JP2005317761A - Apparatus and method for cleaving wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To surely perform cleaving in a short time as a first purpose, to prevent cracking and chipping due to cleavage as a second purpose, to reduce the defects of a bar shape and a chip shape after the cleavage as a third purpose, and to make a chip without damaging an optical conductor laser element as a fourth purpose. <P>SOLUTION: A wafer cleaving apparatus cleaves a wafer 2 provided with a scribe line 1 from the scribe line 1 and is provided with a plurality of rollers for the cleavage for pressurizing and rotationally moving the wafer 2 provided with the scribe line 1 and cleaving it from the scribe line 1. Also, the wafer cleaving apparatus is provided with the rollers for the cleavage for pressurizing and rotationally moving the wafer 2 provided with the scribe line 1, and cleaving it from the scribe line 1 and a pressing roller for preventing the deformation of the rollers for the cleavage due to a pressure at the time of cleaving the wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、ウエハへき開装置及びウエハへき開方法に関する。   The present invention relates to a wafer cleaving apparatus and a wafer cleaving method.

従来、個々のチップに分離する際に、中心部にかけて太くなる形状のローラを粘着テープの裏面に接触させ、X方向、Y方向に別々に順にローラを回転させながら走行させて各チップ領域を個々に分離するものがある(例えば、特許文献1)。   Conventionally, when separating into individual chips, a roller having a shape that becomes thicker toward the center is brought into contact with the back surface of the adhesive tape, and each chip area is individually moved by rotating the rollers separately in the X and Y directions. (For example, Patent Document 1).

また、例えば、図25に示すように、円柱型ローラによりウエハをバー化、チップ化する場合、スクライブライン101が設けてあるウエハ102の反対面を拡張シート103の粘着面に貼り付け、スクライブラインが設けてある面を保護シート104により被覆し、ついで、ウエハセット用テーブル105のゴム板106上にスクライブライン101が設けてある面に被覆してある保護シート104の面を下にしてセットし、ついで、拡張シート103の粘着面上をへき開用ローラにより加圧、回転移動してウェハ102をへき開し、バーに分離し、またはチップに分離している。   Further, for example, as shown in FIG. 25, when a wafer is made into a bar and formed into a chip by a cylindrical roller, the opposite surface of the wafer 102 provided with the scribe line 101 is attached to the adhesive surface of the expansion sheet 103, and the scribe line The surface provided with the protective sheet 104 is covered with a protective sheet 104, and then set on the rubber plate 106 of the wafer setting table 105 with the surface of the protective sheet 104 covering the surface provided with the scribe line 101 facing downward. Subsequently, the wafer 102 is cleaved by pressurizing and rotating on the adhesive surface of the expansion sheet 103 with a cleaving roller, and separated into bars or chips.

また、図26に示すように、光半導体レーザー素子が形成されているウエハ102をバー化する場合、ウエハ102の両サイドに部分的にスクライブライン101を設け、ローラによる加圧へき開ではなく、金型刃110及び下型111を用い、その金型刃110がスクライブライン101の位置に合うよう個々に位置決めしてから加圧、へき開している。または、図27に示すように、金型111と金型112にてウエハ102を押え、ついで金型刃110により加圧し、へき開している。
特開2000−12694号公報(第1頁〜第7頁、第1図〜第10図)
In addition, as shown in FIG. 26, when the wafer 102 on which the optical semiconductor laser element is formed is formed into a bar, a scribe line 101 is partially provided on both sides of the wafer 102 so that the gold 102 is not cleaved by a roller. Using the mold blade 110 and the lower mold 111, the mold blade 110 is individually positioned so as to match the position of the scribe line 101, and then pressed and cleaved. Alternatively, as shown in FIG. 27, the wafer 102 is pressed by the mold 111 and the mold 112 and then pressed by the mold blade 110 to be cleaved.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-12694 (pages 1 to 7, FIGS. 1 to 10)

ところで、図28に示すように、スクライブライン101が設けてあるウエハ102を拡張シート103及び保護シート104により挟み、ウエハ102をサンドウイッチ構造にし、ついで、へき開用ローラ107にて加圧、回転移動させてへき開するが、拡張シート103または保護シート104との間に気泡Aが入っているため、へき開用ローラ107で加圧してへき開する際、その気泡Aによりへき開用ローラ107の加圧力が不安定となり、1回のへき開作業ではバー化、チップ化が困難であり、へき開作業を2〜3回繰り返さなければならない。   By the way, as shown in FIG. 28, the wafer 102 provided with the scribe line 101 is sandwiched between the expansion sheet 103 and the protective sheet 104, the wafer 102 is sandwiched, and then pressed and rotated by the cleavage roller 107. However, since there are bubbles A between the expansion sheet 103 and the protective sheet 104, when the cleavage roller 107 is pressurized and cleaved, the pressure of the cleavage roller 107 is not increased by the bubbles A. It becomes stable and it is difficult to form bars and chips by one cleavage operation, and the cleavage operation must be repeated 2-3 times.

また、図29に示すように、厚いウエハ102をへき開する場合、へき開用ローラ107が変形し、ウエハ102の中心部分がへき開できないことがある。   Further, as shown in FIG. 29, when the thick wafer 102 is cleaved, the cleaving roller 107 may be deformed, and the central portion of the wafer 102 may not be cleaved.

また、図30に示すように、バーのサイズ及びチップのサイズによりヘき開用ローラ107の径を変更する必要がある。例えば、スクライブライン101のピッチが1mm以上の場合はφ10mm以上のヘき開用ローラ107aを用い、1mm以下の場合はφ10mm以下のヘき開用ローラ107bを使用する。即ち、ローラ径が大きいとへき開角度Dが小さいため1mm以下のスクライブラインピッチサイズでは割れにくい。また、小さいローラ径で1mm以上のスクライブラインピッチサイズをへき開した場合はへき開角度Dが大きくなり、バー及びチップの上面部のコーナー部分Cが接触し、ワレ、カケが発生することがある。   Further, as shown in FIG. 30, it is necessary to change the diameter of the cleaving roller 107 according to the size of the bar and the size of the chip. For example, when the pitch of the scribe lines 101 is 1 mm or more, a cleaving roller 107a having a diameter of 10 mm or more is used, and when the pitch is 1 mm or less, a cleaving roller 107b having a diameter of 10 mm or less is used. That is, if the roller diameter is large, the cleavage angle D is small, so that it is difficult to break with a scribe line pitch size of 1 mm or less. Further, when a scribe line pitch size of 1 mm or more is cleaved with a small roller diameter, the cleavage angle D increases, and the corner portion C of the bar and the top surface of the chip may come into contact with each other, and cracking and chipping may occur.

また、光半導体レーザー素子の製造途中において、電極が形成されているウエハ102をバー状にへき開し、バー化されたウエハ102の端面に反射防止膜を被覆しなければならない。その際、スクライブライン101はウエハ102の両サイドのみ部分的に設け、バー1本ずつを個々に金型刃で加圧してへき開しているためへき開に時間を要する。また、微細なサイズにへき開する場合は、自動送り装置を有した高価なへき開装置が必要であり、且つ、金型刃の磨耗が発生し、へき開後のバー形状及びチップ形状の不良が発生する。   Further, during the manufacturing of the optical semiconductor laser element, the wafer 102 on which the electrodes are formed must be cleaved into a bar shape, and the end surface of the barized wafer 102 must be covered with an antireflection film. At that time, the scribe line 101 is partially provided only on both sides of the wafer 102, and each bar is cleaved by pressurizing each bar individually with a mold blade, so that it takes time to cleave. In addition, when cleaving to a fine size, an expensive cleaving device having an automatic feeding device is necessary, and wear of the mold blade occurs, resulting in defective bar shape and chip shape after cleaving. .

また、図31に示すように、バー化され、且つ、その端面に反射防止膜が形成され、且つ、スクライブライン101が設けてある光半導体レーザー素子L2をチップ化する際、へき開用ローラ107の加圧によりゴム板106が凹み、ゴム及び保護シート104が素子端面の発光部P及び素子端面に被覆されている反射防止膜AR、FRに接触し、ダメージを与える可能性がある。   Further, as shown in FIG. 31, when the optical semiconductor laser element L2 formed into a bar and having an antireflection film formed on its end surface and provided with the scribe line 101 is formed into a chip, the cleavage roller 107 There is a possibility that the rubber plate 106 is dented by the pressurization, and the rubber and the protective sheet 104 come into contact with the light emitting portion P on the element end face and the antireflection films AR and FR covered on the element end face to cause damage.

この発明は、かかる実情に鑑みてなされたもので、第1の目的はへき開を短時間に、かつ確実に行なうことが可能であり、第2の目的はへき開によるワレ、カケの発生を防止することが可能であり、第3の目的はへき開後のバー形状及びチップ形状の不良発生を軽減することが可能であり、第4の目的は光半導体レーザー素子にダメージを与えることなくチップ化することが可能であるウエハへき開装置及びウエハへき開方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and the first object is to perform cleavage in a short time and with certainty, and the second object is to prevent the occurrence of cracks and cracks due to cleavage. The third object is to reduce the occurrence of defects in the bar shape and chip shape after cleavage, and the fourth object is to make a chip without damaging the optical semiconductor laser element. A wafer cleaving apparatus and a wafer cleaving method are provided.

前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。   In order to solve the above problems and achieve the object, the present invention is configured as follows.

請求項1に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開する複数のへき開用ローラを備えることを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to claim 1 is a wafer cleaving device for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer cleaving apparatus comprising a plurality of cleaving rollers that pressurize and rotate a wafer provided with the scribe line to cleave the scribe line.

請求項2に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開するへき開用ローラと、
前記ウエハヘき開時の圧力による前記へき開用ローラの変形を防止する押えローラとを備えることを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to claim 2 is a wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A cleaving roller that pressurizes and rotationally moves the wafer on which the scribe line is provided, and cleaves the scribe line;
A wafer cleaving apparatus comprising: a pressing roller that prevents deformation of the cleaving roller due to pressure at the time of cleaving the wafer.

請求項3に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
ローラ径の異なる複数のへき開用ローラを有する回転ユニットを備え、
前記ウエハに応じて前記ローラ径の異なるへき開用ローラに変更可能であることを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to claim 3 is a wafer cleaving device for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A rotating unit having a plurality of cleaving rollers having different roller diameters;
The wafer cleaving apparatus can be changed to a cleaving roller having a different roller diameter depending on the wafer.

請求項4に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に段差を設け、ウエハの両サイドに部分的に設けたスクライブラインの片側のスクライブライン部分のみを加圧することを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to claim 4 is a wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
A wafer cleaving apparatus is characterized in that a step is provided on at least one of the rubber plate or the cleaving roller, and only one scribe line portion of a scribe line partially provided on both sides of the wafer is pressurized.

請求項5に記載の発明は、スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に溝を設け、前記ウエハの加圧しない個所が前記溝になるようにしたことを特徴とするウエハへき開装置である。
The invention according to claim 5 is a wafer cleaving device for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
The wafer cleaving apparatus is characterized in that a groove is provided in at least one of the rubber plate or the cleaving roller so that a portion where the wafer is not pressed becomes the groove.

請求項6に記載の発明は、半導体レーザー素子が形成されているウエハをバーに分離する際に、
前記ウエハの両サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法である。
The invention according to claim 6, when separating the wafer on which the semiconductor laser element is formed into bars,
A scribe line is partially provided on both sides of the wafer,
A method for cleaving a wafer, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a die blade is applied to one side of the scribe line.

請求項7に記載の発明は、半導体レーザー素子が形成されているウエハをバーに分離する際に、
前記ウエハの片サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法である。
In the invention according to claim 7, when separating the wafer on which the semiconductor laser element is formed into bars,
A scribe line is partially provided on one side of the wafer,
A method for cleaving a wafer, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a die blade is applied to one side of the scribe line.

請求項8に記載の発明は、半導体レーザー素子が形成され、且つ、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、バーに分離されているウエハをチップに分離する際、
前記バーの端面コーナより内側にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインにへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法である。
In the invention according to claim 8, when the semiconductor laser element is formed and the end face is coated with an antireflection film and the wafer separated into bars is separated into chips,
Provide a scribe line inside the end face corner of the bar,
A method for cleaving a wafer, wherein the cleaving line is cleaved by applying a cleaving roller or a pressing force of a die blade.

前記構成により、この発明は、以下のような効果を有する。   With the above configuration, the present invention has the following effects.

請求項1に記載の発明によれば、ウエハヘき開時に、複数のへき開用ローラを用い、先行のへき開用ローラで拡張シートと保護シートの中に発生している気泡を押し出し、且つ、ヘき開し、後続のへき開用ローラにより先行のへき開用ローラで気泡の影響によりヘき開できなかった個所を確実にへき開することができ、作業性が向上する。   According to the first aspect of the present invention, when cleaving the wafer, a plurality of cleaving rollers are used, the bubbles generated in the expansion sheet and the protective sheet are pushed out by the preceding cleaving roller, and the cleaving is performed. The portion that could not be cleaved by the preceding cleaving roller due to the influence of air bubbles can be surely cleaved by the subsequent cleaving roller, and workability is improved.

請求項2に記載の発明によれば、ウエハヘき開時の圧力によるへき開用ローラの変形を防止する押えローラを備え、厚いウエハをへき開する際のへき開用ローラの変形を防止し、ウエハ全体を均一に加圧することができ、安定したへき開ができる。   According to the second aspect of the present invention, the pressing roller for preventing deformation of the cleaving roller due to pressure at the time of cleaving the wafer is provided, the deformation of the cleaving roller when cleaving a thick wafer is prevented, and the entire wafer is Uniform pressure can be applied and stable cleavage can be achieved.

請求項3に記載の発明によれば、ウエハに応じてローラ径の異なるへき開用ローラに変更可能であり、多種のウエハのヘき開サイズに対応できるようになり、且つ、装置の自動化に対応することができる。   According to the third aspect of the present invention, it is possible to change to a cleaving roller having a different roller diameter depending on the wafer, so that the cleaving size of various wafers can be accommodated, and the apparatus can be automated. can do.

請求項4に記載の発明によれば、ゴム板またはへき開用ローラに段差を設け、ウエハの両サイドに部分的に設けたスクライブラインの片側のスクライブライン部分のみを加圧することで、へき開面が直線状になり、しかも提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。   According to the invention described in claim 4, a step is provided on the rubber plate or the cleaving roller, and only the scribe line portion on one side of the scribe line partially provided on both sides of the wafer is pressurized, whereby the cleavage surface is obtained. It becomes a straight line, and the pressure damage to the raised portion can be reduced.

請求項5に記載の発明によれば、ゴム板またはへき開用ローラに溝を設け、ウエハの加圧しない個所が溝になるようにし、へき開面が直線状になり、しかも提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。   According to the invention described in claim 5, a groove is provided in the rubber plate or the cleaving roller so that the non-pressurized portion of the wafer becomes a groove, the cleaved surface becomes straight, and pressure is applied to the raised portion. Damage can be reduced.

請求項6に記載の発明によれば、ウエハの両サイドに部分的にスクライブラインを設け、スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。   According to the invention described in claim 6, by partially providing a scribe line on both sides of the wafer, and cleaving so that the cleaving roller or the pressing force of the mold blade is applied to one side of the scribe line, Unevenness on the end face of the cleavage portion can be eliminated, and defective portions of light output can be eliminated.

請求項7に記載の発明によれば、ウエハの片サイドに部分的にスクライブラインを設け、スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。   According to the invention described in claim 7, by partially providing a scribe line on one side of the wafer, and cleaving so that the pressing force of the cleaving roller or the mold blade is applied to one side of the scribe line, Unevenness on the end face of the cleavage portion can be eliminated, and defective portions of light output can be eliminated.

請求項8に記載の発明によれば、バーの端面コーナより内側にスクライブラインを設け、スクライブラインにへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、端面コ―ナ部の破損を防止でき、旦つ、チップ化後の形状不良をなくすことができる。   According to the eighth aspect of the present invention, the scribe line is provided on the inner side of the end face corner of the bar, and the scribe line is cleaved so that the pressing force of the cleaving roller or the die blade is applied, thereby the end face core. It is possible to prevent damage to the inner portion, and to eliminate the shape defect after chip formation.

以下、この発明のウエハへき開装置及びウエハへき開方法の実施の形態について説明するが、この発明は、この実施の形態に限定されない。また、この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すものであり、この発明の用語はこれに限定されない。
[第1の実施の形態]
まず、第1の実施の形態を図1に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、スクライブライン1が設けてあるウエハ2をスクライブライン1からへき開する。このウエハへき開装置には、2個のへき開用ローラ7a,7bが備えられ、1個の押えローラ7cが備えられている。この2個のへき開用ローラ7a,7bは、ローラ径が同じであり、1個の押えローラ7cはへき開用ローラ7a,7bのローラ径より大きいローラ径になっている。この2個のへき開用ローラ7a,7b及び1個の押えローラ7cは、それぞれ装置本体10に回転可能に設けられている。
Hereinafter, embodiments of the wafer cleaving apparatus and the wafer cleaving method of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to this embodiment. The embodiment of the present invention shows the most preferable mode of the present invention, and the terminology of the present invention is not limited to this.
[First Embodiment]
First, a first embodiment will be described with reference to FIG. The wafer cleaving apparatus of this embodiment cleaves the wafer 2 provided with the scribe line 1 from the scribe line 1. This wafer cleaving device is provided with two cleaving rollers 7a and 7b, and one pressing roller 7c. The two cleaving rollers 7a and 7b have the same roller diameter, and one pressing roller 7c has a larger roller diameter than that of the cleaving rollers 7a and 7b. The two cleaving rollers 7a and 7b and the one pressing roller 7c are rotatably provided on the apparatus main body 10, respectively.

ウエハヘき開時には、スクライブライン1が設けてあるウエハ2の反対面を拡張シート3の粘着面に貼り付け、スクライブライン1が設けてある面を保護シート4により被覆する。ついで、ウエハセット用テーブル5のゴム板6上にスクライブライン1が設けてある面に被覆してある保護シート4の面を下にしてセットする。ついで、拡張シート3の粘着面上をへき開用ローラ7a,7bにより加圧、回転移動してウェハ2をへき開し、バーに分離し、またはチップに分離する。 この実施の形態では、先行のへき開用ローラ7aで拡張シート3と保護シート4の中に発生している気泡Aを押し出し、且つ、ヘき開し、後続のへき開用ローラ7bにより先行のへき開用ローラ7aで気泡Aの影響によりヘき開できなかった個所を確実にへき開することができ、作業性が向上する。   When the wafer is cleaved, the opposite surface of the wafer 2 on which the scribe line 1 is provided is attached to the adhesive surface of the expansion sheet 3, and the surface on which the scribe line 1 is provided is covered with the protective sheet 4. Subsequently, the surface of the protective sheet 4 that covers the surface on which the scribe line 1 is provided is set on the rubber plate 6 of the wafer setting table 5. Next, the wafer 2 is cleaved by being pressed and rotated by the cleaving rollers 7a and 7b on the adhesive surface of the expansion sheet 3, and separated into bars or chips. In this embodiment, the bubble A generated in the expansion sheet 3 and the protective sheet 4 is pushed out by the preceding cleavage roller 7a and cleaved, and the preceding cleavage roller 7b is used for the preceding cleavage. The portion that could not be cleaved by the bubble A by the roller 7a can be cleaved reliably, and the workability is improved.

この実施の形態では、2個のへき開用ローラ7a,7cを備え、1個の押えローラ7cによりへき開用ローラ7a,7bの変形を防止しているが、この押えローラ7cは用いないで2個のへき開用ローラ7a,7bだけでもよい。また、複数のへき開用ローラでスクライブライン1が設けてあるウエハ2を加圧、回転移動し、スクライブライン1からへき開する構成であれば、2個、3個、4個等、個数、構造は限定されない。
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態を図2及び図3に基づいて説明する。この図2に示す実施の形態のウエハへき開装置は、図1に示す実施の形態と同様に構成されるが、図2に示すように、例えば拡張シートを使用しないでへき開する場合、1個のへき開用ローラ7aにより加圧、回転移動してウェハ2をへき開し、バーに分離し、またはチップに分離し、2個の押えローラ7c,7cによりへき開用ローラ7aの変形を防止するようになっている。このように、ウエハヘき開時の圧力によるへき開用ローラ7aの変形を防止する押えローラ7c,7cを備え、厚いウエハ2をへき開する際のへき開用ローラ7aの変形を防止し、ウエハ全体を均一に加圧することができ、安定したへき開ができる。
In this embodiment, two cleaving rollers 7a and 7c are provided, and deformation of the cleaving rollers 7a and 7b is prevented by one pressing roller 7c. However, two pressing rollers 7c are not used. Only the cleaving rollers 7a and 7b may be used. In addition, if the wafer 2 provided with the scribe line 1 is pressed and rotated by a plurality of cleavage rollers and cleaved from the scribe line 1, the number, structure, etc. are two, three, four, etc. It is not limited.
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. The wafer cleaving apparatus of the embodiment shown in FIG. 2 is configured in the same manner as the embodiment shown in FIG. 1, but, as shown in FIG. 2, for example, when cleaving without using an expansion sheet, The wafer 2 is cleaved by pressurization and rotational movement by the cleaving roller 7a, separated into bars, or separated into chips, and the deformation of the cleaving roller 7a is prevented by the two pressing rollers 7c and 7c. ing. As described above, the presser rollers 7c and 7c for preventing the cleaving roller 7a from being deformed by the pressure at the time of cleaving the wafer are provided, the deformation of the cleaving roller 7a when cleaving the thick wafer 2 is prevented, and the entire wafer is made uniform. Can be pressurized and can be cleaved stably.

また、図2に示す実施の形態では、へき開用ローラ7aが変形しないように、へき開用ローラ7a上に2個の押えローラ7c,7cを設置するが、図3に示すように、へき開用ローラ7aが単一ローラの場合、1個の押えローラ7cを設けてもよい。
[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態を図4に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、ローラ径の異なる複数のへき開用ローラ7a,7bを有する回転ユニット20を備える。この回転ユニット20の回転体21には、4個所にローラ径の異なるへき開用ローラ7a,7bが回転可能に設けられ、さらにそれぞれの個所のへき開用ローラ7a,7bはそれぞれに対応して1個の押えローラ7cが設けられ、この1個の押えローラ7cによりへき開用ローラ7a,7bの変形を防止するようになっている。この回転体21は、回転軸22を支点にして装置本体10に回転可能に設けられている。
In the embodiment shown in FIG. 2, the two pressing rollers 7c and 7c are provided on the cleaving roller 7a so that the cleaving roller 7a is not deformed. As shown in FIG. 3, the cleaving roller is provided. When 7a is a single roller, one pressing roller 7c may be provided.
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. The wafer cleaving apparatus of this embodiment includes a rotating unit 20 having a plurality of cleaving rollers 7a and 7b having different roller diameters. The rotating body 21 of the rotating unit 20 is provided with cleaving rollers 7a and 7b having different roller diameters at four locations so as to be rotatable, and one cleaving roller 7a and 7b at each location is provided. The presser roller 7c is provided, and the one presser roller 7c prevents the cleavage rollers 7a and 7b from being deformed. The rotating body 21 is rotatably provided on the apparatus main body 10 with the rotating shaft 22 as a fulcrum.

この実施の形態では、ウエハ2のサイズに応じてローラ径の異なるへき開用ローラ7a,7bに変更可能であり、多種のウエハ2のヘき開サイズに対応できるようになり、且つ、装置の自動化に対応することができる。   In this embodiment, the cleaving rollers 7a and 7b having different roller diameters can be changed in accordance with the size of the wafer 2, so that the cleaving sizes of various wafers 2 can be accommodated and the apparatus is automated. It can correspond to.

なお、この実施の形態では、図1に示す実施の形態のローラ構成でローラ径の異なるへき開用ローラを用いているが、図2または図3に示すローラ構成でローラ径の異なるへき開用ローラを用いてもよい。
[第4の実施の形態]
次に、第4の実施の形態を図5及び図6に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、スクライブライン1が設けてあるウエハ2をスクライブライン1からへき開する。このウエハ2は、図5に示すように、光半導体レーザー素子が形成され、且つ、ウエハ2の両端面2a,2b上に部分的にスクライブライン1が設けてある。
In this embodiment, a cleaving roller having a different roller diameter is used in the roller configuration of the embodiment shown in FIG. 1, but a cleaving roller having a different roller diameter is used in the roller configuration shown in FIG. 2 or FIG. It may be used.
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. The wafer cleaving apparatus of this embodiment cleaves the wafer 2 provided with the scribe line 1 from the scribe line 1. As shown in FIG. 5, an optical semiconductor laser element is formed on the wafer 2, and scribe lines 1 are partially provided on both end faces 2 a and 2 b of the wafer 2.

ウエハへき開装置は、図6に示すように、ウエハ2を支持するゴム板6を有するウエハセット用テーブル5と、ウエハ2を加圧、回転移動するへき開用ローラ7とを備えている。このゴム板6には、段差6aが設けられ、へき開用ローラ7には段差7dが設けられている。   As shown in FIG. 6, the wafer cleaving apparatus includes a wafer setting table 5 having a rubber plate 6 that supports the wafer 2, and a cleaving roller 7 that pressurizes and rotates the wafer 2. The rubber plate 6 is provided with a step 6a, and the cleavage roller 7 is provided with a step 7d.

ウエハ2をへき開用ローラ7の加圧によりへき開する際、ウエハ2のいずれかの片端面のスクライブライン近傍のみが加圧できるようにすることで、片端面2aからもう一方の端面2b方向にへき開する。この実施の形態では、ゴム板6とへき開用ローラ7に段差を設けているが、少なくとも一方に段差を設ければ良い。   When cleaving the wafer 2 by pressing the cleaving roller 7, only the vicinity of the scribe line on one end surface of the wafer 2 can be pressed so that the wafer 2 is cleaved from the one end surface 2a to the other end surface 2b. To do. In this embodiment, the rubber plate 6 and the cleaving roller 7 are provided with steps, but at least one may be provided with steps.

このように、ゴム板6またはへき開用ローラの少なくとも一方に段差を設け、ウエハ2の両サイドに部分的に設けたスクライブライン1の片側のスクライブライン部分のみを加圧することで、へき開面が直線状になり、しかも提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。
[第5の実施の形態]
次に、第5の実施の形態を図7乃至図9に基づいて説明する。この実施の形態のウエハへき開装置は、スクライブライン1が設けてあるウエハ2をスクライブライン1からへき開する。このウエハ2は、図7に示すように、光半導体レーザー素子が形成され、且つ、バー化されている。このウエハ2は、発光部P、発光端面部AR、FRを有する。
In this way, a step is provided on at least one of the rubber plate 6 or the cleaving roller, and only the scribe line portion on one side of the scribe line 1 partially provided on both sides of the wafer 2 is pressurized so that the cleavage surface is linear. In addition, the pressure damage to the raised portion can be reduced.
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIGS. The wafer cleaving apparatus of this embodiment cleaves the wafer 2 provided with the scribe line 1 from the scribe line 1. As shown in FIG. 7, the wafer 2 is formed with an optical semiconductor laser element and formed into a bar. The wafer 2 has a light emitting portion P and light emitting end surface portions AR and FR.

ウエハへき開装置は、図8に示すように、ウエハ2を支持するゴム板6を有するウエハセット用テーブル5と、ウエハ2を加圧、回転移動するへき開用ローラ7とを備えている。このゴム板6には、溝6eが設けられ、へき開用ローラ7には溝7eが設けられている。   As shown in FIG. 8, the wafer cleaving apparatus includes a wafer setting table 5 having a rubber plate 6 that supports the wafer 2, and a cleaving roller 7 that pressurizes and rotates the wafer 2. The rubber plate 6 is provided with a groove 6e, and the cleavage roller 7 is provided with a groove 7e.

ウエハ2をへき開用ローラ7の加圧によりへき開する際、ウエハ2の加圧しない個所が溝になるようにし、発光部P、発光端面部AR,FRにゴム板6及び保護シート4等が接触しなくなり、提起部分への加圧のダメージを少なくすることができる。   When the wafer 2 is cleaved by the cleaving roller 7, the non-pressed portion of the wafer 2 becomes a groove, and the light emitting portion P and the light emitting end surface portions AR and FR are in contact with the rubber plate 6 and the protective sheet 4. Therefore, the pressure damage to the raised portion can be reduced.

また、図9に示すように、ゴム板6に段部6dを設けられ、へき開用ローラ7に段部7dを設けてもよい。この実施の形態では、ゴム板6とへき開用ローラ7に溝、段差を設けているが、少なくとも一方に溝、段差を設ければ良い。
[実施例1]
図10乃至図12は光半導体受光素子PD(チップ化サイズ:1.0×1.0×0.35tmm)をチップ化する実施例を示す。図10はSiウエハの平面図、図11はSiウエハの断面図である。図中、2Aは電極まで形成され、且つ、スクライブライン1が設けてあるSiウエハ、スクライブライン1のスクライブ時の荷重は30gである。3は拡張シート、4は保護シートを示す。
Further, as shown in FIG. 9, the rubber plate 6 may be provided with a step portion 6d, and the cleavage roller 7 may be provided with a step portion 7d. In this embodiment, the rubber plate 6 and the cleavage roller 7 are provided with grooves and steps, but at least one may be provided with grooves and steps.
[Example 1]
10 to 12 show an embodiment in which an optical semiconductor light-receiving element PD (chip size: 1.0 × 1.0 × 0.35 tmm) is formed into a chip. FIG. 10 is a plan view of the Si wafer, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the Si wafer. In the figure, reference numeral 2A denotes an Si wafer on which electrodes are formed and the scribe line 1 is provided, and the scribe line 1 has a scribe line load of 30 g. 3 is an expansion sheet and 4 is a protective sheet.

図12はウエハへき開装置の平面図である。このウエハへき開装置30は、操作部にへき開ローラ部70を前進、後進させる操作レバー30、へき開ローラ部70の移動速度を調整するスピード調整ダイヤル31、電源スイッチ32を有する。へき開ローラ部70は、第1の実施の形態の2個のへき開用ローラ7a,7bと、1個の押えローラ7cを有する。このへき開ローラ部70は、移動機構71によってウエハセット用テーブル5上を移動する。   FIG. 12 is a plan view of the wafer cleaving apparatus. The wafer cleaving device 30 includes an operation lever 30 for moving the cleaving roller unit 70 forward and backward in the operation unit, a speed adjustment dial 31 for adjusting the moving speed of the cleaving roller unit 70, and a power switch 32. The cleaving roller unit 70 includes the two cleaving rollers 7a and 7b and the one pressing roller 7c according to the first embodiment. The cleavage roller unit 70 is moved on the wafer setting table 5 by the moving mechanism 71.

拡張シート3及び保護シート4(スクライブ面)で被覆されたウエハを、本装置のウエハセット用テーブル5上にセットする。ウエハセット用テーブル5は回転テーブルであり、この回転テーブルにはシリコンのゴム板6が設置してある。このシリコンのゴム板6上にスクライブライン1が設けてある面をセットする。ついで、へき開ローラ部70とスクライブライン1が平行になるよう回転テーブルにて角度調整(平行度<10度)する。ついで、へき開ローラ部70により加圧、回転移動させてX方向をへき開する。ついで、回転テーブルにより90度回転させて再度Y方向をへき開し、作業を終了する。へき開用ローラ7a,7bの径はφ10mm、加圧力:8〜11kg(圧力は感圧紙により確認)、ローラ移動スピード:10mm/秒、シリコンのゴム硬度:70である。
[実施例2]
図13乃至図15は光半導体レーザー素子が形成され、且つ、スクライブライン1が設けてあるウエハをバー化(バー化サイズ:5×0.9×0.13tmm)する工程を示す。図13はInPウエハの平面図、図14はInPウエハの断面図である。図中、2Cは電極まで形成され、且つ、スクライブライン1が設けてあるInPウエハ、スクライブライン1のスクライブ時の荷重は30gである。3は拡張シート、4は保護シートを示す。図14に示す拡張シート3及び保護シート4(スクライブ面)で被覆されたウエハ2Cを、図15に示すウエハへき開装置30のシリコンのゴム板6が設置してあるシリコンのゴム板6上にセットする。
The wafer covered with the expansion sheet 3 and the protective sheet 4 (scribe surface) is set on the wafer setting table 5 of this apparatus. The wafer setting table 5 is a rotary table, and a silicon rubber plate 6 is installed on the rotary table. The surface on which the scribe line 1 is provided is set on the silicon rubber plate 6. Next, angle adjustment (parallelism <10 degrees) is performed on the rotary table so that the cleavage roller unit 70 and the scribe line 1 are parallel to each other. Next, the cleaving roller unit 70 is pressed and rotated to cleave the X direction. Next, the rotation table is rotated 90 degrees to cleave again in the Y direction, and the operation is completed. The diameter of the cleaving rollers 7a and 7b is φ10 mm, the applied pressure is 8 to 11 kg (the pressure is confirmed by pressure-sensitive paper), the roller moving speed is 10 mm / second, and the silicon rubber hardness is 70.
[Example 2]
13 to 15 show a process of forming a wafer (bar forming size: 5 × 0.9 × 0.13 tmm) on the wafer on which the optical semiconductor laser element is formed and the scribe line 1 is provided. FIG. 13 is a plan view of the InP wafer, and FIG. 14 is a cross-sectional view of the InP wafer. In the figure, reference numeral 2C denotes an InP wafer on which electrodes are formed and the scribe line 1 is provided, and the load when the scribe line 1 is scribed is 30 g. 3 is an expansion sheet and 4 is a protective sheet. The wafer 2C covered with the expansion sheet 3 and the protective sheet 4 (scribe surface) shown in FIG. 14 is set on the silicon rubber plate 6 on which the silicon rubber plate 6 of the wafer cleaving apparatus 30 shown in FIG. To do.

このウエハ2Cは、ウエハセット用テーブル5にスクライブラインが設けてある面をセットし、ついで、へき開用ローラ7とスクライブライン1が平行になるようウエハセット用テーブル5にて調整(平行度:<10度)する。ついで、へき開用ローラ7を加圧、回転移動させてへき開し、バー化する。へき開用ローラ7のローラ径;φ10mm、加圧力:8〜11kg、ローラ移動スピード:10mm/秒、シリコンのゴム硬度:70である。
[実施例3]
図16乃至図18は光半導体レーザー素子が形成され、且つ、バー化されたもので、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、スクライブラインが設けてあるバー状ウエハをチップ化する工程を示す。図16はバー状ウエハの平面図、図17はバー状ウエハの断面図である。図中、2Dはバー状ウエハ、AR,FRは反射防止膜、1はスクライブラインである。スクライブ時の荷重は30gである。3は拡張シート、4は保護シート、6は素子端面部が加圧されないように溝6dが設けられたシリコンのゴム板を示す。
The wafer 2C is set on the wafer setting table 5 on which the scribe line is provided, and then adjusted by the wafer setting table 5 so that the cleavage roller 7 and the scribe line 1 are parallel (parallelism: < 10 degrees). Next, the cleaving roller 7 is pressed and rotated to cleave it to form a bar. The roller diameter of the cleavage roller 7 is φ10 mm, the applied pressure is 8 to 11 kg, the roller moving speed is 10 mm / second, and the silicon rubber hardness is 70.
[Example 3]
FIGS. 16 to 18 show an optical semiconductor laser element formed and formed into a bar, and the end surface of the bar-shaped wafer having an antireflection film coated thereon and a scribe line is formed into chips. Indicates. 16 is a plan view of the bar-shaped wafer, and FIG. 17 is a cross-sectional view of the bar-shaped wafer. In the figure, 2D is a bar-shaped wafer, AR and FR are antireflection films, and 1 is a scribe line. The load during scribing is 30 g. 3 is an expansion sheet, 4 is a protective sheet, and 6 is a silicon rubber plate provided with a groove 6d so that the end face of the element is not pressurized.

拡張シート3及び保護シート(スクライブ面)で被覆されたバー状ウエハ2Dを本装置のシリコンのゴム板6上にスクライブ面を下にし、且つ、シリコンのゴム板6の溝6dに素子端面部分がくるようセットする。ついで、シリコンのゴム板6の設置されているウエハセット用テーブル5にてへき開ローラ7とスクライブライン1が平行になるよう調整(平行度:<10度)する。ついで、へき開用ローラ7で加圧、回転移動させてへき開し、チップ化する。へき開用ローラのローラ径:φ8mm、加圧力:8〜11kg、ローラ移動スピード:10mm/秒、シリコンゴム硬度70である。
[第6の実施の形態]
次に、第6の実施の形態を図19及び図20に基づいて説明する。この実施の形態では、半導体レーザー素子が形成されているウエハ2をバーに分離する際に、ウエハ2の両サイドに部分的にスクライブライン1を設ける。このスクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開する。
The bar-shaped wafer 2D covered with the expansion sheet 3 and the protective sheet (scribe surface) is placed on the silicon rubber plate 6 of this apparatus with the scribe surface down, and the element end surface portion is in the groove 6d of the silicon rubber plate 6. Set it to come. Subsequently, the cleaving roller 7 and the scribe line 1 are adjusted to be parallel (parallelism: <10 degrees) on the wafer setting table 5 on which the silicon rubber plate 6 is installed. Next, the cleaving roller 7 is pressed and rotated and cleaved to form chips. The cleaving roller has a roller diameter of φ8 mm, a pressing force of 8 to 11 kg, a roller moving speed of 10 mm / second, and a silicon rubber hardness of 70.
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, when the wafer 2 on which the semiconductor laser element is formed is separated into bars, the scribe lines 1 are partially provided on both sides of the wafer 2. The scribe line 1 is cleaved in such a manner that the pressing force of the cleaving roller 7 or the die blade is applied.

このように、ウエハ2の両サイドに部分的にスクライブライン1を設け、スクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。
[第7の実施の形態]
次に、第7の実施の形態を図21及び図22に基づいて説明する。この実施の形態では、半導体レーザー素子が形成されているウエハ2をバーに分離する際に、ウエハ2の片サイドに部分的にスクライブライン1を設ける。このスクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開する。
In this way, the scribe line 1 is partially provided on both sides of the wafer 2, and the cleavage roller 7 or the die blade is cleaved so that one side of the scribe line 1 is applied, so that the cleavage portion 1 The unevenness of the end face can be eliminated, and the defective portion of the light output can be eliminated.
[Seventh Embodiment]
Next, a seventh embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the scribe line 1 is partially provided on one side of the wafer 2 when the wafer 2 on which the semiconductor laser element is formed is separated into bars. The scribe line 1 is cleaved in such a manner that the pressing force of the cleaving roller 7 or the die blade is applied.

このように、ウエハ2の片サイドに部分的にスクライブライン1を設け、スクライブライン1の片方にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することで、へき開部の端面の凸凹をなくすことができ、光出力の不良個所をなくすことができる。
[第8の実施の形態]
次に、第8の実施の形態を図23及び図24に基づいて説明する。この実施の形態では、半導体レーザー素子が形成され、且つ、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、バーに分離されているウエハ2をチップに分離する際、バーの端面コーナより内側にスクライブライン1を設ける。このスクライブライン1は、図23(a)は両端部2f,2gを除いて長く形成され、図23(b)は中央部2hに形成され、図23(c)は両端部2f,2gに形成される。このスクライブライン1の形成は、図24に示すように、ダイヤモンドツールDTで形成される。この図23に示すウエハ2は、スクライブライン1にへき開用ローラ7、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開し、端面コ―ナ部の破損を防止でき、旦つ、チップ化後の形状不良をなくすことができる。
In this way, the scribe line 1 is partially provided on one side of the wafer 2, and the cleaved roller 7 or the die blade is cleaved so as to be subjected to the pressing force of one side of the scribe line 1, thereby The unevenness of the end face can be eliminated, and the defective portion of the light output can be eliminated.
[Eighth Embodiment]
Next, an eighth embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, a semiconductor laser element is formed, and its end face is coated with an antireflection film, and when the wafer 2 separated into bars is separated into chips, it is located inside the end face corner of the bar. A scribe line 1 is provided. The scribe line 1 is formed long except for both end portions 2f and 2g in FIG. 23A, FIG. 23B is formed in the central portion 2h, and FIG. 23C is formed in both end portions 2f and 2g. Is done. The scribe line 1 is formed by a diamond tool DT as shown in FIG. The wafer 2 shown in FIG. 23 is cleaved by applying the cleaving roller 7 or the die blade to the scribe line 1 to prevent damage to the end corner portion. The shape defect can be eliminated.

この発明は、予めスクライブラインが設けてあるウエハを拡張シート及び保護シートにより被覆し、スクライブラインとほぼ平行にへき開用ローラを加圧、回転移動させてスクライブラインよりへき開し、ウエハをバー化及びチップ化するウエハへき開装置及びウエハへき開方法に適用できる。   In this invention, a wafer on which a scribe line is provided in advance is covered with an expansion sheet and a protective sheet, and a cleaving roller is pressed and rotated and moved in parallel with the scribe line to cleave the scribe line to form a bar. The present invention can be applied to a wafer cleaving apparatus and a wafer cleaving method for forming chips.

ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハへき開装置のへき開用ローラ部を示す図である。It is a figure which shows the cleaving roller part of a wafer cleaving apparatus. ウエハへき開装置のへき開用ローラ部を示す図である。It is a figure which shows the cleaving roller part of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハの斜視図である。It is a perspective view of a wafer. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハの断面図である。It is sectional drawing of a wafer. ウエハへき開装置の平面図である。It is a top view of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハの断面図である。It is sectional drawing of a wafer. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハの断面図である。It is sectional drawing of a wafer. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a wafer cleaving apparatus. ウエハの平面図である。It is a top view of a wafer. ウエハにスクライブラインを形成する図である。It is a figure which forms a scribe line in a wafer. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus. 従来のウエハへき開装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional wafer cleaving apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 スクライブライン
2 ウエハ
3 拡張シート
4 保護シート
5 ウエハセット用テーブル
6 ゴム板
7a,7b へき開用ローラ
7c 押えローラ
10 装置本体
20 回転ユニット
21 回転体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Scribe line 2 Wafer 3 Expansion sheet 4 Protection sheet 5 Wafer set table 6 Rubber plate 7a, 7b Cleaving roller 7c Pressing roller 10 Device main body 20 Rotating unit 21 Rotating body

Claims (8)

スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開する複数のへき開用ローラを備えることを特徴とするウエハへき開装置。
A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer cleaving apparatus comprising a plurality of cleaving rollers that pressurize and rotate a wafer provided with the scribe line to cleave the scribe line.
スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記スクライブラインが設けてあるウエハを加圧、回転移動し、前記スクライブラインからへき開するへき開用ローラと、
前記ウエハヘき開時の圧力による前記へき開用ローラの変形を防止する押えローラとを備えることを特徴とするウエハへき開装置。
A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A cleaving roller that pressurizes and rotationally moves the wafer on which the scribe line is provided, and cleaves the scribe line;
A wafer cleaving apparatus comprising: a pressing roller that prevents deformation of the cleaving roller due to pressure at the time of cleaving the wafer.
スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
ローラ径の異なる複数のへき開用ローラを有する回転ユニットを備え、
前記ウエハに応じて前記ローラ径の異なるへき開用ローラに変更可能であることを特徴とするウエハへき開装置。
A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A rotating unit having a plurality of cleaving rollers having different roller diameters;
A wafer cleaving apparatus that can be changed to a cleaving roller having a different roller diameter depending on the wafer.
スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に段差を設け、ウエハの両サイドに部分的に設けたスクライブラインの片側のスクライブライン部分のみを加圧することを特徴とするウエハへき開装置。
A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
A wafer cleaving device, wherein a step is provided on at least one of the rubber plate or the cleaving roller, and only one scribe line portion of a scribe line partially provided on both sides of the wafer is pressurized.
スクライブラインが設けてあるウエハを前記スクライブラインからへき開するウエハへき開装置であり、
前記ウエハを支持するゴム板を有するウエハセット用テーブルと、
前記ウエハを加圧、回転移動するへき開用ローラとを備え、
前記ゴム板または前記へき開用ローラの少なくとも一方に溝を設け、前記ウエハの加圧しない個所が前記溝になるようにしたことを特徴とするウエハへき開装置。
A wafer cleaving apparatus for cleaving a wafer provided with a scribe line from the scribe line,
A wafer setting table having a rubber plate for supporting the wafer;
A cleaving roller that pressurizes and rotates the wafer, and
A wafer cleaving apparatus, wherein a groove is provided in at least one of the rubber plate or the cleaving roller, and a portion where the wafer is not pressed becomes the groove.
半導体レーザー素子が形成されているウエハをバーに分離する際に、
前記ウエハの両サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法。
When separating the wafer on which the semiconductor laser element is formed into bars,
A scribe line is partially provided on both sides of the wafer,
A wafer cleaving method, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a mold blade is applied to one side of the scribe line.
半導体レーザー素子が形成されているウエハをバーに分離する際に、
前記ウエハの片サイドに部分的にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインの片方にへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法。
When separating the wafer on which the semiconductor laser element is formed into bars,
A scribe line is partially provided on one side of the wafer,
A wafer cleaving method, wherein cleaving is performed so that a cleaving roller or a pressing force of a mold blade is applied to one side of the scribe line.
半導体レーザー素子が形成され、且つ、その端面には反射防止膜が被覆され、且つ、バーに分離されているウエハをチップに分離する際、
前記バーの端面コーナより内側にスクライブラインを設け、
前記スクライブラインにへき開用ローラ、または金型刃の加圧力がかかるようにしてへき開することを特徴とするウエハへき開方法。
When a semiconductor laser element is formed and an end surface thereof is coated with an antireflection film and a wafer separated into bars is separated into chips,
Provide a scribe line inside the end face corner of the bar,
A wafer cleaving method comprising cleaving the scribe line while applying a cleaving roller or a pressing force of a mold blade.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013004583A (en) * 2011-06-13 2013-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device
JP2013004584A (en) * 2011-06-13 2013-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device
JP2014099502A (en) * 2012-11-14 2014-05-29 Lintec Corp Sheet application device and application method and pressing device and pressing method
JP2016006903A (en) * 2015-08-28 2016-01-14 株式会社東京精密 Semiconductor substrate cleaving method
JP2020123684A (en) * 2019-01-31 2020-08-13 三菱電機株式会社 Separation method of semiconductor substrate, and separation jig

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013004583A (en) * 2011-06-13 2013-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device
JP2013004584A (en) * 2011-06-13 2013-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting device
JP2014099502A (en) * 2012-11-14 2014-05-29 Lintec Corp Sheet application device and application method and pressing device and pressing method
JP2016006903A (en) * 2015-08-28 2016-01-14 株式会社東京精密 Semiconductor substrate cleaving method
JP2020123684A (en) * 2019-01-31 2020-08-13 三菱電機株式会社 Separation method of semiconductor substrate, and separation jig
JP7206962B2 (en) 2019-01-31 2023-01-18 三菱電機株式会社 Semiconductor substrate separation method and separation jig

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