JP2005317761A - Apparatus and method for cleaving wafer - Google Patents
Apparatus and method for cleaving wafer Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005317761A JP2005317761A JP2004133890A JP2004133890A JP2005317761A JP 2005317761 A JP2005317761 A JP 2005317761A JP 2004133890 A JP2004133890 A JP 2004133890A JP 2004133890 A JP2004133890 A JP 2004133890A JP 2005317761 A JP2005317761 A JP 2005317761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaving
- scribe line
- roller
- cleavage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
この発明は、ウエハへき開装置及びウエハへき開方法に関する。 The present invention relates to a wafer cleaving apparatus and a wafer cleaving method.
従来、個々のチップに分離する際に、中心部にかけて太くなる形状のローラを粘着テープの裏面に接触させ、X方向、Y方向に別々に順にローラを回転させながら走行させて各チップ領域を個々に分離するものがある(例えば、特許文献1)。 Conventionally, when separating into individual chips, a roller having a shape that becomes thicker toward the center is brought into contact with the back surface of the adhesive tape, and each chip area is individually moved by rotating the rollers separately in the X and Y directions. (For example, Patent Document 1).
また、例えば、図25に示すように、円柱型ローラによりウエハをバー化、チップ化する場合、スクライブライン101が設けてあるウエハ102の反対面を拡張シート103の粘着面に貼り付け、スクライブラインが設けてある面を保護シート104により被覆し、ついで、ウエハセット用テーブル105のゴム板106上にスクライブライン101が設けてある面に被覆してある保護シート104の面を下にしてセットし、ついで、拡張シート103の粘着面上をへき開用ローラにより加圧、回転移動してウェハ102をへき開し、バーに分離し、またはチップに分離している。
Further, for example, as shown in FIG. 25, when a wafer is made into a bar and formed into a chip by a cylindrical roller, the opposite surface of the
また、図26に示すように、光半導体レーザー素子が形成されているウエハ102をバー化する場合、ウエハ102の両サイドに部分的にスクライブライン101を設け、ローラによる加圧へき開ではなく、金型刃110及び下型111を用い、その金型刃110がスクライブライン101の位置に合うよう個々に位置決めしてから加圧、へき開している。または、図27に示すように、金型111と金型112にてウエハ102を押え、ついで金型刃110により加圧し、へき開している。
ところで、図28に示すように、スクライブライン101が設けてあるウエハ102を拡張シート103及び保護シート104により挟み、ウエハ102をサンドウイッチ構造にし、ついで、へき開用ローラ107にて加圧、回転移動させてへき開するが、拡張シート103または保護シート104との間に気泡Aが入っているため、へき開用ローラ107で加圧してへき開する際、その気泡Aによりへき開用ローラ107の加圧力が不安定となり、1回のへき開作業ではバー化、チップ化が困難であり、へき開作業を2〜3回繰り返さなければならない。
By the way, as shown in FIG. 28, the
また、図29に示すように、厚いウエハ102をへき開する場合、へき開用ローラ107が変形し、ウエハ102の中心部分がへき開できないことがある。
Further, as shown in FIG. 29, when the
また、図30に示すように、バーのサイズ及びチップのサイズによりヘき開用ローラ107の径を変更する必要がある。例えば、スクライブライン101のピッチが1mm以上の場合はφ10mm以上のヘき開用ローラ107aを用い、1mm以下の場合はφ10mm以下のヘき開用ローラ107bを使用する。即ち、ローラ径が大きいとへき開角度Dが小さいため1mm以下のスクライブラインピッチサイズでは割れにくい。また、小さいローラ径で1mm以上のスクライブラインピッチサイズをへき開した場合はへき開角度Dが大きくなり、バー及びチップの上面部のコーナー部分Cが接触し、ワレ、カケが発生することがある。
Further, as shown in FIG. 30, it is necessary to change the diameter of the
また、光半導体レーザー素子の製造途中において、電極が形成されているウエハ102をバー状にへき開し、バー化されたウエハ102の端面に反射防止膜を被覆しなければならない。その際、スクライブライン101はウエハ102の両サイドのみ部分的に設け、バー1本ずつを個々に金型刃で加圧してへき開しているためへき開に時間を要する。また、微細なサイズにへき開する場合は、自動送り装置を有した高価なへき開装置が必要であり、且つ、金型刃の磨耗が発生し、へき開後のバー形状及びチップ形状の不良が発生する。
Further, during the manufacturing of the optical semiconductor laser element, the
また、図31に示すように、バー化され、且つ、その端面に反射防止膜が形成され、且つ、スクライブライン101が設けてある光半導体レーザー素子L2をチップ化する際、へき開用ローラ107の加圧によりゴム板106が凹み、ゴム及び保護シート104が素子端面の発光部P及び素子端面に被覆されている反射防止膜AR、FRに接触し、ダメージを与える可能性がある。
Further, as shown in FIG. 31, when the optical semiconductor laser element L2 formed into a bar and having an antireflection film formed on its end surface and provided with the
この発明は、かかる実情に鑑みてなされたもので、第1の目的はへき開を短時間に、かつ確実に行なうことが可能であり、第2の目的はへき開によるワレ、カケの発生を防止することが可能であり、第3の目的はへき開後のバー形状及びチップ形状の不良発生を軽減することが可能であり、第4の目的は光半導体レーザー素子にダメージを与えることなくチップ化することが可能であるウエハへき開装置及びウエハへき開方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and the first object is to perform cleavage in a short time and with certainty, and the second object is to prevent the occurrence of cracks and cracks due to cleavage. The third object is to reduce the occurrence of defects in the bar shape and chip shape after cleavage, and the fourth object is to make a chip without damaging the optical semiconductor laser element. A wafer cleaving apparatus and a wafer cleaving method are provided.
前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。 In order to solve the above problems and achieve the object, the present invention is configured as follows.
請求項1に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開する複数のへき開用ローラを備えることを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to
A wafer cleaving apparatus comprising a plurality of cleaving rollers that pressurize and rotate a wafer provided with the scribe line to cleave the scribe line.
請求項2に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開するへき開用ローラと、
前記ウエハヘき開時の圧力による前記へき開用ローラの変形を防止する押えローラとを備えることを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to
A cleaving roller that pressurizes and rotationally moves the wafer on which the scribe line is provided, and cleaves the scribe line;
A wafer cleaving apparatus comprising: a pressing roller that prevents deformation of the cleaving roller due to pressure at the time of cleaving the wafer.
請求項3に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
ローラ径の異なる複数のへき開用ローラを有する回転ユニットを備え、
前記ウエハに応じて前記ローラ径の異なるへき開用ローラに変更可能であることを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to
A rotating unit having a plurality of cleaving rollers having different roller diameters;
The wafer cleaving apparatus can be changed to a cleaving roller having a different roller diameter depending on the wafer.
請求項4に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に段差を設け、ウエハの両サイドに部分的に設けたスクライブラインの片側のスクライブライン部分のみを加圧することを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
A wafer cleaving apparatus is characterized in that a step is provided on at least one of the rubber plate or the cleaving roller, and only one scribe line portion of a scribe line partially provided on both sides of the wafer is pressurized.
請求項5に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に溝を設け、前記ウエハの加圧しない個所が前記溝になるようにしたことを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
The wafer cleaving apparatus is characterized in that a groove is provided in at least one of the rubber plate or the cleaving roller so that a portion where the wafer is not pressed becomes the groove.
請求項6に記載の発明は、半導体レーザー素子が形成されているウエハをバーに分離する際に、
前記ウエハの両サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法である。
The invention according to
A scribe line is partially provided on both sides of the wafer,
A method for cleaving a wafer, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a die blade is applied to one side of the scribe line.
請求項7に記載の発明は、半導体レーザー素子が形成されているウエハをバーに分離する際に、
前記ウエハの片サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法である。
In the invention according to
A scribe line is partially provided on one side of the wafer,
A method for cleaving a wafer, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a die blade is applied to one side of the scribe line.
請求項8に記載の発明は、半導体レーザー素子が形成され、且つ、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、バーに分離されているウエハをチップに分離する際、
前記バーの端面コーナより内側にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインにへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法である。
In the invention according to claim 8, when the semiconductor laser element is formed and the end face is coated with an antireflection film and the wafer separated into bars is separated into chips,
Provide a scribe line inside the end face corner of the bar,
A method for cleaving a wafer, wherein the cleaving line is cleaved by applying a cleaving roller or a pressing force of a die blade.
前記構成により、この発明は、以下のような効果を有する。 With the above configuration, the present invention has the following effects.
請求項1に記載の発明によれば、ウエハヘき開時に、複数のへき開用ローラを用い、先行のへき開用ローラで拡張シートと保護シートの中に発生している気泡を押し出し、且つ、ヘき開し、後続のへき開用ローラにより先行のへき開用ローラで気泡の影響によりヘき開できなかった個所を確実にへき開することができ、作業性が向上する。 According to the first aspect of the present invention, when cleaving the wafer, a plurality of cleaving rollers are used, the bubbles generated in the expansion sheet and the protective sheet are pushed out by the preceding cleaving roller, and the cleaving is performed. The portion that could not be cleaved by the preceding cleaving roller due to the influence of air bubbles can be surely cleaved by the subsequent cleaving roller, and workability is improved.
請求項2に記載の発明によれば、ウエハヘき開時の圧力によるへき開用ローラの変形を防止する押えローラを備え、厚いウエハをへき開する際のへき開用ローラの変形を防止し、ウエハ全体を均一に加圧することができ、安定したへき開ができる。 According to the second aspect of the present invention, the pressing roller for preventing deformation of the cleaving roller due to pressure at the time of cleaving the wafer is provided, the deformation of the cleaving roller when cleaving a thick wafer is prevented, and the entire wafer is Uniform pressure can be applied and stable cleavage can be achieved.
請求項3に記載の発明によれば、ウエハに応じてローラ径の異なるへき開用ローラに変更可能であり、多種のウエハのヘき開サイズに対応できるようになり、且つ、装置の自動化に対応することができる。 According to the third aspect of the present invention, it is possible to change to a cleaving roller having a different roller diameter depending on the wafer, so that the cleaving size of various wafers can be accommodated, and the apparatus can be automated. can do.
請求項4に記載の発明によれば、ゴム板またはへき開用ローラに段差を設け、ウエハの両サイドに部分的に設けたスクライブラインの片側のスクライブライン部分のみを加圧することで、へき開面が直線状になり、しかも提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。
According to the invention described in
請求項5に記載の発明によれば、ゴム板またはへき開用ローラに溝を設け、ウエハの加圧しない個所が溝になるようにし、へき開面が直線状になり、しかも提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。
According to the invention described in
請求項6に記載の発明によれば、ウエハの両サイドに部分的にスクライブラインを設け、スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。
According to the invention described in
請求項7に記載の発明によれば、ウエハの片サイドに部分的にスクライブラインを設け、スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。
According to the invention described in
請求項8に記載の発明によれば、バーの端面コーナより内側にスクライブラインを設け、スクライブラインにへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、端面コ―ナ部の破損を防止でき、旦つ、チップ化後の形状不良をなくすことができる。 According to the eighth aspect of the present invention, the scribe line is provided on the inner side of the end face corner of the bar, and the scribe line is cleaved so that the pressing force of the cleaving roller or the die blade is applied, thereby the end face core. It is possible to prevent damage to the inner portion, and to eliminate the shape defect after chip formation.
以下、この発明のウエハへき開装置及びウエハへき開方法の実施の形態について説明するが、この発明は、この実施の形態に限定されない。また、この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すものであり、この発明の用語はこれに限定されない。
[第1の実施の形態]
まず、第1の実施の形態を図1に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、スクライブライン1が設けてあるウエハ2をスクライブライン1からへき開する。このウエハへき開装置には、2個のへき開用ローラ7a,7bが備えられ、1個の押えローラ7cが備えられている。この2個のへき開用ローラ7a,7bは、ローラ径が同じであり、1個の押えローラ7cはへき開用ローラ7a,7bのローラ径より大きいローラ径になっている。この2個のへき開用ローラ7a,7b及び1個の押えローラ7cは、それぞれ装置本体10に回転可能に設けられている。
Hereinafter, embodiments of the wafer cleaving apparatus and the wafer cleaving method of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to this embodiment. The embodiment of the present invention shows the most preferable mode of the present invention, and the terminology of the present invention is not limited to this.
[First Embodiment]
First, a first embodiment will be described with reference to FIG. The wafer cleaving apparatus of this embodiment cleaves the
ウエハヘき開時には、スクライブライン1が設けてあるウエハ2の反対面を拡張シート3の粘着面に貼り付け、スクライブライン1が設けてある面を保護シート4により被覆する。ついで、ウエハセット用テーブル5のゴム板6上にスクライブライン1が設けてある面に被覆してある保護シート4の面を下にしてセットする。ついで、拡張シート3の粘着面上をへき開用ローラ7a,7bにより加圧、回転移動してウェハ2をへき開し、バーに分離し、またはチップに分離する。 この実施の形態では、先行のへき開用ローラ7aで拡張シート3と保護シート4の中に発生している気泡Aを押し出し、且つ、ヘき開し、後続のへき開用ローラ7bにより先行のへき開用ローラ7aで気泡Aの影響によりヘき開できなかった個所を確実にへき開することができ、作業性が向上する。
When the wafer is cleaved, the opposite surface of the
この実施の形態では、2個のへき開用ローラ7a,7cを備え、1個の押えローラ7cによりへき開用ローラ7a,7bの変形を防止しているが、この押えローラ7cは用いないで2個のへき開用ローラ7a,7bだけでもよい。また、複数のへき開用ローラでスクライブライン1が設けてあるウエハ2を加圧、回転移動し、スクライブライン1からへき開する構成であれば、2個、3個、4個等、個数、構造は限定されない。
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態を図2及び図3に基づいて説明する。この図2に示す実施の形態のウエハへき開装置は、図1に示す実施の形態と同様に構成されるが、図2に示すように、例えば拡張シートを使用しないでへき開する場合、1個のへき開用ローラ7aにより加圧、回転移動してウェハ2をへき開し、バーに分離し、またはチップに分離し、2個の押えローラ7c,7cによりへき開用ローラ7aの変形を防止するようになっている。このように、ウエハヘき開時の圧力によるへき開用ローラ7aの変形を防止する押えローラ7c,7cを備え、厚いウエハ2をへき開する際のへき開用ローラ7aの変形を防止し、ウエハ全体を均一に加圧することができ、安定したへき開ができる。
In this embodiment, two cleaving
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. The wafer cleaving apparatus of the embodiment shown in FIG. 2 is configured in the same manner as the embodiment shown in FIG. 1, but, as shown in FIG. 2, for example, when cleaving without using an expansion sheet, The
また、図2に示す実施の形態では、へき開用ローラ7aが変形しないように、へき開用ローラ7a上に2個の押えローラ7c,7cを設置するが、図3に示すように、へき開用ローラ7aが単一ローラの場合、1個の押えローラ7cを設けてもよい。
[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態を図4に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、ローラ径の異なる複数のへき開用ローラ7a,7bを有する回転ユニット20を備える。この回転ユニット20の回転体21には、4個所にローラ径の異なるへき開用ローラ7a,7bが回転可能に設けられ、さらにそれぞれの個所のへき開用ローラ7a,7bはそれぞれに対応して1個の押えローラ7cが設けられ、この1個の押えローラ7cによりへき開用ローラ7a,7bの変形を防止するようになっている。この回転体21は、回転軸22を支点にして装置本体10に回転可能に設けられている。
In the embodiment shown in FIG. 2, the two
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. The wafer cleaving apparatus of this embodiment includes a
この実施の形態では、ウエハ2のサイズに応じてローラ径の異なるへき開用ローラ7a,7bに変更可能であり、多種のウエハ2のヘき開サイズに対応できるようになり、且つ、装置の自動化に対応することができる。
In this embodiment, the cleaving
なお、この実施の形態では、図1に示す実施の形態のローラ構成でローラ径の異なるへき開用ローラを用いているが、図2または図3に示すローラ構成でローラ径の異なるへき開用ローラを用いてもよい。
[第4の実施の形態]
次に、第4の実施の形態を図5及び図6に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、スクライブライン1が設けてあるウエハ2をスクライブライン1からへき開する。このウエハ2は、図5に示すように、光半導体レーザー素子が形成され、且つ、ウエハ2の両端面2a,2b上に部分的にスクライブライン1が設けてある。
In this embodiment, a cleaving roller having a different roller diameter is used in the roller configuration of the embodiment shown in FIG. 1, but a cleaving roller having a different roller diameter is used in the roller configuration shown in FIG. 2 or FIG. It may be used.
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. The wafer cleaving apparatus of this embodiment cleaves the
ウエハへき開装置は、図6に示すように、ウエハ2を支持するゴム板6を有するウエハセット用テーブル5と、ウエハ2を加圧、回転移動するへき開用ローラ7とを備えている。このゴム板6には、段差6aが設けられ、へき開用ローラ7には段差7dが設けられている。
As shown in FIG. 6, the wafer cleaving apparatus includes a wafer setting table 5 having a
ウエハ2をへき開用ローラ7の加圧によりへき開する際、ウエハ2のいずれかの片端面のスクライブライン近傍のみが加圧できるようにすることで、片端面2aからもう一方の端面2b方向にへき開する。この実施の形態では、ゴム板6とへき開用ローラ7に段差を設けているが、少なくとも一方に段差を設ければ良い。
When cleaving the
このように、ゴム板6またはへき開用ローラの少なくとも一方に段差を設け、ウエハ2の両サイドに部分的に設けたスクライブライン1の片側のスクライブライン部分のみを加圧することで、へき開面が直線状になり、しかも提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。
[第5の実施の形態]
次に、第5の実施の形態を図7乃至図9に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、スクライブライン1が設けてあるウエハ2をスクライブライン1からへき開する。このウエハ2は、図7に示すように、光半導体レーザー素子が形成され、且つ、バー化されている。このウエハ2は、発光部P、発光端面部AR、FRを有する。
In this way, a step is provided on at least one of the
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIGS. The wafer cleaving apparatus of this embodiment cleaves the
ウエハへき開装置は、図8に示すように、ウエハ2を支持するゴム板6を有するウエハセット用テーブル5と、ウエハ2を加圧、回転移動するへき開用ローラ7とを備えている。このゴム板6には、溝6eが設けられ、へき開用ローラ7には溝7eが設けられている。
As shown in FIG. 8, the wafer cleaving apparatus includes a wafer setting table 5 having a
ウエハ2をへき開用ローラ7の加圧によりへき開する際、ウエハ2の加圧しない個所が溝になるようにし、発光部P、発光端面部AR,FRにゴム板6及び保護シート4等が接触しなくなり、提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。
When the
また、図9に示すように、ゴム板6に段部6dを設けられ、へき開用ローラ7に段部7dを設けてもよい。この実施の形態では、ゴム板6とへき開用ローラ7に溝、段差を設けているが、少なくとも一方に溝、段差を設ければ良い。
[実施例1]
図10乃至図12は光半導体受光素子PD(チップ化サイズ:1.0×1.0×0.35tmm)をチップ化する実施例を示す。図10はSiウエハの平面図、図11はSiウエハの断面図である。図中、2Aは電極まで形成され、且つ、スクライブライン1が設けてあるSiウエハ、スクライブライン1のスクライブ時の荷重は30gである。3は拡張シート、4は保護シートを示す。
Further, as shown in FIG. 9, the
[Example 1]
10 to 12 show an embodiment in which an optical semiconductor light-receiving element PD (chip size: 1.0 × 1.0 × 0.35 tmm) is formed into a chip. FIG. 10 is a plan view of the Si wafer, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the Si wafer. In the figure,
図12はウエハへき開装置の平面図である。このウエハへき開装置30は、操作部にへき開ローラ部70を前進、後進させる操作レバー30、へき開ローラ部70の移動速度を調整するスピード調整ダイヤル31、電源スイッチ32を有する。へき開ローラ部70は、第1の実施の形態の2個のへき開用ローラ7a,7bと、1個の押えローラ7cを有する。このへき開ローラ部70は、移動機構71によってウエハセット用テーブル5上を移動する。
FIG. 12 is a plan view of the wafer cleaving apparatus. The
拡張シート3及び保護シート4(スクライブ面)で被覆されたウエハを、本装置のウエハセット用テーブル5上にセットする。ウエハセット用テーブル5は回転テーブルであり、この回転テーブルにはシリコンのゴム板6が設置してある。このシリコンのゴム板6上にスクライブライン1が設けてある面をセットする。ついで、へき開ローラ部70とスクライブライン1が平行になるよう回転テーブルにて角度調整(平行度<10度)する。ついで、へき開ローラ部70により加圧、回転移動させてX方向をへき開する。ついで、回転テーブルにより90度回転させて再度Y方向をへき開し、作業を終了する。へき開用ローラ7a,7bの径はφ10mm、加圧力:8〜11kg(圧力は感圧紙により確認)、ローラ移動スピード:10mm/秒、シリコンのゴム硬度:70である。
[実施例2]
図13乃至図15は光半導体レーザー素子が形成され、且つ、スクライブライン1が設けてあるウエハをバー化(バー化サイズ:5×0.9×0.13tmm)する工程を示す。図13はInPウエハの平面図、図14はInPウエハの断面図である。図中、2Cは電極まで形成され、且つ、スクライブライン1が設けてあるInPウエハ、スクライブライン1のスクライブ時の荷重は30gである。3は拡張シート、4は保護シートを示す。図14に示す拡張シート3及び保護シート4(スクライブ面)で被覆されたウエハ2Cを、図15に示すウエハへき開装置30のシリコンのゴム板6が設置してあるシリコンのゴム板6上にセットする。
The wafer covered with the
[Example 2]
13 to 15 show a process of forming a wafer (bar forming size: 5 × 0.9 × 0.13 tmm) on the wafer on which the optical semiconductor laser element is formed and the
このウエハ2Cは、ウエハセット用テーブル5にスクライブラインが設けてある面をセットし、ついで、へき開用ローラ7とスクライブライン1が平行になるようウエハセット用テーブル5にて調整(平行度:<10度)する。ついで、へき開用ローラ7を加圧、回転移動させてへき開し、バー化する。へき開用ローラ7のローラ径;φ10mm、加圧力:8〜11kg、ローラ移動スピード:10mm/秒、シリコンのゴム硬度:70である。
[実施例3]
図16乃至図18は光半導体レーザー素子が形成され、且つ、バー化されたもので、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、スクライブラインが設けてあるバー状ウエハをチップ化する工程を示す。図16はバー状ウエハの平面図、図17はバー状ウエハの断面図である。図中、2Dはバー状ウエハ、AR,FRは反射防止膜、1はスクライブラインである。スクライブ時の荷重は30gである。3は拡張シート、4は保護シート、6は素子端面部が加圧されないように溝6dが設けられたシリコンのゴム板を示す。
The
[Example 3]
FIGS. 16 to 18 show an optical semiconductor laser element formed and formed into a bar, and the end surface of the bar-shaped wafer having an antireflection film coated thereon and a scribe line is formed into chips. Indicates. 16 is a plan view of the bar-shaped wafer, and FIG. 17 is a cross-sectional view of the bar-shaped wafer. In the figure, 2D is a bar-shaped wafer, AR and FR are antireflection films, and 1 is a scribe line. The load during scribing is 30 g. 3 is an expansion sheet, 4 is a protective sheet, and 6 is a silicon rubber plate provided with a
拡張シート3及び保護シート(スクライブ面)で被覆されたバー状ウエハ2Dを本装置のシリコンのゴム板6上にスクライブ面を下にし、且つ、シリコンのゴム板6の溝6dに素子端面部分がくるようセットする。ついで、シリコンのゴム板6の設置されているウエハセット用テーブル5にてへき開ローラ7とスクライブライン1が平行になるよう調整(平行度:<10度)する。ついで、へき開用ローラ7で加圧、回転移動させてへき開し、チップ化する。へき開用ローラのローラ径:φ8mm、加圧力:8〜11kg、ローラ移動スピード:10mm/秒、シリコンゴム硬度70である。
[第6の実施の形態]
次に、第6の実施の形態を図19及び図20に基づいて説明する。この実施の形態では、半導体レーザー素子が形成されているウエハ2をバーに分離する際に、ウエハ2の両サイドに部分的にスクライブライン1を設ける。このスクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開する。
The bar-shaped
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, when the
このように、ウエハ2の両サイドに部分的にスクライブライン1を設け、スクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。
[第7の実施の形態]
次に、第7の実施の形態を図21及び図22に基づいて説明する。この実施の形態では、半導体レーザー素子が形成されているウエハ2をバーに分離する際に、ウエハ2の片サイドに部分的にスクライブライン1を設ける。このスクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開する。
In this way, the
[Seventh Embodiment]
Next, a seventh embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the
このように、ウエハ2の片サイドに部分的にスクライブライン1を設け、スクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。
[第8の実施の形態]
次に、第8の実施の形態を図23及び図24に基づいて説明する。この実施の形態では、半導体レーザー素子が形成され、且つ、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、バーに分離されているウエハ2をチップに分離する際、バーの端面コーナより内側にスクライブライン1を設ける。このスクライブライン1は、図23(a)は両端部2f,2gを除いて長く形成され、図23(b)は中央部2hに形成され、図23(c)は両端部2f,2gに形成される。このスクライブライン1の形成は、図24に示すように、ダイヤモンドツールDTで形成される。この図23に示すウエハ2は、スクライブライン1にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開し、端面コ―ナ部の破損を防止でき、旦つ、チップ化後の形状不良をなくすことができる。
In this way, the
[Eighth Embodiment]
Next, an eighth embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, a semiconductor laser element is formed, and its end face is coated with an antireflection film, and when the
この発明は、予めスクライブラインが設けてあるウエハを拡張シート及び保護シートにより被覆し、スクライブラインとほぼ平行にへき開用ローラを加圧、回転移動させてスクライブラインよりへき開し、ウエハをバー化及びチップ化するウエハへき開装置及びウエハへき開方法に適用できる。 In this invention, a wafer on which a scribe line is provided in advance is covered with an expansion sheet and a protective sheet, and a cleaving roller is pressed and rotated and moved in parallel with the scribe line to cleave the scribe line to form a bar. The present invention can be applied to a wafer cleaving apparatus and a wafer cleaving method for forming chips.
1 スクライブライン
2 ウエハ
3 拡張シート
4 保護シート
5 ウエハセット用テーブル
6 ゴム板
7a,7b へき開用ローラ
7c 押えローラ
10 装置本体
20 回転ユニット
21 回転体
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開する複数のへき開用ローラを備えることを特徴とするウエハへき開装置。 A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer cleaving apparatus comprising a plurality of cleaving rollers that pressurize and rotate a wafer provided with the scribe line to cleave the scribe line.
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開するへき開用ローラと、
前記ウエハヘき開時の圧力による前記へき開用ローラの変形を防止する押えローラとを備えることを特徴とするウエハへき開装置。 A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A cleaving roller that pressurizes and rotationally moves the wafer on which the scribe line is provided, and cleaves the scribe line;
A wafer cleaving apparatus comprising: a pressing roller that prevents deformation of the cleaving roller due to pressure at the time of cleaving the wafer.
ローラ径の異なる複数のへき開用ローラを有する回転ユニットを備え、
前記ウエハに応じて前記ローラ径の異なるへき開用ローラに変更可能であることを特徴とするウエハへき開装置。 A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A rotating unit having a plurality of cleaving rollers having different roller diameters;
A wafer cleaving apparatus that can be changed to a cleaving roller having a different roller diameter depending on the wafer.
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に段差を設け、ウエハの両サイドに部分的に設けたスクライブラインの片側のスクライブライン部分のみを加圧することを特徴とするウエハへき開装置。 A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
A wafer cleaving device, wherein a step is provided on at least one of the rubber plate or the cleaving roller, and only one scribe line portion of a scribe line partially provided on both sides of the wafer is pressurized.
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に溝を設け、前記ウエハの加圧しない個所が前記溝になるようにしたことを特徴とするウエハへき開装置。 A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
A wafer cleaving apparatus, wherein a groove is provided in at least one of the rubber plate or the cleaving roller, and a portion where the wafer is not pressed becomes the groove.
前記ウエハの両サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法。 When separating the wafer on which the semiconductor laser element is formed into bars,
A scribe line is partially provided on both sides of the wafer,
A wafer cleaving method, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a mold blade is applied to one side of the scribe line.
前記ウエハの片サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法。 When separating the wafer on which the semiconductor laser element is formed into bars,
A scribe line is partially provided on one side of the wafer,
A wafer cleaving method, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a mold blade is applied to one side of the scribe line.
前記バーの端面コーナより内側にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインにへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法。 When a semiconductor laser element is formed and an end surface thereof is coated with an antireflection film and a wafer separated into bars is separated into chips,
Provide a scribe line inside the end face corner of the bar,
A wafer cleaving method comprising cleaving the scribe line while applying a cleaving roller or a pressing force of a mold blade.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004133890A JP2005317761A (en) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | Apparatus and method for cleaving wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004133890A JP2005317761A (en) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | Apparatus and method for cleaving wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005317761A true JP2005317761A (en) | 2005-11-10 |
Family
ID=35444862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004133890A Pending JP2005317761A (en) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | Apparatus and method for cleaving wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005317761A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004583A (en) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device |
JP2013004584A (en) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device |
JP2014099502A (en) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Lintec Corp | Sheet application device and application method and pressing device and pressing method |
JP2016006903A (en) * | 2015-08-28 | 2016-01-14 | 株式会社東京精密 | Semiconductor substrate cleaving method |
JP2020123684A (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 三菱電機株式会社 | Separation method of semiconductor substrate, and separation jig |
-
2004
- 2004-04-28 JP JP2004133890A patent/JP2005317761A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004583A (en) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device |
JP2013004584A (en) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device |
JP2014099502A (en) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Lintec Corp | Sheet application device and application method and pressing device and pressing method |
JP2016006903A (en) * | 2015-08-28 | 2016-01-14 | 株式会社東京精密 | Semiconductor substrate cleaving method |
JP2020123684A (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 三菱電機株式会社 | Separation method of semiconductor substrate, and separation jig |
JP7206962B2 (en) | 2019-01-31 | 2023-01-18 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor substrate separation method and separation jig |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4414473B2 (en) | Cutting method | |
WO2006129563A1 (en) | Device and method for cutting off substrate of fragile material | |
US7696014B2 (en) | Method for breaking adhesive film mounted on back of wafer | |
US6593170B2 (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
JP2009132614A (en) | Method of scribing brittle material substrate and device therefor | |
JP5129826B2 (en) | Breaking method for brittle material substrate | |
JP4855097B2 (en) | Semiconductor chip separator | |
WO2006040988A1 (en) | Method and apparatus for scribing brittle material board and system for breaking brittle material board | |
JP4325784B2 (en) | Cutting method of LCD panel | |
JP2019069611A (en) | Break device | |
TWI455200B (en) | Cutting device and method | |
US20080014720A1 (en) | Street smart wafer breaking mechanism | |
JP2005317761A (en) | Apparatus and method for cleaving wafer | |
US20030077880A1 (en) | Method of making semiconductor device that has improved structural strength | |
JP5546873B2 (en) | Semiconductor wafer dividing method and apparatus | |
JP5879698B2 (en) | Semiconductor substrate expansion apparatus and expansion processing method | |
JPH05297334A (en) | Method for cutting glass substrate for liquid crystal display element | |
JP2004119901A (en) | Cleaving apparatus and method | |
JPH0725633A (en) | Method and device for deviding glass plate | |
US6247625B1 (en) | Anvil pad configuration for laser cleaving | |
JP4390067B2 (en) | Solder supply apparatus and solder supply method | |
JP4938353B2 (en) | Sheet cutting device and cutting method | |
WO2008010457A1 (en) | Cutting apparatus | |
JP2001257180A (en) | Method and device for cleaving material substrate | |
JP2710230B2 (en) | Board crack detection device |