JP2005333227A - Circuit with n-type negative resistive element - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit with an N-type negative resistive element free from degradation of oscillation efficiency and capable of obtaining large output power without providing another external signal source. <P>SOLUTION: N-type negative resistive elements 11 and 12 are connected in series, and a resonance circuit consisting of an inductor 13 and a capacitor 14 is connected at a connection between the N-type resistive elements 11 and 12, thereby suppressing spurious oscillation. Since, as a result, the area of the N-type negative resistive elements 11 and 12 such as a resonance tunnel diode can be enlarged, the oscillation efficiency does not degrade and large output power can be obtained without providing another external signal source. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、超高周波で発振する発振回路、増幅回路、分周回路又は信号生成回路を構成する、N型負性抵抗素子を有する回路に関する。   The present invention relates to a circuit having an N-type negative resistance element that constitutes an oscillation circuit, an amplification circuit, a frequency division circuit, or a signal generation circuit that oscillates at an ultrahigh frequency.

負性抵抗素子の応用として、発振器は最も重要なものであり、従来から多くの報告がある(例えば、非特許文献1参照)。図1は、負性抵抗素子を有する回路の従来例を示す図である。この回路は、直流電源1と、それに並列に配置されたインダクタ2、キャパシタ3及びN型負性抵抗素子4と、負荷5とを具える。   As an application of the negative resistance element, the oscillator is the most important one, and there have been many reports from the past (for example, see Non-Patent Document 1). FIG. 1 is a diagram showing a conventional example of a circuit having a negative resistance element. This circuit includes a DC power supply 1, an inductor 2, a capacitor 3, an N-type negative resistance element 4, and a load 5 arranged in parallel thereto.

共鳴トンネルダイオードやエサキダイオードのようなN型負性抵抗素子4は、図2に示すようなN型の負性抵抗を有する。なお、図2において、縦軸に電流をとり、横軸に電圧をとる。   An N-type negative resistance element 4 such as a resonant tunneling diode or an Esaki diode has an N-type negative resistance as shown in FIG. In FIG. 2, the vertical axis represents current and the horizontal axis represents voltage.

図1において、N型負性抵抗素子4にバイアスをかけると、微小な揺らぎが増幅され、発振が始まる。このとき、負荷5によるエネルギーの消費をN型負性抵抗素子4が補い、振動が持続する。したがって、その振幅は、発振振幅で平均したN型負性抵抗素子4が上記負荷抵抗に一致するという条件から定まる。また、このときの発振周波数は、LC並列共振回路の共振周波数となる。   In FIG. 1, when a bias is applied to the N-type negative resistance element 4, a minute fluctuation is amplified and oscillation starts. At this time, the energy consumption by the load 5 is supplemented by the N-type negative resistance element 4 and the vibration is sustained. Therefore, the amplitude is determined from the condition that the N-type negative resistance element 4 averaged by the oscillation amplitude matches the load resistance. The oscillation frequency at this time is the resonance frequency of the LC parallel resonance circuit.

図1の回路は、構成が簡単であり、素子自体の高速性と相俟って非常に高周波の発振が可能となる。特に、N型負性抵抗素子4として共鳴トンネル素子を用いたときには非常に高周波の発振が可能なことが知られており、既に712GHzにおける発振も報告されている。かかる発振周波数は、固体素子による発振としては最大のものであり、共鳴トンネル素子の機能の一端を示している。さらに、最近では、この種の発振器を応用したダイナミック型の分周器や増幅器、カオス生成回路、信号生成回路等も提案されている。   The circuit of FIG. 1 has a simple configuration and can oscillate at a very high frequency in combination with the high speed of the element itself. In particular, it is known that when a resonant tunnel element is used as the N-type negative resistance element 4, it is possible to oscillate at a very high frequency, and oscillation at 712 GHz has already been reported. Such an oscillation frequency is the largest oscillation by a solid element, and shows one end of the function of the resonant tunnel element. Furthermore, recently, dynamic frequency dividers, amplifiers, chaos generation circuits, signal generation circuits, and the like using this type of oscillator have been proposed.

N型負性抵抗素子を有する回路の従来例では、出力パワーが小さな値に制限されるという不都合がある。かかる不都合は、トランジスタを用いて負性抵抗を作る回路と異なり直流から負性抵抗が存在するということに起因する。ダイオードに直流バイアスを与えるためには必然的に寄生的なインダクタンスやキャパシタンス成分が生じるため、それが負性抵抗と結合し、低周波数のスプリアス発振が生じやすくなる。   The conventional example of a circuit having an N-type negative resistance element has a disadvantage that the output power is limited to a small value. Such inconvenience results from the fact that negative resistance exists from direct current, unlike a circuit that uses transistors to create negative resistance. In order to give a direct current bias to the diode, a parasitic inductance or capacitance component is inevitably generated, which is combined with a negative resistance, and low-frequency spurious oscillation is likely to occur.

このような発振を抑制するためには、負性コンダクタンスの絶対値を小さな値に(し又は負性抵抗の絶対値を大きな値に)する必要がある。このコンダクタンスは素子の面積に比例するので、コンダクタンスに関する条件により、使用できる素子の面積を必然的に小さな値に限定し、したがって、その出力パワーを制限することとなる。このような制限は、特に、負性コンダクタンスが大きい共鳴トンネルダイオードにおいて重大である。   In order to suppress such oscillation, it is necessary to make the absolute value of negative conductance small (or make the absolute value of negative resistance large). Since this conductance is proportional to the area of the element, the condition relating to the conductance inevitably limits the area of the element that can be used to a small value, and thus limits its output power. Such a limitation is particularly serious in a resonant tunneling diode with a large negative conductance.

出力パワーが制限される不都合を解消する方法として、損失線路を挿入する方法や、ショットキーダイオードを直列接続する方法が提案されているが、これらの方法には、損失により発振効率が低下するという不都合がある。損失により発振効率が低下することなく、出力パワーが制限される不都合を解消する方法として、二つの負性抵抗素子を直列接続し、外部からRF信号を供給して発振を行う方法も提案されている(例えば、非特許文献2,3参照)。
雨宮好文、「電子回路を学ぶ人のために」、オーム社、p132 藤井 哲、「直列接続型共鳴トンネルダイオード発振器の基礎特性」、信学技法、EMCJ98-52, MW98-91, pp.21-27, Oct.1998 Heribert Eisele, “Conventional and Novel Approaches to RF Power Generation with Two-Terminal Devices at Terahertz Frequencies”, THENTH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, CAMBRIDGE, U.K, SEPT.9-10, 2002
As a method for solving the inconvenience that the output power is limited, a method of inserting a lossy line and a method of connecting a Schottky diode in series have been proposed. However, in these methods, the oscillation efficiency is reduced due to the loss. There is an inconvenience. As a method of solving the inconvenience that the output power is limited without reducing the oscillation efficiency due to loss, a method of connecting two negative resistance elements in series and supplying an RF signal from the outside has also been proposed. (For example, see Non-Patent Documents 2 and 3).
Yoshifumi Amemiya, “For those who learn electronic circuits”, Ohm, p132 Satoshi Fujii, “Basic Characteristics of Series-Connected Resonant Tunneling Diode Oscillators”, IEICE Tech., EMCJ98-52, MW98-91, pp.21-27, Oct.1998 Heribert Eisele, “Conventional and Novel Approaches to RF Power Generation with Two-Terminal Devices at Terahertz Frequencies”, THENTH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, CAMBRIDGE, UK, SEPT. 9-10, 2002

しかしながら、二つの負性抵抗素子を直列接続し、外部からRF信号を供給して発振を行う方法では、RF信号を発生する信号源を外部に設ける必要がある。   However, in a method in which two negative resistance elements are connected in series and an RF signal is supplied from outside to oscillate, it is necessary to provide a signal source for generating an RF signal outside.

本発明の目的は、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができるN型負性抵抗素子を有する回路を提供することである。   An object of the present invention is to provide a circuit having an N-type negative resistance element capable of obtaining a large output power without lowering the oscillation efficiency and without providing another signal source outside.

本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路は、
正の電圧が印加される第1端子と、第2端子とを有する第1のN型負性抵抗素子と、
前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子に接続した第1端子と、前記正の電圧と同じ大きさの負の電圧が印加され又は接地された第2端子とを有する第2のN型負性抵抗素子と、
少なくとも共振回路を有し、前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に前記共振回路を接続した回路部とを具えることを特徴とする。
According to the present invention, a circuit having an N-type negative resistance element is
A first N-type negative resistance element having a first terminal to which a positive voltage is applied and a second terminal;
A second terminal having a first terminal connected to a second terminal of the first N-type negative resistance element and a second terminal to which a negative voltage having the same magnitude as the positive voltage is applied or grounded; An N-type negative resistance element;
A circuit portion having at least a resonance circuit, and connecting the resonance circuit to a connection portion between the second terminal of the first N-type negative resistance element and the first element of the second N-type negative resistance element; It is characterized by comprising.

本発明によれば、第1のN型負性抵抗素子の第2端子を、第2のN型負性抵抗素子の第1端子に接続し、すなわち、第1及び第2のN型負性抵抗素子を直列接続し、第1のN型負性抵抗素子の第2端子と第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に共振回路を接続することによって、スプリアス発振が抑制される。その結果、共鳴トンネルダイオードのような第1及び第2のN型負性抵抗素子の面積を大きくすることができるので、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができるようになる。   According to the present invention, the second terminal of the first N-type negative resistance element is connected to the first terminal of the second N-type negative resistance element, that is, the first and second N-type negative characteristics. By connecting the resistance elements in series and connecting a resonance circuit to the connection portion between the second terminal of the first N-type negative resistance element and the first element of the second N-type negative resistance element, spurious oscillation is generated. It is suppressed. As a result, the areas of the first and second N-type negative resistance elements such as the resonant tunneling diode can be increased, so that the oscillation efficiency is not lowered and no other signal source is provided outside. A large output power can be obtained.

前記共振回路を、例えば、インダクタとキャパシタからなる並列共振回路又は伝送線路によって構成することができる。また、前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部を、低周波的にグランドとショートすることによって、接続部が直流的に接地され、これにより、低周波のスプリアス発振が生じにくくなる。このようなグランドとのショートを、共振回路などによって行う。さらに、前記回路部は負荷を更に有してもよい。前記回路部が整合回路を更に有することによって、第1及び第2のN型負性抵抗素子の面積に応じた最大の出力パワーを得ることができる。   The resonant circuit can be configured by, for example, a parallel resonant circuit or a transmission line including an inductor and a capacitor. Further, the connection portion between the second terminal of the first N-type negative resistance element and the first element of the second N-type negative resistance element is short-circuited to the ground at a low frequency, thereby connecting the connection portion. Is grounded in a direct current manner, thereby making it difficult for low-frequency spurious oscillation to occur. Such a short circuit with the ground is performed by a resonance circuit or the like. Furthermore, the circuit unit may further include a load. When the circuit section further includes a matching circuit, the maximum output power corresponding to the areas of the first and second N-type negative resistance elements can be obtained.

前記回路部が電圧制御型容量素子を更に有することによって、印加電圧に応じて容量を変えることができるので、発振周波数を任意の値に選択することができる。その結果、大きな出力パワーを得るのが容易になる。   Since the circuit unit further includes a voltage-controlled capacitance element, the capacitance can be changed according to the applied voltage, and therefore the oscillation frequency can be selected to an arbitrary value. As a result, it becomes easy to obtain a large output power.

前記回路部が、正の電圧が印加される第1端子と、第2端子とを有する第3のN型負性抵抗素子と、前記第3のN型負性抵抗素子の第2端子に接続した第1端子と、前記正の電圧と同じ大きさの負の電圧が印加され又は接地された第2端子とを有する第4のN型負性抵抗素子と、前記第3のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第4のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に接続した共振回路と、前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部と、前記第3のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第4のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部とを接続する接続手段とを更に有し、前記第3及び第4のN型負性抵抗素子の面積を、前記第1及び第2のN型負性抵抗素子の面積よりも小さくすることによって、外部のバイアス回路による低周波発振を防止することができ、特別なトリガを与えなくても発振が生じるため、特別なトリガなしで大きな出力パワーを得ることができる。   The circuit unit is connected to a third N-type negative resistance element having a first terminal to which a positive voltage is applied and a second terminal, and a second terminal of the third N-type negative resistance element. A fourth N-type negative resistance element having a first terminal and a second terminal to which a negative voltage having the same magnitude as the positive voltage is applied or grounded; and the third N-type negative resistance A resonance circuit connected to a connection portion between the second terminal of the resistance element and the first element of the fourth N-type negative resistance element; the second terminal of the first N-type negative resistance element; A connection portion between the N-type negative resistance element and the first element; a connection portion between the second terminal of the third N-type negative resistance element and the first element of the fourth N-type negative resistance element; And connecting means for connecting the first and second N-type negative resistance elements to be smaller than the areas of the first and second N-type negative resistance elements. Therefore, it is possible to prevent the low-frequency oscillation by an external bias circuit, since the oscillation without giving special trigger occurs, it is possible to obtain a large output power without special trigger.

前記回路部が入力端子を更に有することによって、大きな出力パワーのアクティブバンドパスフィルタ、狭帯域増幅器又はダイナミック型分周器を構成することもできる。また、前記回路部が、周期的に所定の初期条件にリセットする制御手段を更に有することによって、種々の信号パターンを大きな出力パワーで得ることができる。さらに、前記回路部が、出力をデジタル化する識別器を更に有することによって、デジタル信号を大きな出力パワーで得ることができる。   When the circuit unit further includes an input terminal, an active bandpass filter, a narrowband amplifier, or a dynamic frequency divider having a large output power can be configured. In addition, since the circuit unit further includes a control unit that periodically resets to a predetermined initial condition, various signal patterns can be obtained with a large output power. Furthermore, since the circuit unit further includes an identifier for digitizing the output, a digital signal can be obtained with a large output power.

本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図3は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第1の実施の形態を示す図である。この回路は、発振回路として機能し、N型負性抵抗素子11,12と、インダクタ13と、キャパシタ14とを具える。N型負性抵抗素子11,12として、共鳴トンネルダイオード、エサキダイオード等を使用する。
An embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 3 is a diagram showing a first embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit functions as an oscillation circuit and includes N-type negative resistance elements 11 and 12, an inductor 13, and a capacitor 14. As the N-type negative resistance elements 11 and 12, a resonant tunnel diode, an Esaki diode, or the like is used.

N型負性抵抗素子11の第1端子には正の電圧+Vbが印加され、その第2端子は、N型負性抵抗素子12の第1端子に接続される。N型負性抵抗素子12の第2端子には負の電圧−Vbが印加される。正の電圧+Vbの大きさは、負の電圧−Vbの大きさに等しい。インダクタ13の一端はキャパシタ14の一端に接続され、インダクタ13の他端及びキャパシタ14の他端はそれぞれ接地される。インダクタ13及びキャパシタ14の接続点は、N型負性抵抗素子11及びN型負性抵抗素子12の接続点に接続される。インダクタ13及びキャパシタ14はLC共振回路を構成する。また、N型負性抵抗素子11の第2端子とN型負性抵抗素子12の第1端子との接続点は、インダクタ13及びキャパシタ14によって構成されたLC共振回路によって低周波的にグランドとショートしている。これによって、接続部が直流的に接地され、低周波のスプリアス発振が生じにくくなる。   A positive voltage + Vb is applied to the first terminal of the N-type negative resistance element 11, and the second terminal is connected to the first terminal of the N-type negative resistance element 12. A negative voltage −Vb is applied to the second terminal of the N-type negative resistance element 12. The magnitude of the positive voltage + Vb is equal to the magnitude of the negative voltage −Vb. One end of the inductor 13 is connected to one end of the capacitor 14, and the other end of the inductor 13 and the other end of the capacitor 14 are grounded. A connection point between the inductor 13 and the capacitor 14 is connected to a connection point between the N-type negative resistance element 11 and the N-type negative resistance element 12. The inductor 13 and the capacitor 14 constitute an LC resonance circuit. The connection point between the second terminal of the N-type negative resistance element 11 and the first terminal of the N-type negative resistance element 12 is low-frequency grounded by the LC resonance circuit formed by the inductor 13 and the capacitor 14. Short circuit. As a result, the connecting portion is grounded in a DC manner, and low-frequency spurious oscillation is less likely to occur.

図4(a)〜4(c)は、N型負性抵抗素子11とN型負性抵抗素子12との間の接続点における電流−電圧特性を説明するための図であり、縦軸に電流をとるとともに、横軸に電圧をとる。電圧Vbの大きさがN型負性抵抗素子11,12のバレー電圧より少し小さい場合、図1の回路は、入力電圧が0の付近で負性抵抗を有する(図4(a)参照)。また、その負性抵抗の値それ自体も、直列接続されたN型負性抵抗素子11,12に印加される電圧によって制御することができる。   4A to 4C are diagrams for explaining current-voltage characteristics at a connection point between the N-type negative resistance element 11 and the N-type negative resistance element 12, and As well as taking current, the horizontal axis takes voltage. When the magnitude of the voltage Vb is slightly smaller than the valley voltage of the N-type negative resistance elements 11 and 12, the circuit of FIG. 1 has a negative resistance when the input voltage is near 0 (see FIG. 4A). The negative resistance value itself can also be controlled by the voltage applied to the N-type negative resistance elements 11 and 12 connected in series.

また、電圧Vbの大きさがN型負性抵抗素子11,12のバレー電圧付近である場合には、図4(b)に示すように、図1の回路の入力電圧が0の付近では、抵抗が無限大となり、入力電圧が更に大きくなると負の抵抗となるような電流−電圧特性を作ることができる。   Further, when the magnitude of the voltage Vb is near the valley voltage of the N-type negative resistance elements 11 and 12, as shown in FIG. 4B, when the input voltage of the circuit of FIG. It is possible to create a current-voltage characteristic in which the resistance becomes infinite and the resistance becomes negative when the input voltage is further increased.

さらに、電圧Vbの大きさがN型負性抵抗素子11,12のバレー電圧より十分大きい場合、図4(c)に示すように、図1の回路の入力電圧が0の付近では、正の抵抗値を有し、入力電圧が更に大きくなると負の抵抗となるような電流−電圧特性を作ることができる。   Further, when the magnitude of the voltage Vb is sufficiently larger than the valley voltage of the N-type negative resistance elements 11 and 12, as shown in FIG. 4C, when the input voltage of the circuit of FIG. A current-voltage characteristic having a resistance value and having a negative resistance when the input voltage is further increased can be created.

これらの状態では、系は直流的に安定である。すなわち、N型負性抵抗素子11の第1の端子及びN型負性抵抗素子12の第2の端子の外側にインダクタやキャパシタが存在したとしても、この回路はスプリアス発振を起こさない。したがって、N型負性抵抗素子11,12の面積を大きくすることができるので、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができるようになる。   In these states, the system is DC stable. That is, even if an inductor or a capacitor exists outside the first terminal of the N-type negative resistance element 11 and the second terminal of the N-type negative resistance element 12, this circuit does not cause spurious oscillation. Therefore, the areas of the N-type negative resistance elements 11 and 12 can be increased, so that the oscillation efficiency is not lowered and a large output power can be obtained without providing another signal source outside. Become.

この場合、回路の入力電圧が0付近で正の抵抗を有する場合、振動を開始するために何らかの揺らぎを加える必要があるが、そのような揺らぎは、例えば、外部電圧にパルスを重畳することによって容易に得ることができる。   In this case, if the input voltage of the circuit has a positive resistance near 0, it is necessary to add some fluctuations to start vibration. Such fluctuations are caused by, for example, superimposing a pulse on the external voltage. Can be easily obtained.

図5は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第2の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子21,22と、インダクタ23と、キャパシタ24と,負荷25とを具える。図5に示す回路は、負荷25の一端をN型負性抵抗素子11,12の接続点に接続するとともに負荷25の他端を接地した点を除いて、第1の実施の形態と同一構成を有する。負荷25としては、抵抗の他に一般のインピーダンスを用いることができる。   FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 21 and 22, an inductor 23, a capacitor 24, and a load 25. The circuit shown in FIG. 5 has the same configuration as that of the first embodiment except that one end of the load 25 is connected to the connection point of the N-type negative resistance elements 11 and 12 and the other end of the load 25 is grounded. Have As the load 25, a general impedance can be used in addition to a resistor.

この場合、N型負性抵抗素子21,22の直列回路の電流−電圧特性は、第1の実施の形態における電流−電圧特性に負荷25の電流−電圧特性を加えたものとなる。本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様に、回路の入力電圧が0付近で直流的に安定であり、その直流回路の外側では負性抵抗となるため、発振可能である。また、第1の実施の形態と同様な方法により、発振を開始するための揺らぎを与えることができる。   In this case, the current-voltage characteristic of the series circuit of the N-type negative resistance elements 21 and 22 is obtained by adding the current-voltage characteristic of the load 25 to the current-voltage characteristic in the first embodiment. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the input voltage of the circuit is stable in a direct current near 0 and becomes a negative resistance outside the direct current circuit, so that oscillation is possible. Further, the fluctuation for starting oscillation can be given by the same method as in the first embodiment.

図6は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第3の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子31,32と、インダクタ33と、キャパシタ34と,負荷35と、整合回路36とを具える。図6に示す回路は、負荷25の一端とN型負性抵抗素子11,12の接続点との間に整合回路36を配置した点を除いて、第2の実施の形態と同一構成を有する。これによって、負荷25に対して最大の出力及び効率を得ることができ、かつ、N型負性抵抗素子31,32の面積に応じた最大の出力パワーを得ることができる。   FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 31, 32, an inductor 33, a capacitor 34, a load 35, and a matching circuit 36. The circuit shown in FIG. 6 has the same configuration as that of the second embodiment except that a matching circuit 36 is arranged between one end of the load 25 and the connection point of the N-type negative resistance elements 11 and 12. . As a result, the maximum output and efficiency for the load 25 can be obtained, and the maximum output power corresponding to the areas of the N-type negative resistance elements 31 and 32 can be obtained.

図7は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第4の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子41,42と、伝送線路43と、負荷44と、整合回路45とを具える。この場合、共振回路を伝送線路43によって構成しているが、その動作原理は、第1〜3の実施の形態と同一である。   FIG. 7 is a diagram showing a fourth embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 41 and 42, a transmission line 43, a load 44, and a matching circuit 45. In this case, although the resonance circuit is comprised by the transmission line 43, the operation principle is the same as the 1st-3rd embodiment.

図8は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第5の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子51,52と、pn接合ダイオード53と、インダクタ54と、負荷55と、整合回路56とを具える。pn接合ダイオード53は、その両端に印加された電圧によって容量を変化できる特性を有する。したがって、図8に示す回路では、その容量に与えるバイアス電流によってその容量値を変えることができる。   FIG. 8 is a diagram showing a fifth embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 51 and 52, a pn junction diode 53, an inductor 54, a load 55, and a matching circuit 56. The pn junction diode 53 has a characteristic that the capacitance can be changed by a voltage applied to both ends thereof. Therefore, in the circuit shown in FIG. 8, the capacitance value can be changed by the bias current applied to the capacitance.

図9は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第6の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子61,62と、インダクタ63と、キャパシタ64と、負荷65と、整合回路66の他に、N型負性抵抗素子67,68と、インダクタ69と、キャパシタ70,71とを具える。この場合、図3に示す回路と図6に示す回路とが縦続接続され、N型負性抵抗素子67,68の面積を、N型負性抵抗素子61,62の面積より小さくすることによって、外部バイアス回路(図示せず)による低周波発振を防止している。   FIG. 9 is a diagram showing a sixth embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 61 and 62, an inductor 63, a capacitor 64, a load 65, a matching circuit 66, N-type negative resistance elements 67 and 68, an inductor 69, and a capacitor. 70, 71. In this case, the circuit shown in FIG. 3 and the circuit shown in FIG. 6 are connected in cascade, and the area of the N-type negative resistance elements 67 and 68 is made smaller than the area of the N-type negative resistance elements 61 and 62. Low frequency oscillation by an external bias circuit (not shown) is prevented.

したがって、N型負性抵抗素子67,68では、入力電圧が0付近でも負性抵抗を有するようにバイアスをかけることができ、特別なトリガを与えなくても発振が生じる。その結果、N型負性抵抗素子61,62の面積をN型負性抵抗素子67,68の面積に比べて大きくし、かつ、低周波発振が生じないように入力電圧の0付近に正の抵抗が生じるようにバイアスをかけたとしても、インダクタ63及びキャパシタ64で構成される発振回路は、N型負性抵抗素子67,68からの出力により発振する。すなわち、図9に示す構造を用いることによって、特別なトリガなしで大きな出力パワーを得ることができる。   Therefore, the N-type negative resistance elements 67 and 68 can be biased so as to have a negative resistance even when the input voltage is close to 0, and oscillation occurs even if a special trigger is not applied. As a result, the area of the N-type negative resistance elements 61 and 62 is made larger than the area of the N-type negative resistance elements 67 and 68, and a positive value is obtained near 0 of the input voltage so that low frequency oscillation does not occur. Even if a bias is applied so that a resistance is generated, the oscillation circuit composed of the inductor 63 and the capacitor 64 oscillates by the outputs from the N-type negative resistance elements 67 and 68. That is, by using the structure shown in FIG. 9, a large output power can be obtained without a special trigger.

図10は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第7の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子81,82と、インダクタ83と、キャパシタ84と、負荷85と、整合回路86,87と、入力端子88とを具える。このように入力端子88を設けることによって、図10に示す回路は、アクティブバンドパスフィルタ又は狭帯域増幅器として動作する。   FIG. 10 is a diagram showing a seventh embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 81 and 82, an inductor 83, a capacitor 84, a load 85, matching circuits 86 and 87, and an input terminal 88. By providing the input terminal 88 in this way, the circuit shown in FIG. 10 operates as an active bandpass filter or a narrowband amplifier.

図11は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第8の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子91,92と、インダクタ93と、キャパシタ94と、負荷95と、整合回路96と、入力端子97とを具える。   FIG. 11 is a diagram showing an eighth embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 91 and 92, an inductor 93, a capacitor 94, a load 95, a matching circuit 96, and an input terminal 97.

本実施の形態では、N型負性抵抗素子91,92のバイアス電圧をバレー電圧より大きくし、入力電圧の0付近に、十分広い正の抵抗領域を作り、自励発振を防止するとともに入力端子97に高周波信号を入力している。   In the present embodiment, the bias voltage of the N-type negative resistance elements 91 and 92 is made larger than the valley voltage, a sufficiently wide positive resistance region is formed near 0 of the input voltage, and self-oscillation is prevented and the input terminal A high frequency signal is input to 97.

この際、図11に示す回路は、強い非線形により周期倍分岐現象が生じ、入力周波数の整数分の1の周波数を有する信号が出力される。すなわち、図11に示す回路は、ダイナミック型分周器として動作する。また、図11に示す回路は、カオス信号の生成にも使用することができる。さらに、入力側に整合回路を設けてもよい。   At this time, the circuit shown in FIG. 11 causes a period-double branching phenomenon due to strong non-linearity, and a signal having a frequency that is 1 / integer of the input frequency is output. That is, the circuit shown in FIG. 11 operates as a dynamic frequency divider. The circuit shown in FIG. 11 can also be used to generate a chaos signal. Further, a matching circuit may be provided on the input side.

図12は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第9の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子101,102と、インダクタ103と、キャパシタ104と、負荷105と、整合回路106と、パストランジスタ107と、入力端子108とを具える。   FIG. 12 is a diagram showing a ninth embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 101 and 102, an inductor 103, a capacitor 104, a load 105, a matching circuit 106, a pass transistor 107, and an input terminal 108.

図12に示す回路は、周期的に系の状態をリセットする制御回路を組み込んだ点を除いて第8の実施の形態と同一構成を有する。本実施の形態では、制御回路として、カオス生成器の出力ノードにパストランジスタ107を通じて外部電源(図示せず)に接続したものを用いている。   The circuit shown in FIG. 12 has the same configuration as that of the eighth embodiment except that a control circuit that periodically resets the system state is incorporated. In the present embodiment, a control circuit that uses an output node of a chaos generator connected to an external power source (not shown) through a pass transistor 107 is used.

従来、カオスはランダムで制御不可能な現象とみなされてきたが、その振る舞いは、方程式に従う決定論的系である。カオスが予測不可能な理由は、初期条件の微小な違いが時間とともに指数関数的に発散するためである。したがって、時間を制限することによりカオスの振る舞いを予測することが可能となる。   Traditionally, chaos has been regarded as a random and uncontrollable phenomenon, but its behavior is a deterministic system following an equation. The reason chaos is unpredictable is that small differences in initial conditions diverge exponentially with time. Therefore, it becomes possible to predict the behavior of chaos by limiting the time.

また、カオスは、無限の波形・信号パターンを含む信号源とみなすことができるので、これを制御することによって様々な信号を取り出すことができる。本実施の形態では、パストランジスタ107を通じて出力ノードに外部電源(図示せず)をつなぎ、それを周期的にオンすることによって、回路を所望の初期条件にリセットする。そのリセット間隔は、リセット時における初期条件に含まれる誤差によって決定される。すなわち、リセット間隔を、初期条件に含まれる誤差が出力に影響を及ぼさない程度に短い時間とする。   Further, since chaos can be regarded as a signal source including an infinite waveform / signal pattern, various signals can be extracted by controlling this. In this embodiment, an external power source (not shown) is connected to the output node through the pass transistor 107, and the circuit is reset to a desired initial condition by periodically turning it on. The reset interval is determined by an error included in the initial condition at the time of reset. That is, the reset interval is set to such a short time that the error included in the initial condition does not affect the output.

この際、外部電源の電圧Vctrl及びリセット電圧Vresetのタイミングにより、系の出力する信号パターンを選択することができる。カオスが様々な信号を含んでいるので、図12に示す回路は、様々な信号パターンを出力することができる。   At this time, the signal pattern output by the system can be selected according to the timing of the voltage Vctrl of the external power supply and the reset voltage Vreset. Since the chaos includes various signals, the circuit shown in FIG. 12 can output various signal patterns.

図13は、本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第10の実施の形態を示す図である。この回路は、N型負性抵抗素子111,112と、インダクタ113と、キャパシタ114と、識別器115と、パストランジスタ116と、入力端子117とを具える。   FIG. 13 is a diagram showing a tenth embodiment of a circuit having an N-type negative resistance element according to the present invention. This circuit includes N-type negative resistance elements 111 and 112, an inductor 113, a capacitor 114, a discriminator 115, a pass transistor 116, and an input terminal 117.

本実施の形態は、出力側に識別器116を設け、出力をデジタル化したものである。これによって、図13に示す回路は、パルスパターン生成器として動作する。パルスパターンは、リセット回路(図示せず)に供給される電圧及びリセットのタイミングによって選択される。また、リセット回路を動作させない場合、図13に示す回路は、ランダムパルスを出力する。   In this embodiment, a discriminator 116 is provided on the output side, and the output is digitized. As a result, the circuit shown in FIG. 13 operates as a pulse pattern generator. The pulse pattern is selected according to the voltage supplied to the reset circuit (not shown) and the reset timing. When the reset circuit is not operated, the circuit shown in FIG. 13 outputs a random pulse.

本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、幾多の変更及び変形が可能である。
例えば、共振回路として、第1〜10の実施の形態で説明した共振回路以外の共振回路を使用することができる。また、第1〜10の実施の形態において、直列接続された二つのN型負性抵抗素子の両端に正の電圧及び負の電圧を印加し、直列接続された二つのN型負性抵抗素子の接続点が直流的に0Vである場合について説明したが、直列接続された二つのN型負性抵抗素子の一端を接地するとともに、他端に正の電圧を印加して、接続点の直流電位を印加電圧の1/2となるようにしてもよい。さらに、第1〜10の実施の形態において、低周波的なグランドとのショートを共振回路で行う場合について説明したが、低周波的なグランドとのショートを他の手段(例えば、二つのN型負性抵抗素子の接続点にインダクタの第1端子を接続し、インダクタの第2端子にキャパシタの第1端子を接続し、かつ、キャパシタの第2端子を接地したもの)によって行うこともできる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and many changes and modifications can be made.
For example, a resonance circuit other than the resonance circuit described in the first to tenth embodiments can be used as the resonance circuit. In the first to tenth embodiments, two N-type negative resistance elements connected in series by applying a positive voltage and a negative voltage to both ends of the two N-type negative resistance elements connected in series. The connection point is 0V in terms of DC, but one end of two N-type negative resistance elements connected in series is grounded, and a positive voltage is applied to the other end so that the DC voltage at the connection point is The position may be ½ of the applied voltage. Furthermore, in the first to tenth embodiments, the case where the short circuit with the low frequency ground is performed by the resonance circuit has been described. However, the short circuit with the low frequency ground can be performed by other means (for example, two N-types). The first terminal of the inductor is connected to the connection point of the negative resistance element, the first terminal of the capacitor is connected to the second terminal of the inductor, and the second terminal of the capacitor is grounded).

第5の実施の形態において、pn接合ダイオードの代わりに、ショットキーダイオードのような他の電圧制御型容量素子を用いることもできる。さらに、第6の実施の形態において、キャパシタを用いた接続を行っているが、抵抗やインダクタンスを用いた接続や直接接合を行うこともできる。   In the fifth embodiment, another voltage-controlled capacitive element such as a Schottky diode can be used instead of the pn junction diode. Furthermore, in the sixth embodiment, a connection using a capacitor is performed, but a connection using a resistor or an inductance or direct bonding can also be performed.

低電圧、低消費電力かつ高効率の超高周波発振回路、増幅回路、分周回路及び信号生成回路を用いた通信、レーダ、測定等への応用。   Application to communications, radar, measurement, etc. using low voltage, low power consumption and high efficiency ultra-high frequency oscillation circuit, amplifier circuit, frequency divider circuit and signal generator circuit.

N型負性抵抗素子を有する回路の従来例を示す図である。It is a figure which shows the prior art example of the circuit which has an N type negative resistance element. N型負性抵抗素子の電流−電圧特性を示す図である。It is a figure which shows the current-voltage characteristic of an N-type negative resistance element. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第1の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the circuit which has an N-type negative resistance element by this invention. 図1の回路における第1のN型負性抵抗素子と第2のN型負性抵抗素子との間の接続点における電流−電圧特性を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the current-voltage characteristic in the connection point between the 1st N type negative resistance element and the 2nd N type negative resistance element in the circuit of FIG. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第2の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the circuit which has an N-type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第3の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 3rd Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第4の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 4th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第5の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 5th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第6の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 6th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第7の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 7th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第8の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 8th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第9の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 9th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention. 本発明による、N型負性抵抗素子を有する回路の第10の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows 10th Embodiment of the circuit which has an N type negative resistance element by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 直流電源
2,13,23,33,54,63,69,83,93,103,113 インダクタ
3,14,24,34,64,70,71,84,94,104,114 キャパシタ
4,11,12,21,22,31,32,41,42,51,52,61,62,67,68,81,82,91,92,101,102,111,112 N型負性抵抗素子
5,25,35,44,55,65,85,95,105 負荷
36,45,56,66,86,87,96,106 整合回路
43 伝送線路
53 pn接合ダイオード
88,97,108,117 入力端子
107,116 パストランジスタ
115 識別器
+Vb 正の電圧
−Vb 負の電圧
Vctrl 外部電源の電圧
Vreset リセット電圧
1 DC power supply 2, 13, 23, 33, 54, 63, 69, 83, 93, 103, 113 Inductor 3, 14, 24, 34, 64, 70, 71, 84, 94, 104, 114 Capacitor 4, 11 , 12, 21, 22, 31, 32, 41, 42, 51, 52, 61, 62, 67, 68, 81, 82, 91, 92, 101, 102, 111, 112 N-type negative resistance element 5, 25, 35, 44, 55, 65, 85, 95, 105 Load 36, 45, 56, 66, 86, 87, 96, 106 Matching circuit 43 Transmission line 53 Pn junction diode 88, 97, 108, 117 Input terminal 107 , 116 Pass transistor 115 Discriminator + Vb Positive voltage −Vb Negative voltage Vctrl External power supply voltage Vreset Reset voltage

Claims (10)

正の電圧が印加される第1端子と、第2端子とを有する第1のN型負性抵抗素子と、
前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子に接続した第1端子と、前記正の電圧と同じ大きさの負の電圧が印加され又は接地された第2端子とを有する第2のN型負性抵抗素子と、
少なくとも共振回路を有し、前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に前記共振回路を接続した回路部とを具えることを特徴とする、N型負性抵抗素子を有する回路。
A first N-type negative resistance element having a first terminal to which a positive voltage is applied and a second terminal;
A second terminal having a first terminal connected to a second terminal of the first N-type negative resistance element and a second terminal to which a negative voltage having the same magnitude as the positive voltage is applied or grounded; An N-type negative resistance element;
A circuit portion having at least a resonance circuit, and connecting the resonance circuit to a connection portion between the second terminal of the first N-type negative resistance element and the first element of the second N-type negative resistance element; A circuit having an N-type negative resistance element.
前記共振回路を、インダクタとキャパシタからなる並列共振回路又は伝送線路によって構成したことを特徴とする、請求項1記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   2. The circuit having an N-type negative resistance element according to claim 1, wherein the resonance circuit is constituted by a parallel resonance circuit or a transmission line including an inductor and a capacitor. 前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部を、低周波的にグランドとショートしたことを特徴とする、請求項1又は2記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   The connection portion between the second terminal of the first N-type negative resistance element and the first element of the second N-type negative resistance element is short-circuited to the ground at a low frequency. Item 3. A circuit having an N-type negative resistance element according to Item 1 or 2. 前記回路部が負荷を更に有することを特徴とする、請求項1から3のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   4. The circuit having an N-type negative resistance element according to claim 1, wherein the circuit unit further includes a load. 5. 前記回路部が整合回路を更に有することを特徴とする、請求項1から4のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   The circuit having an N-type negative resistance element according to any one of claims 1 to 4, wherein the circuit unit further includes a matching circuit. 前記回路部が電圧制御型容量素子を更に有することを特徴とする、請求項1から5のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   The circuit having an N-type negative resistance element according to any one of claims 1 to 5, wherein the circuit unit further includes a voltage-controlled capacitive element. 前記回路部が、
正の電圧が印加される第1端子と、第2端子とを有する第3のN型負性抵抗素子と、
前記第3のN型負性抵抗素子の第2端子に接続した第1端子と、前記正の電圧と同じ大きさの負の電圧が印加され又は接地された第2端子とを有する第4のN型負性抵抗素子と、
前記第3のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第4のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に接続した共振回路と、
前記第1のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部と、前記第3のN型負性抵抗素子の第2端子と前記第4のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部とを接続する接続手段とを更に有し、
前記第3及び第4のN型負性抵抗素子の面積を、前記第1及び第2のN型負性抵抗素子の面積よりも小さくしたことを特徴とする、請求項1から6のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。
The circuit section is
A third N-type negative resistance element having a first terminal to which a positive voltage is applied and a second terminal;
A fourth terminal having a first terminal connected to the second terminal of the third N-type negative resistance element, and a second terminal to which a negative voltage having the same magnitude as the positive voltage is applied or grounded An N-type negative resistance element;
A resonance circuit connected to a connection portion between the second terminal of the third N-type negative resistance element and the first element of the fourth N-type negative resistance element;
A connection portion between the second terminal of the first N-type negative resistance element and the first element of the second N-type negative resistance element; the second terminal of the third N-type negative resistance element; Connection means for connecting a connection portion between the fourth N-type negative resistance element and the first element;
7. The area of the third and fourth N-type negative resistance elements is smaller than the area of the first and second N-type negative resistance elements. A circuit comprising the N-type negative resistance element according to any one of the above.
前記回路部が入力端子を更に有し、アクティブバンドパスフィルタ、狭帯域増幅器又はダイナミック型分周器を構成することを特徴とする、請求項1から7のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   The N according to any one of claims 1 to 7, wherein the circuit unit further includes an input terminal and constitutes an active bandpass filter, a narrowband amplifier, or a dynamic frequency divider. A circuit having a negative resistance element. 前記回路部が、周期的に所定の初期条件にリセットする制御手段を更に有することを特徴とする、請求項1から8のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   The circuit having an N-type negative resistance element according to any one of claims 1 to 8, wherein the circuit unit further includes a control unit that periodically resets the circuit unit to a predetermined initial condition. . 前記回路部が、出力をデジタル化する識別器を更に有することを特徴とする、請求項1から9のうちのいずれか1項に記載のN型負性抵抗素子を有する回路。   The circuit having an N-type negative resistance element according to any one of claims 1 to 9, wherein the circuit unit further includes an identifier for digitizing an output.
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