formed outside the chip component mounting region.
(5) In this wiring board,
The third wiring may be formed avoiding the chip component mounting area. According to this, since the chip component mounting area of the flexible substrate can be supported flat, it is possible to reduce the occurrence of bonding defects such as the chip component being tilted and mounted.
(6) In this wiring board,
The third wiring may be formed so as to overlap the chip component mounting region. According to this, the light-shielding property with respect to a chip component can be improved.
(7) In this wiring board,
The third wiring may have an outer shape having a size including the outer shape of the chip component mounting region. By so doing, light perpendicularly incident on the surface of the chip component can be blocked almost completely, so that the light shielding property to the chip component can be improved more effectively.
(8) In this wiring board,
The outer shape of the chip component mounting area is rectangular,
The third wiring may extend in a direction parallel to the long side of the chip component mounting area.
(9) In this wiring board,
An insulating layer provided on a surface opposite to the chip component mounting region of the flexible substrate;
The insulating layer may cover the third wiring.
(10) A semiconductor device according to the present invention includes:
The wiring board;
A semiconductor chip having a plurality of bumps as the chip component;
Including
The semiconductor chip is face-down bonded to the chip component mounting area,
The first electrical connection portion overlaps a part of the first bump among the plurality of bumps, and enters the first bump.
The second electrical connection portion overlaps and enters a part of the second bump among the plurality of bumps.
(11) An electronic device according to the present invention includes:
The semiconductor device;
An electro-optical panel to which the semiconductor device is electrically connected;
including.
(12) An electronic apparatus according to the present invention includes the semiconductor device.
(13) A method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes:
The first wiring is provided on the flexible substrate having the chip component mounting area on which the chip component is mounted, and the first electrical connection portion is provided on the inner side of the chip component mounting area. Forming to extend with the width of the connection part,
Forming the second wiring so as to have a second electrical connection formed inside the chip component mounting region and to extend with a width of the second electrical connection portion;
Forming a first through hole for electrically connecting to the first wiring by providing a conductive material in a through hole formed in the flexible substrate;
Forming a second through hole for electrically connecting to the second wiring by providing a conductive material in a through hole formed in the flexible substrate;
A third wiring for electrically connecting the first and second wirings is formed on the surface of the flexible substrate opposite to the chip component mounting via the first and second through holes. about,
including. According to the present invention, the third wiring for electrically connecting the first and second wirings is formed while avoiding the space between the chip component and the flexible substrate. Thereby, the flow of the resin injected between the chip component and the flexible substrate can be improved, and the generation of bubbles or unfilled portions due to resin sealing can be prevented. In addition, since the third wiring is formed on the surface opposite to the chip component mounting area of the flexible substrate, it can be freely routed without being restricted by other wiring. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of electrical defects such as a short circuit between the wirings. Therefore, the reliability of the manufacturing method of the wiring board can be improved.
(14) A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes:
Manufacturing a wiring board by the above method, including face down bonding a semiconductor chip including a plurality of bumps to the chip component mounting region;
In the face down bonding process,
The first electrical connection portion is overlapped with a part of the first bump among the plurality of bumps, and enters the first bump,
The second electrical connection portion is overlapped with a part of the second bump among the plurality of bumps, and enters the second bump.
(15) In this method of manufacturing a semiconductor device,
The method may further include injecting a resin between the semiconductor chip and the flexible substrate after the semiconductor chip is face-down bonded.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1〜図4は、本発明の実施形態に係る配線基板又は半導体装置を示す図である。詳しくは、図1は配線基板の平面図であり、図2は図1の部分拡大図であり、図3は図2のIII−III線断面図であり、図4は図2のIV−IV線断面図である。図3及び図4には、半導体チップを含む半導体装置が示されている。   1 to 4 are diagrams showing a wiring board or a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 1 is a plan view of a wiring board, FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2, and FIG. It is line sectional drawing. 3 and 4 show a semiconductor device including a semiconductor chip.

本実施の形態に係る配線基板は、フレキシブル基板10と、フレキシブル基板10に形成された配線パターンと、を含む。配線パターンは、配線基板1の配線パターン形成領域3に形成されている。配線基板1が長尺状のテープとなっており、複数の配線パターン形成領域3が配線基板1の長さ方向に配列されていてもよい。隣同士の配線パターン形成領域3には間隔があけられていてもよい。配線基板1は、後工程で、配線パターン形成領域3の外形に沿って打ち抜かれる。本実施の形態に係る配線基板は、打ち抜き後の配線パターン形成領域3を含む。   The wiring board according to the present embodiment includes a flexible substrate 10 and a wiring pattern formed on the flexible substrate 10. The wiring pattern is formed in the wiring pattern formation region 3 of the wiring substrate 1. The wiring board 1 may be a long tape, and a plurality of wiring pattern formation regions 3 may be arranged in the length direction of the wiring board 1. Adjacent wiring pattern formation regions 3 may be spaced apart. The wiring board 1 is punched along the outer shape of the wiring pattern formation region 3 in a subsequent process. The wiring board according to the present embodiment includes a wiring pattern formation region 3 after punching.

フレキシブル基板10は、屈曲可能なベース基板である。フレキシブル基板10は、樹脂基板(例えばポリイミド基板)などの有機系材料から構成されていてもよい。フレキシブル基板10は、COF(Chip On Film)用基板であってもよく、フィルム又はテープであってもよい。フレキシブル基板10は、チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域12を有する。チップ部品は、半導体チップ50(図3参照)などの半導体部品であってもよいし、能動部品(例えば集積回路部品など)又は受動部品(例えば抵抗器、キャパシタ、インダクタなど)であってもよい。チップ部品搭載領域12はフレキシブル基板10の一方の面に設けられ、配線パターン形成領域3の範囲内に設けられている。チップ部品搭載領域12の外形は、チップ部品の平面形状と同一であり、例えば四辺形(例えば正方形又は長方形)であってもよい。図1及び図2に示す例では、チップ部品搭載領域12の外形は、対向する第1及び第2の長辺14,16を有する長方形をなしている。   The flexible substrate 10 is a base substrate that can be bent. The flexible substrate 10 may be made of an organic material such as a resin substrate (for example, a polyimide substrate). The flexible substrate 10 may be a COF (Chip On Film) substrate, or may be a film or a tape. The flexible substrate 10 has a chip component mounting area 12 on which chip components are mounted. The chip component may be a semiconductor component such as a semiconductor chip 50 (see FIG. 3), an active component (such as an integrated circuit component), or a passive component (such as a resistor, capacitor, or inductor). . The chip component mounting area 12 is provided on one surface of the flexible substrate 10 and is provided within the range of the wiring pattern forming area 3. The outer shape of the chip component mounting area 12 is the same as the planar shape of the chip component, and may be, for example, a quadrilateral (for example, a square or a rectangle). In the example shown in FIGS. 1 and 2, the outer shape of the chip component mounting area 12 is a rectangle having first and second long sides 14 and 16 facing each other.

配線パターンは、導電材料(例えばCuなどの金属)によって形成されている。配線パターン形成領域3に、電気的に独立する1つ又は複数の配線パターンが形成されている。配線パターンは、電気めっき、無電解めっき、スパッタリング、又はエッチングなどを適用して形成することができる。   The wiring pattern is formed of a conductive material (for example, a metal such as Cu). In the wiring pattern forming region 3, one or more electrically independent wiring patterns are formed. The wiring pattern can be formed by applying electroplating, electroless plating, sputtering, etching, or the like.

図2〜図4に示すように、配線パターンは、複数の配線20を含む。複数の配線20は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12の面に形成されていてもよい。配線20の断面形状は、上端部が下端部よりもすぼむ形状(例えば上辺が下辺よりも小さい台形)になっていてもよい(図4参照)。配線20は、少なくとも2点間の電気的接続を図るものである。   As shown in FIGS. 2 to 4, the wiring pattern includes a plurality of wirings 20. The plurality of wirings 20 may be formed on the surface of the chip component mounting region 12 of the flexible substrate 10. The cross-sectional shape of the wiring 20 may be a shape in which the upper end portion is recessed from the lower end portion (for example, a trapezoid whose upper side is smaller than the lower side) (see FIG. 4). The wiring 20 is intended for electrical connection between at least two points.

配線20の一方の電気的接続部は、チップ部品に対する電気的接続部22であってもよい。電気的接続部22は、チップ部品搭載領域12の内側に形成されている。電気的接続部22は、チップ部品(例えば半導体チップ50)に電気的に接続される部分であり、詳しくはチップ部品の電気的接続部(例えばバンプ54)とオーバーラップする部分である。電気的接続部22は、配線20の端部であってもよいし、配線20の端部を避けた部分であってもよい。配線20は、電気的接続部22の幅をもって延出されている。電気的接続部22はランド形状になっていない。例えば、配線20は、電気的接続部22から同一の幅で延出された延出部を有していてもよい。延出部はチップ部品の電気的接続部(例えば半導体チップ50のバンプ54)の範囲からはみ出す部分であってもよい。配線20の他方の電気的接続部は、他の電子部品(例えば電気光学パネル)に対するものであってもよいし、回路基板(例えばマザーボード)に対するものであってもよい。   One electrical connection portion of the wiring 20 may be an electrical connection portion 22 for a chip component. The electrical connection portion 22 is formed inside the chip component mounting area 12. The electrical connection portion 22 is a portion that is electrically connected to the chip component (for example, the semiconductor chip 50), and more specifically, is a portion that overlaps with the electrical connection portion (for example, the bump 54) of the chip component. The electrical connection portion 22 may be an end portion of the wiring 20 or may be a portion avoiding the end portion of the wiring 20. The wiring 20 extends with the width of the electrical connection portion 22. The electrical connection portion 22 is not in a land shape. For example, the wiring 20 may have an extending portion that extends from the electrical connection portion 22 with the same width. The extending part may be a part protruding from the range of the electrical connection part of the chip part (for example, the bump 54 of the semiconductor chip 50). The other electrical connection portion of the wiring 20 may be for another electronic component (for example, an electro-optical panel) or may be for a circuit board (for example, a motherboard).

図2に示す例では、複数の配線20は、第1の長辺14に沿って複数が配列されてなる第1のグループ40と、第2の長辺16に沿って複数が配列されてなる第2のグループ42と、に分けられる。第1のグループ40に属する複数の配線20は、チップ部品からの出力端子であってもよい。第1のグループ40に属する複数の配線20は、その一部である電気的接続部22から第1の長辺14の方向に、第1の長辺14に交差(例えば直交)して延出されている。第2のグループ42に属する複数の配線20は、チップ部品からの入力端子であってもよい。第2のグループ42に属する複数の配線20は、その一部である電気的接続部22から第2の長辺16の方向に、第2の長辺16に交差(例えば直交)して延出されている。第1のグループ40(あるいは第2のグループ42)に属する複数の配線20のうち、複数の電気的接続部22は、1列に配列されていてもよいし、隣同士が千鳥状になるようにずれて配列されていてもよい。千鳥状に配列することによって、限られた平面領域内であっても隣同士の電気的接続部22のピッチを広げることができる。   In the example shown in FIG. 2, the plurality of wirings 20 are formed by arranging a plurality of wirings 20 along the first long side 14, and a plurality of wirings 20 arranged along the second long side 16. And a second group 42. The plurality of wirings 20 belonging to the first group 40 may be output terminals from chip components. The plurality of wirings 20 belonging to the first group 40 extend in a direction of the first long side 14 from the electrical connection portion 22 that is a part of the wiring 20 so as to intersect the first long side 14 (for example, orthogonally). Has been. The plurality of wirings 20 belonging to the second group 42 may be input terminals from chip components. The plurality of wirings 20 belonging to the second group 42 extend in the direction of the second long side 16 from the electrical connection portion 22 that is a part of the wiring 20 so as to intersect (for example, orthogonally intersect) the second long side 16. Has been. Among the plurality of wirings 20 belonging to the first group 40 (or the second group 42), the plurality of electrical connection portions 22 may be arranged in one row, or the adjacent ones are staggered. It may be arranged in a shifted manner. By arranging in a staggered manner, the pitch of the adjacent electrical connection portions 22 can be increased even within a limited plane region.

複数の配線20は、第1〜第3の配線24,30,36を含む。第1〜第3の配線24,30,36は、第1及び第2のグループ40,42のいずれか一方(図2では入力端子となる第2のグループ42)に属し、それぞれが互いに電気的に接続されている。第1〜第3の配線24,30,36は、共通電位(例えばグランド電位又は電源電位)となる。複数の配線20は、第1及び第2のスルーホール28,34を含む。本実施の形態では、第1及び第2のスルーホール28,34によって、第1〜第3の配線24,30,36の電気的接続が図られている。   The plurality of wirings 20 include first to third wirings 24, 30 and 36. The first to third wirings 24, 30, and 36 belong to one of the first and second groups 40 and 42 (second group 42 serving as an input terminal in FIG. 2), and each is electrically connected to each other. It is connected to the. The first to third wirings 24, 30, and 36 have a common potential (for example, a ground potential or a power supply potential). The plurality of wirings 20 include first and second through holes 28 and 34. In the present embodiment, the first to third wirings 24, 30 and 36 are electrically connected by the first and second through holes 28 and 34.

第1の配線24は第1の電気的接続部26を有し、第1の電気的接続部26の幅をもって延出されている。第2の配線30は第2の電気的接続部32を有し、第2の電気的接続部32の幅をもって延出されている。それらの詳細は、上述の配線20について説明した通りである。第1の配線24と第2の配線30との間の領域には、少なくとも1つの他の配線20が配置されていてもよい。あるいは、第1及び第2の配線24,30は隣り合っていてもよい。   The first wiring 24 has a first electrical connection portion 26, and extends with the width of the first electrical connection portion 26. The second wiring 30 has a second electrical connection portion 32, and extends with the width of the second electrical connection portion 32. The details thereof are as described for the wiring 20 described above. In the region between the first wiring 24 and the second wiring 30, at least one other wiring 20 may be arranged. Alternatively, the first and second wirings 24 and 30 may be adjacent to each other.

第1のスルーホール28は、第1の配線24に電気的に接続されている。第1のスルーホール28は、フレキシブル基板10を貫通して形成されている。フレキシブル基板10の面に対して垂直方向に貫通穴を形成し、その貫通穴に導電材料を設けることによって、第1のスルーホール28を形成してもよい。貫通穴は、フレキシブル基板10をパンチして形成することができる。貫通穴の全部を導電材料で充填してもよいし、貫通穴の中心軸を避けて内壁面のみに導電材料を設けてもよい。導電材料の形成方法として、スパッタリング、めっき法(無電解めっき法)、ペースト材の塗布を適用してもよい。第1のスルーホール28の平面形状(横断面形状)は円形であってもよい。第1のスルーホール28の幅(例えば直径)は、配線20の幅よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、あるいは同一であってもよい。また、第1のスルーホール28の幅(例えば直径)は、チップ部品の電気的接続部(例えばバンプ54)の幅よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、あるいは同一であってもよい。第1のスルーホール28と第1の配線24との境界は必ずしも明確になっていなくてもよい。第2のスルーホール34は、第2の配線30に電気的に接続されている。第2のスルーホール34の詳細は、上述の第1のスルーホール28の内容を適用することができる。   The first through hole 28 is electrically connected to the first wiring 24. The first through hole 28 is formed through the flexible substrate 10. The first through hole 28 may be formed by forming a through hole in a direction perpendicular to the surface of the flexible substrate 10 and providing a conductive material in the through hole. The through hole can be formed by punching the flexible substrate 10. The entire through hole may be filled with a conductive material, or the conductive material may be provided only on the inner wall surface avoiding the central axis of the through hole. As a method for forming the conductive material, sputtering, plating (electroless plating), or application of a paste material may be applied. The planar shape (transverse cross-sectional shape) of the first through hole 28 may be circular. The width (for example, diameter) of the first through hole 28 may be larger than the width of the wiring 20, may be smaller, or may be the same. Further, the width (for example, the diameter) of the first through hole 28 may be larger, smaller, or the same as the width of the electrical connection portion (for example, the bump 54) of the chip component. Good. The boundary between the first through hole 28 and the first wiring 24 is not necessarily clear. The second through hole 34 is electrically connected to the second wiring 30. The details of the first through hole 28 can be applied to the details of the second through hole 34.

第3の配線36は、第1のスルーホール28を介して第1の配線24に電気的に接続され、かつ、第2のスルーホール34を介して第2の配線30に電気的に接続されている。第3の配線36と第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)との境界は必ずしも明確になっていなくてもよい。第3の配線36は、フレキシブル基板10の平面視において、第1のスルーホール28と第2のスルーホール34の2点間を結ぶように引き廻されている。第3の配線36は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12とは反対の面に形成されている。   The third wiring 36 is electrically connected to the first wiring 24 through the first through hole 28 and electrically connected to the second wiring 30 through the second through hole 34. ing. The boundary between the third wiring 36 and the first through hole 28 (or the second through hole 34) is not necessarily clear. The third wiring 36 is routed so as to connect two points of the first through hole 28 and the second through hole 34 in the plan view of the flexible substrate 10. The third wiring 36 is formed on the surface of the flexible substrate 10 opposite to the chip component mounting area 12.

図2に示すように、第3の配線36は、チップ部品搭載領域12の長辺(例えば第1又は第2の長辺14,16)に平行な方向に延出していてもよい。第3の配線36は、他の複数の配線20と交差する方向に平行な方向に延出していてもよい。第3の配線36は直線に延出していてもよいし、屈曲部を有して延出していてもよい。第3の配線36は、いわゆるライン状に細長く引き廻されていてもよい。第3の配線36によって、1つ又は複数の第1の配線24(第1の電気的接続部26)と、1つ又は複数の第2の配線30(第2の電気的接続部32)と、を電気的に接続している。   As shown in FIG. 2, the third wiring 36 may extend in a direction parallel to the long side (for example, the first or second long side 14, 16) of the chip component mounting region 12. The third wiring 36 may extend in a direction parallel to the direction intersecting with the plurality of other wirings 20. The third wiring 36 may extend in a straight line, or may have a bent portion. The third wiring 36 may be elongated in a so-called line shape. With the third wiring 36, one or more first wirings 24 (first electrical connection portions 26) and one or more second wirings 30 (second electrical connection portions 32) , Are electrically connected.

第1及び第2のスルーホール28,34の少なくとも一方(図2では両方)は、チップ部品搭載領域12の内側に形成されていてもよい。第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)は、第1の電気的接続部26(あるいは第2の電気的接続部32)を避けて形成されていてもよい。例えば、第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)は、第1の電気的接続部26(あるいは第2の電気的接続部32)よりも、チップ部品搭載領域12の内側に配置されていてもよい。これによれば、チップ部品をボンディングしたときに、第1及び第2の電気的接続部26,32に加えられるボンディング加重を、他の電気的接続部22に加えられるボンディング加重とほぼ同一にすることができ、ボンディング加重の均一化を図ることができる。あるいは、第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)は、第1の電気的接続部26(あるいは第2の電気的接続部32)にオーバーラップして形成されていてもよい。   At least one of the first and second through holes 28 and 34 (both in FIG. 2) may be formed inside the chip component mounting region 12. The first through hole 28 (or the second through hole 34) may be formed avoiding the first electrical connection portion 26 (or the second electrical connection portion 32). For example, the first through hole 28 (or the second through hole 34) is disposed inside the chip component mounting region 12 rather than the first electrical connection portion 26 (or the second electrical connection portion 32). May be. According to this, when the chip component is bonded, the bonding weight applied to the first and second electrical connection portions 26 and 32 is substantially the same as the bonding weight applied to the other electrical connection portions 22. Therefore, the bonding weight can be made uniform. Alternatively, the first through hole 28 (or the second through hole 34) may be formed so as to overlap the first electrical connection portion 26 (or the second electrical connection portion 32).

第3の配線36は、チップ部品搭載領域12にオーバーラップしていてもよい。第1及び第2のスルーホール28,34の両方がチップ部品搭載領域12の内側に形成されている場合、第3の配線36の全部がチップ部品搭載領域12にオーバーラップする。あるいは、第1及び第2のスルーホール28,34のいずれか一方がチップ部品搭載領域12の内側に形成され、他方がその外側に形成されている場合、第3の配線36の一部がチップ部品搭載領域12にオーバーラップする。   The third wiring 36 may overlap the chip component mounting area 12. When both the first and second through holes 28 and 34 are formed inside the chip component mounting area 12, the entire third wiring 36 overlaps the chip component mounting area 12. Alternatively, when one of the first and second through holes 28 and 34 is formed inside the chip component mounting region 12 and the other is formed outside thereof, a part of the third wiring 36 is a chip. It overlaps with the component mounting area 12.

本実施の形態によれば、チップ部品(例えば半導体チップ50)とフレキシブル基板10との間を避けて、第1及び第2の配線24,30を電気的に接続するための第3の配線36が形成されている。これによって、チップ部品とフレキシブル基板10との間に注入する樹脂の流れを良くし、樹脂封止による気泡又は未充填部分の発生を防止することができる。また、第3の配線36は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12とは反対の面に形成するので、他の配線20に制約されることなく、自由な引き廻しが可能になる。そのため、配線同士のショートなどの電気的不良の発生を防止することができる。したがって、配線基板の信頼性の向上を図ることができる。さらに、第3の配線36がチップ部品搭載領域12にオーバーラップしていれば、配線パターン形成領域を拡大させることがない。また、チップ部品に対する遮光性も向上する。   According to the present embodiment, the third wiring 36 for electrically connecting the first and second wirings 24 and 30 while avoiding the space between the chip component (for example, the semiconductor chip 50) and the flexible substrate 10. Is formed. Thereby, the flow of the resin injected between the chip component and the flexible substrate 10 can be improved, and the generation of bubbles or unfilled portions due to resin sealing can be prevented. Further, since the third wiring 36 is formed on the surface opposite to the chip component mounting area 12 of the flexible substrate 10, it can be freely routed without being restricted by the other wiring 20. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of electrical defects such as a short circuit between the wirings. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved. Further, if the third wiring 36 overlaps the chip component mounting area 12, the wiring pattern forming area is not enlarged. In addition, the light shielding property to the chip component is improved.

本実施の形態に係る配線基板は、図3に示すように、配線パターンの一部を覆う絶縁層60,62をさらに有していてもよい。絶縁層60,62は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12を避けて設けられている。絶縁層60は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12の面に設けられ、配線20の一部を覆っている。絶縁層60は、チップ部品搭載領域12の周囲に、そこから一定の間隔をあけて設けられている。絶縁層62は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12とは反対の面に設けられ、第3の配線36を覆っている。第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)が露出していれば、絶縁層62はその露出部も覆う。絶縁層62がチップ部品搭載領域12にオーバーラップする場合、絶縁層62によって、チップ部品に対する遮光性を高めてもよい。   The wiring board according to the present embodiment may further include insulating layers 60 and 62 that cover a part of the wiring pattern, as shown in FIG. The insulating layers 60 and 62 are provided to avoid the chip component mounting region 12 of the flexible substrate 10. The insulating layer 60 is provided on the surface of the chip component mounting region 12 of the flexible substrate 10 and covers a part of the wiring 20. The insulating layer 60 is provided around the chip component mounting region 12 with a certain distance therebetween. The insulating layer 62 is provided on the surface of the flexible substrate 10 opposite to the chip component mounting area 12 and covers the third wiring 36. If the first through hole 28 (or the second through hole 34) is exposed, the insulating layer 62 also covers the exposed portion. When the insulating layer 62 overlaps the chip component mounting region 12, the light shielding property for the chip component may be enhanced by the insulating layer 62.

本実施の形態に係る配線基板は上述のように構成されており、次に配線基板の製造方法について説明する。本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、フレキシブル基板10に、配線パターン(第1〜第3の配線24,30,36、第1及び第2のスルーホール28,34を含む)を形成することを含む。第1〜第3の配線24,30,36は、金属箔をエッチングすることによってパターニングすることができる。例えば、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12の面に金属箔を形成し、金属箔をエッチングして第1〜第3の配線24,30,36のそれぞれの形状にパターニングしてもよい。フレキシブル基板10の各面を順番にパターニングしてもよいし、両面を同時にパターニングしてもよい。第1及び第2のスルーホール28,34は、フレキシブル基板10の両面をパターニングした後に行ってもよいし、いずれか一方の面をパターニングした後であって他方の面をパターニングする前に行ってもよいし、いずれの面もパターニングする前に行ってもよい。第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)を第1の電気的接続部26(あるいは第2の電気的接続部32)とオーバーラップするように形成する場合には、第1のスルーホール28(あるいは第2のスルーホール34)の形成工程後に第1の配線24(あるいは第2の配線30)の形成工程を行う。配線基板の製造方法についてのその他の詳細は、上述した内容から導くことができる。   The wiring board according to the present embodiment is configured as described above. Next, a method for manufacturing the wiring board will be described. In the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment, a wiring pattern (including first to third wirings 24, 30, 36, and first and second through holes 28, 34) is formed on the flexible substrate 10. Including doing. The first to third wirings 24, 30, and 36 can be patterned by etching a metal foil. For example, a metal foil may be formed on the surface of the chip component mounting region 12 of the flexible substrate 10, and the metal foil may be etched and patterned into the shapes of the first to third wirings 24, 30, and 36. Each surface of the flexible substrate 10 may be patterned in order, or both surfaces may be patterned simultaneously. The first and second through holes 28 and 34 may be performed after patterning both surfaces of the flexible substrate 10 or after patterning one of the surfaces and before patterning the other surface. Alternatively, it may be performed before patterning any surface. When the first through hole 28 (or the second through hole 34) is formed so as to overlap the first electrical connection portion 26 (or the second electrical connection portion 32), the first After the through hole 28 (or second through hole 34) is formed, the first wiring 24 (or second wiring 30) is formed. The other details about the manufacturing method of a wiring board can be derived from the contents described above.

本実施の形態に係る半導体装置は、上述の配線基板と、チップ部品としての半導体チップ50と、を有する。半導体チップ50には集積回路が形成されている。半導体チップ50は、パッド(例えばアルミパッド)52と、パッド52上のバンプ(例えば金バンプ)54と、を含む。複数のパッド52(又はバンプ54)の配列は、上述の配線基板の電気的接続部(第1及び第2の電気的接続部26,32を含む)22の配列に対応している。バンプ54は、半導体チップ50の電気的接続部である。なお、半導体チップ50には、パッド52の中央部(バンプ54の形成領域)を避けて、パッシベーション膜56が設けられている。   The semiconductor device according to the present embodiment includes the above-described wiring board and a semiconductor chip 50 as a chip component. An integrated circuit is formed on the semiconductor chip 50. The semiconductor chip 50 includes a pad (for example, an aluminum pad) 52 and a bump (for example, a gold bump) 54 on the pad 52. The arrangement of the plurality of pads 52 (or bumps 54) corresponds to the arrangement of the electrical connection portions (including the first and second electrical connection portions 26 and 32) 22 of the wiring board described above. The bump 54 is an electrical connection portion of the semiconductor chip 50. The semiconductor chip 50 is provided with a passivation film 56 so as to avoid the central portion of the pad 52 (a region where the bump 54 is formed).

半導体チップ50は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12にフェースダウンボンディングされている。複数の電気的接続部22は、半導体チップ50の複数のバンプ54に電気的に接続されている。詳しくは、第1の電気的接続部26は、複数のバンプ54の第1のバンプの一部にオーバーラップしてなり(図2参照)、かつ、第1のバンプに入り込んでいる(図4参照)。第2の電気的接続部32は、複数のバンプ54の第2のバンプの一部にオーバーラップしてなり(図2参照)、かつ、第2のバンプに入り込んでいる(図4参照)。電気的接続部22の上端部のみがバンプ54に入り込んでもよい。   The semiconductor chip 50 is face-down bonded to the chip component mounting area 12 of the flexible substrate 10. The plurality of electrical connection portions 22 are electrically connected to the plurality of bumps 54 of the semiconductor chip 50. Specifically, the first electrical connection portion 26 overlaps a part of the first bumps of the plurality of bumps 54 (see FIG. 2) and enters the first bumps (FIG. 4). reference). The second electrical connection portion 32 overlaps a part of the second bumps of the plurality of bumps 54 (see FIG. 2) and enters the second bump (see FIG. 4). Only the upper end portion of the electrical connection portion 22 may enter the bump 54.

半導体チップ50とフレキシブル基板10との間には樹脂などの封止材(アンダーフィル材)58が設けられていてもよい。本実施の形態では、半導体チップ50とフレキシブル基板10との間を避けて第3の配線36が形成されているので、樹脂の流れがせき止められにくくなっている。すなわち、半導体チップ50とフレキシブル基板10との間に注入する樹脂の流れを良くし、樹脂封止による気泡又は未充填部分の発生を防止することができる。   A sealing material (underfill material) 58 such as a resin may be provided between the semiconductor chip 50 and the flexible substrate 10. In the present embodiment, since the third wiring 36 is formed so as to avoid the space between the semiconductor chip 50 and the flexible substrate 10, it is difficult for the resin flow to be blocked. That is, the flow of the resin injected between the semiconductor chip 50 and the flexible substrate 10 can be improved, and the generation of bubbles or unfilled portions due to resin sealing can be prevented.

本実施の形態に係る半導体装置によれば、上述の配線基板を有するので、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ50をチップ部品搭載領域12にフェースダウンボンディングすることを含む。半導体チップ50とフレキシブル基板10との間に樹脂を注入することによって、封止材58を形成してもよい。本実施の形態では、半導体チップ50をフレキシブル基板10に搭載した後にそれらの間に樹脂を注入する方式を適用した場合であっても、樹脂封止による気泡又は未充填部分の発生を防止することができ、封止工程の信頼性の向上を図ることができる。なお、図1に示す配線基板1に複数の半導体チップ50を搭載した後、それぞれの配線パターン形成領域3ごとに打ち抜くことによって、複数の半導体装置を製造することができる。   Since the semiconductor device according to the present embodiment includes the above-described wiring board, the reliability of the semiconductor device can be improved. The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment includes face-down bonding of the semiconductor chip 50 to the chip component mounting region 12. The sealing material 58 may be formed by injecting a resin between the semiconductor chip 50 and the flexible substrate 10. In the present embodiment, even when a method of injecting a resin between the semiconductor chips 50 mounted on the flexible substrate 10 is applied, the generation of bubbles or unfilled portions due to resin sealing is prevented. Thus, the reliability of the sealing process can be improved. A plurality of semiconductor devices can be manufactured by mounting a plurality of semiconductor chips 50 on the wiring substrate 1 shown in FIG.

図5は、本実施の形態の変形例に係る半導体装置(配線基板を含む)を示す図である。第3の配線70は、2次元的に広がる形状をなし、例えばチップ部品搭載領域12の外形を含む大きさの外形を有する。すなわち、フレキシブル基板10の平面視において、第3の配線70の外形は、チップ部品(例えば半導体チップ50)の外形よりも大きい。こうすることで、チップ部品の面(例えば集積回路の形成面)に垂直に入射する光をほぼ完全に遮断することができるので、より効果的に、チップ部品に対する遮光性の向上を図ることができる。また、第3の配線70の平面面積が大きいので、グランド電位又は電源電位が安定し、電気的信頼性の向上も図ることができる。なお、第3の配線70は、絶縁層72によって覆われている。   FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor device (including a wiring board) according to a modification of the present embodiment. The third wiring 70 has a shape that expands two-dimensionally, and has an outer shape that includes, for example, the outer shape of the chip component mounting region 12. That is, in the plan view of the flexible substrate 10, the outer shape of the third wiring 70 is larger than the outer shape of the chip component (for example, the semiconductor chip 50). In this way, light that is perpendicularly incident on the surface of the chip component (for example, the integrated circuit formation surface) can be blocked almost completely, so that the light shielding property to the chip component can be improved more effectively. it can. In addition, since the planar area of the third wiring 70 is large, the ground potential or the power supply potential is stable, and electrical reliability can be improved. Note that the third wiring 70 is covered with an insulating layer 72.

図6は、本実施の形態の変形例に係る配線基板を示す図である。第1及び第2のスルーホール80,82の少なくとも一方(図6では両方)は、チップ部品搭載領域12の外側に形成されていてもよい。そして、第3の配線84は、チップ部品搭載領域12を避けて形成されている。すなわち、第3の配線84は、チップ部品搭載領域12にオーバーラップしないように形成されている。これによれば、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12を平坦に支持することができるので、チップ部品が傾いて搭載されるなどのボンディング不良の発生を少なくすることができる。   FIG. 6 is a diagram showing a wiring board according to a modification of the present embodiment. At least one (both in FIG. 6) of the first and second through holes 80 and 82 may be formed outside the chip component mounting region 12. The third wiring 84 is formed so as to avoid the chip component mounting area 12. That is, the third wiring 84 is formed so as not to overlap the chip component mounting region 12. According to this, since the chip component mounting region 12 of the flexible substrate 10 can be supported flatly, it is possible to reduce the occurrence of bonding failure such as the chip component being tilted and mounted.

図7は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。この電子デバイスは、上述の半導体装置と、半導体装置が電気的に接続されて電気光学パネル110と、を含む。半導体装置には、フレキシブル基板10上に半導体チップ(駆動IC)50が搭載されている。この電子デバイスは、電気的情報信号を視覚的に認識できる光情報信号に変換する表示装置であってもよい。電気光学パネル110は、表示パネルであってもよい。電気光学パネル110として、例えば、液晶パネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルなどが挙げられる。   FIG. 7 is a diagram showing an electronic device according to an embodiment of the present invention. This electronic device includes the above-described semiconductor device and an electro-optical panel 110 to which the semiconductor device is electrically connected. In the semiconductor device, a semiconductor chip (drive IC) 50 is mounted on a flexible substrate 10. The electronic device may be a display device that converts an electrical information signal into an optical information signal that can be visually recognized. The electro-optical panel 110 may be a display panel. Examples of the electro-optical panel 110 include a liquid crystal panel, a plasma display panel, and an electroluminescence display panel.

本発明の実施の形態に係る電子機器として、図8にはノート型パーソナルコンピュータ1000が示され、図9には携帯電話2000が示されている。これらの電子機器は、上述の配線基板、半導体装置、電子デバイスのいずれかを有する。   As an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention, a notebook personal computer 1000 is shown in FIG. 8, and a mobile phone 2000 is shown in FIG. These electronic devices include any of the above-described wiring boards, semiconductor devices, and electronic devices.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

図1は、本発明の実施の形態に係る配線基板の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1の部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. 図3は、図2のIII−III線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図4は、図2のIV−IV線断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図5は、本発明の実施の形態の変形例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a modification of the embodiment of the present invention. 図6は、本発明の実施の形態の変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a modification of the embodiment of the present invention. 図7は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an electronic device according to an embodiment of the present invention. 図8は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention. 図9は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…配線基板 3…配線パターン形成領域 10…フレキシブル基板
12…チップ部品搭載領域 14…第1の長辺 16…第2の長辺 20…配線
22…電気的接続部 24…第1の配線 26…第1の電気的接続部
28…第1のスルーホール 30…第2の配線 32…第2の電気的接続部
34…第2のスルーホール 36…第3の配線 40…第1のグループ
42…第2のグループ 50…半導体チップ 52…パッド 54…バンプ
56…パッシベーション膜 58…封止材 60…絶縁層 62…絶縁層
70…第3の配線 72…絶縁層 84…第3の配線 110…電気光学パネル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board 3 ... Wiring pattern formation area 10 ... Flexible board 12 ... Chip component mounting area 14 ... 1st long side 16 ... 2nd long side 20 ... Wiring 22 ... Electrical connection part 24 ... 1st wiring 26 ... 1st electrical connection part 28 ... 1st through-hole 30 ... 2nd wiring 32 ... 2nd electrical connection part 34 ... 2nd through-hole 36 ... 3rd wiring 40 ... 1st group 42 ... second group 50 ... semiconductor chip 52 ... pad 54 ... bump 56 ... passivation film 58 ... sealing material 60 ... insulating layer 62 ... insulating layer 70 ... third wiring 72 ... insulating layer 84 ... third wiring 110 ... Electro-optic panel

Claims (15)

チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板と、
前記チップ部品搭載領域の内側に形成された第1の電気的接続部を有し、かつ、前記第1の電気的接続部の幅をもって延出された第1の配線と、
前記チップ部品搭載領域の内側に形成された第2の電気的接続部を有し、かつ、前記第2の電気的接続部の幅をもって延出された第2の配線と、
前記フレキシブル基板を貫通して前記第1の配線に電気的に接続された第1のスルーホールと、
前記フレキシブル基板を貫通して前記第2の配線に電気的に接続された第2のスルーホールと、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載領域とは反対の面に形成され、かつ、前記第1及び第2のスルーホールを介して前記第1及び第2の配線を電気的に接続する第3の配線と、
を含む配線基板。
A flexible substrate having a chip component mounting area on which chip components are mounted;
A first wiring having a first electrical connection formed inside the chip component mounting area and extending with a width of the first electrical connection;
A second wiring having a second electrical connection formed inside the chip component mounting region and extending with a width of the second electrical connection;
A first through hole penetrating the flexible substrate and electrically connected to the first wiring;
A second through hole penetrating the flexible substrate and electrically connected to the second wiring;
Third wiring formed on the surface of the flexible substrate opposite to the chip component mounting area and electrically connecting the first and second wirings via the first and second through holes. When,
Including wiring board.
請求項1記載の配線基板において、
前記第1及び第2のスルーホールの少なくともいずれか一方は、前記チップ部品搭載領域の内側に形成されてなる配線基板。
The wiring board according to claim 1,
At least one of the first and second through holes is a wiring board formed inside the chip component mounting region.
請求項1又は請求項2記載の配線基板において、
前記第1のスルーホールは、前記第1の電気的接続部を避けて形成され、
前記第2のスルーホールは、前記第2の電気的接続部を避けて形成されてなる配線基板。
In the wiring board according to claim 1 or 2,
The first through hole is formed avoiding the first electrical connection portion,
The wiring board, wherein the second through hole is formed avoiding the second electrical connection portion.
請求項1記載の配線基板において、
前記第1及び第2のスルーホールの少なくともいずれか一方は、前記チップ部品搭載領域の外側に形成されてなる配線基板。
The wiring board according to claim 1,
At least one of the first and second through holes is a wiring board formed outside the chip component mounting region.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の配線基板において、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域を避けて形成されてなる配線基板。
In the wiring board according to any one of claims 1 to 4,
The third wiring is a wiring board formed so as to avoid the chip component mounting area.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の配線基板において、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域にオーバーラップして形成されてなる配線基板。
In the wiring board according to any one of claims 1 to 4,
The wiring board is formed by overlapping the third wiring with the chip component mounting region.
請求項6記載の配線基板において、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域の外形を含む大きさの外形を有する配線基板。
The wiring board according to claim 6,
The third wiring is a wiring board having an outer shape having a size including an outer shape of the chip component mounting region.
請求項1から請求項7のいずれかに記載の配線基板において、
前記チップ部品搭載領域の外形は、長方形をなし、
前記第3の配線は、前記チップ部品搭載領域の長辺に平行な方向に延出されてなる配線基板。
The wiring board according to any one of claims 1 to 7,
The outer shape of the chip component mounting area is rectangular,
The third wiring is a wiring board extending in a direction parallel to the long side of the chip component mounting area.
請求項1から請求項8のいずれかに記載の配線基板において、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載領域とは反対の面に設けられた絶縁層をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第3の配線を覆ってなる配線基板。
In the wiring board according to any one of claims 1 to 8,
An insulating layer provided on a surface opposite to the chip component mounting region of the flexible substrate;
The insulating layer is a wiring board that covers the third wiring.
請求項1から請求項9のいずれかに記載の配線基板と、
前記チップ部品としての、複数のバンプを有する半導体チップと、
を含み、
前記半導体チップは、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングされ、
前記第1の電気的接続部は、前記複数のバンプのうち第1のバンプの一部にオーバーラップしてなり、かつ、前記第1のバンプに入り込んでなり、
前記第2の電気的接続部は、前記複数のバンプのうち第2のバンプの一部にオーバーラップしてなり、かつ、入り込んでなる配線基板。
The wiring board according to any one of claims 1 to 9,
A semiconductor chip having a plurality of bumps as the chip component;
Including
The semiconductor chip is face-down bonded to the chip component mounting area,
The first electrical connection portion overlaps a part of the first bump among the plurality of bumps, and enters the first bump.
The second electrical connection portion is a wiring board that overlaps with and enters a part of the second bump among the plurality of bumps.
請求項10記載の半導体装置と、
前記半導体装置が電気的に接続された電気光学パネルと、
を含む電子デバイス。
A semiconductor device according to claim 10;
An electro-optical panel to which the semiconductor device is electrically connected;
Including electronic devices.
請求項10記載の半導体装置を有する電子機器。   An electronic apparatus having the semiconductor device according to claim 10. チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板に、第1の配線を、前記チップ部品搭載領域の内側に第1の電気的接続部を有するように、かつ、前記第1の電気的接続部の幅をもって延出するように形成すること、
第2の配線を、前記チップ部品搭載領域の内側に形成された第2の電気的接続を有するように、かつ、前記第2の電気的接続部の幅をもって延出するように形成すること、
前記フレキシブル基板に形成した貫通穴に導電材料を設けることによって、前記第1の配線に電気的に接続するための第1のスルーホールを形成すること、
前記フレキシブル基板に形成した貫通穴に導電材料を設けることによって、前記第2の配線に電気的に接続するための第2のスルーホールを形成すること、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載とは反対の面に、前記第1及び第2のスルーホールを介して前記第1及び第2の配線を電気的に接続するための第3の配線を形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
The first wiring is provided on the flexible substrate having the chip component mounting area on which the chip component is mounted, and the first electrical connection portion is provided on the inner side of the chip component mounting area. Forming to extend with the width of the connection part,
Forming the second wiring so as to have a second electrical connection formed inside the chip component mounting region and to extend with a width of the second electrical connection portion;
Forming a first through hole for electrically connecting to the first wiring by providing a conductive material in a through hole formed in the flexible substrate;
Forming a second through hole for electrically connecting to the second wiring by providing a conductive material in a through hole formed in the flexible substrate;
A third wiring for electrically connecting the first and second wirings is formed on the surface of the flexible substrate opposite to the chip component mounting via the first and second through holes. about,
A method of manufacturing a wiring board including:
請求項13記載の方法によって配線基板を製造し、複数のバンプを含む半導体チップを、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングすることを含み、
前記フェースダウンボンディング工程で、
前記第1の電気的接続部を、前記複数のバンプのうち第1のバンプの一部にオーバーラップさせ、かつ、前記第1のバンプに入り込ませ、
前記第2の電気的接続部を、前記複数のバンプのうち第2のバンプの一部にオーバーラップさせ、かつ、前記第2のバンプに入り込ませる半導体装置の製造方法。
A circuit board is manufactured by the method according to claim 13, and a semiconductor chip including a plurality of bumps is face-down bonded to the chip component mounting region,
In the face down bonding process,
The first electrical connection portion is overlapped with a part of the first bump among the plurality of bumps, and enters the first bump,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the second electrical connection portion overlaps a part of a second bump among the plurality of bumps and enters the second bump.
請求項14記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップをフェースダウンボンディングした後に、前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間に樹脂を注入することをさらに含む半導体装置の製造方法。
15. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 14,
A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising injecting a resin between the semiconductor chip and the flexible substrate after face-down bonding the semiconductor chip.
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